JP2017067829A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】小型で狭額縁の液晶表示装置において、シール部の信頼性を向上させる。
【解決手段】画素電極およびＴＦＴを有する画素がマトリクス状に形成され、第１の配向膜１０６を有する表示領域と、前記表示領域を囲むシール部と、端子部を有するＴＦＴ基板と、第２の配向膜を有する対向基板が前記シール部においてシール材２０を介して前記ＴＦＴ基板と接着し、内部に液晶が封入された液晶表示装置であって、前記シール部においては、辺に沿って堰１０が枠状にかつ島状に形成され、前記枠状の堰１０の内部では、前記シール材２０と前記ＴＦＴ基板の間には前記第１の配向膜１０６が存在しないことを特徴とする。
【選択図】図３

Description

本発明は表示装置に係り、特に所定に外形に対して、表示領域を大きくした、いわゆる狭額縁にすることが可能な、液晶表示装置に関する。

液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。

液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。小型の液晶表示装置では、外形を小さく保ったまま、表示領域を大きくしたいという要求が強い。そうすると、表示領域の端部から液晶表示装置の端部までの幅が小さくなり、いわゆる、狭額縁とする必要がある。

額縁領域には、ＴＦＴ基板と対向基板を接着するシール材が形成されている。一方、液晶表示装置の表示領域には、液晶を初期配向させるための配向膜が形成されている。配向膜は、表示領域を確実に覆う必要があるので、配向膜の塗布面積は、表示領域よりも所定の幅大きくしなければならい。一方、配向膜がシール材との界面に存在すると、シール材の接着力が低下する。しかし、狭額縁になると配向膜をシール部のみから排除することは難しい。

近年、配向膜をインクジェットによって形成する手法が用いられている。インクジェットの場合、従来のフレキソ印刷の場合に比べて配向膜材料の粘土が小さいので、配向膜の形成範囲の制御がより難しくなる。

引用文献１には、配向膜をインクジェットで形成する場合に、配向膜が乾燥するときに、周辺部において、穴部や切欠きを形成するようにして、シール材が形成される部分において、部分的にシール材と配向膜とは接触しないような構成とすることが記載されている。

引用文献２には、表示領域に形成される第１配向膜よりも乾燥速度の早い第２の配向膜を表示領域の外側に形成することによって、第１の配向膜の形成範囲を制御する構成が記載されている。

特開２００４−３６１６２３号公報 特開２０１１−１４５５３５号公報

「特許文献１」に記載の技術は、配向膜周辺における微小な穴部や切欠き部において、シール材の接着強度を向上させるものであるが、微小な穴部や切欠きを安定して形成することが難しい。

「引用文献２」に記載の技術は、乾燥の早い第２の配向膜によって、表示領域に形成される第１の配向膜をせき止めるものであるが、第２の配向膜の内側において、第１の配向膜の厚さが大きくなりやすい。配向膜の膜厚分布が変化すると、液晶の配向、画面の輝度等に影響を及ぼす。

本発明の課題は、狭額縁の液晶表示装置であっても、シール部において、シール材と配向膜とは接触しない領域を安定的に形成することによって、シール材の接着強度を安定化し、信頼性の高い液晶表示装置を実現することである。

本発明は上記問題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。すなわち、画素電極およびＴＦＴを有する画素がマトリクス状に形成され、第１の配向膜を有する表示領域と、前記表示領域を囲むシール部と、端子部を有するＴＦＴ基板と、第２の配向膜を有する対向基板が前記シール部においてシール材を介して前記ＴＦＴ基板と接着し、内部に液晶が封入された液晶表示装置であって、前記シール部においては、辺に沿って堰が枠状にかつ島状に形成され、前記枠状の堰の内部では、前記シール材と前記ＴＦＴ基板の間には前記第１の配向膜が存在しないことを特徴とする液晶表示装置である。

本発明が適用される液晶表示装置の平面図である。 マザー基板における液晶表示パネルの配置例を示す平面図の例である。 マザー基板における本発明による液晶表示パネルの詳細図である。 図３のＡ部詳細図であり、堰の平面図である。 図３のＡ部詳細図の他の例である。 図４又は図５のＡ−Ａ断面図である。 図４又は図５のＢ−Ｂ断面図である。 図４又は図５のＡ−Ａ断面図の他の例である。 堰の平面図の他の例である。 堰の平面図のさらに他の例である。 実施例２におけるシール部の詳細平面図である。 実施例３におけるマザー基板における液晶表示パネルの配置を示す平面図の例である。 実施例３におけるマザー基板内の液晶表示パネルの例である。 実施例３におけるマザー基板内の液晶表示パネルの他の例である。

