JP2017033959A - 電子部品及びそれを用いた電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】素子に電流が流れる際に発生する熱が、素子と離れて配置された回路基板に伝わることを抑制できる電子部品及びそれを用いた電子装置を提供する。【解決手段】第１導電部材３１は、第１外部接続端子４１とソース端子１１（第１端子）とを電気的に接続する。第２導電部材３２は、第２外部接続端子４２とドレイン端子１２（第２端子）を電気的に接続する。回路基板７は、半導体装置３に対して放熱部２と反対側において半導体装置３（素子）と離して配置される。第１接続ピン５１（第１接続部材）は、第１導電部材３１と回路基板７上の制御部７１との間を接続する。制御部７１は、ソース端子１１とゲート端子１３とに電気的に接続されてその端子間の電圧を制御する。ソース端子１１は回路基板７と離して配置される。半導体装置３と、第１導電部材３１と、第２導電部材３２とは放熱部２と熱的に結合される。【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品及びそれを用いた電子装置に関し、より詳細には接続端子を有する電子部品及びそれを用いた電子装置に関する。

従来、放熱部材と、回路基板と、回路基板に電気的に接続され放熱部材の一面に搭載された半導体装置とを備え、半導体装置と回路基板との間には板状バネ部材が介在している半導体装置の実装構造が知られている（例えば特許文献１参照）。板状バネ部材は、半導体装置を放熱部材の一面に押圧するように弾性力を発揮する。

放熱部材の一面には、半導体装置が搭載されている。半導体装置の上方には、プリント基板やセラミック基板などより構成される回路基板が、放熱部材の一面に対向して配置されている。

板状バネ部材における回路基板側の面には断熱材が一体に設けられている。板状バネ部材に設けられた断熱材が半導体装置の輻射熱を遮ることにより、半導体装置の輻射熱による回路基板への影響を抑制する。

半導体装置には、回路基板の方へ延びるリードが設けられており、このリードは回路基板に半田などにより電気的に接続されている。

特開２００１−３３２６７０号公報

特許文献１の半導体装置では、半導体装置（素子）に電流が流れる際に発生する熱がリードから伝わるなどして、回路基板の温度が上昇する可能性があった。

本発明は上記課題に鑑みてなされ、素子に電流が流れる際に発生する熱が、回路基板に伝わることを抑制できる電子部品及びそれを用いた電子装置を提供することを目的とする。

本発明の電子部品は、第１端子、第２端子及び第３端子を有し、前記第１端子と前記第３端子との間の電圧に応じて前記第１端子と前記第２端子との間を流れる電流を制御し、前記電流を制御する際に発熱する素子と、第１外部接続端子と前記第１端子とを電気的に接続する第１導電部材と、第２外部接続端子と前記第２端子とを電気的に接続する第２導電部材と、前記素子と熱的に結合された放熱部と、前記素子に対して前記放熱部と反対側において前記素子と離して配置された回路基板と、前記回路基板に設けられ、前記第１端子と前記第３端子とにそれぞれ電気的に接続されて前記第１端子と前記第３端子との間の電圧を制御する制御部と、前記第１導電部材に接続され、前記第１導電部材を介して前記第１端子と前記制御部との間を接続した第１接続部材とを備え、前記第１端子は前記回路基板と離して配置され、前記第１導電部材及び前記第２導電部材は前記放熱部と熱的に結合されたことを特徴とする。

この電子部品において、前記第１導電部材及び前記第２導電部材はそれぞれ、前記回路基板と離して配置されたことも好ましい。

この電子部品において、前記回路基板と離して配置され、かつ前記放熱部と熱的に結合された第３導電部材と、前記第３導電部材に接続され、前記第３導電部材を介して前記第３端子と前記制御部とを電気的に接続した第２接続部材とをさらに備えたことも好ましい。

この電子部品において、前記第２接続部材は、前記第３導電部材よりも熱伝導率が低い材料からなることも好ましい。

この電子部品において、前記第１接続部材は、前記第１導電部材よりも熱伝導率が低い材料からなることも好ましい。

この電子部品において、前記素子はＭＯＳＦＥＴからなり、前記第１端子はソース端子、前記第２端子はドレイン端子、前記第３端子はゲート端子であることも好ましい。

本発明の電子装置は、上記した電子部品と、前記電子部品を収納する筐体とを備えたことを特徴とする。

本発明の電子部品において、第１端子は回路基板と離して配置され、第１導電部材及び第２導電部材は放熱部と熱的に結合されている。そのため電子部品は、素子に電流が流れた際に、第１端子と、第１導電部材と、第２導電部材とで発生する熱が回路基板に伝わることを抑制できる。

本発明の電子装置は、上記した電子部品を備えているので、素子に電流が流れた際に、第１端子と、第１導電部材と、第２導電部材とで発生する熱が回路基板に伝わることを抑制できる。

図１Ａは、実施形態１に係る電子装置の平面図であり、図１Ｂは、図１ＡにおけるＣ−Ｃ線断面図である。 図２Ａは、実施形態１に係る電子部品の固定部の正面図であり、図２Ｂは、実施形態１に係る電子部品の要部断面図である。 図３Ａは、実施形態１に係る電子部品の固定部の変形例１を示す正面図であり、図３Ｂは、実施形態１に係る電子部品の固定部の変形例１を示す断面図であり、図３Ｃは、実施形態１に係る電子部品の固定部の変形例２を示す断面図である。 図４Ａは、実施形態１に係る電子部品の固定部の変形例３を示す正面図であり、図４Ｂは、実施形態１に係る電子部品の固定部の変形例３を示す断面図であり、図４Ｃは、実施形態１に係る電子部品の固定部の変形例４を示す断面図である。 図５Ａは、実施形態２に係る電子装置の平面図であり、図５Ｂは、図５ＡにおけるＣ−Ｃ線断面図である。 図６Ａは、実施形態３に係る電子装置の平面図であり、図６Ｂは、図６ＡにおけるＣ−Ｃ線断面図である。 図７Ａは、実施形態４に係る電子装置の平面図であり、図７Ｂは、図７ＡにおけるＣ−Ｃ線断面図である。 実施形態４の変形例１に係る電子装置の平面図である。 実施形態４の変形例２に係る電子装置の平面図である。

（実施形態１）
本実施形態の電子装置１００は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、電子部品１と、電子部品１を収納する筐体６とを備える。図１Ａは、電子装置１００の平面図であり、図１Ｂは、図１ＡにおけるＣ−Ｃ線断面図である。電子部品１は、半導体装置３（素子）と、第１導電部材３１と、第２導電部材３２と、回路基板７と、制御部７１と、第１接続ピン５１（第１接続部材）とを備える。回路基板７は、半導体装置３に対して放熱部２と反対側において半導体装置３と離して配置されている。

半導体装置３は、半導体チップ３００と、表面実装できるように構成されたプラスチックパッケージとを備える。プラスチックパッケージは、２つの主端子である第１端子及び第２端子と、１つの制御用端子である第３端子と、保護部３０３（モールド部）とを備えている。半導体装置３はｎチャネルのエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）からなる。半導体チップ３００は、ＭＯＳＦＥＴチップである。２つの主端子は、ソース端子１１（第１端子）及びドレイン端子１２（第２端子）である。１つの制御用端子はゲート端子１３（第３端子）である。ソース端子１１はＭＯＳＦＥＴチップのソース電極とワイヤ３０１を介して電気的に接続されている。ゲート端子１３は、ＭＯＳＦＥＴチップのゲート電極にワイヤを介して電気的に接続されている。ドレイン端子は、金属板により構成されており、放熱板を兼ねている。ＭＯＳＦＥＴチップは、縦型ＭＯＳＦＥＴチップであり、チップ裏面側のドレイン電極がドレイン端子１２に導電性の接合部により接合されて電気的に接続されている。

半導体装置３において、第１端子、第２端子、第３端子はそれぞれ、ソース端子１１、ドレイン端子１２、ゲート端子１３である。半導体装置３は、ソース端子１１とゲート端子１３とがそれぞれ制御部７１に電気的に接続されている。

