JP2017010934A - 荷電粒子ビーム機器および荷電粒子ビーム機器を操作するための方法 - Google Patents

荷電粒子ビーム機器および荷電粒子ビーム機器を操作するための方法 Download PDF

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Abstract

【課題】荷電粒子ビーム機器の柱体および/または真空試料室内の部品の表面の的を絞ったかつ効率的な洗浄を可能とする。【解決手段】露光モードにおいて、真空試料室20内で所望のパターンを露光するために、荷電粒子ビームを作るための荷電粒子ビーム光学系を備えた柱体10と、柱体および/または真空試料室20の洗浄モードにおいて、光解離可能なガス(O3)を備えた調節可能なガス流を供給するためにガス供給システムと、複数の光源15.1〜15.5であって、これらの光源が空間的に分散された状態で柱体および/または真空試料室内に配置されておりかつ洗浄モードにおいて供給されるガスの光解離をもたらす光源と、光源に接続された制御ユニット30であって、この制御ユニットが、この制御ユニットを介して洗浄モードにおいて、個々の光源が時間上選択的にスイッチを入り切り可能であるように構成されている制御ユニットを備えている。【選択図】図1

Description

本発明は荷電粒子ビーム機器ならびに荷電粒子ビーム機器を運転するための方法、特にこのような機器洗浄するための可能性に関する。
荷電粒子ビーム光学系を介して露光モードにおいて真空試料室内で所望のパターンを露光するために、公知の荷電粒子ビーム機器、例えば電子ビームリソグラフィーシステムは、荷電粒子ビーム光学系を有する柱体を備えている。その際に、運転時間の経過において、有機汚染物は柱体および/または真空試料室内の部品上に、例えば静電偏向システムの遮光装置上にあるいは電極上に堆積する。これらの汚染物は、例えば真空試料室内の基体上のリソグラフィー工程のために必要なメッキに由来する。メッキから、例えば電子のような荷電粒子ビームによる照射により分子が遊離され、これらの分子は気化し、真空試料室から柱体内に拡散し、そして柱体内の部品の表面に吸着する。帯電された粒子で照射することにより分子は分解されかつ結合され、従って部品の表面には、もはや再吸収しない、固着した炭素を多く含んだ汚染物が生じる。汚染物は粗悪な電気的電導性を有しており、かつその上に衝突する一次電子と二次電子により強く帯電されることができる。柱体内の交換する条件において、汚染層は次いで帯電されるか或いは放電される。汚染層内の時間的に不安定な帯電は、露光モードにおいて、従って付加的に帯電された場において生じる。このような場は再度荷電粒子ビーム柱体内で偏向し、制御不能な方法で、基体あるいは影響される他のビーム特性において(auf)例えばドアラフトは制御不能になる。従って汚染物のこれらの不利な影響を防止しかつ少なくとも最小限にするために、このような機器において、柱体あるいは真空試料室内の相応して汚染し易い表面の定期的な洗浄が必要である。相当する構成要素の時間がかかる解体と相当する構成要素の洗浄の他に、荷電粒子ビーム機器の柱体が解体される必要が無く、相当する汚染物を除去するために様々な方法が知られている。
特許文献1には、例えば柱体のチャンバ内へ露光中にオゾンを導入することが提案される。電子により照射することにより、オゾンは酸素と酸素ラジカルに分解される。それにより酸素ラジカルは次いで柱体内の部品の表面で汚染物と反応し、その際に結果として生じる反応生成物はポンプで排出される。この方法の場合、それを介して柱体内の特定の部品の空間的に的を絞った洗浄がほとんど可能ではないことが短所である。さらに同時に露光モードにおいて、高真空が維持される必要がある場合に、柱体の全ての露光における適当なオゾン圧の調節が困難である。
