JP2017034578A - 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器および移動体 - Google Patents
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Abstract
【課題】内部空間の減圧度の低下を低減することのできる電子デバイス、この電子デバイスの製造方法、この電子デバイスを備えた信頼性の高い電子機器および移動体を提供する。
【解決手段】電子デバイス1は、基板2と、基板2に設けられた振動素子3と、基板2との間に振動素子3を収容する空洞部5を形成するように設けられ、振動素子3と電気的に接続された配線層432、434を含む蓋部4と、基板2に設けられ、空洞部5の内外を連通する貫通孔25と、貫通孔25を塞ぐ封止部8と、を有する。また、貫通孔25は、振動素子3と重ならないように配置されている。
【選択図】図1
【解決手段】電子デバイス1は、基板2と、基板2に設けられた振動素子3と、基板2との間に振動素子3を収容する空洞部5を形成するように設けられ、振動素子3と電気的に接続された配線層432、434を含む蓋部4と、基板2に設けられ、空洞部5の内外を連通する貫通孔25と、貫通孔25を塞ぐ封止部8と、を有する。また、貫通孔25は、振動素子3と重ならないように配置されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器および移動体に関するものである。
例えば、特許文献1に記載の電子装置は、基板と、基板との間に内部空間を形成するように基板に積層されている蓋部と、前記内部空間に収容されているMEMS構造体と、を有する。このような電子装置は、次のように製造される。まず、基板上に犠牲層とMEMS構造体とを積層する。次に、これらの上に貫通孔を有する層を形成する。次に、貫通孔を介してウェットエッチングによって犠牲層を除去する。次に、封止層を形成して、内部空間を減圧状態で封止する。次に、この上に、必要な数の配線層および層間絶縁層を順次積層する。
しかしながら、このような電子装置では、内部空間を気密封止した後の工程(すなわち、封止層を形成した後の工程)である配線層および層間絶縁層の形成工程において加わる熱によって、内部空間内にガス(アウトガス)が発生し、減圧度が低下するおそれがある。そのため、電子装置の振動特性が変動するおそれがある。
本発明の目的は、内部空間の減圧度の低下を低減することのできる電子デバイス、この電子デバイスの製造方法、この電子デバイスを備えた信頼性の高い電子機器および移動体を提供することにある。
このような目的は、下記の発明により達成される。
本発明の電子デバイスは、基板と、
基板に設けられた機能素子と、
前記基板との間に前記機能素子を収容する内部空間を形成するように設けられ、前記機能素子と電気的に接続された配線層を含む蓋部と、
前記基板に設けられ、前記内部空間の内外を連通する貫通孔と、
前記貫通孔を塞ぐ封止部と、を有することを特徴とする。
このような構成によれば、蓋部を設けた後に、封止部で内部空間を封止することができるため、アウトガスの発生を低減することができる。そのため、内部空間の減圧度の低下を低減することのできる電子デバイスが得られる。
基板に設けられた機能素子と、
前記基板との間に前記機能素子を収容する内部空間を形成するように設けられ、前記機能素子と電気的に接続された配線層を含む蓋部と、
前記基板に設けられ、前記内部空間の内外を連通する貫通孔と、
前記貫通孔を塞ぐ封止部と、を有することを特徴とする。
このような構成によれば、蓋部を設けた後に、封止部で内部空間を封止することができるため、アウトガスの発生を低減することができる。そのため、内部空間の減圧度の低下を低減することのできる電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスでは、前記基板の平面視で、前記貫通孔は、前記機能素子と重ならないように配置されていることが好ましい。
これにより、封止部に飛散する封止部の一部が機能素子に付着することを低減することができる。
これにより、封止部に飛散する封止部の一部が機能素子に付着することを低減することができる。
本発明の電子デバイスでは、前記内部空間は、
前記機能素子を収容する第1内部空間と、
前記第1内部空間と接続され、前記貫通孔と連通する第2内部空間と、を有し、
前記第1内部空間と前記第2内部空間との間には、内部空間内へ突出する隔壁が設けられていることが好ましい。
これにより、封止部に飛散する封止部の一部が機能素子により付着し難くなる。
前記機能素子を収容する第1内部空間と、
前記第1内部空間と接続され、前記貫通孔と連通する第2内部空間と、を有し、
前記第1内部空間と前記第2内部空間との間には、内部空間内へ突出する隔壁が設けられていることが好ましい。
これにより、封止部に飛散する封止部の一部が機能素子により付着し難くなる。
本発明の電子デバイスでは、前記貫通孔は、横断面積が前記内部空間側へ向けて小さくなる部分を有することが好ましい。
これにより、封止部を貫通孔に配置し易くなる。
