JP2017032492A - 内燃機関の制御装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】コストアップを抑えつつ、内燃機関の燃焼室の温度を検出することのできる内燃機関の制御装置を提供する。【解決手段】この装置は、燃焼圧センサを有する。燃焼圧センサは、内燃機関の燃焼室内に配置されて同燃焼室の内部圧力を受ける受圧部や、受圧部に加えられた内部圧力が伝達されてその伝達された内部圧力による歪みと自身の温度との双方に応じて抵抗値が変化する半導体素子、半導体素子を備えて受圧部に加えられた圧力と同半導体素子の温度とに応じた電力を出力する検出回路を有する。内燃機関の燃焼圧力が前記受圧部に作用していないときに(S11:YES)、検出回路の出力電圧VOに基づいて燃焼室温度Tenを算出する(S12、S13)。【選択図】図6
Description
本発明は、燃焼室内の温度を検出する内燃機関の制御装置に関するものである。
燃焼室内の温度を検出する装置としては、例えば特許文献1に記載の装置が知られている。特許文献1に記載の装置は、内部の熱線に通電することによって加熱されるグロープラグを備えている。グロープラグは、一端が燃焼室内に露出する状態で内燃機関に取り付けられている。そして、グロープラグにおける燃焼室内に露出する部分には熱電対が設けられている。この熱電対によって内燃機関の燃焼室の温度を検出することが可能になっている。
特許文献1に記載の装置では、内燃機関の燃焼室の温度を検出するために熱電対を設ける必要があり、コストアップが避けられない。
本発明は、そうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、コストアップを抑えつつ、内燃機関の燃焼室の温度を検出することのできる内燃機関の制御装置を提供することにある。
本発明は、そうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、コストアップを抑えつつ、内燃機関の燃焼室の温度を検出することのできる内燃機関の制御装置を提供することにある。
上記課題を達成するための内燃機関の制御装置は、燃焼圧センサを備える。燃焼圧センサは、内燃機関の燃焼室内に配置されて同燃焼室の内部圧力を受ける受圧部、同受圧部に加えられた前記内部圧力が伝達されてその伝達された内部圧力による自身の歪みと自身の温度との双方に応じて抵抗値が変化する半導体素子、同半導体素子を備えて前記受圧部に加えられた圧力と前記半導体素子の温度とに応じた電力を出力する検出回路、を有する。制御装置は、前記内燃機関の燃焼圧力が前記受圧部に作用していないときにおける前記検出回路の出力に基づいて、前記燃焼室の温度を算出する温度算出部を備える。
上記装置では、受圧部を介して半導体素子が受ける圧力が同一の条件下では、同圧力の違いによる半導体素子の抵抗値の変化は生じないため、温度の違いがそのまま半導体素子の抵抗値に現れるようになる。また、そうした半導体素子を備える検出回路では、その出力から、同半導体素子の抵抗値を求めることが可能である。例えば半導体素子を備える検出回路に一定電流が供給される装置であれば同半導体素子の温度に応じて検出回路の出力電圧が変化するようになり、検出回路に定電圧の電源が接続される装置であれば、半導体素子の温度に応じて検出回路の出力電流が変化するようになる。そのため、検出回路の出力をもとに、検出回路の抵抗値を算出することができ、ひいては燃焼圧センサの温度を推定することが可能であると云える。そして、このようにして燃焼圧センサの温度が分かれば、同燃焼圧センサが取り付けられている内燃機関の燃焼室の温度も分かる。
上記装置によれば、内燃機関の吸気行程などの燃焼圧センサの受圧部に燃焼圧力が作用していないとき、すなわち受圧部を介して半導体素子に作用する荷重がごく小さく同半導体素子に殆ど歪みが生じていないために温度の違いが半導体素子の抵抗値にそのまま現れるときに、半導体素子を有する検出回路の出力に基づいて燃焼室の温度を算出して検出することができる。このように上記装置によれば、燃焼圧センサを有する装置において、同燃焼圧センサの温度変化に伴う検出回路の抵抗値の変化を利用して、内燃機関の燃焼室の温度を検出することができる。上記装置では、燃焼室の温度を検出するために、半導体素子を備えた検出回路以外の特段の構成を燃焼圧センサに付与する必要がないため、コストアップを抑えることができる。
上記制御装置において、前記燃焼圧センサが前記検出回路に一定電流が供給されるものである場合には、前記温度算出部により、前記検出回路の出力として同検出回路の出力電圧を用いて前記燃焼室の温度を算出することができる。
上記制御装置において、前記温度算出部により算出される前記燃焼室の温度がノッキングの発生が予測される温度以上になったときに、前記内燃機関の燃料噴射量を増量することが好ましい。
上記装置によれば、燃焼圧センサを利用して検出した燃焼室の温度が高くノッキングが発生し易いときに、燃料噴射量を増量して同燃料の気化潜熱を大きくすることによって燃焼室内の温度を低くすることができる。そのため、実際に検出した燃焼室の温度に応じて、内燃機関におけるノッキングの発生を抑えることができる。
以下、内燃機関の制御装置の一実施形態について説明する。
図1に示すように、内燃機関10の吸気通路11には、スロットル機構12が設けられている。このスロットル機構12は、スロットルバルブ13とスロットルモータ14とを備えている。そして、このスロットルモータ14の駆動制御を通じてスロットルバルブ13の開度が調節され、これにより吸気通路11を通じて燃焼室15内に吸入される空気の量(吸入空気量)が調節される。また、上記吸気通路11にはインジェクタ16が設けられている。このインジェクタ16は吸気通路11内に燃料を噴射する。
図1に示すように、内燃機関10の吸気通路11には、スロットル機構12が設けられている。このスロットル機構12は、スロットルバルブ13とスロットルモータ14とを備えている。そして、このスロットルモータ14の駆動制御を通じてスロットルバルブ13の開度が調節され、これにより吸気通路11を通じて燃焼室15内に吸入される空気の量(吸入空気量)が調節される。また、上記吸気通路11にはインジェクタ16が設けられている。このインジェクタ16は吸気通路11内に燃料を噴射する。