荷電粒子ビーム機器の柱体のための洗浄方法の別の様式が、特許文献2と特許文献3から知られている。その際に柱体内では汚染し易い部品の領域に触媒反応を起こさせる材料が塗布され、かつガス供給システムを介して活性化可能な物質を柱体内に導入する。次いで触媒反応を起こさせる材料を介して塗布される物質を活性化した後、活性化された物質は、存在する汚染材料と相互作用し、その際に発生する反応生成物はポンプで排出される。この場合に、塗布された物質の活性化は、代替え的にあるいは補助的にUV光により露光を介して行われ、この目的で柱体内ではUV光源が配置されているか或いは柱体内に案内可能である。この方法の場合でも、特定の部品上での汚染物質の的を絞った排除はほとんど可能ではなく、特に洗浄は需要に即応して局所的に制御されることができない。
独国特許出願公開第10057079号明細書 独国特許出願公開第102008049655号明細書 米国特許第6207117号明細書
本発明の根底を成す課題は、荷電粒子ビーム機器ならびに荷電粒子ビーム機器を運転するための方法を提示することであり、この機器を介して、このような機器の柱体および/または真空試料室内の部品の表面の的を絞ったかつ効率的な洗浄が可能である。
この課題は、本発明によれば請求項1の特徴を備えた荷電粒子ビーム機器により解決される。
発明による荷電粒子ビーム機器の有利な実施形態は、請求項1に従属した請求項に挙げられた構成から明らかになる。
本発明による荷電粒子ビーム機器は、
−柱体であって、この柱体が荷電粒子ビーム光学系を介して露光モードにおいて、真空試料室内で所望のパターンを露光するために、荷電粒子ビームを作るための荷電粒子ビーム光学系を備えた柱体と、
−ガス供給システムであって、このガス供給システムを介して、柱体および/または真空試料室の洗浄モードにおいて、光解離可能なガスを備えた調節可能なガス流を供給するためにガス供給システムと、
−複数の光源であって、これらの光源が空間的に分散された状態で柱体および/または真空試料室内に配置されておりかつ洗浄モードにおいて供給されるガスの光解離をもたらす光源と、
−光源に接続された制御ユニットであって、この制御ユニットが、それを介して洗浄モードにおいて、個々の光源が時間上選択的にスイッチを入り切り可能であるように構成されている制御ユニットを備えている。
有利な実施形態において、制御ユニットはさらにガス供給システムの吸気弁と動作接続しており、かつ吸気弁への作用により、洗浄モードでの柱体および/または真空試料室内におけるガス圧が的を絞って調節可能であるように構成されている。
その際に、柱体および/または真空試料室の規定された空間的領域のために、制御ユニットにおいて、各々パラメータセットが置かれ、このパラメータセットは各領域の最適に洗浄するための必要なパラメータを含み、パラメータセットは少なくとも一つあるいは複数の特定の光源の選択、光源のスイッチを入れる時間および柱体および/または真空試料室内の特定のガス圧を含む。
さらに、汚染物と光解離生成物の反応から結果として生じる分解生成物をポンプで排出するために、真空試料室は真空ポンプと動作接続しており、真空試料室と真空ポンプの間には変換ユニットが配置されており、この変換ユニットはまだ光解離可能なガスのポンプ排出ガス流内にある残余物を分解することが可能である。
柱体内に荷電粒子ビーム源が配置されていると有利であり、この荷電粒子ビーム源には、荷電粒子ビーム源を光解離生成物の逆拡散から保護するために保護シールドが設けられている。
さらに、光源が柱体および/または真空試料室内で各々、有機汚染になり易い要素に対して隣接して配置されていると有利である。
可能な実施形態において、光源が各々LEDとして構成されており、これらのLEDが200nmと300nmの間のUVスペクトルの帯域で放射する。
代替え的に、複数の光源が複数の光ファイバを備えたファイバ束の出口面として構成されており、空間的に分散された状態で柱体および/または真空試料室内に配置されており、かつファイバ束の他端には光源が配置されており、この光源を介してファイバ束の個々の光ファイバ内への光の結合が行われており、その際に光源と光ファイバの間には少なくとも一つの開閉装置が配置されており、この開閉装置が個々の光ファイバの時間上選択的なスイッチの入り切りを行うための制御ユニットを介して操作可能である。
