JP2017017214A - Wafer polishing method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer polishing method that can suppress the amount of slurry solution to be used while preventing dry of a polishing pad.SOLUTION: A wafer polishing method for polishing a wafer using a polishing pad having a polishing surface larger in diameter than the wafer and a slurry solution comprises a holding step for holding the wafer on a holding surface of a chuck table, and a polishing step for rotating the chuck table holding the wafer, pressing the polishing surface of the polishing pad against the wafer held on the chuck table while rotating the polishing pad, and polishing the wafer while supplying the slurry solution. In the polishing step, the polishing is carried out while supplying the slurry solution from a slurry solution supply hole opened to the polishing surface with facing the wafer and pure water is supplied to a region of the polishing surface which is not in contact with the wafer.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、半導体ウェーハ、光デバイスウェーハ等のウェーハの裏面を研磨するウェーハの研磨方法に関する。   The present invention relates to a wafer polishing method for polishing a back surface of a wafer such as a semiconductor wafer or an optical device wafer.

光デバイスウェーハは、サファイア基板、ＳｉＣ基板等の表面に窒化ガリウム（ＧａＮ）等のエピタキシャル層（発光層）を形成し、該エピタキシャル層にＬＥＤ等の複数の光デバイスが格子状に形成された分割予定ラインによって区画されて形成されている。   An optical device wafer is a division in which an epitaxial layer (light emitting layer) such as gallium nitride (GaN) is formed on the surface of a sapphire substrate, SiC substrate, etc., and a plurality of optical devices such as LEDs are formed in a lattice pattern on the epitaxial layer It is divided and formed by the planned line.

サファイア基板はＧａＮと格子定数が近いため、ＧａＮエピタキシャル層の成長に適しており、光デバイスを製造する上で不可欠な素材であるが、エピタキシャル層が成長した後は電気機器の軽量化、小型化、光デバイスの輝度向上のために研削装置によってサファイア基板の裏面が研削される。   The sapphire substrate has a lattice constant close to that of GaN, so it is suitable for the growth of GaN epitaxial layers, and is an indispensable material for manufacturing optical devices. In order to improve the brightness of the optical device, the back surface of the sapphire substrate is ground by a grinding apparatus.

研削装置によってウェーハの裏面を研削すると、裏面に研削痕が残存すると共に微細なクラックが形成され、ダイシング装置又はレーザー加工装置によってダイシングされたデバイスの抗折強度を低下させるという問題がある。   When the back surface of the wafer is ground by the grinding device, grinding marks remain on the back surface and fine cracks are formed, which causes a problem that the bending strength of the device diced by the dicing device or the laser processing device is lowered.

そこで、研削後に被研削面に生じた微細なクラック等を除去してデバイスの抗折強度を向上させるために、スラリー溶液を供給しながら回転する研磨パッドをウェーハの被研削面に押圧しながら研磨する化学的機械研磨方法（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）が知られている。   Therefore, polishing is performed while pressing the rotating polishing pad against the surface to be ground of the wafer while supplying the slurry solution in order to remove the fine cracks etc. generated on the surface to be ground after grinding and improve the bending strength of the device. There is known a chemical mechanical polishing (CMP) method.

特開２０１２−１０６２９３号公報JP 2012-106293 A 特開２０１０−１２０１３０号公報JP 2010-120130 A 特開２０１１−１７３１９８号公報JP2011-173198A

しかし、シリコンウェーハに比較してモース硬度の高いサファイアウェーハやＳｉＣウェーハをＣＭＰで研磨すると、研磨レート（時間当たりの除去量）が低いため、研磨に時間がかかる。その結果、使用するスラリー溶液の量も多くなり、加工コストが高いという課題がある。   However, when a sapphire wafer or SiC wafer having a higher Mohs hardness than that of a silicon wafer is polished by CMP, the polishing rate (removed amount per hour) is low, so that polishing takes time. As a result, there is a problem that the amount of slurry solution to be used increases and the processing cost is high.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、研磨パッドの乾燥を防ぎつつスラリー溶液の使用量を抑制可能なウェーハの研磨方法を提供することである。   The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a wafer polishing method capable of suppressing the amount of the slurry solution while preventing the polishing pad from drying.