以下に実施例によって本発明の内容を詳細に説明する。

図１は、本発明が適用される製品の例である、携帯電話等に使用される小型の液晶表示装置の平面図である。なお、本明細書では、液晶表示装置からバックライト等を除いたものを液晶表示パネルと称する。図１において、ＴＦＴ基板１００の上に対向基板２００が配置されている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶層が挟持されている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００とはシール部に形成されたシール材２０によって接着している。図１においては、液晶は滴下方式によって封入されるので、液晶の注入孔は形成されていない。

ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成されており、ＴＦＴ基板１００が対向基板２００よりも大きくなっている部分には、液晶表示パネルに電源、映像信号、走査信号等を供給するための端子部１５０が形成されている。端子部１５０には、走査信号線３０、映像信号線３１等を駆動するためのＩＣドライバ１６０が設置されている。端子部には多くの端子が形成されており、端子に配向膜がかぶさると端子部における導通不良を生ずる。

図１の表示領域１０において、横方向には走査信号線３０が延在し、縦方向に配列している。また、縦方向には映像信号線３１が延在し、横方向に配列している。走査信号線と映像信号線とで囲まれた領域が画素３２を構成する。表示領域１０の外側には周辺領域と端子部とが設けられている。

図１において、表示領域１０は配向膜によって完全に覆われている。配向膜はインクジェットによって形成されている。配向膜は後で述べる本発明の構成によって、シール部の一部においてせき止められている。これによって、シール部において、シール材は一部において配向膜と接触せず、他の部分においては配向膜と接触している。

液晶表示パネルは、1個ずつ製作するのは効率が悪いので、マザー基板に複数の液晶表示パネルを作成し、最後に個々の液晶表示パネルに分離することが行われている。すなわち、マザーTFT基板に複数のＴＦＴ基板を作成し、マザー対向基板に複数の対向基板を形成し、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板とを接着する。

図２はマザー基板１０００の例を示す平面図である。図２において、マザー基板１０００には５４個の液晶表示パネル４０が形成され、これをスクライブライン４００に沿って個々に分離する。すなわち、マザー基板完成後、スクライブライン４００に沿ってスクライブを入れ、その後衝撃を加えることによってガラスを破断して、個々の液晶表示パネル４０を分離する。

図３は、マザーＴＦＴ基板における、３個の液晶表示パネルについての詳細平面図である。図３において、各ＴＦＴ基板は表示領域５００と端子部１５０とに分かれている。シール材２０によって囲まれた領域に表示領域５００が存在している。また、表示領域５００はTFT基板と対向電極が重なった部分に形成され、端子部１５０は、ＴＦＴ基板が１枚となった部分に形成されている。

ＴＦＴ基板と対向基板とはシール材２０によって接着している。表示領域５００には配向膜１０６が形成されている。配向膜１０６は、液晶分子を初期配向させるものである。配向膜１０６は、例えばインクジェットで形成するが、配向膜材料は、液体状態では粘度が小さいので、シール部にまで、拡がってしまう。シール材２０と配向膜１０６とは接着強度が強くないので、シール材２０の全面が配向膜１０６と接触すると、シール部の信頼性が問題となる。

液晶表示装置は視野角特性が問題である。ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｃｈｉｎｇ）方式は、液晶分子をＴＦＴ基板の主面と平行方向に回転させることによって透過率を制御するものであり、優れた視野角特性を有している。ＩＰＳはプレティルト角が必要でないため、いわゆる光配向方式を使用することが出来る。光配向は、偏光紫外線を照射することによって、特定方向の鎖を破壊し、配向膜に一軸異方性を与え、配向特性を発揮させるものである。光配向処理された配向膜は、光配向以外の配向処理を受けた配向膜に比べて、シール材との接着性が低いという性質を有している。

