JP2017011533A - 通信ユニット - Google Patents

通信ユニット Download PDF

Info

Publication number
JP2017011533A
JP2017011533A JP2015125868A JP2015125868A JP2017011533A JP 2017011533 A JP2017011533 A JP 2017011533A JP 2015125868 A JP2015125868 A JP 2015125868A JP 2015125868 A JP2015125868 A JP 2015125868A JP 2017011533 A JP2017011533 A JP 2017011533A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
band
power amplifier
signal
transmission
frequency band
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015125868A
Other languages
English (en)
Inventor
田中 聡
Satoshi Tanaka
聡 田中
孝幸 筒井
Takayuki Tsutsui
孝幸 筒井
佑介 田中
Yusuke Tanaka
佑介 田中
隼人 中村
hayato Nakamura
隼人 中村
中井 一人
Kazuto Nakai
一人 中井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2015125868A priority Critical patent/JP2017011533A/ja
Priority to US15/082,567 priority patent/US9642103B2/en
Priority to CN201610191805.8A priority patent/CN106301396B/zh
Publication of JP2017011533A publication Critical patent/JP2017011533A/ja
Priority to US15/451,490 priority patent/US9918289B2/en
Priority to US15/880,871 priority patent/US10499352B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04WWIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
    • H04W52/00Power management, e.g. TPC [Transmission Power Control], power saving or power classes
    • H04W52/04TPC
    • H04W52/52TPC using AGC [Automatic Gain Control] circuits or amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0261Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B7/00Radio transmission systems, i.e. using radiation field
    • H04B7/24Radio transmission systems, i.e. using radiation field for communication between two or more posts
    • H04B7/26Radio transmission systems, i.e. using radiation field for communication between two or more posts at least one of which is mobile
    • H04B7/2643Radio transmission systems, i.e. using radiation field for communication between two or more posts at least one of which is mobile using time-division multiple access [TDMA]
    • H04B7/265Radio transmission systems, i.e. using radiation field for communication between two or more posts at least one of which is mobile using time-division multiple access [TDMA] for channel frequency control
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L5/00Arrangements affording multiple use of the transmission path
    • H04L5/14Two-way operation using the same type of signal, i.e. duplex
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04WWIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
    • H04W72/00Local resource management
    • H04W72/20Control channels or signalling for resource management
    • H04W72/23Control channels or signalling for resource management in the downlink direction of a wireless link, i.e. towards a terminal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04WWIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
    • H04W88/00Devices specially adapted for wireless communication networks, e.g. terminals, base stations or access point devices
    • H04W88/02Terminal devices
    • H04W88/06Terminal devices adapted for operation in multiple networks or having at least two operational modes, e.g. multi-mode terminals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Abstract