本発明によると、ウェーハより大径の研磨面を有する研磨パッドとスラリー溶液を用いてウェーハを研磨するウェーハの研磨方法であって、チャックテーブルの保持面にウェーハを保持する保持ステップと、ウェーハを保持した該チャックテーブルを回転させると共に、研磨パッドを回転させつつ該チャックテーブルに保持されたウェーハに該研磨パッドの研磨面を押圧し、スラリー溶液を供給しながらウェーハを研磨する研磨ステップと、を備え、該研磨ステップでは、ウェーハに対面して該研磨面に開口したスラリー溶液供給穴から該スラリー溶液を供給しつつ、該研磨面のウェーハに接触しない領域に純水を供給しながら研磨を実施することを特徴とするウェーハの研磨方法が提供される。   According to the present invention, a polishing method for polishing a wafer using a polishing pad having a polishing surface having a diameter larger than that of the wafer and a slurry solution, a holding step for holding the wafer on a holding surface of a chuck table, A polishing step of rotating the held chuck table, pressing the polishing surface of the polishing pad against the wafer held on the chuck table while rotating the polishing pad, and polishing the wafer while supplying a slurry solution; In the polishing step, polishing is performed while supplying the slurry solution from a slurry solution supply hole opened to the polishing surface facing the wafer and supplying pure water to a region of the polishing surface not contacting the wafer. A method for polishing a wafer is provided.

好ましくは、ウェーハはサファイアウェーハ又はＳｉＣウェーハから構成され、研磨ステップで供給されるスラリー溶液の流量の方が純水の流量より少ない。   Preferably, the wafer is made of a sapphire wafer or a SiC wafer, and the flow rate of the slurry solution supplied in the polishing step is smaller than the flow rate of pure water.

本発明のウェーハの研磨方法によると、研磨に用いるスラリー溶液をウェーハに対応した領域に供給し、直接ウェーハと接触しない研磨パッドの領域には純水を供給しながら研磨を実施するので、研磨パッドの乾燥を防ぎつつスラリー溶液の使用量を最低限に抑えることができ、加工コストの上昇を防止することができる。   According to the wafer polishing method of the present invention, the slurry solution used for polishing is supplied to the region corresponding to the wafer, and polishing is performed while supplying pure water to the region of the polishing pad that is not in direct contact with the wafer. The amount of the slurry solution used can be minimized while preventing the drying of the material, and an increase in processing cost can be prevented.

光デバイスウェーハの斜視図である。It is a perspective view of an optical device wafer. 保護部材配設ステップを示す斜視図である。It is a perspective view which shows a protection member arrangement | positioning step. 本発明実施形態に係る研磨装置の斜視図である。1 is a perspective view of a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. 研磨ステップを示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows a grinding | polishing step. スラリー溶液供給範囲と純水供給範囲とを説明する模式的平面図である。It is a typical top view explaining a slurry solution supply range and a pure water supply range.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、光デバイスウェーハ１１の表面側斜視図が示されている。光デバイスウェーハ１１は、サファイア基板１３上に窒化ガリウム（ＧａＮ）等のエピタキシャル層（発光層）１５が積層されて構成されている。光デバイスウェーハ１１は、エピタキシャル層１５が積層された表面１１ａとサファイア基板１３が露出した裏面１１ｂを有している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, a front side perspective view of an optical device wafer 11 is shown. The optical device wafer 11 is configured by laminating an epitaxial layer (light emitting layer) 15 such as gallium nitride (GaN) on a sapphire substrate 13. The optical device wafer 11 has a front surface 11a on which an epitaxial layer 15 is laminated and a back surface 11b on which the sapphire substrate 13 is exposed.