これにより、封止部を貫通孔に配置し易くなる。
本発明の電子デバイスでは、前記封止部は、前記貫通孔の内側に設けられていることが好ましい。
これにより、封止部の基板からの突出が低減される。
これにより、封止部の基板からの突出が低減される。
本発明の電子デバイスでは、前記機能素子は、振動素子であることが好ましい。
これにより、電子デバイスを例えば発振器として用いることができる。
これにより、電子デバイスを例えば発振器として用いることができる。
本発明の電子デバイスでは、前記内部空間は、減圧状態であることが好ましい。
これにより、例えば、機能素子が振動素子の場合には、粘性抵抗が減って、振動素子の振動特性が向上する。
これにより、例えば、機能素子が振動素子の場合には、粘性抵抗が減って、振動素子の振動特性が向上する。
本発明の電子デバイスの製造方法は、基板上に犠牲層で覆われた機能素子を形成すると共に、前記犠牲層を覆うように蓋部を形成する工程と、
前記基板に前記犠牲層を露出させる貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を介して犠牲層を除去して、前記機能素子を収容する内部空間を形成する工程と、
封止部によって前記貫通孔を封止する工程と、を有することを特徴とする。
このように、蓋部を設けた後に、封止部で貫通孔を封止することで、アウトガスの発生を低減することができる。そのため、内部空間の減圧度の低下を低減することのできる電子デバイスが得られる。
前記基板に前記犠牲層を露出させる貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を介して犠牲層を除去して、前記機能素子を収容する内部空間を形成する工程と、
封止部によって前記貫通孔を封止する工程と、を有することを特徴とする。
このように、蓋部を設けた後に、封止部で貫通孔を封止することで、アウトガスの発生を低減することができる。そのため、内部空間の減圧度の低下を低減することのできる電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
本発明の移動体は、本発明の電子デバイスを有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。
以下、本発明の電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
まず、本発明の第1実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
まず、本発明の第1実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。図2は、図1に示す電子デバイスが有する振動素子の平面図である。図3は、図1に示す電子デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図4ないし図16は、それぞれ、図1に示す電子デバイスの製造方法を説明する断面図である。なお、図1は、図2中のA−A線断面図である。また、以下の説明では、図1中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
≪電子デバイス≫
図1に示す電子デバイス1は、例えば、所定周波数の信号を発振する発振器として用いられる。このような電子デバイス1は、基板2と、機能素子としての振動素子3と、蓋部4と、空洞部(収容空間)5と、半導体回路(回路)6と、封止部8と、を有する。
図1に示す電子デバイス1は、例えば、所定周波数の信号を発振する発振器として用いられる。このような電子デバイス1は、基板2と、機能素子としての振動素子3と、蓋部4と、空洞部(収容空間)5と、半導体回路(回路)6と、封止部8と、を有する。
基板2は、図1に示すように、上面に開放する凹部24を有している。このような基板2は、ベース基板21と、ベース基板21上に積層された第1絶縁膜22と、第1絶縁膜22上に積層された第2絶縁膜23と、を有する。また、ベース基板21は、例えば、シリコン基板で構成され、第1絶縁膜22は、例えば、シリコン酸化膜(SiO2膜)で構成され、第2絶縁膜23は、例えば、シリコン窒化膜(SiN膜)で構成されている。
なお、シリコン基板は、例えば、シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶をエピタキシャル成長させたものを用いてもよい。ただし、ベース基板21としては、シリコン基板に限定されず、例えば、SOI基板を用いることができる。また、第1絶縁膜22および第2絶縁膜23としては、製造時にベース基板21を保護し、また、各部の短絡等を防ぐことができれば特に限定されない。
また、ベース基板21の凹部24よりも外側の部分には半導体回路6が作り込まれている。半導体回路6は、例えば、振動素子3を励振させるための発振回路を有し、その他にも、例えば、必要に応じて、位相同期回路(PLL回路)や、発振回路からの出力周波数を整数倍にする逓倍回路(周波数調整回路)や、信号を所定の出力形式に変換して出力する出力回路や、メモリー等を有する。
