JP2017055064A - 熱電変換装置 - Google Patents

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ジョン ディビット ベネキ
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英之 天田
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佳彦 今中
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Abstract

【課題】利用可能な用途を広げることができる熱電変換装置を提供する。【解決手段】基板11と、基板11上の複数対のp型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13と、p型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13を覆う断熱膜と、断熱膜の上方の温度をp型熱電変換膜12の第1の部分及びn型熱電変換膜13の第1の部分に伝達する第1の伝熱材21と、基板11の下方の温度をp型熱電変換膜12の第1の部分から離間した第2の部分及びn型熱電変換膜13の第1の部分から離間した第2の部分に伝達する第2の伝熱材22と、が含まれる。対をなすp型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13は第1の伝熱材21の直下で互いに接触し、隣り合う対の間では一方のp型熱電変換膜12と他方のn型熱電変換膜13とが互いに接触し、複数対がp型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13の直列体を構成している。【選択図】図1

Description

本発明は、熱電変換装置に関する。
近年、二酸化炭素(CO2)の削減及び環境保護の観点から、クリーンな発電機構として、熱電変換装置が注目されている。熱電変換装置を使用することにより、今まで廃棄されていた熱エネルギを電気エネルギに変換して再利用することができる。熱電変換装置は、原理的には、温度差が存在する箇所であればどこでも発電することができる。
しかしながら、従来の熱電変換装置は微細化が困難であり、構造的な制約のために利用可能な用途が限られている。
特開2005−277343号公報 特開2010−95688号公報
本発明の目的は、利用可能な用途を広げることができる熱電変換装置を提供することにある。
熱電変換装置の一態様には、基板と、前記基板上の熱電変換膜と、前記熱電変換膜を覆う断熱膜と、前記断熱膜の上方の温度を前記熱電変換膜の第1の部分に伝達する第1の伝熱材と、前記基板の下方の温度を前記熱電変換膜の前記第1の部分から離間した第2の部分に伝達する第2の伝熱材と、が含まれる。
熱電変換装置の他の一態様には、基板と、前記基板上の複数対のp型熱電変換膜及びn型熱電変換膜と、前記p型熱電変換膜及び前記n型熱電変換膜を覆う断熱膜と、前記断熱膜の上方の温度を前記p型熱電変換膜の第1の部分及び前記n型熱電変換膜の第1の部分に伝達する第1の伝熱材と、前記基板の下方の温度を前記p型熱電変換膜の前記第1の部分から離間した第2の部分及び前記n型熱電変換膜の前記第1の部分から離間した第2の部分に伝達する第2の伝熱材と、が含まれる。対をなす前記p型熱電変換膜及び前記n型熱電変換膜は前記第1の伝熱材の直下で互いに接触し、隣り合う対の間では一方のp型熱電変換膜と他方のn型熱電変換膜とが互いに接触し、前記複数対が前記p型熱電変換膜及び前記n型熱電変換膜の直列体を構成している。
上記の熱電変換装置によれば、適切な熱電変換膜及び伝熱材が含まれるため、小型化を可能にして、利用可能な用途を広げることができる。
実施形態に係る熱電変換装置の構成を示す平面図である。 実施形態に係る熱電変換装置の構成を示す断面図である。 実施形態に係る熱電変換装置の作用を示す図である。 熱電変換装置及び負荷を含む回路を示す図である。 熱電変換装置を含む開回路を示す図である。 熱電変換装置を含む閉回路を示す図である。
