JP2017052960A - ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

【課題】屈折率異方性（Δｎ）が大きく、回転粘性（γ１）が小さく、弾性定数（Ｋ３３）が大きく、更に、電圧保持率（ＶＨＲ）が高く、負の誘電率異方性（Δε）を有する液晶組成物、更にこれを用いたときに滴下痕や焼き付きや表示ムラ等の表示不良がない又は抑制された、表示品位の優れた応答速度の速い液晶表示素子の提供。
【解決手段】式（ｉ）で表される化合物を１種又は２種以上含有する誘電率異方性が負の液晶組成物、及びこれを用いた液晶表示素子。

【選択図】なし

Description

本発明は液晶表示材料として有用な誘電率異方性（Δε）が負の値を示すネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示素子に関する。

液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、家庭用各種電気機器、測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型、ＩＰＳ（インプレーンスイッチング）型、ＯＣＢ（光学補償複屈折）型、ＥＣＢ（電圧制御複屈折）型、ＶＡ（垂直配向）型、ＣＳＨ（カラースーパーホメオトロピック）型、あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等を挙げることができる。また駆動方式としてもスタティック駆動、マルチプレックス駆動、単純マトリックス方式、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）等により駆動されるアクティブマトリックス（ＡＭ）方式を挙げることができる。

これらの表示方式において、ＩＰＳ型、ＥＣＢ型、ＶＡ型、あるいはＣＳＨ型等は、Δεが負の値を示す液晶材料を用いるという特徴を有する。これらの中で特にＡＭ駆動によるＶＡ型表示方式は、高速で広視野角の要求される表示素子、例えばテレビ等の用途に使用されている。
ＶＡ型等の表示方式に用いられるネマチック液晶組成物には、３Ｄないし高精細に対応した高速応答が要求される。すなわち、液晶組成物の回転粘性（γ_１）が小さく、弾性定数（Ｋ_３３）が大きく、これらから求められるγ_１／Ｋ_３３の値が十分に小さいことが重要である。
また、屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）との積であるΔｎ×ｄの設定から、応答速度改良のための小さいセルギャップに合わせて、液晶材料のΔｎを適当に大きな範囲に調節する必要がある。加えて、液晶組成物のγ_１を小さく抑えることが要求される。

これまでは、Δεが負でその絶対値の大きな化合物を種々検討することにより液晶組成物の特性が改良されてきた。

Δεが負の液晶材料として、以下のような２，３−ジフルオロフェニレン骨格を有する液晶化合物（Ａ）及び（Ｂ）（特許文献１参照）を用いた液晶組成物が開示されているが、十分に小さなγ_１／Ｋ_３３は得られていなかった。

また、Δεがほぼゼロな化合物の組み合わせとして、液晶化合物（Ｎ２）及び一般式（Ｎ３）で表される化合物を用いることによりγ_１／Ｋ_３３の値を小さくすることができるものの（特許文献２参照）、更なる応答速度の改良が求められていた。

（式中、Ｒ^ｐ及びＲ^ｑはそれぞれ独立して炭素原子数１から１０のアルキル基を表し、環Ｊ，環Ｆ及び環Ｋはそれぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表す。）
また、特許文献３において、（式１）で示される指数が大きい液晶材料を使用することでホメオトロピック液晶セルの応答速度を向上させることが開示されているが、十分とは言えるものではなかった。

以上のことから、高速応答が要求される液晶テレビに用いられる液晶組成物においては、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ＮＩ）が高く、屈折率異方性（Δｎ）を大きく、回転粘性（γ_１）を小さく、弾性定数（Ｋ_３３）を大きく、更に、電圧保持率（ＶＨＲ）が高いことが重要であり、また、これを用いたときに滴下痕や焼き付きや表示ムラ等の不良がない、表示品位の優れた応答速度の液晶表示素子が求められていた。

特開平８−１０４８６９号 特願２０１３−２０８２０１号 特開２００６−３０１６４３号

本発明が解決しようとする課題は、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ＮＩ）が高く、屈折率異方性（Δｎ）が大きく、回転粘性（γ_１）が小さく、弾性定数（Ｋ_３３）が大きく、更に、電圧保持率（ＶＨＲ）が高く、負の誘電率異方性（Δε）を有する液晶組成物を提供し、更にこれを用いたときに滴下痕や焼き付きや表示ムラ等の表示不良がない又は抑制された、表示品位の優れた応答速度の速い液晶表示素子を提供することにある。

本発明者は、特定の構造を有する液晶化合物を含有する液晶組成物により、前記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２はそれぞれ独立して炭素原子数１から１０のアルキル基を表し、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置換されていても良く、また、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されていても良く、
Ａ^ｉ１及びＡ^ｉ２はそれぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基から選ばれる基を表し、
Ｚ^ｉ１及びＺ^ｉ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^ｉ１及びｎ^ｉ２はそれぞれ独立して０、１又は２を表し、ｎ^ｉ１＋ｎ^ｉ２は１以上であるが、ｎ^ｉ１が２であってＡ^ｉ１及びＺ^ｉ１が複数存在する場合は、複数のＡ^ｉ１は同一であっても異なっていてもよく、複数のＺ^ｉ１は同一であっても異なっていてもよく、また、ｎ^ｉ２が２であってＡ^ｉ２及びＺ^ｉ２が複数存在する場合は、複数のＡ^ｉ２は同一であっても異なっていてもよく、複数のＺ^ｉ２は同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を１種又は２種以上含有する誘電率異方性が負の液晶組成物を提供し、また、これを用いた液晶表示素子を提供する。

本発明の液晶組成物は、屈折率異方性（Δｎ）が大きく、回転粘性（γ_１）が小さく、弾性定数（Ｋ_３３）が大きく、更に、電圧保持率（ＶＨＲ）が高く、負の誘電率異方性（Δε）を有し、更にこれを用いた液晶表示素子は、滴下痕や焼き付きや表示ムラ等の表示不良がない又は抑制された、表示品位の優れた応答速度の速いものである。

本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）で表される化合物を１種又は２種以上含有する。

一般式（ｉ）において、Ｒ^ｉ１は粘度を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜４のアルキル基又は炭素原子数２〜４のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜３のアルキル基であることが更に好ましく、炭素原子数１〜２のアルキル基であることが更に好ましく、炭素原子数１のメチル基であることが特に好ましい。Ｒ^ｉ２は粘度を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基であることが好ましく、炭素原子数１〜４のアルキル基であることが好ましく、炭素原子数１〜３のアルキル基であることが更に好ましく、炭素原子数１〜２のアルキル基であることが更に好ましく、炭素原子数１のメチル基であることが特に好ましい。また、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は直鎖状であることが好ましい。更に詳述すると、γ_１／Ｋ_３３の値を小さくするためには、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２のうち少なくともいずれか１つ以上がメチル基であることが好ましく、Ｒ^ｉ２がメチル基を表すことがより好ましく、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２が共にメチル基であることが特に好ましい。また、他の液晶成分との混和性を上昇させるためには、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２が異なることが好ましい。

Ａ^ｉ１及びＡ^ｉ２はそれぞれ独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましい。Ａ^ｉ１及びＡ^ｉ２はそれぞれ独立して、粘度を低下させる為にはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、無置換の１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましく、トランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが更に好ましい。他の液晶成分との混和性を向上させる為には、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましい。Ｔ_ＮＩを上昇させる為には、無置換の１，４−フェニレン基、無置換のナフタレン−２，６−ジイル基であることが好ましい。液晶表示素子とした際の長期信頼性を向上させるには窒素原子を含有しないことが好ましい。粘度、他の液晶成分との混和性、及びＴ_ＮＩをバランスよく向上させる観点からは、Ａ^ｉ１又はＡ^ｉ２の少なくとも１つ以上がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、且つ、Ａ^ｉ１又はＡ^ｉ２の少なくとも１つ以上が無置換の１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましい。より具体的には、ｎ^ｉ１＋ｎ^ｉ２が１を表す場合、Ａ^ｉ１又はＡ^ｉ２のいずれかがトランス−１，４−シクロヘキシレン基又は無置換の１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましく、無置換の１，４−フェニレン基であることが特に好ましい。ｎ^ｉ１＋ｎ^ｉ２が２を表す場合、Ａ^ｉ１又はＡ^ｉ２のいずれか一方がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、且つＡ^ｉ１又はＡ^ｉ２のいずれか一方が無置換の１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましく、Ａ^ｉ１がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、且つＡ^ｉ２が無置換の１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることがより好ましい。また、ｎ^ｉ１＋ｎ^ｉ２が３を表す場合、Ａ^ｉ１又はＡ^ｉ２の少なくとも１つ以上がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましく、Ａ^ｉ１又はＡ^ｉ２の少なくとも１つ以上が２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましい。
Ｚ^ｉ１及びＺ^ｉ２はそれぞれ独立して、単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２ＣＦ_２−であることが好ましく、単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２ＣＦ_２が好ましく、単結合、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−が更に好ましく、単結合が特に好ましい。

ｎ^ｉ１及びｎ^ｉ２はそれぞれ独立して粘度を重視する場合には０又は１であることが好ましく、Ｔ_ＮＩを重視する場合には１又は２であることが好ましい。他の液晶成分との混和性を高くする為には、０又は１であることが好ましい。より詳細には、ｎ^ｉ１が１又は２であり、ｎ^ｉ２が０であることが好ましい。

