JP2017028245A - Antenna module - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an antenna module that can excellently perform transmission and reception of high-frequency signals in a desirable frequency band.SOLUTION: The antenna module comprises: a control substrate 1 having a semiconductor element 4 mounted on a center part of an upper surface thereof; a frame-shape frame substrate 2, joined to an outer periphery part of the control substrate 1 through solder 12 with a predetermined thickness, which has an opening part 2a for storing the semiconductor element 4 at a center part thereof; and an antenna substrate 3, joined to an upper surface of the frame substrate 2 through solder 19 with a predetermined thickness so as to cover an opening part 2a, which has an antenna pattern 23 along an upper surface thereof. The solder 12, 19, through which the control substrate 1 is joined to the frame substrate 2 and the frame substrate 2 is joined to the antenna substrate 3, contain spherical particles S which are composed of materials which are not melted in the solder 12, 19 and have diameters corresponding to the predetermined thicknesses.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、アンテナモジュールに関するものである。   The present invention relates to an antenna module.

従来のアンテナモジュールの例を図４に示す。アンテナモジュールは、主として制御基板８１と、フレーム基板８２と、アンテナ基板８３と、半導体素子８４とから構成されている。   An example of a conventional antenna module is shown in FIG. The antenna module mainly includes a control board 81, a frame board 82, an antenna board 83, and a semiconductor element 84.

制御基板８１は、絶縁板８５の上下面に配線導体８６と絶縁層８７とを交互に複数積層して成り、その上下面にソルダーレジスト層８８が被着されている。制御基板８１の上面中央部には、半導体素子８４が搭載されている。また制御基板８１の上面外周部には、フレーム基板８２が接合されている。制御基板８１の上面中央部には、複数の半導体素子接続パッド８９が形成されている。半導体素子接続パッド８９には、半導体素子８４の電極が半田９０を介して接続されている。制御基板８１の上面外周部には複数のフレーム基板接続パッド９１が形成されている。フレーム基板接続パッド９１には、フレーム基板８２が半田９２を介して接合されている。制御基板８１の下面には、複数の外部接続パッド９３が形成されている。外部接続パッド９３は、図示しない外部の電気回路基板に接続される。半導体素子接続パッド８９とフレーム基板接続パッド９１と外部接続パッド９３とは、所定のもの同士が配線導体８６により電気的に接続されている。   The control substrate 81 is formed by alternately laminating a plurality of wiring conductors 86 and insulating layers 87 on the upper and lower surfaces of the insulating plate 85, and solder resist layers 88 are attached to the upper and lower surfaces thereof. A semiconductor element 84 is mounted on the center of the upper surface of the control board 81. A frame substrate 82 is bonded to the outer peripheral portion of the upper surface of the control substrate 81. A plurality of semiconductor element connection pads 89 are formed at the center of the upper surface of the control substrate 81. The electrode of the semiconductor element 84 is connected to the semiconductor element connection pad 89 via the solder 90. A plurality of frame substrate connection pads 91 are formed on the outer peripheral portion of the upper surface of the control substrate 81. A frame substrate 82 is bonded to the frame substrate connection pad 91 via solder 92. A plurality of external connection pads 93 are formed on the lower surface of the control board 81. The external connection pad 93 is connected to an external electric circuit board (not shown). The semiconductor element connection pad 89, the frame substrate connection pad 91, and the external connection pad 93 are electrically connected to each other by a wiring conductor 86.

フレーム基板８２は、絶縁板９４に配線導体９５を配設して成り、その上下面にソルダーレジスト層９６が被着されている。フレーム基板８２は、その中央部に半導体素子８４を収容する開口部８２ａを有する枠状である。フレーム基板８２の下面には、制御基板接続パッド９７が形成されている。制御基板接続パッド９７は、フレーム基板接続パッド９１に半田９２を介して接合されている。フレーム基板８２の上面には、アンテナ基板接続パッド９８が形成されている。アンテナ基板接続パッド９８には、アンテナ基板８３が半田９９を介して接合されている。制御基板接続パッド９７とアンテナ基板接続パッド９８とは、配線導体９５を介して電気的に接続されている。   The frame substrate 82 includes a wiring conductor 95 disposed on an insulating plate 94, and solder resist layers 96 are attached to the upper and lower surfaces thereof. The frame substrate 82 has a frame shape having an opening 82 a for accommodating the semiconductor element 84 at the center thereof. A control board connection pad 97 is formed on the lower surface of the frame board 82. The control board connection pad 97 is joined to the frame board connection pad 91 via solder 92. Antenna substrate connection pads 98 are formed on the upper surface of the frame substrate 82. An antenna substrate 83 is bonded to the antenna substrate connection pad 98 via solder 99. The control board connection pad 97 and the antenna board connection pad 98 are electrically connected via the wiring conductor 95.

アンテナ基板８３は、複数の絶縁層１００と配線導体１０１とを積層して成り、その上下面にソルダーレジスト層１０２が被着されている。アンテナ基板８３は、フレーム基板８２の開口部８２ａを覆うようにしてフレーム基板８２の上面に接合されている。アンテナ基板８３は、その上面に沿って複数のアンテナパターン１０３を有している。アンテナパターン１０３を介して外部からの電波を受信したり、外部に電波を送信したりする。アンテナ基板８３は、その下面外周部にフレーム基板接続パッド１０４を有している。フレーム基板接続パッド１０４は、アンテナ基板接続パッド９８に半田９９を介して接合されている。   The antenna substrate 83 is formed by laminating a plurality of insulating layers 100 and wiring conductors 101, and solder resist layers 102 are attached to the upper and lower surfaces thereof. The antenna substrate 83 is joined to the upper surface of the frame substrate 82 so as to cover the opening 82 a of the frame substrate 82. The antenna substrate 83 has a plurality of antenna patterns 103 along the upper surface thereof. It receives radio waves from the outside via the antenna pattern 103 or transmits radio waves to the outside. The antenna substrate 83 has a frame substrate connection pad 104 on the outer periphery of its lower surface. The frame substrate connection pad 104 is bonded to the antenna substrate connection pad 98 via solder 99.

半導体素子８４は、高周波素子であり、アンテナパターン１０３で受信した高周波信号が入力される。あるいは、アンテナパターン１０３から送信する高周波信号を出力する。   The semiconductor element 84 is a high frequency element, and a high frequency signal received by the antenna pattern 103 is input thereto. Alternatively, a high frequency signal transmitted from the antenna pattern 103 is output.

ところで、この従来のアンテナモジュールによれば、制御基板８１とフレーム基板８２との間およびフレーム基板８２とアンテナ基板８３との間がそれぞれ半田９２および９９を介して接合されていることから、半田９２や９９の厚みにばらつきが発生する。そのため、制御基板８１とフレーム基板８２とのギャップＧ１，Ｇ２およびフレーム基板８２とアンテナ基板８３とのギャップＧ３，Ｇ４が一定の大きさとならず、制御基板８１とアンテナ基板８３との距離や平行度がばらついたものとなりやすかった。制御基板８１とアンテナ基板８３との距離や平行度にばらつきが発生すると、アンテナモジュールにおける周波数特性が大きくばらついたものとなり、所望の周波数帯域における高周波信号の送受信を良好に行うことができなくなる。   By the way, according to this conventional antenna module, the control board 81 and the frame board 82 and the frame board 82 and the antenna board 83 are joined via the solders 92 and 99, respectively. Variations occur in the thickness of 99 and 99. Therefore, the gaps G1 and G2 between the control board 81 and the frame board 82 and the gaps G3 and G4 between the frame board 82 and the antenna board 83 do not have a constant size, and the distance and parallelism between the control board 81 and the antenna board 83 are not constant. It was easy to become something that was scattered. When variations occur in the distance and parallelism between the control board 81 and the antenna board 83, the frequency characteristics of the antenna module vary greatly, and high-frequency signals in a desired frequency band cannot be transmitted and received satisfactorily.

特開２００４−３２７６４１号公報JP 2004-327641 A

本発明が解決しようとする課題は、制御基板とアンテナ基板との間の距離や平行度に大きなばらつきが発生することがなく、それにより所望の周波数帯域における高周波信号の送受信を良好に行うことが可能なアンテナモジュールを提供することである。   The problem to be solved by the present invention is that there is no large variation in the distance and parallelism between the control board and the antenna board, and thereby high-frequency signal transmission and reception in a desired frequency band can be performed satisfactorily. It is to provide a possible antenna module.

本発明のアンテナモジュールは、上面中央部に半導体素子が搭載された制御基板と、該制御基板の上面外周部に所定厚みの半田を介して接合されており、中央部に前記半導体素子を収容する開口部を有する枠状のフレーム基板と、該フレーム基板の上面に前記開口部を覆うように所定厚みの半田を介して接合されており、上面に沿ってアンテナパターンを有するアンテナ基板と、を具備して成るアンテナモジュールであって、前記制御基板と前記フレーム基板との間および前記フレーム基板と前記アンテナ基板との間を接合する前記半田内に、該半田に溶融しない材料から成り、前記所定厚みに対応した直径を有する球状粒子が含有されていることを特徴とするものである。   The antenna module of the present invention is joined to a control board on which a semiconductor element is mounted at the center of the upper surface, and to the outer peripheral part of the upper surface of the control board via solder of a predetermined thickness, and the semiconductor element is accommodated in the center. A frame-shaped frame substrate having an opening, and an antenna substrate having an antenna pattern along the upper surface, which is bonded to the upper surface of the frame substrate with solder having a predetermined thickness so as to cover the opening. An antenna module comprising: a material that does not melt into the solder in the solder that joins between the control board and the frame board and between the frame board and the antenna board, and has the predetermined thickness It contains spherical particles having a diameter corresponding to.

また、本発明のアンテナモジュールは、下面に半導体素子が搭載されるとともに上面に沿って下部アンテナパターンを有する制御基板と、該制御基板の上面外周部に所定厚みの半田を介して接合されており、中央部に前記下部アンテナパターン上をキャビティとするための開口部を有する枠状のフレーム基板と、該フレーム基板の上面に前記開口部を覆うように所定厚みの半田を介して接合されており、上面に沿って前記開口部上に上部アンテナパターンを有するアンテナ基板と、を具備して成るアンテナモジュールであって、前記制御基板と前記フレーム基板との間および前記フレーム基板と前記アンテナ基板との間を接合する前記半田内に、該半田に溶融しない材料から成り、前記所定厚みに対応した直径を有する球状粒子が含有されていることを特徴とするものである。   The antenna module of the present invention includes a control substrate having a semiconductor element mounted on the lower surface and a lower antenna pattern along the upper surface, and is bonded to the outer peripheral portion of the upper surface of the control substrate via solder of a predetermined thickness. A frame-like frame substrate having an opening for forming a cavity on the lower antenna pattern at the center, and a solder having a predetermined thickness so as to cover the opening on the upper surface of the frame substrate. An antenna substrate having an upper antenna pattern on the opening along the upper surface, wherein the antenna module is between the control substrate and the frame substrate and between the frame substrate and the antenna substrate. The solder that joins in between contains spherical particles that are made of a material that does not melt into the solder and have a diameter corresponding to the predetermined thickness. And it is characterized in Rukoto.

