JP2017043852A - 原子層成長装置 - Google Patents
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Abstract
Description
マスクを使用して基板上に薄膜を形成するための原子層成長装置であって、
成膜容器と、
前記成膜容器内に位置し、前記基板を保持するためのサセプタと、
前記サセプタの上方に位置し、高周波電源と接続される電極と、
前記成膜容器内に原料ガスを供給するためのガス導入部と、
前記成膜容器から前記原料ガスを排気するための排気部と、
不活性ガスを供給するための不活性ガス供給口と、
を含み、
前記サセプタは、前記基板の保持面となるサセプタ本体部と、前記サセプタ本体部の周囲に位置するサセプタ周縁部とを有し、
前記マスクは前記基板上に接触するように配置して使用され、
前記マスクの外周部は、前記サセプタ周縁部と平面的に重なる領域に位置するように配置され、
前記不活性ガス供給口は、前記サセプタ周縁部であって前記マスクの前記外周部と平面的に重なる位置に形成され、
前記不活性ガスは、前記不活性ガス供給口から前記マスクの前記外周部の裏面に対して噴射されることを特徴とする。
本実施形態の原子層成長装置10は、原料ガスと反応ガスとを交互に供給し、基板13上に原子層単位で薄膜を形成する。その際、反応活性を高めるため、基板13を加熱させることができる。本実施形態では原料ガスとしてTMA(Tri−Methyl−Aluminum)を用い、その際、反応活性を高めるため、プラズマを発生させる。本実施形態では、プラズマの発生に平行平板電極を用いるが、この方式に限定されない。
成膜容器11は原料ガス、反応ガス、パージガスを導入するガス導入部20と排気部30と、ステージ14と、平板電極12と、高周波電源15と、サセプタ16と、基板搬入口17と、基板13上に配置するマスク56と、を備える。ガス導入部20は、成膜容器11外側から設けられたインジェクタ21と、成膜容器11内側から設けられたインジェクタ防着材22を有し、排気部30は、成膜容器11内側から設けられた排気防着材31と成膜容器11外側から設けられた排気配管接続部32とを有している。
平板電極12は高周波電源15と接続されている。高周波電源15が所定の周波数の高周波電流を供給することにより、平板電極12とステージ14との間でプラズマが生成される。
基板13は、ステージ14の下方からリフトピン18によって支持される。リフトピン18は、ステージ14の昇降によって、基板13の受け渡しを搬送室空間61にて可能とする。
原料ガス、反応ガス、パージガスを導入するガス導入部20は、原料ガス、反応ガス、パージガスを成膜容器11内に供給する。排気部30は、原料ガス、反応ガス、パージガスを成膜容器11から外部に排気する。
図1は、原子層成長装置の基本構造を示しており、以下で説明する一部の構成は省略している。
図2は、ガス流れ方向に平行な成膜室側面から見た場合のサセプタ16外周の拡大図であり、図3は、サセプタ周辺の一部を示す拡大平面図である。
サセプタ16は、ステージ14に支持され、基板13を保持する保持面160を上面に有するサセプタ本体16Aと、その周囲に位置して保持面160よりも低い高さ面のサセプタ周縁部16Bとを有している。保持面160は、基板13の大きさに合わせた形状を有している。
サセプタ周縁部16Bは、保持面160に近い側の上面に、不活性ガス供給口48が形成されており、この実施形態では、凹溝形状でサセプタ本体16Aを囲むように形成されている。さらに、凹溝内には、溝の底面と溝の内外周面との間で小隙間を有するように、リング板状のシャワープレート49が設置されている。
なお、シャワープレート49は、基板13の周囲を覆っていることが好ましい。
上記シャワープレート49により不活性ガス供給口48は、シャワーヘッド構造を有する。シャワーヘッド構造により、不活性ガスをサセプタ本体16Aの周りで均等に吹き出すことが可能になる。
不活性ガス供給路47には、サセプタ16の外周側に配置した不活性ガス供給チューブ46が接続されており、不活性ガス供給チューブ46の他端側は、成膜室11に設けた不活性ガス通気口45に接続されている。不活性ガス通気口45には、図示しない不活性ガス供給部が接続されている。
不活性ガス供給チューブ46は、例えば、ステンレス製チューブ、ベローズフレキシブルチューブなどで構成することができる。基板13を成膜容器11内に搬入または搬出する際にはステージ14が上下するが、不活性ガス供給チューブ46はその上下稼働に追従することが必要となる。不活性ガス供給チューブ46も不活性ガス供給路の一部を構成するものである。