【課題】マルチモード・マルチバンドに対応し、ダウンリンク・キャリアアグリゲーションに適した通信ユニットを提供する。【解決手段】第1の電力増幅モジュール130は、第1の通信方式における第1の周波数帯域用の第1の電力増幅器200Aと、第2の周波数帯域用の第2の電力増幅器200Bと、第2の通信方式における第3の周波数帯域用の第3の電力増幅器200Cと、第4の周波数帯域用の第4の電力増幅器200Dと、第1及び第2の電力増幅器に供給する第1のバイアス電流を生成する第1のバイアス電流生成回路230Aと、第1のバイアス電流を、第3及び第4の電力増幅器用に変換するバイアス電流変換回路231とを有する。第2の電力増幅モジュール140は、第1の通信方式における、第5の周波数帯域の第5の電力増幅器200Eと、第5の電力増幅器に供給するバイアス電流を生成する第2のバイアス電流生成回路230Bとを有する。【選択図】図2

Description

本発明は、通信ユニットに関する。
携帯電話の通信網を用いる携帯端末においては、基地局へ送信する無線周波数(RF:Radio Frequency)信号の電力を増幅するための電力増幅モジュールを備える通信ユニットが用いられる。近年、携帯端末のユーザ数が爆発的に増加しており、これらのユーザによる通信トラフィックに対応するために、携帯電話に適用する周波数帯域数(バンド)が増加している。従って、携帯端末は、これらの周波数帯域への対応が求められている。
また、携帯端末のデザイン上の制約や、薄型化・小型化の観点から、通信ユニットの小型化が求められている。このため、例えば、非特許文献1に示すように、複数の通信方式(モード)及び複数の周波数帯域に対応する複数の電力増幅器を1つのモジュールに集積化した電力増幅モジュールが用いられている。
非特許文献1に開示された電力増幅モジュールは、第2世代移動通信システム(2G)及び第3/4世代移動通信システム(3G/4G)に対応している。この電力増幅モジュールは、2Gの通信規格であるGSM(Global System for Mobile communications)(登録商標)の1GHz帯である低周波数帯域(LB:Low Band)用の電力増幅器、GSMの2GHz帯である高周波数帯域(HB:High Band)用の電力増幅器、3G/4Gの1GHz帯であるLB用の電力増幅器、及び3G/4Gの2GHz帯であるHB用の電力増幅器を含む。
この電力増幅モジュールにおいて、3G/4GのLB用の電力増幅器は、バンド5(B5:送信周波数帯824MHz〜849MHz)、バンド8(B8:送信周波数帯880MHz〜915MHz)の2つの周波数帯域をカバーしている。また、3G/4GのHB用の電力増幅器は、バンド1(B1:送信周波数帯域1920MHz〜1980MHz)、バンド2(B2:送信周波数帯域1850MHz〜1910MHz)、バンド3(B3:送信周波数帯域1710MHz〜1785MHz)、及びバンド4(B4:送信周波数帯域1710MHz〜1755MHz)の4つの周波数帯域をカバーしている。
「TQM7M9050データシート」、トライクイント社、[online]、インターネット<http://www.triquint.com/products/d/DOC-B-00000332>
近年、基地局から携帯端末への下り回線(ダウンリンク)の通信速度を向上させる技術として、4Gの通信規格であるLTE(Long Term Evolution) Advancedにおいて、下り回線(ダウンリンク)で複数の周波数帯域を同時に用いる技術であるダウンリンク・キャリアアグリゲーション(Downlink Carrier Aggregation)(以下、「DLCA」という。)が注目されている。そのため、ダウンリンク・キャリアアグリゲーションに適した通信ユニットが求められている。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、マルチモード・マルチバンドに対応し、ダウンリンク・キャリアアグリゲーションに適した通信ユニットを提供することを目的とする。
本発明の一側面に係る通信ユニットは、別個に集積化された第1及び第2の電力増幅モジュールを備え、第1の電力増幅モジュールは、第1の通信方式における第1の周波数帯域の第1の送信信号を増幅する第1の電力増幅器と、第1の通信方式における、第1の周波数帯域より低い第2の周波数帯域の第2の送信信号を増幅する第2の電力増幅器と、第2の通信方式における第3の周波数帯域の第3の送信信号を増幅する第3の電力増幅器と、第2の通信方式における、第3の周波数帯域より低い第4の周波数帯域の第4の送信信号を増幅する第4の電力増幅器と、第1及び第2の電力増幅器に供給する第1のバイアス電流を生成する第1のバイアス電流生成回路と、第1のバイアス電流を、第3及び第4の電力増幅器に供給する第2のバイアス電流に変換するバイアス電流変換回路と、を含み、第2の電力増幅モジュールは、第1の通信方式における、第2の周波数帯域より低い第5の周波数帯域の第5の送信信号を増幅する第5の電力増幅器と、第5の電力増幅器に供給する第3のバイアス電流を生成する第2のバイアス電流生成回路と、を含む。
本発明によれば、マルチモード・マルチバンドに対応し、ダウンリンク・キャリアアグリゲーションに適した通信ユニットを提供することが可能となる。
本発明の一実施形態である通信ユニット100の構成例を示す図である。 電力増幅モジュール130,140の構成の一例を示す図である。 フロントエンド回路150の構成の一例を示す図である。 DLCAにおいて信号干渉が発生する状況の一例を示す図である。 DLCAにおいて信号干渉が発生する状況の他の一例を示す図である。 DLCAにおいて送信信号の影響によって受信信号が妨害される周波数帯域の組み合わせを示す図である。 電力増幅モジュールの端子間の結合による影響を説明するための、送信ユニットの構成例を示す図である。 電力増幅モジュールの端子間の結合による影響を説明するための、送信ユニットの他の構成例を示す図である。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。図1は、本発明の一実施形態である通信ユニット100の構成例を示す図である。通信ユニット100は、例えば、携帯電話等の移動体通信機において、音声やデータなどの各種信号を基地局との間で送受信するために用いられる。通信ユニット100は、複数の通信方式(マルチモード)に対応している。具体的には、通信ユニット100は、3G/4G(第1の通信方式)及び2G(第2の通信方式)に対応している。また、通信ユニット100は、無線周波数(RF:Radio Frequency)における複数の周波数帯域(マルチバンド)に対応している。さらに、通信ユニット100は、DLCAに対応している。
図1に示すように、通信ユニット100は、送信回路110、受信回路120、電力増幅モジュール130,140、フロントエンド回路150、及びアンテナ160を備える。
送信回路110は、LTEやGSM等の変調方式に基づいて、音声やデータなどの入力信号を変調し、無線送信を行うためのRF信号を出力する。なお、送信回路110は、変調方式や周波数帯域に応じて複数の送信回路を含むことができる。