ｎ^ｉ１＋ｎ^ｉ２については、粘度を重視する場合には１又は２であることが好ましく、Ｔ_ＮＩを重視する場合には３又は４であることが好ましく、３であることがより好ましく、他の液晶成分との混和性を高くするためには１又は２であることが好ましい。粘度、Ｔ_ＮＩ、他の液晶成分との混和性をバランスよく向上させる観点からは、ｎ^ｉ１＋ｎ^ｉ２は１又は２であることが好ましく、粘度をより小さくすることを重視する場合はｎ^ｉ１＋ｎ^ｉ２は１であることが好ましく、Ｔ_ＮＩ、Δｎをより大きくすることを重視する場合はｎ^ｉ１＋ｎ^ｉ２は１であることが好ましい。ｎ^ｉ１＋ｎ^ｉ２が２である場合、ｎ^ｉ１が２であり、ｎ^ｉ２が０であることが好ましい。ｎ^ｉ１＋ｎ^ｉ２が３である場合、ｎ^ｉ１が２であり、ｎ^ｉ２が１、又はｎ^ｉ１が１であり、ｎ^ｉ２が２であることが好ましい。ｎ^ｉ１＋ｎ^ｉ２が４である場合、ｎ^ｉ１が２であり、ｎ^ｉ２が２であることが好ましく、ｎ^ｉ１が３であり、ｎ^ｉ２が１、又はｎ^ｉ１が１であり、ｎ^ｉ２が３であることが好ましい。

好ましい化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（ｉ）の中では以下の一般式（ｉａ）〜一般式（ｉｄ）で表される各化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ａ^ｉ１及びＡ^ｉ２は各々独立して前記一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ａ^ｉ１及びＡ^ｉ２と同じ意味を表し、Ａ^ｉｄ１及びＡ^ｉｄ２はそれぞれ独立して前記一般式（ｉ）におけるＡ^ｉ１と同じ意味を表し、Ｘ^ｉｂ１、Ｘ^ｉｂ２、Ｘ^ｉｃ１及びＸ^ｉｃ２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表すが、Ｘ^ｉｂ１及びＸ^ｉｂ２がともにフッ素原子を表すことはなく、Ｘ^ｉｃ１及びＸ^ｉｃ２がともにフッ素原子を表すことはない。）
一般式（ｉａ）としては、以下の一般式（ｉａ−１）及び一般式（ｉａ−２）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２はそれぞれ独立して前記一般式（ｉ）における、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２と同じ意味を表す。）
特に、一般式（ｉａ−１）が好ましい。

一般式（ｉｂ）としては、以下の一般式（ｉｂ−１）〜一般式（ｉｂ−３）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２はそれぞれ独立して前記一般式（ｉ）における、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２と同じ意味を表す。）
特に、一般式（ｉｂ−１）及び一般式（ｉｂ−２）が好ましい。

一般式（ｉｃ）としては、以下の一般式（ｉｃ−１）〜一般式（ｉｃ−３）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２はそれぞれ独立して前記一般式（ｉ）における、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２と同じ意味を表す。）
一般式（ｉｄ）としては、以下の一般式（ｉｄ−１）〜一般式（ｉｄ−４）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２はそれぞれ独立して前記一般式（ｉ）における、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２と同じ意味を表す。）
特に、一般式（ｉｄ−１）、（ｉｄ−２）及び（ｉｄ−４）が好ましい。

本発明の液晶組成物において一般式（ｉ）で表される化合物の含有量が少ないとその効果が現れないため、組成物中に下限値として、１質量％（以下組成物中の％は質量％を表す。）以上含有することが好ましく、２％以上含有することが好ましく、３％以上含有することが好ましく、５％以上含有することが好ましく、８％以上含有することが好ましく、１０％以上含有することが好ましい。又、含有量が多いと析出等の問題を引き起こすため、上限値としては、７０％以下含有することが好ましく、６０％以下含有することがより好ましく、５０％以下含有することが好ましく、４０％以下含有することが好ましく、３５％以下含有することが好ましく、３０％以下含有することが好ましく、２８％以下含有することが好ましく、２５％以下含有することが好ましく、２３％以下含有することが好ましく、２０％以下含有することが好ましく、１８％以下含有することが好ましく、１５％以下含有することが好ましく、１３％以下含有することが好ましい。一般式（ｉ）で表される化合物は１種のみで使用することもできるが、２種以上の化合物を同時に使用してもよい。

一般式（ｉ）で表される化合物を２種以上同時に使用する場合には、一般式（ｉｂ−１）及び／又は一般式（ｉｂ−２）で表される化合物から選択することが好ましい。

なお、一般式（ｉ）で表される化合物において、ヘテロ原子同士が直接結合する構造となることはない。

本発明の液晶組成物は、更に、一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）

（式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１及びＡ^Ｎ３２はそれぞれ独立して
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置換されていてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１及びＺ^Ｎ３２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
Ｘ^Ｎ２１は水素原子又はフッ素原子を表し、
Ｔ^Ｎ３１は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表し、
ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１及びｎ^Ｎ３２はそれぞれ独立して０，１，２又は３を表すが、ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２はそれぞれ独立して１、２又は３であるが、ｎ^Ｎ１１及び／又はｎ^Ｎ１２が２又は３であってＡ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｎ２１及び／又はｎ^Ｎ２２が２又は３であってＡ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｎ３１及び／又はｎ^Ｎ３２が２又は３であってＡ^Ｎ３１、Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ３１、Ｚ^Ｎ３２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
で表される化合物から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。

一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）で表される化合物は、Δεが負でその絶対値が３よりも大きな化合物であることが好ましい。

一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。

また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）

Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１及びＡ^Ｎ３２はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、

トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すことがより好ましい。

Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１及びＺ^Ｎ３２はそれぞれ独立して−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合が更に好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。

Ｘ^Ｎ２１はフッ素原子が好ましい。

Ｔ^Ｎ３１は酸素原子が好ましい。

ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２は１又は２が好ましく、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が２でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が１である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が２でありｎ^Ｎ１２が１である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が１でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が２でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が１でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が２でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせ、が好ましい。

本発明の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％である。

本発明の組成物の総量に対しての式（Ｎ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％である。

本発明の組成物の総量に対しての式（Ｎ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％である。

本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）の含有量の総量が１０から９０質量％であることが好ましく、２０から８０質量％が更に好ましく、３０から７０質量％が特に好ましい。

本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴ_ＮＩを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高く上限値が高いことが好ましい。

一般式（Ｎ−１）で表される化合物は、Ａ^Ｎ１１がトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基であり、Ｚ^Ｎ１１が−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合であり、ｎ^Ｎ１１が１，２又は３を表し、ｎ^Ｎ１２が０である。

一般式（Ｎ−１）で表される化合物は、一般式（ＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立して炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシル基、炭素原子数２から１０のアルケニル基又は炭素原子数２から１０のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^１及びＲ^２中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−及び／又は−Ｓ−に置換されても良い。Ａ及びＢは、それぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表す。ｐは、０、１又は２を表す。Ｚは、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表す。）
一般式（ＩＩ）中のＲ^１及びＲ^２は、それぞれ独立的に直鎖状の炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から５のアルコキシル基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から５のアルケニルオキシ基であることが更に好ましく、Ｒ^１は炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数２から５のアルケニル基、Ｒ^２は炭素原子数１から５のアルコキシル基であることが特に好ましい。

一般式（ＩＩ）中のＡ及びＢは、それぞれ独立的にトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基又は２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基であることが更に好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基であることが特に好ましい。

式中のｐは、それぞれ独立的に０又は１であることが更に好ましい。

式中のＺは、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合であることが更に好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−又は単結合であることが特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、一般式（ＩＩ）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましく、２種から１０種含有することが好ましい。

一般式（ＩＩ）で表される化合物は、一般式（ＩＩ−Ａ１）から一般式（ＩＩ−Ａ５）及び一般式（ＩＩ−Ｂ１）から一般式（ＩＩ−Ｂ５）であることが好ましく、一般式（ＩＩ−Ａ１）から一般式（ＩＩ−Ａ５）の化合物であることが更に好ましく、一般式（ＩＩ−Ａ１）又は一般式（ＩＩ−Ａ３）の化合物であることが特に好ましい。

式中、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立的に炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数２から５のアルケニル基を表す。

一般式（ＩＩ）で表される化合物は、以下の一般式（ＩＩ−Ｃ１）〜（ＩＩ−Ｃ８）で表される化合物であることが好ましく、一般式（ＩＩ−Ｃ１）であることがより好ましい。

式中、Ｒ^ｃ１及びＲ^ｃ２はそれぞれ独立して炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から５のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基を表す。
また、一般式（Ｎ−１）で表される化合物は、Ａ^Ｎ１１及びＡ^Ｎ１２がトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基であり、Ｚ^Ｎ１１及びＺ^Ｎ１２が−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合であり、ｎ^Ｎ１１及びｎ^Ｎ１２が１又は２であることが好ましい。

