JP2017059617A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の向上を図ることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１ａは、発光素子２と、発光素子２が実装された実装基板３と、発光素子２を収納する凹部４１が形成されたガラス製のカバー４と、カバー４における凹部４１の周部４２と実装基板３との間にありカバー４と実装基板３とを接合している接合部５と、カバー４を囲繞しているリフレクタ６と、を備える。カバー４の周部４２には、凹部４１から離れた窪み部４３が形成されている。窪み部４３は、実装基板３側及びカバー４の外側が開放されている。接合部５は、カバー４の周部４２の全周に亘って在り、かつ、低融点ガラスである。リフレクタ６は、実装基板３の厚さ方向において実装基板３から離れるにつれて開口面積が大きくなっているリフレクタ本体６１と、カバー４における窪み部４３の底面４３１と実装基板３との間に機械的に保持されている位置決め片６２と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置に関する。

従来、発光装置としては、ＬＥＤチップ（発光素子）と、実装基板と、ＬＥＤチップを囲む枠体と、封止部と、凸レンズと、色変換部材と、配光レンズと、反射用構造体（リフレクタ）と、を備えたＬＥＤ照明装置が提案されている（特許文献１）。

ＬＥＤチップは、青色光を放射するＧａＮ系青色ＬＥＤチップである。枠体は、実装基板におけるＬＥＤチップの実装面側でＬＥＤチップを囲んでいる。枠体は、透光性材料により形成されている。封止部は、枠体の内側でＬＥＤチップを封止している。封止部は、シリコーン樹脂等の透明樹脂により形成されている。凸レンズは、封止部に重ねて配置されている。凸レンズは、シリコーンにより形成されている。色変換部材は、ドーム状に形成され、実装基板の実装面側に配置されている。配光レンズは、実装基板側に色変換部材を収納する凹所を有する。反射用構造体は、配光レンズを囲む枠状の反射部材により構成されている。

特開２００７−２０８３０１号公報

発光装置の分野では、信頼性の向上が望まれている。

本発明の目的は、信頼性の向上を図ることが可能な発光装置を提供することにある。

本発明の発光装置は、発光素子と、前記発光素子が実装された実装基板と、前記発光素子を収納する凹部が形成されたガラス製のカバーと、前記カバーにおける前記凹部の周部と前記実装基板との間にあり前記カバーと前記実装基板とを接合している接合部と、前記カバーを囲繞しているリフレクタと、を備える。前記カバーの前記周部には、前記凹部から離れた窪み部が形成されている。前記窪み部は、前記カバーの外側が開放されている。前記接合部は、前記周部の全周に亘って在り、かつ、低融点ガラスもしくは合金である。前記リフレクタは、前記実装基板の厚さ方向において前記実装基板から離れるにつれて開口面積が大きくなっているリフレクタ本体と、前記カバーにおける前記窪み部の底面と前記実装基板との間に保持されている位置決め片と、を備える。

本発明の発光装置は、信頼性の向上を図ることが可能となる。

図１Ａは、実施形態１の発光装置の概略平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＸ−Ｘ概略断面図である。 図２Ａは、実施形態１における発光装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。図２Ｂは、実施形態１における発光装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。 図３Ａは、実施形態１の第１変形例の発光装置を示す概略平面図である。図３Ｂは、図３ＡのＸ−Ｘ概略断面図である。 図４は、実施形態１の第１変形例の発光装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。図４Ｂは、実施形態１の第１変形例の発光装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。 図５Ａは、実施形態１の第２変形例の発光装置を示す概略平面図である。図５Ｂは、図５ＡのＸ−Ｘ概略断面図である。 図６は、実施形態１の第２変形例の発光装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。 図７Ａは、実施形態１の第３変形例の発光装置を示す概略平面図である。図７Ｂは、図７ＡのＸ−Ｘ概略断面図である。 図８は、実施形態１の第３変形例の発光装置の製造方法を説明するための主要工程断面図である。 図９Ａは、実施形態１の第４変形例の発光装置を示す概略平面図である。図９Ｂは、実施形態１の第４変形例の発光装置におけるリフレクタの概略平面図である。 図１０Ａは、実施形態１の第５変形例の発光装置を示す概略平面図である。図１０Ｂは、実施形態１の第５変形例の発光装置におけるリフレクタの概略平面図である。 図１１Ａは、実施形態１の第６変形例の発光装置を示す概略平面図である。図１１Ｂは、実施形態１の第６変形例の発光装置におけるリフレクタの概略平面図である。 図１２は、実施形態１の第７変形例の発光装置を示す概略断面図である。 図１３は、実施形態２の発光装置の概略断面図である。 図１４は、実施形態２の第１変形例の発光装置を示す概略断面図である。 図１５は、実施形態３の発光装置の概略断面図である。 図１６は、実施形態３の第１変形例の発光装置を示す概略断面図である。 図１７は、実施形態３の第２変形例の発光装置を示す概略断面図である。 図１８は、実施形態３の第３変形例の発光装置を示す概略断面図である。 図１９は、実施形態３の第４変形例の発光装置を示す概略断面図である。

下記の実施形態１〜３等において説明する各図は、模式的な図であり、各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

（実施形態１）
以下では、本実施形態の発光装置１ａについて、図１Ａ及び１Ｂに基づいて説明する。

発光装置１ａは、発光素子２と、発光素子２が実装された実装基板３と、発光素子２を収納する凹部４１が形成されたガラス製のカバー４と、カバー４と実装基板３とを接合している接合部５と、カバー４を囲繞しているリフレクタ６と、を備える。接合部５は、カバー４における凹部４１の周部４２と実装基板３との間にある。カバー４の周部４２には、凹部４１から離れた窪み部４３が形成されている。窪み部４３は、カバー４の外側が開放されている。接合部５は、カバー４の周部４２の全周に亘って在り、かつ、低融点ガラスである。リフレクタ６は、実装基板３の厚さ方向において実装基板３から離れるにつれて開口面積が大きくなっているリフレクタ本体６１と、カバー４における窪み部４３の底面４３１と実装基板３との間に保持されている位置決め片６２と、を備える。以上の構成により、発光装置１ａは、信頼性の向上を図ることが可能となる。発光装置１ａでは、リフレクタ６の位置決め片６２が、カバー４における窪み部４３の底面４３１と実装基板３との間に保持されているので、リフレクタ６が樹脂等の接着剤のみによって実装基板３に固定されている場合に比べて、信頼性の向上を図れる。要するに、発光装置１ａでは、発光素子２からの光により劣化する接着剤を用いなくとも、リフレクタ６をカバー４と実装基板３とで保持しているので、信頼性を向上させることが可能となる。

