JP2017033813A - バンク補修方法、有機el表示装置の製造方法および有機el表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
有機EL表示パネルにおいて、各有機EL素子は、陽極と陰極の一対の電極対の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発光する電流駆動型の発光素子である。
また、陽極と発光層との間には、ホール注入層、ホール輸送層、ホール注入兼輸送層といった有機層が必要に応じて介挿され、陰極と発光層との間にも、必要に応じて電子注入層、電子輸送層または電子注入兼輸送層が介挿されている。
フルカラー表示の有機EL表示パネルにおいては、このような有機EL素子が、RGB各色のサブピクセルを形成し、隣り合うRGBのサブピクセルが合わさって一画素が形成されている。
そこで、欠陥が生じたバンクを補修することによって、表示パネルにおける表示不良の発生を抑える技術が求められる。
さらに、I<α×Hの関係を満たす場合には、仮形成位置に堰部を形成するので、平面視での混色領域の面積をできるだけ小さくすることができ、表示色不良による表示不良を抑制することができる。
フラットディスプレイ基板の製造技術において、例えば、特許文献1には、隔壁を形成後、インク塗布前に、隔壁における決壊箇所の周囲の一部を除去し、除去した箇所に溌インク性のポリマーからなる隔壁修正液を塗布して、決壊箇所を修復する技術が開示されている。
バンクが部分的に決壊している場合は、引用文献1のような技術を用いて決壊部分の修復をし、修復後にインクを塗布すれば、互いに異なるインクの混合を防止することができると考えられる。
また、本願発明者の考察によると、現状の有機EL表示装置においてもバンクの幅は20μm以下とかなり狭く、今後、画素の高精細化が進むにつれてバンクの幅がさらに狭くなることが予想されることから、バンクの決壊箇所や異物に塗布針を正確に位置合わせして補修するのも、より難しくなると予想される。また、補修が精細になればなるほど、補修に要する時間も長くなる。
そして、バンクの欠陥部自体を補修しなくても、欠陥部の周辺の凹空間の中に堰を設けて、当該凹空間を、欠陥部に近接する第1空間と、欠陥部に近接しない第2空間とに仕切ることによって、異なるインク同士が混ざり合って混色が生じたインクを第1空間内に閉じ込めることができる。これにより、混色インクの領域が広がるのを抑えることができ、発光色不良による表示不良の問題を解決できることを見出した。
≪本発明の一態様の概要≫
本発明の一態様にかかるバンク補修方法は、基板と、前記基板上において当該基板の上面に沿った第1方向にそれぞれが長尺で、前記第1方向と交差し前記基板の上面に沿った第2方向に互いに間隔をあけて配された複数の第1バンクと、前記第2方向にそれぞれが長尺で前記第1方向に互いに間隔をあけて配された複数の第2バンクと、前記複数の第1バンクによって区画された前記基板上の空間である複数の凹空間に形成された発光層と、を有する有機EL表示装置を製造する過程において、前記第1バンクにおける欠陥部を検出し、欠陥部が検出された場合に、前記検出された欠陥部の前記第2方向における両側に隣接する凹空間のそれぞれにおいて、前記欠陥部に近接する第1空間と、前記欠陥部に近接しない第2空間とに仕切る堰部の仮形成位置を設定し、隣り合う前記第1バンクと隣り合う前記第2バンクとで規定される領域をサブピクセル領域として、平面視で、1つの前記サブピクセル領域の面積をHとし、前記仮形成位置の前記堰部によって仕切られる前記欠陥部に近接する空間部分である仮第1空間と前記サブピクセル領域とが重なる重なり領域の面積をIとすると、平面視で、前記仮第1空間と前記第2バンクとが重ならない場合に、I<α×H(0.05<α<0.9)の関係を満たす場合には、前記仮形成位置に、第1形成方法により前記堰部を形成することとする。
さらに、I<α×Hの関係を満たす場合には、仮形成位置に堰部を形成するので、平面視での混色領域の面積をできるだけ小さくすることができ、表示色不良による表示不良を抑制することができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記第2バンクは、前記第1バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、平面視で、前記仮第1空間と前記第2バンクとが重ならない場合又は、前記仮第1空間の前記第1方向における両端のうちの一方が前記第2バンクと重なる場合であって、α×H≦Iの関係を満たす場合には、前記両側に隣接する凹空間のそれぞれにおいて、前記仮形成位置の前記堰部に代えて、平面視で、前記欠陥部を前記第1方向に挟んで隣り合う前記第2バンク上に、前記欠陥部が存在する前記第1バンクからその隣の前記第1バンクに前記第2方向に沿って亘る形状の一対の堰からなる前記堰部を、前記第1形成方法よりも形成スピードが速い第2形成方法により形成してもよい。
これにより、堰部を容易に形成することができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、平面視で、前記仮形成位置の前記第1方向における両端のうちの一方が、前記第2バンクと重なる場合には、前記両端のうちの前記一方と重なる前記第2バンク上に、前記一対の堰の前記一方を、前記第2形成方法により形成し、I<α×Hの関係を満たす場合には、前記一対の堰の他方を、当該他方の前記仮形成位置に、前記第1形成方法により形成してもよい。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、平面視で、前記仮第1空間が、前記第2バンク及び当該第2バンクの前記第1方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なる場合に、前記両側のサブピクセル領域のうち、前記第1方向における一端側の前記サブピクセル領域と前記仮第1空間とが重なる領域の平面視での面積をIaとし、他端側の前記サブピクセル領域と前記第1空間とが重なる領域の平面視での面積をIbとすると、Ia<α×Hの関係を満たす場合には、前記一対の堰のうち前記一端側の堰を、当該一端側の堰の前記仮形成位置に、前記第1形成方法により形成し、α×H≦Iaの関係を満たす場合には、前記仮第1空間と重なる前記第2バンクの前記一端側に隣り合う前記第2バンク上に、前記一対の堰のうちの前記一端側の堰を、前記第2形成方法により形成し、Ib<α×Hの関係を満たす場合には、前記一対の堰のうち前記他端側の堰を、当該他端側の堰の前記仮形成位置に、前記第1形成方法により形成し、α×H≦Ibの関係を満たす場合には、前記仮第1空間と重なる前記第2バンクの前記他端側に隣り合う前記第2バンク上に、前記一対の堰のうちの前記他端側の堰を、前記第2形成方法により形成してもよい。
これにより、堰部を容易に形成することができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記一対の堰は、互いに平行であって、前記第2方向と交差してもよい。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記一対の堰は、互いに離間しており、前記欠陥部が存在する前記第1バンクから遠ざかるにつれて互いに近接する形状であってもよい。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記堰部は、前記欠陥部が存在する前記第1バンクにおいて、前記欠陥部を前記第1方向に挟む2点の一方から、前記欠陥部を迂回して他方に亘る形状であってもよい。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、平面視で、前記仮第1空間の前記第1方向における両端の一方が前記第2バンクと重なる場合であって、I<α×Hの関係を満たす場合には、前記仮形成位置に、前記第1形成方法により前記堰部を形成してもよい。
da<α×Lの関係を満たす場合には、仮第1空間の一端の位置に、一対の堰の一端側を第1形成方法により形成することにより、一端側のサブピクセル領域における混色領域の面積がα×Hよりも小さく抑えられるので、暗点として認識されるのを防ぐことができる。
これにより、堰部により囲まれた混色領域の面積をより小さくすることができ、表示不良を抑制することができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記堰部は、前記隣の前記第1バンクと離間していてもよい。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記堰部の形成の際に、前記欠陥部が存在する前記第1バンク及びその隣の前記第1バンクのそれぞれにおいて、前記堰部と接する部分に、当該部分の上部から上方に突出する突状部をさらに形成してもよい。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記第1バンクと前記第2バンクの前記基板の上面からの高さが同じであり、α×H≦Iの関係を満たす場合には、当該サブピクセル領域については、前記堰部を形成しなくてもよい。