受信回路120は、フロントエンド回路150から出力される受信信号(RF信号)を受信し、受信信号を復調し、復調された受信信号を出力する。なお、受信回路120は、変調方式や周波数帯域に応じて複数の受信回路を含むことができる。
電力増幅モジュール130,140は、それぞれ、入力されるRF信号の電力を、基地局に送信するために必要なレベルまで増幅し、増幅信号を出力する。電力増幅モジュール130(第1の電力増幅モジュール)は、3G/4Gの2.5GHz帯(VHB:Very High Band)、3G/4Gの2GHz帯(HB:High Band)、2Gの2GHz帯(HB:High Band)、及び2Gの1GHz帯(LB:Low Band)のRF信号を増幅する。また、電力増幅モジュール140(第2の電力増幅モジュール)は、3G/4Gの1GHz帯(LB:Low Band)のRF信号を増幅する。電力増幅モジュール130,140の詳細については後述する。
フロントエンド回路150は、送信信号や受信信号の経路切り替えや、フィルタリング処理等を行う。フロントエンド回路150の詳細については後述する。
図2は、電力増幅モジュール130,140の構成の一例を示す図である。電力増幅モジュール130,140は、それぞれ、1つのモジュールとして集積化されている。
電力増幅モジュール130は、電力増幅器200A,200B,200C,200D、バイアス回路210A、及びスイッチ回路220A,220Bを備える。
電力増幅器200A(第1の電力増幅器)は、端子VHB_INから入力されるRF信号(第1の送信信号)を増幅して出力する。電力増幅器200Aは、3G/4Gの2.5GHz帯(VHB)(第1の周波数帯域)に対応している。具体的には、電力増幅器200Aは、バンド7(B7:送信周波数帯域2500〜2570MHz)に対応している。さらに、電力増幅器200Aは、時分割多重(TDD)通信方式において用いられるバンド40(B40:送信周波数帯域2300〜2400MHz)及びバンド41(B41:送信周波数帯域2496〜2690MHz)(第1の周波数帯域)に対応している。なお、ここで挙げた周波数帯域は一例であり、電力増幅器200Aが対応する周波数帯域はこれに限られない。
電力増幅器200B(第2の電力増幅器)は、端子HB_INから入力されるRF信号(第2の送信信号)を増幅して出力する。電力増幅器200Bは、3G/4Gの2GHz帯(HB)(第2の周波数帯域)に対応している。具体的には、電力増幅器200Bは、バンド1(B1:送信周波数帯域1920〜1980MHz)、バンド2(B2:送信周波数帯域1850〜1910MHz)、バンド3(B3:送信周波数帯域1710〜1785MHz)、及びバンド4(B4:送信周波数帯域1710〜1755MHz)に対応している。さらに、電力増幅器200Bは、TDD通信方式において用いられるバンド34(B34:送信周波数帯域2010〜2025MHz)及びバンド39(B39:送信周波数帯域1880〜1920MHz)(第2の周波数帯域)に対応している。なお、ここで挙げた周波数帯域は一例であり、電力増幅器200Bが対応する周波数帯域はこれに限られない。
電力増幅器200C(第3の電力増幅器)は、端子GSMHB_INから入力されるRF信号(第3の送信信号)を増幅し、増幅信号をGSMHB_OUTから出力する。電力増幅器200Cは、2GであるGSMの2GHz帯(HB)(第3の周波数帯域)に対応している。
電力増幅器200D(第4の電力増幅器)は、端子GSMLB_INから入力されるRF信号(第4の送信信号)を増幅し、増幅信号をGSMLB_OUTから出力する。電力増幅器200Dは、2GであるGSMの1GHz帯(LB)(第4の周波数帯域)に対応している。
なお、電力増幅器200A,200B,200C,200Dは、それぞれ、複数段で構成されてもよい。例えば、電力増幅器200A,200Bは、二段構成とすることができる。また例えば、電力増幅器200C,200Dは、三段構成とすることができる。
バイアス回路210Aは、外部から入力されるバイアス制御信号に応じたレベルのバイアス電流を、電力増幅器200A,200B,200C,200Dに供給する。バイアス回路210Aは、バイアス電流生成回路230A及びバイアス電流変換回路231を含む。バイアス電流生成回路230A(第1のバイアス電流生成回路)は、3G/4Gの電力増幅器200A,200B用のバイアス電流(第1のバイアス電流)を生成する。バイアス電流生成回路230Aは、例えば、電流レベルの異なる複数の電流源を含み、バイアス制御信号に応じてこれらの電流源からの電流を組み合わせることにより、バイアス電流を生成することができる。バイアス電流変換回路231は、バイアス電流生成回路230Aにより生成される3G/4G用のバイアス電流を、2G用のバイアス電流(第2のバイアス電流)に変換し、2Gの電力増幅器200C,200Dに供給する。
スイッチ回路220A,220Bは、それぞれ、外部から入力されるスイッチ制御信号に応じて信号経路の切り替えを行う。
具体的には、スイッチ回路220A(第1のスイッチ回路)は、電力増幅器200Aから出力される信号を、端子B7_OUT、端子B40TRx、又は端子B41TRxに出力することができる。なお、端子B7_OUTは、バンド7の信号を出力するための端子である。また、端子B40TRx及び端子B41TRx(第1の送受信端子)は、それぞれ、バンド40及びバンド41の信号を入出力するための端子である。
さらに、スイッチ回路220Aは、端子B40TRx及び端子41TRxから入力される信号を、それぞれ、端子B40Rx及び端子B41Rxに出力することができる。なお、端子B40Rx及び端子B41Rx(第1の出力端子)は、それぞれ、バンド40及びバンド41用の受信回路120(第1の受信回路)に接続される端子である。
スイッチ回路220B(第2のスイッチ回路)は、電力増幅器200Bから出力される信号を、端子B1_OUT、端子B2_OUT、端子B3_OUT、端子B4_OUT、又は端子B34/39TRxに出力することができる。なお、端子B1_OUT、端子B2_OUT、端子B3_OUT、及び端子B4_OUTは、それぞれ、バンド1、バンド2、バンド3、及びバンド4の信号を出力するための端子である。また、端子B34/39TRx(第2の送受信端子)は、バンド34及びバンド39の信号を入出力するための端子である。
さらに、スイッチ回路220Bは、端子B34/39TRxから入力される信号を端子B34/39Rxに出力することができる。なお、端子B34/39Rx(第2の出力端子)は、バンド34及びバンド39用の受信回路120(第2の受信回路)に接続される端子である。
電力増幅モジュール140は、電力増幅器200E、バイアス回路210B、及びスイッチ回路220Cを備える。
電力増幅器200Eは、端子LB_INから入力されるRF信号を増幅して出力する。電力増幅器200Eは、3G/4Gの1GHz帯(LB)に対応している。具体的には、電力増幅器200Eは、バンド5(B5:送信周波数帯域824〜849MHz)、バンド8(B8:送信周波数帯域880〜915MHz)、バンド17(B17:送信周波数帯域704〜716MHz)、バンド20(B20:送信周波数帯域832〜862MHz)、バンド26(B26:送信周波数帯域814〜849MHz)、及びバンド28(B28:送信周波数帯域700〜748MHz)に対応している。なお、ここで挙げた周波数帯域は一例であり、電力増幅器200Eが対応する周波数帯域はこれに限られない。