以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。本実施形態は、熱電変換装置の一例である。図1は、実施形態に係る熱電変換装置の構成を示す平面図である。図1(a)は主に熱電変換膜と伝熱材との位置関係を示し、図1(b)は主に熱電変換膜の位置関係を示す。図2は、実施形態に係る熱電変換装置の構成を示す断面図である。図2(a)は図1(a)中のI−I線に沿った断面を示し、図2(b)は図1(a)中のII−II線に沿った断面を示し、図2(c)は図1(a)中のIII−III線に沿った断面を示す。
実施形態に係る熱電変換装置1には、基板11と、基板11上のp型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13と、p型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13を覆う断熱膜15と、が含まれる。熱電変換装置1には、更に、断熱膜15の上方の温度をp型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13の各第1の部分に伝達する伝熱材21と、基板11の下方の温度をp型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13の各第1の部分から離間した各第2の部分に伝達する伝熱材22と、断熱膜15の下でp型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13を覆う電気的な絶縁膜14と、が含まれる。図1では絶縁膜14及び断熱膜15を省略している。
p型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13は複数対形成されており、交互に電気的に直列に繋がっている。この直列体は平面視で規則的に蛇行しており、これを横切るように伝熱材21が延びている。そして、伝熱材21の直下においてp型熱電変換膜12とn型熱電変換膜13とが接触し、また、蛇行の向きが反転する位置においてもp型熱電変換膜12とn型熱電変換膜13とが接触している。従って、平面視で、伝熱材21の両側において、p型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13が伝熱材21に沿って交互に配置され、対をなすように1個のp型熱電変換膜12と1個のn型熱電変換膜13とが接触し、このような接触が複数存在している。また、伝熱材21の一方側のp型熱電変換膜12が他方側のn型熱電変換膜13に伝熱材21の直下で接触し、一方側のn型熱電変換膜13が他方側のp型熱電変換膜12に伝熱材21の直下で接触している。直列体の一端に位置するp型熱電変換膜12上にパッド23が設けられ、他端に位置するn型熱電変換膜13上にパッド24が設けられている。
本実施形態では、1個の伝熱材21及び2個の伝熱材22が同じ方向に延びており、平面視で、伝熱材21は2個の伝熱材22の間にあり、伝熱材22は上記直列体の蛇行の向きが反転する位置と重なっている。2個の伝熱材22は完全に分割されている必要はなく、例えば平面視で伝熱材21と重ならない位置で一体化されていてもよい。
本実施形態において、断熱膜15の上方の温度が基板11の下方の温度よりも高い場合、図3に示すように、p型熱電変換膜12では、伝熱材21の下方の部分(第1の部分)から伝熱材22の上方の部分(第2の部分)に向けて正孔(h)が移動する。また、同じく図3に示すように、n型熱電変換膜13では、伝熱材21の下方の部分(第1の部分)から伝熱材22の上方の部分(第2の部分)に向けて電子(e)が移動する。そして、複数のp型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13が上記のように電気的に直列に接続されているため、各p型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13間で同じ方向に流れる電流が発生する。この電流はパッド23及びパッド24から取り出すことができる。
従って、バルクの熱電変換素子を用いなくとも、断熱膜15の上方の温度と基板11の下方の温度との温度差に起因する電流を得ることができる。従って、従来のものと比較して著しく薄化することが可能であり、設置可能な範囲を大幅に広げることができる。例えば、従来の熱電変換装置では極めて困難であった体温を用いた発電を容易に行うことが可能となり、例えば心臓のペースメーカの発電に用いることもできる。
