JP2017045959A - 高周波半導体装置用パッケージおよび高周波半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】放熱性が高められた高周波半導体用パッケージおよび高周波半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体装置用パッケージは、ベース板と、グラファイトシートと、金属壁と、第1の端子と、第2の端子と、を有する。ベース板は、第1の金属板と、第2の金属板と、第1の金属板と第2の金属板との間に挟まれたグラファイトシートと、を有する。金属壁は、第1および第2の開口部を有し、第1の開口部の内壁とベース板とに接合される。第2の端子は、第2の開口部の内壁とベース板とに接合される。2次元原子結晶面は、第1の金属板に直交し、第1および第2の端子の端面に直交する方向と第1の金属板の厚さ方向とを含む面に平行である。ベース板は、第1の端子の両側および第2の端子の両側に設けられた取り付け孔を有する。
【選択図】図1
【解決手段】高周波半導体装置用パッケージは、ベース板と、グラファイトシートと、金属壁と、第1の端子と、第2の端子と、を有する。ベース板は、第1の金属板と、第2の金属板と、第1の金属板と第2の金属板との間に挟まれたグラファイトシートと、を有する。金属壁は、第1および第2の開口部を有し、第1の開口部の内壁とベース板とに接合される。第2の端子は、第2の開口部の内壁とベース板とに接合される。2次元原子結晶面は、第1の金属板に直交し、第1および第2の端子の端面に直交する方向と第1の金属板の厚さ方向とを含む面に平行である。ベース板は、第1の端子の両側および第2の端子の両側に設けられた取り付け孔を有する。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、高周波半導体装置用パッケージおよび高周波半導体装置に関する。
高周波半導体装置は、横方向に広がった分配回路、合成回路、その間に配置された横長状の半導体素子、などを含む。このため、パッケージの平面サイズが大きくなる。
パッケージのサイズが大きくなると、ベース板の反りが大きくなる。このため、放熱源である半導体素子が配置されるベース板の中央部と、入出力端子が配置されるベース板の周辺部と、において、ベース板とヒートシンクの密着性をともに高めることが困難になる。
入出力端子の接続が確実で、かつ放熱性が高められた高周波半導体装置用パッケージおよび高周波半導体装置を提供する。
実施形態の高周波半導体装置用パッケージは、ベース板と、グラファイトシートと、金属壁と、第1の端子と、第2の端子と、を有する。前記ベース板は、第1の金属板と、第2の金属板と、前記第1の金属板と前記第2の金属板との間に挟まれたグラファイトシートと、を有する。前記金属壁は、第1および第2の開口部を有し、前記第1の金属板の表面に接着される。前記第1の端子は、第1の絶縁体層と、前記第1の絶縁体層の表面に設けられた第1の配線層と、前記第1の配線層の表面に設けられたリードと、を有し、前記金属壁と絶縁されるように前記第1の開口部の内壁と前記ベース板とに接合される。前記第2の端子は、第2の絶縁体層と、前記第2の絶縁体層の表面に設けられた第2の配線層と、前記第2の配線層の表面に設けられたリードと、を有し、前記金属壁と絶縁されるように前記第2の開口部の内壁と前記ベース板とに接合される。前記グラファイトシートの2次元原子結晶面は、前記第1の金属板の前記表面に直交し、前記第1の端子の端面および前記第2の端子の端面に直交する方向と前記第1の金属板の厚さ方向とを含む面に平行である。前記ベース板は、前記第1の端子の両側および前記第2の端子の両側に設けられた取り付け孔を有する。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
図1は、第1の実施形態にかかる高周波半導体装置の模式斜視図である。
高周波半導体装置は、高周波半導体装置用パッケージと、半導体素子40と、を有する。
図1は、第1の実施形態にかかる高周波半導体装置の模式斜視図である。
高周波半導体装置は、高周波半導体装置用パッケージと、半導体素子40と、を有する。
半導体素子40は、たとえば、HEMT(High Electron Mobility Transistor)やMESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor)などとすることができる。半導体素子40がZ方向に複数のセル領域を有すると、出力を高めることができる。
高周波半導体装置用パッケージは、ベース板10と、金属壁20と、第1の端子30と、第2の端子35と、を有する。
図2(a)は高周波半導体装置用パッケージの模式平面図、図2(b)はB−B線に沿った模式断面図、図2(c)は模式側面図、である。