発光装置１ａの各構成要素については、以下に詳細に説明する。

発光素子２の平面視形状は、例えば、正方形状であるのが好ましい。「発光素子２の平面視形状」とは、発光素子２の厚さ方向に沿った方向から見た発光素子２の外周形状である。

発光素子２は、紫外線発光素子である。これにより、発光装置１ａは、発光素子２から放射された紫外線をカバー４から出射させることが可能となる。

発光素子２を構成する紫外線発光素子は、例えば、ＵＶ−Ｃの波長域に発光ピーク波長を有する紫外線ＬＥＤチップである。紫外線ＬＥＤチップは、ＧａＮ系紫外線ＬＥＤチップであり、量子井戸構造を有する発光層の井戸層がＡｌ_0.50Ｇａ_0.50Ｎ層により構成されている。井戸層は、ＩｎＡｌＧａＮ層により構成されていてもよい。

発光装置１ａは、例えば、高効率白色照明、殺菌、医療、環境汚染物質を高速で処理する用途等の分野で利用する場合、発光素子２が、２１０ｎｍ〜２８０ｎｍの波長域に発光ピーク波長を有するのが好ましい。つまり、発光素子２は、ＵＶ−Ｃの波長域に発光ピーク波長を有するのが好ましい。これにより、発光装置１ａは、例えば、殺菌の用途に好適に用いることが可能となる。発光装置１ａは、殺菌の用途で利用する場合、発光素子２が、２４０ｎｍ〜２８０ｎｍの波長域に発光ピーク波長を有するのが、より好ましい。発光素子２は、一例として、発光ピーク波長が２６５ｎｍである。発光素子２を構成する紫外線発光素子は、紫外線の波長域に発光ピーク波長を有していればよく、ＵＶ−Ｃの波長域に限らず、ＵＶ−Ｂの波長域あるいはＵＶ−Ａの波長域に発光ピーク波長を有していてもよい。「ＵＶ−Ｃの波長域」とは、例えば国際照明委員会（ＣＩＥ）における紫外線の波長による分類によれば、１００ｎｍ〜２８０ｎｍである。「ＵＶ−Ｂの波長域」とは、例えば国際照明委員会における紫外線の波長による分類によれば、２８０ｎｍ〜３１５ｎｍである。「ＵＶ−Ａの波長域」とは、例えば国際照明委員会における紫外線の波長による分類によれば、３１５ｎｍ〜４００ｎｍである。

発光素子２は、第１電極（アノード電極）と、第２電極（カソード電極）と、を備え、発光素子２の厚さ方向の一面側に第１電極及び第２電極が配置されている。発光素子２の光取り出し面２０は、発光素子２における実装基板３側とは反対側の表面２０１及び側面２０３を含んでいる。

実装基板３は、発光素子２を実装する基板である。「実装する」とは、発光素子２を配置して機械的に接続すること及び電気的に接続することを含む概念である。

実装基板３は、一例として、１個の発光素子２を実装できるように構成されている。実装基板３は、実装基板３の厚さ方向に沿った方向から見た平面視において発光素子２よりも大きい。実装基板３の外周形状は、正方形状としてある。

実装基板３は、支持体３０と、第１導体部３１及び第２導体部３２と、を備える。実装基板３は、支持体３０が平板状に形成されており、支持体３０の表面３０１上に第１導体部３１及び第２導体部３２が形成されている。

支持体３０は、第１導体部３１及び第２導体部３２を支持する機能を有する。また、支持体３０は、第１導体部３１と第２導体部３２とを電気的に絶縁する機能を有する。また、支持体３０は、発光素子２で発生する熱を効率良く外部に伝えるためのヒートシンク（heat sink）としての機能を備えているのが好ましい。

実装基板３は、各構成要素（支持体３０、第１導体部３１及び第２導体部３２等）が無機材料からなることが好ましい。これにより、発光装置１ａでは、実装基板３が有機材料からなる構成要素を含んでいる場合に比べて、実装基板３の熱伝導性、耐湿性及び耐熱性を向上させることが可能となる。

支持体３０は、シリコン基板３００と、シリコン基板３００の表面３００１に形成された第１電気絶縁膜３１１と、シリコン基板３００の裏面３００２に形成された第２電気絶縁膜３１２と、を備える。第１電気絶縁膜３１１及び第２電気絶縁膜３１２の各々は、例えば、シリコン酸化膜により構成することができる。

第１導体部３１は、発光素子２の第１電極が電気的に接続される導電層である。第２導体部３２は、発光素子２の第２電極が電気的に接続される導電層である。発光装置１ａでは、発光素子２が実装基板３にフリップチップ実装されている。より詳細には、発光装置１ａでは、発光素子２の第１電極が第１接合部７１を介して第１導体部３１と電気的に接続されており、発光素子２の第２電極が第２接合部７２を介して第２導体部３２と電気的に接続されている。言い換えれば、発光装置１ａでは、発光素子２の第１電極と実装基板３の第１導体部３１との間に第１接合部７１があり、発光素子２の第２電極と実装基板３の第２導体部３２との間に第２接合部７２がある。第１接合部７１及び第２接合部７２の各々は、Ａｕバンプにより構成されているが、これに限らず、例えば、ＡｕＳｎにより形成されていてもよい。

第１導体部３１及び第２導体部３２の各々は、例えば、Ｔｉ膜とＰｔ膜とＡｕ膜との積層膜により構成することができる。第１導体部３１及び第２導体部３２の各々は、例えば、Ａｌ膜とＮｉ膜とＰｄ膜とＡｕ膜との積層膜、Ｎｉ膜とＡｕ膜との積層膜、Ｃｕ膜とＮｉ膜とＡｕ膜との積層膜等により構成してもよい。第１導体部３１及び第２導体部３２の各々は、積層膜により構成する場合、支持体３０から最も離れた最上層がＡｕにより形成され、支持体３０に最も近い最下層が支持体３０との密着性の高い材料により形成されているのが好ましい。第１導体部３１及び第２導体部３２は、積層膜に限らず、単層膜により構成してもよい。

実装基板３は、第１外部接続電極３４及び第２外部接続電極３５と、支持体３０の厚さ方向に貫通して形成された第１貫通配線３６及び第２貫通配線３７と、をさらに備える。第１外部接続電極３４及び第２外部接続電極３５は、支持体３０の裏面３０２に形成されている。第１外部接続電極３４は、第１貫通配線３６を介して第１導体部３１と電気的に接続されている。第２外部接続電極３５は、第２貫通配線３７を介して第２導体部３２と電気的に接続されている。第１貫通配線３６及び第２貫通配線３７の各々は、シリコン基板３００と電気的に絶縁されている。