なお、電力増幅器200Eは、複数段で構成されてもよい。例えば、電力増幅器200Eは、二段構成とすることができる。
バイアス回路210Bは、バイアス回路210Aと同様に、外部から入力されるバイアス制御信号に応じたレベルのバイアス電流を、電力増幅器200Eに供給する。バイアス回路210Bは、バイアス電流生成回路230Bを含む。バイアス電流生成回路230Bは、3G/4Gの電力増幅器200E用のバイアス電流を生成する。なお、電力増幅モジュール140には2G用の電力増幅器が含まれないため、バイアス回路210Bは、3G/4G用のバイアス電流を2G用のバイアス電流に変換するための回路を備えない。
スイッチ回路220Cは、外部から入力されるスイッチ制御信号に応じて信号経路の切り替えを行う。具体的には、スイッチ回路220Cは、電力増幅器200Eから出力される信号を、端子B5/B26_OUT、端子B8_OUT、端子B17_OUT、端子B20_OUT、又は端子B28_OUTに出力することができる。なお、端子B5/B26_OUT、端子B8_OUT、端子B17_OUT、端子B20_OUT、及び端子B28_OUTは、それぞれ、バンド5/バンド26、バンド8、バンド17、バンド20、及びバンド28の信号を出力するための端子である。
図3は、フロントエンド回路150の構成の一例を示す図である。図3に示すように、フロントエンド回路150は、デュプレクサ300(300x,300y)、スイッチ回路310、及びダイプレクサ320を備える。
図3には、2つの電力増幅器200x,200y及び2つの受信回路120x,120yが示されている。電力増幅器200x及び受信回路120xは、バンドx(Bx)に対応するものとする。また、電力増幅器200y及び受信回路120yは、バンドy(By)に対応するものとする。
デュプレクサ300xは、バンドxに対応している。デュプレクサ300xは、電力増幅器200xから出力されるバンドxの送信信号をスイッチ回路310に出力する。また、デュプレクサ300xは、スイッチ回路310から出力されるバンドxの受信信号を受信回路120xに出力する。デュプレクサ300xは、例えば、低域通過フィルタ(LPF)や帯域通過フィルタ(BPF)等を用いて構成される。
デュプレクサ300yは、バンドyに対応している。デュプレクサ300yは、電力増幅器200yから出力されるバンドyの送信信号をスイッチ回路310に出力する。また、デュプレクサ300yは、スイッチ回路310から出力されるバンドyの受信信号を受信回路120yに出力する。デュプレクサ300yは、例えば、低域通過フィルタ(LPF)や帯域通過フィルタ(BPF)等を用いて構成される。
スイッチ回路310は、送受信の周波数帯域に応じて、ダイプレクサ320とデュプレクサ300x,300yとの間の信号経路を切り替える。
ダイプレクサ320は、アンテナ160からの受信信号を周波数帯域ごとに分割したり、複数の周波数帯域の送信信号を合成したりする。ダイプレクサ320は、例えば、低域通過フィルタ(LPF)や高域通過フィルタ(HPF)等を用いて構成される。
なお、図3では、説明を簡単にするために2つの周波数帯域に対応した回路しか示されていないが、通信ユニット100における構成はこれに限られない。また、フロントエンド回路150は、各周波数帯域に応じた他のフィルタ回路等を含んでもよい。
ここで、DLCAが行われる場合における通信ユニット100内における信号干渉について説明する。
まず、DLCAにおける信号干渉の原理について説明する。
図4Aは、DLCAにおいて信号干渉が発生する状況の一例を示す図である。図4Aに示す例では、2つの周波数帯域BAND_A及びBAND_Bが用いられている。そして、アップリンクでは、低い方の周波数帯域BAND_Aが用いられている。周波数帯域BAND_Aにおける送信周波数をfTX_A、周波数帯域BAND_Aにおける受信周波数をfRX_A、周波数帯域BAND_Bにおける受信周波数をfRX_Bとする。
図4Aに示す例において、送信周波数の整数倍(nfTX_A)が、周波数帯域BAND_Bの受信周波数(fRX_B)に略一致すると、高調波信号により受信信号が妨害され、受信信号の感度低下を招く。
図4Bは、DLCAにおいて信号干渉が発生する状況の他の一例を示す図である。図4Bに示す例では、2つの周波数帯域BAND_A及びBAND_Bが用いられている。そして、アップリンクでは、高い方の周波数帯域BAND_Bが用いられている。周波数帯域BAND_Aにおける受信周波数をfRX_A、周波数帯域BAND_Bにおける送信周波数をfTX_B、周波数帯域BAND_Bにおける受信周波数をfRX_Bとする。
図4Bに示す例において、送信周波数の整数分の1倍((1/n)fTX_A)が、周波数帯域BAND_Aの受信周波数(fRX_A)に略一致すると、送信信号により受信信号が妨害され、受信信号の感度低下を招く。
図4Bに示す例において、受信信号の感度低下のメカニズムについて説明する。現在、携帯電話の受信回路には、集積化に適したダイレクトコンバージョン方式が適用されている。この方式では、受信信号の中心周波数と、ミキサに印加する局部発振周波数が同一である。局部発振信号は、十分な信号対雑音比をとるため、大きな信号を用いており、大きな高調波成分を持つ。図4Bに示す例では、高調波周波数は、受信周波数(fRX_A)のn倍である。仮に、この高調波周波数の入力信号が受信回路に加わると、局部発振信号の高調波によって周波数変換され、帯域内妨害波となる。これにより、受信信号の感度が低下することとなる。
図4A及び図4Bに示したように、DLCAが行われる場合において、2つの周波数帯域に特定の関係が成立すると、送信信号の影響によって受信信号が妨害され、受信感度の低下を招くこととなる。
図5は、このような特定の関係となる周波数帯域の組み合わせを示す。図5において、「バンド(DLCA)」は、DLCAにおいて用いられる周波数帯域を示す。また、「UL」は、DLCAが行われる場合における送信信号の周波数帯域を示す。また、「影響を受けるDL」は、「UL」に示す周波数帯域で送信信号が送信された場合に、当該送信信号により妨害される受信信号の周波数帯域を示す。例えば、DLCAにおいて用いられる周波数帯域が、バンド6及びバンド7である場合、送信信号の周波数帯域をバンド6(LB)にすると、バンド7(VHB)の受信信号が影響を受ける。図5を見ると、特定の関係となる周波数帯域の組み合わせは、LBとVHB、又は、LBとHBである。他方、HBとVHBの組み合わせでは、特定の関係は生じない。
次に、DLCAを行う場合における、電力増幅モジュールの端子間の結合による影響について説明する。
図6は、電力増幅モジュールの端子間の結合による影響を説明するための、送信ユニットの構成例を示す図である。図6に示す送信ユニットは、電力増幅モジュール600、デュプレクサ300、スイッチ回路310、低域通過フィルタ(LPF)620、ダイプレクサ320、アンテナ160、及び受信回路630を含む。
