JP2017032370A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基準抵抗とシャント抵抗とに温度差が生じることの抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】配線層２０が形成された半導体基板１０と、半導体基板に接続されたヒートシンク３０と、配線層とともに半導体基板を被覆するモールド樹脂４０と、を有し、配線層は絶縁層２１と導電層２２を有し、複数の導電層の内の１つの第１導電層２３に、被測定電流の流れるシャント抵抗が含まれ、第１導電層とは異なる第２導電層２４に、被測定電流の流動によってシャント抵抗に生じる被測定電圧の温度特性の補正に活用される基準抵抗が含まれている。積層方向において基準抵抗とシャント抵抗とが並び、基準抵抗はシャント抵抗よりもヒートシンク側に位置して、絶縁層の一部を介して互いに対向している。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線層が上面に形成され、その裏面にヒートシンクの接続された半導体基板がモールド樹脂によって被覆された半導体装置に関するものである。

特許文献１に示されるように、シャント抵抗とセンス抵抗の温度変化とが互いに等しくなるように、シャント抵抗とセンス抵抗との配置、および、シャント抵抗とセンス抵抗それぞれの温度係数を異ならせた電流検出回路が知られている。

特開２０１２−１４９９３４号公報

特許文献１に示される電流検出回路では、シャント抵抗はセンス抵抗（基準抵抗）に比べて大きく発熱する。したがってシャント抵抗にて生じた熱が基準抵抗へと伝熱することで、シャント抵抗と基準抵抗の温度変化が互いに等しくなる。しかしながらシャント抵抗と基準抵抗それぞれは同一の基板に搭載されており、シャント抵抗にて生じた熱は基板において等方的に拡散する。そのため基準抵抗がシャント抵抗と同じ温度になり難かった。

そこで本発明は上記問題点に鑑み、基準抵抗とシャント抵抗とに温度差が生じることの抑制された半導体装置を提供することを目的とする。

上記した目的を達成するための開示された発明の１つは、配線層（２０）が上面（１０ａ）に形成された半導体基板（１０）と、
半導体基板の上面の反対側の裏面（１０ｂ）に接続されたヒートシンク（３０）と、
ヒートシンクの少なくとも一部、および、配線層とともに半導体基板を被覆するモールド樹脂（４０）と、を有し、
配線層は、絶縁層（２１）、および、絶縁層を介して積層される複数の導電層（２２）を有し、
複数の導電層の内の１つの第１導電層（２３）に、被測定電流の流れるシャント抵抗（２５）が含まれ、第１導電層とは異なる第２導電層（２４）に、被測定電流の流動によってシャント抵抗に生じる被測定電圧の温度特性の補正に活用される基準抵抗（２６）が含まれており、
半導体基板の上面に直交する積層方向において基準抵抗とシャント抵抗とが並び、基準抵抗はシャント抵抗よりもヒートシンク側に位置して、絶縁層の一部を介して互いに対向している。

これによれば、被測定電流の流動によってシャント抵抗（２５）で生じた熱は、主として絶縁層（２１）、基準抵抗（２６）、および、半導体基板（１０）を介してヒートシンク（３０）へと伝熱される。このように基準抵抗（２６）はシャント抵抗（２５）にて生じた熱の主たる伝熱経路の一部を担っている。したがって基準抵抗（２６）がシャント抵抗（２５）にて生じた熱の主たる伝熱経路を担わない構成と比べて、基準抵抗（２６）とシャント抵抗（２５）とに温度差が生じることが抑制される。この結果、被測定電圧の温度補正精度の低下が抑制される。

なお、特許請求の範囲に記載の請求項、および、課題を解決するための手段それぞれに記載の要素に括弧付きで符号をつけている。この括弧付きの符号は実施形態に記載の各構成要素との対応関係を簡易的に示すためのものであり、実施形態に記載の要素そのものを必ずしも示しているわけではない。括弧付きの符号の記載は、いたずらに特許請求の範囲を狭めるものではない。

第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。 シャント抵抗と基準抵抗の大きさと位置関係を示す断面図である。 シャント抵抗と基準抵抗の大きさと位置関係を示す上面図である。 温度特性補正回路の概略構成を示す回路図である。 半導体装置の変形例を示す断面図である。 シャント抵抗と基準抵抗の大きさと位置関係の変形例を示す断面図である。 シャント抵抗と基準抵抗の大きさと位置関係の変形例を示す上面図である。 シャント抵抗と基準抵抗の大きさと位置関係の変形例を示す断面図である。 シャント抵抗と基準抵抗の大きさと位置関係の変形例を示す上面図である。 シャント抵抗と基準抵抗の大きさと位置関係の変形例を示す断面図である。 シャント抵抗と基準抵抗の大きさと位置関係の変形例を示す上面図である。