内燃機関10の燃焼室15では、点火プラグ17による点火動作を通じて、吸入空気と噴射燃料とからなる混合気が点火されて燃焼する。この燃焼によってピストン18が往復移動し、クランクシャフト19が回転する。そして、燃焼後の混合気は排気として燃焼室15から排気通路20に送り出される。
内燃機関10において、吸気通路11と燃焼室15との間は吸気バルブ21の開閉動作によって連通・遮断され、燃焼室15と排気通路20との間は排気バルブ22の開閉動作によって連通・遮断される。また、吸気バルブ21はクランクシャフト19の回転が伝達される吸気カムシャフト23の回転に伴って開閉動作し、排気バルブ22は同じくクランクシャフト19の回転が伝達される排気カムシャフト24の回転に伴い開閉動作する。
吸気カムシャフト23にはバルブタイミング変更機構25が設けられている。このバルブタイミング変更機構25は、クランクシャフト19の回転角(クランク角)に対する吸気カムシャフト23の相対回転角を調節して、吸気バルブ21のバルブタイミング(吸気バルブタイミングVT)を進角または遅角させるものである。なお、バルブタイミング変更機構25は、アクチュエータ26の駆動を通じて作動が制御される。吸気バルブタイミングVTの変更では、吸気バルブ21の作用角VL(開弁されてから閉弁されるまでのクランク角)を一定に保持した状態で同吸気バルブ21の開弁時期および閉弁時期が共に進角または遅角される。
吸気カムシャフト23と吸気バルブ21との間には作用角変更機構27が設けられている。この作用角変更機構27は、吸気バルブ21の作用角VLを機関運転条件に応じて可変設定するものであり、アクチュエータ28の駆動を通じて作動が制御される。この作用角変更機構27の作動によって、吸気バルブ21の作用角VLは最大リフト量に同期して変化し、例えば作用角VLが小さくなるほど最大リフト量も小さくなる。作用角VLが大きくなるということは、吸気バルブ21の開弁時期と閉弁時期とが互いに遠ざかるということであり、吸気バルブ21の開弁期間が長くなるということを意味する。
内燃機関10には、ターボチャージャ32が設けられている。ターボチャージャ32のタービンホイール33は排気通路20に配設されており、コンプレッサホイール34は吸気通路11におけるスロットルバルブ13よりも吸気上流側に配設されている。そして、タービンホイール33に排気が吹き付けられて同タービンホイール33が回転すると、これに伴いコンプレッサホイール34が回転して、吸気通路11内の空気が強制的に燃焼室15に送り込まれる。
ターボチャージャ32としては、内燃機関10の運転領域と過給量との関係を変更可能な可変ノズルベーン式のものが採用されている。すなわち、ターボチャージャ32は、そのタービンホイール33に吹き付けられる排気の流速を調整するための複数のノズルベーンを有する可変ノズル機構35を備えている。これらノズルベーンは、タービンホイール33の周りを囲むようにその軸線を中心として等角度を置いて配設されている。そして、それらノズルベーンは、アクチュエータ35Aによって互いに同期した状態で開閉駆動されて、隣り合うノズルベーンの間隔が可変制御される。これにより、タービンホイール33に吹き付けられる排気の流速が調整されて、タービンホイール33の回転速度が調整され、ひいては燃焼室15に強制的に送り込まれる空気の量が調整される。
また内燃機関10には、排気通路20内の排気の一部を吸気通路11に再循環させるための排気再循環(EGR)装置29が設けられている。EGR装置29は、吸気通路11におけるスロットルバルブよりも吸気下流側の部分と排気通路20におけるタービンホイール33よりも排気上流側の部分とを連通するEGR通路30を備えている。このEGR通路30にはEGRバルブ31が設けられている。そして、EGRバルブ31の開度が調整されて、排気通路20から吸気通路11に導入される排気の量(EGR量)が調整される。
さらに内燃機関10には、内部を冷却水が循環するウォータージャケット36と、冷却水を圧送するためのウォーターポンプ37が設けられている。このウォーターポンプ37としては、冷却水の圧送量を変更可能なものが採用されている。
内燃機関10は、例えばマイクロコンピュータを有して構成される電子制御装置38を備えている。電子制御装置38には、クランクシャフト19の回転位相(クランク角)を検出するためのクランクセンサなど、内燃機関10の運転状態を検出するための各種センサの検出信号が取り込まれている。電子制御装置38は、各種センサの検出信号をもとに各種の演算を行い、その演算結果に基づいてスロットル機構12や、インジェクタ16、点火プラグ17、バルブタイミング変更機構25、作用角変更機構27、EGRバルブ31、可変ノズル機構35、並びにウォーターポンプ37の作動制御などといった各種制御を実行する。本実施形態では、電子制御装置38が温度算出部として機能する。
本実施形態では、各種センサの1つとして、燃焼室15内の圧力を検出するための燃焼圧センサ40が設けられている。
以下、燃焼圧センサ40の構造について説明する。
以下、燃焼圧センサ40の構造について説明する。
図2に示すように、燃焼圧センサ40はインナーハウジング41とアウターハウジング42とを有している。インナーハウジング41およびアウターハウジング42は共に略円筒形状に形成されており、インナーハウジング41がアウターハウジング42の内部に挿通されている。それらインナーハウジング41およびアウターハウジング42の先端(図2における左側の端部)には、それらの開口を各別に覆う形状の金属材料からなるダイヤフラム43が固定されている。また、略円筒形状のインナーハウジング41の内部における先端側の部分には、同部分を埋めて塞ぐ形状のシール部材44が設けられている。