一般式（Ｎ−１）で表される化合物は、一般式（Ｖ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^ｖ１及びＲ^ｖ２は、それぞれ独立して炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシル基、炭素原子数２から１０のアルケニル基又は炭素原子数２から１０のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^ｖ１及びＲ^ｖ２中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−及び／又は−Ｓ−に置換されても良い。Ａ^ｖ１及びＡ^ｖ２は、それぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表す。ｎ^ｖ１は、０、１又は２を表す。Ｚ^ｖ１は、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表す。Ｘ^ｖ１、Ｘ^ｖ２、Ｘ^ｖ３及びＸ^ｖ４は水素原子又はフッ素原子を表すが、Ｘ^ｖ１及びＸ^ｖ２、又はＸ^ｖ３及びＸ^ｖ４のうちの少なくとも一方の組み合わせはともにフッ素原子を表す。ただし、一般式（ＩＩ）で表される化合物を除く。）
一般式（Ｖ）としては、下記一般式（Ｖ−１）〜一般式（Ｖ−１０）を表すことが好ましく、一般式（Ｖ−１）、一般式（Ｖ−３）、一般式（Ｖ−４）及び一般式（Ｖ−１１）を表すことがより好ましく、一般式（Ｖ−１）及び一般式（Ｖ−１１）を表すことがより好ましい。本発明の液晶組成物は、一般式（Ｖ−１）で表される化合物を必ず含有することが好ましい。

（式中、Ｒ^ｖ３及びＲ^ｖ４はそれぞれ独立して炭素原子数１から８のアルキル基、炭素原子数１から８のアルコキシル基、炭素原子数２から８のアルケニル基又は炭素原子数２から８のアルケニルオキシル基を表す。）
Ｒ^ｖ３及びＲ^ｖ４の組み合わせは特に限定されないが、両方がアルキル基を表すもの、両方がアルケニル基を表すもの、いずれか一方がアルキル基を表し、他方がアルケニル基を表すもの、いずれか一方がアルキル基をあらわし、他方がアルコキシを表すもの、及びいずれか一方がアルキル基をあらわし、他方がアルケニルオキシ基を表すものであることが好ましく、両方がアルキル基を表すもの、及び両方がアルケニル基を表すものであることがより好ましい。

本発明の液晶組成物は、更に、一般式（Ｌ）

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｌ１は０、１、２又は３を表し、
Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置換されていてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｌ１が２又は３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（ｉ）で表される化合物、一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）及び一般式（Ｎ−３）で表される化合物を除く。）
で表される化合物から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。

一般式（Ｌ）で表される化合物は単独で用いてもよいが、組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類であり、８種類であり、９種類であり、１０種類以上である。

本発明の組成物において、一般式（Ｌ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％である。

本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴ_ＮＩを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を低く上限値が低いことが好ましい。

信頼性を重視する場合にはＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はともにアルキル基であることが好ましく、化合物の揮発性を低減させることを重視する場合にはアルコキシ基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合には少なくとも一方はアルケニル基であることが好ましい。

Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２は、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）

ｎ^Ｌ１は応答速度を重視する場合には０が好ましく、ネマチック相の上限温度を改善するためには２又は３が好ましく、これらのバランスをとるためには１が好ましい。また、組成物として求められる特性を満たすためには異なる値の化合物を組み合わせることが好ましい。

Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３はΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、それぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、

トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すことがより好ましい。

Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２は応答速度を重視する場合には単結合であることが好ましい。

一般式（Ｌ）で表される化合物として、以下の一般式（ＩＩＩ−Ａ）から一般式（ＩＩＩ−Ｋ）で表される化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有し、その含有量が液晶組成物の総量に対して、１質量％から６０質量％であることが好ましく、１０質量％から５０質量％であることが好ましく、２０質量％から５０質量％であることが好ましく、２０質量％から４０質量％であることが好ましい。

（式中、Ｒ^５は、炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数２から５のアルケニル基、Ｒ^６は、炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から５のアルコキシル基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から５のアルケニルオキシ基を表す。但し、一般式（ＩＩＩ−Ａ）で表される化合物において、式（Ｉ）で表される化合物と同一の化合物は含まない。）
一般式（Ｌ）としては、一般式（ＩＩＩ−Ａ）、一般式（ＩＩＩ−Ｄ）、一般式（ＩＩＩ−Ｆ）、一般式（ＩＩＩ−Ｇ）及び一般式（ＩＩＩ−Ｈ）から選ばれる化合物であることが好ましく、一般式（ＩＩＩ−Ａ）、一般式（ＩＩＩ−Ｆ）、一般式（ＩＩＩ−Ｇ）及び一般式（ＩＩＩ−Ｈ）から選ばれる化合物であることが更に好ましく、一般式（ＩＩＩ−Ａ）、一般式（ＩＩＩ−Ｇ）及び一般式（ＩＩＩ−Ｈ）から選ばれる化合物であることが更に好ましく、一般式（ＩＩＩ−Ａ）、一般式（ＩＩＩ−Ｆ）及び一般式（ＩＩＩ−Ｈ）から選ばれる化合物であることも好ましい。更に詳述すると、大きなΔｎが求められる場合には、一般式（ＩＩＩ−Ｆ）、一般式（ＩＩＩ−Ｈ）及び一般式（ＩＩＩ−Ｋ）から選ばれる化合物であることが好ましい。
また、一般式（ＩＩＩ−Ｄ）、一般式（ＩＩＩ−Ｇ）及び一般式（ＩＩＩ−Ｈ）で表される化合物においては、Ｒ^５は炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数２から５のアルケニル基、Ｒ^６は炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数１から５のアルコキシ基であることが好ましく、Ｒ^５は炭素原子数２から５のアルケニル基であることが更に好ましく、炭素原子数２又は３のアルケニル基であることが更に好ましく、一般式（ＩＩＩ−Ｆ）で表される化合物においては、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立的に炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数２から５のアルケニル基であることが好ましい。
一般式（Ｌ）で表される化合物の好ましい具体的な例として、以下のようなものが挙げられる。

（式中、Ｒ^ｄは、炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から５のアルコキシル基、炭素原子数２から５のアルケニル基、炭素原子数２から５のアルケニルオキシ基を表す。）
また、一般式（Ｌ）で表される化合物として、一般式（Ｎ−００１）で表される化合物を１種又は２種以上含有しても良い。

（式中、Ｒ^Ｎ１及びＲ^Ｎ２はそれぞれ独立的に炭素原子数１から８のアルキル基、炭素原子数１から８のアルコキシル基、炭素原子数２から８のアルケニル基又は炭素原子数２から８のアルケニルオキシル基を表し、Ｌ^１及びＬ^２はそれぞれ独立的に水素原子、フッ素原子、ＣＨ_３又はＣＦ_３を表す。ただし、Ｌ^１及びＬ^２の両方がフッ素原子を表すものを除く。）
Ｒ^Ｎ１及びＲ^Ｎ２は、炭素原子数１から５のアルキル基を表すことが好ましい。

本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）、一般式（ＩＩ−Ａ１）及び一般式（ＩＩＩ−Ａ）の化合物を同時に含有することが好ましく、一般式（ｉ）、一般式（ＩＩ−Ａ３）及び一般式（ＩＩＩ−Ａ）の化合物を同時に含有することが好ましく、一般式（ｉ）、一般式（ＩＩ−Ｂ１）及び一般式（ＩＩＩ−Ａ）の化合物を同時に含有することが好ましく、一般式（ｉ）、一般式（ＩＩ−Ｂ２）及び一般式（ＩＩＩ−Ａ）の化合物を同時に含有することが好ましく、一般式（ｉ）、一般式（ＩＩ−Ｂ３）及び一般式（ＩＩＩ−Ａ）の化合物を同時に含有することが好ましく、一般式（ｉ）、一般式（ＩＩ−Ｂ４）、及び一般式（ＩＩＩ−Ａ）の化合物を同時に含有することが好ましいが、一般式（ｉ）、一般式（ＩＩ−Ａ１）及び一般式（ＩＩＩ−Ａ）の化合物を同時に含有することが更に好ましく、一般式（ｉ）、一般式（ＩＩ−Ａ３）及び一般式（ＩＩＩ−Ａ）の化合物を同時に含有することが更に好ましく、一般式（ｉ）、一般式（ＩＩ−Ａ１）、一般式（ＩＩ−Ａ３）及び一般式（ＩＩＩ−Ａ）の化合物を同時に含有することが特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）で表される化合物と、一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）及び一般式（Ｎ−３）で表される化合物から選ばれる化合物と、一般式（Ｌ）で表される化合物の合計の含有量が、５０から１００質量％であることが好ましく、５５〜１００質量％であることが更に好ましく、６０〜１００質量％であることが更に好ましく、６５〜１００質量％であることが更に好ましく、７０〜１００質量％であることが更に好ましく、７５〜１００質量％であることが特に好ましい。より詳述すると、本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）、一般式（ＩＩ）及び一般式（ＩＩＩ−Ａ）から一般式（ＩＩＩ−Ｊ）で表される化合物の含有量の合計が、８５から１００質量％が好ましく、９０から１００質量％がより好ましく、一般式（ｉ）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ−Ａ）から一般式（ＩＩＩ−Ｊ）及び一般式（Ｖ−１）で表される化合物の含有量の合計が、９０から１００質量％が更に好ましく、９５から１００質量％が特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）で表される化合物と、一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）及び一般式（Ｎ−３）で表される化合物から選ばれる化合物の合計の含有量が組成物中に下限値として、３０質量％（以下組成物中の％は質量％を表す。）以上含有することが好ましく、３５％以上含有することが好ましく、４０％以上含有することが好ましく、４５％以上含有することが好ましく、５０％以上含有することが好ましく、５５％以上含有することが好ましく、６０％以上含有することが好ましく、６５％以上含有することが好ましく、７０％以上含有することが好ましく、７５％以上含有することが好ましく、７８％以上含有することが好ましく、８０％以上含有することが好ましく、８３％以上含有することが好ましく、８５％以上含有することが好ましく、９０％以上含有することが好ましく、９１％以上含有することが好ましい。また、上限値として、 １００％以下含有することが好ましく、９９％以下含有することが好ましく、９５％以下含有することが好ましく、９０％以下含有することが好ましく、８５％以下含有することが好ましく、８０％以下含有することが好ましく、７５％以下含有することが好ましく、７０％以下含有することが好ましく、６５％以下含有することが好ましく、６０％以下含有することが好ましく、５５％以下含有することが好ましく、５０％以下含有することが好ましい。