サファイア基板１３は裏面が研削装置により研削されて約１００μｍに薄化されており、エピタキシャル層１５は例えば５μｍの厚みを有している。エピタキシャル層１５にＬＥＤ等の複数の光デバイス１９が格子状に形成された分割予定ライン（ストリート）１７によって区画されて形成されている。   The back surface of the sapphire substrate 13 is ground by a grinding device and thinned to about 100 μm, and the epitaxial layer 15 has a thickness of 5 μm, for example. A plurality of optical devices 19 such as LEDs are formed in the epitaxial layer 15 by being partitioned by division lines (streets) 17 formed in a lattice pattern.

本発明実施形態に係るウェーハの研磨方法を実施するのに当たり、図２に示すように、光デバイスウェーハ（以下、単にウェーハと略称することがある）の表面に形成されたデバイス１９を保護するために、ウェーハ１１の表面１１ａに保護テープ等の保護部材２１を熱可塑性樹脂等の接着剤で貼着する保護部材貼着ステップを実施する。本実施形態では、ウェーハ１１の直径よりも大径の保護部材２１をウェーハ１１の表面１１ａに貼着しているが、ウェーハ１１と同一径の保護部材を貼着するようにしてもよい。   In carrying out the wafer polishing method according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2, in order to protect the device 19 formed on the surface of the optical device wafer (hereinafter sometimes simply referred to as a wafer). In addition, a protective member attaching step of attaching the protective member 21 such as a protective tape to the surface 11a of the wafer 11 with an adhesive such as a thermoplastic resin is performed. In the present embodiment, the protective member 21 having a diameter larger than the diameter of the wafer 11 is attached to the surface 11 a of the wafer 11, but a protective member having the same diameter as that of the wafer 11 may be attached.

次に、図３を参照して、本発明のウェーハの研磨方法を実施するのに適した研磨装置２について説明する。４は研磨装置２のベースであり、水平ベース６の後方にコラム８が立設されている。   Next, with reference to FIG. 3, a polishing apparatus 2 suitable for carrying out the wafer polishing method of the present invention will be described. Reference numeral 4 denotes a base of the polishing apparatus 2, and a column 8 is erected on the rear side of the horizontal base 6.

コラム８には上下方向に伸びる一対のガイドレール１２，１４が固定されている。この一対のガイドレール１２、１４に沿って研磨ユニット１６が上下方向に移動可能に装着されている。研磨ユニット１６は、支持部２０を介して一対のガイドレール１２，１４に沿って上下方向に移動する移動基台１８に取り付けられている。   A pair of guide rails 12 and 14 extending in the vertical direction are fixed to the column 8. A polishing unit 16 is mounted along the pair of guide rails 12 and 14 so as to be movable in the vertical direction. The polishing unit 16 is attached to a moving base 18 that moves up and down along the pair of guide rails 12 and 14 via a support portion 20.

研磨ユニット１６は、支持部２０に取り付けられたハウジング２２と、ハウジング２２中に回転可能に収容されたスピンドル２４と、スピンドル２４を回転駆動するサーボモータ２８を含んでいる。   The polishing unit 16 includes a housing 22 attached to the support portion 20, a spindle 24 rotatably accommodated in the housing 22, and a servo motor 28 that rotationally drives the spindle 24.

図４に最も良く示されるように、スピンドル２４の先端部にはホイールマウント３０が固定されており、このホイールマウント３０に研磨ホイール３２が複数のねじ３１により着脱可能に装着されている。研磨ホイール３２は、基台３４と、基台３４の下面に貼着された研磨パッド３６とを含んでいる。研磨パッド３６は、不織布又は軟質のウレタンから形成されている。   As best shown in FIG. 4, a wheel mount 30 is fixed to the tip of the spindle 24, and a polishing wheel 32 is detachably attached to the wheel mount 30 by a plurality of screws 31. The polishing wheel 32 includes a base 34 and a polishing pad 36 attached to the lower surface of the base 34. The polishing pad 36 is made of a nonwoven fabric or soft urethane.