本発明は、図３に示すように、配向膜１０６を所定の領域でせき止める堰１０を形成することによって、シール材２０と配向膜１０６とが接触しない領域（配向膜非形成領域）を形成することによって、シール材２０の接着力を維持している。堰１０は、配向膜１０６と同様な材料であって、かつ、乾燥の早い材料でもよく、配向膜１０６とは別な有機材料でもよい。いずれの場合も、配向膜１０６よりも乾燥の早い材料が望ましい。さらには、画素電極やコモン電極に使用するＩＴＯ等の透明導電膜を用いて堰を形成することもできる。

図３において、堰１０はスクライブライン４００を挟んで隣り合うＴＦＴ基板に島状に四角い枠状に形成されている。その後配向膜１０６をインクジェットで形成する。インクジェットに用いられる配向膜材料は粘度が低いので、材料は濡れ拡がる。しかし、島状に形成された堰１０には、配向膜１０６は侵入しない。その後、配向膜１０６を焼成してポリイミドの膜を形成するが、この状態でも、島状の堰１０の内部には、配向膜１０６は形成されていない。

図４は、図３のＡ部の拡大図である。図４において、スクライブライン４００を中心として、堰１０が四角い枠状に形成されている。また、スクライブライン４００の両側にシール材２０が形成されている。四角い堰１０の枠外においては、配向膜１０６とシール材２０とはオーバーラップしているので、この部分でのシール材の接着強度は小さくなる。一方、四角い堰１０の枠内には、配向膜１０６は形成されていないので、この部分でのシール材２０の接着強度は強く保つことが出来る。したがって、本発明によれば、全体としてシール部の信頼性を高く保つことが出来る。

図５は、本発明の他の例である。図５で使用している配向膜１０６の粘度は、図４の場合よりもさらに小さく、２つの液晶表示パネルの境界まで、配向膜１０６が形成されている。しかし、図４と同様に、堰１０である四角の枠の内部には、配向膜１０６は形成されていないので、この部分において、シール材２０の接着力を維持することが出来る。液晶表示パネルをマザー基板から分離した状態における、図４あるいは図５に示す堰１０の形状は、例えば、堰１０の枠とＴＦＴ基板の辺とで矩形をなしている。

本発明では、枠状の堰１０を島状に形成することによって、図４あるいは図５の矢印で示すように、配向膜材料が移動することが出来るので、配向膜１０６が堰１０の部分において、厚く形成されてしまうという問題を避けることが出来る。ただし、図３における端子部１５０側においては、配向膜材料が端子に流れだすと端子の導通不良を生ずるので、端子部１５０においては、堰１０を連続して形成して、配向膜材料が端子部１５０に流れだすのを防止している。なお、端子部１５０側はスペース的には余裕があるので、シール材２０の幅を大きくとることが出来るため、堰１０とシール材２０をオーバーラップさせることによって、配向膜１０６の端部を表示領域５００から遠ざけ、配向膜１０６の膜厚の変化が表示領域５００に及ぼす影響を防止することが出来る。

また、図３においては、各液晶表示パネルのコーナー部には枠状の堰１０が形成され、コーナー部では、シール材２０の接着強度を強くしている。剥離応力は、液晶表示パネルのコーナー部において最も強いからである。このような構成によって、シール部の信頼性を高く維持することが出来る。

図６は、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が接着した状態における図４および図５のＡ−Ａ断面図であり、図７はＢ−Ｂ断面図である。図６および図７は、ＴＦＴ基板１００側も対向基板２００側も枠状の堰１０は同じ形状であるとしている。すなわち、ＴＦＴ基板１００側も対向基板２００側も同じ形状の堰１０によって、配向膜１０６の塗布範囲を制御している。

本実施例では、液晶表示装置はいわゆるＩＰＳ方式の一つである、ＦＦＳ（Ｆｌｉｎｇ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式を例にとって説明する。ＦＦＳでは、下層に平面状の電極を形成し、絶縁膜を介して櫛歯状あるいはスリットを有する電極を配置する。平面状の電極と上層の櫛歯状あるいはスリットを有する電極との間に発生する電界によって液晶分子を回転させて画素内の光の透過率を変化させ、画像を形成する。