以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１〜図４に基づいて本実施形態に係る半導体装置を説明する。なお、図１では半導体装置１００の他に筐体２００の一部も図示している。図２では第１導電層２３と第２導電層２４の内、シャント抵抗２５と基準抵抗２６の部位のみを図示している。図３ではシャント抵抗２５を実線で示し、シャント抵抗２５の下に位置する基準抵抗２６を破線で示している。

以下においては互いに直交の関係にある３方向を、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向と示す。そしてｘ方向とｙ方向とによって規定される平面をｘ−ｙ平面と示す。ｚ方向が積層方向に相当する。

図１に示すように半導体装置１００は、半導体基板１０、配線層２０、ヒートシンク３０、モールド樹脂４０、および、配線基板５０を有する。半導体基板１０の上面１０ａに配線層２０が形成され、その裏面１０ｂにヒートシンク３０が機械的に接続されている。モールド樹脂４０によって、ヒートシンク３０に接続された半導体基板１０が配線層２０とともに被覆保護されている。ヒートシンク３０の一部がモールド樹脂４０から露出され、その露出された部位が配線基板５０と機械的に接続されている。そして配線基板５０は、半導体装置１００を収納する金属製の筐体２００に載置されている。

半導体基板１０は、シリコンなどから成り、その表層にＭＯＳＦＥＴなどの能動素子、抵抗やコンデンサなどの受動素子が各種形成されている。半導体基板１０はｘ方向を長手方向、ｙ方向を短手方向とする直方体形状を成し、そのｚ方向の厚さが一定となっている。半導体基板１０の上面１０ａと裏面１０ｂそれぞれはｚ方向に対して直交している。上記の能動素子や受動素子などの電子素子は、上面１０ａ側の表層に主として形成されている。

配線層２０は、絶縁層２１に複数の導電層２２が積層されたものである。配線層２０は絶縁材料と金属材料とを上面１０ａにｚ方向に幾層にも薄膜形成することで形成される。これら薄膜のｚ方向の長さ（厚さ）はμｍオーダーになっている。

絶縁層２１は酸化シリコンや窒化シリコンなどから成り、導電層２２はアルミニウムから成る。導電層２２は、半導体基板１０に形成された各種電子素子と電気的に接続されている。これら導電層２２と電子素子とによって、例えば図３に示す温度特性補正回路１１が形成されている。また図示しないが、温度特性補正回路１１の出力電圧に基づいて被測定電流を検出する検出回路が形成されている。温度特性補正回路１１については後で詳説する。

導電層２２としては、第１導電層２３と、第２導電層２４と、がある。図１および図２に示すように第１導電層２３と第２導電層２４とはｚ方向に並んでいる。第１導電層２３の一部は、被測定電流の流れるシャント抵抗２５としての機能を果たし、第２導電層２４の一部は、上記の温度特性補正回路１１の基準抵抗２６としての機能を果たす。

このシャント抵抗２５には、図１に示す配線２７が接続される。この配線２７は外部接続端子２８に接続される。上記の被測定電流は、これら配線２７と外部接続端子２８とを介してシャント抵抗２５に流入する。外部接続端子２８の一端は配線２７に接続され、その他端は配線基板５０に接続されている。これにより配線層２０と配線基板５０とは、配線２７と外部接続端子２８とを介して電気的に接続されている。この配線２７の全てと外部接続端子２８の一端とは、図１に示すようにモールド樹脂４０によって被覆保護されている。

シャント抵抗２５と基準抵抗２６とはｚ方向において半導体基板１０およびヒートシンク３０へと向かって順に並んでいる。そして図３に示すようにシャント抵抗２５は基準抵抗２６よりもｘ−ｙ平面の面積が広く、基準抵抗２６のシャント抵抗２５側の面２６ａの全てがｚ方向でシャント抵抗２５と対向している。また図２に示すようにシャント抵抗２５と基準抵抗２６との間には絶縁層２１の一部が設けられているが、その厚さは両者の間において一定となっている。この絶縁層２１の厚さは数μｍとなっている。後述するように基準抵抗２６は、温度特性補正回路１１において被測定電圧の温度特性の補正に活用される。