さらに、柱体の外側に、酸素貯蔵器ならびにオゾン発生器が配置されており、このオゾン発生器を介して、酸素貯蔵器からオゾンが光解離可能なガスとして発生可能でありかつ柱体にガス供給システムを介して供給可能であり、その際に光源から放出されるビームとオゾンの間の相互作用により、酸素ラジカルが光解離生成物として結果として生じ、これらの光解離生成物が汚染物と反応して分解生成物になることが可能である。
さらに課題は、請求項10の特徴を備えた荷電粒子ビーム機器を運転するための方法により解決される。
本発明による方法の有利な実施形態は、請求項10に従属する請求項において実施されている構成から明らかになる。
荷電粒子ビーム光学系を介して露光モードにおいて、真空試料室内で所望のパターンを露光するために、荷電粒子ビーム光学系を有する柱体を用いて荷電粒子ビーム機器を運転するための本発明による方法は、
−柱体および/または真空試料室を洗浄するために、洗浄モードにおいて、柱体および/または真空試料室のガス供給システムを介して光解離可能なガスを備えた調節可能なガス流が供給され、
−個々の光源がそれと接続された制御ユニットを介して時間上選択的にスイッチを入り切りされることにより、
洗浄モードにおいて、供給されるガスが、柱体および/または真空試料室内で空間的に分散された状態で配置された複数の光源を用いて光解離されることが意図される。
さらに制御ユニットがガス供給システムの吸気弁と動作接続しており、洗浄モードにおいて、ガス圧が柱体および/または真空試料室内で規定された状態で調節されるように、吸気弁に作用することが可能である。
さらに、制御ユニットを介して洗浄モードにおいて、個々の光源の時間的活性化が、各々の光源の周囲の汚染に依存して行われることが意図されている。
洗浄モード中に荷電粒子ビームがスイッチを切られるのが有利である。
可能な実施形態において、汚染物と光解離生成物の反応から結果として生じる分解生成物が真空ポンプを介して排出される。
その際に、さらに光解離可能なガスのポンプで排出されるガス流内にまだある残余物が分解されることが付加的に意図されてもよい。
本発明による荷電粒子ビーム機器あるいは本発明による方法の場合、洗浄モードにおいて、時間上選択的にスイッチの入り切りが可能な光源に基づいて、荷電粒子ビーム機器のガス圧が柱体および/または真空試料室内での特に汚染された要素あるいは領域の的を絞った局所的洗浄が行われることができることがわかる。全システムの解体は必要ではない。すなわち洗浄モードのために結果として生じる機器の停止時間は短縮されることができる。さらに、関係された要素の的を絞った局所的な洗浄のための作り出される可能性に基づき、柱体および/または真空試料室内の他の汚染された部品の負荷は最小限に減らすことができる。
柱体および/または真空試料室内のこれらの光解離可能なガスの分解生成物の場所とこれらの分解生成物の届く範囲は、独立して互いに良好に設けられた制御ユニットを介して制御できる。このことは一方では、洗浄モードにおいて各々スイッチを入れるべき光源の的を絞った選択により、他方では、柱体および/または真空試料室内のそれにより調節可能な圧力により行われる。このようにして、洗浄すべき柱体部分のために或いは真空試料室の各領域のために、互いに最適なパラメータからは独立して選択されることができる。本願発明のさらなる詳細と長所は、本発明による装置と本発明による方法の実施例の後に続く記載に基づいて図と結び合わせて説明されている。
本発明による荷電粒子ビーム機器の第一の実施例の極めて概略的図を示す。 本発明による方法を説明するためのフローチャートを示す。 本発明による荷電粒子ビーム機器の第二の実施例の極めて概略的図を示す。
本発明による荷電粒子ビーム機器の第一の実施例を以下に図1の極めて概略的な図に基づき説明する。
これにおいても、また別の実施例においても、本発明による荷電粒子ビーム機器は各々電子線リソグラフィーとして構成されている。しかし基本的に、本発明は当然ではあるが、例えばイオンビーム機器、電子ビーム顕微鏡などのような他の荷電粒子ビームシステムと接続しても使用される。