筐体６は、絶縁性を有する樹脂により四角形の枠状に形成されている。筐体６の２つの開口部のうち一方の開口部分は、四角形の板状の放熱部２により塞がれている。一例として、放熱部２は、筐体６にねじ止めされて固定されている。放熱部２において半導体装置３が配置される側の面には、電気絶縁性部材９が配置されている。電気絶縁性部材９は、電気的な絶縁性を有し、かつ熱伝導性が比較的小さい材料で四角形の板状に形成されている。電気絶縁性部材９は、例えば、セラミック基板（たとえば、窒化アルミニウム基板など）である。

電気絶縁性部材９の上面には、第１導電部材３１と、第２導電部材３２とが配置されている。本実施形態では、第２導電部材３２の上面に半導体装置３が配置されている。電子部品１の放熱性を向上させる観点からは、電気絶縁性部材９の厚さは薄いほうが好ましい。

筐体６の上側の開口部分は、電気絶縁性の封止部材８０９によって覆われている。なお、図１Ａでは、わかりやすく説明するために、封止部材８０９の図示を省略している。

放熱部２は、熱伝導率の高い金属により形成されているのが好ましい。放熱部２は、一例として、アルミニウム板からなるが、これに限らず、例えば銅板などでもよい。放熱部２は、第１導電部材３１と、第２導電部材３２と、半導体装置３と熱的に結合されている。電子部品１では、第１導電部材３１と、第２導電部材３２と、半導体装置３とで生じた熱が、放熱部２に伝わりやすくなっている。第１導電部材３１及び第２導電部材３２はそれぞれ、回路基板７と離して配置されている。そのため、第１導電部材３１と、第２導電部材３２とで生じた熱が回路基板７に伝わりにくくなっている。

筐体６には、一組の対向する周壁に端子台６１，６２が形成されている。本実施形態では、図１Ａにおける左側に端子台６１が形成されていて、図１Ａにおける右側に端子台６２が形成されている。

筐体６には、外部の電気回路などに電子部品１を電気的に接続するための第１外部接続端子４１と第２外部接続端子４２とが配置されている。第１外部接続端子４１と第２外部接続端子４２とは、例えば銅などの導体からなる。第１外部接続端子４１と第２外部接続端子４２とは、端子台６１の上に配置されている。第１外部接続端子４１と第２外部接続端子４２とは、筐体６の上面に露出している。第１外部接続端子４１及び第２外部接続端子４２にはそれぞれ、導線などを固定して電気的に接続するためのねじ８０２，８０１が配置されている。第１外部接続端子４１と第２外部接続端子４２との間に、外部の電気回路などから電圧が印加されて使用される。本実施形態の電子部品１は、一例として、第２外部接続端子４２の電位よりも第１外部接続端子４１の電位が高くなるような電圧が第１外部接続端子４１と第２外部接続端子４２とに印加されて使用される。

第１外部接続端子４１は、第１導電部材３１に向かって延びた延長部４１ａを有する。延長部４１ａは、第１導電部材３１にはんだにより接合されて電気的に接続されている。第２外部接続端子４２は、第２導電部材３２に向かって延びた延長部４２ａを有する。延長部４２ａは、第２導電部材３２にはんだにより接合されて電気的に接続されている。

第１導電部材３１は、電気絶縁性部材９上に例えば銅で形成された導電層である。第１導電部材３１は四角形状に形成されている。第１導電部材３１は、第１外部接続端子４１における下方に延びた部位とはんだにより接合されて電気的に接続されている。第１導電部材３１には、ソース端子１１と、第１接続ピン５１とが接続されている。第１接続ピン５１は、接合部８０６により制御部７１に接合されて電気的に接続されている。

筐体６には、制御部７１に電力を供給するための入力端子８１１，８１２が配置されている。入力端子８１１，８１２は、例えば銅などの導体からなる。入力端子８１１，８１２は、端子台６２の上に配置される部位と、端子台６２の側面に沿って回路基板７に向かって延びた部位とを有するＬ字状に形成されている。入力端子８１１における端子台６２の上に配置された部位には、導線などを固定して電気的に接続するためのねじ８０３が配置されている。入力端子８１２における端子台６２の上に配置された部位には、導線などを固定して電気的に接続するためのねじ８０４が配置されている。

第１導電部材３１は、電気絶縁性部材９上に例えば銅で形成された導電層である。第１導電部材３１は四角形状に形成されている。第１導電部材３１は、第１外部接続端子４１における下方に延びた延長部４１ａとはんだにより接合されて電気的に接続されている。第１導電部材３１には、ソース端子１１と、第１接続ピン５１とが接続されている。第１接続ピン５１は、制御部７１に電気的に接続されている。第１接続ピン５１は、断面形状が正方形の棒状に形成されている。第１接続ピン５１は、その軸方向に直交する断面が正方形となっているが、これに限らず、例えば、長方形状又は円形状などでもよい。第１接続ピン５１は、固定部５に固定されている。固定部５は、第１接続ピン５１を支持する。また固定部５は、導電性材料により形成されており、第１接続ピン５１と第１導電部材３１とを電気的に接続している。一例として、第１接続ピン５１と固定部５とは、はんだにより接合されて電気的に接続されている。

ソース端子１１は、第１導電部材３１を介して電気絶縁性部材９と熱的に結合されている。そのため、半導体チップ３００の熱がソース端子１１を介して第１導電部材３１に伝わっても、その熱は放熱部２に伝わりやすくなっている。

第１接続ピン５１は、第１導電部材３１よりも熱伝導率が低い材料（例えばアルミニウムや真鍮など）からなる。そのため、第１接続ピン５１は、第１導電部材３１で生じた熱を制御部７１に（つまり回路基板７側に）伝えにくくしている。第１接続ピン５１における軸方向と直交する断面の面積は、第１導電部材３１における厚さ方向に直交する断面の面積（つまり電気絶縁性部材９と接する面積）よりも小さくなっている。第１接続ピン５１の熱抵抗は、第１導電部材３１と放熱部２との間の熱抵抗よりも大きくなっている。そのため、半導体装置３から第１導電部材３１へ伝わった熱は、第１接続ピン５１を介して回路基板７に伝わるよりも、電気絶縁性部材９を介して放熱部２に伝わりやすくなっている。

第２導電部材３２は、電気絶縁性部材９上に例えば銅で形成された導電層である。第２導電部材３２は、平面視において第１導電部材３１と重ならない四角形状に形成されている。そのため第２導電部材３２と第１導電部材３１とは電気的に絶縁されている。また第２導電部材３２は、半導体装置３の下面に配置され、ドレイン端子１２と導電性接合剤（例えば銀ペーストなど）により接合されて電気的に接続されている。

半導体装置３は、ソース端子１１とゲート端子１３との間の電圧に応じてソース端子１１とドレイン端子１２との間を流れる電流Ｄ１（ドレイン電流）を制御し、電流Ｄ１を制御する際に発熱する。

半導体チップ３００は、保護部３０３によって覆われている。保護部３０３は、黒色のエポキシ樹脂により形成されている。これにより、保護部３０３は遮光性及び電気絶縁性を有する。

ソース端子１１の先端部分は折り曲げられており、第１導電部材３１にはんだにより接合されて電気的に接続されている。つまりソース端子１１は、回路基板７と離して配置されている。ドレイン端子１２は、第２導電部材３２の上面と接している。ゲート端子１３には、回路基板７側に折り曲げられた折曲部１３０が形成されている。折曲部１３０は、制御部７１と接合部８０６により接合されて電気的に接続されている。なお、ソース端子１１とゲート端子１３との間には、ドレイン端子１２と電気的に接続されている非接続端子１２０が設けられている。本実施形態では、非接続端子１２０は未使用端子となっている。