図６において、シール材２０によってＴＦＴ基板１００と対向基板２００が接着している。図６において、シール材２０の内側には液晶３００が充填されている。図６において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００に第１の絶縁膜１０１が形成されている。第１の絶縁膜１０１はガラスからの不純物がＴＦＴの半導体層を汚染することを防止するために形成されるアンダーコート膜である場合もある。第１の絶縁膜１０１の上に第２の絶縁膜１０２が形成されている。第２の絶縁膜１０２は、ＴＦＴにおけるゲート絶縁膜である場合もある。第２の絶縁膜１０２の上に走査線引出し線１０３が形成されている。矩形の走査線引き出し線１０３は、図１において、図面の上側から端子側に向かう走査線引出し線１０３の断面を表している。

走査線引出し線１０３を覆って有機パッシベーション膜１０４が形成されている。有機パッシベーション膜１０４は２乃至３μｍと、厚く形成され、平坦化膜としての役割も有している。有機パッシベーション膜１０４は感光性樹脂で形成され、パターニングにフォトレジストを必要としない。

図６において、有機パッシベーション膜１０４の上にＳｉＮで形成された層間絶縁膜１０５が形成されている。この層間絶縁膜１０５は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の表示領域において、平面状の下層電極と櫛歯状あるいはスリットを有する上層電極の層間の絶縁膜である。下層電極がコモン電極で、上層電極が画素電極である場合もあるし、その逆の場合もあるが、下層電極も上層電極もＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）で代表される透明酸化物導電膜で形成されている。

有機パッシベーション膜１０４は、水分を透過しやすいので、端部から有機パッシベーション膜１０４を透過してくる水分を遮断するために、有機パッシベーション膜１０４に溝状スルーホール１０４１が形成されている。この溝状スルーホール１０４１は、シール部内に表示領域を囲むように、ＴＦＴ基板１００の全周に形成される。

図６において、層間絶縁膜１０５の上に配向膜１０６が形成されている。配向膜１０６は、当初液体である配向膜材料を、フレキソ印刷、インクジェット等によって塗布するが、配向膜材料がシール部の外側端部、すなわち、スクライブラインにまで達しないように、ストッパーとして、堰１０が形成されている。配向膜１０６はこの堰１０より内側に形成されている。堰１０より内側ではシール材２０は配向膜１０６と接触しているが、堰１０より外側つまり、スクライブライン側４００では、シール材２０が層間絶縁膜１０５と直接接触している。

なお、有機パッシベーション膜１０４に凹部が３箇所形成されており、凹部のさらに外側に溝状スルーホール１０４１が形成されているが、これらは、堰で、配向膜を制御しきれなかった場合の予備の配向膜ストッパーとして機能させることが出来る。

図６において、対向基板２００側にはブラックマトリクス２０１が形成されている。図６におけるブラックマトリクス２０１はシール部からの光漏れを防止するために設けられている。ブラックマトリクス２０１は樹脂で形成されているので、樹脂を浸透してくる水分を遮断するためにブラックマトリクス溝２０１１が形成されている。ブラックマトリクス２０１の上には、カラーフィルタ２０２が紙面垂直方向にストライプ状に形成されている。カラーフィルタ２０２はオーバーコート膜２０３の上に形成される第１柱状スペーサ２１０に対応して形成されている。

カラーフィルタ２０２の上にオーバーコート膜２０３が形成されている。オーバーコート膜２０３を覆って配向膜１０６が形成されている。オーバーコート膜２０３の上には堰１０が形成されており、この堰１０は、ＴＦＴ基板１００側と同様に、配向膜材料がシール部の外側端部、すなわち、スクライブラインにまで達しないように、配向膜材料のストッパーとしての役割を有する。オーバーコート膜２０３には、カラーフィルタ２０２の部分に対応して凸部が形成されている。この凸部は、配向膜材料を塗布した時に配向膜材料が基板外側方向に広がろうとするのを防止するための補助的な役割を有する。

図６において、オーバーコート膜１０６の上に形成された堰１０より内側では、シール材２０と配向膜１０６が接触しているが、堰１０より外側、すなわちスクライブライン４００側ではシール材２０は層間絶縁膜１０５と接触している。堰１０によって、配向膜１０６の塗布範囲を制限することによって、シール部におけるシール材２０の接着強度を安定化している。