これにより、正確な位置に、正確な形状で堰部を形成することができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記第2形成方法は、ノズルディスペンサを用いて堰部を形成する方法であってもよい。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、α=0.2であってもよい。
一般に、サブピクセル領域の面積の20%以上が混色領域となる場合に、人間の目には当該サブピクセル領域は暗点と判断される。基準値α=0.2とすることにより、堰部の形成位置および形成方歩について、より効率よく設定することができる。
本発明の別の一態様に係る有機EL表示装置は、基板と、前記基板上において当該基板の上面に沿った第1方向に長尺で、前記第1方向に直交し前記基板の上面に沿った第2方向に互いに間隔をあけて配された複数の第1バンクと、前記第2方向に長尺で前記第1方向に互いに間隔をあけて配された複数の第2バンクと、前記複数の第1バンクによって区画された前記基板上の空間である複数の凹空間に形成された発光層と、を有する有機EL表示装置であって、前記複数の第1バンクのうち少なくとも1つは、異物又は欠損に起因する欠陥部を有し、前記第1バンクにおいて前記欠陥部が存在する部分の前記第2方向における両側に隣接する前記凹空間のそれぞれの中に、前記発光層を、前記欠陥部に近接する部分からなる第1発光層と、前記欠陥部に近接しない部分からなる第2発光層とに仕切る堰部を有することとする。
これにより、混色が生じた発光層の部分は、第2発光層の範囲に留められ、混色領域の面積ができるだけ小さく抑えられ、表示不良が抑制された有機EL表示装置を得ることができる。
本発明の別の一態様に係る有機EL表示装置の特定の局面においては、前記第2バンクは、前記第1バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、隣り合う前記第1バンクと隣り合う前記第2バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とすると、平面視で、前記第1発光層が、前記第2バンク及び当該第2バンクの前記第1方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なっており、平面視で、1つの前記サブピクセル領域の面積をHとし、前記両側のサブピクセル領域のうち、前記第1発光層の前記第1方向における一端側のサブピクセル領域と前記第1発光層とが重なる領域の平面視での面積をIaとし、他端側のサブピクセル領域と前記第1発光層とが重なる領域の平面視での面積をIbとすると、Ia<α×H、且つ、Ib<α×Hであって、前記堰部の幅は、第1幅であってもよい。
本発明の別の一態様に係る有機EL表示装置の特定の局面においては、前記堰部は、前記両側に隣接する凹空間のそれぞれにおいて、前記欠陥部を前記第1方向に挟む前記第1バンク上の2点のそれぞれから、前記欠陥部が存在する前記第1バンクの隣の前記第1バンクに亘る形状で、幅が第1幅である一対の第1堰から成ってもよい。
本発明の別の一態様に係る有機EL表示装置の特定の局面においては、前記一対の第1堰は、それぞれ前記第2方向に沿った形状であってもよい。
これにより、堰部の形成が容易である。
本発明の別の一態様に係る有機EL表示装置の特定の局面においては、前記一対の前記第1堰は、互いに平行であって、前記第2方向と交差してもよい。
本発明の別の一態様に係る有機EL表示装置の特定の局面においては、前記一対の前記第1堰は、互いに離間しており、前記欠陥部が存在する前記第1バンクから遠ざかるにつれて互いに近接する形状であってもよい。
これにより、発光層の混色した部分である第1発光層が、欠陥部を迂回して囲む形状の堰部により囲まれた領域内に収められるため、混色領域の面積ができるだけ小さく抑えられ、表示不良が抑制された有機EL表示装置を得ることができる。
これにより、混色領域である第1発光層が、堰部により囲まれた領域内に収められるため、混色領域の面積ができるだけ小さく抑えられ、表示不良が抑制された有機EL表示装置を得ることができる。
これにより、第1発光層の面積をより小さくすることができ、より効果的に表示不良が抑制された有機EL表示装置を得ることができる。
本発明の別の一態様に係る有機EL表示装置の特定の局面においては、前記第2バンクは、前記第1バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、隣り合う前記第1バンクと隣り合う前記第2バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とすると、平面視で、前記第1発光層が、前記第2バンク及び当該第2バンクの前記第1方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なっており、前記堰部は、幅が第1幅であって、前記欠陥部が存在する前記第1バンクにおいて、前記欠陥部を前記第1方向に挟む2点の一方から、前記欠陥部を迂回して前記2点の他方に亘る形状であり、平面視で、1つの前記サブピクセル領域の面積をHとし、前記両側のサブピクセル領域のうち、前記第1方向における一端側の前記サブピクセル領域と前記第1発光層とが重なる領域の平面視での面積をIaとし、前記第1方向における他端側の前記サブピクセル領域と前記第1発光層とが重なる領域の平面視での面積をIbとし、前記サブピクセル領域の前記第1方向の長さをLとし、前記またがって重なる前記第2バンクの前記一端側の端部と前記仮第1空間の前記一端側の端部との間の前記第1方向の距離をdaとすると、Ia<α×H、且つ、α×H≦Ib、且つ、α×L≦daであってもよい。
本発明の別の一態様に係る有機EL表示装置の特定の局面においては、前記第2バンクは、前記第1バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、隣り合う前記第1バンクと隣り合う前記第2バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とすると、平面視で、前記第1発光層が、前記第2バンク及び当該第2バンクの前記第1方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なっており、前記堰部は、一対の堰からなり、前記一対の堰のうちの一方は、前記またがって重なる前記第2バンクの前記両側のうち、前記第1方向における一端側において、前記欠陥部が存在する前記第1バンクからその隣の前記第1バンクに亘る態様で配され、幅が第1幅である第1堰であり、前記一対の堰のうちの他方は、前記またがって重なる前記第2バンクの前記両側のうち、前記第1方向における他端側に隣り合う前記第2バンク上において、前記欠陥部が存在する前記第1バンクからその隣の前記第1バンクに亘る態様で配され、幅が前記第1幅よりも大きい第2幅である第2堰であり、平面視で、1つの前記サブピクセル領域の面積をHとし、前記一端側のサブピクセル領域と前記第1発光層とが重なる領域の平面視での面積をIaとすると、Ia<α×Hであってもよい。
本発明の別の一態様に係る有機EL表示装置の特定の局面においては、前記第2バンクは、前記第1バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、前記欠陥部は、平面視で前記第2バンクと重なり、前記堰部は、前記欠陥部と重なる前記第2バンクの前記第1方向における両隣の前記第2バンク上において、前記欠陥部が存在する前記第1バンクからその隣の前記第1バンクに亘る態様で配され、幅が第2幅である一対の第2堰からなってもよい。
さらに、堰部が一対の第2堰からなるため、形成が容易で、形成に要する時間を短縮することができる。
このように突状部を有することにより、発光層形成の際に堰部を伝わってインクが隣の凹空間に流れ込むのが防止される。その結果、混色領域の面積がより確実にできるだけ小さく抑えられ、より確実に表示不良が抑制された有機EL表示装置を得ることができる。
本発明の別の一態様に係る有機EL表示装置の特定の局面においては、前記第1幅は、5〜20μmであってもよい。
これにより、形成位置や形状について精密に制御することができるニードルディスペンサで第1堰を形成することができ、混色領域の面積がより正確にできるだけ小さく抑えられ、より効果的に表示不良が抑制された有機EL表示装置を得ることができる。
これにより、ニードルディスペンサよりも形成スピードが速いノズルディスペンサで第2堰を形成することができ、表示不良が抑制されると共に、製造に要する時間が短縮された有機EL表示装置を得ることができる。
[有機EL表示装置の全体構成]
図1は、実施形態に係る表示パネル100を有する有機EL表示装置1の構成を示す模式ブロック図である。
図1に示すように、有機EL表示装置1は、表示パネル100と、これに接続された駆動制御部101とを有している。表示パネル100は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、図2に示すように、複数の発光素子(有機EL素子)10が基板上にマトリクス状に配列されている。駆動制御部101は、4つの駆動回路102〜105と制御回路106とから構成されている。