スピンドル２４中にはスラリー溶液供給穴２６が形成されており、図３に示されるように、スラリー溶液供給穴２６はスラリー溶液供給路７２を介してスラリー溶液供給源７４に接続されている。研磨ホイール３２の基台３４及び研磨パッド３６には、スピンドル２４のスラリー溶液供給穴２６に連通するスラリー溶液供給穴３５，３７がそれぞれ形成されている。   A slurry solution supply hole 26 is formed in the spindle 24, and the slurry solution supply hole 26 is connected to a slurry solution supply source 74 via a slurry solution supply path 72 as shown in FIG. 3. Slurry solution supply holes 35 and 37 communicating with the slurry solution supply hole 26 of the spindle 24 are formed in the base 34 and the polishing pad 36 of the polishing wheel 32, respectively.

スラリー溶液としては、コロイダルシリカと水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）や水酸化カリウム（ＫＯＨ）等のアルカリ溶液とヘキサエチレンセルロース等の親水化処理薬を混合した混合液を用いることができる。   As the slurry solution, a mixed solution in which colloidal silica, an alkali solution such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH) or potassium hydroxide (KOH), and a hydrophilizing agent such as hexaethylene cellulose are mixed can be used.

再び図３を参照すると、研磨ユニット１６は、研磨ユニット１６を一対の案内レール１２，１４に沿って上下方向に移動する研磨ユニット送り機構３８を備えている。研磨ユニット送り機構３８は、ボールねじ４０と、ボールねじ４０の一端部に固定されたパルスモータ４２と、移動基台１８に配設されたボールねじ４０に螺合するナットとから構成される。パルスモータ４２を駆動すると、ボールねじ４０が回転し、研磨ユニット１６が上下方向に移動される。   Referring to FIG. 3 again, the polishing unit 16 includes a polishing unit feed mechanism 38 that moves the polishing unit 16 in the vertical direction along the pair of guide rails 12 and 14. The polishing unit feed mechanism 38 includes a ball screw 40, a pulse motor 42 fixed to one end of the ball screw 40, and a nut that is screwed into the ball screw 40 disposed on the moving base 18. When the pulse motor 42 is driven, the ball screw 40 rotates and the polishing unit 16 is moved in the vertical direction.

水平ベース部分６の凹部１０には、チャックテーブルユニット４４が配設されている。チャックテーブルユニット４４はチャックテーブル４６を含んでおり、チャックテーブル４６は回転可能に配設されていると共に、図示しない水平移動機構（チャックテーブル移動機構）により装置の前後方向、即ちＹ軸方向に移動される。チャックテーブル４６は、ポーラスセラミックス等から形成された吸引保持面４６ａを有している。   A chuck table unit 44 is disposed in the recess 10 of the horizontal base portion 6. The chuck table unit 44 includes a chuck table 46. The chuck table 46 is rotatably arranged, and is moved in the front-rear direction of the apparatus, that is, in the Y-axis direction by a horizontal movement mechanism (chuck table movement mechanism) (not shown). Is done. The chuck table 46 has a suction holding surface 46a formed of porous ceramics or the like.

チャックテーブルユニット４４は、チャックテーブル４６を囲繞するように配設されたチャックテーブルカバー４８と、チャックテーブルカバー４８の両端に配設された蛇腹５０を含んでいる。   The chuck table unit 44 includes a chuck table cover 48 disposed so as to surround the chuck table 46, and bellows 50 disposed at both ends of the chuck table cover 48.

水平ベース部分６の前方には、研磨を実施する前のウェーハを収容するカセット５２と、研磨加工後のウェーハを収容するカセット５４と、ウェーハ搬送ロボット５６と、複数の位置決めピン５８を有する位置決め機構６０と、ウェーハ搬入機構（ローディングアーム）６２と、ウェーハ搬出機構（アンローディングアーム）６４と、スピンナーテーブル６６を有するスピンナー洗浄ユニット６８と、オペレータが研磨条件等を入力する操作パネル７０が配設されている。   In front of the horizontal base portion 6, a positioning mechanism having a cassette 52 for storing a wafer before polishing, a cassette 54 for storing a wafer after polishing, a wafer transfer robot 56, and a plurality of positioning pins 58. 60, a wafer carry-in mechanism (loading arm) 62, a wafer carry-out mechanism (unloading arm) 64, a spinner cleaning unit 68 having a spinner table 66, and an operation panel 70 for an operator to input polishing conditions and the like. ing.