本発明のアンテナモジュールによれば、制御基板とフレーム基板との間およびフレーム基板とアンテナ基板との間を接合する半田内に、半田に溶融しない材料から成り、所定の厚みに対応した直径を有する球状粒子が含有されていることから、制御基板とアンテナ基板との間に距離のばらつきや傾きが発生することがない。その結果、安定した送受信特性を有するアンテナモジュールを提供することができる。   According to the antenna module of the present invention, the solder that joins between the control board and the frame board and between the frame board and the antenna board is made of a material that does not melt into the solder and has a diameter corresponding to a predetermined thickness. Since spherical particles are contained, there is no variation in distance or inclination between the control substrate and the antenna substrate. As a result, an antenna module having stable transmission / reception characteristics can be provided.

図１は、本発明のアンテナモジュールの実施形態の一例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment of an antenna module of the present invention. 図２は、本発明のアンテナモジュールの実施形態の別の例を示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another example of the embodiment of the antenna module of the present invention. 図３は、図２に示すアンテナモジュールの変形例を示す概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the antenna module shown in FIG. 図４は、従来のアンテナモジュールの例を示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of a conventional antenna module.

本発明の実施形態の一例を図１に示す。本例のアンテナモジュールは、主として制御基板１と、フレーム基板２と、アンテナ基板３と、半導体素子４とから構成されている。   An example of an embodiment of the present invention is shown in FIG. The antenna module of this example is mainly composed of a control board 1, a frame board 2, an antenna board 3, and a semiconductor element 4.

制御基板１は、絶縁板５の上下面に配線導体６と絶縁層７とを交互に複数積層して成り、その上下面にソルダーレジスト層８が被着されている。制御基板１の上面中央部に半導体素子４が搭載されている。また制御基板１の上面外周部には、フレーム基板２が接合されている。   The control substrate 1 is formed by alternately laminating a plurality of wiring conductors 6 and insulating layers 7 on the upper and lower surfaces of the insulating plate 5, and solder resist layers 8 are attached to the upper and lower surfaces thereof. A semiconductor element 4 is mounted at the center of the upper surface of the control board 1. A frame substrate 2 is bonded to the outer periphery of the upper surface of the control substrate 1.

絶縁板５は、ガラス−エポキシ樹脂等の電気絶縁材料から成る。絶縁板５の厚みは、０．１〜０．８ｍｍ程度である。絶縁板５には、複数のスルーホール５ａが形成されている。スルーホール５ａの直径は、７５〜２００μｍ程度である。絶縁板５の上下面およびスルーホール５ａの内壁には配線導体６が被着されている。絶縁板５に被着された配線導体６は、銅箔および銅めっき層から成り、５〜４２μｍ程度の厚みである。配線導体６が被着されたスルーホール５ａの内部は、孔埋め樹脂５ｂにより充填されている。孔埋め樹脂５ｂは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカ等の絶縁フィラーを分散させて成る。   The insulating plate 5 is made of an electrically insulating material such as glass-epoxy resin. The thickness of the insulating plate 5 is about 0.1 to 0.8 mm. A plurality of through holes 5 a are formed in the insulating plate 5. The diameter of the through hole 5a is about 75 to 200 μm. A wiring conductor 6 is attached to the upper and lower surfaces of the insulating plate 5 and the inner wall of the through hole 5a. The wiring conductor 6 attached to the insulating plate 5 is made of a copper foil and a copper plating layer, and has a thickness of about 5 to 42 μm. The inside of the through hole 5a to which the wiring conductor 6 is attached is filled with a hole filling resin 5b. The hole filling resin 5b is formed by dispersing an insulating filler such as silica in a thermosetting resin such as an epoxy resin.

絶縁層７は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカ等の絶縁フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。絶縁層７の厚みは、２５〜５０μｍ程度である。絶縁層７には、複数のビアホール７ａが形成されている。ビアホール７ａの直径は、３０〜１００μｍ程度である。各絶縁層７の表面およびビアホール７ａ内には配線導体６が被着されている。絶縁層７に被着された配線導体６は、銅めっき層から成り、５〜４２μｍ程度の厚みである。   The insulating layer 7 is made of an electrically insulating material in which an insulating filler such as silica is dispersed in a thermosetting resin such as an epoxy resin. The thickness of the insulating layer 7 is about 25 to 50 μm. A plurality of via holes 7 a are formed in the insulating layer 7. The diameter of the via hole 7a is about 30 to 100 μm. A wiring conductor 6 is deposited on the surface of each insulating layer 7 and in the via hole 7a. The wiring conductor 6 deposited on the insulating layer 7 is made of a copper plating layer and has a thickness of about 5 to 42 μm.

ソルダーレジスト層８は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカ等の絶縁フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。ソルダーレジスト層８の厚みは、２５〜５０μｍ程度である。ソルダーレジスト層８は、配線導体６の一部を後述する半導体素子接続パッド９やフレーム基板接続パッド１１、外部接続パッド１３として露出させる複数の開口部を有している。   The solder resist layer 8 is made of an electrically insulating material in which an insulating filler such as silica is dispersed in a thermosetting resin such as an epoxy resin. The thickness of the solder resist layer 8 is about 25 to 50 μm. The solder resist layer 8 has a plurality of openings for exposing a part of the wiring conductor 6 as a semiconductor element connection pad 9, a frame substrate connection pad 11, and an external connection pad 13 described later.

制御基板１の上面中央部には、複数の半導体素子接続パッド９が形成されている。半導体素子接続パッド９は、ソルダーレジスト層８から露出している。半導体素子接続パッド９の直径は、８０〜１５０μｍ程度である。半導体素子接続パッド９には、半導体素子４の電極が半田１０を介して接続されている。半田１０は、例えば錫−銀合金や錫−銀−銅合金から成る。   A plurality of semiconductor element connection pads 9 are formed at the center of the upper surface of the control substrate 1. The semiconductor element connection pad 9 is exposed from the solder resist layer 8. The diameter of the semiconductor element connection pad 9 is about 80 to 150 μm. The electrode of the semiconductor element 4 is connected to the semiconductor element connection pad 9 via the solder 10. The solder 10 is made of, for example, a tin-silver alloy or a tin-silver-copper alloy.

制御基板１の上面外周部には、複数のフレーム基板接続パッド１１が形成されている。フレーム接続パッド１１は、ソルダーレジスト層８から露出している。フレーム基板接続パッド１１の直径は、３００〜６００μｍ程度である。フレーム基板接続パッド１１には、フレーム基板２が半田１２を介して接合されている。半田１２は、例えば錫−銀合金や錫−銀−銅合金から成り、その内部に球状粒子Ｓが含有されている。   A plurality of frame substrate connection pads 11 are formed on the outer periphery of the upper surface of the control substrate 1. The frame connection pad 11 is exposed from the solder resist layer 8. The diameter of the frame substrate connection pad 11 is about 300 to 600 μm. The frame substrate 2 is bonded to the frame substrate connection pads 11 via solder 12. The solder 12 is made of, for example, a tin-silver alloy or a tin-silver-copper alloy, and contains spherical particles S therein.

制御基板１の下面には、複数の外部接続パッド１３が形成されている。外部接続パッド１３は、ソルダーレジスト層８から露出している。外部接続パッド１３の直径は、３００〜６００μｍ程度である。外部接続パッド１３は、図示しない外部の電気回路基板に接続される。半導体素子接続パッド９とフレーム基板接続パッド１１と外部接続パッド１３とは、所定のもの同士が配線導体６により電気的に接続されている。   A plurality of external connection pads 13 are formed on the lower surface of the control board 1. The external connection pad 13 is exposed from the solder resist layer 8. The diameter of the external connection pad 13 is about 300 to 600 μm. The external connection pad 13 is connected to an external electric circuit board (not shown). The semiconductor element connection pad 9, the frame substrate connection pad 11, and the external connection pad 13 are electrically connected to each other by the wiring conductor 6.

フレーム基板２は、絶縁板１４に配線導体１５を配設して成り、その上下面にソルダーレジスト層１６が被着されている。フレーム基板２は、その中央部に半導体素子４を収容する開口部２ａを有する枠状である。   The frame substrate 2 is formed by disposing wiring conductors 15 on an insulating plate 14, and solder resist layers 16 are attached to the upper and lower surfaces thereof. The frame substrate 2 has a frame shape having an opening 2 a that accommodates the semiconductor element 4 at the center thereof.

絶縁板１４は、ガラス−エポキシ樹脂等の電気絶縁材料から成る。絶縁板１４の厚みは、０．１〜０．８ｍｍ程度である。絶縁板１４には、複数のスルーホール１４ａが形成されている。スルーホール１４ａの直径は、１００〜２００μｍ程度である。絶縁板１４の上下面およびスルーホール１４ａの内壁には配線導体１５が被着されている。絶縁板１４に被着された配線導体１５は、銅箔および銅めっき層から成り、５〜２５μｍ程度の厚みである。配線導体１５が被着されたスルーホール１４ａの内部は、孔埋め樹脂１４ｂにより充填されている。孔埋め樹脂１４ｂは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカ等の絶縁フィラーを分散させて成る。   The insulating plate 14 is made of an electrically insulating material such as glass-epoxy resin. The thickness of the insulating plate 14 is about 0.1 to 0.8 mm. A plurality of through holes 14 a are formed in the insulating plate 14. The diameter of the through hole 14a is about 100 to 200 μm. A wiring conductor 15 is attached to the upper and lower surfaces of the insulating plate 14 and the inner wall of the through hole 14a. The wiring conductor 15 attached to the insulating plate 14 is made of a copper foil and a copper plating layer, and has a thickness of about 5 to 25 μm. The inside of the through hole 14a to which the wiring conductor 15 is attached is filled with a hole filling resin 14b. The hole filling resin 14b is formed by dispersing an insulating filler such as silica in a thermosetting resin such as an epoxy resin.

ソルダーレジスト層１６は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカ等の絶縁フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。ソルダーレジスト層１６の厚みは、２５〜５０μｍ程度である。ソルダーレジスト層１６は、配線導体１５の一部を後述する制御基板接続パッド１７やアンテナ基板接続パッド１８として露出させる複数の開口部を有している。   The solder resist layer 16 is made of an electrically insulating material in which an insulating filler such as silica is dispersed in a thermosetting resin such as an epoxy resin. The thickness of the solder resist layer 16 is about 25 to 50 μm. The solder resist layer 16 has a plurality of openings for exposing a part of the wiring conductor 15 as a control board connection pad 17 and an antenna board connection pad 18 described later.