伝熱材21の材料は特に限定されないが、Cuを用いることが好ましい。成膜が容易で、熱伝導率が高いからである。伝熱材21にフッ素樹脂上に成膜されたCr膜及びAu膜の積層体を用いてもよい。伝熱材22の材料は特に限定されないが、Cuを用いることが好ましい。p型熱電変換膜12の材料は特に限定されず、例えばLaaSr1-aCoO3(0<a≦1)、LabCa1-bCoO3(0<b≦1)又はLaMnO3を用いることできる。n型熱電変換膜13の材料は特に限定されず、例えばSrcLa1-cTiO3(0<c<1)又はSrdNb1-dTiO3(0<d<1)を用いることできる。例えば、p型熱電変換膜12としてのLa0.89Sr0.11CoO3膜と、n型熱電変換膜13としてのSr0.95La0.05TiO3膜との組み合わせを用いることができる。p型熱電変換膜12としてのLa0.89Ca0.11CoO3膜と、n型熱電変換膜13としてのSr0.95Nb0.05TiO3膜との組み合わせを用いることもできる。p型熱電変換膜12としてのLa0.90Sr0.10CoO3膜と、n型熱電変換膜13としてのSr0.93Nb0.07TiO3膜との組み合わせを用いることもできる。絶縁膜14の材料は特に限定されず、例えばSiO2、Si34又はSrTiO3を用いることできる。断熱膜15の材料は特に限定されず、例えばモールド樹脂を用いることができる。
本実施形態では、p型熱電変換膜12の伝熱材21の直下の部分及びn型熱電変換膜13の伝熱材21の直下の部分が第1の部分に相当し、p型熱電変換膜12の伝熱材22の直上の部分及びn型熱電変換膜13の伝熱材22の直上の部分が第2の部分に相当する。p型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13が複数である必要はない。p型熱電変換膜12又はn型熱電変換膜13の一方が1個のみ含まれていてもよい。この場合でも、p型熱電変換膜12又はn型熱電変換膜13の第1の部分と第2の部分との間を温度差に応じて正孔又は電子が移動するため、電流を得ることができる。
次に、熱電変換装置1の性能について説明する。ここでは、基板11の熱的なコンダクタンス及び電気的なコンダクタンスが無視できるものとし、図4に示すように、パッド23とパッド24との間に負荷25が接続されているとする。熱電変換装置1に流入する熱量をQH、負荷25を流れる電流をI、負荷25の電気抵抗をRL、熱電変換効率をηとすると、次の式(1)が成り立つ。
Figure 2017055064
伝熱材21の上方の温度をTH、この温度THと基板11の下方の温度との差をΔT、熱電変換装置1の内部抵抗をR、内部抵抗Rに対する抵抗RLの比(RL/R)をμ、性能指数をZとすると、熱電変換効率ηは次の式(2)で表すこともできる。
Figure 2017055064
性能指数Zは、p型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13の対の数をN、熱電変換装置1の熱コンダクタンスをK、一対のp型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13の実効(effective)ゼーベック係数をαとすると、次の式(3)で表される。
Figure 2017055064
熱コンダクタンスKはp型熱電変換膜12の熱コンダクタンスKpとn型熱電変換膜13の熱コンダクタンスKnとの和である。そして、p型熱電変換膜12、n型熱電変換膜13の熱伝導率をそれぞれκp、κn、断面積をそれぞれAp、An、長さをそれぞれLp、Lnとすると、熱コンダクタンスKは次の式(4)で表される。
Figure 2017055064
内部抵抗Rはp型熱電変換膜12の内部抵抗Rpとn型熱電変換膜13の内部抵抗Rnとの和である。そして、p型熱電変換膜12、n型熱電変換膜13の伝導率をそれぞれσp、σnとすると、内部抵抗Rは次の式(5)で表される。
Figure 2017055064
実効ゼーベック係数αは次の式(6)で表される。
Figure 2017055064
式(3)に示すように、性能指数Zは熱コンダクタンスK及び内部抵抗Rに反比例する。従って、性能指数Zの向上には、熱コンダクタンスK及び内部抵抗Rの低減が有効である。熱コンダクタンスK及び内部抵抗Rの積は次の式(7)で表される。
Figure 2017055064