燃焼圧センサ40の先端部分には、ダイヤフラム43とインナーハウジング41とシール部材44とによって区画された空間45が形成されている。この空間45には、半導体素子としての半導体素子50や、ダイヤフラム43に作用する圧力を半導体素子50に伝達するための力伝達ブロック47および連結部材48が設けられている。半導体素子50はシール部材44の先端側の面に固定されている。力伝達ブロック47は半導体素子50の先端側の面に固定されている。連結部材48は、一端が力伝達ブロック47に固定されており、他端がダイヤフラム43の内面に当接している。
燃焼圧センサ40は、受圧部としてのダイヤフラム43が燃焼室15(図1参照)の内部に露出する態様で内燃機関10に取り付けられており、同ダイヤフラム43が燃焼室15の内部圧力(筒内圧)を受ける構造になっている。したがって、この燃焼圧センサ40では、ダイヤフラム43に作用した筒内圧が連結部材48および力伝達ブロック47を介して半導体素子50に作用する。
図3に示すように、半導体素子50は、シリコン等からなり、略直方体形状である。半導体素子50の先端側(図3における上方側)の面(加工面51)には、周辺と比較して突出する部分であるメサ部52が形成されている。本実施形態では、エッチング法などの加工法を用いて半導体素子50の加工面51に平行に延びる2つの四角形状の溝53を形成することにより、それら溝53の間に直線状に延びる形状のメサ部52を形成している。
メサ部52の頂面54には、上述した力伝達ブロック47(図2参照)が固定される。そして、前記ダイヤフラム43に作用した筒内圧が連結部材48および力伝達ブロック47を介してメサ部52に伝わり、同メサ部52が変形して歪みが生じると、メサ部52の抵抗値が変化するようになる。このように、半導体素子50は、筒内圧による自身(詳しくは、メサ部52)の歪みによって抵抗値が変化するものである。
また、半導体素子50の加工面51には1対の端子55が設けられている。端子55はメサ部52を間に挟む位置に設けられており、一方の端子55がメサ部52の一端に導通しており、他方の端子55がメサ部52の他端に導通している。
図2および図4に示すように、燃焼圧センサ40は、出力電力を検出するための検出部60を備えている。半導体素子50の各端子55は、リード線61を介して、検出部60に接続されている。検出部60は一定の電流を供給する定電流回路62を備えており、この定電流回路62から半導体素子50に一定の電流が供給されている。また検出部60はオペアンプを有する出力回路63を備えている。そして、この出力回路63により、半導体素子50の各端子55間の電位差(端子間電圧)が検出されて出力される。本実施形態では、半導体素子50、定電流回路62、および出力回路63からなる電気回路が、受圧部に加えられた圧力と半導体素子50の温度とに応じた電力を出力する検出回路65に相当する。
そして、この出力回路63の出力電圧VOは電子制御装置38に入力されている。
一方、出力回路63の出力電圧VOは、ボトムホールド回路64によって変換された後に、電子制御装置38に入力されている。このボトムホールド回路64は、周知の電気回路であり、出力回路63の出力電圧VOを燃焼圧センサ40の温度による影響を除去した電圧値に変換して、電子制御装置38に出力するための回路である。
一方、出力回路63の出力電圧VOは、ボトムホールド回路64によって変換された後に、電子制御装置38に入力されている。このボトムホールド回路64は、周知の電気回路であり、出力回路63の出力電圧VOを燃焼圧センサ40の温度による影響を除去した電圧値に変換して、電子制御装置38に出力するための回路である。
図5(a)に出力回路63の出力電圧VOの推移を示し、図5(b)にボトムホールド回路64の出力電圧V2を示す。
ボトムホールド回路64には出力回路63の出力電圧VOが入力されている。ボトムホールド回路64は、出力回路63の出力電圧VOが低下から上昇に転じたとき(時刻t1,t2,t3)を始点に、このときの出力電圧VOから徐々に大きくなる電圧値(図5(a)中に一点鎖線で示す出力電圧V1)を生成する。出力電圧V1の生成は、ボトムホールド回路64の一部を構成するコンデンサや抵抗器、オペアンプ等からなる生成回路(図示略)によって実現される。この生成回路は、ボトムホールド回路64の出力電圧V2を燃焼圧センサ40の温度による影響を適正に除去した電圧値にするうえで、上記出力電圧V1の上昇速度が適正な速度になるように予め構成されている。
ボトムホールド回路64には出力回路63の出力電圧VOが入力されている。ボトムホールド回路64は、出力回路63の出力電圧VOが低下から上昇に転じたとき(時刻t1,t2,t3)を始点に、このときの出力電圧VOから徐々に大きくなる電圧値(図5(a)中に一点鎖線で示す出力電圧V1)を生成する。出力電圧V1の生成は、ボトムホールド回路64の一部を構成するコンデンサや抵抗器、オペアンプ等からなる生成回路(図示略)によって実現される。この生成回路は、ボトムホールド回路64の出力電圧V2を燃焼圧センサ40の温度による影響を適正に除去した電圧値にするうえで、上記出力電圧V1の上昇速度が適正な速度になるように予め構成されている。
そして、出力回路63の出力電圧VOから上記生成回路の出力電圧V1を減算した値(=VO−V1)が、出力電圧V2としてボトムホールド回路64から出力される。詳しくは、出力電圧V2は、出力回路63の出力電圧VOが低下から上昇に転じる度に、半導体素子50の温度によることなく、一旦基準となる電圧値(0V)になる。そして、その後においては、生成回路の出力電圧V1と出力回路63の出力電圧VOとの差が出力電圧V2になる。これにより出力電圧V2は、半導体素子50の温度による影響が除去された値であって、筒内圧に応じた値になる。なお、出力電圧VO,V1を利用した出力電圧V2の生成は、ボトムホールド回路64の一部を構成するオペアンプなどによって実現される。
そして、前記各種制御を実行する際に筒内圧を検出する場合には、同筒内圧としてボトムホールド回路64の出力電圧V2が検出される。
本実施形態では、燃焼圧センサ40の出力回路63の出力電圧VOを利用して、燃焼室15の温度を検出するようにしている。
本実施形態では、燃焼圧センサ40の出力回路63の出力電圧VOを利用して、燃焼室15の温度を検出するようにしている。