[有機EL表示パネルの構成]
図2は、表示パネル100の表示面側から見た概略構成を模式的に示す平面図である。図3は、表示パネル100を図2のA−A'線で切断した一部拡大断面図である。表示パネル100は、いわゆるトップエミッション型であって、Z方向側が表示面となっている。
図3に示すように、表示パネル100は、その主な構成として、下地基板11、画素電極12、ホール注入層13、第1バンク14、有機発光層15、電子輸送層16、共通電極17、封止層18を備える。
ホール注入層13、有機発光層15、電子輸送層16が、機能層に相当し、画素電極12と共通電極17によって、機能層が挟まれた構造となっている。
なお、図2においては、電子輸送層16、共通電極17、封止層18を取り除いた状態を示している。
下地基板11は、基板本体部11a、TFT(薄膜トランジスタ)層11b、層間絶縁層11cを有する。
基板本体部11aは、表示パネル100の基材となる部分であり、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル樹脂、アルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。
層間絶縁層11cは、TFT層11b上に形成されている。層間絶縁層11cは、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の有機絶縁材料、SiO(酸化シリコン)やSiN(窒化シリコン)等の無機絶縁材料からなり、TFT層11bと画素電極12との間の電気的絶縁性を確保すると共に、TFT層11bの上面に段差が存在してもそれを平坦化して、画素電極12を形成する下地面への影響を抑える機能を持つ。
画素電極12は、下地基板11上に、サブピクセル毎に個別に設けられた画素電極であり、例えば、Ag(銀)、Al(アルミニウム)、アルミニウム合金、Mo(モリブデン)、APC(銀、パラジウム、銅の合金)等の光反射性導電材料からなる。本実施形態において、画素電極12は、陽極である。
[ホール注入層]
ホール注入層13は、例えば、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)などの酸化物、あるいは、PEDOT(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)などの導電性ポリマー材料からなる層である。上記の内、酸化金属からなるホール注入層13は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層15に対しホールを注入および輸送する機能を有する。
ホール注入層13の表面には、Y方向(第1方向)に沿って伸長する平面視にて短冊状の第1バンク14が複数本並列に設けられている。この第1バンク14は、絶縁性の有機材料(例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等)からなる。
第1バンク14は、X方向に隣接する発光素子10どうしを区画すると共に、有機発光層15をウェット法で形成するときに、塗布されたインクがあふれ出ないようにする構造物としても機能する。
複数の各凹空間20において、形成されている複数の第2バンク24のY方向の位置は同じである。各第2バンク24はX方向(第2方向)に伸長し、第1バンク14の下を通り隣の第2バンク24につながってX方向に伸長する短冊状となっている。従って、下地基板11上において、第1バンク14と第2バンク24の全体は格子状に形成されている(図2参照)。
有機発光層15は、キャリア(正孔と電子)が再結合して発光する部位であって、R,G,Bのいずれかの色に対応する有機材料を含む。
この有機発光層15は、上記の第1バンク14によって区画されたY方向に伸長する溝状の凹空間(図6の凹空間20R,20G,20B参照)に形成されている。
従って、互いに色の異なる有機発光層15が、第1バンク14を挟んで配置されていることになる。
電子輸送層16は、共通電極17から注入された電子を有機発光層15へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)などで形成されている。
[共通電極]
共通電極17は、例えば、ITO、IZO等の導電性を有する光透過性材料で形成され全てのサブピクセルに亘って設けられている。
[封止層18]
封止層18は、ホール注入層13、有機発光層15、電子輸送層16、共通電極17を水分及び酸素から保護するために設けられている。
なお、図示はしないが、封止層18の上に、ブラックマトリクス、カラーフィルター等が形成されていてもよい。
図4は、表示パネル100の製造過程を示す模式工程図である。
図5は、表示パネル100の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。
表示パネル100の製造方法について、図4の工程図に基づいて、図3、5を参照しながら説明する。
続いて、TFT層11bの上に、絶縁性に優れる有機材料を用いてフォトレジスト法で層間絶縁層11cを形成して下地基板11を作製する(ステップS2)。層間絶縁層11cの厚みは例えば約4μmである。なお、図3の断面図および図4の工程図には現れないが、層間絶縁層11cを形成するときに、コンタクトホール2(図2参照)を形成する。
続いて、スパッタ法などで酸化タングステンを、下地基板11および画素電極12上に一様に成膜することによって、ホール注入層13を形成する(ステップS4)。
次に、第2バンク24と第1バンク14を以下のようにフォトリソグラフィー法で形成する(ステップS5)。
その後、塗布されたバンク材料層に、第2バンク24のパターンに合わせた開口を有するフォトマスクを重ねて、UV照射して露光する。そして未硬化の余分なバンク材料を現像液で除去することによって第2バンク24を形成する。
そのバンク材料層上に、形成しようとする第1バンク14のパターンに合わせた開口を有するマスクを重ねて、マスクの上から露光する。その後、余分なバンク材料をアルカリ現像液で洗い出すことによって、バンク材料をパターニングして、第1バンクのパターンを形成する。
次に、このパターン形成された未焼成の第1バンク14aにおける欠陥部の発生を調べて(ステップS6)、欠陥部があればその補修を行う。
このバンク補修については、後で詳しく説明するが、検出した欠陥部の近傍において、第1バンク14aの同士の間の凹空間20に補修材を塗布し乾燥して堰部を形成することによって行う(ステップS7)。図5(b)には、第1バンク14a間の凹空間20に補修材が塗布され、未焼成の第1堰51aが形成された状態を示している。
このように形成された第1バンク14において、さらに、次の工程で塗布するインクに対する第1バンク14の接触角を調節する処理を施してもよい。あるいは、第1バンク14の表面に撥水性を付与するために、所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等による表面処理や、プラズマ処理等を施してもよい。
そして、塗布されたインク層15aに含まれる溶媒を蒸発させて乾燥し、必要に応じて加熱焼成することによって、図5(e)に示すように、各凹空間20内に有機発光層15が形成される(ステップS9)。
そして、ITO、IZO等の材料を、スパッタ法等で成膜して、共通電極17を形成する(ステップS11)。
そして、共通電極17の表面に、SiN、SiON等の光透過性材料をスパッタ法あるいはCVD法等で成膜して、封止層18を形成する(ステップS12)。
[バンクの欠陥部を検出し補修する方法]
上記製造方法で説明したように、正確には、未焼成の第1バンク14a、第2バンク24a、未焼成の第1堰51aを形成した後、これら未焼成の第1バンク14a、第2バンク24aや第1堰51aを加熱焼成して硬化させることによって、最終的な第1バンク14、第2バンク24や第1堰51が形成される。しかし、未焼成の第1バンク14a、未焼成の第1堰51aは、ある程度固体化して安定なバンク形状、堰形状となっているので、本明細書では、未焼成の第1バンク14aや未焼成の第1堰51aについても、単に第1バンク14a、第1堰51aと記載して説明する。
まず、第1バンク14aに存在する欠陥部3について説明する。
この欠陥部3は、第1バンク14aに存在する異物、または第1バンク14aの一部が欠損した部分である。
異物は、例えば、製造装置に由来する金属片、空気中に存在する塵・埃の類である。そして、塵・埃は、繊維片であることが多い。
第1バンク14a上に異物があると、図5(d)に示すように第1バンク14を挟んで隣接する凹空間20にインクを塗布してドーム状に盛ったインク層15aが形成されると、インク層15aが異物に接触し、インクの一部が隣の凹空間20に流れ込んで、発光色の異なるインク(例えば赤色インクと緑色インク)が混ざってしまうことがある。