水平ベース部分６の凹部１０には純水供給ノズル７６が配設されており、図４に示すように、純水供給ノズル７６の噴出口７６ａは研磨ホイール３２の下方に位置付けられて、研磨パッド３６の外周部分、即ち研磨パッド３６の研磨面３６ａのウェーハ１１に接触しない領域に純水を供給する。   A pure water supply nozzle 76 is disposed in the recess 10 of the horizontal base portion 6, and as shown in FIG. 4, the jet outlet 76 a of the pure water supply nozzle 76 is positioned below the polishing wheel 32, and the polishing pad Pure water is supplied to the outer peripheral portion of 36, that is, the region of the polishing surface 36 a of the polishing pad 36 that does not contact the wafer 11.

図４を参照すると明らかなように、研磨パッド３６は研磨すべきウェーハ１１の直径よりも大きな直径を有しており、好ましくは、研磨パッド３６はウェーハ１１の直径の２倍以上の直径を有している。   As is apparent with reference to FIG. 4, the polishing pad 36 has a diameter that is larger than the diameter of the wafer 11 to be polished, and preferably the polishing pad 36 has a diameter that is at least twice the diameter of the wafer 11. doing.

本発明実施形態に係るウェーハの研磨方法では、まず、チャックテーブル４６の保持面４６ａにウェーハ１１を保持する保持ステップを実施する。そして、ウェーハ１１を保持したチャックテーブル４６を図１でＹ軸方向に移動して、研磨ホイール３２に対して図４に示すような研磨位置に位置付ける。   In the wafer polishing method according to the embodiment of the present invention, first, a holding step of holding the wafer 11 on the holding surface 46 a of the chuck table 46 is performed. Then, the chuck table 46 holding the wafer 11 is moved in the Y-axis direction in FIG. 1 and positioned at the polishing position as shown in FIG.

この研磨位置では、チャックテーブル４６の中心軸と研磨ホイール３２の中心軸とが偏心し、研磨パッド３６に形成したスラリー溶液供給穴３７がチャックテーブル４６に保持されたウェーハ１１の外周部分近傍に配設されるように位置付けられる。上述したように、純水供給ノズル７６の噴出口７６ａは研磨面３６ａのウェーハ１１に接触しない領域に純水を供給するように位置付けられる。   At this polishing position, the central axis of the chuck table 46 and the central axis of the polishing wheel 32 are eccentric, and the slurry solution supply hole 37 formed in the polishing pad 36 is arranged near the outer peripheral portion of the wafer 11 held by the chuck table 46. Positioned to be installed. As described above, the spout 76a of the pure water supply nozzle 76 is positioned so as to supply pure water to a region of the polishing surface 36a that does not contact the wafer 11.

研磨ステップでは、チャックテーブル４６を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転すると共に、研摩ホイール３２を矢印ｂ方向に例えば６００ｒｐｍで回転させながら、研磨パッド３６の研磨面３６ａを所定の研磨圧力でウェーハ１１の裏面１１ｂに押圧する。   In the polishing step, the chuck table 46 is rotated in the direction of arrow a at, for example, 300 rpm, and the polishing wheel 36 is rotated in the direction of arrow b in the direction of arrow b at, for example, 600 rpm, while the polishing surface 36a of the polishing pad 36 is rotated at a predetermined polishing pressure. Press against the back surface 11b.