フレーム基板２の下面には、制御基板接続パッド１７が形成されている。制御基板接続パッド１７は、ソルダーレジスト層１６から露出している。制御基板接続パッド１７の直径は、３００〜６００μｍ程度である。制御基板接続パッド１７は、制御基板１のフレーム基板接続パッド１１に半田１２を介して接合されている。これにより制御基板１とフレーム基板２とが機械的に接合されるとともに制御基板１の配線導体６とフレーム基板２の配線導体１５とが電気的に接続される。   Control board connection pads 17 are formed on the lower surface of the frame board 2. The control board connection pad 17 is exposed from the solder resist layer 16. The diameter of the control board connection pad 17 is about 300 to 600 μm. The control board connection pad 17 is bonded to the frame board connection pad 11 of the control board 1 via the solder 12. As a result, the control board 1 and the frame board 2 are mechanically joined, and the wiring conductor 6 of the control board 1 and the wiring conductor 15 of the frame board 2 are electrically connected.

フレーム基板２の上面には、アンテナ基板接続パッド１８が形成されている。アンテナ基板接続パッド１８は、ソルダーレジスト層１６から露出している。アンテナ基板接続パッド１８の直径は、３００〜６００μｍ程度である。アンテナ基板接続パッド１８には、アンテナ基板３が半田１９を介して接合されている。半田１９は、例えば錫−銀合金や錫−銀−銅合金から成り、その内部に球状粒子Ｓが含有されている。制御基板接続パッド１７とアンテナ基板接続パッド１８とは、配線導体１５を介して電気的に接続されている。   An antenna substrate connection pad 18 is formed on the upper surface of the frame substrate 2. The antenna substrate connection pad 18 is exposed from the solder resist layer 16. The antenna substrate connection pad 18 has a diameter of about 300 to 600 μm. The antenna substrate 3 is bonded to the antenna substrate connection pad 18 via solder 19. The solder 19 is made of, for example, a tin-silver alloy or a tin-silver-copper alloy, and contains spherical particles S therein. The control board connection pad 17 and the antenna board connection pad 18 are electrically connected via the wiring conductor 15.

アンテナ基板３は、複数の絶縁層２０と配線導体２１とを積層して成り、その上下面にソルダーレジスト層２２が被着されている。アンテナ基板３は、フレーム基板２の開口部２ａを覆うようにしてフレーム基板２の上面に接合されている。   The antenna substrate 3 is formed by laminating a plurality of insulating layers 20 and wiring conductors 21, and solder resist layers 22 are attached to the upper and lower surfaces thereof. The antenna substrate 3 is bonded to the upper surface of the frame substrate 2 so as to cover the opening 2 a of the frame substrate 2.

絶縁層２０は、ガラスーエポキシ樹脂等の電気絶縁材料から成る。あるいはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカ等の絶縁フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。絶縁層２０の厚みは２５〜１００μｍ程度である。絶縁層２０には、ビアホール２０ａが形成されている。ビアホール２０ａの直径は、３０〜１００μｍ程度である。絶縁層２０の表面およびビアホール２０ａ内には、配線導体２１が被着されている。配線導体２１は、銅めっき層から成り、５〜２５μｍ程度の厚みである。   The insulating layer 20 is made of an electrically insulating material such as glass-epoxy resin. Alternatively, it is made of an electrically insulating material in which an insulating filler such as silica is dispersed in a thermosetting resin such as an epoxy resin. The thickness of the insulating layer 20 is about 25 to 100 μm. A via hole 20 a is formed in the insulating layer 20. The diameter of the via hole 20a is about 30 to 100 μm. A wiring conductor 21 is deposited on the surface of the insulating layer 20 and in the via hole 20a. The wiring conductor 21 is made of a copper plating layer and has a thickness of about 5 to 25 μm.

ソルダーレジスト層２２は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカ等の絶縁フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。ソルダーレジスト層２２の厚みは、２５〜５０μｍ程度である。ソルダーレジスト層２２は、配線導体２１の一部を後述するフレーム基板接続パッド２４として露出させる複数の開口部を有している。   The solder resist layer 22 is made of an electrically insulating material in which an insulating filler such as silica is dispersed in a thermosetting resin such as an epoxy resin. The thickness of the solder resist layer 22 is about 25 to 50 μm. The solder resist layer 22 has a plurality of openings for exposing a part of the wiring conductor 21 as a frame substrate connection pad 24 described later.

アンテナ基板３は、その上面に沿って複数のアンテナパターン２３を有している。アンテナパターン２３は、１辺が０．５〜５ｍｍ程度の方形であり、外部からの高周波信号の電波を受信する。あるいは外部へ高周波信号の電波を送信する。   The antenna substrate 3 has a plurality of antenna patterns 23 along the upper surface thereof. The antenna pattern 23 has a square shape with a side of about 0.5 to 5 mm, and receives radio waves of high frequency signals from the outside. Alternatively, radio waves of high frequency signals are transmitted to the outside.

アンテナ基板３は、その下面外周部にフレーム基板接続パッド２４を有している。フレーム基板接続パッド２４は、ソルダーレジスト層２２から露出している。フレーム基板接続パッド２４の直径は３００〜６００μｍ程度である。フレーム基板接続パッド２４は、フレーム基板２のアンテナ基板接続パッド１８に半田１９を介して接合されている。これによりフレーム基板２とアンテナ基板３とが機械的に接合されるとともに、フレーム基板２の配線導体１５とアンテナ基板３の配線導体２１とが電気的に接続される。   The antenna substrate 3 has a frame substrate connection pad 24 on the outer periphery of its lower surface. The frame substrate connection pad 24 is exposed from the solder resist layer 22. The diameter of the frame substrate connection pad 24 is about 300 to 600 μm. The frame substrate connection pad 24 is joined to the antenna substrate connection pad 18 of the frame substrate 2 via solder 19. Thereby, the frame substrate 2 and the antenna substrate 3 are mechanically joined, and the wiring conductor 15 of the frame substrate 2 and the wiring conductor 21 of the antenna substrate 3 are electrically connected.

半導体素子４は、高周波素子であり、アンテナパターン２３で受信した高周波信号が入力される。あるいは、アンテナパターン２３から送信する高周波信号を出力する。   The semiconductor element 4 is a high-frequency element, and receives a high-frequency signal received by the antenna pattern 23. Alternatively, a high frequency signal transmitted from the antenna pattern 23 is output.

ところで、本例のアンテナモジュールにおいては、上述したように、制御基板１とフレーム基板２とを接合する半田１２およびフレーム基板２とアンテナ基板３とを接合する半田１９内に球状粒子Ｓが含有されている。球状粒子Ｓは、半田１２や１９に溶融しない金属や樹脂、セラミック材料から成る。球状粒子Ｓの直径は、例えば３０〜１００μｍ程度の範囲で均一である。このような球状粒子Ｓが半田１２および１９中に含有されることで、半田１２および１９の厚みを球状粒子Ｓの直径に対応した厚みとすることができる。そのため、制御基板１とフレーム基板２とのギャップＧ１，Ｇ２およびフレーム基板２とアンテナ基板３とのギャップＧ３，Ｇ４が一定の大きさとなる。したがって、制御基板１とアンテナ基板３との間に距離のばらつきや傾きが発生することがない。その結果、所望の周波数帯域における良好な送受信が可能な安定した送受信特性を有するアンテナモジュールを提供することができる。   By the way, in the antenna module of this example, the spherical particles S are contained in the solder 12 that joins the control substrate 1 and the frame substrate 2 and the solder 19 that joins the frame substrate 2 and the antenna substrate 3 as described above. ing. The spherical particles S are made of a metal, resin, or ceramic material that does not melt into the solder 12 or 19. The diameter of the spherical particles S is uniform, for example, in the range of about 30 to 100 μm. By including such spherical particles S in the solders 12 and 19, the thicknesses of the solders 12 and 19 can be made to correspond to the diameters of the spherical particles S. Therefore, the gaps G1 and G2 between the control board 1 and the frame board 2 and the gaps G3 and G4 between the frame board 2 and the antenna board 3 have a constant size. Therefore, there is no distance variation or inclination between the control board 1 and the antenna board 3. As a result, it is possible to provide an antenna module having stable transmission / reception characteristics that enables good transmission / reception in a desired frequency band.

次に、本発明の実施形態の別の例を図２に示す。本例のアンテナモジュールは、主として制御基板４１と、フレーム基板４２と、アンテナ基板４３と、半導体素子４４とから構成されている。   Next, another example of the embodiment of the present invention is shown in FIG. The antenna module of this example is mainly composed of a control board 41, a frame board 42, an antenna board 43, and a semiconductor element 44.

制御基板４１は、絶縁板４５の上下面に配線導体４６と絶縁層４７とを交互に複数積層して成り、その上下面にソルダーレジスト層４８が被着されている。制御基板４１の下面中央部に半導体素子４４が搭載されている。また制御基板４１の上面外周部には、フレーム基板４２が接合されている。   The control substrate 41 is formed by alternately laminating a plurality of wiring conductors 46 and insulating layers 47 on the upper and lower surfaces of the insulating plate 45, and solder resist layers 48 are attached to the upper and lower surfaces thereof. A semiconductor element 44 is mounted at the center of the lower surface of the control board 41. A frame substrate 42 is bonded to the outer peripheral portion of the upper surface of the control substrate 41.

絶縁板４５は、上述の絶縁板５と同様の材料から成り、同様の厚みを有している。絶縁板４５には、スルーホール４５ａが形成されている。スルーホール４５ａの直径は上述のスルーホール５ａと同様である。絶縁板４５の上下面およびスルーホール４５ａの内壁には、配線導体４６が被着されている。これらの配線導体４６は、上述の絶縁板５における配線導体６と同様の材料から成り、同様の厚みを有している。スルーホール４５ａの内部は、孔埋め樹脂４５ｂにより充填されている。孔埋め樹脂４５ｂは、上述の孔埋め樹脂４ｂと同様の材料から成る。   The insulating plate 45 is made of the same material as the above-described insulating plate 5 and has the same thickness. A through hole 45 a is formed in the insulating plate 45. The diameter of the through hole 45a is the same as that of the above-described through hole 5a. A wiring conductor 46 is attached to the upper and lower surfaces of the insulating plate 45 and the inner wall of the through hole 45a. These wiring conductors 46 are made of the same material as that of the wiring conductor 6 in the insulating plate 5 and have the same thickness. The inside of the through hole 45a is filled with a hole filling resin 45b. The hole filling resin 45b is made of the same material as the above-described hole filling resin 4b.

絶縁層４７は、上述の絶縁層７と同様の材料から成り、同様の厚みを有している。絶縁層４７には、ビアホール４７ｂが形成されている。ビアホール４７ｂの直径は、上述のビアホール７ｂと同様である。各絶縁層４７の表面およびビアホール４７ａ内には配線導体４６が被着されている。これらの配線導体４６は、上述の絶縁層７における配線導体６と同様の材料から成り、同様の厚みを有している。   The insulating layer 47 is made of the same material as the above-described insulating layer 7 and has the same thickness. A via hole 47 b is formed in the insulating layer 47. The diameter of the via hole 47b is the same as that of the above-described via hole 7b. A wiring conductor 46 is deposited on the surface of each insulating layer 47 and in the via hole 47a. These wiring conductors 46 are made of the same material as the wiring conductor 6 in the insulating layer 7 and have the same thickness.