オーバーコート膜２０３の凸部に第１柱状スペーサ２１０が形成されている、第１柱状スペーサ２１０はシール部における対向基板２００とＴＦＴ基板１００の間隔を規定する役割を有する。図６において、第１柱状スペーサ２１０よりも表示領域側に、第１柱状スペーサ２１０よりも高さが低い第２柱状スペーサ２２０が形成されている。第２柱状スペーサ２２０は対向基板２００に外部から圧力が加わった場合、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔が過度に小さくなることを防止する役割を有する。

シール部の端部には土手状スペーサ２３０が形成されている。土手状スペーサ２３０は、液晶表示パネルが複数形成されたマザー基板において、隣接する液晶表示パネルの境界に配置され、土手状スペーサ２３０の中心に沿ってスクライビングをいれ、その後、破断することによって個々の液晶表示パネルを分離する。すなわち、土手状スペーサ２３０は、スクライビングを入れた後の破断を安定して行うための役割を有する。

図６において、シール材２０がＴＦＴ基板１００側あるいは対向基板２００側と接触している幅をｗｓとした場合、堰の中心は、シール材２０の幅方向の中心よりも表示領域側に形成したほうが良い。シール材２０の接着力をより安定化するためである。なお、シール材２０がＴＦＴ基板１００側あるいは対向基板２００側と接触している幅ｗｓはＴＦＴ基板１００側と対向基板２００側とで異なる場合もある。

図７は図４あるいは図５のＢ−Ｂ断面図である。図７のＴＦＴ基板１００側において、配向膜１０６は堰１０よりも内側に形成されている。堰１０は、有機パッシベーション膜１０４の第２の凹部から外側、すなわち、スクライブライン４００側まで形成されている。図７の対向基板２００側において、配向膜１０６は堰１０より内側に形成されている。堰１０は、オーバーコート膜２０３の第１の凹部から外側、すなわちスクライブライン４００側まで形成されている。その他の構成は図６で説明したのと同様である。

このように、本発明によれば、堰１０を形成することによって、配向膜１０６の塗布範囲を制御することが出来るとともに、堰１０を枠状にかつ島状に形成することによって、堰１０の部分において配向膜１０６が厚く形成される現象を防止することが出来る。

以上は、ＴＦＴ基板１００側も対向基板２００側も同様に形成された堰１０によって、配向膜１０６の形成範囲を制御した場合である。対向基板２００側では、柱状スペーサを形成する際に、同時に堰１０を形成することが出来る。すなわち、柱状スペーサは、アクリル等の透明有機材料を塗布した後、フォトリソグラフィによって形成するが、同じ工程で堰１０を形成することが出来る。

図８は、対向基板２００側において、柱状スペーサと同時に形成される堰１０によって、配向膜１０６の形成範囲を制御した例である。図８において、対向基板２００側の堰１０は、ＴＦＴ基板１００側の堰１０よりも高く形成されている。しかし、柱状スペーサと同じプロセスによって形成される対向基板側の堰１０は、ハーフ露光技術を使用することによって任意の高さに形成することが可能である。なお、このような堰１０は、フォトリソグラフィによって形成するので、任意の形状に形成することが出来、図４、図５等で説明したような枠状に形成することもできる。

図９は、図３の領域Ａを示す他の例である。図９では、島状に形成された枠状の堰１０が楕円の場合である。図９において、楕円の枠内には配向膜１０６は形成されていないので、シール材２０と層間絶縁膜が直接接触している。一方、楕円の枠外においては、シール材２０は配向膜１０６と接触している。

図９において、配向膜１０６は、矢印に示すように、楕円の堰１０の外側を回り込むことが出来るので、堰１０の付近において配向膜１０６が厚く形成される現象を防止することが出来る。図９において、楕円の形状を変化させることによって、シール部の接着強度を制御することが出来、また、配向膜１０６の膜厚の分布を制御することが出来る。

なお、液晶表示パネルをマザー基板から分離した状態における、図９に示す堰１０の形状は、例えば、堰１０の枠とＴＦＴ基板の辺とでなす形状が楕円を半分に切った場合の片側の形状となっている。また、この形状は半円であってもよい。

図１０は、図３の領域Ａを示すさらに他の例である。図１０では、島状に形成された枠状の堰１０が菱形あるいは平行四辺形の場合である。図１０において、菱形の枠内には配向膜１０６は形成されていないので、シール材２０と層間絶縁膜が直接接触している。一方、菱形の枠外においては、シール材２０は配向膜１０６と接触している。