ヒートシンク３０は、半導体基板１０および配線層２０にて発生した熱を放熱するものである。上記したようにヒートシンク３０は半導体基板１０の裏面１０ｂに機械的に接続されている。これによりｚ方向において配線基板５０へと向かって、配線層２０、半導体基板１０、および、ヒートシンク３０が順に並んでいる。ヒートシンク３０は、例えば銅の合金などから成る金属材料から形成されている。

モールド樹脂４０は、配線層２０と半導体基板１０とを被覆保護するものである。図１に示すように、モールド樹脂４０は、配線層２０と半導体基板１０を被覆するが、ヒートシンク３０の一部も被覆する。これによりモールド樹脂４０によって、配線層２０、半導体基板１０、および、ヒートシンク３０が一体的に連結されている。なお、ヒートシンク３０の半導体基板１０との接続面３０ａの反対側の放熱面３０ｂの全てが、モールド樹脂４０から露出されている。モールド樹脂４０はヒートシンク３０よりも伝熱性（放熱性）の低い材料から成る。したがって配線層２０や半導体基板１０にて生じた熱は、モールド樹脂４０ではなく、ヒートシンク３０へと伝熱し易くなっている。

配線基板５０は、絶縁基材５１に配線パターン５２の形成されたものである。絶縁基材５１は直方体形状を成し、ヒートシンク３０の搭載される搭載面５１ａから筐体２００に載置される載置面５１ｂに向かって貫通する貫通孔５３が形成されている。配線パターン５２は、この貫通孔５３を構成する壁面や搭載面５１ａと載置面５１ｂに形成されている。この貫通孔５３、および、貫通孔５３を構成する壁面に形成された配線パターン５２によって、伝熱ビア５４が形成されている。伝熱ビア５４における搭載面５１ａ側がヒートシンク３０と接触し、載置面５１ｂ側が筐体２００と接触する。これによりヒートシンク３０と筐体２００とが、主として伝熱ビア５４を介して熱的に接続される。伝熱ビア５４を構成する配線パターン５２の一部が、伝熱材料に相当する。なお図１では、絶縁基材５１に形成された配線パターン５２の内、貫通孔５３に設けられた部位のみを図示している。

以上に示した半導体装置１００の構成により、配線層２０および半導体基板１０にて発生した熱は、主としてヒートシンク３０と配線基板５０の伝熱ビア５４を介して筐体２００へと伝熱される。

上記したように、配線層２０には被測定電流の流れるシャント抵抗２５が形成されている。そしてこのシャント抵抗２５よりもヒートシンク３０側に、絶縁層２１を介して基準抵抗２６が位置している。上記した配線層２０および半導体基板１０にて主として生じる熱は、被測定電流がシャント抵抗２５を流動することで発生する。したがってこのシャント抵抗２５にて発生した熱は、図１において白抜き矢印で示すように、主として絶縁層２１、基準抵抗２６、半導体基板１０、ヒートシンク３０、および、配線基板５０を介して筐体２００へと伝熱される。このように基準抵抗２６は、シャント抵抗２５にて生じた熱の主たる伝熱経路の一部を担っている。

次に、導電層２２と、半導体基板１０に形成された電子素子とによって構成される温度特性補正回路１１を図３に基づいて説明する。

この温度特性補正回路１１は、被測定電流の流動によってシャント抵抗２５の端部に生じる被測定電圧の温度特性を補正するものである。本実施形態に係る温度特性補正回路１１は反転増幅回路であり、基準抵抗２６、オペアンプ１２、および、帰還抵抗１３を有する。シャント抵抗２５は被測定電流の流れる配線に設けられている。シャント抵抗２５の一端が基準抵抗２６を介してオペアンプ１２の反転入力端子に接続され、その他端がグランドに接続されている。そしてオペアンプ１２の非反転入力端子はグランドに接続されている。帰還抵抗１３は、基準抵抗２６と反転入力端子との間と、オペアンプ１２の出力端子とを接続する帰還配線に設けられている。

被測定電流の電流量をＩ、シャント抵抗２５の抵抗値をＲｓ、基準抵抗２６の抵抗値をＲｂ、帰還抵抗１３の抵抗値をＲｆとすると、オペアンプ１２の出力電圧Ｖｏｕｔは、−Ｒｆ×（Ｒｓ／Ｒｂ）×Ｉとなる。