また、サセプタ周縁部16Bでは、不活性ガス供給口48およびマスクピン穴40を除いて、上面の露出面に、サセプタ防着板19が被覆されている。サセプタ防着板19の上面高さは、シャワープレート49の上面高さと面一にするのが望ましい。
また、サセプタ防着板19をサセプタ周縁部16B上に設けることが好ましいが、サセプタ周縁部16Bのみでもよい。このときは、サセプタ周縁部16B上面とマスク56下面との距離がaとなり、マスク56外周端からシャワープレート49の外周端側までの距離がbとなる。
図4は、図2の不活性ガス供給口の設置位置を最適化したサセプタ構成である。
マスクピン穴40が、成膜空間60と搬送室空間61を完全にシールすることができない場合、両者に圧力差があると、ガスはどちらか一方へ流れることになる。
ステージ14、サセプタ16および搬送室空間61は、通常、メンテナンスを実施するのが困難である。よって、これら部分にパーティクルを生じてしまうと、パーティクルの除去は困難となる。例えば、マスクピン穴40にパーティクルが存在する状態で、搬送室空間61が正圧、成膜空間60が負圧であれば、パーティクルがガス流に乗って成膜空間60に放出され、基板13にパーティクルが付着するため好ましくない。よって、成膜空間60が正圧、搬送室空間61が負圧であることが好ましい。
図4は、ガス流れ方向に平行な成膜室側面から見た場合のサセプタ16外周の拡大図であり、図5は、サセプタ周辺の一部を示す拡大平面図である。
サセプタ16は、前記実施形態1と同様に、ステージ14に支持され、基板13を保持する保持面160を有するサセプタ本体16Aと、その周囲に位置して保持面160よりも低い高さのサセプタ周縁部16Bとを有している。保持面160は、基板13の大きさに合わせた形状を有している。
マスク56は、サセプタ16上に設置され、基板13を囲む大きさを有している。基板13を超えている大きさも実施形態1と同様に50mm以下とする。
サセプタ本体16Aを基準にして、マスクピン穴40の外周側には、不活性ガス供給口50が、凹溝形状でサセプタ本体16Aを囲むように形成されており、該凹溝内に、溝の底面と内外周面と小隙間を有するように、シャワープレート51が設置されている。シャワープレート51は、例えば下面に不連続の突部を形成することで、溝底面と隙間を確保することができる。また、シャワープレート51には、例えば、所定径(例えば1mm〜3mm径)の吹き出し穴51Aを所定間隔(例えば10〜200mmピッチ)で形成するようにしてもよい。
上記シャワープレート51により不活性ガス供給口50は、シャワーヘッド構造を有する。
また、シャワーヘッド構造では、サセプタ周縁部16Bに吹き出し穴を設けてシャワーを作製してもよく、シャワープレートを個別に作製し、サセプタ周縁部16Bに取り付けてもよい。
なお、サセプタ周縁部16Bでは、マスクピン穴40および不活性ガス供給口50を除いて、上面の露出面にサセプタ防着板19Aが被覆されている。サセプタ防着板19Aの上面高さは、シャワープレート51の上面高さと面一になっているのが望ましい。
不活性ガス供給路47には、サセプタ16の外周側に配置した不活性ガス供給チューブ46が接続されており、不活性ガス供給チューブ46の他端側は、成膜室11に設けた不活性ガス通気口45に接続されている。不活性ガス通気口45には、図示しない不活性ガス供給部が接続されている。不活性ガス供給チューブ46は、例えば、ステンレス製チューブ、ベローズフレキシブルチューブなどで構成することができる。
ただし、この実施形態では、マスクピン40の外周側で不活性ガスが吹き出しされており、原料ガスや反応ガスの拡散を抑止する作用が大きい。
また、サセプタ防着板19Aをサセプタ周縁部16B上に設けることが好ましいが、サセプタ周縁部16Bのみでもよい。このときは、サセプタ周縁部16B上面とマスク56下面との距離がaとなり、マスク56外周端からシャワープレート51の外周端側までの距離がbとなる。
図6は、本実施形態の原子層堆積方法の一例を示すフローチャートである。図7(a)〜(d)は、基板Sの上に薄膜が形成される工程を示す図である。
本実施形態では、ステップs1のみでなく、後述するステップs2〜s4も含めて、常に不活性ガスを供給する。そのため、ステップs1において、成膜容器11の内部に原料ガスを供給する際に、成膜容器11とインジェクタ防着材22との隙間および、成膜容器11と排気防着材31との隙間および、マスク56とサセプタ16との隙間に原料ガスが入り込むのを抑制することができる。
パージガスは、例えば、0.1秒間、成膜容器11の内部に供給する。排気部30が成膜容器11の内部の原料ガス110やパージガス112を排気する。排気部30は、例えば、2秒間、成膜容器11の内部の原料ガス110やパージガス112を排気する。図7(b)に示されるように、ステップs2によって、成膜容器11の内部にパージガス112が供給され、基板Sの上に吸着していない原料ガス110が成膜容器11からパージされる。