第１外部接続電極３４及び第２外部接続電極３５の各々は、例えば、Ｔｉ膜とＰｔ膜とＡｕ膜との積層膜により構成することができる。第１導体部３１及び第２導体部３２の各々は、例えば、Ａｌ膜とＮｉ膜とＰｄ膜とＡｕ膜との積層膜、Ｎｉ膜とＡｕ膜との積層膜、Ｃｕ膜とＮｉ膜とＡｕ膜との積層膜等により構成してもよい。第１外部接続電極３４及び第２外部接続電極３５の各々は、積層膜により構成する場合、支持体３０から最も離れた最上層がＡｕにより形成され、支持体３０に最も近い最下層が支持体３０との密着性の高い材料により形成されているのが好ましい。第１外部接続電極３４及び第２外部接続電極３５は、積層膜に限らず、単層膜により構成してもよい。

第１貫通配線３６及び第２貫通配線３７の各々は、例えば、Ｗ、Ｃｕ等により形成することができる。発光装置１ａでは、実装基板３の厚さ方向において、第１貫通配線３６及び第２貫通配線３７と発光素子２とが重ならないように、第１貫通配線３６及び第２貫通配線３７が配置されているのが好ましい。第１貫通配線３６及び第２貫通配線３７の各々は、カバー４と重ならないように配置されていてもよい。

ところで、第１導体部３１及び第２導体部３２の各々の発光素子２側の表面積は、発光装置１ａの放熱性を向上させる観点から、より大きいほうが好ましい。言い換えれば、発光素子２で発生した熱をより効率良く放熱させる観点からは、第１導体部３１及び第２導体部３２それぞれが、発光素子２に重なる領域よりも、より広い領域に形成されているのが好ましい。

実装基板３は、支持体３０の表面３０１側において第１導体部３１及び第２導体部３２を覆う保護層３８を備えている。保護層３８は、電気絶縁性を有する。保護層３８は、一例として、シリコン酸化膜により構成してある。保護層３８は、第１導体部３１及び第２導体部３２にカバー４やリフレクタ６が接触するのを防ぐ機能を有する。また、保護層３８は、第１導体部３１と第２導体部３２とがリフレクタ６によって電気的に接続される（短絡される）のを防ぐ機能を有する。言い換えれば、保護層３８は、第１導体部３１及び第２導体部３２それぞれとリフレクタ６とを電気的に絶縁する機能を有する。

カバー４は、発光素子２から放射される光（本実施形態では、紫外線）を透過するガラスにより形成されている。カバー４を形成するガラスは、無機ガラスである。これにより、発光装置１ａは、耐湿性を向上させることが可能となる。カバー４を形成するガラスは、発光素子２が放射する光に対する透過率が７０％以上であるのが好ましく、８０％以上であるのがより好ましい。発光素子２がＵＶ−Ｃ又はＵＶ−Ｂの波長域に発光ピーク波長を有する場合には、カバー４を形成するガラスとして、例えば、硼珪酸ガラスを採用することができる。カバー４では、硼珪酸ガラスとして、例えば、ＳＣＨＯＴＴ社製の８３４７やＳＣＨＯＴＴ社製の８３３７Ｂ、等を採用することにより、波長２６５ｎｍの紫外線に対する透過率を８０％以上とすることができる。

カバー４の平面視形状は、一例として、正方形状としてある。「カバー４の平面視形状」とは、カバー４の厚さ方向に沿った方向から見たカバー４の外周形状である。カバー４は、カバー４の厚さ方向に沿った方向から見た平面視において、発光素子２よりも大きく、かつ、実装基板３よりも小さい。凹部４１の開口形状は、正方形状である。凹部４１の深さは、発光素子２の厚さよりも大きい。窪み部４３の深さは、発光素子２の厚さよりも小さいのが好ましい。発光装置１ａでは、一例として、発光素子２の厚さを略１５０μｍ、凹部４１の深さを略３００μｍ、窪み部４３の深さを略１００μｍとしてある。カバー４における凹部４１の周部４２は、実装基板３側から見て矩形枠状の形状である。

カバー４は、表面４０１及び裏面４０２を有し、裏面４０２に凹部４１が形成されている。カバー４の光入射面４５は、凹部４１の内底面４１１及び内側面４１２を含んでいる。要するに、カバー４の光入射面４５は、カバー４の内面により構成されている。カバー４の光出射面４６は、カバーの表面４０１及び外側面４０３を含んでいる。要するに、カバー４の光出射面４６は、カバー４の外面により構成されている。

カバー４の形成方法では、例えば、複数個のカバー４を形成できる大きさのガラス板（ガラスウェハ）に対して、各カバー４の凹部４１に対応する第１穴及び窪み部４３に対応する第２穴をドリル加工により形成する。その後、第１穴及び第２穴それぞれの内面をエッチング液（例えば、フッ酸溶液）によって円滑化する円滑化処理を行うことによって、凹部４１及び窪み部４３を有する複数個のカバー４を形成する。その後、ダイシングによって個々のカバー４に分割する。これにより、発光装置１ａでは、カバー４の低コスト化を図ることが可能となる。

カバー４の形成方法は、例えば、ガラス板に対して凹部４１及び窪み部４３をドリル加工等によって形成する方法に限らず、例えば、サンドブラスト加工、ウェットエッチング等によって形成する方法でもよい。

また、カバー４は、ガラス成形品により構成してもよい。これにより、発光装置１ａでは、カバー４の光入射面４５及び光出射面４６の形状の精度を向上させることが可能となり、光取り出し効率の向上を図ること可能となる。また、発光装置１ａでは、光入射面４５及び光出射面４６それぞれの平滑性を向上させることが可能となる。カバー４は、例えば、プレス成形により形成することができる。発光装置１ａでは、凹部４１の内側面４１２が、実装基板３の厚さ方向において実装基板３に近づくにつれてカバー４の中心線からの距離が漸増する形状なので、カバー４を成形するときの離型性を向上することが可能となる。

接合部５は、低融点ガラスである。言い換えれば、接合部５は、低融点ガラスにより形成されている。これにより、発光装置１ａは、接合部５がエポキシ樹脂等の樹脂である場合に比べて、耐湿性を向上させることが可能となる。

本明細書において、低融点ガラスとは、軟化点が６００℃以下のガラスであり、軟化点が５００℃以下のガラスが好ましく、軟化点が４００℃以下のガラスが更に好ましい。低融点ガラスとしては、例えば、主成分として酸化鉛（ＰｂＯ）と無水ほう酸（Ｂ₂Ｏ₃）とを含むガラスを挙げることができる。