シャント抵抗２５と基準抵抗２６とはそれぞれアルミニウムから成るので、その温度特性は同一となっている。また上記したように基準抵抗２６はシャント抵抗２５にて生じる熱の主たる伝熱経路の一部を担っている。そしてシャント抵抗２５と基準抵抗２６との間の絶縁層２１の厚さは数μｍである。そのために基準抵抗２６はシャント抵抗２５と同一温度となっている。

以上により出力電圧Ｖｏｕｔの（Ｒｓ／Ｒｂ）は温度依存しなくなっている。また帰還抵抗１３は、詳しくは図示しないが、シャント抵抗２５にて生じた熱の主たる伝熱経路を担わないように、その伝熱経路から離れている。そして帰還抵抗１３は、シャント抵抗２５や基準抵抗２６よりも温度に応じて抵抗値が変動し難い材料から成る。以上により、被測定電流の電流量に依存する温度特性補正回路１１の出力電圧Ｖｏｕｔは、シャント抵抗２５にて生じた熱に依存し難くなっている。なお、帰還抵抗１３は配線層２０若しくは半導体基板１０に形成されている。

詳しくは図示しないが、上記したようにシャント抵抗２５の温度特性を基準抵抗２６によってキャンセルするためには、温度特性補正回路１１として反転増幅回路を組むのではなく、差動増幅回路を多段に構成することでも、成すことができる。このような温度特性補正回路１１は、初等の回路を当業者が適宜組むことで構成することができる。

次に、本実施形態に係る半導体装置１００の作用効果を説明する。上記したように、基準抵抗２６はシャント抵抗２５にて生じた熱の主たる伝熱経路の一部を担っている。したがって基準抵抗がシャント抵抗にて生じた熱の主たる伝熱経路を担わない構成と比べて、基準抵抗２６とシャント抵抗２５とに温度差が生じることが抑制される。この結果、被測定電圧の温度補正精度の低下が抑制される。換言すれば、被測定電流の温度補正精度の低下が抑制される。

シャント抵抗２５と基準抵抗２６とは温度特性が同一である。そのため、本実施形態で示したように、温度特性補正回路１１として、シャント抵抗２５の端部に生じる被測定電圧を入力電圧、基準抵抗２６を入力抵抗とする反転増幅回路などを組むことで、温度依存し難く、増幅された被測定電圧を得ることができる。

シャント抵抗２５と基準抵抗２６との間の絶縁層２１の厚さは一定である。これによれば、シャント抵抗と基準抵抗との間の絶縁層の厚さが不定の構成と比べて、シャント抵抗２５から基準抵抗２６に伝達される熱量が均一となる。そのため基準抵抗２６にて温度ムラの生じることが抑制され、基準抵抗２６とシャント抵抗２５とに温度差が生じることが抑制される。

シャント抵抗２５と基準抵抗２６との間の絶縁層２１の厚さは数μｍとなっている。これによれば、シャント抵抗と基準抵抗との間の絶縁層の厚さが数百μｍの構成と比べて、シャント抵抗２５の温度変化に対する基準抵抗２６の温度変化の応答性が早くなる。そのため基準抵抗２６とシャント抵抗２５とに温度差が生じることが抑制される。

基準抵抗２６のシャント抵抗２５側の面２６ａの全てがシャント抵抗２５とｚ方向で対向している。これによれば、基準抵抗の一部がシャント抵抗とｚ方向で対向する構成と比べて、シャント抵抗２５から基準抵抗２６に伝達される熱量が均一となる。そのため基準抵抗２６にて温度ムラの生じることが抑制され、基準抵抗２６とシャント抵抗２５とに温度差が生じることが抑制される。

ヒートシンク３０の放熱面３０ｂの全てが、モールド樹脂４０から露出されている。これによれば、ヒートシンク３０の全てがモールド樹脂４０によって被覆された構成と比べて、ヒートシンク３０による放熱性が向上される。したがって絶縁層２１、基準抵抗２６、および、半導体基板１０を介してヒートシンク３０へと伝達されるシャント抵抗２５の熱量が増大し、シャント抵抗２５から基準抵抗２６への伝熱量が増大する。そのために基準抵抗２６とシャント抵抗２５とに温度差が生じることが抑制される。

配線基板５０に伝熱ビア５４が形成され、配線基板５０の搭載面５１ａと載置面５１ｂとが伝熱ビア５４を介して熱的に接続されている。そして伝熱ビア５４はヒートシンク３０と熱的に接続されている。これによれば、配線基板に伝熱ビアが形成されていない構成と比べて、絶縁層２１、基準抵抗２６、半導体基板１０、および、ヒートシンク３０を介して配線基板５０の載置面５１ｂへと伝達されるシャント抵抗２５の熱量が増大する。そのためシャント抵抗２５から基準抵抗２６への伝熱量が増大し、基準抵抗２６とシャント抵抗２５とに温度差が生じることが抑制される。