このような半導体回路6には、必要に応じて、MOSトランジスタ、キャパシタ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線等の回路要素が含まれている。このように、電子デバイス1内に、半導体回路6を作り込むことで、例えば、電子デバイス1と半導体回路6とが別体で構成された場合と比較して、装置全体の小型化を図ることができる。また、半導体回路6を振動素子3に近接して配置することができるため、振動素子3から出力される信号にノイズが乗り難く、優れた精度の電子デバイス1となる。なお、図1では、説明の便宜上、半導体回路6として、MOSトランジスタ61のみを図示している。
また、基板2には空洞部5の内外を連通する貫通孔25が設けられている。また、貫通孔25は、凹部24の底面と基板2の下面とを貫通するように設けられている。この貫通孔25は、空洞部5内の気体を除去するのに用いられる孔であり、空洞部5内の気体を除去した後に封止部8によって塞がれる。これにより、空洞部5を真空封止(減圧封止)することができる。
また、貫通孔25は、基板2の下面から空洞部5に向けて横断面積が漸減するテーパー状をなす。すなわち、貫通孔25は、空洞部5側へ向けて横断面積が小さくなる部分を有する。このような形状とすることで、後述する製造方法でも説明する通り、ボール状をなす溶融前の封止部8を貫通孔25内に容易に留めることができる。ただし、貫通孔25の形状としては、特に限定されず、例えば、途中に段差が形成されていて、この段差にボール状の溶融前の封止部8が引っ掛かるようになっていてもよいし、途中の一部がテーパー状となっており、その他はストレート状となっていてもよい。このような構成とすることで、貫通孔25の下側の開口(基板2の下面に開放する開口)の広がりを抑えることができ、貫通孔25をより小さくすることができる。
また、貫通孔25は、基板2の平面視で、振動素子3と重ならないように設けられており、かつ、振動素子3からなるべく遠ざけて配置されている。これにより、貫通孔25を塞ぐために封止部8を溶融する際に飛散する飛沫(封止部8の一部)が振動素子3へ付着し難くなる。そのため、振動素子3の動作不良や振動特性の変動等を効果的に抑制することができる。
貫通孔25を塞ぐ封止部8は、貫通孔25内に設けられており、貫通孔25の下側の開口から基板2の下方へ突出しないように配置されている。言い換えると、封止部8は、その全域が、貫通孔25の下側の開口よりも上方に位置している。このような構成とすることで、封止部8の基板2からの突出が防止されるため、電子デバイス1の小型化を図ることができる。また、例えば、電子デバイス1を電子基板等の他の部材に搭載する際に、封止部8が邪魔になることが無い。また、封止部8が他の部材にぶつかって、剥がれたり亀裂が入ったりすることも抑制でき、空洞部5の気密性をより確実に維持することができる。
このような封止部8の構成材料としては、空洞部5を気密封止することができれば、特に限定されないが、例えば、Au(金)−Ge(ゲルマニウム)系合金等の各種金属材料を用いることができる。
また、図2に示すように、凹部24内には壁部71と、柱状の4本の柱部72(72a〜72d)と、が設けられている。なお、壁部71および柱部72は、貫通孔25を塞がないように配置されている。
4つの柱部72は、壁部71の内側(すなわち空洞部5内)に設けられており、平面視で、振動素子3の周囲に沿って互いに離間して設けられている。これら4つの柱部72は、蓋部4を支える支柱として機能し、蓋部4の下方(空洞部5内)への撓み変形を抑制する。そのため、例えば、蓋部4と振動素子3との接触を防止することができる。また、4つの柱部72は、振動素子3が有する電極を外部へ引き出すための配線(電気経路)の一部としても用いられる。このように、柱部72を配線の一部として用いることで、別途配線を引き回す必要がなく、電子デバイス1の装置構成が簡単なものとなると共に、電子デバイス1の小型化を図ることができる。このような柱部72は、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープ(拡散または注入)したポリシリコンで構成されている。なお、柱部72の数としては、4つに限定されない。
壁部71は、枠状をなし、平面視で振動素子3および柱部72の周囲を囲むように、凹部24の底面に立設されている。そして、壁部71の内側が空洞部5となっている。また、壁部71は、隣り合う柱部72a、72bの間に入り込むように内側へ突出した突出部711と、隣り合う柱部72b、72cの間に入り込むように内側へ突出した突出部712と、隣り合う柱部72c、72dの間に入り込むように内側へ突出した突出部713と、隣り合う柱部72d、72aの間に入り込むように内側へ突出した突出部714と、を有する。
このような突出部711、712、713、714を設けることで、空洞部5の体積が減少する。そのため、空洞部5を形成する際のエッチング時間を短縮することができたり、空洞部5を真空封止する際の真空引き時間を短縮することができたりする。また、これら4つの突出部711〜714は、柱部72と共に、蓋部4を支えている。よって、蓋部4の下方への撓み変形がより抑制される。このような壁部71は、例えば、ポリシリコンで構成されている。