ソルダーレジスト層４８は、上述のソルダーレジスト層８と同様の材料から成り、同様の厚みを有している。ソルダーレジスト層４８は、配線導体４６の一部を後述する半導体素子接続パッド４９やフレーム基板接続パッド５３、外部接続パッド５１として露出させる複数の開口部を有している。   The solder resist layer 48 is made of the same material as that of the above-described solder resist layer 8 and has the same thickness. The solder resist layer 48 has a plurality of openings for exposing a part of the wiring conductor 46 as a semiconductor element connection pad 49, a frame substrate connection pad 53, and an external connection pad 51, which will be described later.

制御基板４１の下面中央部には、複数の半導体素子接続パッド４９が形成されている。半導体素子接続パッド４９は、ソルダーレジスト層４８から露出している。半導体素子接続パッド４９の直径は、上述の半導体素子接続パッド９と同様である。半導体素子接続パッド４９には、半導体素子４４の電極が半田５０を介して接続されている。半田５０は、上述の半田１０と同様の材料から成る。   A plurality of semiconductor element connection pads 49 are formed at the center of the lower surface of the control substrate 41. The semiconductor element connection pad 49 is exposed from the solder resist layer 48. The diameter of the semiconductor element connection pad 49 is the same as that of the semiconductor element connection pad 9 described above. The electrode of the semiconductor element 44 is connected to the semiconductor element connection pad 49 via the solder 50. The solder 50 is made of the same material as the solder 10 described above.

制御基板４１の下面外周部には、複数の外部接続パッド５１が形成されている。外部接続パッド５１は、ソルダーレジスト層４８から露出している。外部接続パッド５１の直径は、上述した外部接続パッド１３と同様である。外部接続パッド５１には、図示しない外部の電気回路基板に接続するための半田ボール５２が溶着されている。半田ボール５２は、例えば錫−銀合金や錫−銀−銅合金から成る。   A plurality of external connection pads 51 are formed on the outer periphery of the lower surface of the control board 41. The external connection pad 51 is exposed from the solder resist layer 48. The diameter of the external connection pad 51 is the same as that of the external connection pad 13 described above. Solder balls 52 for connection to an external electric circuit board (not shown) are welded to the external connection pads 51. The solder ball 52 is made of, for example, a tin-silver alloy or a tin-silver-copper alloy.

制御基板４１の上面外周部には、複数のフレーム基板接続パッド５３が形成されている。フレーム基板接続パッド５３は、ソルダーレジスト層４８から露出している。フレーム基板接続パッド５３の直径は、上述のフレーム基板接続パッド１１と同様である。フレーム基板接続パッド５３には、フレーム基板４２が半田５４を介して接合されている。半田５４は、上述の半田１２と同様の材料から成り、その内部に球状粒子Ｓが含有されている。   A plurality of frame substrate connection pads 53 are formed on the outer peripheral portion of the upper surface of the control substrate 41. The frame substrate connection pad 53 is exposed from the solder resist layer 48. The diameter of the frame substrate connection pad 53 is the same as that of the frame substrate connection pad 11 described above. A frame substrate 42 is bonded to the frame substrate connection pad 53 via solder 54. The solder 54 is made of the same material as the solder 12 described above, and contains spherical particles S therein.

制御基板４１の上面側中央部の表面および内部に下部アンテナパターン５５が形成されている。下部アンテナパターン５５は、１辺が０．５〜５ｍｍ程度の方形であり、外部からの高周波信号の電波を受信する。あるいは外部へ高周波信号の電波を送信する。半導体素子接続パッド４９と外部接続パッド５１とフレーム基板接続パッド５３と下部アンテナパターン５５とは、所定のもの同士が配線導体４６により電気的に接続されている。   A lower antenna pattern 55 is formed on the surface and inside the central portion of the upper surface side of the control board 41. The lower antenna pattern 55 is a rectangle having one side of about 0.5 to 5 mm, and receives radio waves of high frequency signals from the outside. Alternatively, radio waves of high frequency signals are transmitted to the outside. The semiconductor element connection pad 49, the external connection pad 51, the frame substrate connection pad 53, and the lower antenna pattern 55 are electrically connected to each other by a wiring conductor 46.

フレーム基板４２は、絶縁板５６に配線導体５７を配設して成り、その上下面にソルダーレジスト層５８が被着されている。フレーム基板４２は、その中央部にキャビティＣを形成するための開口部４２ａを有する枠状である。   The frame substrate 42 is formed by disposing wiring conductors 57 on an insulating plate 56, and solder resist layers 58 are attached to the upper and lower surfaces thereof. The frame substrate 42 has a frame shape having an opening 42a for forming a cavity C at the center thereof.

絶縁板５６は、上述した絶縁板１４と同様の材料から成り、同様の厚みを有している。絶縁板５６には、複数のスルーホール５６ａが形成されている。スルーホール５６ａの直径は、上述したスルーホール１４ａ同様である。絶縁板５６の上下面およびスルーホール５６ａの内壁には配線導体５７が被着されている。配線導体５７は、上述の配線導体１５と同様の材料から成り、同様の厚みを有している。配線導体５７が被着されたスルーホール５６ａの内部は、孔埋め樹脂５６ｂにより充填されている。孔埋め樹脂５６ｂは、上述の孔埋め樹脂１４ｂと同様の材料から成る。   The insulating plate 56 is made of the same material as the insulating plate 14 described above and has the same thickness. The insulating plate 56 has a plurality of through holes 56a. The diameter of the through hole 56a is the same as that of the above-described through hole 14a. A wiring conductor 57 is attached to the upper and lower surfaces of the insulating plate 56 and the inner wall of the through hole 56a. The wiring conductor 57 is made of the same material as the above-described wiring conductor 15 and has the same thickness. The inside of the through hole 56a to which the wiring conductor 57 is attached is filled with a hole filling resin 56b. The hole filling resin 56b is made of the same material as the above-described hole filling resin 14b.

ソルダーレジスト層５８は、上述のソルダーレジスト層１６と同様の材料から成り、同様の厚みを有している。ソルダーレジスト層５８は、配線導体５７の一部を後述する制御基板接続パッド５９やアンテナ基板接続パッド６０として露出させる複数の開口部を有している。   The solder resist layer 58 is made of the same material as the solder resist layer 16 described above and has the same thickness. The solder resist layer 58 has a plurality of openings for exposing a part of the wiring conductor 57 as a control board connection pad 59 and an antenna board connection pad 60 described later.

フレーム基板４２の下面には、制御基板接続パッド５９が形成されている。制御基板接続パッド５９は、ソルダーレジスト層５８から露出している。制御基板接続パッド５９の直径は、上述の制御基板接続パッド１７と同様である。制御基板接続パッド５９は、制御基板４１のフレーム基板接続パッド５３に半田５４を介して接合されている。これにより制御基板４１とフレーム基板４２とが機械的に接合されるとともに制御基板４１の配線導体４６とフレーム基板４２の配線導体５７とが電気的に接続される。   Control board connection pads 59 are formed on the lower surface of the frame board 42. The control board connection pad 59 is exposed from the solder resist layer 58. The diameter of the control board connection pad 59 is the same as that of the control board connection pad 17 described above. The control board connection pad 59 is joined to the frame board connection pad 53 of the control board 41 via solder 54. As a result, the control board 41 and the frame board 42 are mechanically joined, and the wiring conductor 46 of the control board 41 and the wiring conductor 57 of the frame board 42 are electrically connected.

フレーム基板４２の上面には、アンテナ基板接続パッド６０が形成されている。アンテナ基板接続パッド６０は、ソルダーレジスト層５８から露出している。アンテナ基板接続パッド６０の直径は、上述のアンテナ基板接続パッド１８と同様である。アンテナ基板接続パッド６０には、アンテナ基板４３が半田６１を介して接合されている。半田６１は、上述の半田１９と同様の材料から成り、その内部に球状粒子Ｓが含有されている。制御基板接続パッド５９とアンテナ基板接続パッド６０とは、配線導体５７を介して電気的に接続されている。   On the upper surface of the frame substrate 42, an antenna substrate connection pad 60 is formed. The antenna substrate connection pad 60 is exposed from the solder resist layer 58. The antenna substrate connection pad 60 has the same diameter as the antenna substrate connection pad 18 described above. An antenna substrate 43 is bonded to the antenna substrate connection pad 60 via solder 61. The solder 61 is made of the same material as the solder 19 described above, and contains spherical particles S therein. The control board connection pad 59 and the antenna board connection pad 60 are electrically connected via the wiring conductor 57.

アンテナ基板４３は、絶縁板６２に配線導体６３を配設して成り、その上下面にソルダーレジスト層６４が被着されている。アンテナ基板４３は、フレーム基板４２の開口部４２ａを覆うようにしてフレーム基板４２の上面に接合されている。   The antenna substrate 43 is formed by disposing a wiring conductor 63 on an insulating plate 62, and solder resist layers 64 are attached to the upper and lower surfaces thereof. The antenna substrate 43 is bonded to the upper surface of the frame substrate 42 so as to cover the opening 42 a of the frame substrate 42.

絶縁板６２は、ガラス−エポキシ樹脂等の電気絶縁材料から成る。絶縁板６２の厚みは、０．０２〜０．８ｍｍ程度である。絶縁板６２の上下面には配線導体６３が被着されている。配線導体６３は、銅箔から成り、５〜３６μｍ程度の厚みである。   The insulating plate 62 is made of an electrically insulating material such as glass-epoxy resin. The thickness of the insulating plate 62 is about 0.02 to 0.8 mm. Wiring conductors 63 are attached to the upper and lower surfaces of the insulating plate 62. The wiring conductor 63 is made of copper foil and has a thickness of about 5 to 36 μm.

ソルダーレジスト層６４は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカ等の絶縁フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。ソルダーレジスト層６４の厚みは、１０〜５０μｍ程度である。ソルダーレジスト層６４は、配線導体６３の一部を後述するフレーム基板接続パッド６５として露出させる複数の開口部を有している。   The solder resist layer 64 is made of an electrically insulating material in which an insulating filler such as silica is dispersed in a thermosetting resin such as an epoxy resin. The thickness of the solder resist layer 64 is about 10 to 50 μm. The solder resist layer 64 has a plurality of openings for exposing a part of the wiring conductor 63 as a frame substrate connection pad 65 described later.

アンテナ基板４３は、その上下面に沿って上部アンテナパターン６６を有している。上部アンテナパターン６６は、１辺が０．５〜５ｍｍ程度の方形であり、外部からの高周波信号の電波を受信する。あるいは外部へ高周波信号の電波を送信する。   The antenna substrate 43 has an upper antenna pattern 66 along its upper and lower surfaces. The upper antenna pattern 66 has a square shape with one side of about 0.5 to 5 mm, and receives radio waves of high frequency signals from the outside. Alternatively, radio waves of high frequency signals are transmitted to the outside.