なお、欠陥部3は、このように第1バンク14a上に異物が付着している場合に限られない。例えば、図8(a)に示す例のように、1本の第1バンク14aの中に異物が入り込み、その異物が第1バンク14の壁面を隣の凹空間20まで貫通して欠陥部3となっている場合もある。また、図8(b)に示す例では、1本の第1バンク14aの下に異物が入り込んで、その異物が隣の凹空間20まで貫通して欠陥部3となっている。このように、第1バンク14aの中や下に異物が存在する場合でも、異物とバンク材料との密着性が悪い場合には、隙間が生じてインクの流通路ができる。異物が繊維片の場合には、インクを吸収するので、異物自体がインクの流通路となる。従って、異物を挟んで隣り合う凹空間に形成されたインク層15aの間で混色が生じる原因となる。
例えば図13(c)に示すような赤色インクと緑色インクが混合されて生じた混色領域は、赤色で発光することになる。従って、緑色で発光すべき領域の中で、混色領域となった領域では、赤色で発光することになるので、この混色領域が広がると発光色不良の原因となる。
また、波長の長い光は暗く見えるため、有機発光層15の混色が生じていない部分と比較して、混色が生じている部分は暗く表示されてしまうことになる。
[欠陥部3の検出と堰部50の形成]
第1バンク14aにおける欠陥部3の検出は、例えば、下地基板11上に形成した第1バンク14aの表面画像を撮影し、その表面画像のパターン検査によって行う。
この補修装置200においては、ベース201上に、上記の下地基板11を載置するテーブル202と、撮像素子211,ノズルディスペンサ212,ニードルディスペンサ213が取り付けられたヘッド部210とを有している。そして、テーブル202は、コントローラ230のCPU231の指示に基づいてY方向に移動でき、ヘッド部210は、CPU231の指示によって、X方向及びZ方向に移動できるようになっている。
なお、ここでは、下地基板11上に画素電極12,ホール注入層13,第1バンク14a,第2バンク24aが形成されたものを、下地基板11として表す。
図10(a)は、本実施形態の実施例1における堰部50の形成位置を示す模式平面図である。図10(b)は、実施例1における堰部50が形成された様子を示す模式平面図である。
図10(a)に示すように、第1バンク14a上に欠陥部3が存在する場合、欠陥部3(ここでは、異物)のY方向(第1方向)における両端部の座標位置(Ya,Yb)を取得する。そして、Ya,Ybに、それぞれマージンaを加えた値Ta,Tbを、堰部50の仮形成位置として設定する。本実施例では、堰部50は、一対の第1堰51から成るので、Ta,Tbは、一対の第1堰51のそれぞれの仮形成位置となる。ここで、一対の堰の仮形成位置のうち、Y方向上流側(図10(a),(c)において紙面下側)の仮形成位置がTaであり、Y方向下流側(図10(a),(c)において紙面上側)の仮形成位置がTbである。
ここで、サブピクセル領域における混色領域以外の正常な領域の面積をできるだけ大きく確保すること、即ち、混色領域となる仮第1空間TSAの面積をできるだけ小さく抑えることが重要である。そのためには、第1堰51の幅は必要最小とし、正確な形成位置に正確な形状で第1堰51を形成することが必要である。そこで、実施例1では、一対の第1堰51をニードルディスペンサで形成する。図10(a)に示す点P1〜P4は、ニードルディスペンサによる塗布位置を表す。同図に示すように、欠陥部3を有するバンク14aの両側に隣接する凹空間20の中に、欠陥部3の両端からY方向にマージンa離れた点A1及びA2を通ってそれぞれX方向に伸長する堰形成ラインに沿って、それぞれ塗布点P1,P2,P3,P4を設定する。
図10(b)は、下地基板11において、点A1を通る堰形成ラインに沿った断面を模式的に示す図である。
図11(a)〜(g)は、塗布点P1,P2…に、補修材を順次塗布することによって、第1堰51が形成される様子を模式的に示す図である。
補修材は、塗布されるまでは流動性を有するが、塗布後は山形状が維持され、図11(c)に示すように、塗布点P1に補修材の山が形成される。
それによって図11(f)に示すように、塗布点P2に形成される補修材の山は、塗布点P1に形成されている補修材の山と繋がる。
このようにして、欠陥部3を有する第1バンク14a上の点A1から、隣の第1バンク14aに亘る形状で、補修材の山が連なることになる。そして、この塗布された補修材の山を、乾燥させ、必要に応じて露光を行うことによって第1堰51が形成される。
上記の工程を、一対の第1堰51に対してそれぞれ行うことにより、堰部50が形成される。
以上の堰部形成工程によって、図6(b)に示すように、欠陥部3を有する第1バンク14の両側にある凹空間20の各々に、第1堰51が対で設けられ、この第1堰51によって凹空間20は、欠陥部3に近接する空間部分からなる第1空間SAと、欠陥部3に近接しない空間部分からなる2つの第2空間SBとに仕切られている。そして、欠陥部3は、2つの第1空間SAによって囲まれている。
なお、補修材としては、光や熱を加えることによって硬化する樹脂の組成物を用いることができる。
また、樹脂に対して架橋する架橋剤、例えば、エポキシ化合物、ポリイソシアネート化合物を添加してもよい。
また、この樹脂構造の中に、フッ素が導入されているフッ化ポリマーを用いてもよい。補修材の樹脂にフッ素が導入されることによって、形成される堰部50に溌インク性を付与することができる。あるいは、樹脂に各種溌インク剤を添加してもよい。撥インク剤の添加量は0.01〜10wt%とする。撥インク剤の添加量をこの範囲にすることで、樹脂組成物の貯蔵安定性が良好で、且つ形成される堰部50の撥インク性も良好となる。
溶剤は、樹脂に対する溶解性を有するもので、沸点が150〜250℃程度の溶剤を1種類以上用いても良い。
光重合開始剤としては、市販の各種光重合開始剤を用いることができる。
光重合開始剤の添加量は、焼成時における露光量に応じて調整するが、例えば全固形分に対して0.1〜50重量%、好ましくは5重量%〜30重量%である。
第1堰51aの形成は、凹空間20内において、第1堰51を形成しようとするライン(堰形成ライン)に沿って設定された複数の位置に、ニードルディスペンサ213から補修材を塗布することによって行う。
図12(a)は、本実施形態の実施例2に係る表示パネルにおける欠陥部3、仮第1空間TSA、及び堰部50を模式的に示す平面図である。図12(b)は、実施例2において第2堰52が形成される様子を模式的に示す断面図である。実施例2に係る堰部50は、一対の第2堰52からなる。
実施例2においては、図12(a)に示すように、欠陥部3(ここでは、異物)のサイズが、実施例1の欠陥部3よりも大きい。実施例2においても、実施例1と同様に、欠陥部3のY方向(第1方向)における両端部の座標位置(Ya,Yb)を取得する。そして、Ya,Ybに、それぞれマージンaを加えた値Ta,Tbを、堰部50の仮形成位置として設定する。本実施例では、堰部50は、一対の堰から成るので、Ta,Tbは、一対の堰それぞれの仮形成位置となる。
[堰部による混色防止効果]
ここで、堰部50を形成して第1バンク14の欠陥部3を補修することによるインクの混色防止効果について説明する。
表示パネル100が製造されたときに、この混色領域は、本来の発光色とは異なった発光色で発光する。上記のように、赤色インクと緑色インクが混合された混色領域は、赤色で発光することになる。従って、緑色で発光すべき領域の中で、混色領域となった領域では、赤色で発光することになり、発光色不良の原因となる。また、緑の光と比較して赤の光は波長が長く、暗く見えるため、人間の目には暗点として認識されてしまい、画質を損なうことになる。
同様に、実施例2では、欠陥部3を有する第1バンク14の周囲に一対の第2堰52からなる堰部50が形成され、凹空間20が、一対の第2堰52に挟まれた欠陥部3に近接する第1空間SAと、一対の第1堰51の外側にある欠陥部3に近接しない2つの第2空間SBとに仕切られている。これにより、以下に説明するように、混色領域が制限される。
ここで、図14(a)に示す実施例1の場合のように、赤色インクと緑色インクが、欠陥部3を介して混ざり合って、第1空間SAが混色領域となることはあるが、第1空間SAに形成されたインク層15aと、1対の第1堰51よりも外側の第2空間SBに形成されたインク層15aとは、1対の第1堰51によって隔てられているので、相互に混ざり合わない。
図14(b)に示す、実施例2の場合も同様である。
図13(a),(b)に示すインク層15aが乾燥(必要に応じて加熱焼成)を経ると有機発光層15が形成される。このとき、第1空間SAに存在するインク層15a(混色インクの層)は、混色した発光色の第1発光層15Aとなる。そして、第2空間SBに存在するインク層15aは、正常な発光色の第2発光層15Bとなる。
なお、実施例1及び実施例2のようにライン状の第1バンク14で仕切られたが凹空間20にインクを塗布する場合には、インクの混色が生じると混色範囲が広がって発光色不良による表示不良及び画質低下が目立ちやすいので、特にラインバンクを有する有機EL表示パネルに対しては、本実施形態の堰部50を形成するバンク補修方法は、得られる効果が大きい。