回路基板７は、電気絶縁性部材９と平行するように筐体６に固定されている。回路基板７は、例えば筐体６の内側面に設けられた段部にねじ止めされて固定されている。回路基板７上には、ソース端子１１とゲート端子１３との間の電圧を制御する制御部７１が設けられている。回路基板７は、プリント基板からなる。制御部７１は、複数の回路素子を備えている。制御部７１の複数の回路素子は、回路基板７において、半導体装置３（素子）に近い面と反対側の面（図１における上側の面）に配置されているのが好ましい。制御部７１の複数の回路素子のうち、一部の回路素子７１１〜７１３のみを図示し、他の回路素子の図示を省略している。また、図１Ａでは、説明をわかりやすくするために回路素子７１１〜７１３の図示を省略している。制御部７１は、回路基板７上のランド８１０及び接合部８０６を介して、第１接続ピン５１と折曲部１３０とに電気的に接続されている。

回路基板７には、第１接続ピン５１を通す孔８０７と、折曲部１３０を通す孔８０８とが設けられている。孔８０７，８０８の周辺にはそれぞれ、ランド８１０が形成されている。第１接続ピン５１とランド８１０とは、はんだからなる接合部８０６で接続されている。折曲部１３０とランド８１０とは接合部８０６で接続されている。

次に、本実施形態の電子部品１の動作例について説明する。

制御部７１は、半導体装置３のゲート端子１３とソース端子１１との間の電圧を変化させて、半導体装置３にソース端子１１とドレイン端子１２との間の電流Ｄ１を変化させる。半導体装置３は、電流Ｄ１を制御する際に発熱する。また電流Ｄ１が、第１導電部材３１と第２導電部材３２とを流れると、第１導電部材３１と第２導電部材３２とは発熱する（ジュール熱が生じる）。第１導電部材３１と第２導電部材３２との発熱量は、電流Ｄ１の電流値が大きくなるにつれて大きくなる。一例として、自動車のフロントライトの電流を制御するために電子部品１が用いられた場合、比較的大きな電流が、第１外部接続端子４１と第２外部接続端子４２との間を長時間流れ続ける場合が考えられる。その場合、半導体装置３と、第１導電部材３１と、第２導電部材３２との発熱量が大きくなる。ところで、制御部７１の温度が過度に上昇すると、電流Ｄ１が変動する可能性がある。

しかしながら、本実施形態では、放熱部２が、第１導電部材３１と、第２導電部材３２と、半導体装置３とに熱的に結合されている。そのため、第１導電部材３１と、第２導電部材３２と、半導体装置３とで生じる熱が放熱部２に伝わりやすくなっている。また、ソース端子１１と、第１導電部材３１と、第２導電部材３２とは、回路基板７から離して配置されているので、回路基板７に熱が伝わりにくくなっている。

また、ＭＯＳＦＥＴにおけるゲート電流は、ドレイン電流よりも小さい。つまり第１接続ピン５１と折曲部１３０とを流れるゲート電流によって生じるジュール熱は、ドレイン電流によって生じるジュール熱よりも小さい。しかも、折曲部１３０の断面積は、第１導電部材３１の断面積と比べてかなり小さいため、本実施形態では、ゲート端子１３を介して半導体装置３から回路基板７に伝わる熱量は無視できるほど小さい。ソース端子１１を介して半導体装置３からソース端子１１（第１端子）に伝わる熱と、第１導電部材３１で生じる熱とがそれぞれ電気絶縁性部材９を介して放熱部２に伝わることで、回路基板７に熱が伝わりにくくなっている。したがって、回路基板７に熱が伝わることが抑制される。しかも、第１接続ピン５１は、第１導電部材３１よりも熱伝導率が低い材料からなるため、第１導電部材３１の熱が、第１接続ピン５１を介して回路基板７に伝わりにくくなっている。さらに第１接続ピン５１の平面視の断面積は、第１導電部材３１の平面視の断面積よりも小さいので、第１導電部材３１の熱が、第１接続ピン５１を介して回路基板７に伝わりにくくなっている。

以上説明したように、本実施形態の電子部品１は、半導体装置３（素子）と、第１導電部材３１と、第２導電部材３２と、放熱部２と、回路基板７と、制御部７１と、第１接続ピン５１（第１接続部材）とを備える。半導体装置３（素子）は、ソース端子１１（第１端子）、ドレイン端子１２（第２端子）及びゲート端子１３（第３端子）を有する。半導体装置３（素子）は、ソース端子１１（第１端子）とゲート端子１３（第３端子）との間の電圧に応じてソース端子１１（第１端子）とドレイン端子１２（第２端子）との間を流れる電流Ｄ１を制御する。半導体装置３（素子）は、電流Ｄ１を制御する際に発熱する。第１導電部材３１は、第１外部接続端子４１とソース端子１１（第１端子）とを電気的に接続する。第２導電部材３２は、第２外部接続端子４２とドレイン端子１２（第２端子）とを電気的に接続する。放熱部２は、半導体装置３（素子）と熱的に結合されている。回路基板７は、半導体装置３（素子）に対して放熱部２と反対側において半導体装置３（素子）と離して配置されている。制御部７１は、回路基板７に設けられ、ソース端子１１（第１端子）とゲート端子１３（第３端子）とにそれぞれ電気的に接続されてソース端子１１（第１端子）とゲート端子１３（第３端子）との間の電圧を制御する。第１接続ピン５１（第１接続部材）は、第１導電部材３１に接続され、第１導電部材３１を介してソース端子１１（第１端子）と制御部７１との間を接続する。ソース端子１１（第１端子）は回路基板７と離して配置され、第１導電部材３１及び第２導電部材３２は放熱部２と熱的に結合されている。

上記構成によれば、回路基板７は半導体装置３と離して配置され、ソース端子１１は、回路基板７と離して配置されている。第１導電部材３１及び第２導電部材３２はそれぞれ放熱部２と熱的に結合されている。そのため、ソース端子１１と、第１導電部材３１と、第２導電部材３２とにそれぞれ電流Ｄ１が流れた際に発生する熱が回路基板７に伝わりにくくなっている。言い換えると、電子部品１は、半導体装置３に電流Ｄ１が流れた際に、ソース端子１１（第１端子）と、第１導電部材３１と、第２導電部材３２とで発生する熱が回路基板７に伝わることを抑制できる。

本実施形態では、第１接続ピン５１の断面積は、第１導電部材３１の断面積よりも小さいので、第１導電部材３１の熱が、第１接続ピン５１を介して回路基板７に伝わりにくくなっている。

本実施形態の電子部品１において、第１導電部材３１及び第２導電部材３２はそれぞれ、回路基板７と離して配置されたことが好ましい。

上記構成によれば、第１導電部材３１及び第２導電部材３２はそれぞれ、回路基板７と離して配置されているので、第１導電部材３１及び第２導電部材３２に電流Ｄ１が流れた際に生じる熱（ジュール熱）が回路基板７に伝わることをと抑制できる。

第１導電部材３１及び第２導電部材３２はそれぞれ、半導体装置３に対して回路基板７と反対側に配置されている。しかも第１導電部材３１及び第２導電部材３２は、回路基板７までの間隔よりも放熱部２までの間隔が小さく、かつ電気絶縁性部材９を介在させてあるので、第１導電部材３１及び第２導電部材３２の熱が放熱部２に伝わりやすい。そのため、第１導電部材３１及び第２導電部材３２の熱が回路基板７に伝わることが抑制される。

本実施形態の電子部品１において、第１接続ピン５１（第１接続部材）は、第１導電部材３１よりも熱伝導率が低い材料からなることが好ましい。

上記構成によれば、第１導電部材３１の熱が、第１接続ピン５１（第１接続部材）を介して回路基板７に伝わることを抑制できる。

本実施形態の電子部品１において、半導体装置３（素子）はＭＯＳＦＥＴからなり、第１端子はソース端子１１、第２端子はドレイン端子１２、第３端子はゲート端子１３であることが好ましい。