本発明による荷電粒子ビーム機器は、これにより露光モードにおいて、真空試料室20内で所望のパターンを基体21上に書込むために、荷電粒子ビーム、もしくは電子ビームを発生させるための荷電粒子ビーム光学系を備えた柱体10を備えている。荷電粒子ビーム光学系には、柱体10に配置された荷電粒子ビーム源11等の他に、異なる遮光装置13.1、13.2ならびに静電偏向電極14.1〜14.6が所属し降り、これらの静電偏向電極は図では過度に図式的に配置されている。これらの要素を介して、柱体10内には、原理的に公知の様式および方法で、露光モードでの荷電粒子ビーム源11により作られる荷電粒子ビームの形成と偏向が行われる。
さらに本発明による荷電粒子ビーム機器にはガス供給システムが所属しており、このガス供給システムは、基本的に調整可能な吸気弁ならびに吸気弁3と柱体10の間の接続導管を備えている。ガス供給システムを介して、例えば柱体10の上端部に、洗浄モードで、光解離可能なガスを備えた調節可能なガス流が供給されており、かつ柱体10を通って案内される。図1において、対応するガス流は柱体内では点線として示されている。代替え的に柱体10の他の箇所にもこのようなガス流が供給されることができるのは自明である。
本願による実施例においてはオゾン(O)の光解離可能なガスであり、このガスはオゾン発生器2で作られ、その後ガス供給システムに供給される。オゾンを発生させるために、オゾン発生器2にはその際に、分子の酸素ガスが酸素貯蔵器から案内され、オゾン発生器2では、オゾンの発生が通常の方法で行われ、例えばジーメンスの原理による無音放電により行われる。
柱体10にこのように供給されるオゾン(O)は、洗浄モードでは、柱体10内でおよび/または真空試料室20内で光解離される。すなわち局所的な作用を介して紫外線が、被解離生成物において、酸素分子(O)と酸素ラジカル(O)の形態で分解される。酸素ラジカル(O)は、柱体10内でおよび/または真空試料室20内では酸化剤として機能を果たし、この酸化剤を介して、ガス供給システムの異なる要素における有機的な炭素を多く含有する汚染物は酸化により分解される。酸素ラジカル(O)と有機的な汚染物の間の酸化反応から、結果としてなかでも二酸化炭素(CO)と水(HO)が、揮発性の反応生成物あるいは分解生成物として生じ、これらはガス流を柱体10内で蓄積し、最後に柱体20の下端部において或いは真空試料室20の上方へ図1のように示された状態でポンプで排出される。その際に、ポンプによる排出は、当然ではあるが、本発明による荷電粒子ビーム機器の他の適切な箇所でも行われる。
柱体内の荷電粒子ビーム源11を光解離生成物、特に酸素ラジカル(O)の逆拡散から保護するために、荷電粒子ビーム源11の前に、狭いシールド開口部を備えた保護シールド12が配置されていると有利であることがわかる。このようにして、荷電粒子ビーム源11の場合によっては磨滅が付加的な酸化プロセスにより防止することができる。
酸化の際に結果として生じる分解生成物、すなわち二酸化炭素(CO)と水(HO)をポンプで排出するために、洗浄モードでは、図1において概略的にしか示されていない真空ポンプ5が使用される。このポンプは露光モードにおいて、システムを空にし、かつ必要な高真空を作るために使用される。一般的に、適切な真空ポンプ5としては、ロータリーポンプあるいはスクロールポンプとターボ分子ポンプのような機械式ポンプの組合せが使用される。すなわち真空ポンプ5は普通、複数の相前後して同調された個々のポンプから成るポンプシステムである。
真空試料室20と真空ポンプ5の間には、本願実施例において、さらに変換ユニット4がオゾン壊滅器の形態でポンプ排出のためのガス流内に配置されている。環境危険性および/または健康上の危険性を回避するために、変換ンユニット4を介して、場合によっては、さらにポンプ排出のためのガス流内にある、光解離可能なガスの残り、あるいはオゾン(O)が分解される。残ったオゾン(O)のこのような分解は、変換ユニット4内では、例えば波長250nmの強いUV光を用いた照射により或いは貴金属触媒を介して行われる。