発光装置１ａでは、接合部５がカバー４の周部４２の全周に亘って在り、かつ、低融点ガラスであることにより、発光素子２を気密封止することが可能となる。よって、発光装置１ａでは、外気、水分等が発光素子２に到達するのを抑制することが可能となり、信頼性の向上を図ることが可能となる。

接合部５は、低融点ガラスに限らず、合金でもよい。合金は、例えば、ＡｕＳｎ等の共晶合金が好ましい。発光装置１ａでは、接合部５がＡｕＳｎの場合、カバー４の周部４２に形成されている第１接合用金属層と、実装基板３上に形成され第１接合用金属層に対向している第２接合用金属層と、を備え、第１接合用金属層と第２接合用金属層との間に接合部５がある。

第１接合用金属層及び第２接合用金属層の各々は、例えば、下地膜とＡｕ膜との積層膜により構成されているのが好ましい。下地膜は、例えば、Ｃｒ膜と、このＣｒ膜上に形成されたＰｔ膜と、の積層膜により構成することができる。発光装置１ａでは、第１接合用金属層における下地膜がＣｒ膜を備えることにより、第１接合用金属層とカバー４との密着性を向上させることが可能となる。また、発光装置１ａでは、第２接合用金属層における下地膜がＣｒ膜を備えることにより、第２接合用金属層と実装基板３の保護層３８との密着性を向上させることが可能となる。第１接合用金属層及び第２接合用金属層の各々は、例えば、蒸着法、スパッタ法、めっき法等の膜形成技術と、フォトリソグラフィ技術と、エッチング技術と、を利用して形成することができる。

発光装置１ａは、実装基板３と接合部５とカバー４とで囲まれた空間７に不活性ガスを有するのが好ましい。言い換えれば、発光装置１ａは、実装基板３とカバー４とで囲まれた空間７を不活性ガス雰囲気としてあるのが好ましい。これにより、発光装置１ａでは、発光素子２、第１導体部３１及び第２導体部３２の酸化を抑制することが可能となり、信頼性の更なる向上を図ることが可能となる。また、発光装置１ａでは、発光素子２とカバー４との間の媒質が発光素子２から放射される光（本実施形態では、紫外線）によって劣化するのを抑制することが可能となる。

不活性ガス雰囲気は、Ｎ₂ガス雰囲気であるのが好ましい。不活性ガス雰囲気は、不活性ガスの純度が高いのが好ましいが、１００％の純度を必須としない。例えば、不活性ガス雰囲気は、不活性ガスとしてＮ₂ガスを採用する場合、例えば、不可避的に混入される１００〜２００ｐｐｍ程度のＯ₂を含んでいてもよい。不活性ガスは、Ｎ₂ガスに限らず、例えば、Ａｒガス、Ｎ₂ガスとＡｒガスとの混合ガス等でもよい。

リフレクタ６は、発光素子２から放射された光の配光を制御する機能を有する。リフレクタ６の材料は、アルミニウムである。これにより、発光装置１ａでは、発光素子２から放射される紫外線を効率良く反射することが可能となる。リフレクタ６は、アルミニウム板に対してプレス加工（絞り加工）、打ち抜き加工等を施すことによって形成されている。

リフレクタ本体６１は、カバー４側の内側面６１１と、カバー４側とは反対側の外側面６１２と、を有する。リフレクタ本体６１では、内側面６１１が、発光素子２から放射された光を反射する反射面を構成している。内側面６１１は、鏡面であるのが好ましい。「鏡面」とは、鏡面研磨されている面を意味し、例えば、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１（ＩＳＯ ４２８７−１９９７）で規定されている算術平均粗さＲａが１０ｎｍ以下であることが好ましく、数ｎｍ以下であることが、より好ましい。

リフレクタ本体６１は、実装基板３から離れるほど開口面積が徐々に大きくなるテーパ角筒状の形状である。リフレクタ本体６１は、内側面６１１が４つの斜面６１１１により構成されている。各斜面６１１１は、位置決め片６２に対して傾いている。各斜面６１１１の各々は、カバー４の中心線４Ｘに対して傾いている。

位置決め片６２は、リフレクタ本体６１における実装基板３側の端部６１３から内方へ突出している。発光装置１ａでは、カバー４の窪み４３の底面４３１と実装基板３との間に位置決め片６２があることにより、実装基板３の厚さ方向及び厚さ方向に直交する方向へのリフレクタ６の移動が規制される。要するに、発光装置１ａでは、カバー４の窪み４３の底面４３１と実装基板３との間に位置決め片６２が機械的に保持されている。発光装置１ａでは、リフレクタ本体６１の端部６１３の全周に亘って位置決め片６２が設けられている。要するに、位置決め片６２の平面視形状は、矩形枠状である。位置決め片６２の厚さは、窪み部４３の深さと接合部５の厚さとを合わせた寸法よりも小さい。位置決め片６２は、位置決め片６２の厚さ方向が実装基板３の厚さ方向と揃うように配置されている。

発光装置１ａでは、カバー４を囲繞しているリフレクタ６を備えているので、発光素子２から放射されてカバー４を透過した光の一部をリフレクタ６により反射させることができ、配光特性を制御することが可能となる。

以下では、発光装置１ａの製造方法の一例について図２Ａ及び２Ｂ等に基づいて説明する。

発光装置１ａの製造方法では、発光素子２、実装基板３、カバー４及びリフレクタ６を準備した後、例えば、下記の素子実装工程（第１工程）、リフレクタ配置工程（第２工程）及びカバー接合工程（第３工程）を順次行う。なお、実装基板３には、アライメントマークを設けてあるのが好ましい。

素子実装工程では、発光素子２を実装基板３に実装する。素子実装工程では、ボンディング装置を利用して、発光素子２の第１電極、第２電極と実装基板３の第１導体部３１、第２導体部３２とを、それぞれ、第１接合部７１、第２接合部７２により接合する。ボンディング装置は、ダイボンディング装置、フリップチップボンディング装置等である。

リフレクタ配置工程では、実装基板３上にリフレクタ６を載置する（図２Ａ参照）。

カバー接合工程では、接合部５によりカバー４を実装基板３に接合する（図２Ｂ参照）。これにより、リフレクタ６が、カバー４の窪み４３の底面４３１と実装基板３との間に機械的に保持される。よって、カバー接合工程が終了することにより、発光装置１ａが得られる。カバー接合工程では、ボンディング装置を利用する。カバー４を発光素子２とは大きさの異なるダイとみなせば、ボンディング装置は、ダイボンディング装置とみなすことができる。接合部５が低融点ガラスの場合、カバー接合工程では、低融点ガラスのペレット（pellet）を利用してもよいし、低融点ガラスのペーストを利用してもよい。