アンテナ基板４３は、その下面外周部にフレーム基板接続パッド６５を有している。フレーム基板接続パッド６５は、ソルダーレジスト層６４から露出している。フレーム基板接続パッド６５の直径は、上述のフレーム基板接続パッド２４と同様である。フレーム基板接続パッド６５は、フレーム基板４２のアンテナ基板接続パッド６０に半田６１を介して接合されている。これによりフレーム基板４２とアンテナ基板４３とが機械的に接合されるとともに、フレーム基板４２の配線導体５７とアンテナ基板４３の配線導体６３とが電気的に接続される。   The antenna substrate 43 has frame substrate connection pads 65 on the outer periphery of the lower surface thereof. The frame substrate connection pad 65 is exposed from the solder resist layer 64. The diameter of the frame substrate connection pad 65 is the same as that of the frame substrate connection pad 24 described above. The frame substrate connection pad 65 is bonded to the antenna substrate connection pad 60 of the frame substrate 42 via solder 61. Thereby, the frame substrate 42 and the antenna substrate 43 are mechanically joined, and the wiring conductor 57 of the frame substrate 42 and the wiring conductor 63 of the antenna substrate 43 are electrically connected.

半導体素子４４は、高周波素子であり、下部アンテナパターン５５および上部アンテナパターン６６で受信した高周波信号が入力される。あるいは、下部アンテナパターン５５および上部アンテナパターン６６から送信する高周波信号を出力する。   The semiconductor element 44 is a high-frequency element, and receives a high-frequency signal received by the lower antenna pattern 55 and the upper antenna pattern 66. Alternatively, high-frequency signals transmitted from the lower antenna pattern 55 and the upper antenna pattern 66 are output.

ところで、本例のアンテナモジュールにおいても、制御基板４１とフレーム基板４２とを接合する半田５４およびフレーム基板４２とアンテナ基板４３とを接合する半田６１内に球状粒子Ｓが含有されている。球状粒子Ｓは、半田５４や６１に溶融しない金属や樹脂、セラミック材料から成る。球状粒子Ｓの直径は、例えば３０〜１００μｍ程度の範囲で均一である。このような球状粒子Ｓが半田５４および６１中に含有されることで、半田５４および６４の厚みを球状粒子Ｓの直径に対応した厚みとすることができる。そのため、制御基板４１とフレーム基板４２とのギャップＧ１，Ｇ２およびフレーム基板４２とアンテナ基板４３とのギャップＧ３，Ｇ４が一定の大きさとなる。したがって、制御基板４１とアンテナ基板４３との間に距離のばらつきや傾きが発生することがない。その結果、所望の周波数帯域における良好な送受信が可能な安定した送受信特性を有するアンテナモジュールを提供することができる。   By the way, also in the antenna module of this example, the spherical particles S are contained in the solder 54 that joins the control substrate 41 and the frame substrate 42 and the solder 61 that joins the frame substrate 42 and the antenna substrate 43. The spherical particles S are made of a metal, resin, or ceramic material that does not melt into the solder 54 or 61. The diameter of the spherical particles S is uniform, for example, in the range of about 30 to 100 μm. By including such spherical particles S in the solders 54 and 61, the thickness of the solders 54 and 64 can be set to a thickness corresponding to the diameter of the spherical particles S. Therefore, the gaps G1 and G2 between the control board 41 and the frame board 42 and the gaps G3 and G4 between the frame board 42 and the antenna board 43 have a constant size. Accordingly, there is no distance variation or inclination between the control board 41 and the antenna board 43. As a result, it is possible to provide an antenna module having stable transmission / reception characteristics that enables good transmission / reception in a desired frequency band.

なお、本例のアンテナモジュールにおいては、制御基板４１に下部アンテナパターン５５が形成されているとともにアンテナ基板４３に上部アンテナパターン６６が形成されている。この場合、下部アンテナパターン５５と上部アンテナパターン６６との水平方向の位置関係と垂直方向の位置関係が所定の範囲内にあることが要求される。また、下部アンテナパターン５５および上部アンテナパターン６６と開口部４２ａとの位置関係が所定の位置関係にあることが要求される。そのため、これらの位置関係を確認する手段を設けることが好ましい。本例のアンテナモジュールにそのような確認手段を設けた変形例を図３に示す。なお、図３に示すアンテナモジュールにおいて、図２に示したアンテナモジュールと同様の箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する。   In the antenna module of this example, the lower antenna pattern 55 is formed on the control board 41 and the upper antenna pattern 66 is formed on the antenna board 43. In this case, the horizontal positional relationship and the vertical positional relationship between the lower antenna pattern 55 and the upper antenna pattern 66 are required to be within a predetermined range. Further, the positional relationship between the lower antenna pattern 55 and the upper antenna pattern 66 and the opening 42a is required to be a predetermined positional relationship. Therefore, it is preferable to provide means for confirming these positional relationships. FIG. 3 shows a modification in which such a confirmation means is provided in the antenna module of this example. In the antenna module shown in FIG. 3, the same parts as those of the antenna module shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図３に示す変形例では、第１〜第５の位置確認マーク６７〜７１と、第１〜第６の位置確認孔７２〜７７と、上面側基準マーク７８および下面側基準マーク７９とを備えている。なお、第１の位置確認マーク６７は第１の位置確認孔７２に、第２の位置確認マーク６８は第２の位置確認孔７３に、第３の位置確認マーク６９は第３の位置確認孔７４に、第４の位置確認マーク７０は第４の位置確認孔７５に、第５の位置確認マーク７１は第５の位置確認孔７６に対応している。また、上面側基準マーク７８は、第１〜第３の位置確認孔７２〜７４の周囲にそれぞれ形成されており、下面側基準マーク７９は、第４，第５の位置確認マーク７５，７６の周囲にそれぞれ形成されている。なお、作図の都合上、第２の位置確認孔７３の周囲の上面側基準マーク７８は図示していない。   In the modification shown in FIG. 3, first to fifth position confirmation marks 67 to 71, first to sixth position confirmation holes 72 to 77, an upper surface side reference mark 78, and a lower surface side reference mark 79 are provided. ing. The first position confirmation mark 67 is in the first position confirmation hole 72, the second position confirmation mark 68 is in the second position confirmation hole 73, and the third position confirmation mark 69 is in the third position confirmation hole. 74, the fourth position confirmation mark 70 corresponds to the fourth position confirmation hole 75, and the fifth position confirmation mark 71 corresponds to the fifth position confirmation hole 76. The upper surface side reference mark 78 is formed around each of the first to third position confirmation holes 72 to 74, and the lower surface side reference mark 79 is formed of the fourth and fifth position confirmation marks 75 and 76. Each is formed around. For the convenience of drawing, the upper surface side reference mark 78 around the second position confirmation hole 73 is not shown.

第１の位置確認マーク６７は、フレーム基板４２の下における制御基板４１の上面に設けられている。第１の位置確認マーク６７は、配線導体４６と同じ導体層により形成されている。第１の位置確認マーク６７は、下部アンテナパターン５５と同時に形成されている。そのため、第１の位置確認マーク６７と下部アンテナパターン５５とは、相互に高い位置精度で形成されている。第１の位置確認マーク６７は例えば円形の島状パターンである。あるいは、第１の位置確認マーク６７は、十字形の島状パターンである。第１の位置確認マーク６７が円形の場合、その直径は５０〜２００μｍ程度である。第１の位置確認マーク６７が十字形の場合、その線幅は１０〜５０μｍ程度である。   The first position confirmation mark 67 is provided on the upper surface of the control board 41 below the frame board 42. The first position confirmation mark 67 is formed of the same conductor layer as the wiring conductor 46. The first position confirmation mark 67 is formed simultaneously with the lower antenna pattern 55. Therefore, the first position confirmation mark 67 and the lower antenna pattern 55 are formed with high positional accuracy. The first position confirmation mark 67 is, for example, a circular island pattern. Alternatively, the first position confirmation mark 67 is a cross-shaped island pattern. When the first position confirmation mark 67 is circular, the diameter is about 50 to 200 μm. When the first position confirmation mark 67 has a cross shape, the line width is about 10 to 50 μm.

第１の位置確認孔７２は、アンテナ基板４３およびフレーム基板４２を連通して第１の位置確認マーク６７の直上に設けられている。第１の位置確認孔７２は上面視で円形の孔である。第１の位置確認孔７２の直径は１００〜３００μｍ程度である。この第１の位置確認孔７２を介して第１の位置確認マーク６７がアンテナ基板４３の上面側から見えるようになっている。なお、第１の位置確認孔７２の直径は、第１の位置確認マーク６７が円形である場合、第１の位置確認マーク６７の直径より５０〜２００μｍ程度大きいことが好ましい。さらには、第１の位置確認孔７２の直径は、アンテナ基板４３部分の直径がフレーム基板４２部分の直径より５０〜２００μｍ程度大きいことが好ましい。   The first position confirmation hole 72 communicates with the antenna substrate 43 and the frame substrate 42 and is provided immediately above the first position confirmation mark 67. The first position confirmation hole 72 is a circular hole in a top view. The diameter of the first position confirmation hole 72 is about 100 to 300 μm. The first position confirmation mark 67 can be seen from the upper surface side of the antenna substrate 43 through the first position confirmation hole 72. The diameter of the first position confirmation hole 72 is preferably about 50 to 200 μm larger than the diameter of the first position confirmation mark 67 when the first position confirmation mark 67 is circular. Furthermore, the diameter of the first position confirmation hole 72 is preferably such that the diameter of the antenna substrate 43 portion is about 50 to 200 μm larger than the diameter of the frame substrate 42 portion.

上面側基準マーク７８は、配線導体６３と同じ導体層から成り、絶縁板６２の上面に形成されている。上面側基準マーク７８は、上部アンテナパターン６６と同時に形成されている。そのため、上面側基準マーク７８と上部アンテナパターン６６とは、相互に高い位置精度で形成されている。第１の位置確認孔７２の周囲に形成された上面側基準マーク７８は、例えば第１の位置確認孔７２を中心として互いに９０゜の隣接角度で四方に延びる４本の帯状パターンから成る。各帯状パターンは、幅が１０〜５０μｍ程度、長さが５０〜５００μｍ程度である。   The upper surface side reference mark 78 is made of the same conductor layer as the wiring conductor 63 and is formed on the upper surface of the insulating plate 62. The upper surface side reference mark 78 is formed simultaneously with the upper antenna pattern 66. Therefore, the upper surface side reference mark 78 and the upper antenna pattern 66 are formed with high positional accuracy. The upper surface side reference mark 78 formed around the first position confirmation hole 72 is composed of, for example, four belt-like patterns extending in four directions at an adjacent angle of 90 ° around the first position confirmation hole 72. Each strip pattern has a width of about 10 to 50 μm and a length of about 50 to 500 μm.