図15(a)は、本実施形態の実施例3における欠陥部3及び仮第1空間TSAを模式的に示す平面図である。図15(b)は、実施例3に係る表示パネルにおいて堰部50が形成された状態を模式的に示す平面図である。
実施例3では、欠陥部3のサイズは、実施例1と同様に小さいものであり、仮第1空間TSAとサブピクセル領域SPとが平面視で重なり合う領域である重なり領域OLの面積Iは、サブピクセル領域SPの面積Hの所定割合α未満である。即ち、I<α×Hである。従って、実施例1と同様に、仮形成位置Ta,Tbに、ニードルディスペンサを用いて一対の第1堰51から成る堰部50を形成してもよい。しかし、ここで、実施例3では、仮第1空間のY方向における一端が第2バンク24aと平面視で重なっている。即ち、図15(a)に示すように、仮形成位置Tbが第2バンク24a上に位置している。従って、仮形成位置Tb上に形成する堰は、時間がかかるニードルディスペンサで形成しなくても、形成スピードの速いノズルディスペンサで形成してもよいことになる。
また、実施例3のように、仮第1空間TSAのY方向における両端のうちの一方が平面視で第2バンク24aと重なっている場合に、α×H≦Iである場合には、実施例2と同様に、欠陥部をY方向に挟んで隣り合う第2バンク上に、ノズルディスペンサで第2堰52をそれぞれ形成する。
図16(a)は、本実施形態の実施例4における欠陥部3及び仮第1空間TSAを模式的に示す平面図である。図16(b)は、実施例4に係る表示パネルにおいて堰部50が形成された状態を模式的に示す平面図である。実施例4においては、仮第1空間TSAが、平面視で第2バンク24aと重なり、且つ、当該第2バンクのY方向両側のサブピクセル領域にまたがって重なっている。
しかしながら、実施例4においては、仮第1空間TSAが平面視で第2バンク24aと重なっており、且つ、仮第1空間TSAのY方向における端部が第2バンク24aと重なっていない。これは言い換えると、仮第1空間TSAが第2バンク24aをまたいでY方向に隣接する2つのサブピクセル領域にまたがって存在していることを意味している。このような場合、仮第1空間TSAの面積がα×H以上であっても、前記2つのサブピクセル領域それぞれにおいて、仮第1空間TSAとサブピクセル領域SPとが平面視で重なる領域である重なり領域OLa及びOLbの面積Ia及びIbが、α×H以上であるとは限らない。実施例4においては、重なり領域OLbの面積Ibは、Ib<α×Hであって、重なり領域OLaの面積Iaは、α×H≦Iaである。
α×H≦Ia、且つ、α×H≦Ibの場合には、平面視で欠陥部と重なる第2バンク24aのY方向における両隣の第2バンク24a上に、ノズルディスペンサで第2堰52をそれぞれ形成する。この場合は、仮第1空間TSAがまたがっている2つのサブピクセルの両方が混色領域となり、暗点となる。
以上説明した実施例1〜4のバンク補修方法を、補修装置200が実行する具体的な処理内容について、図17及び図18を参照しながら、以下に説明する。
図17は、補修装置200が欠陥部3を検出し、堰部50の形成態様(形成位置及び形成方法)を設定する堰部設定処理の処理内容の一例を示すフローチャートである。当該処理は、具体的には、コントローラ230のCPU231が行い、設定内容は記憶部232に設定記憶される。続いて、図17の堰部設定処理で設定された内容に基づき、図18に示す堰部形成処理のフローチャートに従って堰部を形成する。
先ずは、図17の堰部設定処理の内容について説明する。先ず、下地基板11の上面の画像データ(第1バンク14a、第2バンク24aの画像)を撮像素子211により取得し、コントローラ230の記憶部232に記憶する(ステップS20)。そして、CPU231は、その画像データにおいて、各第1バンク14aにおける部分同士を次々に比較して、相違点を検出することにより、欠陥部3を検出する。
そして、B番目の第1バンク14aにおいて欠陥部3が検出された場合(ステップS23でYES)、次に、α×H≦Iであるかどうか判定する(ステップS24)。
仮形成位置Taが第2バンク24a上に位置していない場合(ステップS25でNO)、仮形成位置Taを本形成位置Fa1に設定する(ステップS26)。
続いて、仮形成位置Tbが第2バンク24a上に位置しているかどうか判定する(ステップS28)。
仮形成位置Tbが第2バンク24a上に位置していない場合(ステップS28でNO)、仮形成位置Tbを本形成位置Fb1に設定する(ステップS29)。
そして、Bが最終番であるかどうか判定する(ステップS31)。
Bが最終番である場合(ステップS31でYES)、リターンする。
Bが最終番でない場合(ステップS31でNO)、Bに1をインクリメントして(ステップS32)、ステップS22に戻って、次の番号の第1バンク14aについて欠陥部3の有無を調べる。
仮第1空間TSAと第2バンク24aとが重なる部分が無い場合(ステップS33でNO)、仮形成位置Ta,Tbをキャンセルして、仮形成位置TSAをY方向に挟んで隣り合う第2バンク24a上に、本形成位置Fa2,Fb2をそれぞれ設定し(ステップS34)、ステップS31に進む。
仮形成位置Taが第2バンク24a上に位置している場合(ステップS35でYes)、仮形成位置Taを本形成位置Fa2に設定し(ステップS36)、ステップS31に進む。
仮形成位置Tbが第2バンク24a上に位置している場合(ステップS37でYes)、仮形成位置Tbを本形成位置Fb2に設定するとともに、仮形成位置Taをキャンセルして第2バンク24a上に本形成位置Fa2を設定して(ステップS38)、ステップS31に進む。
α×H≦Iaである場合(ステップS39でYes)、仮形成位置Taをキャンセルし、仮第1空間TSAと重なる第2バンク24aのY方向上流側に隣り合う第2バンク24a上に本形成位置Fa2を設定する(ステップS41)。
α×H≦Ibでない場合(ステップS42でNo)、仮形成位置Tbを本形成位置Fb1に設定して(ステップS43)、ステップS31に進む。
そして、ステップS31、ステップS32、ステップS22と進んで、以下、ステップS31でBが最終番であると判断されるまで(ステップS31でYes)、ステップS23からステップS44を繰り返す。
堰部設定処理において、堰部の形成位置および形成方法が設定された。続いて、堰部設定処理での設定内容に基づいて、実際に堰部を形成する堰部形成処理について、説明する。
図18は、堰部形成処理の処理内容の一例を示すフローチャートである。
次に、n=1に設定する(ステップS51)。
続いて、F1グループのn番目(n=1の場合は、1番目)の本形成位置に、ニードルディスペンサを用いた第1形成方法により第1堰51を形成する(ステップS52)。
nがF1グループの最終番でない場合(ステップS53でNo)、nに1をインクリメントして(ステップS54)、ステップS52に戻る。
nがF1グループの最終番である場合は(ステップS53でYes)、第1形成方法で形成する予定であった堰部は全て第1形成方法により形成済みである。従って、次に、n=1に設定する(ステップS55)。
そして、nがF2グループの最終番であるかどうかを判定する(ステップS57)。
nがF2グループの最終番でない場合(ステップS57でNo)、nに1をインクリメントして(ステップS58)、ステップS56に戻る。
以上説明したように、本実施形態に係るバンク補修方法によれば、インクが塗布された際に、欠陥部3に起因する混色領域が発生した場合であっても、堰部50により混色領域を第1空間SA内に留めることができるので、表示不良及び画質低下を抑制することができる。
堰部50の高さ(凹空間20の底面からの高さ)について考察する。
ステップS9の有機発光層15を形成する工程で、堰部50で仕切られている第1空間SAと第2空間SBに、それぞれインクが塗布されてインク層15aが形成される。
そして、上記図17に示されるように、第1空間SAのインク層15aと第2空間SBのインク層15aとは、堰部50によって分離された状態となる。
一方、堰部50を高くし過ぎると、その上に形成する電子輸送層16、共通電極17などに段切れが生じやすくなる。
堰部50の幅、すなわち堰形成ラインと直交する方向(Y方向)の幅については、この幅が大きすぎると、表示パネル100を見たときにその堰部50自体が目立つ可能性もあるので、50μm以下とすることが好ましい。
本実施形態に係る堰部50により、凹空間20が第1空間SAと第2空間SBとに仕切られる。従って、有機発光層15を形成する工程において、インクジェット法によりインク液滴を吐出する際に、第1空間SAと第2空間SBの両方に、インク液滴が着弾してインクが塗布されることが重要である。たとえば、第1空間SAにインク液滴が全く着弾せずにインクが塗布されない状態、所謂未濡れが発生した場合、第1空間SAに有機発光層15が形成されないこととなる。有機発光層15が形成されないと、その部分が非発光領域となって表示不良となるほか、未濡れ部分は、その周囲の部分と電気抵抗が異なるため、電流リーク等の問題が発生する虞があり、好ましくない。
実施形態に係る実施例1〜4においては、第1堰51,第2堰52共に、X方向に沿った形状であった。しかし、これに限られない、