以上説明した発光装置１ａの製造方法では、信頼性の向上を図ることが可能な発光装置１ａを、比較的簡単に製造することが可能となる。

発光装置１ａの製造方法では、素子実装工程とカバー接合工程とで同じダイボンディング装置を利用することができる。ボンディング装置は、例えば、第１吸着保持具と、第２吸着保持具と、ステージと、第１ヒータと、第２ヒータと、接合室と、を備える。第１吸着保持具は、発光素子２を吸着保持する第１コレット（collet）である。第２吸着保持具は、カバー４を吸着保持する第２コレットである。ステージは、実装基板３が載せ置かれる。第１ヒータは、ステージに設けられ実装基板３を加熱できるように構成されている。第２ヒータは、第１吸着保持具と第２吸着保持具とを択一的に保持するホルダに装着されダイを加熱できるように構成されている。ボンディング装置は、ホルダが第２ヒータを備える代わりに、第１コレット及び第２コレットの各々が第２ヒータを備えた構成でもよい。ダイは、第１吸着保持具に吸着保持された発光素子２又は第２吸着保持具に吸着保持されたカバー４である。ボンディング室は、ステージが収納配置されており、ステージ上の実装基板３に対して発光素子２及びカバー４それぞれの接合処理が行われる処理室である。ボンディング室内の雰囲気は、空間７の所定の雰囲気に合わせて適宜調整すればよい。本実施形態の発光装置１ａの製造方法では、一例として、ボンディング室内の雰囲気をＮ₂ガス雰囲気とする。ボンディング装置は、ボンディング室における出入口を開放しており、ボンディング室の外側から出入口を通してボンディング室内にＮ₂ガスを供給した状態で、実装基板３、第１吸着保持具、第２吸着保持具等を出入口から入れたり出したりするようにしている。これにより、ボンディング装置は、真空チャンバ内で接合処理を行うように構成されている場合に比べて、低コスト化を図ることが可能となる。発光装置１ａの製造方法では、リフレクタ配置工程において、素子実装工程及びカバー接合工程と同じダイボンディング装置を利用してもよい。この場合、ボンディング装置が、リフレクタ６を吸着保持する吸着保持具を備えていればよい。

図３Ａは、実施形態１の第１変形例の発光装置１ｂを示す概略平面図である。図３Ｂは、図３ＡのＸ−Ｘ概略断面図である。

発光装置１ｂは、発光装置１ａと基本構成が略同じであり、カバー４における窪み部４３の形状及びリフレクタ６における位置決め片６２の形状が、発光装置１ａとは相違する。なお、発光装置１ｂに関し、発光装置１ａと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。

発光装置１ｂでは、カバー４における周部４２が、実装基板３側から見て矩形枠状の形状である。カバー４では、窪み部４３が、周部４２において、カバー４の外周形状の対向する特定の２辺のみに沿って形成されている。要するに、カバー４は、２つの直線状の窪み部４３を有する。これに対して、リフレクタ６は、２つの窪み部４３に一対一で対応する２つの位置決め片６２を備えている。リフレクタ６は、２つの位置決め片６２の先端縁同士が互いに対向している。２つの位置決め片６２の各々は、直線状に形成されている。発光装置１ｂでは、発光装置１ａと比べて、カバー４と実装基板３との接合面積を大きくすることが可能となる。接合面積は、接合部５において実装基板３の厚さ方向に直交する断面の面積である。よって、発光装置１ｂでは、発光装置１ａと比べて、カバー４と実装基板３との接合強度の向上を図ることが可能となる。接合強度は、例えば、ダイシェア強度（die shear strength）により評価することができる。ダイシェア強度は、実装基板３に接合されたカバー４を接合面に平行に押し剥がすために必要な力である。ダイシェア強度は、例えば、ダイシェアテスタ（die shear tester）等により測定することができる。

以下では、発光装置１ｂの製造方法の一例について図４Ａ及び４Ｂ等に基づいて説明する。

発光装置１ｂの製造方法では、発光素子２、実装基板３、カバー４及びリフレクタ６を準備した後、例えば、下記の素子実装工程（第１工程）、カバー接合工程（第２工程）及びリフレクタ配置工程（第３工程）を順次行う。なお、発光装置１ａの製造方法と同様の工程については説明を適宜省略する。

素子実装工程では、発光素子２を実装基板３に実装する。

カバー接合工程では、接合部５によりカバー４を実装基板３に接合する（図４Ａ参照）。接合部５が低融点ガラスの場合、カバー接合工程では、低融点ガラスのペレットを利用してもよいし、低融点ガラスのペーストを利用してもよい。

リフレクタ配置工程では、リフレクタ６の２つの位置決め片６２のうちの一方の位置決め片６２をカバー４の一方の窪み部４３の底面４３１と実装基板３との間に挿入する。その後、他方の位置決め片６２をカバー４の他方の窪み部４３と実装基板３との間に挿入させるために、リフレクタ６を変形させる（図４Ｂ参照）。他方の位置決め片６２をカバー４の他方の窪み部４３の底面４３１と実装基板３との間に挿入し、リフレクタ６を元の形に戻すことにより、リフレクタ６の２つの位置決め片６２の各々が、カバー４の窪み４３の底面４３１と実装基板３との間に機械的に保持される。よって、リフレクタ配置工程が終了することにより、発光装置１ｂ（図３Ａ及び３Ｂ参照）が得られる。

以上説明した発光装置１ｂの製造方法では、信頼性の向上を図ることが可能な発光装置１ｂを、比較的簡単に製造することが可能となる。

図５Ａは、実施形態１の第２変形例の発光装置１ｃを示す概略平面図である。図５Ｂは、図５ＡのＸ−Ｘ概略断面図である。

発光装置１ｃは、発光装置１ｂと基本構成が略同じであり、リフレクタ６の形状が、発光装置１ｂとは相違する。なお、発光装置１ｃに関し、発光装置１ｂと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。

発光装置１ｃにおけるリフレクタ６は、リフレクタ本体６１の互いに隣り合う２つの斜面６１１１に跨ってスリット６１４が形成されている。スリット６１４は、実装基板３側が開放されている。これにより、リフレクタ６は、リフレクタ本体６１が、ばね変形可能な板ばねとしての機能を有している。

以下では、発光装置１ｃの製造方法の一例について図６等に基づいて説明する。

発光装置１ｃの製造方法では、発光素子２、実装基板３、カバー４及びリフレクタ６を準備した後、例えば、下記の素子実装工程（第１工程）、カバー接合工程（第２工程）及びリフレクタ配置工程（第３工程）を順次行う。なお、発光装置１ｂの製造方法と同様の工程については説明を適宜省略する。