図１０において、配向膜１０６は、矢印に示すように、菱形の堰１０の外側を回り込むことが出来るので、堰１０の付近において配向膜１０６が厚く形成される現象を防止することが出来る。図１０において、菱形あるいは平行四辺形の形状を変化させることによって、シール材２０の接着強度を制御することが出来、また、配向膜１０６の膜厚の分布を制御することが出来る。なお、液晶表示パネルをマザー基板から分離した状態における、図９に示す堰の形状は、例えば、堰の枠とＴＦＴ基板の辺とでなす形状が３角形となっている。

図３における島状に形成された枠状の堰の形状は、以上で説明した、長方形、楕円、菱形、平行四辺形等に限らず、ラグビーボール状等、他の形状で形成することも可能である。

実施例１では、枠状の堰１０の位置がスクライブライン４００から見てシール材２０の端部よりも内側、すなわち、液晶側に形成されている。本実施例を示す図１１では、これとは逆に枠状の堰１０の位置がシール材２０の端部よりも外側、すなわち、スクライブライン４００側に存在している。図１１の矢印は、配向膜が堰１０の周りを回り込むことを示している。これによって、堰１０の端部に配向膜１０６が厚く形成されることを防止することが出来る。

本実施例では、シール材２０が配向膜１０６と接触しない領域は、実施例１の場合に比べて小さくなるが、レイアウトにおける堰１０の影響を小さくしたい場合、あるいは、シール材２０の幅を比較的広くとれるようなレイアウトの場合は効果を上げることが出来る。本実施例においても、液晶表示パネルにおける枠状の堰１０の配置は図３に示したものと同様である。また、各液晶表示パネルのシール部のコーナーにおいては、枠状の堰１０が存在していることが望ましい。

図１２は、本実施例でのマザー基板１０００における液晶表示パネル４０のレイアウトを示す平面図である。図１２に示すレイアウトでは、液晶表示パネル４０が縦横方向とも隙間なく配置している。図２に示すレイアウトでは、行毎に液晶表示パネル４０間に隙間が存在しているので、端子部１５０と対向する短辺においては、他の液晶表示パネルへの配向材料の流れは考えなくとも良い。しかし、図１２に示すような配置においては、図１２の上下方向にも隙間なく液晶表示パネル４０が配置しているので、端子部１５０と対向する短辺側においても、配向膜が他の液晶表示パネルに影響を及ぼさないようにする必要がある。つまり、端子部１５０と対向する辺において、配向膜材料がスクライブライン４００を超えて流出すると、隣接する液晶表示パネル４０の端子に配向膜がかぶさり、導通不良を起こす危険があるからである。

図１３は、図１２における３個の液晶表示パネル示す拡大図である。図１３において、端子部１５０と対向する側の短辺は、端子部１５０側と同様に、直線状の連続した堰１０が形成されている。これによって、配向膜材料が隣接する液晶表示パネルの端子部１５０に流出することを防止することが出来る。図１３において長辺側及び端子部側の辺は、図３と同様である。図１３においては、少なくとも、長辺側においては、堰１０の端部において、配向膜が厚く形成される現象は防止することが出来る。

図１４は、本実施例における他の例を示す平面図である。端子部１５０と対向する側の短辺における堰１０は、連続しているが、直線状ではなく、屈曲している。すなわち、堰１０の一部は、スクライブライン４００から見て表示領域５００側に突出しており、他の部分では、隣接する液晶表示パネルの端子部１５０側に突出している。図１４では、隣接する液晶表示パネルの端子部１５０側に配向膜材料が流れ出るが、この範囲は端子を覆わないように、堰１０によって制限することが出来る。

すなわち、図１４の構成では、隣接する液晶表示パネルの端子部１５０側に無制限に配向膜材料が流れ出ることはないので、図１２における縦方向にも隙間なく、液晶表示パネル４０を配置することが出来る。一方、シール部側では、堰１０は、部分的に、表示領域５００側に突出しているので、堰１０において配向膜１０６が厚く形成されて、表示領域５００に影響を及ぼすことを防止することが出来る。また、表示領域５００側に突出した堰１０によって、シール材２０と配向膜１０６が直接接触することを防止し、この部分において、シール材２０の接着力向上させることが出来る。