本願発明の組成物は、分子内に過酸（−ＣＯ−ＯＯ−）構造等の酸素原子同士が結合した構造を持つ化合物を含有しないことが好ましい。

組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して５％以下とすることが好ましく、３％以下とすることがより好ましく、１％以下とすることが更に好ましく、実質的に含有しないことが最も好ましい。

ＵＶ照射による安定性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１５％以下とすることが好ましく、１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を多くすることが好ましく、分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して８０％以上とすることが好ましく、９０％以上とすることがより好ましく、９５％以上とすることが更に好ましく、実質的に分子内の環構造がすべて６員環である化合物のみで組成物を構成することが最も好ましい。

組成物の酸化による劣化を抑えるためには、環構造としてシクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、シクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

粘度の改善及びＴ_ＮＩの改善を重視する場合には、水素原子がハロゲンに置換されていてもよい２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を少なくすることが好ましく、前記２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

本願において実質的に含有しないとは、意図せずに含有する物を除いて含有しないという意味である。

本発明の第一実施形態の組成物に含有される化合物が、側鎖としてアルケニル基を有する場合、前記アルケニル基がシクロヘキサンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は２〜５であることが好ましく、前記アルケニル基がベンゼンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は４〜５であることが好ましく、前記アルケニル基の不飽和結合とベンゼンは直接結合していないことが好ましい。 本発明の液晶組成物は、２５℃における誘電率異方性（Δε）が−２．０から−８．０であるが、−２．０から−６．０が好ましく、−２．０から−５．０がより好ましく、−２．５から−４．０が特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、２５℃における屈折率異方性（Δｎ）が０．０８から０．１４であるが、０．０９から０．１３がより好ましく、０．０９から０．１２が特に好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１０から０．１３であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８から０．１０であることが好ましい。

本発明の液晶組成物は、２５℃における粘度（η）が１０から５０ｍＰａ・ｓであるが、１０から４５ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、１０から４０ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、２５℃における回転粘性（γ_１）が６０から２００ｍＰａ・ｓであるが、６０から１８０ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、７０から１７０ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ＮＩ）が６０℃から１２０℃であるが、７０℃から１１０℃がより好ましく、７２℃から１０５℃が特に好ましい。
本発明の液晶組成物は、弾性定数（Ｋ_３３）が１０．０から２０．０であるが、１１．０から１９．０がより好ましく、１１．０から１８．０が特に好ましい。弾性定数（Ｋ_３３）の下限値について詳述すると、１１．０が好ましいが、１１．５が好ましく、１２．０が好ましく、１２．５が好ましく、１３．０が好ましく、１３．５が好ましく、１４．０が好ましく、１４．５が好ましく、１５．０が好ましく、１５．５が好ましい。

本発明の液晶組成物は、上述の化合物以外に、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、酸化防止剤、紫外線吸収剤、重合性モノマー又は光安定剤（ＨＡＬＳ）等を含有しても良い。

例えば、重合性モノマーとしてビフェニル誘導体、ターフェニル誘導体などの重合性化合物を１種又は２種以上含有することが好ましく、本発明の組成物の総量に対して重合性化合物を０．０１質量％から２質量％含有することが好ましい。更に詳述すると、本発明の液晶組成物に、一般式（ＶＩ）

（式中、Ｚ^ＶＩ１は水素原子、炭素原子数１から１２のアルキル基、炭素原子数１から１２のアルコキシ基又はＰ^ＶＩ２−Ｓ^ＶＩ２−を表し、Ｒ^ＶＩ１は、Ｐ^ＶＩ１−Ｓ^ＶＩ１−を表し、Ｐ^ＶＩ１及びＰ^ＶＩ２はそれぞれ独立して、式（Ｒ−１）から式（Ｒ−１５）

から選ばれる基を表し、
Ｓ^ＶＩ１及びＳ^ＶＩ２は、それぞれ独立して、単結合又は炭素数１〜１５のアルキレン基を表し、該アルキレン基中の１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−で置換されても良く、
ｎ^ＶＩ１は１から３の整数を表し、ｎ^ＶＩ２は１から３の整数を表し、ｍ^ＶＩ１は０から４の整数を表し、
Ｍ^ＶＩ１は、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、又はフェナントレン−２，７−ジイル基から選択される２価の環状基を表すが、ｎ^ＶＩ１が２又は３を表す場合、及び／又はｍ^ＶＩ１が０を表しｎ^ＶＩ２が２又は３を表す場合、上記２価の環状基の任意の位置にさらに結合手を有し、
Ｍ^ＶＩ２は、それぞれ独立して、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、又はフェナントレン−２，７−ジイル基から選択される２価の環状基を表すが、ｎ^ＶＩ２が２又は３を表す場合、Ｚ^ＶＩ１が連結するＭ^ＶＩ２は、上記２価の環状基の任意の位置にさらに結合手を有し（Ｚが連結しないＭ^ＶＩ２は、それぞれ独立して、上記２価の環状基から選択される。）、
Ｍ^ＶＩ１及び存在するＭ^ＶＩ２の少なくとも１つ以上の環状基は１つ以上の炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、ハロゲンで置換されていても良く、
Ｌ^ＶＩ１は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＯＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ^ａ−、−ＮＲ^ａ−ＣＯ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−（ＣＨ_２）_Ｙ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−（ＣＨ_２）_Ｙ−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_Ｙ−、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_Ｙ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は−Ｃ≡Ｃ−（式中、Ｒ^ａはそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、Ｙは１〜４の整数を表す。）であり、
Ｒ^ＶＩ１、Ｚ^ＶＩ１、Ｌ^ＶＩ１及びＭ^ＶＩ２が複数存在する場合は、それぞれ、同一であっても異なっていても良い。）で表される重合性化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。
式中、Ｚ^ＶＩ１はＰ^ＶＩ２−Ｓ^ＶＩ２−を表すことが好ましい。
式中、Ｒ^ＶＩ１はＰ^ＶＩ１−Ｓ^ＶＩ１−を表し、Ｐ^ＶＩ１及びＰ^ＶＩ２は、それぞれ独立して、前記式（Ｒ−１）又は式（Ｒ−２）であることが好ましい。

式中、Ｓ^ＶＩ１及びＳ^ＶＩ２は、単結合又は炭素原子数１から６のアルキレン基が好ましく、単結合であることが更に好ましい。液晶組成物との溶解性を重視する場合は、炭素原子数１から６のアルキレン基であることが好ましく、炭素原子数１から３のアルキレン基であることが更に好ましく、炭素原子数１から２のアルキレン基であることが更に好ましく、該アルキレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−で置換されても良い。また、存在するＳ^ＶＩ１及びＳ^ＶＩ２の内、少なくとも１つは単結合であるが、存在するＳ^ＶＩ１及びＳ^ＶＩ２の全てが単結合であることが好ましい。

式中、ｎ^ＶＩ１は１から２の整数であることが好ましく、ｎ^ＶＩ２は１から２の整数であることが好ましい。なお、ｎ^ＶＩ１＋ｎ^ＶＩ２は１から５の整数であることが好ましく、１から４の整数であることが好ましく、１から３の整数であることが好ましく、２から３の整数であることが更に好ましい。

式中、ｍ^ＶＩ１は１から３の整数であることが好ましく、重合速度を重視する場合にはｍ^ＶＩ１は２から４の整数であることが好ましく、ｍ^ＶＩ１は２又は３であることがより好ましく、液晶組成物との相溶性を重視する場合にはｍ^ＶＩ１は０から２の整数であることが好ましい。従って、重合速度と相溶性を両立するためには、ｍ^ＶＩ１は２であることが特に好ましい。

式中、Ｍ^ＶＩ１は１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基から選択される２価の環状基が好ましく、ｎ^ＶＩ１が２又は３を表す場合、及び／又はｍ^ＶＩ１が０を表しｎ^ＶＩ２が２又は３を表す場合、上記２価の環状基の任意の位置にさらに結合手を有する。

式中、Ｍ^ＶＩ２は１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基から選択される２価の環状基が好ましく、ｎ^ＶＩ２が２又は３を表す場合、Ｚ^ＶＩ１が連結するＭ^ＶＩ２は、上記２価の環状基の任意の位置にさらに結合手を有するが、Ｚ^ＶＩ１が連結しないＭ^ＶＩ２は、それぞれ独立して、上記２価の環状基から選択される。