図19(a)は、変形例1に係る堰部50bが形成された状態を模式的に示す平面図である。変形例1に係る堰部50bは、一対の第1堰51bにより構成されている。一対の第1堰51bは、互いに平行であって、X方向と角度を有して交差する態様で形成されている。
なお、第2堰52についても同様に、X方向と角度を有して交差する態様で形成してもよいが、その場合は、第2バンク24からあまりはみ出さない程度の角度とするのがよい。
図19(b)は、変形例2に係る堰部50cが形成された状態を模式的に示す平面図である。変形例2に係る堰部50cは、一対の第1堰51cにより構成されている。一対の第1堰51cは、共にX方向と角度を有して交差する態様で形成されており、欠陥部3からX方向に遠ざかるにつれて互いに近接する形状である。
<変形例3>
図20(a)は、変形例3に係る堰部50dの形状を模式的に示す斜視図であり、(b)は、凹空間20に堰部50dを形成した後、インク層を形成した状態を模式的に示す平面図である。
堰部50dの形成方法は、実施形態において図11(a)〜(g)を参照しながら説明した方法と同様であって、点A1から点A3を経由して点A2に到る堰形成ラインに沿って設定した複数の塗布点に、ニードルディスペンサで補修材を順次塗布することによって、堰部50dを形成することができる。
すなわち、図20(b)に示すように、第1バンク14同士の間の凹空間20に、発光層形成用のインクが塗布されるときに、赤色インクと緑色インクが、欠陥部3を介して混ざり合って、混色領域ができても、その混色領域は堰部50dを超えて第2空間SBに広がることがない。そして、欠陥部3によって生じる混色領域の範囲は、欠陥部3に近接する狭い第1空間SAに制限されるので、表示パネル100における発光色不良を低減できることになる。
一方、実施形態の堰部50と比べると、変形例3の堰部50dにおいては、第1空間SAが占める面積がより小さくなっているので、表示パネル100における表示不良及び画質低下をさらに抑えることができる。
ところで、図21(a),(b)に示すように、堰部50dの仮第1空間TSAのY方向における両端部Ea,Ebの一方(図21(a),(b)では、Ea)が第2バンク24aと重なる場合には、以下のようにすることができる。
図21(b)に示すように、α×H≦Iの関係を満たす場合には、仮形成位置の堰部50dに代えて、欠陥部3をY方向に挟んで隣り合う第2バンク24a上に、一対の第2堰52を、ノズルディスペンサを用いた第2形成方法により形成する。
図22(a)に示す例においては、仮第1空間TSAとY方向上流側のサブピクセル領域SPとが重なる重なり領域OLaの面積Iaは、Ia<α×Hである。また、仮第1空間TSAとY方向下流側のサブピクセル領域SPとが重なる領域である重なり領域OLbの面積Ibは、Ib<α×Hである。この場合は、そのまま仮形成位置に堰部50dを第1形成方法により形成する。
ここで、堰部50dのY方向上流側の端部Eaと第2バンク24aとの間のY方向の距離daは、サブピクセル領域SPのY方向における長さLに対して、da<α×Lである。よって、図23(a)に示すように、端部Eaの位置に、第1形成方法により第1堰51を形成しても、第1空間SAの上流側のサブピクセル領域SPと重なる部分の面積はα×Hよりも小さくなるので、上流側のサブピクセルは暗点として認識されない。
本変形例においては、欠陥部3をX方向(第2方向)に挟む2つの堰部50dは、同じ点A1から同じ点A2に到っているが、これに限られない。例えば、別々の点から別々の点に到っていてもよい。
<変形例4>
図24(a)は、変形例4に係る堰部50eの形状を模式的に示す斜視図であり、(b)は、凹空間20に堰部50eを形成した後、インク層を形成した状態を模式的に示す平面図である。
迂回して他方に亘って形成されているが、欠陥部3が存在する第1バンク14の隣の第1バンク14とは非接触である点が変形例3と異なっている。すなわち、変形例4において、各堰部50eが欠陥部3の中央からX方向に離間する最大距離bが、凹空間20の幅(X方向幅)よりも小さく設定されている。
このように、欠陥部3を有する第1バンク14の両側に隣接する各凹空間に堰部50eを形成することによって、図24(a),(b)に示すように、各凹空間20は、欠陥部3に近接する空間部分からなる第1空間SAと、欠陥部3に近接しない空間部分からなる第2空間SBとに仕切られるので、実施形態と同様に混色範囲を抑える効果を奏する。
また、欠陥部3の周囲を囲むように補修材を塗布することによって堰部50eを形成するので、補修が容易である点、及び表示パネル100製造後において、堰部50eで仕切られた第1空間SAにおいて非発光や電流リークが生じない点についても実施形態と同様である。
なお、図24(b)において、2つの堰部50eは、欠陥部3の中央からX方向に離間する最大距離bが同じであるが、2つの堰部50eにおいて、この最大距離bが互いに異なっていてもよい。
また、平面視で、堰部50eの仮第1空間TSAのY方向の両端部の一方が第2バンクと重なる場合、及び、仮第1空間TSAが第2バンクと重なり当該第2バンクのY方向両側のサブピクセルSPにまたがって重なる場合には、変形例3と同様にしてもよい。なお、本変形例の場合には、欠陥部が存在する第1バンクの隣の第1バンクと堰部50eが接触していないので、堰部50eのY方向下流側又は上流側の半分のみを第1形成方法により形成するというオプションは適用不可である。
図25(a)は、変形例5に係る堰部50fの形状を模式的に示す斜視図であり、図25(b)は、凹空間20に堰部50fを形成した後、蛍光体インクを塗布する様子を模式的に示す断面図である。
欠陥部3が存在する第1バンク14aを補修する工程で、図25(a)に示すように、欠陥部3が存在する第1バンク14aの両側に隣接する各凹空間20に形成する第1堰51の形状は、実施形態と同じである。一方、変形例5では、さらに、第1バンク14aにおける第1堰51が接する部分に、当該第1バンク14aの上部から上方に突出する突状部7aを形成する点が異なっている。
形成された突状部7aは、同時焼成工程(図4のステップS8)において、第1バンク14a,第2バンク24a,第1堰51,第2堰52と共に硬化され、安定な突状部7となる。
すなわち、インクを塗布するとき、図25(b)に矢印で示すように、第1堰51の真上にインク液滴が着弾すると、着弾したインク液滴が第1堰51の頂部で弾かれて、第1堰51の頂部を伝ってX方向に流れ、第1バンク14を超えて、隣りの凹空間20へと向かう。変形例5の構成によると、第1堰51の端部に突状部7が存在するので、隣りの凹空間20に向かうインクは、この突状部7によって進行を妨げられ、インクが隣りの凹空間20に入り込むのが抑えられる。
<変形例6>
上記実施形態及び変形例1〜5においては、ラインバンクの欠陥部を補修する場合について説明した。しかし、これに限られず、ピクセルバンクの欠陥を補修する場合についても、同様に適用可能である。
図26(a)〜(d)に示すピクセルバンクは、Y方向に伸長する複数の第1バンク14に加えて、X方向に伸長する複数の第2バンク24を備えている。第1バンク14と第2バンク24の下地基板11の上面からの高さ(Z方向の高さ)は同じである。そして、第1バンク14及び第2バンク24で囲まれた矩形領域(サブピクセル領域)に発光素子10が形成されている。
この場合も、インクを塗布したときに、欠陥部3に起因して混色が発生しても、混色が広がる範囲は、一対の第1堰51で挟まれた第1空間SAの範囲に限られるので、発光色不良を抑える効果が得られる。有機発光層15が形成された際には、第1空間SAの範囲が第1発光層15A、第2空間SBの範囲が第2発光層15Bとなる。
<変形例7>
図26(b)に示す変形例7では、変形例3と同様に、欠陥部3が存在する第1バンク14のX方向両側の各凹空間20に、点A1から欠陥部3を迂回して点A2に亘る形態で堰部50dが形成されている。変形例7に係る堰部50dは、図26(b)に示すように、点A1から点A2に亘る途中の点A3で、第1バンク14と接している。
また図示はしないが、ピクセルバンクに対して、変形例4の堰部50eを適用することも可能である。即ち、堰部が第1バンク14と接しない形状としてもよい。この場合においても同様に、発光色不良を抑える効果が得られる。
<変形例8>
図26(c)に示す変形例8では、第1バンク14における欠陥部3の位置が、比較的第2バンク24に近い。そして、欠陥部3が存在する第1バンク14のX方向両側の各凹空間20に、点A1から欠陥部3を迂回して第2バンク24に亘る形態で堰部50gが形成されている。
<変形例9>
図26(d)に示す変形例9では、欠陥部3の位置が、第1バンク14と第2バンク24とが交差する位置であって、欠陥部3は4つの凹空間20にまたがっている。
すなわち、2つの堰部50hは、点A1から欠陥部3を迂回して当該第2バンク24に亘る形態で形成され、残り2つの堰部50hは、点A2から欠陥部3を迂回して当該第2バンク24に亘る形態で形成されている。