上記構成によれば、ＭＯＳＦＥＴ（パワーＭＯＳＦＥＴ）を用いることにより、第１外部接続端子４１と第２外部接続端子４２とを流れる電流Ｄ１が比較的大きい場合でも、電流Ｄ１を制御可能な電子部品１を実現できる。

本実施形態の電子装置１００は、上記した電子部品１と、電子部品１を収納する筐体６とを備えている。

上記構成によれば、電子装置１００は、上記した電子部品１を備えているので、半導体装置３に電流Ｄ１が流れた際に、ソース端子１１と、第１導電部材３１と、第２導電部材３２とで発生する熱が回路基板７に伝わることを抑制できる。

なお、本実施形態ではゲート端子１３と制御部７１とを折曲部１３０で接続しているが、例えばゲート端子１３と制御部７１とを別の導電性部材で接続してもよい。

固定部５は、第１接続ピン５１と第１導電部材３１とを電気的に接続しているが、第１接続ピン５１と第１導電部材３１とが接して電気的に接続される場合には、固定部５は、非導電部材で形成されていてもよく、第１接続ピン５１を支持できればよい。

ところで、異なる導電部材をはんだで電気的に接続する方法として、ペースト状のはんだを塗布した後にはんだと導電部材とを同時に加熱する「リフロー方式」が知られている。本実施形態では、まず回路基板７と、入力端子８１１，８１２とを除いた構成で１回目のリフロー処理を行う。次に、回路基板７に第１接続ピン５１と折曲部１３０とを通して回路素子７１１〜７１３と入力端子８１１，８１２とを配置した後に、２回目のリフロー処理を行う。

図２Ａは、固定部５及び第１接続ピン５１の正面図であり、図２Ｂはその断面図である。以降では、本実施形態における固定部５と、固定部５の変形例としての固定部５１０，５３０とを区別するために、本実施形態における固定部５を固定部５００と呼ぶ。なお、固定部５００，５１０，５３０を区別しない場合には固定部５として説明する。

固定部５００は、銅などの導電部材からなる。固定部５００は、第１導電部材３１に固定される底板５０３と、第１接続ピン５１を挟んで支持する２個で１組の挟持部５０２とを有する。挟持部５０２における底板５０３と反対側の端部にはガイド５０１が形成されている。それぞれのガイド５０１は、互いの間隔が大きくなるように形成されている。第１接続ピン５１をガイド５０１の上から底板５０３側に押し込むと、第１接続ピン５１の先端がガイド５０１の表面に接する。ガイド５０１は第１接続ピン５１の先端を挟持部５０２に導く。ガイド５０１の上から底板５０３側に押し込まれた第１接続ピン５１は、ガイド５０１の表面に沿って移動して挟持部５０２に挟まれる。１組の挟持部５０２は弾性変形した状態で第１接続ピン５１に付勢した状態で第１接続ピン５１を支持している。そのため、リフロー処理において、振動などにより第１接続ピン５１に力が加わっても、第１接続ピン５１が倒れることを抑制する。

なお、固定部５００は、板状部材を折り曲げ形成してもよい。また固定部５００は、両端が開口していてもよいし、開口部分を覆っていてもよい。

（固定部５の変形例１）
固定部５の変形例１である固定部５１０について図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明する。図３Ａは、第１接続ピン５１及び固定部５１０の正面図であり、図３Ｂはその断面図である。

固定部５１０は、導電部材からなり、角柱状に形成されている。上面には、平面視において四角形の凹部５１１が形成されている。凹部５１１の平面視の形状は、第１接続ピン５１の断面形状よりもわずかに小さい。第１接続ピン５１を凹部５１１内に押し込むことにより、凹部５１１は固定部５１０に固定される。

なお、第１接続ピン５１は、円柱状に形成されていてもよい。その場合、凹部５１１の径は、第１接続ピン５１よりもわずかに小さい径であればよい。

（固定部５の変形例２）
また、図３Ｃに示すように、凹部５１１に代えてねじ溝５１２を形成した固定部５１０を固定部５の変形例２として説明する。変形例２において、第１接続ピン５１の端には、ねじ溝５１２に対応するねじ山５４が形成されている。第１接続ピン５１をねじ溝５１２にねじ込むことにより、第１接続ピン５１が固定部５１０に固定される。なお、第１接続ピン５１におけるねじ山５４を除いた部分の形状は、円柱状でもよいし、角柱状でもよい。

（固定部５の変形例３）
固定部５の変形例３である固定部５３０について図４Ａ及び図４Ｂを参照して説明する。図４Ａは、固定部５３０の正面図であり、図４Ｂはその断面図である。

固定部５３０は、導電部材からなる。固定部５３０は、第１接続ピン５１を支持する支持部５３１と、第１導電部材３１に取り付けられる取付部５３２とを有する。支持部５３１は角柱状に形成されていて、上面には上方向に開口した凹部５３３が形成されている。凹部５３３の開口部分の断面形状は、第１接続ピン５１の断面形状よりもわずかに小さい。そのため、凹部５３３に第１接続ピン５１を押し込むことで第１接続ピン５１は支持部５３１に支持される。

取付部５３２は、支持部５３１の側面から外側に張り出していて、取付部５３２の底面全体が第１導電部材３１と接する。取付部５３２は、支持部５３１の側面から外側に張り出しているので、支持部５３１及び第１接続ピン５１を安定した状態で第１導電部材３１に取り付けることができる。

なお、第１接続ピン５１と、支持部５３１及び取付部５３２とは角柱状の他にも、例えば円柱状であってもよい。その場合、凹部５３３は、第１接続ピン５１の径よりもわずかに小さい径であればよい。

（固定部５の変形例４）
また、図４Ｃに示すように、凹部５３３に代えてねじ溝５３４を形成した固定部５３０を変形例４として説明する。変形例４において、第１接続ピン５１の端には、ねじ溝５３４に対応するねじ山５４が形成されている。第１接続ピン５１をねじ溝５３４にねじ込むことにより、第１接続ピン５１が固定部５３０に固定される。なお、第１接続ピン５１におけるねじ山５４を除いた部分の形状は、円柱状でもよいし、角柱状でもよい。

以上説明したように、変形例１〜４において、第１接続ピン５１が固定部５に固定されることにより、リフロー処理の際に第１接続ピン５１が倒れることが抑制される。そのため、回路基板７と、入力端子８１１，８１２とを除いた構成のはんだ付けを１回のリフロー処理で行うことができる。したがって、第１接続ピン５１を固定部５に取り付けるための工程を省略できるので、電子部品１及び電子装置１００の組立工数を減らすことができる。

（実施形態２）
実施形態１における半導体装置３を２個備えた電子部品１ａ及びそれを用いた電子装置１００ａについて図５Ａ及び図５Ｂを参照して説明する。図５Ａは、実施形態２に係る電子装置１００ａの平面図であり、図５Ｂは、図５ＡにおけるＣ−Ｃ線断面図である。なお、実施形態１と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

電子部品１ａは、１個の半導体装置３に代えて２個の半導体装置３ａ，３ｂを備えている。電子部品１ａは、第１導電部材３１に代えて第１導電部材３１ａを備え、第１接続ピン５１に代えて第１接続ピン５１ａを備えている。電子部品１ａは、第２導電部材３２に代えて第２導電部材３２ａを備え、回路基板７に代えて回路基板７ａを備えている。電子部品１ａは、実施形態１における第１外部接続端子４１に代えて第１外部接続端子４１ｂを備えている。電子部品１ａは、実施形態１における第２外部接続端子４２に代えて第２外部接続端子４２ｂを備えている。

第１外部接続端子４１ｂは、第１導電部材３１ａに向かって延びた延長部４１ｃを有する。延長部４１ｃは、第１導電部材３１ａにはんだにより接合されて電気的に接続されている。第２外部接続端子４２ｂは、第２導電部材３２ａに向かって延びた延長部４２ｃを有する。延長部４２ｃは、第２導電部材３２ａにはんだにより接合されて電気的に接続されている。