式中、Ｍ^ＶＩ１及び存在するＭ^ＶＩ２の少なくとも１つ以上の環状基は１つ以上の炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、ハロゲンで置換されていても良く、該アルキル基又はアルコキシ基は炭素原子数１から６のアルキル基又はアルコキシ基であることが好ましく、炭素原子数１から５のアルキル基又はアルコキシ基であることが好ましく、炭素原子数１から４のアルキル基又はアルコキシ基であることが好ましく、炭素原子数１から３のアルキル基又はアルコキシ基であることが好ましく、炭素原子数１から２のアルキル基又はアルコキシ基であることが好ましく、炭素原子数１のアルキル基又はアルコキシ基であることが特に好ましい。

Ｌ^ＶＩ１は、単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_Ｙ−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_Ｙ−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−（ＣＨ_２）_Ｙ−、−ＣＯＯ−（ＣＨ_２）_Ｙ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−Ｃ≡Ｃ−（式中、Ｒ^ａはそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、前記式中、Ｙは１〜４の整数を表す。）が好ましく、単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−（ＣＨ_２）_２−又は−Ｃ≡Ｃ−がより好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−（ＣＨ_２）_２−が更に好ましく、−（ＣＨ_２）_２−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−（ＣＨ_２）_２−が特に好ましい。

一般式（ＶＩ）で表される重合性化合物として、具体的には、以下の一般式（ＶＩ−１）及び一般式（ＶＩ―２）

で表される重合性化合物で表される重合性化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。

式中、Ｒ^１０７は、Ｐ^１０７−Ｓ^１０７−を表し、Ｒ^１１０は、Ｐ^１１０−Ｓ^１１０−を表し、Ｐ^１０７及びＰ^１１０は、それぞれ独立的に上記式（Ｒ−１）から式（Ｒ−１５）のいずれかを表し、Ｓ^１０７及びＳ^１１０は、それぞれ独立的に単結合又は炭素数１〜１５のアルキレン基を表し、該アルキレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−で置換されて良いが、単結合又は炭素数１〜６のアルキレン基（該アルキレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−で置換されて良い。）であることが好ましく、単結合であることが特に好ましい。
式中、Ｒ^１０８、Ｒ^１０９、Ｒ^１１１及びＲ^１１２は、それぞれ独立的に上記式（Ｒ−１）から式（Ｒ−１５）、炭素原子数１から３のアルキル基、炭素原子数１から３のアルコキシ基、フッ素原子又は水素原子のいずれかを表し、Ａ^１５は、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すが、基は無置換であるか又は炭素原子数１から１２のアルキル基、ハロゲン（フッ素原子、塩素原子）、シアノ基又はニトロ基で置換されていても良く、Ｌ^１５は単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_Ｙ−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_Ｙ−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−（ＣＨ_２）_Ｙ−、−ＣＯＯ−（ＣＨ_２）_Ｙ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−Ｃ≡Ｃ−（式中、Ｒ^ａはそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１から３のアルキル基を表し、前記式中、Ｙは１から４の整数を表す。）を表す。
式中、Ｘ^１５、Ｘ^１６、Ｘ^１７及びＸ^１８は、それぞれ独立的に水素原子、炭素原子数１から３のアルキル基又はフッ素原子を表す。

一般式（ＶＩ−１）及び一般式（ＶＩ−２）で表される重合性化合物は、２つ又は３つの環を有するメソゲン構造であることに特徴があり、本発明の一般式（Ｉ−１）の重合性化合物に併用することで液晶組成物との相溶性を更に向上させることができる。

一般式（ＶＩ−１）及び一般式（ＶＩ−２）で表される重合性化合物の含有量は、０．０１から５質量％含有するが、含有量の下限は０．０２質量％が好ましく、０．０３質量％が好ましく、０．０４質量％が好ましく、０．０５質量％が好ましく、０．０６質量％が好ましく、０．０７質量％が好ましく、０．０８質量％が好ましく、０．０９質量％が好ましく、０．１質量％が好ましく、０．１５質量％が好ましく、０．２質量％が好ましく、０．２５質量％が好ましく、０．３質量％が好ましく、０．３５質量％が好ましく、０．４質量％が好ましく、０．５質量％が好ましく、０．５５質量％が好ましく、含有量の上限は４．５質量％が好ましく、４質量％が好ましく、３．５質量％が好ましく、３質量％が好ましく、２．５質量％が好ましく、２質量％が好ましく、１．５質量％が好ましく、１質量％が好ましく、０．９５質量％が好ましく、０．９質量％が好ましく、０．８５質量％が好ましく、０．８質量％が好ましく、０．７５質量％が好ましく、０．７質量％が好ましく、０．６５質量％が好ましく、０．６質量％が好ましく、０．５５質量％が好ましい。

一般式（ＶＩ−２）で表される化合物として、一般式（ＩＶ）で表される重合性化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。

式中、Ｒ^７及びＲ^８は、それぞれ独立的に式（Ｒ−１）から式（Ｒ−１５）のいずれかを表し、Ｘ^１からＸ^８は、それぞれ独立的にトリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、フッ素原子又は水素原子を表す。

一般式（ＩＶ）におけるビフェニル骨格の構造は、式（ＩＶ−１１）から式（ＩＶ−１４）であることが更に好ましく、式（ＩＶ−１１）であることが特に好ましい。

式（ＩＶ−１１）から式（ＩＶ−１４）で表される骨格を含む重合性化合物は重合後の配向規制力が最適であり、良好な配向状態が得られる。

一般式（ＶＩ−２）で表される化合物は、具体的には、例えば式（ＸＸ−１）から一般式（ＸＸ−１０）で表される化合物が好ましく、式（ＸＸ−１）から式（ＸＸ−４）が更に好ましい。

式（ＸＸ−１）から一般式（ＸＸ−１０）中、Ｓｐ^ｘｘは炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は環に結合するものとする。）を表す。

式（ＸＸ−１）から一般式（ＸＸ−１０）中、１，４−フェニレン基中の水素原子は、更に、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ_３、−ＣＨ_３、式（Ｒ−１）から式（Ｒ−１５）のいずれかによって置換されていても良い。

また、一般式（ＶＩ−１）で表される化合物として、例えば、式（Ｍ３１）から式（Ｍ４８）のような重合性化合物が好ましい。

また、式（Ｍ３０１）から式（Ｍ３１６）のような重合性化合物も好ましい。

式（Ｍ３０１）から式（Ｍ３１６）中の１，４−フェニレン基及びナフタレン基中の水素原子は、更に、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ_３、−ＣＨ_３によって置換されていても良い。

また、式（ＶＩａ−１）〜式（ＶＩａ−３１）のような重合性化合物も好ましい。

本発明の一般式（ｉ）で表される化合物と重合性化合物である一般式（Ｉ−１）を同時に含有する誘電率異方性が負の液晶組成物は、低い粘度（η）、低い回転粘性（γ_１）及び大きな弾性定数（Ｋ_３３）が得られるため、これを用いたＰＳＡモード又はＰＳＶＡモードの液晶表示素子は高速応答が実現できる。
また、酸化防止剤は、一般式（Ｈ−１）から一般式（Ｈ−４）で表されるヒンダードフェノールが好ましい。

一般式（Ｈ−１）から一般式（Ｈ−４）中、Ｒ^Ｈ１は炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシル基、炭素原子数２から１０のアルケニル基又は炭素原子数２から１０のアルケニルオキシ基を表すが、基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立的に−Ｏ−又は−Ｓ−に置換されても良く、また、基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立的にフッ素原子又は塩素原子に置換されても良い。更に具体的には、炭素原子数２から７のアルキル基、炭素原子数２から７のアルコキシル基、炭素原子数２から７のアルケニル基又は炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基であることが好ましく、炭素原子数３から７のアルキル基又は炭素原子数２から７のアルケニル基であることが更に好ましい。
一般式（Ｈ−４）中、Ｍ^Ｈ４は炭素原子数１から１５のアルキレン基（該アルキレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−に置換されていても良い。）、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、単結合、１，４−フェニレン基（１，４−フェニレン基中の任意の水素原子はフッ素原子により置換されていても良い。）又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表すが、炭素原子数１から１４のアルキレン基であることが好ましく、揮発性を考慮すると炭素原子数は大きい数値が好ましいが、粘度を考慮すると炭素原子数は大き過ぎない方が好ましいことから、炭素原子数２から１２が更に好ましく、炭素原子数３から１０が更に好ましく、炭素原子数４から１０が更に好ましく、炭素原子数５から１０が更に好ましく、炭素原子数６から１０が更に好ましい。
一般式（Ｈ−１）から一般式（Ｈ−４）中、１，４−フェニレン基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝によって置換されていても良い。また、１，４−フェニレン基中の水素原子はそれぞれ独立的に、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良い。
一般式（Ｈ−１）から一般式（Ｈ−４）中、１，４−シクロヘキシレン基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−によって置換されていても良い。また、１，４−シクロヘキシレン基中の水素原子はそれぞれ独立的に、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良い。
更に具体的には、例えば、式（Ｈ−１１）から式（Ｈ−１５）が挙げられる。