図１４における他の構成は、図３等と同様である。なお、図３、図１２、図１４等において、端子側の辺は連続して直線状に形成されているが、レイアウト上可能であれば、図１４における端子部と対向する辺の側と同様な形状としてもよい。

１０…堰、 ２０…シール材、 ３０…走査信号線、 ３１…映像信号線、 ３２…画素、 ４０…液晶表示パネル、 １００…ＴＦＴ基板、 １０１…第１の絶縁膜、 １０２…第２の絶縁膜、 １０３…走査線引き出し線、 １０４…有機パッシベーション膜、 １０５…層間絶縁膜、 １０６…配向膜、 １５０…端子部、 １６０…ＩＣドライバ、 ２００…対向基板、 ２０１…ブラックマトリクス、 ２０２…カラーフィルタ、 ２０３…オーバーコート膜、 ２１０…第１柱状スペーサ、 ２２０…第２柱状スペーサ、 ２３０…土手状スペーサ、 ３００…液晶、 ４００…スクライブライン、 ５００…表示領域、 １０００…マザー基板、 １０４１…溝状スルーホール、 ２０１１…ブラックマトリクス溝

Claims (16)

1. 画素電極およびＴＦＴを有する画素がマトリクス状に形成された表示領域と、前記表示領域外に設けられる周辺領域と端子部と、を有し、第1配向膜が形成されたＴＦＴ基板と、
   第２の配向膜を有する対向基板と、を有し
   前記ＴＦＴ基板と前記対向基板とがシールを介して接着し、内部に液晶が封入された液晶表示装置であって、
   前記シールと前記ＴＦＴ基板との間には、配向膜形成領域と、複数の配向膜非形成領域とが形成されており、
   前記ＴＦＴ基板から前記配向膜形成領域までの高さよりも、前記ＴＦＴ基板から前記配向膜非形成領域までの高さの方が高いことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記表示領域と前記端子部との間においては、前記配向膜非形成領域が連続して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記表示領域と前記端子部との間においては、前記配向膜非形成領域が連続して直線状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記表示領域に対して、前記端子部側と対向する前記周辺領域においては、前記配向膜非形成領域は連続して形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の液晶表示装置。
5. 前記表示領域に対して、前記端子部側と対向する前記周辺領域においては、前記配向膜非形成領域は連続して直線状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の液晶表示装置。
6. 前記周辺領域のコーナー部においては、前記配向膜非形成領域は枠状に形成され、前記配向膜非形成領域では、前記シール材と前記ＴＦＴ基板の間には前記第１の配向膜が存在しないことを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の液晶表示装置。
7. 前記配向膜非形成領域は、前記第１の配向膜よりも乾燥の早い有機材料で形成された層が前記シールと接していることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の液晶表示装置。
8. 前記配向膜非形成領域はＩＴＯで形成された層が前記シールと接していることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の液晶表示装置。
9. 前記配向膜非形成領域の幅方向の中心は、前記シールの幅方向の中心よりも、表示領域側に存在していることを特徴とする請求項１乃至８の何れに記載の液晶表示装置。
10. 前記配向膜非形成領域の枠と前記ＴＦＴ基板の辺とでなす形状は矩形であることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の液晶表示装置。
11. 前記配向膜非形成領域の枠と前記ＴＦＴ基板の辺とでなす形状は３角形であることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の液晶表示装置。
12. 前記配向膜非形成領域の枠と前記ＴＦＴ基板の辺とでなす形状は半円であることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の液晶表示装置。
13. 前記配向膜非形成領域の枠と前記ＴＦＴ基板の辺とでなす形状は楕円を軸で切った場合の、楕円の片側の形状であることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の液晶表示装置。
14. 前記対向基板の前記シール部においては、辺に沿って堰が枠状にかつ島状に形成され、
    前記枠状の堰の内部では、前記シール材と前記ＴＦＴ基板の間には前記第２の配向膜が存在しないことを特徴とする請求項１乃至１３の何れかに記載の液晶表示装置。
15. 前記対向基板に形成された前記堰の形状は前記ＴＦＴ基板に形成された前記配向膜非形成領域と同じ形状であることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
16. 前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間隔は柱状スペーサによって規定され、前記対向基板に形成された前記配向膜非形成領域は前記柱状スペーサと同じ材料によって形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。

Images