ベース板10は、第1の金属板12と、第2の金属板14と、第1の金属板12と第2の金属板14との間に挟まれたグラファイト(黒鉛)シート16と、を有する。グラファイトシート16と、第1の金属板12および第2の金属板14とは接合される。
ベース板10は、第1の金属板12と、第2の金属板14と、第1の金属板12と第2の金属板14との間に挟まれたグラファイト(黒鉛)シート16と、を有する。グラファイトシート16と、第1の金属板12および第2の金属板14とは接合される。
金属壁20には、第1および第2の開口部22、24が設けられ、ベース板10を構成する第1の金属板12の表面12aに銀ロウ材などを用いて接合される。
第1の端子30は、第1の絶縁体層31と、第1の絶縁体層31の表面に設けられた第1の配線層32と、第1の配線層32の表面に設けられたリード33と、を有する。第1の端子30は、金属壁20と絶縁されるように第1の開口部22の内壁26と第1の金属板12とに接合される。
第2の端子35は、第2の絶縁体層36と、第2の絶縁体層36の表面に設けられた第2の配線層37と、第2の配線層37の表面に設けられたリード38と、を有する。第2の端子35は、金属壁20と絶縁されるように第2の開口部24の内壁27と第1の金属板14とに接合される。
グラファイトシート16の2次元原子結晶面は、第1の金属板12の表面に直交し、第1の端子30の端面30aおよび第2の端子35の端面35aに直交する方向(X)と第1の金属板12の厚さ方向(Y)とを含む面に平行である。すなわち、2次元原子結晶面は、端面30aおよび端面35aにもそれぞれ直交する。なお、第1の端子30の端面30aおよび第2の端子35の端面35aは、信号が伝搬する入力面および出力面となり、高周波半導体装置の入力インピーダンスや出力インピーダンスを表すときの基準面である。
第1の端子30は、第1の絶縁体層31の上部に設けられ、第1の開口部22の内壁26とに接合される第3の絶縁体層34をさらに有することができる。また、第2の端子35は、第2の絶縁体層36の上部に設けられ、第2の開口部24の内壁27とに接合される第4の絶縁体層39をさらに有することができる。このような高周波半導体装置用パッケージ5を蓋部60により封止することにより、内部を気密にすることができる。第1の絶縁体層31と、第3の絶縁体層36とは、たとえば、銀ロウなどを用いてベース板10に接合できる。また、第2の絶縁体層35と、第4の絶縁体層39とは、たとえば、銀ロウなどを用いて金属壁20に接合できる。
第1の絶縁体層32、第2の絶縁体層36、第3の絶縁体層34、および第4の絶縁体39は、アルミナや窒化アルミニウムなどのセラミックとすることができる。
ベース板10は、第1の端子30の両側、および第2の端子35の両側に設けられた取り付け孔18を有する。取り付け孔18は、貫通孔または切り欠きとすることができる。
金属壁20内に露出した第1の金属板12の表面12aには、導電層を設けることができる。また、導電層の表面に、たとえば、Auを含む保護層を設けることができる。このようにすると、半導体素子40や、入力回路基板52や出力回路基板54を半田材や導電性接着剤で接着することが容易となる。
パッケージのサイズは、たとえば、X方向の長さが10〜25mm、Z方向の長さが10〜20mmなどとすることができる。Y方向の高さは、2〜5mmなどとすることができる。また、第1の金属板12および第2の金属板14の厚さは、0.3〜0.6mm、グラファイトシート16の厚さは、0.1〜0.3mmなどとすることができる。
図3は、A−A線に沿ったベース板の模式側面図である。
2次元原子結晶は、たとえば、六方晶系の層状結晶がファンデルワールス力で結合し繊維状や鱗片状となる。グラファイトシート16の熱膨張係数(CTE:Coefficient of Thermal Expanshion)、熱伝導率(TC:Thermal Conductivity)、および電気抵抗率は、異方性を有する。
2次元原子結晶は、たとえば、六方晶系の層状結晶がファンデルワールス力で結合し繊維状や鱗片状となる。グラファイトシート16の熱膨張係数(CTE:Coefficient of Thermal Expanshion)、熱伝導率(TC:Thermal Conductivity)、および電気抵抗率は、異方性を有する。
たとえば、グラファイトシート16は、2次元原子結晶面16a(図1〜3においてXY面に平行とする)内の熱伝導率が約1600W/mKなどとなる。Cuの熱伝導率は約390W/mKであるので、グラファイトシート16の熱伝導率をCuの4倍以上とすることが可能である。
他方、グラファイトシート16の積層方向(図1〜3においてZとする)の熱伝導率は約10W/mK、などのように低い。すなわち、グラファイトシート16は、薄く、かつ軽い高熱伝導材料として用いることができる。