さらに、サセプタ周縁部16Bで不活性ガスが流れ出るため、マスク底面や基板側面および基板底面、サセプタなどに対する着膜を防止する。
ステージ14にはヒーター(図示しない)が設けられており、該ヒーターの付近に位置する成膜容器11の内壁は、ヒーターにより500℃程度の高温に加熱することが可能となる。そのため、ヒーターの付近に位置する成膜容器11の内壁に付着した薄膜は、ガスエッチングにより除去することが可能となる。
a:1mm
b:20mm
シャワー穴径:1mm
シャワーピッチ:100mm
ステージ温度:100℃
不活性ガス温度:100℃
不活性ガス流量:500sccm
20μmの成膜を実施した後、マスク56下面とサセプタ防着板19A上面への着膜量を目視で観察すると、薄膜による干渉膜は観測されず、その膜量は50nm以下であることが確認された。よって、基板サイズ変更、プロセス条件変更に容易に対応できる構造でありながら、マスク及びサセプタのクリーニング頻度を低減することが可能となることが確認された。
11 成膜容器
13 基板
14 ステージ
15 高周波電源
16 サセプタ
16A サセプタ本体
16B サセプタ周縁部
19 サセプタ防着板
19A サセプタ防着板
20 ガス導入部
30 排気部
40 マスクピン穴
46 不活性ガス供給チューブ
47 不活性ガス供給路
48 不活性ガス供給口
49 シャワープレート
49A 吹き出し穴
50 不活性ガス供給口
50A 吹き出し穴
51 シャワープレート
56 マスク
S 基板
102 吸着層
104 薄膜層
110 原料ガス
112 パージガス
114 反応ガス
Claims (13)
- マスクを使用して基板上に薄膜を形成するための原子層成長装置であって、
成膜容器と、
前記成膜容器内に位置し、前記基板を保持するためのサセプタと、
前記サセプタの上方に位置し、高周波電源と接続される電極と、
前記成膜容器内に原料ガスを供給するためのガス導入部と、
前記成膜容器から前記原料ガスを排気するための排気部と、
不活性ガスを供給するための不活性ガス供給口と、
を含み、
前記サセプタは、前記基板の保持面となるサセプタ本体部と、前記サセプタ本体部の周囲に位置するサセプタ周縁部とを有し、
前記マスクは前記基板上に接触するように配置して使用され、
前記マスクの外周部は、前記サセプタ周縁部と平面的に重なる領域に位置するように配置され、
前記不活性ガス供給口は、前記サセプタ周縁部であって前記マスクの前記外周部と平面的に重なる位置に形成され、
前記不活性ガスは、前記不活性ガス供給口から前記マスクの前記外周部の裏面に対して噴射される原子層成長装置。 - 前記基板はガラス基板である請求項1記載の原子層成長装置。
- 前記マスクの前記外周部の前記裏面と前記サセプタ周辺部の表面との間に空間が存在する請求項1または2記載の原子層成長装置。
- 前記不活性ガスにより、前記サセプタ周縁部と平面的に重なる領域に位置する前記マスクの前記裏面に前記原料ガスが到達するのを防ぐ請求項1〜3のいずれか一項に記載の原子層成長装置。
- 前記不活性ガス供給口は、前記サセプタ本体部を囲うように複数形成されている請求項1〜4のいずれか一項に記載の原子層成長装置。
- 前記サセプタ周縁部はサセプタ本体部よりも低くなるように形成されている請求項1〜5のいずれか一項に記載の原子層成長装置。
- 前記基板は、前記不活性ガス供給口と前記ガス導入部の間の高さに位置するように配置される請求項1〜6のいずれか一項に記載の原子層成長装置。
- 前記不活性ガス供給口は、前記原料ガス導入部および前記排気部より低い位置に配置されている請求項1〜7のいずれか一項に記載の原子層成長装置。
- 前記成膜容器に、前記ガス導入部を介して反応ガスおよびパージガスが供給され、
前記成膜容器から、前記排気部を介して前記反応ガスおよび前記パージガスが排気される請求項1〜8のいずれか一項に記載の原子層成長装置。 - 前記サセプタ周縁部の表面に防着材が設置されている請求項1〜9のいずれか一項に記載の原子層成長装置。
- 前記電極と前記サセプタとの間にプラズマが発生する請求項1〜10のいずれか一項に記載の原子層成長装置。
- 前記不活性ガス供給口は、シャワーヘッド構造を有する請求項1〜11のいずれか一項に記載の原子層成長装置。
- 前記サセプタ周辺部には、マスクピン穴が形成され、
前記マスクピン穴内には、前記マスクを支持して上下に可動可能なマスクピンが配置され、
前記マスクピン穴は、前記不活性ガス供給口と前記サセプタ本体の間に位置する請求項1〜12のいずれか一項に記載の原子層成長装置。
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