素子実装工程では、発光素子２を実装基板３に実装する。

カバー接合工程では、カバー４を実装基板３に接合する。

リフレクタ配置工程では、２つの位置決め片６２の先端縁同士の距離が広がるようにリフレクタ６をばね変形させる（図６参照）。そして、２つの位置決め片６２の各々を一対一で対応する２つの窪み部４３の底面４３１と実装基板３との間に挿入し、リフレクタ６をリフレクタ本体６１のばね力によって元の形に戻す。これにより、リフレクタ６の２つの位置決め片６２の各々が、カバー４の窪み４３の底面４３１と実装基板３との間に機械的に保持される。よって、リフレクタ配置工程が終了することにより、発光装置１ｃ（図５Ａ及び５Ｂ参照）が得られる。

以上説明した発光装置１ｃの製造方法では、信頼性の向上を図ることが可能な発光装置１ｃを、比較的簡単に製造することが可能となる。

図７Ａは、実施形態１の第３変形例の発光装置１ｄを示す概略平面図である。図７Ｂは、図７ＡのＸ−Ｘ概略断面図である。

発光装置１ｄは、発光装置１ｂと基本構成が略同じであり、リフレクタ６の形状が、発光装置１ｂとは相違する。なお、発光装置１ｄに関し、発光装置１ｂと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。

発光装置１ｄにおけるリフレクタ６は、リフレクタ本体６１の互いに隣り合う２つの斜面６１１１に跨って折曲部６１５が形成されている。折曲部６１５は、リフレクタ本体６１の外方へＶ字状に折り曲げられている。折曲部６１５は、実装基板３に近づくにつれて深さが大きくなっている。これにより、リフレクタ６では、折曲部６１５が、ばね弾性で広がることが可能となっている。

以下では、発光装置１ｄの製造方法の一例について図８等に基づいて説明する。

発光装置１ｃの製造方法では、発光素子２、実装基板３、カバー４及びリフレクタ６を準備した後、例えば、下記の素子実装工程（第１工程）、カバー接合工程（第２工程）及びリフレクタ配置工程（第３工程）を順次行う。なお、発光装置１ｂの製造方法と同様の工程については説明を適宜省略する。

素子実装工程では、発光素子２を実装基板３に実装する。

カバー接合工程では、接合部５によりカバー４を実装基板３に接合する。

リフレクタ配置工程では、２つの位置決め片６２の先端縁同士の距離が広がるようにリフレクタ６の折曲部６１５を広げる（図８参照）。そして、２つの位置決め片６２の各々を一対一で対応する２つの窪み部４３の底面４３１と実装基板３との間に挿入し、リフレクタ６の折曲部６１５を元の形に戻す。これにより、リフレクタ６の２つの位置決め片６２の各々が、カバー４の窪み４３の底面４３１と実装基板３との間に機械的に保持される。よって、リフレクタ配置工程が終了することにより、発光装置１ｄ（図７Ａ及び７Ｂ参照）が得られる。

以上説明した発光装置１ｄの製造方法では、信頼性の向上を図ることが可能な発光装置１ｄを、比較的簡単に製造することが可能となる。

図９Ａは、実施形態１の第４変形例の発光装置１ｅを示す概略平面図である。図９Ｂは、実施形態１の第４変形例の発光装置１ｅにおけるリフレクタ６の概略平面図である。

発光装置１ｅは、発光装置１ｂと基本構成が略同じであり、カバー４及びリフレクタ６それぞれの形状が、発光装置１ｂとは相違する。なお、発光装置１ｅに関し、発光装置１ｂと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。

発光装置１ｅでは、カバー４における周部４２が、実装基板３側から見て矩形枠状の形状であり、カバー４は、窪み部４３が、周部４２におけるコーナ部４２１のみに形成されている。これにより、発光装置１ｅでは、発光装置１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄと比べて、カバー４と実装基板３との接合面積を大きくすることが可能となる。

発光装置１ｅでは、窪み部４３及び位置決め片６２の各々を４つずつ備えている。

４つの窪み部４３の各々は、底面４３１の形状が直角二等辺三角形状である。

４つの位置決め片６２の各々は、平面視形状が直角二等辺三角形状である。

図１０Ａは、実施形態１の第５変形例の発光装置１ｆを示す概略平面図である。図１０Ｂは、実施形態１の第５変形例の発光装置１ｆにおけるリフレクタ６の概略平面図である。

発光装置１ｆは、発光装置１ｅと基本構成が略同じであり、窪み部４３及び位置決め片６２の各々を２つずつ備えている点が相違するだけである。なお、発光装置１ｆに関し、発光装置１ｅと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。

リフレクタ６は、２つの位置決め片６２の先端縁同士が対向している。

発光装置１ｆでは、発光装置１ｅと比べて、カバー４と実装基板３との接合面積を大きくすることが可能となる。

図１１Ａは、実施形態１の第６変形例の発光装置１ｇを示す概略平面図である。図１１Ｂは、実施形態１の第６変形例の発光装置１ｇにおけるリフレクタ６の概略平面図である。

発光装置１ｇは、発光装置１ｅと基本構成が略同じであり、リフレクタ６の形状が相違する。なお、発光装置１ｇに関し、発光装置１ｅと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。

リフレクタ６におけるリフレクタ本体６１は、実装基板３から離れるにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ円筒状に形成されている。また、リフレクタ６における位置決め片６２は、リフレクタ本体６１の端部６１３の全周に亘って設けられている。位置決め片６２は、円環状に形成されている。リフレクタ６は、平面視において実装基板３よりも小さい。これにより、発光装置１ｇでは、リフレクタ６が実装基板３よりも大きい場合に比べてハンドリングが容易になる。

図１２は、実施形態１の第７変形例の発光装置１ｈを示す概略断面図である。

発光装置１ｈは、発光装置１ａと基本構成が略同じであり、カバー４の形状が相違するだけである。なお、発光装置１ｈに関し、発光装置１ａと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。

発光装置１ｈでは、カバー４の外側面４０３が、実装基板３の厚さ方向において実装基板３から離れるにつれてカバー４の中心線４Ｘからの距離が漸増する逆テーパ状に形成されており、リフレクタ本体６１がカバー４の外側面４０３に沿って配置されている。これにより、発光装置１ｈでは、カバー４の表面４０１からの光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。