本発明の液晶組成物は、酸化防止剤を１質量ｐｐｍ以上含有しても良いが、１０質量ｐｐｍ以上が好ましく、２０質量ｐｐｍ以上が好ましく、５０質量ｐｐｍ以上が好ましい。酸化防止剤の含有量の上限は１００００質量ｐｐｍであるが、１０００質量ｐｐｍが好ましく、５００質量ｐｐｍが好ましく、１００質量ｐｐｍが好ましい。

本発明において、一般式（ｉ）で表される化合物は、以下のようにして製造することができる。勿論本発明の趣旨及び適用範囲は、これら製造例により制限されるものではない。
（製法１）
一般式（ｉ−１）

（式中、Ａ^ｉ２、Ｚ^ｉ２、ｎ^ｉ２及びＲ^ｉ２は一般式（ｉ）におけるＡ^ｉ２、Ｚ^ｉ２、ｎ^ｉ２及びＲ^ｉ２と同じ意味を表す。）で表される化合物と、一般式（ｉ−２）

（式中、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立して塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表す。）で表される化合物を、有機溶媒中において遷移金属触媒、銅触媒及び塩基の存在下反応させることで、一般式（ｉ−３）

（式中、Ａ^ｉ２、Ｚ^ｉ２、ｎ^ｉ２及びＲ^ｉ２は一般式（ｉ）におけるＡ^ｉ２、Ｚ^ｉ２、ｎ^ｉ２及びＲ^ｉ２と同じ意味を表し、Ｘ^１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表す。）で表される化合物を得ることが出来る。

使用する有機溶媒としては、反応を好適に進行させることが出来ればいずれでも構わないが、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル又はテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒又はＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド又はＮ−メチルピロリジノン等のアミド系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド又はＮ−メチルピロリジノンが特に好ましい。また、必要に応じて複数の溶媒を混合してもよい。

反応温度は、反応を好適に進行させることが出来ればいずれでも構わないが、室温から有機溶媒が還流するまでの温度が好ましく、４０℃から有機溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、６０℃から溶媒が還流するまでの温度が特に好ましい。

使用する銅触媒としては、反応を好適に進行させることが出来ればいずれでも構わないが、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）又はヨウ化銅（Ｉ）が好ましく、ヨウ化銅（Ｉ）であることが更に好ましい。

使用する遷移金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）等のパラジウム系遷移金属触媒又はニッケル系遷移金属触媒が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）が更に好ましい。また、反応の進行を促進するため、必要に応じてホスフィン系配位子を加えても良い。
使用する塩基としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、アンモニア水溶液、トリエチルアミン又はジイソプロピルアミン等のアミン系試薬、ピリジン又は２，６−ジメチルピリジン等のピリジン系試薬、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム又は炭酸セシウム等の炭酸塩が好ましく、トリエチルアミン、ジイソプロピルアミンが更に好ましい。

目的とする一般式（ｉ−３）で表される化合物を効率よく得るためには、一般式（ｉ−２）におけるＸ^１及びＸ^２が異なることが好ましい。
続いて、一般式（ｉ−３）で表される化合物を、一般式（ｉ−４）

（式中、Ａ^ｉ１、ｎ^ｉ１及びＲ^ｉ１は一般式（ｉ）におけるＡ^ｉ１、ｎ^ｉ１及びＲ^ｉ１と同じ意味を表し、Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４はそれぞれ独立して直鎖であっても又は分岐していても良い炭素数１から５のアルキル基を表す。）で表される化合物を、有機溶媒中において遷移金属触媒及び塩基の存在下反応させる事で、一般式（ｉ−５）

（式中、Ａ^ｉ１、Ａ^ｉ２、Ｚ^ｉ２、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、ｎ^ｉ２及びｎ^ｉ１は一般式（ｉ）におけるＡ^ｉ１、Ａ^ｉ２、Ｚ^ｉ２、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、ｎ^ｉ２及びｎ^ｉ１と同じ意味を表す。）で表される化合物を得ることが出来る。

使用する有機溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，４−ジオキサン又はテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、トルエン又はキシレン等の炭化水素系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のＮ−メチルピロリジノン等のアミド系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール又はイソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒が好ましく、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノールが更に好ましい。

反応温度は、反応を好適に進行する温度であればいずれでも構わないが、室温から有機溶媒が還流するまでの温度が好ましく、４０℃から有機溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、６０℃から有機溶媒が還流するまでの温度が特に好ましい。
使用する遷移金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）等のパラジウム系遷移金属触媒又はニッケル系遷移金属触媒が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）が更に好ましい。また、反応の進行を促進するため、必要に応じてホスフィン系配位子を加えても良い。
使用する塩基としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属類、炭酸ナトリウム炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸セシウム等の炭酸塩類が好ましく、炭酸カリウム又は炭酸セシウムである事が更に好ましい。また、必要に応じて水溶液として使用することも好ましい。
続いて、一般式（ｉ−５）で表される化合物を有機溶媒中、金属触媒存在下、水素ガスと反応させる事で一般式（ｉ）で表される化合物を得ることが出来る。

使用する有機溶剤としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン又はテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、トルエン又はキシレン等の炭化水素系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール又はブタノール等のアルコール系溶媒、酢酸エチル又は酢酸ブチル等のエステル系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、エタノール又は酢酸エチルが好ましい。また、必要に応じて塩酸、酢酸又は硫酸等の酸を添加する事も好ましい。

反応温度としては、反応を好適に進行させる温度であればいずれでも構わないが、０℃から８０℃が好ましく、室温から６０℃が更に好ましい。

使用する金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、パラジウム炭素、ルテニウム炭素、白金黒又は酸化白金が好ましく、パラジウム炭素が更に好ましい。

反応する際の水素圧は、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、大気圧から０．５ＭＰａであることが好ましく、０．２ＭＰａから０．５ＭＰａであることが更に好ましい。
（製法２）
一般式（ｉ−６）

（式中、Ａ^ｉ１、Ｚ^ｉ１、ｎ^ｉ１及びＲ^ｉ１は一般式（ｉ）におけるＡ^ｉ１、Ｚ^ｉ１、ｎ^ｉ１及びＲ^ｉ１と同じ意味を表し、Ｙはそれぞれ独立して塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。）で表される化合物を有機溶媒中又は無溶媒条件においてトリフェニルホスフィンと反応させる事で、一般式（ｉ−７）

（式中、Ａ^ｉ１、Ｚ^ｉ１、ｎ^ｉ１及びＲ^ｉ１は一般式（ｉ）におけるＡ^ｉ１、Ｚ^ｉ１、ｎ^ｉ１及びＲ^ｉ１と同じ意味を表し、Ｙはそれぞれ独立して塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。）で表される化合物を得ることが出来る。

有機溶媒を使用する場合には、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン又はメチルシクロヘキサン等の飽和炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン又はメシチレン等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン又は１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のＮ−メチルピロリジノン等のアミド系溶媒が好ましく、飽和炭化水素系溶媒又は芳香族系溶媒が更に好ましく、トルエン、キシレンであることが特に好ましい。

反応温度としては、反応を好適に進行させる温度であればいずれの温度でも構わないが、室温から有機溶媒が還流するまでの温度が好ましく、５０℃から有機溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、９０℃から有機溶媒が還流するまでの温度であることが特に好ましい。

続いて、一般式（ｉ−７）で表される化合物を有機溶媒中塩基と反応させてリンイリド試薬を調製したのち、一般式（ｉ−８）

（式中、Ａ^ｉ２、Ｚ^ｉ２、ｎ^ｉ２及びＲ^ｉ２は一般式（ｉ）におけるＡ^ｉ２、Ｚ^ｉ２、ｎ^ｉ２及びＲ^ｉ２と同じ意味を表す。）で表される化合物と反応させる事で、一般式（ｉ−９）

（式中、Ａ^ｉ１、Ａ^ｉ２、Ｚ^ｉ１、Ｚ^ｉ２、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、ｎ^ｉ２及びｎ^ｉ１は一般式（ｉ）におけるＡ^ｉ１、Ａ^ｉ２、Ｚ^ｉ１、Ｚ^ｉ２、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、ｎ^ｉ２及びｎ^ｉ１と同じ意味を表す。）で表される化合物を得ることが出来る。

使用する有機溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン又は１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、トルエン又はキシレン等の炭化水素系溶媒であることが好ましく、テトラヒドロフランであることが好ましい。また、必要に応じて複数の溶媒を混合して使用することも好ましい。

反応温度は、好適に反応を進行させる温度であればいずれの温度でも構わないが、−６０℃から２０℃であることが好ましく、−４０℃から０℃であることが更に好ましい。

使用する塩基としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化物塩、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド又はカリウムターシャリーブトキシド等のアルコキシド系試薬、ブチルリチウム、セカンダリーブチルリチウム又はターシャリーブチルリチウム等のアルキルリチウム系試薬、水素化ナトリウムであることが好ましく、水酸化カリウム、カリウムターシャリーブトキシド、水素化ナトリウム、ブチルリチウムであることが更に好ましい。
続いて、一般式（ｉ−９）で表される化合物を有機溶媒中、金属触媒存在下、水素ガスと反応させる事で一般式（ｉ）で表される化合物を得ることが出来る。