電力増幅モジュール600は、電力増幅器610,611,612,613を含む集積回路である。電力増幅器610,611,612,613は、それぞれ、バンド17、GSMのLB、GSMのHB、バンド4に対応している。なお、電力増幅モジュール600は、説明のために用いる構成であり、本実施形態の電力増幅モジュール130,140とは異なる。
デュプレクサ300は、バンド17、GSMのLB、GSMのHB、バンド4に対応した、帯域通過フィルタ(BPF)や低域通過フィルタ(LPF)を含んでいる。
スイッチ回路310は、デュプレクサ300とダイプレクサ320との間の信号経路を切り替えるためのスイッチを含む。
低域通過フィルタ(LPF)620は、バンド17用のフィルタとして、スイッチ回路310とダイプレクサ320との間に設けられている。
受信回路630は、バンド4の受信回路である。なお、図6では、説明を簡単にするために、他の周波数帯域の受信回路は示されていない。
図6に示す構成において、バンド17及びバンド4を用いてDLCAを行い、送信信号の周波数帯域をバンド17とする場合における、電力増幅モジュール600の端子間の結合による影響を説明する。なお、バンド17の送信信号の周波数の3倍の周波数が、バンド4の受信信号の周波数と略一致している。
ここで、バンド17の送信信号の周波数の3倍の周波数を有する高調波信号のレベルを、バンド17の電力増幅器610の出力端で−20dBmとする。また、デュプレクサ300における帯域通過フィルタ(BPF)の帯域外抑圧量を−30dB、デュプレクサ300における低域通過フィルタ(LPF)の帯域外抑圧量を−20dB、バンド17用の低域通過フィルタ(LPF)620の減衰量を−30dB、ダイプレクサ320の帯域外減衰量を−30dB、スイッチ回路310におけるスイッチがオンの時の減衰量を0dB、スイッチがオフの時の減衰量を−20dB、電力増幅モジュール600の端子間の信号伝達による減衰量を−30dBとする。
このような前提において、バンド17の送信信号による受信回路630への影響を説明する。
まず、図6に示す信号経路Aを考える。高調波信号は、バンド17の送信用帯域通過フィルタ(BPF)で−30dBの減衰を受ける。続いて、高調波信号は、オン状態のスイッチを減衰せずに通過し、バンド17用の低域通過フィルタ(LPF)で−30dBの減衰を受ける。そして、高調波信号は、ダイプレクサ320でさらに−30dBの減衰を受ける。バンド4のスイッチはオンであるため、高調波信号は、当該スイッチを0dBの減衰で通過する。そして、高調波信号の周波数はバンド4の受信帯域内にあるため、高調波信号は、バンド4の受信用帯域通過フィルタ(BPF)を0dBの減衰で通過する。この結果、信号経路Aを経由した高調波信号は、バンド4の受信回路630の入力では、−110dBmの帯域内妨害信号となる。
次に、図6に示す信号経路Bを考える。バンド17の送信信号の高調波信号は、−30dBの減衰で、GSMのLB用の電力増幅器611の出力端子に伝達される。この高調波信号は、GSMのLBの送信用低域通過フィルタ(LPF)で−20dBの減衰を受ける。続いて、高調波信号は、オフ状態のスイッチで−20dBの減衰を受ける。そして、高調波信号は、ダイプレクサ320でさらに−30dBの減衰を受ける。バンド4のスイッチはオンであるため、高調波信号は、当該スイッチでは減衰しない。そして、高調波信号の周波数はバンド4の受信帯域内にあるため、高調波信号は、バンド4の受信用帯域通過フィルタ(BPF)では減衰しない。この結果、信号経路Bを経由した高調波信号は、バンド4の受信回路630の入力では、−110dBmの帯域内妨害信号となる。
次に、図6に示す信号経路Cを考える。バンド17の送信信号の高調波信号は、−30dBの減衰で、GSMのHB用の電力増幅器612の出力端子に伝達される。この高調波信号は、GSMのHB内の周波数であるため、GSMのHBの送信用低域通過フィルタ(LPF)では減衰しない。続いて、高調波信号は、オフ状態のスイッチで−20dBの減衰を受ける。高調波信号は、ダイプレクサ320は経由せずに、バンド4のスイッチを減衰せずに通過する。そして、高調波信号の周波数はバンド4の受信帯域内にあるため、高調波信号は、バンド4の受信用帯域通過フィルタ(BPF)では減衰しない。この結果、信号経路Cを経由した高調波信号は、バンド4の受信回路630の入力では、−70dBmの帯域内妨害信号となる。
最後に、図6に示す信号経路Dを考える。バンド17の送信信号の高調波信号は、−30dBの減衰で、バンド4用の電力増幅器613の出力端子に伝達される。この高調波信号は、バンド4の送信用帯域通過フィルタ(BPF)で−30dBの減衰を受ける。そして、高調波信号は、バンド4のスイッチは経由せずに、バンド4の受信用帯域通過フィルタ(BPF)では、帯域内の信号となるため減衰せずに通過する。この結果、信号経路Dを経由した高調波信号は、バンド4の受信回路630の入力では、−80dBmの帯域内妨害信号となる。
図6に示す結果によれば、バンド17(LB)用の電力増幅器610の出力端子との結合感度が高いのは、GSMのHB用の電力増幅器612の出力端子、及びバンド4(HB)用の電力増幅器613の出力端子である。従って、GSMのHB用の電力増幅器及び3G/4GのHB用の電力増幅器については、3G/4GのLB用の電力増幅器とのアイソレーション強化の必要性が高い。
図7は、電力増幅モジュールの端子間の結合による影響を説明するための、送信ユニットの他の構成例を示す図である。図7に示す送信ユニットは、電力増幅モジュール700、デュプレクサ300、スイッチ回路310、低域通過フィルタ(LPF)720、ダイプレクサ320、アンテナ160、及び受信回路730を含む。
電力増幅モジュール700は、電力増幅器710,711,712,713を含む集積回路である。電力増幅器710,711,712,713は、それぞれ、バンド4、GSMのHB、GSMのLB、バンド5に対応している。なお、電力増幅モジュール700は、説明のために用いる構成であり、本実施形態の電力増幅モジュール130,140とは異なる。
低域通過フィルタ(LPF)720は、バンド5用のフィルタとして、スイッチ回路310とダイプレクサ320との間に設けられている。
受信回路730は、バンド5の受信回路である。なお、図7では、説明を簡単にするために、他の周波数帯域の受信回路は示されていない。
図7に示す構成において、バンド4及びバンド5を用いてDLCAを行い、送信信号の周波数帯域をバンド4とする場合における、電力増幅モジュール700の端子間の結合による影響を説明する。なお、バンド4の送信信号の周波数の1/2倍の周波数が、バンド5の受信信号の周波数と略一致している。つまり、バンド5の受信信号の2倍の周波数がバンド4の送信周波数帯内である。従って、バンド4の送信信号と、バンド5受信のための局部発振信号の2倍の高調波が作用しあい、バンド5の受信信号の帯域内妨害波となる。
ここで、バンド4の送信信号のレベルを、バンド4の電力増幅器710の出力端で28dBmとする。また、デュプレクサ300における帯域通過フィルタ(BPF)の帯域外抑圧量を−30dB、デュプレクサ300における低域通過フィルタ(LPF)の帯域外抑圧量を−20dB、バンド5用の低域通過フィルタ(LPF)720の減衰量を−30dB、ダイプレクサ320の帯域外減衰量を−30dB、スイッチ回路310におけるスイッチがオンの時の減衰量を0dB、スイッチがオフの時の減衰量を−20dB、電力増幅モジュール700の端子間の信号伝達による減衰量を−30dBとする。