グラファイトシート16は、2次元原子結晶面(XY)16a内の熱膨張係数(または熱膨張率という)が約1×10−6/K、積層方向(Z)の熱膨張係数は約25×10−6/K、などとなる。
グラファイトシート16を積層方向(Z)に平行な面でスライスすることにより、2次元原子結晶面(XY)16a内に熱を広げることができる。このため、ベース板10がCu(TC:約390W/mK)やCuMo(TC:140〜160W/mK)などの金属のみを含む構造よりも、放熱性を高めることができる。ベース板10の下面を筐体(ヒートシンク)90に密着させると、さらに熱HVを筐体90に向けて排出できる。
図4(a)は第1の実施形態にかかる高周波半導体装置の模式平面図、図4(b)はC−C線に沿った模式断面図、である。
高周波半導体装置は、高周波半導体装置用パッケージ5と、半導体素子40と、入力回路基板52と、出力回路基板54と、を有する。
高周波半導体装置は、高周波半導体装置用パッケージ5と、半導体素子40と、入力回路基板52と、出力回路基板54と、を有する。
入力回路基板52や出力回路基板54は、分配/合成回路を含む。第1の端子30から分配回路でZ方向に広げられた高周波信号は複数のセル領域を有する半導体素子40にX軸に沿って入力される。さらに、半導体素子40から出力されたのち合成回路により合成され第2の端子35からX軸に沿って出力される。グラファイトシート16の熱伝導率が低いZ方向には、熱が伝導されにくい。他方、半導体素子40から下方に向かって放出された熱HVは、グラファイトシート16が高熱伝導率であるXY面に沿って熱HHのように伝導される。
図5(a)は第1の実施形態に用いるパッケージのA−A線に沿った模式断面図、図5(b)はB−B線に沿った模式断面図、である。
A−A線に沿ったベース板10の熱膨張係数は約9×10−6/K以上となり、FeNiCo(CTE:約7×10−6/K)からなる金属壁20の熱膨張係数よりも高い。このため、図5(a)のように、接合前の平坦面(破線で表す)に対して上方に凸となるように反る。
A−A線に沿ったベース板10の熱膨張係数は約9×10−6/K以上となり、FeNiCo(CTE:約7×10−6/K)からなる金属壁20の熱膨張係数よりも高い。このため、図5(a)のように、接合前の平坦面(破線で表す)に対して上方に凸となるように反る。
他方、B−B線に沿ったベース板10の熱膨張係数は約9×10−6/K以下となり、FeNiCo(CTE:約7×10−6/K)からなる金属壁20の熱膨張係数よりも低い熱膨張係数となる。この場合、図5(b)のように、接合前の平坦面(破線で表す)に対してベース板10が下方に凸となるように反る。第1の実施形態では、取り付け孔18を介して、ベース板10を取り付けねじ91を用いて筐体(接地面ともなる)に取り付ける。このため、筐体への密着性が高まり、グラファイトシート16内を伝導された熱が筐体から放出され、動作温度を低減できる。
なお、グラファイトシート16のA−A方向の電気抵抗率は、B−B方向の電気抵抗率よりも低い。このため、グラファイトシート16を介して、第1の金属板12と第2の金属板14とは、導通している。
図6は、比較例にかかる高周波半導体装置の模式斜視図である。
高周波半導体装置用パッケージは、ベース板110と、金属壁120と、第1の端子130と、第2の端子(図示せず)と、を有する。なお、高周波半導体装置のパッケージ内部には、半導体素子140、入力回路基板152、および出力回路基板154が組み込まれている。
高周波半導体装置用パッケージは、ベース板110と、金属壁120と、第1の端子130と、第2の端子(図示せず)と、を有する。なお、高周波半導体装置のパッケージ内部には、半導体素子140、入力回路基板152、および出力回路基板154が組み込まれている。
ベース板110は、第1の金属板112と、第2の金属板114と、第1の金属板112と第2の金属板114との間に挟まれ2次元原子結晶が第1の金属板112の表面に対して平行方向(Z)に積層されたグラファイトシート116と、を有する。2次元原子結晶の積層方向(Z)は、第1の端子130の端面および第2の端子135の端面に平行である。また、ベース板110は、A−A線の両側に設けられた取り付け孔118を有する。
図7(a)はA−A線に沿った比較例のベース板の模式断面図、図7(b)はB−B線に沿った比較例のベース板の模式断面図、である。
図7(a)に表すように、ベース板110はA−Aに沿った断面において、接合前の平坦面に対して上方が凸となるように反る。他方、図7(b)に表すように、熱膨張係数が金属壁20の熱膨張係数(約7×10−6/K)よりも小さくなると、B−B線に沿った断面において、接合前の平坦面に対して下に凸となるように反る。
