JP2017050349A - インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 204
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 74
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 31
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 30
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 241000226585 Antennaria plantaginifolia Species 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
Description
(装置構成)
図1は、本発明の第1実施形態にかかるインプリント装置1の構成を示す図である。鉛直方向をZ軸、当該Z軸に垂直な平面(水平面)内で互いに直交する2軸をX軸及びY軸としている。インプリント装置1は、基板2上に塗布された光硬化性の樹脂(インプリント材)3とモールド(型)4とを接触させた状態で、樹脂3を硬化させ、硬化した樹脂3からモールド4を剥離して、基板2上に樹脂3のパターンを形成する。
次に、インプリント装置1によるインプリント処理について説明する。図4は、第1実施形態にかかるインプリント処理の流れを示すフローチャートである。
第2実施形態は、基板2の平面度と、保持面20aの平面度とを個別に求め、両平面度に基づいてギャップ情報を取得する点で第1実施形態とは異なる。また、記憶部26が図8のフローチャートに示すプログラムを記憶している点で第1の実施形態のインプリント装置1とは異なる。
第3実施形態は、基板2の平面度と、保持面20aの平面度とを個別に求め、両平面度に基づいてギャップ情報(接触圧力に関する情報)を取得する点では第2実施形態と同様である。しかし、計測部40がインプリント装置1の内部ではなく、外部に設けられている点で異なる。
基板2と保持面20aとの間隔がゼロの領域同士であっても、それぞれの領域における基板2と保持面20aとの間にはたらく接触圧力(接触度合いを示す力)は異なる場合がある。接触圧力の違いに応じて、基板2の面内方向にはたらく摩擦力が異なることにより、単位熱量あたりの面内への変形のしやすさが異なる場合が生じる。
基板2の平面度も、チャック20の平面度も、理想的な平坦な状態に対して1周期程度の偏差である場合が多い。そのため、ギャップ情報は、基板2の面内のそれぞれの位置に対応する値でなくても良い。
ギャップ情報の計測方法の異なる第1〜第3実施形態いずれかを、第4実施形態、および第5実施形態と組み合わせて適用してもよい。また、基板2にくらべて保持面20aの計測頻度は少なくてもよい。
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、インプリント装置を用いて基板(ウエハやガラス板等)上にパターンを露光する工程と、露光された基板に対してエッチング処理およびイオン注入処理等の処理を施す工程とを含む。ここで、物品とは、例えば、半導体集積回路素子、液晶表示素子、撮像素子、磁気ヘッド、CD−RW、光学素子、フォトマスク等である。当該物品の製造は、さらに、他の周知の処理工程(現像、酸化、成膜、蒸着、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含んでも良い。
2 基板
4 モールド(型)
4a パターン部(型のパターン領域)
20 チャック(載置部)
20a 載置面(基板載置面)
20d 吸着孔
20e 配管
20f 真空ポンプ
31 パターン領域(被処理領域)
40 計測部(計測手段)
Claims (17)
- 型を用いて基板上の被処理領域にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板が載置される載置部と、
前記被処理領域を加熱する加熱手段と、を有し
前記加熱手段は、前記型のパターン領域と前記被処理領域との形状の差に関する情報と、前記基板と前記載置部との間にはたらく接触圧力に関する情報とに基づいて、前記型のパターン領域と前記被処理領域との形状の差が低減するように前記被処理領域を加熱することを特徴とするインプリント装置。 - 前記接触圧力に関する情報は、前記基板と前記載置部との間隔に基づいて得られる情報であることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記載置部は、前記載置部の基板載置面に前記基板を引き付けて保持する引き付け手段を有し、
前記接触圧力に関する情報は、前記基板と前記載置部との間隔と前記引き付け手段の引き付け力とに基づいて得られる情報であることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。 - 前記型のパターン領域と前記被処理領域との形状の差に関する情報は前記差から得られた熱量分布であって、
かつ、前記接触圧力に関する情報は前記熱量分布を補正する情報であって、
前記接触圧力に関する情報が小さな前記基板上の領域における前記熱量分布を補正する情報は、前記接触圧力に関する情報が大きな前記基板上の領域における前記熱量分布を補正する情報よりも大きいことを特徴とする請求項2または3に記載のインプリント装置。 - 型を用いて基板上の被処理領域にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板が載置される載置部と、
前記被処理領域を加熱する加熱手段と、を有し
前記加熱手段は、前記型のパターン領域と前記被処理領域との形状の差に関する情報と、前記基板と前記載置部との間隔とに基づいて、前記型のパターン領域と前記被処理領域との形状の差が低減するように前記被処理領域を加熱することを特徴とするインプリント装置。 - 前記型のパターン領域と前記被処理領域との形状の差に関する情報は熱量分布であって、かつ、前記間隔は前記熱量分布を補正する情報であって、
前記間隔が小さな前記基板上の領域における前記熱量分布を補正する情報は、前記間隔が大きな前記基板上の領域における前記熱量分布を補正する情報よりも大きいことを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。 - 複数の被処理領域に対して順次パターンを形成するインプリント装置であって、