この場合、インクを塗布したときに欠陥部3に起因して4つの凹空間20の間で混色が生じる可能性があるが、混色が発生しても、混色が広がる範囲は、4つの堰部50hで囲まれた第1空間SAの範囲に限られるので、発光色不良を抑える効果が得られる。有機発光層15が形成された際には、第1空間SAの範囲が第1発光層15A、第2空間SBの範囲が第2発光層15Bとなる。
<変形例10>
上記実施形態及び各変形例においては、トップエミッション型有機ELパネルを例にバンク補修方法及びバンク形態について説明したが、ボトムエミッション型有機ELパネルにおいてもこれらは適用可能である。
3 欠陥部
7 突状部
10 有機EL素子
11 下地基板
14,14a 第1バンク
15 有機発光層
20 凹空間
21 ディスペンサ
24,24a 第2バンク
50,50b,50c,50d,50e,50f,50g,50h 堰部
51,51a,51b,51c 第1堰
52 第2堰
100 表示パネル
200 補修装置
212 ノズルディスペンサ
213 ニードルディスペンサ
Claims (39)
- 基板と、前記基板上において当該基板の上面に沿った第1方向にそれぞれが長尺で、前記第1方向と交差し前記基板の上面に沿った第2方向に互いに間隔をあけて配された複数の第1バンクと、前記第2方向にそれぞれが長尺で前記第1方向に互いに間隔をあけて配された複数の第2バンクと、前記複数の第1バンクによって区画された前記基板上の空間である複数の凹空間に形成された発光層と、を有する有機EL表示装置を製造する過程において、
前記第1バンクにおける欠陥部を検出し、
欠陥部が検出された場合に、前記検出された欠陥部の前記第2方向における両側に隣接する凹空間のそれぞれにおいて、前記欠陥部に近接する第1空間と、前記欠陥部に近接しない第2空間とに仕切る堰部の仮形成位置を設定し、
隣り合う前記第1バンクと隣り合う前記第2バンクとで規定される領域をサブピクセル領域として、平面視で、1つの前記サブピクセル領域の面積をHとし、前記仮形成位置の前記堰部によって仕切られる前記欠陥部に近接する空間部分である仮第1空間と前記サブピクセル領域とが重なる重なり領域の面積をIとすると、
平面視で、前記仮第1空間と前記第2バンクとが重ならない場合に、
I<α×H(0.05<α<0.9)の関係を満たす場合には、前記仮形成位置に、第1形成方法により前記堰部を形成する
バンク補修方法。 - 前記第2バンクは、前記第1バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、
平面視で、前記仮第1空間と前記第2バンクとが重ならない場合又は、前記仮第1空間の前記第1方向における両端のうちの一方が前記第2バンクと重なる場合であって、
α×H≦Iの関係を満たす場合には、
前記両側に隣接する凹空間のそれぞれにおいて、前記仮形成位置の前記堰部に代えて、
平面視で、前記欠陥部を前記第1方向に挟んで隣り合う前記第2バンク上に、前記欠陥部が存在する前記第1バンクからその隣の前記第1バンクに前記第2方向に沿って亘る形状の一対の堰からなる前記堰部を、前記第1形成方法よりも形成スピードが速い第2形成方法により形成する
請求項1に記載のバンク補修方法。 - 前記堰部は、前記欠陥部を前記第1方向に挟む前記第1バンク上の2点のそれぞれから、前記欠陥部が存在する前記第1バンクの隣の前記第1バンクに亘る形状の一対の堰からなる
請求項1又は2の何れか1項に記載のバンク補修方法。 - 平面視で、前記仮形成位置の前記第1方向における両端のうちの一方が、前記第2バンクと重なる場合には、前記両端のうちの前記一方と重なる前記第2バンク上に、前記一対の堰の前記一方を、前記第2形成方法により形成し、
I<α×Hの関係を満たす場合には、前記一対の堰の他方を、当該他方の前記仮形成位置に、前記第1形成方法により形成する
請求項3に記載のバンク補修方法。 - 平面視で、前記仮第1空間が、前記第2バンク及び当該第2バンクの前記第1方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なる場合に、
前記両側のサブピクセル領域のうち、前記第1方向における一端側の前記サブピクセル領域と前記仮第1空間とが重なる領域の平面視での面積をIaとし、他端側の前記サブピクセル領域と前記第1空間とが重なる領域の平面視での面積をIbとすると、
Ia<α×Hの関係を満たす場合には、前記一対の堰のうち前記一端側の堰を、当該一端側の堰の前記仮形成位置に、前記第1形成方法により形成し、
α×H≦Iaの関係を満たす場合には、前記仮第1空間と重なる前記第2バンクの前記一端側に隣り合う前記第2バンク上に、前記一対の堰のうちの前記一端側の堰を、前記第2形成方法により形成し、
Ib<α×Hの関係を満たす場合には、前記一対の堰のうち前記他端側の堰を、当該他端側の堰の前記仮形成位置に、前記第1形成方法により形成し、
α×H≦Ibの関係を満たす場合には、前記仮第1空間と重なる前記第2バンクの前記他端側に隣り合う前記第2バンク上に、前記一対の堰のうちの前記他端側の堰を、前記第2形成方法により形成する
請求項3又は4に記載のバンク補修方法。 - 前記一対の堰は、それぞれ前記第2方向に沿った形状である
請求項3に記載のバンク補修方法。 - 前記一対の堰は、互いに平行であって、前記第2方向と交差する
請求項3に記載のバンク補修方法。 - 前記一対の堰は、互いに離間しており、前記欠陥部が存在する前記第1バンクから遠ざかるにつれて互いに近接する形状である
請求項3に記載のバンク補修方法。 - 前記堰部は、前記欠陥部が存在する前記第1バンクにおいて、前記欠陥部を前記第1方向に挟む2点の一方から、前記欠陥部を迂回して他方に亘る形状である
請求項1又は2に記載のバンク補修方法。 - 平面視で、前記仮第1空間の前記第1方向における両端の一方が前記第2バンクと重なる場合であって、I<α×Hの関係を満たす場合には、
前記仮形成位置に、前記第1形成方法により前記堰部を形成する
請求項9に記載のバンク補修方法。 - 平面視で、前記仮第1空間が、前記第2バンク及び当該第2バンクの前記第1方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なる場合に、
前記両側のサブピクセル領域のうち、前記仮第1空間の前記第1方向における一端側のサブピクセル領域と前記仮第1空間とが重なる領域の平面視での面積をIaとし、他端側のサブピクセル領域と前記第1空間とが重なる領域の平面視での面積をIbとすると、
Ia<α×H、且つ、Ib<α×Hの関係を満たす場合には、前記仮形成位置に、前記堰部を、前記第1形成方法により形成し、
α×H≦Ia、且つ、α×H≦Ibの関係を満たす場合には、前記仮形成位置の前記堰部に代えて、前記またがって重なる前記第2バンクの前記一端側及び前記他端側に隣り合う前記第2バンクそれぞれの上に、前記欠陥部が存在する前記第1バンクからその隣の前記第1バンクに亘る一対の堰を、前記第1形成方法よりも形成スピードが速い第2形成方法により形成する
請求項9又は10に記載のバンク補修方法。 - 前記サブピクセル領域の前記第1方向の長さをLとし、前記またがって重なる前記第2バンクの前記一端側の端部と前記仮第1空間の前記一端との間の前記第1方向の距離をdaとすると、
Ia<α×H、且つ、α×H≦Ibの関係を満たす場合に、
da<α×Lの関係を満たす場合には、前記仮形成位置の前記堰部に代えて、一対の堰の一方を、前記仮第1空間の前記一端と重なる位置に、前記第1形成方法により形成し、前記一対の堰の他方を、前記またがって重なる前記第2バンクの前記他端側に隣り合う前記第2バンク上に、前記第2形成方法により形成し、
α×L≦daの関係を満たす場合には、前記仮形成位置に前記堰部を前記第1形成方法により形成する
請求項11に記載のバンク補修方法。 - 前記堰部は、前記2点の一方から他方に亘る途中で、前記隣の前記第1バンクに接している
請求項9から12の何れか1項に記載のバンク補修方法。 - 前記堰部は、前記隣の前記第1バンクと離間している
請求項9から12の何れか1項に記載のバンク補修方法。 - 前記堰部の形成の際に、前記欠陥部が存在する前記第1バンク及びその隣の前記第1バンクのそれぞれにおいて、前記堰部と接する部分に、当該部分の上部から上方に突出する突状部をさらに形成する、
請求項1から14の何れか1項に記載の補修方法。 - 前記第1バンクと前記第2バンクの前記基板の上面からの高さが同じであり、
α×H≦Iの関係を満たす場合には、
当該サブピクセル領域については、前記堰部を形成しない
請求項1に記載のバンク補修方法。 - 前記第1形成方法は、ニードルディスペンサを用いて堰部を形成する方法である
請求項1から16の何れか1項に記載のバンク補修方法。 - 前記第2形成方法は、ノズルディスペンサを用いて堰部を形成する方法である
請求項2から15の何れか1項に記載のバンク補修方法。 - α=0.2である
請求項1から18の何れか1項に記載のバンク補修方法。 - 請求項1から19の何れか1項に記載のバンク補修方法により前記堰部を形成した後、
前記各凹空間に、ノズルヘッドから前記凹空間のそれぞれにインク液滴を吐出することにより前記発光層を形成し、
前記発光層を形成する際に、前記第1空間及び前記第2空間のそれぞれに、前記ノズルヘッドから吐出されるインク液滴の着弾点を存在させる