以下、燃焼室15の温度を検出する処理(温度検出処理)について説明する。
図6は上記温度検出処理の実行手順を示しており、同図のフローチャートに示される一連の処理は、所定周期毎の割り込み処理として、電子制御装置38により実行される。
図6は上記温度検出処理の実行手順を示しており、同図のフローチャートに示される一連の処理は、所定周期毎の割り込み処理として、電子制御装置38により実行される。
図6に示すように、この処理では先ず、予め定められた所定のクランク角であるか否かが判断される(ステップS11)。所定のクランク角としては、燃焼圧力が発生していない角度(本実施形態では、燃焼圧センサ40が設けられた気筒が吸気行程になる角度)が設定されている。
そして、所定のクランク角になると(ステップS11:YES)、燃焼圧センサ40の検出回路65(詳しくは、出力回路63)の出力電圧VOから、オームの法則(電圧V=抵抗R×電流I)を利用して、同検出回路65の抵抗値ROが算出される(ステップS12)。本実施形態では、検出回路65に一定の電流IOが供給される。このことをふまえて、関係式「抵抗値RO=出力電圧VO/電流IO(一定)」から、検出回路65の抵抗値ROが算出される。その後、ステップS12で算出された抵抗値ROに基づいて演算マップから燃焼室15(詳しくは、その内壁面)の温度(燃焼室温度Ten)が算出されて検出される(ステップS13)。
(作用)
半導体素子50は、自身の温度とダイヤフラム43を介して筒内圧が作用することによるメサ部52の歪みとの双方に応じて抵抗値が変化する特性を有する。そのため、半導体素子50が受ける筒内圧(詳しくは、メサ部52の歪み)が同一の条件下では、同筒内圧の違いによる半導体素子50の抵抗値の変化は生じないため、温度の違いがそのまま半導体素子50の抵抗値に現れるようになる。具体的には、燃焼圧センサ40の出力回路63の出力電圧VOが、ダイヤフラム43を介してメサ部52に作用する筒内圧による影響分と半導体素子50の温度による影響分とを含む値になっている。そのため、単に出力電圧VOに基づいて検出回路65の抵抗値ROを算出すると、抵抗値ROが、ダイヤフラム43に作用する筒内圧による影響分を含む値になってしまい、抵抗値ROを精度良く算出することができない。
半導体素子50は、自身の温度とダイヤフラム43を介して筒内圧が作用することによるメサ部52の歪みとの双方に応じて抵抗値が変化する特性を有する。そのため、半導体素子50が受ける筒内圧(詳しくは、メサ部52の歪み)が同一の条件下では、同筒内圧の違いによる半導体素子50の抵抗値の変化は生じないため、温度の違いがそのまま半導体素子50の抵抗値に現れるようになる。具体的には、燃焼圧センサ40の出力回路63の出力電圧VOが、ダイヤフラム43を介してメサ部52に作用する筒内圧による影響分と半導体素子50の温度による影響分とを含む値になっている。そのため、単に出力電圧VOに基づいて検出回路65の抵抗値ROを算出すると、抵抗値ROが、ダイヤフラム43に作用する筒内圧による影響分を含む値になってしまい、抵抗値ROを精度良く算出することができない。
ここで、ダイヤフラム43に燃焼圧力が作用しないとき(内燃機関10の排気行程や吸気行程など)においては、半導体素子50に作用する荷重がごく小さく同半導体素子50のメサ部52に殆ど歪みが生じないために、温度の違いが出力電圧VOにそのまま現れるようになる。本実施形態では、燃焼圧センサ40に燃焼圧力が作用しない所定のクランク角であるとき、すなわち温度の違いが半導体素子50の抵抗値にそのまま現れるときにおける検出回路65の出力電圧VOが同検出回路65の抵抗値ROの算出に用いられる。
本実施形態では、検出回路65に一定電流が供給されるため、半導体素子50の温度に応じて出力回路63の出力電圧VOが変化するようになる。そのため、出力回路63の出力電圧VOをもとに検出回路65の抵抗値ROを算出することができ、この抵抗値ROをもとに燃焼圧センサ40の温度を推定することが可能であると云える。
具体的には、図7に示すように、半導体素子50の温度が高いときほど、同半導体素子50を有する検出回路65の抵抗値ROが高くなる。なお図7は、半導体素子50の温度と検出回路65の抵抗値ROとの関係を測定した結果を示している。
この点をふまえて本実施形態では、所定のクランク角における出力回路63の出力電圧VOに基づいて検出回路65の抵抗値ROが算出される。これにより、抵抗値ROとして、ダイヤフラム43を介してメサ部52に作用する筒内圧による影響分を除去した値であって、半導体素子50の温度に応じた値を算出することができる。そして、この抵抗値ROから、半導体素子50の温度と相関を有する燃焼室15の温度が検出される。
本実施形態の装置では、燃焼圧センサ40の温度が分かれば、同燃焼圧センサ40が取り付けられている内燃機関10の燃焼室15の温度も分かる。こうした実情をふまえて、本実施形態では、発明者らによる各種の実験やシミュレーションの結果から検出回路65の抵抗値ROと燃焼室15の温度(燃焼室温度Ten)との関係が予め求められるとともに、同関係が前記演算マップとして電子制御装置38に記憶されている。そして、温度算出処理(図6)のステップS13の処理では、この演算マップから燃焼室温度Tenが算出される。
このように本実施形態によれば、燃焼圧センサ40を有する装置において、同燃焼圧センサ40の温度変化に伴う検出回路65の抵抗値ROの変化を利用して、内燃機関10の燃焼室15の温度を算出して検出することができる。そして本実施形態では、燃焼室15の温度を検出するために、半導体素子50を備えた検出回路65以外の特段の構成を燃焼圧センサ40に付与する必要がないため、コストアップを抑えることができる。
本実施形態では、温度検出処理を通じて検出される燃焼室温度Tenを用いて、ノッキングの発生を抑えるための処理(ノック抑制処理)が実行される。
図8はノック抑制処理の実行手順を示している。図8のフローチャートに示される一連の処理は、インジェクタ16の作動制御(燃料噴射制御)の一環として実行される処理であり、所定周期毎の割り込み処理として電子制御装置38により実行される。