そして、研磨パッド３６のスラリー溶液供給穴３７からウェーハ１１の裏面１１ｂにスラリー溶液を連続的に供給しつつ、研磨パッド３６の研磨面３６ａの内ウェーハ１１に接触しない領域に純水供給ノズル７６から純水を供給しながらウェーハ１１の裏面１１ｂの研磨を実施する。   The slurry solution is continuously supplied from the slurry solution supply hole 37 of the polishing pad 36 to the back surface 11 b of the wafer 11, while the pure water supply nozzle 76 supplies a region of the polishing surface 36 a of the polishing pad 36 that does not contact the wafer 11. The back surface 11b of the wafer 11 is polished while supplying pure water.

実際の研磨加工では、φ４インチのサファイアウェーハ１１を直径３００ｍｍの研磨パッド３６で研磨した。研磨時のスラリー溶液の流量は、０．１リットル／分以下であり、純水供給ノズル７６から０．２リットル／分以上で純水を供給した。   In actual polishing, the sapphire wafer 11 having a diameter of 4 inches was polished with a polishing pad 36 having a diameter of 300 mm. The flow rate of the slurry solution at the time of polishing was 0.1 liter / min or less, and pure water was supplied from the pure water supply nozzle 76 at 0.2 liter / min or more.

供給したスラリー溶液は純水で希釈せずに原液を供給した。ウェーハ１１の研磨時に供給するスラリー溶液の流量は純水の流量よりも少ないのが好ましい。これにより、スラリー溶液の使用量を最低限に抑制することができ、加工コストの上昇を防止することができる。   The supplied slurry solution was supplied without being diluted with pure water. The flow rate of the slurry solution supplied when polishing the wafer 11 is preferably smaller than the flow rate of pure water. Thereby, the usage-amount of slurry solution can be suppressed to the minimum, and the raise of processing cost can be prevented.

研磨パッド３６に純水を供給しないと研磨パッド３６は乾燥し、スラリー溶液供給穴３７から供給したスラリー溶液が研磨パッド３６の外周へと浸透してしまうので、ウェーハ１１の研磨を実施するには供給するスラリー溶液の使用量が増加せざるを得ない。   If pure water is not supplied to the polishing pad 36, the polishing pad 36 is dried and the slurry solution supplied from the slurry solution supply hole 37 penetrates into the outer periphery of the polishing pad 36. The amount of slurry solution to be supplied must be increased.

しかし、本発明実施形態のウェーハの研磨方法によると、図５の模式図に示すように、純水供給ノズル７６から純水をウェーハ１１に接触しない研磨面３６ａに供給するので、研磨パッド３６の外周部分が純水供給範囲８０となり研磨パッド３６が純水により湿潤するため、純水供給範囲８０に囲繞されるスラリー溶液供給範囲７８を小さな領域に抑制することができ、スラリー溶液の使用量を毎分０．１リットル以下と少量に抑えることができた。   However, according to the wafer polishing method of the embodiment of the present invention, as shown in the schematic diagram of FIG. 5, pure water is supplied from the pure water supply nozzle 76 to the polishing surface 36 a that does not contact the wafer 11. Since the outer peripheral portion becomes the pure water supply range 80 and the polishing pad 36 is wetted by pure water, the slurry solution supply range 78 surrounded by the pure water supply range 80 can be suppressed to a small region, and the amount of the slurry solution used can be reduced. The amount could be reduced to a small amount of 0.1 liters per minute or less.

スラリー溶液は、スラリーであるコロイダルシリカの濃度が高いほど研磨レートが上がるため、なるべく濃いスラリー溶液を使用したいが、濃いスラリー溶液はスラリーコスト増に直結する。   Since the polishing rate of the slurry solution increases as the concentration of colloidal silica as a slurry increases, it is desired to use a concentrated slurry solution as much as possible. However, the concentrated slurry solution directly increases the slurry cost.

本発明では、純水を研磨面３６ａのウェーハ１１に接触しない領域に供給しながら研磨を実施するため、純水の供給により研磨パッド３６の外周部分を乾燥させずに使用するスラリー溶液の流量を非常に低い値に抑えることができた。   In the present invention, since the polishing is performed while supplying pure water to the region of the polishing surface 36a that does not contact the wafer 11, the flow rate of the slurry solution to be used without drying the outer peripheral portion of the polishing pad 36 by supplying pure water. It was possible to keep it to a very low value.