有機EL表示装置の製造方法。 - 基板と、
前記基板上において当該基板の上面に沿った第1方向に長尺で、前記第1方向に直交し前記基板の上面に沿った第2方向に互いに間隔をあけて配された複数の第1バンクと、
前記第2方向に長尺で前記第1方向に互いに間隔をあけて配された複数の第2バンクと、
前記複数の第1バンクによって区画された前記基板上の空間である複数の凹空間に形成された発光層と、を有する有機EL表示装置であって、
前記複数の第1バンクのうち少なくとも1つは、異物又は欠損に起因する欠陥部を有し、前記第1バンクにおいて前記欠陥部が存在する部分の前記第2方向における両側に隣接する前記凹空間のそれぞれの中に、
前記発光層を、前記欠陥部に近接する部分からなる第1発光層と、前記欠陥部に近接しない部分からなる第2発光層とに仕切る堰部を有する
有機EL表示装置。 - 前記第1発光層の発光色と前記第2発光層の発光色とは、互いに異なり、
前記第1発光層の発光色は、前記欠陥部を有する前記第1バンクを挟んで隣り合う前記凹空間における前記第2発光層それぞれの発光色が混色した色である
請求項21に記載の有機EL表示装置。 - 前記第2バンクは、前記第1バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、
隣り合う前記第1バンクと隣り合う前記第2バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とし、平面視で、1つの前記サブピクセル領域の面積をHとし、1つの前記サブピクセル領域における前記第1発光層の面積をIとすると、
平面視で、前記第1発光層と前記第2バンクとは、重なっていないか、又は、前記第1発光層の前記第1方向における両端のうちの一方が、前記第2バンクと重なっており、I<α×H(0.05<α<0.9)であって、前記堰部の幅は、第1幅である
請求項21又は22に記載の有機EL表示装置。 - 前記第2バンクは、前記第1バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、
隣り合う前記第1バンクと隣り合う前記第2バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とすると、平面視で、前記第1発光層が、前記第2バンク及び当該第2バンクの前記第1方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なっており、
平面視で、1つの前記サブピクセル領域の面積をHとし、前記両側のサブピクセル領域のうち、前記第1発光層の前記第1方向における一端側のサブピクセル領域と前記第1発光層とが重なる領域の平面視での面積をIaとし、他端側のサブピクセル領域と前記第1発光層とが重なる領域の平面視での面積をIbとすると、Ia<α×H、且つ、Ib<α×Hであって、
前記堰部の幅は、第1幅である
請求項21から23の何れか1項に記載の有機EL表示装置。 - 前記堰部は、前記両側に隣接する凹空間のそれぞれにおいて、前記欠陥部を前記第1方向に挟む前記第1バンク上の2点のそれぞれから、前記欠陥部が存在する前記第1バンクの隣の前記第1バンクに亘る形状で、幅が第1幅である一対の第1堰から成る
請求項21から24の何れか1項に記載の有機EL表示装置。 - 前記一対の第1堰は、それぞれ前記第2方向に沿った形状である
請求項25に記載の有機EL表示装置。 - 前記一対の前記第1堰は、互いに平行であって、前記第2方向と交差する
請求項25に記載の有機EL表示装置。 - 前記一対の前記第1堰は、互いに離間しており、前記欠陥部が存在する前記第1バンクから遠ざかるにつれて互いに近接する形状である
請求項25に記載の有機EL表示装置。 - 前記堰部は、前記欠陥部が存在する前記第1バンクにおいて、前記欠陥部を前記第1方向に挟む2点の一方から、前記欠陥部を迂回して他方に亘る形状である
請求項21から24の何れか1項に記載の有機EL表示装置。 - 前記堰部は、前記2点の一方から他方に亘る途中で、前記隣の前記第1バンクに接している
請求項29に記載の有機EL表示装置。 - 前記堰部は、前記隣の前記第1バンクと離間している
請求項29に記載の有機EL表示装置。 - 前記第2バンクは、前記第1バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、
隣り合う前記第1バンクと隣り合う前記第2バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とすると、平面視で、前記第1発光層が、前記第2バンク及び当該第2バンクの前記第1方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なっており、
前記堰部は、幅が第1幅であって、前記欠陥部が存在する前記第1バンクにおいて、前記欠陥部を前記第1方向に挟む2点の一方から、前記欠陥部を迂回して前記2点の他方に亘る形状であり、
平面視で、1つの前記サブピクセル領域の面積をHとし、前記両側のサブピクセル領域のうち、前記第1方向における一端側の前記サブピクセル領域と前記第1発光層とが重なる領域の平面視での面積をIaとし、前記第1方向における他端側の前記サブピクセル領域と前記第1発光層とが重なる領域の平面視での面積をIbとし、前記サブピクセル領域の前記第1方向の長さをLとし、前記またがって重なる前記第2バンクの前記一端側の端部と前記仮第1空間の前記一端側の端部との間の前記第1方向の距離をdaとすると、
Ia<α×H、且つ、α×H≦Ib、且つ、α×L≦daである
請求項21又は22に記載の有機EL表示装置。 - 前記第2バンクは、前記第1バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、
隣り合う前記第1バンクと隣り合う前記第2バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とすると、平面視で、前記第1発光層が、前記第2バンク及び当該第2バンクの前記第1方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なっており、
前記堰部は、一対の堰からなり、
前記一対の堰のうちの一方は、前記またがって重なる前記第2バンクの前記両側のうち、前記第1方向における一端側において、前記欠陥部が存在する前記第1バンクからその隣の前記第1バンクに亘る態様で配され、幅が第1幅である第1堰であり、
前記一対の堰のうちの他方は、前記またがって重なる前記第2バンクの前記両側のうち、前記第1方向における他端側に隣り合う前記第2バンク上において、前記欠陥部が存在する前記第1バンクからその隣の前記第1バンクに亘る態様で配され、幅が前記第1幅よりも大きい第2幅である第2堰であり、
平面視で、1つの前記サブピクセル領域の面積をHとし、前記一端側のサブピクセル領域と前記第1発光層とが重なる領域の平面視での面積をIaとすると、Ia<α×Hである
請求項21又は22に記載の有機EL表示装置。 - 前記第2バンクは、前記第1バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、
前記欠陥部は、平面視で前記第2バンクと重ならず、
前記堰部は、前記欠陥部を前記第1方向に挟んで隣り合う前記第2バンク上において、前記欠陥部が存在する前記第1バンクからその隣の前記第1バンクに亘る態様で配され、幅が第2幅である一対の第2堰からなる
請求項21又は22に記載の有機EL表示装置。 - 前記第2バンクは、前記第1バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、
前記欠陥部は、平面視で前記第2バンクと重なり、
前記堰部は、前記欠陥部と重なる前記第2バンクの前記第1方向における両隣の前記第2バンク上において、前記欠陥部が存在する前記第1バンクからその隣の前記第1バンクに亘る態様で配され、幅が第2幅である一対の第2堰からなる
請求項21又は22に記載の有機EL表示装置。 - 前記第1バンクにおける前記堰部と接する部分に、当該部分の上部から上方に突出する突状部を有する
請求項21から35の何れか1項に記載の有機EL表示装置。 - 前記第1バンク及び前記第2バンクは、前記基板の上面からの高さが同じであり、
隣り合う前記第1バンクと隣り合う前記第2バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とし、
平面視で、前記サブピクセル領域の面積をHとし、前記第1発光層の面積をIとすると、
I<α×H(0.05<α<0.9)であって、前記堰部の幅は第1幅である
請求項21又は22に記載の有機EL表示装置。 - 前記第1幅は、5〜20μmである
請求項23から33及び37の何れか1項に記載の有機EL表示装置。 - 前記第2幅は、10〜50μmである
請求項33から35の何れか1項に記載の有機EL表示装置。
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