そして、第１の位置確認孔７２を介して第１の位置確認マーク６７を画像認識装置により撮影することにより第１の位置確認マーク６７の重心の位置座標を確認するとともに第１の位置確認孔７２周辺の上面側基準マーク７８を画像認識装置で撮影することによりその上面側基準マーク７８の重心の位置座標を確認する。これらの重心位置座標を比較することにより、下部アンテナパターン５５と上部アンテナパターン６６との水平方向の位置関係を確認することができる。また、画像認識装置の焦点深度により上面側基準マーク７８と第１の位置確認マーク６７との間の高さを測定することにより、下部アンテナパターン５５と上部アンテナパターン６６との垂直方向の位置関係を確認することができる。   Then, the first position confirmation mark 67 is photographed by the image recognition device through the first position confirmation hole 72 to confirm the position coordinate of the center of gravity of the first position confirmation mark 67 and the first position confirmation hole. The upper surface side reference mark 78 around 72 is photographed by the image recognition device to confirm the position coordinates of the center of gravity of the upper surface side reference mark 78. By comparing these barycentric position coordinates, the horizontal positional relationship between the lower antenna pattern 55 and the upper antenna pattern 66 can be confirmed. Further, the vertical positional relationship between the lower antenna pattern 55 and the upper antenna pattern 66 is measured by measuring the height between the upper surface side reference mark 78 and the first position confirmation mark 67 based on the focal depth of the image recognition apparatus. Can be confirmed.

第２の位置確認マーク６８は、キャビティＣ内における制御基板４１の上面に設けられている。第２の位置確認マーク６８は、配線導体４６と同じ導体層により形成されている。第２の位置確認マーク６８は、下部アンテナパターン５５と同時に形成されている。そのため、第２の位置確認マーク６８と下部アンテナパターン５５とは、相互に高い位置精度で形成されている。第２の位置確認マーク６８は例えば円形の島状パターンである。あるいは、第２の位置確認マーク６８は、十字形の島状パターンである。第２の位置確認マーク６８が円形の場合、その直径は５０〜２００μｍ程度である。第２の位置確認マーク６８が十字形の場合、その線幅は１０〜５０μｍ程度である。   The second position confirmation mark 68 is provided on the upper surface of the control substrate 41 in the cavity C. The second position confirmation mark 68 is formed of the same conductor layer as the wiring conductor 46. The second position confirmation mark 68 is formed simultaneously with the lower antenna pattern 55. Therefore, the second position confirmation mark 68 and the lower antenna pattern 55 are formed with high positional accuracy. The second position confirmation mark 68 is, for example, a circular island pattern. Alternatively, the second position confirmation mark 68 is a cross-shaped island pattern. When the second position confirmation mark 68 is circular, the diameter is about 50 to 200 μm. When the second position confirmation mark 68 has a cross shape, the line width is about 10 to 50 μm.

第２の位置確認孔７３は、アンテナ基板４３を貫通して第２の位置確認マーク６８の直上に設けられている。第２の位置確認孔７３は上面視で円形の孔である。第２の位置確認孔７３の直径は１００〜３００μｍ程度である。この第２の位置確認孔７３を介して第２の位置確認マーク６８がアンテナ基板４３の上面側から見えるようになっている。なお、第２の位置確認孔７３の直径は、第２の位置確認マーク６８が円形である場合、第２の位置確認マーク６８の直径より５０〜２００μｍ程度大きいことが好ましい。   The second position confirmation hole 73 penetrates the antenna substrate 43 and is provided immediately above the second position confirmation mark 68. The second position confirmation hole 73 is a circular hole in a top view. The diameter of the second position confirmation hole 73 is about 100 to 300 μm. The second position confirmation mark 68 can be seen from the upper surface side of the antenna substrate 43 through the second position confirmation hole 73. The diameter of the second position confirmation hole 73 is preferably about 50 to 200 μm larger than the diameter of the second position confirmation mark 68 when the second position confirmation mark 68 is circular.

第２の位置確認孔７３の周囲に形成された上面側基準マーク７８は、作図の都合で図示されていないが、例えば第２の位置確認孔７３を中心として互いに９０゜の隣接角度で四方に延びる４本の帯状パターンから成る。各帯状パターンは、幅が１０〜５０μｍ程度、長さが５０〜５００μｍ程度である。   Although the upper surface side reference mark 78 formed around the second position confirmation hole 73 is not shown for the sake of drawing, for example, the second position confirmation hole 73 is centered around the second position confirmation hole 73 at 90 ° adjacent angles. It consists of four strip-shaped patterns that extend. Each strip pattern has a width of about 10 to 50 μm and a length of about 50 to 500 μm.

そして、第２の位置確認孔７３を介して第２の位置確認マーク６８を画像認識装置により撮影することにより第２の位置確認マーク６８の重心の位置座標を確認するとともに第２の位置確認孔７３周辺の上面側基準マーク７８を画像認識装置で撮影することによりその上面側基準マーク７８の重心の位置座標を確認する。これらの重心位置座標を比較することにより、下部アンテナパターン５５と上部アンテナパターン６６との水平方向の位置関係を確認することができる。また、画像認識装置の焦点深度により上面側基準マーク７８と第２の位置確認マーク６８との間の高さを測定することにより、下部アンテナパターン５５と上部アンテナパターン６６との垂直方向の位置関係を確認することができる。なお、第２の位置確認マーク６８および第２の位置確認孔７３をキャビティＣにおける中央部および外周部の複数個所に設けておくと、下部アンテナパターン５５と上部アンテナパターン６６との垂直方向の位置関係を広範囲で確認することができる。したがって、第２の位置確認マーク６８および第２の位置確認孔７３をキャビティＣにおける中央部および外周部の複数個所に設けておくことが好ましい。   Then, the second position confirmation mark 68 is photographed by the image recognition device through the second position confirmation hole 73 to confirm the position coordinates of the center of gravity of the second position confirmation mark 68 and the second position confirmation hole. The upper surface side reference mark 78 around 73 is photographed by the image recognition device to confirm the position coordinates of the center of gravity of the upper surface side reference mark 78. By comparing these barycentric position coordinates, the horizontal positional relationship between the lower antenna pattern 55 and the upper antenna pattern 66 can be confirmed. Further, the vertical positional relationship between the lower antenna pattern 55 and the upper antenna pattern 66 is measured by measuring the height between the upper surface side reference mark 78 and the second position confirmation mark 68 based on the focal depth of the image recognition device. Can be confirmed. If the second position confirmation mark 68 and the second position confirmation hole 73 are provided at a plurality of locations in the center and the outer periphery of the cavity C, the position of the lower antenna pattern 55 and the upper antenna pattern 66 in the vertical direction. A wide range of relationships can be confirmed. Therefore, it is preferable to provide the second position confirmation mark 68 and the second position confirmation hole 73 at a plurality of locations in the central portion and the outer peripheral portion of the cavity C.

第３の位置確認マーク６９は、フレーム基板４２の上面に設けられている。第３の位置確認マーク６９は、配線導体５７と同じ導体層により形成されている。第３の位置確認マーク６９は例えば円形の島状パターンである。あるいは、第３の位置確認マーク６９は、十字形の島状パターンである。第３の位置確認マーク６９が円形の場合、その直径は５０〜２００μｍ程度である。第３の位置確認マーク６９が十字形の場合、その線幅は１０〜５０μｍ程度である。   The third position confirmation mark 69 is provided on the upper surface of the frame substrate 42. The third position confirmation mark 69 is formed of the same conductor layer as the wiring conductor 57. The third position confirmation mark 69 is, for example, a circular island pattern. Alternatively, the third position confirmation mark 69 is a cross-shaped island pattern. When the third position confirmation mark 69 is circular, the diameter is about 50 to 200 μm. When the third position confirmation mark 69 has a cross shape, the line width is about 10 to 50 μm.

第３の位置確認孔７４は、アンテナ基板４３を貫通して第３の位置確認マーク６９の直上に設けられている。第３の位置確認孔７４は上面視で円形の孔である。第３の位置確認孔７４の直径は１００〜３００μｍ程度である。この第３の位置確認孔７４を介して第３の位置確認マーク６９がアンテナ基板４３の上面側から見えるようになっている。なお、第３の位置確認孔７４の直径は、第３の位置確認マーク６９が円形である場合、第３の位置確認マーク６９の直径より５０〜２００μｍ程度大きいことが好ましい。   The third position confirmation hole 74 passes through the antenna substrate 43 and is provided directly above the third position confirmation mark 69. The third position confirmation hole 74 is a circular hole in a top view. The diameter of the third position confirmation hole 74 is about 100 to 300 μm. A third position confirmation mark 69 can be seen from the upper surface side of the antenna substrate 43 through the third position confirmation hole 74. The diameter of the third position confirmation hole 74 is preferably about 50 to 200 μm larger than the diameter of the third position confirmation mark 69 when the third position confirmation mark 69 is circular.

第３の位置確認孔７４の周囲に形成された上面側基準マーク７８は、例えば第３の位置確認孔７４を中心として互いに９０゜の隣接角度で四方に延びる４本の帯状パターンから成る。各帯状パターンは、幅が１０〜５０μｍ程度、長さが５０〜５００μｍ程度である。   The upper surface side reference mark 78 formed around the third position confirmation hole 74 is composed of, for example, four strip patterns extending in four directions at an adjacent angle of 90 ° with the third position confirmation hole 74 as a center. Each strip pattern has a width of about 10 to 50 μm and a length of about 50 to 500 μm.

そして、第３の位置確認孔７４を介して第３の位置確認マーク６９を画像認識装置により撮影することにより第３の位置確認マーク６９の重心の位置座標を確認するとともに第３の位置確認孔７４周辺の上面側基準マーク７８を画像認識装置で撮影することによりその上面側基準マーク７８の重心の位置座標を確認する。これらの重心位置座標を比較することにより、上部アンテナパターン６６とキャビティＣとの水平方向の位置関係を確認することができる。   Then, the third position confirmation mark 69 is photographed by the image recognition device through the third position confirmation hole 74 to confirm the position coordinates of the center of gravity of the third position confirmation mark 69 and the third position confirmation hole. The position coordinates of the center of gravity of the upper surface side reference mark 78 are confirmed by photographing the upper surface side reference mark 78 around 74 by the image recognition device. By comparing these barycentric position coordinates, the positional relationship in the horizontal direction between the upper antenna pattern 66 and the cavity C can be confirmed.

第４の位置確認マーク７０は、フレーム基板４２の上におけるアンテナ基板４３の下面に設けられている。第４の位置確認マーク７０は、配線導体６３と同じ導体層により形成されている。第４の位置確認マーク７０は、上部アンテナパターン６６と同時に形成されている。そのため、第４の位置確認マーク７０と上部アンテナパターン６６とは、相互に高い位置精度で形成されている。第４の位置確認マーク７０は例えば円形の島状パターンである。あるいは、第４の位置確認マーク７０は、十字形の島状パターンである。第４の位置確認マーク７０が円形の場合、その直径は５０〜２００μｍ程度である。第１の位置確認マーク７０が十字形の場合、その線幅は１０〜５０μｍ程度である。   The fourth position confirmation mark 70 is provided on the lower surface of the antenna substrate 43 on the frame substrate 42. The fourth position confirmation mark 70 is formed of the same conductor layer as the wiring conductor 63. The fourth position confirmation mark 70 is formed simultaneously with the upper antenna pattern 66. Therefore, the fourth position confirmation mark 70 and the upper antenna pattern 66 are formed with high positional accuracy. The fourth position confirmation mark 70 is, for example, a circular island pattern. Alternatively, the fourth position confirmation mark 70 is a cross-shaped island pattern. When the 4th position confirmation mark 70 is circular, the diameter is about 50-200 micrometers. When the first position confirmation mark 70 has a cross shape, the line width is about 10 to 50 μm.