このような前提において、バンド4の送信信号による受信回路730への影響を説明する。
まず、図7に示す信号経路Aを考える。送信信号は、バンド4の送信用帯域通過フィルタ(BPF)及びスイッチは0dBの減衰で通過する。続いて、送信信号は、ダイプレクサ320で−30dBの減衰を受ける。そして、送信信号は、バンド5用の低域通過フィルタ(LPF)720で−30dBの減衰を受ける。バンド5のスイッチはオンであるため、送信信号は、当該スイッチを0dBの減衰で通過する。さらに、送信信号は、バンド5の受信用帯域通過フィルタ(BPF)で−30dBの減衰を受ける。この結果、信号経路Aを経由した送信信号は、バンド5の受信回路730の入力では、−62dBmの帯域内妨害信号となる。
次に、図7に示す信号経路Bを考える。バンド4の送信信号は、−30dBの減衰で、GSMのHB用の電力増幅器711の出力端子に伝達される。この送信信号の周波数は、GSMのHBの送信用低域通過フィルタ(LPF)の帯域内である。そのため、送信信号は、GSMのHBの送信用低域通過フィルタ(LPF)は0dBの減衰で通過する。続いて、送信信号は、オフ状態のスイッチで−20dBの減衰を受ける。さらに、送信信号は、ダイプレクサ320で−30dBの減衰を受ける。そして、送信信号は、バンド5用の低域通過フィルタ(LPF)720で−30dBの減衰を受ける。バンド5のスイッチはオンであるため、送信信号は、当該スイッチを0dBの減衰で通過する。さらに、送信信号は、バンド5の受信用帯域通過フィルタ(BPF)で−30dBの減衰を受ける。この結果、信号経路Bを経由した送信信号は、バンド5の受信回路730の入力では、−112dBmの帯域内妨害信号となる。
次に、図7に示す信号経路Cを考える。バンド4の送信信号は、−30dBの減衰で、GSMのLB用の電力増幅器712の出力端子に伝達される。この送信信号は、GSMのLBの送信用低域通過フィルタ(LPF)で−20dBの減衰を受ける。続いて、送信信号は、オフ状態のスイッチで−20dBの減衰を受ける。そして、送信信号は、ダイプレクサ320は経由せずに、バンド5の受信用帯域通過フィルタ(BPF)720で−30dBの減衰を受ける。バンド5のスイッチはオンであるため、送信信号は、当該スイッチを0dBの減衰で通過する。さらに、送信信号は、バンド5の受信用帯域通過フィルタ(BPF)で−30dBの減衰を受ける。この結果、信号経路Cを経由した送信信号は、バンド5の受信回路730の入力では、−102dBmの帯域内妨害信号となる。
最後に、図7に示す信号経路Dを考える。バンド4の送信信号は、−30dBの減衰で、バンド5用の電力増幅器713の出力端子に伝達される。この送信信号は、バンド5の送信用帯域通過フィルタ(BPF)で−30dBの減衰を受ける。そして、送信信号は、バンド5のスイッチは経由せずに、バンド5の受信用帯域通過フィルタ(BPF)で−30dBの減衰を受ける。この結果、信号経路Dを経由した送信信号は、バンド5の受信回路730の入力では、−62dBmの帯域内妨害信号となる。
図7に示す結果によれば、バンド4(HB)用の電力増幅器710の出力端子との結合感度が高いのは、バンド5(LB)用の電力増幅器713の出力端子である。従って、3G/4GのLB用の電力増幅器については、3G/4GのHB用の電力増幅器とのアイソレーション特性を改善する必要がある。
他方、バンド4(HB)の出力端子と、GSMのHB又はGSMのLBの出力端子との結合による影響(経路B又は経路C)は、バンド4の送信信号の経路(経路A)からの影響と比較すると小さい。従って、3G/4GのHB用の電力増幅器、GSMのHB用の電力増幅器、及びGSMのLB用の電力増幅器のアイソレーション強化の必要性は比較的低い。
図4A、図4B、図5、図6、及び図7における説明を整理すると、次のとおりである。
まず、図5に示したように、DLCAによって受信信号に影響を与える可能性がある周波数帯域の組み合わせは、LBとVHB、又は、LBとHBである。従って、例えば、3G/4GのVHB用の電力増幅器、3G/4GのHB用の電力増幅器、及びGSMのHB用の電力増幅器を1つの電力増幅モジュールとし、3G/4GのLB用の電力増幅器及びGSMのLB用の電力増幅器を別の1つの電力増幅モジュールとする構成が考えられる。
次に、図6に示したように、GSMのHB用の電力増幅器と、3G/4GのLB用の電力増幅器とは、アイソレーションを強化するために、別モジュールとすることが好ましい。
さらに、図7に示したように、3G/4GのHB用の電力増幅器と、3G/4GのLB用の電力増幅器とは、アイソレーションを強化するために、別モジュールとすることが好ましい。なお、3G/4GのHB用の電力増幅器、GSMのHB用の電力増幅器、及びGSMのLB用の電力増幅器のアイソレーション強化の必要性は比較的低い。
以上を考慮し、本実施形態では、図2に示したように、3G/4GのVHB用の電力増幅器200A、3G/4GのHB用の電力増幅器200B、GSMのHB用の電力増幅器200C、及びGSMのLB用の電力増幅器200Dを1つの電力増幅モジュール130とし、3G/4GのLB用の電力増幅器140を別の1つの電力増幅モジュール140としている。
なお、アイソレーション強化だけを考えると、GSMのLB用の電力増幅器200Dを、電力増幅モジュール130ではなく、電力増幅モジュール140に実装する方が好ましい。しかしながら、仮に、GSMのLB用の電力増幅器200Dを電力増幅モジュール140に実装すると、電力増幅モジュール140においても、GSM用のバイアス電流を生成するために、バイアス電流変換回路231と同等の回路が必要となる。そのため、GSMのLB用の電力増幅器200Dを電力増幅モジュール140に実装すると、通信ユニット100全体での回路規模が大きくなってしまう。図7に示したように、GSMのLB用の電力増幅器200Dについては、アイソレーション強化の必要性が比較的低い。従って、本実施形態に示した構成とすることにより、DLCAを行う場合の受信感度の低下を抑制するとともに、回路規模の増大を抑制することが可能となる。これにより、マルチモード・マルチバンドに対応し、DLCAに適した通信ユニット100を提供することが可能となる。
また、電力増幅モジュール130では、TDDのB40/B41の送信信号の増幅を3G/4GのVHB用の電力増幅器200Aで行うことができる。また、電力増幅器130では、TDDのB40/B41の送受信信号の経路切り替えを、スイッチ回路220Aで行うことができる。これにより、TDD動作が電力増幅モジュール130に集約され、通信ユニット100の制御を簡単にすることが可能となる。
同様に、電力増幅モジュール130は、TDDのB34/B39の送信信号の増幅を3G/4GのHB用の電力増幅器200Bで行うことができる。また、電力増幅器130では、TDDのB34/B39の送受信信号の経路切り替えを、スイッチ回路220Bで行うことができる。これにより、TDD動作が電力増幅モジュール130に集約され、通信ユニット100の制御を簡単にすることが可能となる。