図8はノック抑制処理の実行手順を示している。図8のフローチャートに示される一連の処理は、インジェクタ16の作動制御(燃料噴射制御)の一環として実行される処理であり、所定周期毎の割り込み処理として電子制御装置38により実行される。
図8に示すように、この処理では先ず、燃焼室温度Tenが、ノッキングの発生が予測される所定温度JT以上であるか否かが判断される(ステップS21)。所定温度JTとしては、ノッキングが発生することのある温度範囲の下限よりも若干低い温度が定められて電子制御装置38に記憶されている。
そして、燃焼室温度Tenが所定温度JT以上であるときには(ステップS21:YES)、補正量KQに所定量ΔQが加算される(ステップS22)。一方、燃焼室温度Tenが所定温度JT未満であるときには(ステップS21:NO)、補正量KQから所定量ΔQが減算される(ステップS23)。
このようにして補正量KQが加算または減算された後、同補正量KQが「0」によって下限ガード処理される(ステップS24)。具体的には、補正量KQが負の値であるときには「0」が新たな補正量KQとして設定される一方、補正量KQが「0」以上の値であるときには同値がそのまま補正量KQとして設定される。
そして、本実施形態では、インジェクタ16からの燃料噴射量についての制御目標値(目標噴射量Tq)に上記補正量KQを加算した値を新たな目標噴射量Tqとすることにより、目標噴射量Tqが増量補正される。
このように燃料噴射量を増量補正することにより、燃焼圧センサ40を利用して検出した燃焼室温度Tenが高くノッキングが発生し易いときに、燃料噴射量を増量して同燃料の気化潜熱を大きくすることによって燃焼室15内の温度を低くすることができる。そのため、実際に検出した燃焼室15の温度に応じて、内燃機関10におけるノッキングの発生を抑えることができる。
以上説明したように、本実施形態によれば、以下に記載する効果が得られる。
(1)内燃機関10の燃焼圧力が燃焼圧センサ40のダイヤフラム43に作用していないときにおける検出回路65の出力電圧VOに基づいて、燃焼室温度Tenを算出して検出するようにした。そのため、燃焼圧センサ40を有する装置において、同燃焼圧センサ40の温度変化に伴う検出回路65の抵抗値ROの変化を利用して、内燃機関10の燃焼室15の温度を検出することができる。本実施形態では、燃焼室15の温度を検出するために、半導体素子50を備えた検出回路65以外の特段の構成を燃焼圧センサ40に付与する必要がないため、コストアップを抑えることができる。
(1)内燃機関10の燃焼圧力が燃焼圧センサ40のダイヤフラム43に作用していないときにおける検出回路65の出力電圧VOに基づいて、燃焼室温度Tenを算出して検出するようにした。そのため、燃焼圧センサ40を有する装置において、同燃焼圧センサ40の温度変化に伴う検出回路65の抵抗値ROの変化を利用して、内燃機関10の燃焼室15の温度を検出することができる。本実施形態では、燃焼室15の温度を検出するために、半導体素子50を備えた検出回路65以外の特段の構成を燃焼圧センサ40に付与する必要がないため、コストアップを抑えることができる。
(2)燃焼室温度Tenがノッキングの発生が予測される所定温度JT以上になったときに、内燃機関10の燃料噴射量を増量するようにした。そのため、実際に検出した燃焼室15の温度に応じて、内燃機関10におけるノッキングの発生を抑えることができる。
なお、上記実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
・温度検出処理(図6)のステップS11の処理は、燃焼圧センサ40のダイヤフラム43に内燃機関10の燃焼圧力が作用していないことを判断することのできる処理であれば、任意に変更することができる。例えば、ステップS11の処理において、燃焼圧センサ40が設けられた気筒が排気行程になる所定のクランク角であるか否かを判断するようにしてもよい。
・温度検出処理(図6)のステップS11の処理は、燃焼圧センサ40のダイヤフラム43に内燃機関10の燃焼圧力が作用していないことを判断することのできる処理であれば、任意に変更することができる。例えば、ステップS11の処理において、燃焼圧センサ40が設けられた気筒が排気行程になる所定のクランク角であるか否かを判断するようにしてもよい。
・ボトムホールド回路64を有していない燃焼圧センサが採用された装置にも、上記実施形態の装置は適用することができる。
・検出回路65の抵抗値ROをもとに演算マップ(または関係式)から半導体素子50の温度を算出するとともに、同半導体素子50の温度をもとに演算マップ(または関係式)から燃焼室15の温度を算出するといったように、燃焼室15の温度を算出するようにしてもよい。こうした装置によれば、燃焼室15の温度を算出する過程で、半導体素子50の温度を算出することができる。そのため、半導体素子50の温度が異常に高くなっていることを判定する処理など、同半導体素子50の温度を利用した各種処理を実行することができる。
・検出回路65の抵抗値ROをもとに演算マップ(または関係式)から半導体素子50の温度を算出するとともに、同半導体素子50の温度をもとに演算マップ(または関係式)から燃焼室15の温度を算出するといったように、燃焼室15の温度を算出するようにしてもよい。こうした装置によれば、燃焼室15の温度を算出する過程で、半導体素子50の温度を算出することができる。そのため、半導体素子50の温度が異常に高くなっていることを判定する処理など、同半導体素子50の温度を利用した各種処理を実行することができる。
・ノック抑制処理として、燃料噴射量を増量する処理に限らず、スロットルバルブ13の開度(スロットル開度)を小さくする処理を実行してもよい。
図9は、そうしたノック抑制処理の実行手順を示している。図9のフローチャートに示される一連の処理は、スロットルバルブ13の作動制御(スロットル制御)の一環として実行される処理であり、所定周期毎の割り込み処理として電子制御装置38により実行される。