電子光学式の柱体10内においておよび/または場合によっては真空試料室20内において、例えば1〜100Paの範囲の洗浄モードのための必要なガス圧を狙って調節するために、真空ポンプ5の所定のポンプ容量にあって、調整可能な吸気弁3を介して、光解離可能なガスであるオゾン(O)の必要な、普通一般にはわずかな量が柱体10内に入れられる。この目的で吸気弁3は制御ユニット30と動作接続しており、この制御ユニットは適切な方法で吸気弁3を操作し或いは吸気弁に作用する。
従って、本発明による荷電粒子ビーム機器において、本来の露光モードの他に独立した洗浄モードが設けられており、この洗浄モードでは、先に説明した方法で、有機的に汚染された要素の適切な空間的に選択的な洗浄が柱体10内でおよび/または真空試料室20内で行われる。
その際、柱体10内および/または真空試料室20内には、複数の光源15.1〜15.5が空間的に分散されて配置されているのが本願発明にとって標準的であり、これらの光源を介して供給されるガスあるいはオゾン(O)の光解離がもたらされ、これらの光源は制御ユニット30を介して時間上スイッチの入り切りが可能である。光源15.1〜15.5は、図示した実施例において、この目的で各々荷電粒子ビーム機器の柱体10内の、有機汚染物になりやすい要素に対して隣接した状態で配置されている。例えば光源15.1は遮光装置13.1の近くに配置されており、光源15.2は静電偏向電極14.1と14.2等の近くに配置されている。図1に示された光源15.1〜15.5の配置を、特定の遮光装置13.1、13.2および偏向電極14.1型14.6に対して隣接した状態で単に模範的に理解できることは自明である。すなわち当然ながら多数のもしくは少数の光源15.1〜15.5も、柱体10内および/または真空試料室20内に設けられていてもよい。その上、これら光源は柱体10内および/または真空試料室20内の汚染物に侵され易い他の場所に配置されることができる。真空試料室20の場合、例えば図には示されていない、そのようになり易いビーム検出器あるいは受動素子である。
このようにして本発明によれば、柱体10内および/または真空試料室20内の汚染された要素のすぐ隣に、オゾン流をUV光による照射で活性化させ、かつ局部的に的を絞った状態で、十分多数の酸素ラジカル(O)を作ることが可能であり、これらの酸素ラジカルは同時に有機汚染物により相当する要素と反応して異なる分解生成物すなわち二酸化炭素(CO)あるいは水(HO)になる。さらに、相当する要素に対してすぐ近隣に或いは柱体10および/または真空試料室20の領域に光源15.1〜15.5を配置することにより、UV照射により直接、分子は汚染物層内で励起されるか或いは酸化されることができ、それにより容易に酸素ラジカル(O)を介して酸化され、それにより除去される。その際その上さらに、唯一の有機分子は、UV光を用いた単なる照射により、揮発性の分子に分解されかつポンプで排出されることができる。
光源15.1〜15.5として、本発明による荷電粒子ビーム機器のこの実施例では、好ましくはLED(発光ダイオード)が柱体10内で使用され、これらのLEDは200nmと300nmの間のUVスペクトル帯域で放出する。この場合、特に窒化アルミニウムをベースにしたLEDが特に適している。このようなLEDは、一月当たり僅かな時間の範囲の洗浄時間において相応する荷電粒子ビーム機器の寿命を明確に超える寿命を有する。約250nmの帯域において、特にオゾン(O)は特に良好なUVビームを吸収し、かつそれ以上に、容易に酸素分子(O)と酸素ラジカル(O)に解離することができる。
LEDの使用は、これらの光源15.1〜15.5のコンパクトさによっても極度に有利であるとわかる。その理由は、衝突の問題が柱体10および/または真空試料室20内にある他の成分により結果として生じることなく、これらLEDは必要な電気導線も含めて、柱体10および/または真空試料室20内の必要な箇所に配置されることができることにある。加えてそれにより、特に汚染にさらされた要素が的を絞って照射可能であることが保障されていることが可能でもあるが、場合によっては例えばケーブル絶縁のような別の放射線に影響され易い要素は放射されるUV照射により遮断される。