前記熱量分布を補正する情報は、所定の数の被処理領域内で共通の情報であることを特徴とする、請求項5または6に記載のインプリント装置。 - 1つの前記被処理領域を仮想的に分割してできる複数の分割領域を設定する場合に、前記熱量分布を補正する情報は、所定の数の前記分割領域内で共通の情報であることを特徴とする請求項5または6に記載のインプリント装置。
- 前記基板および前記載置部の基板載置面の少なくとも一方の面外方向の形状情報を計測する計測手段を有し、
前記間隔の情報は、前記計測手段による計測結果に基づいて得られた情報であることを特徴とする請求項2乃至8のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 前記載置部は、前記載置部に前記基板を引き付けて保持する引き付け手段を有し、
前記間隔の情報は、前記引き付け手段が前記基板の引き付け力を変化させることで得られる前記基板の面外方向の形状変化量であることを特徴とする請求項2乃至9のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 前記間隔の情報は、前記基板の面外方向の形状情報と前記載置部の面外方向の形状情報との差であることを特徴とする請求項2乃至10のいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記基板または前記載置部の前記基板載置面の面外方向の形状情報を、平坦面の形状情報とみなすことを特徴とする請求項11に記載のインプリント装置。
- 型のパターン領域の形状と基板上の被処理領域の形状との差に関する第1情報、および、前記基板と前記載置部との間にはたらく接触圧力に関する情報である第2情報を取得する工程と、
前記工程で取得した前記第1情報および前記第2情報に基づいて、前記パターン領域の形状と前記被処理領域の形状との差が低減するように前記被処理領域を加熱する工程と、
前記加熱する工程により加熱変形させた被処理領域上に、パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とするインプリント方法。 - 前記第2情報は、前記基板の面外方向の形状情報および前記載置部の基板載置面の面外方向の形状情報の差に基づいて定まる情報であって、
前記第2情報を取得する工程において、前記基板の面外方向の形状情報および前記載置面の面外方向の形状情報の少なくとも一方をインプリント装置外で取得することを特徴とする請求項13に記載のインプリント方法。 - 前記第2情報を取得する工程は、前記第2情報は、前記基板の面外方向の形状情報および前記載置部の基板載置面の面外方向の形状情報の差に基づいて定まる情報であって、
前記第2情報を取得する工程は、
前記基板を前記基板載置面に第1の力で引き付けた状態で前記基板の面外方向の形状情報を取得する第1の取得工程と、
前記基板を前記基板載置面に、前記第1の力より大きな第2の力で引き付けた状態で前記基板の面外方向の形状情報を取得する第2の取得工程と、
を有し、
前記第2の取得工程で得られる前記形状情報を前記基板載置面の面外方向の形状情報としてすることを特徴とする請求項13に記載のインプリント方法。 - 前記第2情報を、前記第1情報よりも先に取得することを特徴とする請求項13乃至15のいずれか1項に記載のインプリント方法。
- 請求項1乃至12のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて、前記基板上にパターンを形成する工程と、前記工程で前記パターンの形成された基板を加工する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015171201A JP6590598B2 (ja) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
US15/236,169 US10403508B2 (en) | 2015-08-31 | 2016-08-12 | Imprint apparatus, imprinting method, and manufacturing method of article |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015171201A JP6590598B2 (ja) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017050349A true JP2017050349A (ja) | 2017-03-09 |
JP2017050349A5 JP2017050349A5 (ja) | 2018-08-23 |
JP6590598B2 JP6590598B2 (ja) | 2019-10-16 |
Family
ID=58097581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015171201A Active JP6590598B2 (ja) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10403508B2 (ja) |
JP (1) | JP6590598B2 (ja) |
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-
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- 2015-08-31 JP JP2015171201A patent/JP6590598B2/ja active Active
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US10403508B2 (en) | 2019-09-03 |
JP6590598B2 (ja) | 2019-10-16 |
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A621 | Written request for application examination |
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