また、壁部71の外周側(すなわち壁部71と凹部24の内側面との間)には壁部71を補強する補強部73が設けられている。これにより、電子デバイス1の機械的強度を高めることができる。なお、補強部73は、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)で構成されている。
蓋部4は、基板2の上面側に設けられ、凹部24の開口を塞いでいる。これにより、基板2と蓋部4の間に空洞部5が形成される。この空洞部5には振動素子3が配置されており、これにより、振動素子3を保護することができると共に、振動素子3を所定の環境下で駆動することができる。なお、空洞部5の環境としては、特に限定されないが、真空状態(減圧状態)となっていることが好ましい。これにより、粘性抵抗が減り、より効率的かつ安定的に振動素子3を駆動することができる。
このような蓋部4は、図1に示すように、被覆層41と、被覆層41および基板2上に積層された構造体43と、を有する。
被覆層41は、絶縁層411と、絶縁層411上に積層された導電層412と、を有する。また、導電層412は、絶縁層411を貫通して設けられ、柱部72と電気的に接続されたコンタクト部412aを有する。このようなコンタクト部412aは、柱部72と同様に、振動素子3を半導体回路6に電気的に接続するための配線の一部として用いられる。
このような被覆層41では、絶縁層411は、例えば、窒化ケイ素(SiN)で構成されており、導電層412は、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープ(拡散または注入)したポリシリコンで構成されている。
構造体43は、層間絶縁膜431と、層間絶縁膜431上に形成された配線層432と、配線層432および層間絶縁膜431上に形成された層間絶縁膜433と、層間絶縁膜433上に形成された配線層434と、配線層434および層間絶縁膜433上に形成された表面保護層435と、を有する。このうち、配線層432、434は、半導体回路6の配線として機能している。また、表面保護層435は、電子デバイス1を、水分、ゴミ、傷などから保護する。半導体回路6は、配線層432、434によって電子デバイス1の上面に引き出され、配線層434の一部が表面保護層435から露出しており、当該部分が外部接続端子434’となる。
このような構造体43では、層間絶縁膜431、433は、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)で構成されており、配線層432、434は、例えば、アルミニウム(Al)で構成されており、表面保護層435は、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)、窒化ケイ素(SiN)、ポリイミド、エポキシ樹脂等で構成されている。
振動素子3は、静電駆動型の振動素子であり、図1および図2に示すように、基板2上に設けられた基板電極31および振動部電極32を有する。
振動部電極32は、凹部24の底面に設けられた固定部33と、固定部33と空隙を隔てて対向配置された振動体34と、振動体34および固定部33の間に配置され、振動体34を固定部33に支持する支持部35と、を有する。また、振動体34は、その中央部に位置し、固定部33に支持された基部341と、基部341に接続された4つの振動部342、343、344、345と、を有し、略十字状をなす。なお、振動部の数は、特に限定されず、1〜3つであってもよいし、5つ以上であってもよい。
一方、基板電極31は、凹部24の底面に設けられ、振動部342に対向配置された電極部311と、凹部24の底面に設けられ、振動部344に対向配置された電極部312と、を有する。
基板電極31および振動部電極32は、それぞれ、柱部72を介して半導体回路6と電気的に接続されており、半導体回路6から基板電極31と振動部電極32との間に所定周波数(振動部電極32の共振周波数とほぼ等しい周波数)の交番電圧が印加されると、振動体34と基板電極31との間に発生する静電力によって、振動部342、344と振動部343、345とが互いに逆相で振動する。そして、この振動に基づく信号(周波数信号)が基板電極31(または振動部電極32)から出力され、出力された信号を半導体回路6で処理することで、所定周波数の信号を出力することができる。
これら基板電極31および振動部電極32は、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープ(拡散または注入)したポリシリコンで構成されている。
≪電子デバイスの製造方法≫
次に、図3ないし図16に基づいて、電子デバイス1の製造方法を説明する。なお、以下では説明の便宜上、半導体回路6が有する回路要素の製造工程については、その説明を省略する。各回路要素は、下記に説明する工程と同じ工程や、下記に示す工程の合間の工程で、作り込むことができる。