使用する有機溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン又はテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、トルエン又はキシレン等の炭化水素系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール又はブタノール等のアルコール系溶媒、酢酸エチル又は酢酸ブチル等のエステル系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、エタノール又は酢酸エチルが好ましい。また、必要に応じて塩酸、酢酸又は硫酸等の酸を添加する事も好ましい。

反応温度としては、反応を好適に進行させる温度であればいずれでも構わないが、０℃から８０℃が好ましく、室温から６０℃が更に好ましい。

使用する金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、パラジウム炭素、ルテニウム炭素、白金黒又は酸化白金が好ましく、パラジウム炭素が更に好ましい。

反応する際の水素圧は、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、大気圧から０．５ＭＰａであることが好ましく、０．２ＭＰａから０．５ＭＰａであることが更に好ましい。

本発明の液晶組成物を用いた液晶表示素子は、表示不良がない又は抑制された、表示品位の優れた応答速度の速いものであり、特に、アクティブマトリックス駆動のＶＡ型、ＰＳＶＡ型、ＰＳＡ型、ＦＦＳ型、ＩＰＳ型又はＥＣＢ型に適用できる。

以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。相転移温度の測定は温度調節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（ＤＳＣ）を併用して行った。

化合物記載に下記の略号を使用する。

ＤＭＦ：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
ＴＨＦ：テトラヒドロフラン
Ｍｅ：メチル基、Ｅｔ：エチル基、Ｐｒ：ｎ−プロピル基
また、実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。
（側鎖）
−ｎ −Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１ 炭素数ｎの直鎖状のアルキル基
ｎ− Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１− 炭素数ｎの直鎖状のアルキル基
−Ｏｎ −ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１ 炭素数ｎの直鎖状のアルコキシル基
ｎＯ− Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１Ｏ− 炭素数ｎの直鎖状のアルコキシル基
−Ｖ −ＣＨ＝ＣＨ_２
Ｖ− ＣＨ_２＝ＣＨ−
−Ｖ１ −ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_３
１Ｖ− ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−
−２Ｖ −ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ_３
Ｖ２− ＣＨ_３＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−
−２Ｖ１ −ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_３
１Ｖ２− ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−
（連結基）
−ＣＦ２Ｏ− −ＣＦ_２−Ｏ−
−ＯＣＦ２− −Ｏ−ＣＦ_２−
−１Ｏ− −ＣＨ_２−Ｏ−
−Ｏ１− −Ｏ−ＣＨ_２−
−ＣＯＯ− −ＣＯＯ−
−２− −ＣＨ_２−ＣＨ_２−
（環構造）

実施例中、測定した特性は以下の通りである。

Ｔ_ＮＩ ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ ：２５℃における屈折率異方性
Δε ：２５℃における誘電率異方性
η ：２５℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）
γ_１ ：２５℃における回転粘性（ｍＰａ・ｓ）
Ｋ_３３ ：２５℃における弾性定数Ｋ_３３（ｐＮ）
（実施例１）４−メチル−４’−［２−（４−メチルフェニル）−１−エチル］ビフェニル（１−Ｐｈ−Ｐｈ−２−Ｐｈ−１）の製造

（１−１） 乾燥窒素雰囲気下、４−ヨードブロモベンゼン（５５．０ｇ）、ヨウ化銅（Ｉ）（１．３６ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（４．１３ｇ）、ＤＭＦ（２００ｍＬ）及びトリエチルアミン（１００ｍＬ）を混合し、７５℃に加熱した。加熱下、４−メチルフェニルアセチレン（２４．８ｇ）をＤＭＦ（１００ｍＬ）に溶解させた溶液を滴下した後、さらに３時間撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水（２００ｍＬ）及びトルエン（２００ｍＬ）を加えて分液した。有機層を飽和食塩水（２００ｍＬ）で２回洗浄したのち、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。硫酸ナトリウムをろ過し、減圧濃縮したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。さらに、アセトン及びトルエンの混合溶媒から再結晶する事で、４−ブロモ−４’−メチルトラン（５０．０ｇ）を得た。
（１−２） 乾燥窒素雰囲気下、工程（１−１）で得られた４−ブロモ−４’−メチルトラン（２０．０ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．５２ｇ）、ＴＨＦ（１００ｍＬ）及び２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液（７５ｍＬ）を混合し、６０℃に加熱した。加熱下、４−メチルフェニルホウ酸（１１．０ｇ）をＴＨＦ（２５ｍＬ）に溶解させた溶液を滴下したのち、さらに２時間撹拌した。反応液を氷冷したのち、水（４００ｍＬ）を加える事で目的化合物を析出させた。目的化合物を濾過したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製する事で４−（４−メチルフェニル）−４’−メチルトラン（２１．３ｇ）を得た。
（１−３） 工程（１−２）で得られた４−（４−メチルフェニル）−４’−メチルトラン（２１．３ｇ）、５ｗｔ％パラジウム炭素（含水品）（１．１ｇ）及びＴＨＦ（３００ｍＬ）をオートクレーブ反応器に仕込み、水素雰囲気下（０．５ＭＰａ）、室温に於いて２時間撹拌した。反応液を濾過する事でパラジウム触媒を除去したのち、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製したのち、トルエン及びアセトンの混合溶媒から再結晶する事で、４−メチル−４’−［２−（４−メチルフェニル）−１−エチル］ビフェニルを１５．８ｇ得た。
相転移温度（℃）：Ｃｒ １２０（Ｎ １１２）Ｉｓｏ
ＭＳ ｍ／ｚ：２８６［Ｍ^＋］
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ内部標準）δ（ｐｐｍ）＝７．５０（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８４Ｈｚ），７．２６（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．４４Ｈｚ），７．１２（４Ｈ，ｓ），２．９２（４Ｈ，ｓ），２．３９（３Ｈ，ｓ），２．３３（１Ｈ，ｓ）
（実施例２）４−エチル−４’−［２−（４−プロピルフェニル）−１−エチル］ビフェニル（２−Ｐｈ−Ｐｈ−２−Ｐｈ−３）の製造

実施例１に記載の方法と同様にして製造する事で、４−エチル−４’−［２−（４−プロピルフェニル）−１−エチル］ビフェニル（２−Ｐｈ−Ｐｈ−２−Ｐｈ−３）を得た。
相転移温度（℃）：Ｃｒ ８８ ＳｍＸ １２１ Ｉｓｏ
ＭＳ ｍ／ｚ：３２８［Ｍ^＋］
^１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ内部標準）δ（ｐｐｍ）＝７．５１（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ_１＝１．８８Ｈｚ，Ｊ_２＝８．２８Ｈｚ），７．２６（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ_１＝３．１６Ｈｚ，Ｊ_２＝８．１４Ｈｚ），７．１３（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．６０Ｈｚ），２．９５（４Ｈ，ｓ），２．６９（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．６０Ｈｚ），２．５６（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５２Ｈｚ，１．６３（２Ｈ，ｓｅｘ，Ｊ＝７．５６Ｈｚ），１．２８（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５６Ｈｚ），０．９４（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３２Ｈｚ）
（比較例１、実施例３および実施例４）
比較例１（ＬＣ−１）に対し、実施例１において製造した「１−Ｐｈ−Ｐｈ−２−Ｐｈ−１」を含有する実施例３（ＥＸ−３）および実施例３よりもＴ_ＮＩの値が大きくなるように調製した実施例４（ＥＸ−４）の液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表１のとおりであった。

一般式（ｉａ−１）で表される化合物である「１−Ｐｈ−Ｐｈ−２−Ｐｈ−１」を含有する実施例３および実施例４は、比較例１と比較して、Δｎが大きく、γ_１／Ｋ_３３が顕著に小さいため、高速応答のテレビ用液晶組成物として非常に有用であることが確認された。また、実施例３および実施例４は高いＶＨＲが得られることを確認した。なお、これを用いた液晶表示素子には滴下痕や焼き付きや表示ムラ等の表示不良がないことを確認した。なお、滴下痕とは、黒表示した場合に液晶組成物を滴下した痕が白く浮かび上がる現象をいい、液晶表示素子作製時に液晶組成物を基板へ注入する方法として滴下注入（ODF：One Drop Fill）法を行った際に生じる。更に、実施例３および実施例４の液晶組成物に、一般式（ＩＶ）で表される重合性化合物として式（ＩＶ−１１−ＭＭ）を３５００ｐｐｍ添加してＰＳＡ液晶表示素子を作製したところ、良好な配向状態が得られ、滴下痕や焼き付きや表示ムラ等の表示不良がないこと、高い透過率および高速応答であることを確認した。

これらの重合性液晶組成物に式（Ｈ−１４）で表される酸化防止剤を５０ｐｐｍ添加したところ、良好な配向状態が得られ、高い透過率および高速応答であることに加えて、より高いＶＨＲであることを確認した。
更に、実施例３および実施例４の液晶組成物に、重合性化合物として式（Ｍ３０２）を４０００ｐｐｍ添加してＰＳＡ液晶表示素子を作製したところ、良好な配向状態が得られ、滴下痕や焼き付きや表示ムラ等の表示不良がないこと、高い透過率および高速応答であることを確認した。