発光装置１ｈでは、発光素子２から放射されて凹部４１の内側面４１２を通して外側面４０３に入射する光（紫外線）のうち、外側面４０３に臨界角以上の角度で入射する光を、外側面４０３により、カバー４の表面４０１側へ反射させる。よって、発光装置１ｈでは、外側面４０３とカバー４の中心線４Ｘとの距離が一様である場合と比べて、カバー４の表面４０１からの光取り出し効率を向上させることが可能となる。カバー４の外側面４０３は、発光素子２から側方へ放射されて凹部４１の内側面４１２を通して外側面４０３に入射する臨界角以上の光をカバー４の表面４０１へ向う光に変換する機能を有する。発光装置１ｈでは、発光素子２の光軸とカバー４の中心線４Ｘとが一致しているのが好ましい。

発光装置１ｈでは、互いに対向するリフレクタ本体６１の内側面６１１とカバー４の外側面４０３とが平行であるのが好ましい。発光装置１ｈでは、リフレクタ本体６１の内側面６１１とカバー４の外側面４０３とが接していてもよい。

なお、カバー４の形成にあたっては、実施形態１で説明したカバー４の形成方法においてダイシングを行う際に、外側面４０３が逆テーパ状となるように加工するのが好ましい。

（実施形態２）
以下では、本実施形態の発光装置１ｉについて図１３に基づいて説明する。

発光装置１ｉは、発光装置１ａと基本構成が略同じであり、リフレクタ６の内側においてカバー４を覆っている透光性樹脂部８をさらに備える点が相違する。これにより、発光装置１ｉでは、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。なお、発光装置１ｉに関し、発光装置１ａと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。

透光性樹脂部８は、樹脂からなり、かつ、発光素子２から放射される光に対して透光性を有する。また、透光性樹脂部８は、電気絶縁性を有する。

発光素子２が紫外線を放射する紫外線発光素子の場合、透光性樹脂部８の樹脂は、発光素子２から放射される紫外線に対して耐紫外線性を有する。また、透光性樹脂部８は、発光素子２から放射される紫外線を透過する樹脂である。よって、発光装置１ｉは、高出力化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。発光装置１ｉは、発光装置１ｉ全体としての光取り出し効率を向上させることが可能となり、高出力化を図ることが可能となる。

発光素子２の発光ピーク波長がＵＶ−Ｃの波長域にある場合、透光性樹脂部８は、例えば、ＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）系ハイブリッドゾル等が挙げられる。ＰＤＭＳ系ハイブリッドゾルは、主骨格がＳｉ−Ｏ結合からなる無機ポリマであり、耐熱性及び耐候性が優れている。ＰＤＭＳ系ハイブリッドゾルは、波長２６５ｎｍの紫外線に対する透過率を８０％以上とすることができる。

発光素子２の発光ピーク波長がＵＶ−Ｂ乃至ＵＶ−Ａの波長域にある場合、透光性樹脂部８は、例えば、シリコーン系樹脂でもよい。「シリコーン系樹脂」とは、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂を含む。

透光性樹脂部８は、表面８１が凸曲面に形成されているのが好ましい。これにより、発光装置１ｉでは、透光性樹脂部８の表面８１が平面である場合と比べて、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。透光性樹脂部８の表面８１の形状は、例えば、ペースト状の樹脂の粘度等を調整することで制御することも可能である。

図１４は、実施形態２の第１変形例の発光装置１ｊを示す概略断面図である。

発光装置１ｊは、発光装置１ｉと基本構成が略同じであり、実装基板３とカバー４との間で発光素子２を覆っている封止部１０を備える点が相違するだけである。なお、発光装置１ｊに関し、発光装置１ｉと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。

封止部１０は、樹脂からなり、かつ、発光素子２から放射される光に対して透光性を有する。また、封止部１０は、電気絶縁性を有する。

発光素子２が紫外線を放射する紫外線発光素子の場合、封止部１０の樹脂は、発光素子２から放射される紫外線に対して耐紫外線性を有する。また、封止部１０の樹脂は、発光素子２から放射される紫外線を透過する。よって、発光装置１ｉは、高出力化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。発光装置１ｉは、発光装置１ｉ全体としての光取り出し効率を向上させることが可能となり、高出力化を図ることが可能となる。

封止部１０の樹脂は、例えば、透光性樹脂部８の樹脂と同じでもよいし、異なっていてもよい。

（実施形態３）
以下では、本実施形態の発光装置１ｋについて図１５に基づいて説明する。

発光装置１ｋは、発光装置１ａと基本構成が略同じであり、リフレクタ本体６１の外側面６１２と実装基板３とを接着している接着部９を備え、接着部９が、フィラー９２を含有した樹脂９１により形成されている点が相違する。これにより、発光装置１ｋでは、放熱性を向上させることが可能となる。なお、発光装置１ｋに関し、発光装置１ａと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。

フィラー９２は、樹脂９１よりも熱伝導率が高い。樹脂９１は、例えば、シリコーン樹脂であるが、これに限らず、例えば、エポキシ樹脂でもよい。フィラー９２としては、例えば、セラミックフィラー、金属フィラー等を採用することができる。

接着部９は、リフレクタ本体６１の端部６１３付近のみでリフレクタ本体６１と実装基板３とを接着しているのが好ましい。接着部９は、リフレクタ本体６１を全周に亘って囲むように形成されているが、これに限らない。例えば、複数の接着部９がリフレクタ本体６１の外周方向において離間して配置されていてもよい。

また、発光装置１ｋでは、接着部９を備えていることにより、信頼性をより向上させることが可能となる。

図１６は、実施形態３の第１変形例の発光装置１ｍを示す概略断面図である。

発光装置１ｍは、発光装置１ｋと基本構成が略同じであり、カバー４の形状が発光装置１ｋとは相違する。これにより、発光装置１ｍでは、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。

カバー４は、凹部４１の開口形状が、円形状である。カバー４は、凹部４１の内面が球面の一部により構成されている。要するに、カバー４は、光入射面４５が球面の一部により構成されている。これにより、発光装置１ｍでは、発光素子２から放射された光が光入射面４５で全反射されるのを、より抑制することが可能となり、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。

図１７は、実施形態３の第２変形例の発光装置１ｎを示す概略断面図である。

発光装置１ｎは、発光装置１ｋと基本構成が略同じであり、カバー４の形状が発光装置１ｋとは相違する。これにより、発光装置１ｎでは、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。

カバー４は、平面視における外周形状が円形状である。カバー４は、凹部４１の開口形状が、円形状である。カバー４は、凹部４１の内底面４１１が円形状であり、内側面４１２が円柱面の一部により構成されている。また、カバー４は、光出射面４６が球面の一部により構成されている。これにより、発光装置１ｎでは、発光素子２から放射された光が光出射面４６と空間７との界面で全反射されるのを、より抑制することが可能となり、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。