図9は、そうしたノック抑制処理の実行手順を示している。図9のフローチャートに示される一連の処理は、スロットルバルブ13の作動制御(スロットル制御)の一環として実行される処理であり、所定周期毎の割り込み処理として電子制御装置38により実行される。
図9に示すように、この処理では先ず、燃焼室温度Tenが、ノッキングの発生が予測される所定温度JT以上であるか否かが判断される(ステップS31)。そして、燃焼室温度Tenが所定温度JT以上であるときには(ステップS31:YES)、補正量Ktaに所定量ΔTAが加算される(ステップS32)。一方、燃焼室温度Tenが所定温度JT未満であるときには(ステップS31:NO)、補正量Ktaから所定量ΔTAが減算される(ステップS33)。このようにして補正量Ktaが加算または減算された後、同補正量Ktaが「0」によって下限ガード処理される(ステップS34)。具体的には、補正量Ktaが負の値であるときには「0」が新たな補正量Ktaとして設定される一方、補正量Ktaが「0」以上の値であるときには同値がそのまま補正量Ktaとして設定される。そして、本実施形態では、スロットルバルブ13の開度についての制御目標値(目標スロットル開度Tta)から上記補正量Ktaを減算した値を新たな目標スロットル開度Ttaとすることにより、目標スロットル開度Ttaが小さい開度に補正される。
これにより、燃焼圧センサ40を利用して検出した燃焼室温度Tenが高くノッキングが発生し易いときに、スロットルバルブ13の開度を小さくすることによって内燃機関10の吸入空気量を減少させて、燃焼室15内の温度を低くすることができる。そのため、実際に検出した燃焼室15の温度に応じて、内燃機関10におけるノッキングの発生を抑えることができる。
・ノック抑制処理として、内燃機関10の点火時期を遅角する処理を実行してもよい。
図10は、そうしたノック抑制処理の実行手順を示している。図10のフローチャートに示される一連の処理は、点火プラグ17の作動制御(点火時期制御)の一環として実行される処理であり、所定周期毎の割り込み処理として電子制御装置38により実行される。
図10は、そうしたノック抑制処理の実行手順を示している。図10のフローチャートに示される一連の処理は、点火プラグ17の作動制御(点火時期制御)の一環として実行される処理であり、所定周期毎の割り込み処理として電子制御装置38により実行される。
図10に示すように、この処理では先ず、燃焼室温度Tenが、ノッキングの発生が予測される所定温度JT以上であるか否かが判断される(ステップS41)。そして、燃焼室温度Tenが所定温度JT以上であるときには(ステップS41:YES)、遅角補正量Kaに所定量ΔAが加算される(ステップS42)。一方、燃焼室温度Tenが所定温度JT未満であるときには(ステップS41:NO)、遅角補正量Kaから所定量ΔAが減算される(ステップS43)。このようにして遅角補正量Kaが加算または減算された後、同遅角補正量Kaが「0」によって下限ガード処理される(ステップS44)。具体的には、遅角補正量Kaが負の値であるときには「0」が新たな遅角補正量Kaとして設定される一方、遅角補正量Kaが「0」以上の値であるときには同値がそのまま遅角補正量Kaとして設定される。そして、本実施形態では、点火時期の制御目標値(目標点火時期Ta)から上記遅角補正量Kaを減算した値を新たな目標点火時期Taとすることにより、目標点火時期Taが遅角補正量Kaの分だけ遅角側の時期に補正される。
これにより、燃焼圧センサ40を利用して検出した燃焼室温度Tenが高くノッキングが発生し易いときに、点火時期を遅角して燃焼室15の圧力のピーク値を低くすることができ、燃焼室15内の温度を低くすることができる。そのため、実際に検出した燃焼室15の温度に応じて、内燃機関10におけるノッキングの発生を抑えることができる。
・ノック抑制処理として、ウォーターポンプ37による冷却水の圧送量を増量する処理を実行してもよい。
図11は、そうしたノック抑制処理の実行手順を示している。図11のフローチャートに示される一連の処理は、ウォーターポンプ37の作動制御の一環として実行される処理であり、所定周期毎の割り込み処理として電子制御装置38により実行される。
図11は、そうしたノック抑制処理の実行手順を示している。図11のフローチャートに示される一連の処理は、ウォーターポンプ37の作動制御の一環として実行される処理であり、所定周期毎の割り込み処理として電子制御装置38により実行される。
図11に示すように、この処理では先ず、燃焼室温度Tenが、ノッキングの発生が予測される所定温度JT以上であるか否かが判断される(ステップS51)。そして、燃焼室温度Tenが所定温度JT以上であるときには(ステップS51:YES)、補正量Kpに所定量ΔPが加算される(ステップS52)。一方、燃焼室温度Tenが所定温度JT未満であるときには(ステップS51:NO)、補正量Kpから所定量ΔPが減算される(ステップS53)。このようにして補正量Kpが加算または減算された後、同補正量Kpが「0」によって下限ガード処理される(ステップS54)。具体的には、補正量Kpが負の値であるときには「0」が新たな補正量Kpとして設定される一方、補正量Kpが「0」以上の値であるときには同値がそのまま補正量Kpとして設定される。そして、本実施形態では、ウォーターポンプ37の作動量の制御目標値(目標ポンプ作動量Tp)に上記補正量Kpを加算した値を新たな目標ポンプ作動量Tpとすることにより、目標ポンプ作動量Tpが補正量Kpの分だけ増量側の値に補正される。
これにより、燃焼圧センサ40を利用して検出した燃焼室温度Tenが高くノッキングが発生し易いときに、ウォーターポンプ37の作動量を大きくして冷却水による内燃機関10の冷却効果を高くすることができ、燃焼室15内の温度を低下させることができる。そのため、実際に検出した燃焼室15の温度に応じて、内燃機関10におけるノッキングの発生を抑えることができる。
・ノック抑制処理として、吸気バルブ21の作用角VLを小さくする処理を実行してもよい。