次に、図3ないし図16に基づいて、電子デバイス1の製造方法を説明する。なお、以下では説明の便宜上、半導体回路6が有する回路要素の製造工程については、その説明を省略する。各回路要素は、下記に説明する工程と同じ工程や、下記に示す工程の合間の工程で、作り込むことができる。
電子デバイス1の製造方法は、図3に示すように、基板2上に犠牲層91、92で覆われた振動素子3を形成すると共に、犠牲層91、92を覆うように蓋部4を形成する振動素子形成工程と、基板2に犠牲層91を露出させる貫通孔25を形成する貫通孔形成工程と、貫通孔25を介して犠牲層91、92を除去して、振動素子3を収容する空洞部5を形成するリリース工程と、封止部8によって貫通孔25を封止する封止工程と、を有する。
[振動素子形成工程]
まず、図4に示すように、シリコン基板であるベース基板21を用意し、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてベース基板21の上面に凹部24を形成し、その後、ベース基板21の上面側に第1絶縁膜22および第2絶縁膜23を順に成膜する。第1絶縁膜22および第2絶縁膜23は、例えば、ベース基板21の表面にSiO2膜を熱酸化法で成膜した後、このSiO2膜上にSiN膜をスパッタリング法、CVD法等を用いて形成することで得られる。
まず、図4に示すように、シリコン基板であるベース基板21を用意し、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてベース基板21の上面に凹部24を形成し、その後、ベース基板21の上面側に第1絶縁膜22および第2絶縁膜23を順に成膜する。第1絶縁膜22および第2絶縁膜23は、例えば、ベース基板21の表面にSiO2膜を熱酸化法で成膜した後、このSiO2膜上にSiN膜をスパッタリング法、CVD法等を用いて形成することで得られる。
次に、第2絶縁膜23上にポリシリコンの膜をスパッタリング法、CVD法等を用いて形成しつつ、同時にリン、ボロン等の不純物を注入することで、導電性のポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングすることで、図5に示すように、基板電極31(電極部311、312)、固定部33、配線(図示せず)、柱部72の一部および壁部71の一部を形成する。ただし、これら各部の形成方法は、上述の方法に限定されず、例えば、各部のパターニングを終えてから、各部にリン、ボロン等の不純物をドープして導電性を付与してもよい。
次に、図6に示すように、CVD法により、SiO2膜からなる第1犠牲層91を形成し、第1犠牲層91に支持部35、柱部72および壁部71に対応する開口を形成する。ただし、第1犠牲層91は、CVD法ではなく、熱酸化法、スパッタリング法等により形成してもよい。また、前記開口は、フォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて形成する。
次に、第1犠牲層91上にポリシリコンの膜をスパッタリング法、CVD法等を用いて形成しつつ、同時にリン、ボロン等の不純物を注入することで、導電性のポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングすることで、図7に示すように、支持部35、振動体34、柱部72および壁部71を形成する。これにより、振動素子3が得られる。
次に、CVD法により、図8に示すように、SiO2膜からなる第2犠牲層92を形成し、さらに、第2犠牲層92に所定の開口を形成する。次に、図9に示すように、第2犠牲層92上にSiN膜からなる絶縁層411を成膜し、この絶縁層411上にポリシリコンをスパッタリング法、CVD法等を用いて形成しつつ、同時にリン、ボロン等の不純物を注入することで、導電性のポリシリコン膜からなる導電層412を形成する。これにより、被覆層41が得られ、犠牲層91、92で覆われた状態の空洞部5が得られる。
次に、化学機械研磨(CMP)によって、図10に示すように、ベース基板21の上面211上に積層された第1絶縁膜22および第2絶縁膜23を除去して、ベース基板21の上面211を露出させる。これにより、例えば、ベース基板21の上面211にMOSトランジスタ61等の回路要素を作り込むことができる。
次に、図11に示すように、被覆層41およびベース基板21上にシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜431を成膜し、層間絶縁膜431をCMP(化学機械研磨)等によって平坦化する。次に、図12に示すように、層間絶縁膜431上に、配線層432、層間絶縁膜433、配線層434および表面保護層435を順に形成する。
[貫通孔形成工程]
次に、図13に示すように、基板2に貫通孔25を形成して、第1犠牲層91を露出させる。なお、貫通孔25は、基板2の平面視で、振動素子3と重ならず、かつ、なるべく振動素子3から遠位に位置するように形成する。このような貫通孔25は、例えば、エッチング加工、レーザー加工、サンドブラスト加工等によって形成することができる。