第１導電部材３１ａは、実施形態１における第１導電部材３１と比べて、長手方向の寸法が大きくなるように形成されている。本実施形態の第１導電部材３１ａでは、第１外部接続端子４１と第２外部接続端子４２とが並ぶ方向に沿う辺の寸法が第１導電部材３１と比べて長くなっている。第１導電部材３１ａは、第１接続ピン５１ａによって制御部７１に接続されている。第１接続ピン５１ａは、実施形態１における第１接続ピン５１よりも第２外部接続端子４２側に近い部位に設けられている。本実施形態では、第１接続ピン５１ａは、第１外部接続端子４１ｂと第２外部接続端子４２ｂとが並ぶ方向において半導体装置３ａと半導体装置３ｂとの間にある。

２個の半導体装置３ａ，３ｂはそれぞれ、第１外部接続端子４１と第２外部接続端子４２との間に電気的に並列に接続されている。２個の半導体装置３ａ，３ｂは、第１外部接続端子４１ｂと第２外部接続端子４２ｂとが並ぶ方向に並べて配置されている。２個の半導体装置３ａ，３ｂの各々のゲート端子１３は、保護部３０３から端子台６１に向く方向に張り出している。半導体装置３ａは、実施形態１におけるソース端子１１に代えて、ソース端子１１ａを有している。ソース端子１１ａは、第１導電部材３１ａに電気的に接続されている。半導体装置３ｂは、第１導電部材３１ａに電気的に接続されたソース端子１１ｂを有している。半導体装置３ａ，３ｂの各々のドレイン端子１２は、第２導電部材３２ａに電気的に接続されている。

第２導電部材３２ａは、実施形態１における第２導電部材３２よりも、第１外部接続端子４１ｂと第２外部接続端子４２ｂとが並ぶ方向に長くなるように形成されていて、半導体装置３ａ，３ｂの各々のドレイン端子１２と接している。

回路基板７ａには、半導体装置３ａ，３ｂの各々の折曲部１３０に対応する位置に孔８０８ａが形成されている。回路基板７ａには、第１接続ピン５１ａに対応する位置に、孔８０７ａが形成されている。孔８０８ａ、８０７ａのそれぞれにはランド８１０が形成されている。半導体装置３ａ，３ｂの各々の折曲部１３０と、第１接続ピン５１ａとはそれぞれ、接合部８０６によって制御部７１と電気的に接続されている。

電子部品１ａ及び電子装置１００ａは、第１外部接続端子４１と第２外部接続端子４２との間に、電気的に並列に接続された２個の半導体装置３ａ，３ｂを備えている。そのため、電子部品１ａ及び電子装置１００ａは、半導体装置を１個備えている場合よりも大きい電流を制御することができる。

（実施形態３）
実施形態１における半導体装置３を２個備えた電子部品１ｂ及びそれを用いた電子装置１００ｂについて図６Ａ及び図６Ｂを参照して説明する。電子部品１ｂは、実施形態１における２個の半導体装置３が逆直列に接続されている点が実施形態２と相違する。図６Ａは、本実施形態に係る電子装置１００ｂの平面図であり、図６Ｂは、図６ＡにおけるＣ−Ｃ線断面図である。なお、実施形態１と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

電子部品１ｂは、実施形態１における半導体装置３に代えて２個の半導体装置３ｃ，３ｄを備えている。電子部品１ｂは、実施形態１における第１導電部材３１に代えて第１導電部材３１ｂを備え、実施形態１における第１接続ピン５１に代えて第１接続ピン５１ｂを備えている。電子部品１ｂは、実施形態１における第２導電部材３２に代えて２個の第２導電部材３２ｂ，３２ｃを備え、実施形態１における回路基板７に代えて回路基板７ｂを備えている。電子部品１ｂは、実施形態１における第１外部接続端子４１に代えて第２外部接続端子４２ｄを備えている。電子部品１ｂは、実施形態１における第２外部接続端子４２に代えて第２外部接続端子４２ｆを備えている。

電子部品１ｂは、実施形態１において第１外部接続端子４１が配置されている場所に、新たに第２外部接続端子４２ｂを備え、実施形態１においてねじ８０２が配置されている場所に、新たにねじ８０１ｂを備えている。

第２外部接続端子４２ｄは、第２導電部材３２ｂに向かって延びた延長部４２ｅを有する。延長部４２ｅは、第２導電部材３２ｂにはんだにより接合されて電気的に接続されている。第２外部接続端子４２ｆは、第２導電部材３２ｃに向かって延びた延長部４２ｇを有する。延長部４２ｇは、第２導電部材３２ｃにはんだにより接合されて電気的に接続されている。

第１導電部材３１ｂは、第２外部接続端子４２ｄと第２外部接続端子４２ｆとが並ぶ方向において２個の第２外部接続端子４２の間に配置されている。第１導電部材３１ｂの上面には、上方向に突き出る棒状の第１接続ピン５１ｂが電気的に接続されている。第１接続ピン５１ｂは、固定部５ｂによって第１導電部材３１ｂに固定されている。第１接続ピン５１ｂは、制御部７１に接続されている。

第２導電部材３２ｂは、電気絶縁性部材９上に例えば銅で形成された導電層である。第２導電部材３２ｂは、平面視において第１導電部材３１ｂと重ならない四角形状に形成されている。そのため第２導電部材３２ｂと第１導電部材３１ｂとは電気的に絶縁されている。また第２導電部材３２ｂは、半導体装置３ｃの下面に配置され、ドレイン端子１２と接続されている。第２導電部材３２ｂは、第２外部接続端子４２ｂに電気的に接続されている。第２外部接続端子４２ｂの上面には、導線を接続して固定するためのねじ８０１ｂが設けられている。

第２導電部材３２ｃは、電気絶縁性部材９上に例えば銅で形成された導電層である。第２導電部材３２ｃは、平面視において第１導電部材３１ｂと重ならない四角形状に形成されている。そのため第２導電部材３２ｂと第１導電部材３１ｂとは電気的に絶縁されている。また第２導電部材３２ｃは、半導体装置３ｄの下面に配置され、ドレイン端子１２と接続されている。第２導電部材３２ｃは、第２外部接続端子４２に電気的に接続されている。

第２導電部材３２ｂ，３２ｃの大きさはそれぞれ、平面視において半導体装置３ｃ，３ｄよりも大きい。

半導体装置３ｃのソース端子１１ｃは、第１導電部材３１ｂに接続されている。ソース端子１１ｃは、第１導電部材３１ｂに近づくように第２導電部材３２ｂの上を通って折り曲げられている。

半導体装置３ｄのソース端子１１ｄは、第１導電部材３１ｂに接続されている。ソース端子１１ｄは、第１導電部材３１ｂに近づくように下方向に折り曲げられている。

回路基板７ｂは、電気絶縁性部材９と平行するように筐体６に固定されている。回路基板７ｂ上には制御部７１が設けられている。回路基板７ｂには、第１接続ピン５１ｂを通す孔８０７ｂと、２本の折曲部１３０をそれぞれ通すための２個の孔８０８ｂが設けられている。孔８０７ｂ，８０８ｂの周辺にはそれぞれ、ランド８１０が形成されている。第１接続ピン５１ｂとランド８１０とは接合部８０６で接続されている。

半導体装置３ｃ，３ｄのそれぞれのソース端子１１ｃ，１１ｄは、互いに共通する第１導電部材３１ｂに接続されている。したがって半導体装置３ｃ，３ｄは、第１導電部材３１ｂを介して第２外部接続端子４２，４２ｂ間において逆直列に接続されている。半導体チップ３００を構成するＭＯＳＦＥＴチップは、寄生ダイオードを備えている。したがって、電子部品１ｂ及び電子装置１００ｂでは、半導体装置３ｃ，３ｄが逆直列に接続されていることにより、双方向の電流Ｄ１を制御することができる。具体的に言うと、第２導電部材３２ｂから第１導電部材３１ｂに流れる電流Ｄ１については半導体装置３ｃで制御できる。また、第２導電部材３２ｃから第１導電部材３１ｂに流れる電流Ｄ１については半導体装置３ｄで制御できる。