図12は、そうしたノック抑制処理の実行手順を示している。図12のフローチャートに示される一連の処理は、作用角変更機構27の作動制御の一環として実行される処理であり、所定周期毎の割り込み処理として電子制御装置38により実行される。
図12は、そうしたノック抑制処理の実行手順を示している。図12のフローチャートに示される一連の処理は、作用角変更機構27の作動制御の一環として実行される処理であり、所定周期毎の割り込み処理として電子制御装置38により実行される。
図12に示すように、この処理では先ず、燃焼室温度Tenが、ノッキングの発生が予測される所定温度JT以上であるか否かが判断される(ステップS61)。そして、燃焼室温度Tenが所定温度JT以上であるときには(ステップS61:YES)、補正量Kvlに所定量Δvlが加算される(ステップS62)。一方、燃焼室温度Tenが所定温度JT未満であるときには(ステップS61:NO)、補正量Kvlから所定量Δvlが減算される(ステップS63)。このようにして補正量Kvlが加算または減算された後、同補正量Kvlが「0」によって下限ガード処理される(ステップS64)。具体的には、補正量Kvlが負の値であるときには「0」が新たな補正量Kvlとして設定される一方、補正量Kvlが「0」以上の値であるときには同値がそのまま補正量Kvlとして設定される。そして、本実施形態では、吸気バルブ21の作用角VLの制御目標値(目標作用角Tvl)から上記補正量Kvlを減算した値を新たな目標作用角Tvlとすることにより、目標作用角Tvlが小さい角度に補正される。
これにより、燃焼圧センサ40を利用して検出した燃焼室温度Tenが高くノッキングが発生し易いときに、吸気バルブ21の作用角VLを小さくし、吸入空気量を少なくして、燃焼室15内の温度を低下させることができる。そのため、実際に検出した燃焼室15の温度に応じて、内燃機関10におけるノッキングの発生を抑えることができる。
なお、こうした作用角変更機構27の作動制御に合わせて、補正量Kvlが大きい値であるときほど吸気バルブタイミングVTの制御目標値を進角側の時期に補正するといったように、バルブタイミング変更機構25の作動制御を実行してもよい。こうした装置によれば、吸気バルブ21の作用角VLの変更に合わせて、吸気バルブタイミングVTを変更することができ、バルブオーバーラップ量を適切に設定することができる。
・ノック抑制処理として、EGR量を増量する処理を実行してもよい。
図13は、そうしたノック抑制処理の実行手順を示している。図13のフローチャートに示される一連の処理は、EGRバルブ31の作動制御の一環として実行される処理であり、所定周期毎の割り込み処理として電子制御装置38により実行される。
図13は、そうしたノック抑制処理の実行手順を示している。図13のフローチャートに示される一連の処理は、EGRバルブ31の作動制御の一環として実行される処理であり、所定周期毎の割り込み処理として電子制御装置38により実行される。
図13に示すように、この処理では先ず、燃焼室温度Tenが、ノッキングの発生が予測される所定温度JT以上であるか否かが判断される(ステップS71)。そして、燃焼室温度Tenが所定温度JT以上であるときには(ステップS71:YES)、補正量Keに所定量ΔEが加算される(ステップS72)。一方、燃焼室温度Tenが所定温度JT未満であるときには(ステップS71:NO)、補正量Keから所定量ΔEが減算される(ステップS73)。このようにして補正量Keが加算または減算された後、同補正量Keが「0」によって下限ガード処理される(ステップS74)。具体的には、補正量Keが負の値であるときには「0」が新たな補正量Keとして設定される一方、補正量Keが「0」以上の値であるときには同値がそのまま補正量Keとして設定される。そして、本実施形態では、EGRバルブ31の開度についての制御目標値(目標EGR開度Te)に上記補正量Keを加算した値を新たな目標EGR開度Teとすることにより、目標EGR開度Teが大きい開度に補正される。
これにより、燃焼圧センサ40を利用して検出した燃焼室温度Tenが高くノッキングが発生し易いときに、EGR量を多くし、燃焼室15内のガスの熱容量を大きくして、燃焼室15内の温度を低下させることができる。そのため、実際に検出した燃焼室15の温度に応じて、内燃機関10におけるノッキングの発生を抑えることができる。
・ノック抑制処理として、ターボチャージャ32による過給量を少なくする処理を実行してもよい。
図14は、そうしたノック抑制処理の実行手順を示している。図14のフローチャートに示される一連の処理は、ターボチャージャ32の作動制御の一環として実行される処理であり、所定周期毎の割り込み処理として電子制御装置38により実行される。
図14は、そうしたノック抑制処理の実行手順を示している。図14のフローチャートに示される一連の処理は、ターボチャージャ32の作動制御の一環として実行される処理であり、所定周期毎の割り込み処理として電子制御装置38により実行される。
図14に示すように、この処理では先ず、燃焼室温度Tenが、ノッキングの発生が予測される所定温度JT以上であるか否かが判断される(ステップS81)。そして、燃焼室温度Tenが所定温度JT以上であるときには(ステップS81:YES)、補正量Kvnに所定量ΔVNが加算される(ステップS82)。一方、燃焼室温度Tenが所定温度JT未満であるときには(ステップS81:NO)、補正量Kvnから所定量ΔVNが減算される(ステップS83)。このようにして補正量Kvnが加算または減算された後、同補正量Kvnが「0」によって下限ガード処理される(ステップS84)。具体的には、補正量Kvnが負の値であるときには「0」が新たな補正量Kvnとして設定される一方、補正量Kvnが「0」以上の値であるときには同値がそのまま補正量Kvnとして設定される。そして、本実施形態では、ノズルベーンの開度についての制御目標値(目標ノズル開度Tvn)に上記補正量Kvnを加算した値を新たな目標ノズル開度Tvnとすることにより、目標ノズル開度Tvnが大きい開度に補正される。