次に、図13に示すように、基板2に貫通孔25を形成して、第1犠牲層91を露出させる。なお、貫通孔25は、基板2の平面視で、振動素子3と重ならず、かつ、なるべく振動素子3から遠位に位置するように形成する。このような貫通孔25は、例えば、エッチング加工、レーザー加工、サンドブラスト加工等によって形成することができる。
[リリース工程]
次に、貫通孔25を介して犠牲層91、92のリリースエッチングを行う。これにより、図14に示すように、空洞部5が形成されると共に振動素子3がリリースされる。
次に、貫通孔25を介して犠牲層91、92のリリースエッチングを行う。これにより、図14に示すように、空洞部5が形成されると共に振動素子3がリリースされる。
[封止工程]
次に、空洞部5を真空引きした状態で、図15に示すように、貫通孔25内にボール状の封止部8を配置する。次に、図16に示すように、例えば、レーザーを照射することで、封止部8を溶融させて、貫通孔25を塞ぐ。これにより、空洞部5が真空状態で気密封止される。なお、封止部8を溶融する際に、封止部8の一部が飛沫81として空洞部5へ飛散する場合があり、この飛沫81が振動素子3に付着すると、駆動周波数の変化や、ショートの原因ともなる。この点について、本実施形態では、前述したように、貫通孔25をなるべく振動素子3から離して形成しているため、飛沫81が振動素子3に付着し難くなっている。そのため、上記の問題の発生を効果的に抑制することができる。
次に、空洞部5を真空引きした状態で、図15に示すように、貫通孔25内にボール状の封止部8を配置する。次に、図16に示すように、例えば、レーザーを照射することで、封止部8を溶融させて、貫通孔25を塞ぐ。これにより、空洞部5が真空状態で気密封止される。なお、封止部8を溶融する際に、封止部8の一部が飛沫81として空洞部5へ飛散する場合があり、この飛沫81が振動素子3に付着すると、駆動周波数の変化や、ショートの原因ともなる。この点について、本実施形態では、前述したように、貫通孔25をなるべく振動素子3から離して形成しているため、飛沫81が振動素子3に付着し難くなっている。そのため、上記の問題の発生を効果的に抑制することができる。
以上によって、電子デバイス1が得られる。このような電子デバイス1の製造方法によれば、最後に(蓋部4を形成した後で)、空洞部5を気密封止するため、アウトガスの発生を抑制することができる。そのため、空洞部5内の環境変化(圧力の上昇)を抑制することができ、振動素子3の振動特性の変動を抑制することができる。また、従来では、蓋部にリリースエッチング用の孔を形成し、リリースエッチングを行ってから、この孔を封止する封止部を設けていたが、本実施形態では、基板2に貫通孔25を形成しているため、このような封止部を省略することができる。そのため、従来と比較して蓋部4を薄型化することができ、その分、薄型化された電子デバイス1が得られる。
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
図17は、本発明の第2実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。
次に、本発明の第2実施形態に係る電子デバイスについて説明する。
図17は、本発明の第2実施形態に係る電子デバイスを示す断面図である。
以下、本発明の第2実施形態に係る電子デバイスについて説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
第2実施形態の電子デバイスは、空洞部の構成が異なること以外は、前述した第1実施形態と同様である。なお、前述した実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
本実施形態の空洞部(内部空間)5は、図17に示すように、振動素子3が収容された第1空洞部(第1内部空間)51と、第1空洞部51と接続され、貫通孔25が連通した第2空洞部(第2内部空間)52と、を有している。また、基板2は、第1空洞部51と第2空洞部52の間に立設された隔壁26を有しており、第1空洞部51と第2空洞部52の接続部分が狭くなっている。このような構成とすることで、貫通孔25と振動素子3とをより離間させることができ、かつ、貫通孔25と振動素子3の間に位置する隔壁26で飛沫81をブロックすることができるため、飛沫81が振動素子3により付着し難くなる。
このような第2実施形態によっても、前述した第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。
<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態に係る電子機器について説明する。
次に、本発明の第3実施形態に係る電子機器について説明する。
図18は、本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1108を備えた表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター1100には、例えば、発振器として用いられる電子デバイス1が内蔵されている。そのため、パーソナルコンピューター1100は、より高性能で、高い信頼性を発揮することができる。