（実施形態４）
ゲート端子１３ｅが放熱部２と熱的に結合された電子部品１ｃ及びそれを用いた電子装置１００ｃについて図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明する。図７Ａは、本実施形態に係る電子装置１００ｃの平面図であり、図７Ｂは、図７ＡにおけるＣ−Ｃ線断面図である。なお、実施形態１と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

電子部品１ｃは、実施形態１における回路基板７に代えて回路基板７ｃを備えている。電子部品１ｃは、実施形態１における第２外部接続端子４２に代えて第２外部接続端子４２ｈを備えている。電子部品１ｃは、第３導電部材３３をさらに備えている。第３導電部材３３は、回路基板７ｃと離して配置され、かつ放熱部２と熱的に結合されている。

第２外部接続端子４２ｈは、第２導電部材３２ｄに向かって延びた延長部４２ｋを有する。延長部４２ｋは、第２導電部材３２ｄにはんだにより接合されて電気的に接続されている。

半導体装置３ｅは、実施形態１におけるゲート端子１３に代えてゲート端子１３ｅを有している。ゲート端子１３ｅは、ワイヤ３０２によって半導体チップ３００のゲート電極と接続されている。ゲート端子１３ｅの先端部分は、下方向に折り曲げられて第３導電部材３３に接続されている。つまりゲート端子１３ｅは、回路基板７と離して配置されている。

第２導電部材３２ｄは、電気絶縁性部材９上に例えば銅で形成された導電層である。第２導電部材３２ｄは、平面視において第１導電部材３１及び第３導電部材３３と重ならない四角形状に形成されている。そのため第２導電部材３２ｄと第１導電部材３１、及び第２導電部材３２ｄと第３導電部材３３とはそれぞれ電気的に絶縁されている。第２導電部材３２ｄは、半導体装置３ｅの下面に配置され、ドレイン端子１２と接続されている。第２導電部材３２ｄにおける平面視の大きさは、半導体装置３ｅよりも大きい。

第３導電部材３３は、電気絶縁性部材９上に例えば銅で形成された導電層である。第３導電部材３３は四角形状に形成されている。第３導電部材３３は、電気絶縁性部材９を介して放熱部２と熱的に結合されている。第３導電部材３３には、ゲート端子１３ｅと、第２接続ピン５３ｅ（第２接続部材）とが接続されている。

第２接続ピン５３ｅは、棒状に形成されている。第２接続ピン５３ｅは、第３導電部材３３の上面から上方向に張り出している。第２接続ピン５３ｅは、固定部５ｅに固定されている。固定部５ｅは、第２接続ピン５３ｅを支持する。また固定部５ｅは、第２接続ピン５３ｅと第３導電部材３３とを電気的に接続している。したがって、第２接続ピン５３ｅは、第３導電部材３３と制御部７１とを電気的に接続している。第２接続ピン５３ｅにおいて第３導電部材３３の上面と平行する面の断面積は第３導電部材３３が電気絶縁性部材９と接する面積よりも小さくなっている。そのため、第２接続ピン５３ｅの熱抵抗は、第３導電部材３３と放熱部２との間の熱抵抗よりも大きくなっている。したがって、第３導電部材３３の熱は、第２接続ピン５３ｅを介して回路基板７に伝わるよりも、電気絶縁性部材９を介して放熱部２に伝わりやすくなっている。

回路基板７ｃは、電気絶縁性部材９と平行するように筐体６に固定されている。回路基板７ｃには制御部７１が設けられている。回路基板７ｃには、第１接続ピン５１（第１接続部材）を通す孔と、第２接続ピン５３ｅを通すための孔８０８ｃとが設けられている。孔８０８ｃの周辺にはランド８１０が形成されている。第２接続ピン５３ｅとランド８１０とは接合部８０６で接続されている。

第２接続ピン５３ｅは、第３導電部材３３よりも熱伝導率が低い材料（例えばアルミニウムや真鍮など）からなる。そのため、第２接続ピン５３ｅは、半導体チップ３００及びドレイン端子１２の熱がゲート端子１３ｅに伝わった際に、その熱を回路基板７に伝えにくくしている。さらに、ゲート端子１３ｅに熱（ジュール熱）が生じた場合であっても、第３導電部材３３が電気絶縁性部材９を介してその熱を放熱部２に伝えるので、熱が回路基板７に伝わりにくくなる。

以上説明したように、本実施形態の電子部品１ｃは、第３導電部材３３と、第２接続ピン５３ｅ（第２接続部材）とを備えていることが好ましい。第３導電部材３３は、回路基板７と離して配置され、かつ放熱部２と熱的に結合されている。第２接続ピン５３ｅ（第２接続部材）は、第３導電部材３３に接続され、第３導電部材３３を介してゲート端子１３ｅ（第３端子）と制御部７１とを電気的に接続している。

上記構成によれば、半導体チップ３００及びドレイン端子１２の熱がゲート端子１３ｅに伝わった際に、その熱が第３導電部材３３と電気絶縁性部材９とを介して放熱部２に伝わるので、半導体装置３ｅの熱が回路基板７ｃに伝わりにくくなる。

ゲート端子１３ｅに熱（ジュール熱）が生じた場合であっても、第３導電部材３３が電気絶縁性部材９を介してその熱を放熱部２に伝えるので、その熱が回路基板７に伝わりにくくなる。

本実施形態の電子部品１ｃにおいて、第２接続ピン５３ｅ（第２接続部材）は、第３導電部材３３よりも熱伝導率が低い材料からなることが好ましい。

上記構成によれば、第２接続ピン５３ｅは、第３導電部材３３よりも熱伝導率が低い材料からなるので、第３導電部材３３の熱を回路基板７に伝えにくくすることができる。

なお、固定部５ｅを、実施形態１で説明した固定部５の変形例１〜４と同様に構成してもよい。また固定部５ｅの変形例に合わせて第２接続ピン５３ｅを、実施形態１における第１接続ピン５１の変形例１〜４と同様に構成してもよい。

第３導電部材３３は、一例として、電気絶縁性部材９上に例えば銅で形成された導電層であるが、他の例として、板状部材でもよい。また、第３導電部材３３の材料は、銅以外の導体であってもよい。

本実施形態の構成を、実施形態１〜３に適用可能である。

（変形例１）
以下、実施形態１における半導体装置３を２個備えた電子部品１ｄ及びそれを用いた電子装置１００ｄを変形例１として図８を参照して説明する。図８は、本変形例に係る電子装置１００ｄの平面図である。図８において、説明をわかりやすくするために、半導体装置３ｆ，３ｇの上面よりも上側の部材を破線で図示している。なお、実施形態１と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

電子部品１ｄは、実施形態１における第１外部接続端子４１に代えて第１外部接続端子４１ｄを備えている。第１外部接続端子４１ｄは、第１導電部材３１ｃに向かって延びた延長部４１ｅを有する。延長部４１ｅは、第１導電部材３１ｃにはんだにより接合されて電気的に接続されている。

電子部品１ｄは、実施形態１における第２外部接続端子４２に代えて第２外部接続端子４２ｍを備えている。第２外部接続端子４２ｍは、第２導電部材３２ｅに向かって延びた延長部４２ｎを有する。延長部４２ｎは、第２導電部材３２ｅにはんだにより接合されて電気的に接続されている。

電子部品１ｄは、第３導電部材３３ａ，３３ｂを備えている。第３導電部材３３ａ，３３ｂはそれぞれ、電気絶縁性部材９上に例えば銅で形成された導電層である。第３導電部材３３ａ，３３ｂはそれぞれ、四角形状に形成されている。第３導電部材３３ａは、第１外部接続端子４１ｄと第２外部接続端子４２ｍとが並ぶ方向において第１導電部材３１ｃと第２導電部材３２ｅとの間に配置されている。第３導電部材３３ａと、第１導電部材３１ｃと、第２導電部材３２ｅとはそれぞれ離れて配置されているので、互いに電気的に絶縁されている。第３導電部材３３ｂは、第１外部接続端子４１ｄと入力端子８１２とが並ぶ方向において第１導電部材３１ｃと第２導電部材３２ｅとの間に配置されている。第３導電部材３３ｂと、第１導電部材３１ｃと、第２導電部材３２ｅとはそれぞれ離れて配置されているので、互いに電気的に絶縁されている。