ここで、σpnはσnに対するσpの比(σp/σn)であり、κpnはκnに対するκpの比(κp/κn)であり、xは「(Ap/An)×(Ln/Lp)」である。xはp型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13の形状に関するパラメータである。熱コンダクタンスK及び内部抵抗Rの積KPを最小にして性能指数Zを最大にするxの値(xminKR)は下記の式(8)で表される。
Figure 2017055064
そして、この値を式(7)に代入すると、積KPの最小値が得られる(式(9))。
Figure 2017055064
更に、この積KPの最小値を用いると、性能指数Zの最大値が得られる(式(10))。
Figure 2017055064
そして、図5に示す開回路を構成した場合の端子間の電圧VOCは式(11)で表され、図6に示す閉回路を構成した場合の電流値ISCは式(12)で表される。
Figure 2017055064
Figure 2017055064
最大電力Pmaxは「(VOC/2)×(ISC/2)」で表されるので、式(11)及び式(12)から次の式(13)が導かれる。
Figure 2017055064
式(5)から明らかなように、内部抵抗Rは数Nに比例するため、式(13)から最大電力Pmaxが数Nに比例するといえる。p型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13を設けることができる面積が決まっている場合、p型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13のパターンを小さくするほど数Nが増え、最大電力Pmaxが増加し、式(14)の関係が成り立つ。
Figure 2017055064
従って、高い最大電力Pmaxを得るためには実効ゼーベック係数及び伝導率が高い材料を用いることが望ましい。
次に、上記の数式に基づいて算出される起電力について2通りのパターンに基づいて説明する。ここでは、基板11の平面形状は15mm×15mmの正方形とし、p型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13の厚さは1μm、直列方向の長さは6mmとする。一方のパターンでは、メタルマスクを用いることを想定し、p型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13の線幅を80μm、対の数を83とする。この結果を表1に示す。他方のパターンでは、リソグラフィを用いることを想定し、p型熱電変換膜12及びn型熱電変換膜13の線幅を20μm、対の数を500とする。この結果を表2に示す。表1及び表2において、条件Aでは、p型熱電変換膜12としてLa0.89Sr0.11CoO3膜が用いられ、n型熱電変換膜13としてSr0.95La0.05TiO3膜が用いられる。条件Bでは、p型熱電変換膜12としてLa0.89Sr0.11CoO3膜が用いられ、n型熱電変換膜13としてゼーベック係数がSr0.95La0.05TiO3膜の2倍のものが用いられる。条件Cでは、p型熱電変換膜12としてLa0.89Sr0.11CoO3膜の2倍のものが用いられ、n型熱電変換膜13としてゼーベック係数がSr0.95La0.05TiO3膜の2倍のものが用いられる。条件Dでは、p型熱電変換膜12としてLa0.89Sr0.11CoO3膜の4倍のものが用いられ、n型熱電変換膜13としてゼーベック係数がSr0.95La0.05TiO3膜の4倍のものが用いられる。
Figure 2017055064
Figure 2017055064
例えば、温度計には0.3mW程度の起電力が好ましく、計算機には20μW程度の起電力が好ましく、心臓のペースメーカには8μW程度の起電力が好ましく、腕時計には3μW〜5μW程度の起電力が好ましい。上記の2パターンによれば、これらの用途に適した起電力を得ることができ、特にリソグラフィを用いることを想定したパターンによれば、より高い起電力を得ることができる。
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
(付記1)
基板と、
前記基板上の熱電変換膜と、
前記熱電変換膜を覆う断熱膜と、
前記断熱膜の上方の温度を前記熱電変換膜の第1の部分に伝達する第1の伝熱材と、
前記基板の下方の温度を前記熱電変換膜の前記第1の部分から離間した第2の部分に伝達する第2の伝熱材と、
を有することを特徴とする熱電変換装置。
(付記2)