図19は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。
携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204及び送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1208が配置されている。このような携帯電話機1200には、例えば、発振器として用いられる電子デバイス1が内蔵されている。そのため、携帯電話機1200は、より高性能で、高い信頼性を発揮することができる。
図20は、本発明の電子機器を適用したデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図である。
デジタルスチールカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)等の撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。デジタルスチールカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行なう構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCD等を含む受光ユニット1304が設けられている。撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。このようなデジタルスチールカメラ1300には、例えば、発振器として用いられる電子デバイス1が内蔵されている。そのため、デジタルスチールカメラ1300は、より高性能で、高い信頼性を発揮することができる。
なお、本発明の電子機器は、図18のパーソナルコンピューター(モバイル型パーソナルコンピューター)、図19の携帯電話機、図20のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター等に適用することができる。
<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態に係る移動体について説明する。
図21は、本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
次に、本発明の第4実施形態に係る移動体について説明する。
図21は、本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
自動車(移動体)1500には、例えば発振器として用いられる電子デバイス1が搭載されている。電子デバイス1は、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム(ABS)、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(TPMS…Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット(ECU…electronic control unit)に広く適用できる。このように、自動車1500は、電子デバイス1を有しているため、より高性能で、高い信頼性を発揮することができる。
以上、本発明の電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器および移動体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
また、前述した各実施形態では、基板に凹部を形成することで、基板と蓋部との間に空洞部を形成した構成について説明しているが、基板と蓋部の構成としては、これに限定されない。例えば、基板に凹部を設けずに、蓋部の下面(基板側)に凹部を形成することで、基板と蓋部との間に空洞部を形成してもよいし、基板および蓋部の間に、枠状の構造体を介在させて、枠状の構想体の内周面と基板の上面とによって凹部を形成してもよい。すなわち、凹部の底面と壁面とが別部材から形成されており、これらが一体的に形成されていなくてもよい。
また、前述した各実施形態では、機能素子としての振動素子を有し、発振器として用いることのできる電子デバイスについて説明したが、電子デバイスの用途(機能素子の種類)としては、これに限定されない。例えば、機能素子としてピエゾ抵抗素子を有し、電子デバイスは、このピエゾ抵抗素子の抵抗値変化から、受けた圧力を検知する圧力検知装置として用いるものであってもよい。