第４の位置確認孔７５は、制御基板４１およびフレーム基板４２を連通して第４の位置確認マーク７０の直下に設けられている。第４の位置確認孔７５は下面視で円形の孔である。第４の位置確認孔７５の直径は１００〜３００μｍ程度である。この第４の位置確認孔７５を介して第４の位置確認マーク７０が制御基板４１の下面側から見えるようになっている。なお、第４の位置確認孔７５の直径は、第４の位置確認マーク７０が円形である場合、第４の位置確認マーク７０の直径より５０〜２００μｍ程度大きいことが好ましい。さらには、第４の位置確認孔７５の直径は、制御基板４１部分の直径がフレーム基板４２部分の直径より５０〜２００μｍ程度大きいことが好ましい。   The fourth position confirmation hole 75 communicates with the control board 41 and the frame board 42 and is provided immediately below the fourth position confirmation mark 70. The fourth position confirmation hole 75 is a circular hole in a bottom view. The diameter of the fourth position confirmation hole 75 is about 100 to 300 μm. The fourth position confirmation mark 70 can be seen from the lower surface side of the control board 41 through the fourth position confirmation hole 75. The diameter of the fourth position confirmation hole 75 is preferably about 50 to 200 μm larger than the diameter of the fourth position confirmation mark 70 when the fourth position confirmation mark 70 is circular. Furthermore, the diameter of the fourth position confirmation hole 75 is preferably such that the diameter of the control board 41 portion is about 50 to 200 μm larger than the diameter of the frame board 42 portion.

下面側基準マーク７９は、配線導体４６と同じ導体層から成り、最下層の絶縁層４７の下面に形成されている。下面側基準マーク７９は、下部アンテナパターン５５と同時に形成されている。そのため、下面側基準マーク７９と下部アンテナパターン５５とは、相互に高い位置精度で形成されている。第４の位置確認孔７５の周囲に形成された下面側基準マーク７９は、例えば第４の位置確認孔７５を中心として互いに９０゜の隣接角度で四方に延びる４本の帯状パターンから成る。各帯状パターンは、幅が１０〜５０μｍ程度、長さが５０〜５００μｍ程度である。   The lower surface side reference mark 79 is made of the same conductor layer as the wiring conductor 46, and is formed on the lower surface of the lowermost insulating layer 47. The lower surface side reference mark 79 is formed simultaneously with the lower antenna pattern 55. Therefore, the lower surface side reference mark 79 and the lower antenna pattern 55 are formed with high mutual positional accuracy. The lower surface side reference mark 79 formed around the fourth position confirmation hole 75 is composed of, for example, four strip patterns extending in four directions at an adjacent angle of 90 ° with the fourth position confirmation hole 75 as a center. Each strip pattern has a width of about 10 to 50 μm and a length of about 50 to 500 μm.

そして、第４の位置確認孔７５を介して第４の位置確認マーク７０を画像認識装置により撮影することにより第４の位置確認マーク７０の重心の位置座標を確認するとともに第４の位置確認孔７５周辺の下面側基準マーク７９を画像認識装置で撮影することによりその下面側基準マーク７９の重心の位置座標を確認する。これらの重心位置座標を比較することにより、下部アンテナパターン５５と上部アンテナパターン６６との水平方向の位置関係を確認することができる。また、画像認識装置の焦点深度により下面側基準マーク７９と第４の位置確認マーク７０との間の高さを測定することにより、下部アンテナパターン５５と上部アンテナパターン６６との垂直方向の位置関係を確認することができる。   Then, the fourth position confirmation mark 70 is photographed by the image recognition device through the fourth position confirmation hole 75 to confirm the position coordinates of the center of gravity of the fourth position confirmation mark 70 and the fourth position confirmation hole. The lower surface side reference mark 79 around 75 is photographed by the image recognition device to confirm the position coordinates of the center of gravity of the lower surface side reference mark 79. By comparing these barycentric position coordinates, the horizontal positional relationship between the lower antenna pattern 55 and the upper antenna pattern 66 can be confirmed. Further, the vertical positional relationship between the lower antenna pattern 55 and the upper antenna pattern 66 is measured by measuring the height between the lower surface side reference mark 79 and the fourth position confirmation mark 70 based on the focal depth of the image recognition device. Can be confirmed.

第５の位置確認マーク７１は、フレーム基板４２の下面に設けられている。第５の位置確認マーク７１は、配線導体５７と同じ導体層により形成されている。第５の位置確認マーク７１は例えば円形の島状パターンである。あるいは、第５の位置確認マーク７１は、十字形の島状パターンである。第５の位置確認マーク７１が円形の場合、その直径は５０〜２００μｍ程度である。第５の位置確認マーク７１が十字形の場合、その線幅は１０〜５０μｍ程度である。   The fifth position confirmation mark 71 is provided on the lower surface of the frame substrate 42. The fifth position confirmation mark 71 is formed of the same conductor layer as the wiring conductor 57. The fifth position confirmation mark 71 is, for example, a circular island pattern. Alternatively, the fifth position confirmation mark 71 is a cross-shaped island pattern. When the fifth position confirmation mark 71 is circular, the diameter is about 50 to 200 μm. When the fifth position confirmation mark 71 has a cross shape, the line width is about 10 to 50 μm.

第５の位置確認孔７６は、制御基板４１を貫通して第５の位置確認マーク７１の直下に設けられている。第５の位置確認孔７６は下面視で円形の孔である。第５の位置確認孔７６の直径は１００〜３００μｍ程度である。この第５の位置確認孔７６を介して第５の位置確認マーク７１が制御基板４１の下面側から見えるようになっている。なお、第５の位置確認孔７６の直径は、第５の位置確認マーク７１が円形である場合、第５の位置確認マーク７１の直径より５０〜２００μｍ程度大きいことが好ましい。   The fifth position confirmation hole 76 penetrates the control board 41 and is provided immediately below the fifth position confirmation mark 71. The fifth position confirmation hole 76 is a circular hole in a bottom view. The diameter of the fifth position confirmation hole 76 is about 100 to 300 μm. The fifth position confirmation mark 71 is visible from the lower surface side of the control board 41 through the fifth position confirmation hole 76. Note that the diameter of the fifth position confirmation mark 76 is preferably about 50 to 200 μm larger than the diameter of the fifth position confirmation mark 71 when the fifth position confirmation mark 71 is circular.

第５の位置確認孔７６の周囲に形成された下面側基準マーク７９は、例えば第５の位置確認孔７６を中心として互いに９０゜の隣接角度で四方に延びる４本の帯状パターンから成る。各帯状パターンは、幅が１０〜５０μｍ程度、長さが５０〜５００μｍ程度である。   The lower surface side reference mark 79 formed around the fifth position confirmation hole 76 is composed of, for example, four strip patterns extending in four directions at an adjacent angle of 90 ° with the fifth position confirmation hole 76 as a center. Each strip pattern has a width of about 10 to 50 μm and a length of about 50 to 500 μm.

そして、第５の位置確認孔７６を介して第５の位置確認マーク７１を画像認識装置により撮影することにより第５の位置確認マーク７１の重心の位置座標を確認するとともに第５の位置確認孔７６周辺の下面側基準マーク７９を画像認識装置で撮影することによりその下面側基準マーク７９の重心の位置座標を確認する。これらの重心位置座標を比較することにより、下部アンテナパターン６６とキャビティＣとの水平方向の位置関係を確認することができる。   The fifth position confirmation mark 71 is photographed by the image recognition device through the fifth position confirmation hole 76 to confirm the position coordinate of the center of gravity of the fifth position confirmation mark 71 and the fifth position confirmation hole 71. The position coordinates of the center of gravity of the lower surface side reference mark 79 are confirmed by photographing the lower surface side reference mark 79 around 76 with the image recognition device. By comparing these barycentric position coordinates, the horizontal positional relationship between the lower antenna pattern 66 and the cavity C can be confirmed.

第６の位置確認孔７７は、制御基板４１とフレーム基板４２とアンテナ基板４３とを連通して設けられている。第６の位置確認孔７７は上面視で円形の孔である。第６の位置確認孔７７の直径は１００〜５００μｍ程度である。第６の位置確認孔７７の直径は、フレーム基板４２部分の直径が制御基板４１部分の直径より５０〜２００μｍ程度大きいことが好ましく、アンテナ基板４３部分の直径がフレーム基板４２部分の直径より５０〜２００μｍ程度大きいことが好ましい。そして、第６の位置確認孔７７を例えば上面側から画像認識装置により撮影して制御基板４１とフレーム基板４２とアンテナ基板４３とにおける第６の位置確認孔７７の重心位置座標を確認し、これらの重心位置座標を比較することにより、制御基板４１とフレーム基板４２とアンテナ基板４３との水平方向の位置関係を確認することができる。また、画像認識装置の焦点深度により制御基板４１上面とフレーム基板４２上面とアンテナ基板４３上面との間の高さを測定することにより制御基板４１とフレーム基板４２とアンテナ基板４３との垂直方向の位置関係を確認することができる。   The sixth position confirmation hole 77 is provided to communicate the control board 41, the frame board 42, and the antenna board 43. The sixth position confirmation hole 77 is a circular hole in a top view. The diameter of the sixth position confirmation hole 77 is about 100 to 500 μm. The diameter of the sixth position confirmation hole 77 is preferably about 50 to 200 μm larger than the diameter of the control board 41 portion, and the diameter of the antenna board 43 portion is 50 to 50 mm larger than the diameter of the frame board 42 portion. It is preferably about 200 μm larger. Then, the sixth position confirmation hole 77 is photographed by, for example, the image recognition device from the upper surface side, and the center-of-gravity position coordinates of the sixth position confirmation hole 77 in the control board 41, the frame board 42, and the antenna board 43 are confirmed. By comparing the center-of-gravity position coordinates, the horizontal positional relationship among the control board 41, the frame board 42, and the antenna board 43 can be confirmed. Further, by measuring the height between the upper surface of the control substrate 41, the upper surface of the frame substrate 42, and the upper surface of the antenna substrate 43 based on the depth of focus of the image recognition apparatus, The positional relationship can be confirmed.