リフレクタ６におけるリフレクタ本体６１は、実装基板３から離れるにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ円筒状に形成されている。また、リフレクタ６における位置決め片６２は、リフレクタ本体６１の端部６１３の全周に亘って設けられている。位置決め片６２は、円環状に形成されている。

図１８は、実施形態３の第３変形例の発光装置１ｏを示す概略断面図である。

発光装置１ｏは、発光装置１ｋと基本構成が略同じであり、カバー４の形状が発光装置１ｋとは相違する。これにより、発光装置１ｏでは、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。

カバー４は、平面視における外周形状が円形状である。カバー４は、凹部４１の開口形状が、円形状である。カバー４は、凹部４１の内面が球面の一部により構成されている。要するに、カバー４は、光入射面４５が球面の一部により構成されている。また、カバー４は、光出射面４６が球面の一部により構成されている。これにより、発光装置１ｏでは、発光装置１ｍと比べて、光取り出し効率の向上を図ることが可能となる。カバー４の形状は、ドーム状である。

リフレクタ６におけるリフレクタ本体６１は、実装基板３から離れるにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ円筒状に形成されている。また、リフレクタ６における位置決め片６２は、リフレクタ本体６１の端部６１３の全周に亘って設けられている。位置決め片６２は、円環状に形成されている。

図１９は、実施形態３の第４変形例の発光装置１ｐを示す概略断面図である。

発光装置１ｐは、発光装置１ｏと基本構成が略同じであって、発光素子２が可視光発光素子であり、発光素子２を覆う波長変換部１２をさらに備えている点が相違する。なお、発光装置１ｐに関し、発光装置１ｏと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。

発光素子２である可視光発光素子は、青色光を放射する青色ＬＥＤチップである。青色ＬＥＤチップは、４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの波長域に発光ピーク波長がある発光スペクトルを有する。波長変換部１２は、蛍光体粒子を備える。蛍光体粒子は、例えば、発光素子２から放射された光（第１の光）により励起されて第１の光よりも長波長の光（第２の光）を放射する粒子である。波長変換部１２は、例えば、蛍光体粒子と透光性材料との混合体により形成されているのが好ましい。透光性材料は、可視光に対する透過率が高い材料が好ましい。透光性材料は、例えば、シリコーン系樹脂である。これにより、発光装置１ｐでは、波長変換部１２の耐熱性及び耐候性を向上させることが可能となる。「シリコーン系樹脂」とは、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂を含む。波長変換部１２は、発光素子２から放射された第１の光の一部を波長変換して異なる波長の光を放射する波長変換材料として、上述の蛍光体粒子を備えている。蛍光体粒子としては、例えば、黄色の光を放射する黄色蛍光体粒子を採用することができる。黄色蛍光体粒子は、例えば、５３０ｎｍ〜５８０ｎｍの波長域に主発光ピーク波長がある発光スペクトルを有するのが好ましい。黄色蛍光体粒子の組成は、例えば、Ｅｕで付活されたＳｒＳｉ₂Ｏ₂Ｎ₂等である。

発光装置１ｐでは、発光素子２と波長変換部１２とで白色ＬＥＤを構成している。

実施形態１〜３等に記載した材料、数値等は、好ましい例を示しているだけであり、それに限定する主旨ではない。更に、本願発明は、その技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、構成に適宜変更を加えることが可能である。

発光素子２の平面視形状は、正方形状に限らず、例えば、長方形状等でもよい。

また、紫外線発光素子は、紫外線ＬＥＤチップに限らず、例えば、紫外線ＬＤ（laser diode）チップでもよい。

また、可視光発光素子は、青色ＬＥＤチップに限らず、可視光ＬＥＤチップでもよいし、可視光ＬＤでもよい。

支持体３０は、例えば、電気絶縁性を有するＡｌＮセラミックにより形成されていてもよい。また、支持体３０の外周形状は、矩形状に限らず、例えば、矩形以外の多角形状や、円形状等でもよい。

また、実装基板３は、第１外部接続電極３４及び第２外部接続電極３５が支持体３０の表面３０１に形成されていてもよい。この場合、実装基板３は、第１貫通配線３６及び第２貫通配線３７を設ける代わりに、例えば、第１拡散層配線及び第２拡散層配線を設けた構成としてもよい。

また、カバー４は、レンズを一体に備えていてもよい。

１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、１ｇ、１ｈ、１ｉ、１ｊ、１ｋ、１ｍ、１ｎ、１ｏ、１ｐ 発光装置
２ 発光素子
３ 実装基板
４ カバー
４Ｘ 中心線
４０３ 外側面
４１ 凹部
４２ 周部
４２１ コーナ部
４３ 窪み部
４３１ 底面
５ 接合部
６ リフレクタ
６１ リフレクタ本体
６２ 位置決め片
７ 空間
８ 透光性樹脂部
９ 接着部
９１ 樹脂
９２ フィラー

Claims (6)

1. 発光素子と、前記発光素子が実装された実装基板と、前記発光素子を収納する凹部が形成されたガラス製のカバーと、前記カバーにおける前記凹部の周部と前記実装基板との間にあり前記カバーと前記実装基板とを接合している接合部と、前記カバーを囲繞しているリフレクタと、を備え、
   前記カバーの前記周部には、前記凹部から離れた窪み部が形成されており、
   前記窪み部は、前記カバーの外側が開放されており、
   前記接合部は、前記周部の全周に亘って在り、かつ、低融点ガラスもしくは合金であり、
   前記リフレクタは、前記実装基板の厚さ方向において前記実装基板から離れるにつれて開口面積が大きくなっているリフレクタ本体と、前記カバーにおける前記窪み部の底面と前記実装基板との間に保持されている位置決め片と、を備える、
   ことを特徴とする発光装置。
2. 前記カバーにおける前記周部が、前記実装基板側から見て矩形枠状の形状であり、
   前記カバーは、前記窪み部が、前記周部におけるコーナ部のみに形成されている、
   ことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
3. 前記カバーの外側面は、前記実装基板の厚さ方向において前記実装基板から離れるにつれて前記カバーの中心線からの距離が漸増する逆テーパ状に形成されており、
   前記リフレクタ本体が前記カバーの外側面に沿って配置されている、
   ことを特徴とする請求項１又は２記載の発光装置。
4. 前記リフレクタの内側において前記カバーを覆っている透光性樹脂部をさらに備える、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 前記リフレクタ本体の外側面と前記実装基板とを接着している接着部を備え、
   前記接着部は、フィラーを含有した樹脂により形成されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
6. 前記発光素子は、紫外線発光素子である、
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。

Images