これにより、燃焼圧センサ40を利用して検出した燃焼室温度Tenが高くノッキングが発生し易いときに、ターボチャージャ32による過給量を少なくして内燃機関10の燃焼室15内の温度を低下させることができる。そのため、実際に検出した燃焼室15の温度に応じて、内燃機関10におけるノッキングの発生を抑えることができる。
・出力回路63の出力電圧VOと燃焼室15の温度との関係を演算マップ(あるいは演算式)に予め定めるとともに、出力電圧VOに基づいて同演算マップ(あるいは演算式)から燃焼室15の温度を算出するようにしてもよい。上記実施形態の装置は、検出回路65の供給電流が一定であるため、出力回路63の出力電圧VOが分かれば同検出回路65の抵抗値ROも分かる。そのため、出力電圧VOを抵抗値ROの指標値として用いることにより、同出力電圧VOから燃焼圧センサ40の温度、ひいては燃焼室15の温度を算出して検出することができる。このように上記実施形態の装置では、半導体素子50の出力回路63の出力電圧VOが同半導体素子50のメサ部52の温度に依存する値であると云える。そのため、各種の実験やシミュレーションの結果から出力回路63の出力電圧VOと燃焼室15の温度(燃焼室温度Ten)との関係を予め求めて、同関係を演算マップ(または関係式)として電子制御装置38に記憶させておくことにより、出力電圧VOをもとに演算マップ(または関係式)から燃焼室温度Tenを精度よく算出することができる。
・半導体素子50に定電圧の電源が接続されるとともに同半導体素子50を有する検出回路から内燃機関10の筒内圧に応じた電流が出力されるタイプの燃焼圧センサが採用される装置にも、上記実施形態の装置は、その構成を適宜変更したうえで適用することができる。こうした装置では、燃焼圧センサのダイヤフラム43に燃焼圧力が作用していないときにおける検出回路の出力電流から同検出回路の抵抗値を算出するとともに、同抵抗値から燃焼室15の温度を算出すればよい。
上記装置では、半導体素子50に一定電圧が印加されるため、同半導体素子50の温度に応じて検出回路の出力電流が変化する。そのため、検出回路の出力電流をもとにオームの法則(電圧V=抵抗R×電流I)を利用して検出回路の抵抗値を算出することができ、この抵抗値をもとに燃焼圧センサの温度、ひいては燃焼室15の温度を推定することが可能であると云える。
上記装置によれば、燃焼圧センサのダイヤフラム43に燃焼圧力が作用していないとき、すなわち半導体素子50に作用する荷重がごく小さく同半導体素子50に殆ど歪みが生じていないために温度の違いが半導体素子50の抵抗値にそのまま現れるときに、検出回路の出力電流から同検出回路の抵抗値を算出することができる。そして、この抵抗値から、半導体素子50の温度と相関を有する燃焼室15の温度を検出することができる。
また上記装置において、検出回路の出力電流と燃焼室15の温度との関係を演算マップ(あるいは演算式)に予め定めるとともに、同検出回路の出力電流に基づいて同演算マップ(あるいは演算式)から燃焼室15の温度を算出するようにしてもよい。
上記装置は、半導体素子50に印加される電圧が一定であるため、検出回路の出力電流が分かれば同検出回路の抵抗値も分かる。そのため、出力電流を抵抗値の指標値として用いることにより、同出力電流から燃焼圧センサの温度、ひいては燃焼室15の温度を算出して検出することができる。このように上記装置では、半導体素子の検出回路の出力電流が同半導体素子のメサ部52の温度に依存する値であると云える。そのため、各種の実験やシミュレーションの結果から検出回路の出力電流と燃焼室15の温度との関係を予め求めて、同関係を演算マップ(または関係式)として電子制御装置38に記憶させておくことにより、出力電流をもとに同演算マップ(または関係式)から燃焼室15の温度を精度良く算出することができる。
10…内燃機関、11…吸気通路、12…スロットル機構、13…スロットルバルブ、14…スロットルモータ、15…燃焼室、16…インジェクタ、17…点火プラグ、18…ピストン、19…クランクシャフト、20…排気通路、21…吸気バルブ、22…排気バルブ、23…吸気カムシャフト、24…排気カムシャフト、25…バルブタイミング変更機構、26…アクチュエータ、27…作用角変更機構、28…アクチュエータ、29…EGR装置、30…EGR通路、31…EGRバルブ、32…ターボチャージャ、33…タービンホイール、34…コンプレッサホイール、35…可変ノズル機構、35A…アクチュエータ、36…ウォータージャケット、37…ウォーターポンプ、38…電子制御装置、40…燃焼圧センサ、41…インナーハウジング、42…アウターハウジング、43…ダイヤフラム、44…シール部材、45…空間、47…力伝達ブロック、48…連結部材、50…半導体素子、51…加工面、52…メサ部、53…溝、54…頂面、55…端子、60…検出部、61…リード線、62…定電流回路、63…出力回路、64…ボトムホールド回路、65…検出回路。
Claims (3)
- 内燃機関の燃焼室内に配置されて同燃焼室の内部圧力を受ける受圧部と、同受圧部に加えられた前記内部圧力が伝達されてその伝達された内部圧力による自身の歪みと自身の温度との双方に応じて抵抗値が変化する半導体素子と、同半導体素子を備えて前記受圧部に加えられた圧力と前記半導体素子の温度とに応じた電力を出力する検出回路と、を有する燃焼圧センサと、
前記内燃機関の燃焼圧力が前記受圧部に作用していないときにおける前記検出回路の出力に基づいて、前記燃焼室の温度を算出する温度算出部と
を備える内燃機関の制御装置。 - 請求項1に記載の内燃機関の制御装置において、
前記燃焼圧センサは、前記検出回路に一定電流が供給されるものであり、
前記温度算出部は、前記検出回路の出力として同検出回路の出力電圧を用いて前記燃焼室の温度を算出する
ことを特徴とする内燃機関の制御装置。 - 請求項1または2に記載の内燃機関の制御装置において、
当該制御装置は、前記温度算出部により算出される前記燃焼室の温度がノッキングの発生が予測される温度以上になったときに、前記内燃機関の燃料噴射量を増量する
ことを特徴とする内燃機関の制御装置。
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