なお、第１〜第５の位置確認マーク６７〜７１と、第１〜第６の位置確認孔７２〜７７と、上面側基準マーク７８および下面側基準マーク７９との全てを備えている必要はない。しかしながら、少なくとも第１の位置確認マーク６７と、第１の位置確認孔７２と、これに対応する上面側基準マーク７８とを備えていることが好ましい。加えて第２の位置確認マーク６８と、第２の位置確認孔７３と、これに対応する上面側基準マーク７８とを備えていると、より好ましい。さらに加えて第３の位置確認マーク６９と、第３の位置確認孔７４と、これに対応する上面側基準マーク７８とを備えていると、さらに好ましい。   The first to fifth position confirmation marks 67 to 71, the first to sixth position confirmation holes 72 to 77, and the upper surface side reference mark 78 and the lower surface side reference mark 79 need to be provided. Absent. However, it is preferable to include at least a first position confirmation mark 67, a first position confirmation hole 72, and a corresponding upper surface side reference mark 78. In addition, it is more preferable that the second position confirmation mark 68, the second position confirmation hole 73, and the upper surface side reference mark 78 corresponding thereto are provided. In addition, it is more preferable that a third position confirmation mark 69, a third position confirmation hole 74, and a corresponding upper surface side reference mark 78 are provided.

また、上述した変形例においては、第１〜第５の位置確認マーク６７〜７１は円形あるいは十字形の島状パターンであったが、これに限られるものではない。第１〜第５の位置確認マーク６７〜７１は、三角形や四角形等他の形状であってもかまわないし、抜きパターンであってもかまわない。   In the above-described modification, the first to fifth position confirmation marks 67 to 71 are circular or cross-shaped island patterns. However, the present invention is not limited to this. The first to fifth position confirmation marks 67 to 71 may be other shapes such as a triangle or a quadrangle, or may be a blank pattern.

さらに、上述した変形例においては、上面側基準マーク７８および下面側基準マーク７９は、第１〜第５の位置確認孔７２〜７６を中心として互いに９０゜の隣接角度で四方に延びる４本の帯状パターンから形成されていたが、これに限られるものではない。上面側基準マーク７８および下面側基準マーク７９は、第１〜第５の位置確認孔７２〜７６を取り囲む円形や四角形等他の形状であってもかまわないし、島状パターンまたは抜きパターンの何れであってもかまわない。さらにまた、上述の変形例では、第１〜第５の位置確認孔７２〜７６の各々に対応して上面側基準マーク７８または下面側基準マーク７９を配置したが、必ずしも全ての第１〜第５の位置確認孔７２〜７６に対応して上面側基準マーク７８または下面側基準マーク７９を配置する必要はない。離れた位置に形成された上面側基準マーク７８または下面側基準マーク７９の重心位置座標を基にして水平方向の位置関係を算出することも可能である。   Further, in the above-described modification, the upper surface side reference mark 78 and the lower surface side reference mark 79 are four extending in four directions at an adjacent angle of 90 ° around the first to fifth position confirmation holes 72 to 76. Although it was formed from a belt-like pattern, it is not limited to this. The upper surface side reference mark 78 and the lower surface side reference mark 79 may have other shapes such as a circle or a rectangle surrounding the first to fifth position confirmation holes 72 to 76, and may be either an island pattern or a blank pattern. It does not matter. Furthermore, in the above-described modified example, the upper surface side reference mark 78 or the lower surface side reference mark 79 is disposed corresponding to each of the first to fifth position confirmation holes 72 to 76, but not necessarily all of the first to first positions. It is not necessary to arrange the upper surface side reference mark 78 or the lower surface side reference mark 79 corresponding to the five position confirmation holes 72 to 76. It is also possible to calculate the horizontal positional relationship based on the barycentric position coordinates of the upper surface side reference mark 78 or the lower surface side reference mark 79 formed at a distant position.

１，４１・・・・・・・・・制御基板
２，４２・・・・・・・・・フレーム基板
２ａ，４２ａ・・・・・・・開口部
３，４３・・・・・・・・・アンテナ基板
４，４４・・・・・・・・・半導体素子
１２，１９，５４，６１・・・半田
２３，５５，６６・・・・・・アンテナパターン
６７〜７１・・・・・・・・・第１〜第５の位置確認マーク
７２〜７７・・・・・・・・・第１〜第６の位置確認孔
７８，７９・・・・・・・・・基準マーク
Ｃ・・・・・・・・・・・・キャビティ
Ｓ・・・・・・・・・・・・球状粒子 1, 41 ... Control board 2, 42 ... Frame board 2a, 42a ... Opening 3, 43 ... .. Antenna substrate 4, 44... Semiconductor elements 12, 19, 54, 61... Solder 23, 55, 66 .. Antenna patterns 67 to 71. ... 1st to 5th position confirmation marks 72 to 77 ... 1st to 6th position confirmation holes 78, 79 ... ... Reference mark C・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Cavity S ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Spherical particles

Claims (9)

上面中央部に半導体素子が搭載された制御基板と、該制御基板の上面外周部に所定厚みの半田を介して接合されており、中央部に前記半導体素子を収容する開口部を有する枠状のフレーム基板と、該フレーム基板の上面に前記開口部を覆うように所定厚みの半田を介して接合されており、上面に沿ってアンテナパターンを有するアンテナ基板と、を具備して成るアンテナモジュールであって、前記制御基板と前記フレーム基板との間および前記フレーム基板と前記アンテナ基板との間を接合する前記半田内に、該半田に溶融しない材料から成り、前記所定厚みに対応した直径を有する球状粒子が含有されていることを特徴とするアンテナモジュール。   A control board on which a semiconductor element is mounted at the center of the upper surface, and a frame-like shape having an opening for receiving the semiconductor element at the center, which is joined to the outer peripheral part of the upper surface of the control board via a predetermined thickness of solder. An antenna module comprising: a frame substrate; and an antenna substrate having an antenna pattern along the upper surface, which is joined to the upper surface of the frame substrate via a solder having a predetermined thickness so as to cover the opening. The solder that joins between the control board and the frame board and between the frame board and the antenna board is made of a material that does not melt into the solder and has a diameter corresponding to the predetermined thickness. An antenna module comprising particles. 下面に半導体素子が搭載されるとともに上面に沿って下部アンテナパターンを有する制御基板と、該制御基板の上面外周部に所定厚みの半田を介して接合されており、中央部に前記下部アンテナパターン上をキャビティとするための開口部を有する枠状のフレーム基板と、該フレーム基板の上面に前記開口部を覆うように所定厚みの半田を介して接合されており、上面に沿って前記開口部上に上部アンテナパターンを有するアンテナ基板と、を具備して成るアンテナモジュールであって、前記制御基板と前記フレーム基板との間および前記フレーム基板と前記アンテナ基板との間を接合する前記半田内に、該半田に溶融しない材料から成り、前記所定厚みに対応した直径を有する球状粒子が含有されていることを特徴とするアンテナモジュール。   A control board having a semiconductor element mounted on the lower surface and having a lower antenna pattern along the upper surface is bonded to the outer peripheral portion of the upper surface of the control board with a predetermined thickness of solder, and the lower antenna pattern A frame-shaped frame substrate having an opening for forming a cavity, and a solder having a predetermined thickness are joined to the upper surface of the frame substrate so as to cover the opening, and on the opening along the upper surface. An antenna board having an upper antenna pattern, and in the solder that joins between the control board and the frame board and between the frame board and the antenna board, An antenna module comprising spherical materials having a diameter corresponding to the predetermined thickness, the solder module being made of a material that does not melt into the solder. . 前記フレーム基板下における前記制御基板の上面に設けられた第１の位置確認マークと、該第１の位置確認マークが前記アンテナ基板の上面側から見えるように前記アンテナ基板および前記フレーム基板を連通して設けられた第１の位置確認孔と、前記アンテナ基板上面に設けられた上面側基準マークと、を具備することを特徴とする請求項２記載のアンテナモジュール。   A first position confirmation mark provided on the upper surface of the control board under the frame board, and the antenna board and the frame board are communicated so that the first position confirmation mark can be seen from the upper surface side of the antenna board. The antenna module according to claim 2, further comprising: a first position confirmation hole provided on the upper surface of the antenna substrate, and an upper surface side reference mark provided on an upper surface of the antenna substrate. 前記キャビティ内における前記制御基板の上面に設けられた第２の位置確認マークと、該第２の位置確認マークが前記アンテナ基板の上面側から見えるように前記アンテナ基板に設けられた第２の貫通孔と、を具備することを特徴とする請求項３記載の配線基板。   A second position confirmation mark provided on the upper surface of the control board in the cavity, and a second penetration provided in the antenna board so that the second position confirmation mark can be seen from the upper surface side of the antenna board. The wiring board according to claim 3, further comprising a hole. 前記第２の位置確認マークおよび第２の位置確認孔が前記キャビティにおける中央部および外周部の複数個所に設けられていることを特徴とする請求項４記載のアンテナモジュール。   5. The antenna module according to claim 4, wherein the second position confirmation mark and the second position confirmation hole are provided at a plurality of locations in a central portion and an outer peripheral portion of the cavity. 前記フレーム基板の上面に設けられた第３の位置確認マークと、該第３の位置確認マークが前記アンテナ基板の上面側から見えるように前記アンテナ基板に設けられた第３の位置確認孔と、を具備することを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載のアンテナモジュール。   A third position confirmation mark provided on the upper surface of the frame substrate; a third position confirmation hole provided in the antenna substrate so that the third position confirmation mark is visible from the upper surface side of the antenna substrate; The antenna module according to any one of claims 3 to 5, further comprising: 前記フレーム基板上における前記アンテナ基板の下面に設けられた第４の位置確認マークと、該第４の位置確認マークが前記制御基板の下面側から見えるように前記制御基板および前記フレーム基板を連通して設けられた第４の位置確認孔と、前記制御基板の下面に設けられた下面側基準マークと、を有することを特徴とする請求項２乃至６のいずれかに記載のアンテナモジュール。   A fourth position confirmation mark provided on the lower surface of the antenna substrate on the frame substrate, and the control substrate and the frame substrate communicate with each other so that the fourth position confirmation mark can be seen from the lower surface side of the control substrate. The antenna module according to claim 2, further comprising a fourth position confirmation hole provided on the lower surface of the control board and a lower surface side reference mark provided on a lower surface of the control board. 前記フレーム基板の下面に設けられた第５の位置確認マークと、該第５の位置確認マークが前記制御基板の下面側から見えるように前記制御基板に設けられた第５の位置確認孔と、を有することを特徴とする請求項３乃至７のいずれかに記載のアンテナモジュール。   A fifth position confirmation mark provided on the lower surface of the frame substrate; a fifth position confirmation hole provided on the control board so that the fifth position confirmation mark can be seen from the lower surface side of the control board; The antenna module according to claim 3, comprising: 前記制御基板と前記フレーム基板と前記アンテナ基板とを連通して設けられた第６の位置確認孔を有することを特徴とする請求項３乃至８のいずれかに記載のアンテナモジュール。   9. The antenna module according to claim 3, further comprising a sixth position confirmation hole provided in communication with the control board, the frame board, and the antenna board.
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