なお、電力増幅モジュール130は、TDDに対応しない構成としてもよい。また、電力増幅モジュール130,140における入出力端子の構成はこれに限られない。例えば、電力増幅モジュール130から入力された信号が、電力増幅モジュール130の出力端子及び電力増幅モジュール140の入力端子を介して、電力増幅モジュール140内の電力増幅器に供給されてもよい。同様に、電力増幅モジュール140から入力された信号が、電力増幅モジュール140の出力端子及び電力増幅モジュール130の入力端子を介して、電力増幅モジュール130内の電力増幅器に供給されてもよい。
以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更/改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
100 通信ユニット
110 送信回路
120,630,730 受信回路
130,140,600 電力増幅モジュール
150 フロントエンド回路
160 アンテナ
200A,200B,200C,200D,200E 電力増幅器
210A,210B バイアス回路
220A,220B,220C,310 スイッチ回路
230A バイアス電流生成回路
231 バイアス電流変換回路
300,300x,300y デュプレクサ
320 ダイプレクサ
620,720 低域通過フィルタ(LPF)

Claims (3)

  1. 別個に集積化された第1及び第2の電力増幅モジュールを備え、
    前記第1の電力増幅モジュールは、
    第1の通信方式における第1の周波数帯域の第1の送信信号を増幅する第1の電力増幅器と、
    前記第1の通信方式における、前記第1の周波数帯域より低い第2の周波数帯域の第2の送信信号を増幅する第2の電力増幅器と、
    第2の通信方式における第3の周波数帯域の第3の送信信号を増幅する第3の電力増幅器と、
    前記第2の通信方式における、前記第3の周波数帯域より低い第4の周波数帯域の第4の送信信号を増幅する第4の電力増幅器と、
    前記第1及び第2の電力増幅器に供給する第1のバイアス電流を生成する第1のバイアス電流生成回路と、
    前記第1のバイアス電流を、前記第3及び第4の電力増幅器に供給する第2のバイアス電流に変換するバイアス電流変換回路と、
    を含み、
    前記第2の電力増幅モジュールは、
    前記第1の通信方式における、前記第2の周波数帯域より低い第5の周波数帯域の第5の送信信号を増幅する第5の電力増幅器と、
    前記第5の電力増幅器に供給する第3のバイアス電流を生成する第2のバイアス電流生成回路と、
    を含み、
    前記第5の周波数帯域における送信周波数の整数倍が、前記第1〜第3の周波数帯域のいずれかにおける受信周波数に略一致し、又は、前記第1〜第3の周波数帯域のいずれかにおける送信周波数の整数分の1倍が、前記第5の周波数帯域における受信周波数に略一致する、
    通信ユニット。
  2. 請求項1に記載の通信ユニットであって、
    前記第1の電力増幅器は、時分割多重通信方式における前記第1の周波数帯域の第6の送信信号を増幅するように構成され、
    前記第1の電力増幅モジュールは、
    増幅された前記第6の送信信号の出力、又は、時分割多重通信方式における前記第1の周波数帯域の第1の受信信号の入力が行われる第1の送受信端子と、
    前記第1の送受信端子から入力される前記第1の受信信号を第1の受信回路に出力するための第1の出力端子と、
    前記第1の送受信端子を、前記第1の電力増幅器の出力、又は、前記第1の出力端子と接続する第1のスイッチ回路と、
    をさらに含む、通信ユニット。
  3. 請求項1又は2に記載の通信ユニットであって、
    前記第2の電力増幅器は、時分割多重通信方式における前記第2の周波数帯域の第7の送信信号を増幅するように構成され、
    前記第1の電力増幅モジュールは、
    増幅された前記第7の送信信号の出力、又は、時分割多重通信方式における前記第2の周波数帯域の第2の受信信号の入力が行われる第2の送受信端子と、
    前記第2の送受信端子から入力される前記第2の受信信号を第2の受信回路に出力するための第2の出力端子と、
    前記第2の送受信端子を、前記第2の電力増幅器の出力、又は、前記第2の出力端子と接続する第2のスイッチ回路と、
    をさらに含む、通信ユニット。
JP2015125868A 2015-06-23 2015-06-23 通信ユニット Pending JP2017011533A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015125868A JP2017011533A (ja) 2015-06-23 2015-06-23 通信ユニット
US15/082,567 US9642103B2 (en) 2015-06-23 2016-03-28 Power amplification module for multiple bands and multiple standards
CN201610191805.8A CN106301396B (zh) 2015-06-23 2016-03-30 通信单元
US15/451,490 US9918289B2 (en) 2015-06-23 2017-03-07 Power amplification module for multiple bands and multiple standards
US15/880,871 US10499352B2 (en) 2015-06-23 2018-01-26 Power amplification module for multiple bands and multiple standards

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015125868A JP2017011533A (ja) 2015-06-23 2015-06-23 通信ユニット

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017011533A true JP2017011533A (ja) 2017-01-12

Family

ID=57603263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015125868A Pending JP2017011533A (ja) 2015-06-23 2015-06-23 通信ユニット

Country Status (3)

Country Link
US (3) US9642103B2 (ja)
JP (1) JP2017011533A (ja)
CN (1) CN106301396B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9935760B2 (en) * 2013-04-16 2018-04-03 Qorvo Us, Inc. Tunable filter for LTE bands
US10263647B2 (en) * 2016-04-09 2019-04-16 Skyworks Solutions, Inc. Multiplexing architectures for wireless applications