前記熱電変換膜は、p型熱電変換膜及びn型熱電変換膜を含むことを特徴とする付記1に記載の熱電変換装置。
(付記3)
前記熱電変換膜は、交互に、かつ電気的に直列に接続された複数対のp型熱電変換膜及びn型熱電変換膜を含むことを特徴とする付記1に記載の熱電変換装置。
(付記4)
前記対をなすp型熱電変換膜及びn型熱電変換膜同士が前記第1の伝熱材の直下で互いに接触していることを特徴とする付記3に記載の熱電変換装置。
(付記5)
基板と、
前記基板上の複数対のp型熱電変換膜及びn型熱電変換膜と、
前記p型熱電変換膜及び前記n型熱電変換膜を覆う断熱膜と、
前記断熱膜の上方の温度を前記p型熱電変換膜の第1の部分及び前記n型熱電変換膜の第1の部分に伝達する第1の伝熱材と、
前記基板の下方の温度を前記p型熱電変換膜の前記第1の部分から離間した第2の部分及び前記n型熱電変換膜の前記第1の部分から離間した第2の部分に伝達する第2の伝熱材と、
を有し、
対をなす前記p型熱電変換膜及び前記n型熱電変換膜は前記第1の伝熱材の直下で互いに接触し、
隣り合う対の間では一方のp型熱電変換膜と他方のn型熱電変換膜とが互いに接触し、
前記複数対が前記p型熱電変換膜及び前記n型熱電変換膜の直列体を構成していることを特徴とする熱電変換装置。
(付記6)
前記第1の伝熱材はCuを含有することを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載の熱電変換装置。
(付記7)
前記第2の伝熱材はCuを含有することを特徴とする付記1乃至6のいずれか1項に記載の熱電変換装置。
(付記8)
前記p型熱電変換膜は、LaaSr1-aCoO3膜(0<a≦1)、LabCa1-bCoO3(0<b≦1)膜又はLaMnO3膜であることを特徴とする付記2乃至7のいずれか1項に記載の熱電変換装置。
(付記9)
前記n型熱電変換膜は、SrcLa1-cTiO3膜(0<c<1)又はSrdNb1-dTiO3膜(0<d<1)であることを特徴とする付記2乃至8のいずれか1項に記載の熱電変換装置。
(付記10)
前記断熱膜の下で前記熱電変換膜を覆う電気的な絶縁膜を有することを特徴とする付記1乃至9のいずれか1項に記載の熱電変換装置。
(付記11)
前記絶縁膜は、SiO2膜、Si34膜又はSrTiO3膜であることを特徴とする付記10に記載の熱電変換装置。
1:熱電変換装置
11:基板
12:p型熱電変換膜
13:n型熱電変換膜
14:絶縁膜
15:断熱膜
21、22:伝熱材
23、24:パッド
25:負荷

Claims (5)

  1. 基板と、
    前記基板上の熱電変換膜と、
    前記熱電変換膜を覆う断熱膜と、
    前記断熱膜の上方の温度を前記熱電変換膜の第1の部分に伝達する第1の伝熱材と、
    前記基板の下方の温度を前記熱電変換膜の前記第1の部分から離間した第2の部分に伝達する第2の伝熱材と、
    を有することを特徴とする熱電変換装置。
  2. 前記熱電変換膜は、p型熱電変換膜及びn型熱電変換膜を含むことを特徴とする請求項1に記載の熱電変換装置。
  3. 前記熱電変換膜は、交互に、かつ電気的に直列に接続された複数対のp型熱電変換膜及びn型熱電変換膜を含むことを特徴とする請求項1に記載の熱電変換装置。
  4. 前記対をなすp型熱電変換膜及びn型熱電変換膜同士が前記第1の伝熱材の直下で互いに接触していることを特徴とする請求項3に記載の熱電変換装置。
  5. 基板と、
    前記基板上の複数対のp型熱電変換膜及びn型熱電変換膜と、
    前記p型熱電変換膜及び前記n型熱電変換膜を覆う断熱膜と、
    前記断熱膜の上方の温度を前記p型熱電変換膜の第1の部分及び前記n型熱電変換膜の第1の部分に伝達する第1の伝熱材と、
    前記基板の下方の温度を前記p型熱電変換膜の前記第1の部分から離間した第2の部分及び前記n型熱電変換膜の前記第1の部分から離間した第2の部分に伝達する第2の伝熱材と、
    を有し、
    対をなす前記p型熱電変換膜及び前記n型熱電変換膜は前記第1の伝熱材の直下で互いに接触し、
    隣り合う対の間では一方のp型熱電変換膜と他方のn型熱電変換膜とが互いに接触し、
    前記複数対が前記p型熱電変換膜及び前記n型熱電変換膜の直列体を構成していることを特徴とする熱電変換装置。
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