図7(a)に表すように、ベース板110はA−Aに沿った断面において、接合前の平坦面に対して上方が凸となるように反る。他方、図7(b)に表すように、熱膨張係数が金属壁20の熱膨張係数(約7×10−6/K)よりも小さくなると、B−B線に沿った断面において、接合前の平坦面に対して下に凸となるように反る。
A−A線に沿った断面において、ベース板110を筐体にねじ止めしても、ベース板110は、筐体に密着しない。このため、B−B線に沿った伝導熱が筐体へ伝導しにくい。また、第1の端子130および第2の端子135と筐体(接地面))との電気的接触が不十分となる。
これに対して、本実施形態では、浮き上がっている部分をねじで抑え込んでいるのでベース板10が筐体に密着しやすく、Y軸方向に熱が伝わりやすいとともに、X軸に沿ってグラファイトシート16内を伝導した熱は、ベース板10および取り付けねじ91を介して筐体に伝導される。このため、放熱性を高めることができる。また、ベース板10は、第1の端子30および第2の端子35の両側において取り付けねじ91により確実に筐体に接地される。このため、高周波特性が高められる。このような高周波半導体装置は、レーザー装置や通信機器に広く利用可能である。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
5 高周波半導体用パッケージ、10 ベース板、12 第1の金属板、14 第2の金属板、16 グラファイトシート、18 取り付け孔、20 金属壁、22 第1の開口部、24 第2の開口部、26、27 内壁、30 第1の端子、30a 端面、31 第1の絶縁体層、32 第1の配線層、33 リード、34 第3の絶縁体層、35 第2の端子、35a 端面、36 第2の絶縁体層、37 第2の配線層、38 リード、39 第4の絶縁体層、TC 熱伝導率、CTE 熱膨張係数
Claims (7)
- 第1の金属板と、第2の金属板と、前記第1の金属板と前記第2の金属板との間に挟まれたグラファイトシートと、を有するベース板と、
第1および第2の開口部が設けられ、前記第1の金属板の表面に接着された金属壁と、
第1の絶縁体層と、前記第1の絶縁体層の表面に設けられた第1の配線層と、前記第1の配線層の表面に設けられたリードと、を有し、前記金属壁と絶縁されるように前記第1の開口部の内壁と前記ベース板とに接合された第1の端子と、
第2の絶縁体層と、前記第2の絶縁体層の表面に設けられた第2の配線層と、前記第2の配線層の表面に設けられたリードと、を有し、前記金属壁と絶縁されるように前記第2の開口部の内壁と前記ベース板とに接合された第2の端子と、
を備え、
前記グラファイトシートの2次元原子結晶面は、前記第1の金属板の前記表面に直交し、前記第1の端子の端面および前記第2の端子の端面に直交する方向と前記第1の金属板の厚さ方向とを含む面に平行であり、
前記ベース板は、前記第1の端子の両側および前記第2の端子の両側に設けられた取り付け孔を有する、高周波半導体装置用パッケージ。 - 前記第1の金属板は、CuMoおよびCuWのいずれかを含み、
前記第2の金属板は、CuMoおよびCuWのいずれかを含む、請求項1記載の高周波半導体装置用パッケージ。 - 前記第1および第2の絶縁体層は、セラミックを含む請求項1または2に記載の高周波半導体装置用パッケージ。
- 前記第1の金属板と第2の金属板とは、同一材料を含む請求項1〜3のいずれか1つに記載の高周波半導体装置用パッケージ。
- 前記金属壁は、リング形状を有する請求項1〜4のいずれか1つに記載の高周波半導体装置用パッケージ。
- 前記金属壁は、FeNiCoを含む請求項1〜5のいずれか1つに記載の高周波半導体装置用パッケージ。
- 請求項1〜6のいずれか1つに記載の高周波半導体装置用パッケージと、
前記第1の金属板の前記表面に設けられ、前記第1の端子の前記端面に平行な方向に配列された複数のセル領域を有する半導体素子と、
を備えた高周波半導体装置。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
JP2018174252A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
WO2024075816A1 (ja) * | 2022-10-07 | 2024-04-11 | 京セラ株式会社 | 配線基板、配線基板を用いた電子部品実装用パッケージ、および電子モジュール |
-
2015
- 2015-08-28 JP JP2015169613A patent/JP2017045959A/ja active Pending
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