CN210183375U - 一种低成本lte-fdd频段智能手机射频电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种低成本LTE‑FDD频段智能手机射频电路，包括射频前端、功率放大器和射频开关，射频前端负责2G信号放大和天线开关，功率放大器实现3G+4G信号放大，功率放大器输出信号到射频开关实现不同频段的切换，射频开关输出信号到双工器进行滤波，双工器输出信号到射频前端内部的天线开关，信号经由天线开关输出到天线。本实用新型创新提出使用包含2GPA功能的Frond End Module搭配一个LTE FDD中低频PA外加射频开关方案来降低整体射频PA的成本，比Phase 2全频段方案预估可以便宜一半成本。

Description

一种低成本LTE-FDD频段智能手机射频电路

技术领域

本实用新型涉及射频技术领域，具体是一种低成本LTE-FDD频段智能手机射频电路。

背景技术

随着第四代通信网络在全世界普及，LTE智能手机在手机总出货量占比越来越高。现阶段的LTE射频电路设计中的PA都是使用的Phase 2全频段方案，方案主要由TxM芯片加MMPA芯片组成，比如Skyworks的SKY77916+SKY77643，Qorvo的RF5216+RF5422等。

由于3G是WCDMA的运营商更愿意直接升级设备成FDD网络，不愿意花更多的资金去重新建TDD基站。并且FDD高频基站的部署成本要高于中低频，所以世界很多国家的运营商更愿意用FDD中低频段来部署LTE基站。如果手机的射频是使用Phase 2全频段方案，方案中的TxM芯片所包含的3G TD-SCDMA PA、4G TDD LTE Band 39 PA功能和MMPA芯片所包含的TD-SCDMA Bands 34/39 PA、FDD LTE Band7 PA、TDD LTE Band 38/39/40/41 PA功能针对这些运营商是不需要的，就带来不必要的成本浪费。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种低成本LTE-FDD频段智能手机射频电路，以解决所述背景技术中提出的问题。

为实现所述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种低成本LTE-FDD频段智能手机射频电路，包括射频前端、功率放大器和射频开关，射频前端负责2G信号放大和天线开关，功率放大器实现3G+4G信号放大，功率放大器输出信号到射频开关实现不同频段的切换，射频开关输出信号到双工器进行滤波，双工器输出信号到射频前端内部的天线开关，信号经由天线开关输出到天线。

作为本实用新型进一步的方案：所述射频前端的型号为RTM7289。

作为本实用新型再进一步的方案：所述功率放大器的型号为SPM6569-12。

作为本实用新型再进一步的方案：所述双工器有5个。

作为本实用新型再进一步的方案：所述射频开关有2个。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：1:本发明方案的RTM7289芯片使用的是COMS工艺在成本上面比TxM芯片使用的GaAs工艺加COMS工艺便宜很多。方案的整体成本比Phase 2方案可以节约0.6个美金，按照一年5KK量计算可以为公司节省两千一百万左右成本。

2:本发明方案控制技术是GPIO模式比Phase 2方案的MIPI模式简单，降低NV配置和系统的复杂度。

3:本发明方案同时PCB摆件面积可以减少5%左右，如果在同样的面积下更有利于提升射频隔离度、互扰等性能。

附图说明

图1为本实用新型的系统架构图。

图2为RTM7289电路图。

图3为SPM6569-12电路图。

图4为中频射频开关电路图。

图5为低频射频开关电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1：请参阅图1-5，为实现所述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种低成本LTE-FDD频段智能手机射频电路，包括射频前端、功率放大器和射频开关，射频前端负责2G信号放大和天线开关，功率放大器实现3G+4G信号放大，功率放大器输出信号到射频开关实现不同频段的切换，射频开关输出信号到双工器进行滤波，双工器输出信号到射频前端内部的天线开关，信号经由天线开关输出到天线，实现整个通信系统。

第一部分RTM7289是实现2G信号放大功能的PA芯片和天线开关，2G信号通过HB_IN和LB_IN输入到2GPA芯片RTM7289进行信号的放大，再通过ANT输出到天线端，TRX1-TRX6是天线开关。原理如图2所示。

本发明创新提出使用包含2GPA功能的Frond End Module搭配一个LTE FDD中低频PA外加射频开关方案来降低整体射频PA的成本，比Phase 2全频段方案预估可以便宜一半成本。

实施例2，在实施例1的基础上，第二部分SPM6569-12是实现3G+4G信号放大功能的PA芯片，此PA可以实现FDD/WCDMA Bands 1,2,3,4,5,8,12,13,17,20,28频段信号的放大，QPSK & 16QAM的带宽可以实现 1.4MHz to 20MHz。3G/4G信号通过RFIN_HB和RFIN_LB输入到PA芯片SPM6569-12进行信号的放大，通过RFOUT_HB和RFOUT_LB输出放大了的中频和低频信号到射频开关。通过射频开关ANT口输入，RF1-RF3口输出到双工器，实现不同频段的切换。原理图见图3-5。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (5)

1.一种低成本LTE-FDD频段智能手机射频电路，包括射频前端、功率放大器和射频开关，其特征在于，射频前端负责2G信号放大和天线开关，功率放大器实现3G+4G信号放大，功率放大器输出信号到射频开关实现不同频段的切换，射频开关输出信号到双工器进行滤波，双工器输出信号到射频前端内部的天线开关，信号经由天线开关输出到天线。

2.根据权利要求1所述的一种低成本LTE-FDD频段智能手机射频电路，其特征在于，所述射频前端的型号为RTM7289。

3.根据权利要求1所述的一种低成本LTE-FDD频段智能手机射频电路，其特征在于，所述功率放大器的型号为RPM6569-12。

4.根据权利要求1所述的一种低成本LTE-FDD频段智能手机射频电路，其特征在于，所述双工器有5个。

5.根据权利要求1-4任一所述的一种低成本LTE-FDD频段智能手机射频电路，其特征在于，所述射频开关有2个。

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