JP2017054971A - 熱電材料 - Google Patents
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Abstract
Description
ZT=S2σT/κ
Z:性能指数、T:絶対温度、S:ゼーベック係数、σ:導電率、κ:熱伝導率
・平均間隔Lがコヒーレント長以下である。
・ナノ粒子の凝集が少ない。
ように設定することが好ましい。
本発明の熱電材料によれば、ナノ粒子によるフォノン散乱により、熱伝導率を下げることができるとともに、母材とナノ粒子とのpn接合部においてトンネル効果を発現させることができるため、従来の熱電材料に比べて導電率を向上させることができるので、熱電特性を向上させることができる。
また、ナノ粒子の添加量を、ナノ粒子の平均間隔Lがコヒーレント長以下になるようにすると、多くのナノ粒子の粒子間隔がコヒーレント長以下になるために、散乱せずに伝搬可能なキャリアが増大するので、移動度を増大させることができる。
上記Zn4Sb3の原料に最大粒径50nmのZnOナノ粒子(シグマアルドリッチ社製)を0、0.3、0.5、1、3重量%添加してアルミナるつぼに充填し、Ar雰囲気中で10℃/minで700℃まで昇温し、30分間保持した後に炉冷した。作製した試料について、導電率、移動度及びキャリア濃度を評価した。ここで、導電率はvan der Pauw法、移動度及びキャリア濃度はホール効果の測定により、それぞれ評価した。
Zn4Sb3の原料に最大粒径100nmのZnOナノ粒子(シグマアルドリッチ社製)を0、0.3、0.5、1、3、5重量%添加した熱電材料を作製した。作製条件は実施例1と同様である。
上記Zn4Sb3の原料に最大粒径100nmのTiO2ナノ粒子(シグマアルドリッチ社製)を0、0.05、0.07、0.10、0.12、0.15、0.50、1.0、1.5重量%添加した熱電材料を作製した。作製条件は実施例1と同様である。
このように、導電率を向上させるためには、上述のエネルギー準位の差が大きくなる組み合わせが好適である。
実施例1同様に、Zn4Sb3の原料に最大粒径50nmのZnOナノ粒子を0、0.3、0.5、1、3、5、7重量%添加して作製した試料について、導電率の温度依存性を評価した。図10に示すように、同じ添加量の場合、温度が高い程、導電率は低下する傾向が認められた。また、導電率が極大となる添加量は温度によらず、0.5重量%添加した場合であり、室温と同様の傾向を示した。これは、トンネル効果には温度依存性がほとんどないことによる。
Claims (4)
- 熱電特性を発現する母材にフォノンを散乱する物質からなるナノ粒子が分散された熱電材料であって、前記母材及びナノ粒子は、一方がp型半導体、他方がn型半導体からなり、前記p型半導体の価電子帯の最上部のエネルギー準位が、前記n型半導体の伝導帯の底部のエネルギー準位よりも高く、前記母材と前記ナノ粒子とのpn接合部においてトンネル効果を発現するように構成されていることを特徴とする熱電材料。
- 前記ナノ粒子は、粒子径、密度及び前記母材に対する添加量に基づいて算出される平均間隔Lが、キャリアのコヒーレント長以下になるように前記母材に添加されていることを特徴とする請求項1に記載の熱電材料。
- 前記母材は合金系熱電材料からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の熱電材料。
- 前記ナノ粒子はセラミックス材料からなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1つに記載の熱電材料。
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