さらにLEDとして構成された光源15.1〜15.5は、システム全体の真空システムにとっての大きな危険を恐れる必要もなく、真空面の大きなリスク無しで柱体10および/または真空試料室20内で使用されることができる。
それに反して、例えば水銀灯のような従来のUV光源を使用する場合には、柱体10および/または真空試料室20内での同UV光源の適切な配置に関する問題が結果として生じる。その理由はこれらのUV光源が明らかに大きく構成されていることにある。それに加えて、このような光源を壊す場合に、システム全体の真空システムは、結果として生じる水銀の汚染により使用不能になる恐れがあるという危険がある。
前記波長帯域の光源15.1〜15.5の使用の別の長所として、なお短波長の放射線であって、この放射線を介して例えば酸素が直接分解され得る放射線を使用する場合よりも、その放射線を介して金属表面が柱体10および/または真空試料室20内で基本的にわずかに強く冒されることが引き合いに出されうる。
制御ユニット30を介して、洗浄モードにおいては、個々の光源15.1〜15.5を的を絞った状態で特定の時間にわたりスイッチを入れ、その後切ることが可能であり、すなわちこれを時間上選択的にスイッチを入り切りすることが可能である。このことは例えば、光源15.1〜15.5の個々が、柱体10および/または真空試料室20の特定の領域において、特定の時間の間スイッチを入れ、そこでだけオゾンの解離が結果として生じ、同時にこの領域での構成要素の局所的な洗浄が結果として生じることを意味することになりうる。その際に例えば、特に汚染された偏向電極14.5、14.6及び遮光装置13.2を特別に洗浄するために等で、両方の光源15.4、15.5だけが下方の柱体領域で特定の時間の間スイッチを入れられることができる。しかし基本的には、必要な場合に、光源15.1〜15.5全部のスイッチを入れることも可能である。
すでに先にふれたように、制御ユニット30は説明したようにただ光源15.1〜15.5に作用するのではなく、調整可能な吸気弁3と動作接続される。これにより、ポンプ5の所定のポンプ容量において、柱体10および/または真空試料室20内の光解離可能なガスあるいはオゾン(O)を的を絞って調節することが可能である。他方またガス圧を介して、記載された洗浄方法の洗浄作用は良好に調節されることができる。その理由は、発生された酸素ラジカル(O)の濃度が、圧力に依存するガスの衝撃により急激にラジカル発生の場所から取除かれることにある。
したがって、制御ユニット30と制御ユニットの吸気弁への影響を介して、そしてそれにより一方では柱体10および/または真空試料室20内のガス圧を介して、他方ではガス圧を介して可能な選択的な光源15.1〜15.5のスイッチの入り切りの切替え能力を介して、洗浄モードでの柱体10および/または真空試料室20の異なる領域における汚染物を、特に的を絞ってかつ能率的に取除くことができる。この目的で、荷電粒子ビーム機器の柱体10および/または真空試料室20の特定の空間的領域のための制御ユニット30において、各領域の最適な洗浄のためのパラメータセットが置かれることができる。その際に、このようなパラメータセットは、この目的でスイッチが入れられる必要がある少なくとも特定の光源15.1〜15.5の選択を含んでおり、柱体10および/または真空試料室20内の、この領域の局所的洗浄のために最適であるとして確定された特定の圧力も含んでいる。さらにこの目的で、各選択された光源15.1〜15.5のための時間が来ることができ、この時間を経て光源は理想的にスイッチを入れられている。従ってこのようにして、荷電粒子ビーム機器の柱体10および/または真空試料室20の様々に汚染された領域の最適な洗浄が可能である。その際に、個々の光源15.1〜15.5の時間的活性化は、基本的に各光源15.1〜15.5の環境における汚染に依存して行われる。すなわち、柱体10および/または真空試料室20内の洗浄すべき要素あるいは領域の汚染が大きければ大きいほど、一般的に対応する光源あるいは対応する複数の光源はそれだけいっそう長い時間スイッチを入れっぱなしにされる。