ヒートシンク３０と金属製の筐体２００とが、配線基板５０の伝熱ビア５４を介して熱的に接続されている。これによれば、筐体が樹脂製の構成と比べて、絶縁層２１、基準抵抗２６、半導体基板１０、ヒートシンク３０、および、配線基板５０を介して筐体２００へと伝達されるシャント抵抗２５の熱量が増大する。そのためシャント抵抗２５から基準抵抗２６への伝熱量が増大し、基準抵抗２６とシャント抵抗２５とに温度差が生じることが抑制される。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。

（第１の変形例）
本実施形態では配線基板５０に伝熱ビア５４が形成され、図１に示すように半導体装置１００の搭載される筐体２００の壁面がｘ−ｙ平面に沿っている例を示した。しかしながら例えば図５に示す構成を採用することもできる。この変形例では、配線基板５０に孔５５が形成され、筐体２００には、この孔５５に挿入される凸部２０１が形成されている。この凸部２０１の先端面がヒートシンク３０の放熱面３０ｂと直接接触されている。これによれば、シャント抵抗２５にて生じた熱は、主として絶縁層２１、基準抵抗２６、半導体基板１０、および、ヒートシンク３０を介して筐体２００へと伝熱される。

なお図示しないが、単に配線基板５０に伝熱ビア５４が形成されていない構成を採用することもできる。この場合、図１に示すように配線基板５０は直方体形状を成し、筐体２００の半導体装置１００の搭載面はｘ−ｙ平面に沿っている。

（第２の変形例）
本実施形態ではシャント抵抗２５は基準抵抗２６よりもｘ−ｙ平面の面積が広い例を示した。しかしながら例えば図６および図７に示すように、ｘ−ｙ平面の面積が、シャント抵抗２５と基準抵抗２６とで同一であってもよい。この構成においても、基準抵抗２６のシャント抵抗２５側の面２６ａの全てをｚ方向でシャント抵抗２５と対向させることができる。

なお上記したようにｘ−ｙ平面の面積がシャント抵抗２５と基準抵抗２６とで同一で、基準抵抗２６のシャント抵抗２５側の面２６ａの全てがｚ方向でシャント抵抗２５と対向している。そのため、シャント抵抗２５と基準抵抗２６のｚ方向での重なり具合を示す図７では基準抵抗２６を図示していない。

また図８および図９に示すように、基準抵抗２６のシャント抵抗２５側の面２６ａの一部がｚ方向でシャント抵抗２５と対向した構成を採用することもできる。

さらに例示すれば、図１０および図１１に示すように、シャント抵抗２５が基準抵抗２６よりもｘ−ｙ平面の面積が狭く、基準抵抗２６のシャント抵抗２５側の面２６ａの一部がｚ方向でシャント抵抗２５と対向した構成を採用することもできる。

（その他の変形例）
本実施形態ではシャント抵抗２５と基準抵抗２６との間の絶縁層２１の厚さが一定である例を示した。しかしながらシャント抵抗２５と基準抵抗２６との間の絶縁層２１の厚さは不定でもよい。

本実施形態では第１導電層２３と第２導電層２４それぞれがアルミニウムから成る例を示した。すなわち、シャント抵抗２５と基準抵抗２６それぞれがアルミニウムから成る例を示した。しかしながらシャント抵抗２５と基準抵抗２６の形成材料としては上記例に限定されず、例えば銅などを採用することができる。これによってもシャント抵抗２５と基準抵抗２６の温度特性を同一とすることができる。

さらに言えば、シャント抵抗２５と基準抵抗２６とは形成材料が互いに異なり、温度特性が互いに異なっていても良い。また、シャント抵抗２５と基準抵抗２６の少なくとも一方を複数の導電性材料から構成してもよい。この場合、導電性材料を適宜組み合わせることで、シャント抵抗２５と基準抵抗２６それぞれの温度特性を、半導体装置１００の動作温度領域において一致させてもよい。

本実施形態では導電層２２として、第１導電層２３と第２導電層２４を例示した。もちろんではあるが、導電層２２は、これら２層の導電層以外にも、他の導電層を有していてもよい。