第３導電部材３３ａ，３３ｂは、電気絶縁性部材９を介して放熱部２と熱的に結合されている。第３導電部材３３ａには、ゲート端子１３ｇと、第２接続ピン５３ａとが接続されている。ゲート端子１３ｇは、第２導電部材３２ｅの上を通って前方向に折り曲げられ、かつ第３導電部材３３ａに向かって折り曲げられている。第３導電部材３３ｂには、ゲート端子１３ｆと、第２接続ピン５３ｂとが接続されている。ゲート端子１３ｆは、第３導電部材３３ｂに向かって折り曲げられている。

第２接続ピン５３ａ，５３ｂはそれぞれ、断面形状が正方形の棒状に形成されている。第２接続ピン５３ａは、第３導電部材３３ａの上面から上方向に張り出している。第２接続ピン５３ａは、第３導電部材３３ａと電気的に接続されている。第２接続ピン５３ｂは、第３導電部材３３ｂと電気的に接続されている。第２接続ピン５３ａ，５３ｂはそれぞれ、制御部７１に電気的に接続されている。

電子部品１ｄは、１個の半導体装置３に代えて２個の半導体装置３ｆ，３ｇを備えている。電子部品１ｄは、第１導電部材３１に代えて第１導電部材３１ｃを備え、第１接続ピン５１に代えて第１接続ピン５１ｃを備えている。電子部品１ｄは、第２導電部材３２に代えて第２導電部材３２ｅを備え、回路基板７に代えて回路基板７ｄを備えている。

第１導電部材３１ｃは、実施形態１における第１導電部材３１と比べて、第１外部接続端子４１ｄと第２外部接続端子４２ｍとが並ぶ方向の寸法が大きくなるように形成されている。第１導電部材３１ｃは、第１接続ピン５１ｃによって制御部７１に接続されている。

２個の半導体装置３ｆ，３ｇはそれぞれ、第１外部接続端子４１と第２外部接続端子４２との間に電気的に並列に接続されている。２個の半導体装置３ｆ，３ｇは、第１外部接続端子４１ｄと第２外部接続端子４２ｍとが並ぶ方向に並べて配置されている。２個の半導体装置３ｆ，３ｇのそれぞれのゲート端子１３ｆ，１３ｇは、保護部３０３から端子台６１に向く方向に張り出している。ゲート端子１３ｆは、第３導電部材３３ｂと電気的に接続されている。ゲート端子１３ｇは、第３導電部材３３ａと電気的に接続されている。半導体装置３ｆは、実施形態１におけるソース端子１１に代えて、ソース端子１１ｆを有している。ソース端子１１ｆは、第１導電部材３１ｃに接続されている。半導体装置３ｇは、第１導電部材３１ｃに接続されたソース端子１１ｇを有している。半導体装置３ｆ，３ｇの各々のドレイン端子１２は、第２導電部材３２ｅに接続されている。

第２導電部材３２ｅは、実施形態１における第２導電部材３２よりも、第１外部接続端子４１ｄと第２外部接続端子４２ｍとが並ぶ方向に長くなるように形成されていて、半導体装置３ｆ，３ｇの各々のドレイン端子１２と接している。第２導電部材３２ｅの平面視における断面積は、半導体装置３ｆ，３ｇを合わせた面積よりも大きい。

回路基板７ｄには、第１接続ピン５１ｂと、第２接続ピン５３ａ，５３ｂとのそれぞれに対応する位置に孔が形成されていて、それぞれの孔の周囲にはランドが形成されている。第１接続ピン５１ｂと、第２接続ピン５３ａ，５３ｂとはそれぞれ、接合部８０６によって制御部７１（図７Ｂ参照）に電気的に接続されている。

電子部品１ｄ及び電子装置１００ｄは、第１外部接続端子４１と第２外部接続端子４２との間に、電気的に並列に接続された２個の半導体装置３ｆ，３ｇを備えている。そのため、電子部品１ｄ及び電子装置１００ｄは、半導体装置を１個備えている場合よりも大きい電流を制御することができる。

半導体装置３ｆ，３ｇの熱がそれぞれ、ゲート端子１３ｆ，１３ｇに伝わった際に、その熱がそれぞれ第３導電部材３３ｂ，３３ａを介して放熱部２に伝わるので、半導体装置３ｆ，３ｇの熱が回路基板７ｄに伝わりにくくなる。

（変形例２）
実施形態１における半導体装置３を２個備えた電子部品１ｅ及びそれを用いた電子装置１００ｅについて図９を参照して説明する。電子部品１ｅは、実施形態１における２個の半導体装置３が逆直列に接続されている点が本実施形態の変形例１と相違する。図９は、本実施形態に係る電子装置１００ｅの平面図である。図９において、説明をわかりやすくするために、半導体装置３ｈ，３ｋの上面よりも上側の部材を破線で図示している。なお、実施形態１及び本実施形態の変形例１と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

電子部品１ｅは、実施形態１における半導体装置３に代えて２個の半導体装置３ｈ，３ｋを備えている。電子部品１ｅは、実施形態１における第１導電部材３１に代えて第１導電部材３１ｄを備え、実施形態１における第１接続ピン５１に代えて第１接続ピン５１ｄを備えている。電子部品１ｅは、実施形態１における第２導電部材３２に代えて２個の第２導電部材３２ｆ，３２ｇを備え、実施形態１における回路基板７に代えて回路基板７ｅを備えている。電子部品１ｅは、実施形態１における第１外部接続端子４１に代えて第２外部接続端子４２ｐを備えている。電子部品１ｅは、実施形態１における第２外部接続端子４２に代えて第２外部接続端子４２ｒを備えている。

電子部品１ｅは、実施形態１において第１外部接続端子４１が配置されている場所に、新たに第２外部接続端子４２ｐを備え、実施形態１においてねじ８０２が配置されている場所に、新たにねじ８０１ｂを備えている。

第２外部接続端子４２ｐは、第２導電部材３２ｆに向かって延びた延長部４２ｑを有する。延長部４２ｑは、第２導電部材３２ｆにはんだにより接合されて電気的に接続されている。第２外部接続端子４２ｒは、第２導電部材３２ｇに向かって延びた延長部４２ｓを有する。延長部４２ｓは、第２導電部材３２ｇにはんだにより接合されて電気的に接続されている。

電子部品１ｅは、第３導電部材３３ａ，３３ｂを備えている。第３導電部材３３ａは、第２外部接続端子４２ｒと第２外部接続端子４２ｐとが並ぶ方向において第１導電部材３１ｄと第２導電部材３２ｇとの間に配置されている。第３導電部材３３ａと、第１導電部材３１ｄと、第２導電部材３２ｇとはそれぞれ離れて配置されているので、互いに電気的に絶縁されている。

第３導電部材３３ｂは、第２外部接続端子４２ｐと入力端子８１２とが並ぶ方向において第１導電部材３１ｄと第２導電部材３２ｆとの間に配置されている。第３導電部材３３ｂと、第１導電部材３１ｄと、第２導電部材３２ｆとはそれぞれ離れて配置されているので、互いに電気的に絶縁されている。

ゲート端子１３ｇは、第２導電部材３２ｇの上を通って前方向に折り曲げられ、かつ第３導電部材３３ａに向かって折り曲げられている。

第３導電部材３３ｂには、ゲート端子１３ｈと、第２接続ピン５３ｂとが接続されている。ゲート端子１３ｈは、第３導電部材３３ｂに向かって折り曲げられている。

第１導電部材３１ｄは、第２外部接続端子４２ｒと第２外部接続端子４２ｐとが並ぶ方向において２個の第２外部接続端子４２の間に配置されている。第１導電部材３１ｄの上面には、上方向に突き出る棒状の第１接続ピン５１ｄが電気的に接続されている。第１接続ピン５１ｄは第１導電部材３１ｄに固定された状態で制御部７１に接続されている。