1…電子デバイス、2…基板、21…ベース基板、211…上面、22…第1絶縁膜、23…第2絶縁膜、24…凹部、25…貫通孔、26…隔壁、3…振動素子、31…基板電極、311、312…電極部、32…振動部電極、33…固定部、34…振動体、341…基部、342、343、344、345…振動部、35…支持部、4…蓋部、41…被覆層、411…絶縁層、412…導電層、412a…コンタクト部、43…構造体、431…層間絶縁膜、432…配線層、433…層間絶縁膜、434…配線層、434’…外部接続端子、435…表面保護層、5…空洞部、51…第1空洞部、52…第2空洞部、6…半導体回路、61…MOSトランジスタ、71…壁部、72、72a、72b、72c、72d…柱部、73…補強部、8…封止部、81…飛沫、91…第1犠牲層、92…第2犠牲層、711、712、713、714…突出部、1100…パーソナルコンピューター、1102…キーボード、1104…本体部、1106…表示ユニット、1108…表示部、1200…携帯電話機、1202…操作ボタン、1204…受話口、1206…送話口、1208…表示部、1300…デジタルスチールカメラ、1302…ケース、1304…受光ユニット、1306…シャッターボタン、1308…メモリー、1310…表示部、1500…自動車
Claims (10)
- 基板と、
基板に設けられた機能素子と、
前記基板との間に前記機能素子を収容する内部空間を形成するように設けられ、前記機能素子と電気的に接続された配線層を含む蓋部と、
前記基板に設けられ、前記内部空間の内外を連通する貫通孔と、
前記貫通孔を塞ぐ封止部と、を有することを特徴とする電子デバイス。 - 前記基板の平面視で、前記貫通孔は、前記機能素子と重ならないように配置されている請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記内部空間は、
前記機能素子を収容する第1内部空間と、
前記第1内部空間と接続され、前記貫通孔と連通する第2内部空間と、を有し、
前記第1内部空間と前記第2内部空間との間には、内部空間内へ突出する隔壁が設けられている請求項1または2に記載の電子デバイス。 - 前記貫通孔は、横断面積が前記内部空間側へ向けて小さくなる部分を有する請求項1なしい3のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記封止部は、前記貫通孔の内側に設けられている請求項1ないし4のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記機能素子は、振動素子である請求項1ないし5のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記内部空間は、減圧状態である請求項1ないし6のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 基板上に犠牲層で覆われた機能素子を形成すると共に、前記犠牲層を覆うように蓋部を形成する工程と、
前記基板に前記犠牲層を露出させる貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を介して犠牲層を除去して、前記機能素子を収容する内部空間を形成する工程と、
封止部によって前記貫通孔を封止する工程と、を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の電子デバイスを有することを特徴とする電子機器。
- 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の電子デバイスを有することを特徴とする移動体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015154819A JP2017034578A (ja) | 2015-08-05 | 2015-08-05 | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器および移動体 |
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JP2015154819A JP2017034578A (ja) | 2015-08-05 | 2015-08-05 | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器および移動体 |
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JP2015154819A Pending JP2017034578A (ja) | 2015-08-05 | 2015-08-05 | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器および移動体 |
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JP (1) | JP2017034578A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019062418A (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法 |
-
2015
- 2015-08-05 JP JP2015154819A patent/JP2017034578A/ja active Pending
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