また、純水の供給を間欠的に実施することも可能であり、スラリー溶液供給範囲７８が広がらず研磨レートが維持できる程度に純水供給範囲８０の面積を維持する最低限の純水を供給することで、純水の使用量も削減できる。その結果、研磨に長時間必要とするサファイア基板１３の研磨コストを低く抑えることができた。   Further, it is possible to supply pure water intermittently, and supply a minimum amount of pure water that maintains the area of the pure water supply range 80 to such an extent that the slurry solution supply range 78 does not widen and the polishing rate can be maintained. By doing so, the amount of pure water used can also be reduced. As a result, the polishing cost of the sapphire substrate 13 required for a long time for polishing could be kept low.

上述した実施形態では、本発明の研磨方法をサファイア基板１３に適用した例について説明したが、サファイア基板１３と同様にモース硬度が高いＳｉＣ基板でも本発明を適用するとその効果が大である。   In the above-described embodiment, the example in which the polishing method of the present invention is applied to the sapphire substrate 13 has been described. However, the effect of applying the present invention to a SiC substrate having a high Mohs hardness similar to the sapphire substrate 13 is significant.

１１ 光デバイスウェーハ
１３ サファイア基板
１５ エピタキシャル層
１９ 光デバイス
２１ 保護部材
２４ スピンドル
２６，３５，３７ スラリー溶液供給穴
３２ 研磨ホイール
３６ 研磨パッド
４６ チャックテーブル
７４ スラリー容器供給源
７６ 純水供給ノズル
７８ スラリー溶液供給範囲
８０ 純水供給範囲 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Optical device wafer 13 Sapphire substrate 15 Epitaxial layer 19 Optical device 21 Protection member 24 Spindle 26, 35, 37 Slurry solution supply hole 32 Polishing wheel 36 Polishing pad 46 Chuck table 74 Slurry container supply source 76 Pure water supply nozzle 78 Slurry solution supply Range 80 Pure water supply range

Claims (3)

ウェーハより大径の研磨面を有する研磨パッドとスラリー溶液を用いてウェーハを研磨するウェーハの研磨方法であって、
チャックテーブルの保持面にウェーハを保持する保持ステップと、
ウェーハを保持した該チャックテーブルを回転させると共に、研磨パッドを回転させつつ該チャックテーブルに保持されたウェーハに該研磨パッドの研磨面を押圧し、スラリー溶液を供給しながらウェーハを研磨する研磨ステップと、を備え、
該研磨ステップでは、
ウェーハに対面して該研磨面に開口したスラリー溶液供給穴から該スラリー溶液を供給しつつ、
該研磨面のウェーハに接触しない領域に純水を供給しながら研磨を実施することを特徴とするウェーハの研磨方法。 A wafer polishing method for polishing a wafer using a polishing pad having a polishing surface larger in diameter than the wafer and a slurry solution,
A holding step for holding the wafer on the holding surface of the chuck table;
A polishing step of rotating the chuck table holding the wafer, pressing the polishing surface of the polishing pad against the wafer held by the chuck table while rotating the polishing pad, and polishing the wafer while supplying a slurry solution; With
In the polishing step,
While supplying the slurry solution from the slurry solution supply hole opened to the polishing surface facing the wafer,
A method for polishing a wafer, wherein polishing is performed while supplying pure water to a region of the polishing surface that does not contact the wafer. 該研磨ステップで供給されるスラリー溶液の流量の方が純水の流量より少ないことを特徴とする請求項１記載のウェーハの研磨方法。   2. The wafer polishing method according to claim 1, wherein the flow rate of the slurry solution supplied in the polishing step is smaller than the flow rate of pure water. 前記ウェーハは、サファイアウェーハ又はＳｉＣウェーハから構成される請求項１又は２記載のウェーハの研磨方法。   The wafer polishing method according to claim 1, wherein the wafer is composed of a sapphire wafer or a SiC wafer.
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