これらの重合性液晶組成物に式（Ｈ−１４）

で表される酸化防止剤を１００ｐｐｍ添加したところ、良好な配向状態が得られ、滴下痕や焼き付きや表示ムラ等の表示不良がないこと、高い透過率および高速応答であることに加えて、より高いＶＨＲであることを確認した。
実施例３および実施例４の液晶組成物に、重合性化合物として式（Ｍ３０２）を２０００ｐｐｍ、式（ＩＶ−１１−ＭＭ）を２０００ｐｐｍ添加して、ＰＳＡ液晶表示素子を作製したところ、良好な配向状態が得られ、高い透過率および高速応答であることを確認した。これらの重合性液晶組成物に式（Ｈ−１４）で表される酸化防止剤を６０ｐｐｍ添加したところ、良好な配向状態が得られ、滴下痕や焼き付きや表示ムラ等の表示不良がないこと、高い透過率および高速応答であることに加えて、より高いＶＨＲであることを確認した。
（実施例５、実施例６、実施例７および実施例８）
一般式（ｉａ−１）および／または一般式（ｉｂ−１）および／または一般式（ｉｂ−２）の化合物を含有する実施例５（ＥＸ−５）、実施例６（ＥＸ−６）、実施例７（ＥＸ−７）および実施例８（ＥＸ−８）の液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表２のとおりであった。

これらの液晶組成物は、Δｎが大きく、γ_１／Ｋ_３３が顕著に小さいため、高速応答のテレビ用液晶組成物として非常に有用であることが確認された。実際にVA型液晶表示素子を作製し、滴下痕や焼き付きや表示ムラ等の表示不良がないことを確認した。これの応答速度を測定したところ、３．４μｍのセル厚のときに３．７ｍｓｅｃという高速応答が得られた。また、実施例３および実施例４と同様にＰＳＡ型液晶表示素子とした場合にも同様の結果が得られた。

（実施例９）
一般式（ｉａ−１）および一般式（ｉｂ−１）の化合物を含有する実施例９（ＥＸ−９）の液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表３のとおりであった。

これらの液晶組成物は、Δｎが大きく、γ_１／Ｋ_３３が顕著に小さいため、高速応答のテレビ用液晶組成物として非常に有用であることが確認された。実際にVA型液晶表示素子を作製し、応答速度を測定したところ、２．９μｍのセル厚のときに３．２ｍｓｅｃという高速応答が得られた。また、ＦＦＳ型液晶表示素子とした場合にも同様に優れた電気光学特性が得られた。

（実施例１０および実施例１１）
一般式（ｉａ−１）の化合物を含有する実施例１０（ＥＸ−１０）及び実施例１１（ＥＸ−１１）の液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表４のとおりであった。

これらの液晶組成物は、Δｎが大きく、γ_１／Ｋ_３３が顕著に小さいため、高速応答のテレビ用液晶組成物として非常に有用であることが確認された。特に、１−Ｐｈ−Ｐｈ−２−Ｐｈ−１を用いた実施例１０は、γ_１／Ｋ_３３が実施例１１の値に対して約１０％程度も小さくなることが確認された。ＥＣ−１０及びＥＸ−１１の液晶組成物を用いて実際にVA型液晶表示素子を作製し、応答速度を測定したところ、３．１５μｍのセル厚のときに３．２ｍｓｅｃ及び３．５ｍｓｅｃという高速応答が得られた。また、ＦＦＳ型液晶表示素子とした場合にも同様に優れた電気光学特性が得られた。
（比較例２、３および実施例１２、１３）
比較例２（ＬＣ２）及び比較例３（ＬＣ３）に対し、一般式（ｉｂ−１）及び一般式（ｉｂ−２）を含有する実施例１２および実施例１３の液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。液晶組成物の構成とその物性値の結果は表３のとおりであった。

一般式（ｉｂ−１）及び一般式（ｉｂ−２）を含有する実施例１２は、比較例２と比較して、Ｔ_ＮＩが高くなり、Δｎが大きくなった。同様に、一般式（ｉｂ−１）及び一般式（ｉｂ−２）を含有する実施例１３は、比較例３と比較して、Ｔ_ＮＩが高くなり、Δｎが大きくなった。また、実施例１２及び実施例１３は高いＶＨＲが得られることを確認した。実施例１２及び実施例１３の液晶組成物を用いた液晶表示素子は、滴下痕、焼き付き、表示ムラ等の表示不良がないことを確認した。以上のことから、本発明の液晶組成物は、屈折率異方性（Δｎ）が大きく、回転粘性（γ_１）が小さく、弾性定数（Ｋ_３３）が大きく、更に、電圧保持率（ＶＨＲ）が高いというバランスに優れた特性の負の誘電率異方性（Δε）を有するものであり、これを用いた液晶表示素子は滴下痕や焼き付きや表示ムラ等の表示不良がない又は抑制された、表示品位の優れた応答速度の速いものであることが確認された。

Claims (15)

1. 一般式（ｉ）
   

   

   （式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２はそれぞれ独立して炭素原子数１から１０のアルキル基を表し、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置換されていても良く、また、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されていても良く、
   Ａ^ｉ１及びＡ^ｉ２はそれぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基から選ばれる基を表し、
   Ｚ^ｉ１及びＺ^ｉ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
   ｎ^ｉ１及びｎ^ｉ２はそれぞれ独立して０、１又は２を表し、ｎ^ｉ１＋ｎ^ｉ２は１以上であるが、ｎ^ｉ１が２であってＡ^ｉ１及びＺ^ｉ１が複数存在する場合は、複数のＡ^ｉ１は同一であっても異なっていてもよく、複数のＺ^ｉ１は同一であっても異なっていてもよく、また、ｎ^ｉ２が２であってＡ^ｉ２及びＺ^ｉ２が複数存在する場合は、複数のＡ^ｉ２は同一であっても異なっていてもよく、複数のＺ^ｉ２は同一であっても異なっていてもよい。）
   で表される化合物を１種又は２種以上含有する誘電率異方性が負の液晶組成物。
2. 一般式（ｉ）において、Ｒ^ｉ２がメチル基である請求項１に記載の液晶組成物。
3. 一般式（ｉ）において、Ａ^ｉ１及びＡ^ｉ２がそれぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基から選ばれる基である請求項１又は２に記載の液晶組成物。
4. 一般式（ｉ）において、ｎ^ｉ１が１又は２であり、ｎ^ｉ２が０である請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶組成物。
5. 更に、一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）
   

   

   （式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
   Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１及びＡ^Ｎ３２はそれぞれ独立して
   （ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置換されていてもよい。）
   （ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていてもよい。）及び
   （ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていても良い。）
   からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
   Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１及びＺ^Ｎ３２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
   Ｘ^Ｎ２１は水素原子又はフッ素原子を表し、
   Ｔ^Ｎ３１は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表し、
   ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１及びｎ^Ｎ３２はそれぞれ独立して０，１，２又は３を表すが、ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２はそれぞれ独立して１、２又は３であるが、ｎ^Ｎ１１及び／又はｎ^Ｎ１２が２又は３であってＡ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｎ２１及び／又はｎ^Ｎ２２が２又は３であってＡ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｎ３１及び／又はｎ^Ｎ３２が２又は３であってＡ^Ｎ３１、Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ３１、Ｚ^Ｎ３２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
   で表される化合物から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有する請求項１から４のいずれか一項に記載の液晶組成物。
6. 一般式（Ｎ−１）において、Ａ^Ｎ１１がトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基であり、Ｚ^Ｎ１１が−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合であり、ｎ^Ｎ１１が１，２又は３を表し、ｎ^Ｎ１２が０である請求項５に記載の液晶組成物。
7. 一般式（Ｎ−１）において、Ａ^Ｎ１１及びＡ^Ｎ１２がトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基であり、Ｚ^Ｎ１１及びＺ^Ｎ１２が−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合であり、ｎ^Ｎ１１及びｎ^Ｎ１２が１又は２である請求項５に記載の液晶組成物。
8. 一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）の含有量の総量が１０から９０質量％である請求項５から７のいずれか一項に記載の液晶組成物。
9. 更に、一般式（Ｌ）
   

   

   （式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
   ｎ^Ｌ１は０、１、２又は３を表し、
   Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３はそれぞれ独立して
   （ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置換されていてもよい。）
   （ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていてもよい。）及び
   （ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されていても良い。）
   からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
   Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
   ｎ^Ｌ１が２又は３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（ｉ）で表される化合物、一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）及び一般式（Ｎ−３）で表される化合物を除く。）
   で表される化合物から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有する請求項１〜８のいずれか一項に記載の液晶組成物。
10. 重合性化合物を１種又は２種以上含有する請求項１〜９のいずれか１項に記載の液晶組成物。
11. ２５℃における誘電率異方性（Δε）が−２．０から−８．０の範囲であり、２５℃における屈折率異方性（Δｎ）が０．０８から０．１４の範囲であり、２５℃における粘度（η）が１０から５０ｍＰａ・ｓの範囲であり、２５℃における回転粘性（γ_１）が６０から２０００ｍＰａ・ｓの範囲であり、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ＮＩ）が６０℃から１２０℃の範囲であり、弾性定数（Ｋ_３３）が１０．０から２０．０の範囲である請求項１から１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。
12. 請求項１から１１のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いた液晶表示素子。
13. 請求項１から１１のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いたアクティブマトリックス駆動用液晶表示素子。
14. 請求項１から１１のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いたＶＡモード、ＰＳＡモード、ＰＳＶＡモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード又はＥＣＢモード用液晶表示素子。
15. 請求項１に記載の一般式（ｉ）において、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２がメチル基である化合物。