WO2020054388A1 (ja) * 2018-09-11 2020-03-19 株式会社村田製作所 高周波フロントエンドモジュールおよび通信装置
EP4274104A3 (en) * 2018-12-28 2024-01-24 Huawei Technologies Co., Ltd. Signal processing apparatus and method and access network device
CN116455421B (zh) * 2020-12-21 2024-04-26 荣耀终端有限公司 无线通信系统、方法、设备以及芯片
CN113676211B (zh) * 2021-08-12 2022-10-28 Oppo广东移动通信有限公司 放大器模组、射频系统及通信设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3961498B2 (ja) * 2004-02-27 2007-08-22 松下電器産業株式会社 高周波回路装置
US8466745B2 (en) * 2010-08-25 2013-06-18 Yaohui Guo Hybrid reconfigurable multi-bands multi-modes power amplifier module
US9379826B2 (en) * 2011-03-30 2016-06-28 Intel Deutschland Gmbh Calibration of a transmitter with internal power measurement
JP2014138312A (ja) * 2013-01-17 2014-07-28 Murata Mfg Co Ltd 半導体モジュール
GB2511733B (en) * 2013-02-01 2020-08-19 Snaptrack Inc 2G support for 2G and 3G/4G envelope tracking modulator
US9178555B2 (en) * 2013-02-20 2015-11-03 Micro Mobio Corporation World band radio frequency front end module, system and method thereof
US20140327483A1 (en) * 2013-05-03 2014-11-06 Rfaxis, Inc. Complementary metal oxide semiconductor power amplifier
US9413313B2 (en) * 2013-09-09 2016-08-09 Skyworks Solutions, Inc. Multimode power amplifier bias circuit with selectable bandwidth
US9246443B2 (en) * 2013-11-26 2016-01-26 Skyworks Solutions, Inc Multi-mode power amplifier
US9397614B2 (en) * 2014-05-23 2016-07-19 Qualcomm Incorporated Multi-band power amplifier
US9515622B2 (en) * 2014-12-23 2016-12-06 Nokia Technologies Oy Reconfigurable bias and supply drivers for radio frequency power amplifiers
JP2017103655A (ja) * 2015-12-02 2017-06-08 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US10499352B2 (en) 2019-12-03
US9918289B2 (en) 2018-03-13
US9642103B2 (en) 2017-05-02
US20170181108A1 (en) 2017-06-22
US20180152902A1 (en) 2018-05-31
US20160381648A1 (en) 2016-12-29
CN106301396A (zh) 2017-01-04
CN106301396B (zh) 2019-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102665202B1 (ko) 고조파 누설을 감소시키기 위한 스위치를 갖는 무선 트랜시버
JP6470835B2 (ja) 電子システム、電力増幅器システム、パッケージ状モジュール及び携帯型デバイス
US10499352B2 (en) Power amplification module for multiple bands and multiple standards
US9143208B2 (en) Radio front end having reduced diversity switch linearity requirement
US7512388B2 (en) Multiband or multimode front end antenna switch
US10015701B2 (en) Multimode dual-path terminal
US10523305B2 (en) Variable channelized bandwidth booster
CN108233952B (zh) 通信模块
US9184903B2 (en) Systems and methods for processing time-division signals and frequency-division signals
JP2009094713A (ja) モジュール及びそれを用いた移動通信端末
JP4988630B2 (ja) 無線信号処理回路及び無線モジュール
US10135398B2 (en) Power amplification module
JPWO2018143043A1 (ja) 無線機及び無線通信方法
CN103944603A (zh) 半导体模块
JP2014090222A (ja) 無線通信装置
JP2008205821A (ja) 高周波電力増幅装置及びそれを用いた送信装置
JP2015204604A (ja) 通信回路および電子機器
CN210183375U (zh) 一种低成本lte-fdd频段智能手机射频电路
KR101102666B1 (ko) 와이브로 단말의 송신 장치
KR101679851B1 (ko) 송신 및 수신장치
US9252820B2 (en) Circuit and mobile communication device
KR20090077138A (ko) 단일화된 if 경로를 이용한 이동통신중계기 및 이를이용한 rf 신호를 중계하는 방법
JP2021078090A (ja) 高周波回路及び通信装置
KR20100133774A (ko) Rf방식의 무선중계기
JP2003069445A (ja) 移動体電話機のアンテナ共用送受信装置