第２導電部材３２ｆは、電気絶縁性部材９上に銅で形成された導電層である。第２導電部材３２ｆは、平面視において第１導電部材３１ｄと第３導電部材３３ｂとに重ならない四角形状に形成されている。そのため第２導電部材３２ｆと第１導電部材３１ｄと第３導電部材３３ｂとは電気的に絶縁されている。また第２導電部材３２ｆは、半導体装置３ｈの下面に配置され、ドレイン端子１２と接続されている。第２導電部材３２ｆは、第２外部接続端子４２ｂに電気的に接続されている。第２外部接続端子４２ｂの上面には、導線を接続して固定するためのねじ８０１ｂが設けられている。

第２導電部材３２ｇは、電気絶縁性部材９上に銅で形成された導電層である。第２導電部材３２ｇは、平面視において第１導電部材３１ｄと第３導電部材３３ａとに重ならない四角形状に形成されている。そのため第２導電部材３２ｆと第１導電部材３１ｄと第３導電部材３３ａとは電気的に絶縁されている。また第２導電部材３２ｇは、半導体装置３ｋの下面に配置され、ドレイン端子１２と接続されている。第２導電部材３２ｇは、第２外部接続端子４２に電気的に接続されている。第２導電部材３２ｇの平面視における断面積は、半導体装置３ｈ，３ｋを合わせた面積よりも大きい。

半導体装置３ｈのソース端子１１ｈは、第１導電部材３１ｄに接続されている。

ソース端子１１ｈは、第２導電部材３２ｆの上を通って第１導電部材３１ｄに向かって折り曲げられている。

半導体装置３ｋのソース端子１１ｋは、第１導電部材３１ｄに接続されている。ソース端子１１ｋは、第１導電部材３１ｄに近づくように下方向に折り曲げられている。

回路基板７ｅには、第１接続ピン５１ｄと、第２接続ピン５３ａ，５３ｂとのそれぞれに対応する位置に孔が形成されていて、それぞれの孔の周囲にはランドが形成されている。第１接続ピン５１ｄと、第２接続ピン５３ａ，５３ｂとはそれぞれ、接合部８０６によって制御部７１（図７Ｂ参照）に電気的に接続されている。

半導体装置３ｈ，３ｋのそれぞれのソース端子１１ｈ，１１ｋは、互いに共通する第１導電部材３１ｄに接続されている。したがって半導体装置３ｈ，３ｋは、第１導電部材３１ｄを介して第２外部接続端子４２，４２ｂ間において逆直列に接続されている。半導体チップ３００を構成するＭＯＳＦＥＴチップは、寄生ダイオードを備えている。したがって、電子部品１ｄ及び電子装置１００ｄでは、半導体装置３ｆ，３ｇが逆直列に接続されていることにより、双方向の電流Ｄ１を制御することができる。具体的に言うと、第２導電部材３２ｆから第１導電部材３１ｄに流れる電流Ｄ１については半導体装置３ｈで制御できる。また、第２導電部材３２ｇから第１導電部材３１ｄに流れる電流Ｄ１については半導体装置３ｋで制御できる。

半導体装置３ｈ，３ｋの熱がそれぞれ、ゲート端子１３ｈ，１３ｇに伝わった際に、その熱がそれぞれ第３導電部材３３ｂ，３３ａを介して放熱部２に伝わるので、半導体装置３ｈ，３ｋの熱が回路基板７ｅに伝わりにくくなる。

なお、実施形態２，３，４において、素子を２個備えた電子部品及び電子装置を例に説明したが、素子の個数は３個以上であってもよい。

実施形態１〜４において、素子がＭＯＳＦＥＴからなる例について説明したが、素子は、例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタなどの半導体素子であってもよい。半導体素子が絶縁ゲートバイポーラトランジスタである場合、双方向の電流を制御するためにパッケージ内に回生用のダイオードを備えていてもよい。

第３導電部材３３，３３ａ，３３ｂは、一例として、電気絶縁性部材９上に例えば銅で形成された導電層であるが、他の例として、板状部材でもよい。また、第３導電部材３３，３３ａ，３３ｂの材料は、銅以外の導体であってもよい。

第１導電部材３１，３１ａ〜３１ｄと、第２導電部材３２，３２ａ〜３２ｇと、第３導電部材３３，３３ａ，３３ｂとはそれぞれ、単相構造に限らず、多層構造でもよい。

実施形態１及びその変形例１〜４と、実施形態２，３と、実施形態４及びその変形例１，２とにおいて説明する各図は、模式的な図であり、各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

１，１ａ〜１ｅ 電子部品
２ 放熱部
３，３ａ〜３ｇ 半導体装置（素子）
６ 筐体
７，７ａ〜７ｅ 回路基板
７１ 制御部
１１，１１ａ〜１１ｄ，１１ｆ，１１ｇ，１１ｈ，１１ｋ ソース端子（第１端子）
１２ ドレイン端子（第２端子）
１３，１３ｅ〜１３ｈ ゲート端子（第３端子）
３１，３１ａ〜３１ｄ 第１導電部材
３２，３２ａ〜３２ｇ 第２導電部材
３３，３３ａ，３３ｂ 第３導電部材
４１，４１ｂ，４１ｄ 第１外部接続端子
４２，４２ｂ，４２ｄ，４２ｆ，４２ｈ，４２ｍ，４２ｐ，４２ｒ 第２外部接続端子
５１，５１ａ〜５１ｄ 第１接続ピン（第１接続部材）
５３ａ，５３ｂ，５３ｅ 第２接続ピン（第２接続部材）
７１ 制御部
１００，１００ａ〜１００ｅ 電子装置

Claims (7)

1. 第１端子、第２端子及び第３端子を有し、前記第１端子と前記第３端子との間の電圧に応じて前記第１端子と前記第２端子との間を流れる電流を制御し、前記電流を制御する際に発熱する素子と、
   第１外部接続端子と前記第１端子とを電気的に接続する第１導電部材と、
   第２外部接続端子と前記第２端子とを電気的に接続する第２導電部材と、
   前記素子と熱的に結合された放熱部と、
   前記素子に対して前記放熱部と反対側において前記素子と離して配置された回路基板と、
   前記回路基板に設けられ、前記第１端子と前記第３端子とにそれぞれ電気的に接続されて前記第１端子と前記第３端子との間の電圧を制御する制御部と、
   前記第１導電部材に接続され、前記第１導電部材を介して前記第１端子と前記制御部との間を接続した第１接続部材と
   を備え、
   前記第１端子は前記回路基板と離して配置され、
   前記第１導電部材及び前記第２導電部材は前記放熱部と熱的に結合された
   ことを特徴とする電子部品。
2. 前記第１導電部材及び前記第２導電部材はそれぞれ、前記回路基板と離して配置された
   ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 前記回路基板と離して配置され、かつ前記放熱部と熱的に結合された第３導電部材と、
   前記第３導電部材に接続され、前記第３導電部材を介して前記第３端子と前記制御部とを電気的に接続した第２接続部材と
   をさらに備えた
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
4. 前記第２接続部材は、前記第３導電部材よりも熱伝導率が低い材料からなる
   ことを特徴とする請求項３に記載の電子部品。
5. 前記第１接続部材は、前記第１導電部材よりも熱伝導率が低い材料からなる
   ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の電子部品。
6. 前記素子はＭＯＳＦＥＴからなり、
   前記第１端子はソース端子、前記第２端子はドレイン端子、前記第３端子はゲート端子である
   ことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の電子部品。
7. 請求項１〜６の何れか１項に記載の電子部品と、
   前記電子部品を収納する筐体と
   を備えた
   ことを特徴とする電子装置。

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