本実施形態では配線パターン５２が、貫通孔５３を構成する壁面や搭載面５１ａと載置面５１ｂに形成された例を示した。しかしながら配線パターン５２の形成領域としては上記例に限定されない。配線パターン５２は絶縁基材５１の内部に形成されていてもよい。

本実施形態では帰還抵抗１３の形成位置について詳しく述べていなかった。しかしながら帰還抵抗１３が配線層２０に形成される場合、帰還抵抗１３はシャント抵抗２５よりもヒートシンク３０から離れ、ｚ方向においてシャント抵抗２５と並んでいない。

本実施形態では帰還抵抗１３は、シャント抵抗２５や基準抵抗２６よりも温度に応じて抵抗値が変動し難い材料から成る例を示した。しかしながら帰還抵抗１３にシャント抵抗２５の熱が伝熱し難くなっている場合、帰還抵抗１３の形成材料は、シャント抵抗２５や基準抵抗２６の形成材料と同一であってもよい。

本実施形態ではヒートシンク３０の一部がモールド樹脂４０によって被覆され、ヒートシンク３０の一部がモールド樹脂４０から露出された例を示した。しかしながらヒートシンク３０の全面がモールド樹脂４０によって被覆された構成を採用することもできる。この変形例の場合、ヒートシンク３０の放熱面３０ｂを被覆するモールド樹脂４０のｚ方向の長さ（厚さ）は、配線層２０を被覆するモールド樹脂４０の厚さよりも薄いと好適である。

本実施形態では半導体基板１０はｘ方向を長手方向、ｙ方向を短手方向とする直方体形状を成す例を示した。しかしながらこれとは逆に、半導体基板１０はｘ方向を短手方向、ｙ方向を長手方向とする直方体形状を成してもよい。

１０…半導体基板、１０ａ…上面、１０ｂ…裏面、２０…配線層、２１…絶縁層、２２…導電層、２３…第１導電層、２４…第２導電層、２５…シャント抵抗、２６…基準抵抗、３０…ヒートシンク、４０…モールド樹脂、１００…半導体装置

Claims (7)

1. 配線層（２０）が上面（１０ａ）に形成された半導体基板（１０）と、
   前記半導体基板の前記上面の反対側の裏面（１０ｂ）に接続されたヒートシンク（３０）と、
   前記ヒートシンクの少なくとも一部、および、前記配線層とともに前記半導体基板を被覆するモールド樹脂（４０）と、を有し、
   前記配線層は、絶縁層（２１）、および、前記絶縁層を介して積層される複数の導電層（２２）を有し、
   複数の前記導電層の内の１つの第１導電層（２３）に、被測定電流の流れるシャント抵抗（２５）が含まれ、前記第１導電層とは異なる第２導電層（２４）に、前記被測定電流の流動によって前記シャント抵抗に生じる被測定電圧の温度特性の補正に活用される基準抵抗（２６）が含まれており、
   前記半導体基板の前記上面に直交する積層方向において前記基準抵抗と前記シャント抵抗とが並び、前記基準抵抗は前記シャント抵抗よりも前記ヒートシンク側に位置して、前記絶縁層の一部を介して互いに対向している半導体装置。
2. 前記シャント抵抗と前記基準抵抗とは温度特性が同一である請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記絶縁層における前記シャント抵抗と前記基準抵抗との間の部位の前記積層方向の長さは一定である請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記基準抵抗における前記シャント抵抗側の面（２６ａ）の全てが、前記積層方向において前記シャント抵抗と対向している請求項１〜３いずれか１項に記載の半導体装置。
5. 前記ヒートシンクにおける前記半導体基板との接続面（３０ａ）の反対側の放熱面（３０ｂ）が前記モールド樹脂から露出されている請求項１〜４いずれか１項に記載の半導体装置。
6. 前記ヒートシンクの前記放熱面と機械的に接続され、前記配線層の前記導電層と電気的に接続される配線基板（５０）を有し、
   前記配線基板には、前記ヒートシンクの搭載面（５１ａ）からその反対側の載置面（５１ｂ）へと貫通する貫通孔（５３）の壁面が伝熱材料（５２）によって覆われた伝熱ビア（５４）が形成され、前記伝熱ビアを介して前記搭載面と前記載置面とが熱的に接続されている請求項５に記載の半導体装置。
7. 前記配線基板の前記載置面は金属製の筐体（２００）に接触され、前記配線基板と前記筐体とが前記伝熱ビアを介して熱的に接続されている請求項６に記載の半導体装置。

Images