図2のフローチャートに基づき、以下にどのようにして荷電粒子ビーム機器を運転するための本発明による方法において行われるかを説明する。
そのようにして、露光モードであって、この露光モードにおいて、荷電粒子ビームと柱体内に配置された荷電粒子ビーム光学系により、真空試料室内で所望のパターンが基体上に露光される露光モードから、柱体および/または真空試料室内の汚染された要素を洗浄するために、もし必要であれば、洗浄モードに切替えられる。その際に、洗浄モードの第一の工程において、まず第一に荷電粒子ビームがスイッチを切られ、オゾンの発生が活性化される。場合によっては、イオンゲッターポンプがシステム内にあるべきだった場合、このポンプの損傷を防止するために、洗浄モードにおいて同様にポンプのスイッチを切ることがこの箇所では有利であることがわかる。その後、工程S2において、柱体および/または真空試料室内の選択された洗浄すべき要素、すなわち例えば特定の遮光装置のためのパラメータセットの読込み(das Laden)が行われる。このパラメータセットには、柱体および/または真空試料室内の規定されたガス圧の選択、相当する要素の付近における一つ場合によっては複数の光源の選択ならびに場合によってはこのあるいはこれらの光源のためのスイッチが入っている時間が所属する。その際に、該要素のための相応する最適なパラメータセットは、予め確定されている。それに続く工程S4において、本来の洗浄工程が実施される。その際に、オゾンを低圧下で柱体内に入れるために、吸気弁が適切に操作される。つまり光源は所望の時間にわたりスイッチを入れられ、汚染層のオゾンから結果として生じる分解生成物はポンプで排出される。その後に続く工程S4において、柱体および/または真空試料室内の汚染された要素が洗浄されているかどうかが検査される。洗浄されていない場合、工程S5において、最も近い要素が選択され、工程S2〜S4が新たに実施され、この要素を洗浄するための対応する最適なパラメータセットが選ばれることができる。このようにして、柱体および/または真空試料室内の最後に汚染された要素あるいは領域が全て洗浄されている場合、荷電粒子ビーム機器を再度普通の露光モードで運転するために、工程6において、オゾンの発生が不活性化されるか或いはスイッチを切られ、吸気弁は閉じられそして荷電粒子ビームならびに場合によってはイオンゲッターポンプが再度スイッチを入れられる。
この洗浄工程の後、本発明による荷電粒子ビーム機器の柱体は、ついでながら極めて迅速に再度活性化されることができかつ運転を開始することができる。これは可能である。その理由は、洗浄モードでは、大気圧に至るまでの柱体の換気が必要ではなく、柱体内の湿った周囲空気も入り込まないことにある。従って、例えば荷電粒子ビーム源のような柱体の超高真空領域内の要素のその他に必要な高温加熱して脱ガスする操作は無くなる。
記載された洗浄工程は、例えば荷電粒子ビームの大きなドリフトが露光モードにおいて生じる場合、規則的な間隔をおいてもあるいは要求に応じても実施される。柱体が他の理由から換気され、例えば柱体の構成要素を交換するまで開放される必要がある場合に、対応する洗浄方法を使用することも可能である。本発明によるやり方を介して、柱体および/または真空試料室内の要素の有機汚染物は迅速にかつ的を絞って分解することができる。
柱体および/または真空試料室の説明された洗浄に対して以外に、換気工程後のポンプによる排気工程中にも的を絞ってUV光源のスイッチを入れることが可能である。その理由は、それ以上に柱体および/または真空試料室内の特定の材料のガス抜けの動きが加速されることができることにある。従って、このようにして柱体および/または真空試料室内に最初に洗浄モードのために設けられた光源を介して、本発明による荷電粒子ビーム機器の停止時間は付加的に減らすことができる。
続いて本発明による荷電粒子ビーム機器の第二の実施例を図3に基づき説明する。この場合次に、第一の実施例に対する決定的な相違点に立ち入る。さらにこの実施例はすでに詳細に説明された第一の実施例に対応している。
それで、図3の実施例は第一に、本発明による荷電粒子ビームの電子光学的柱体110における多数の光源115.1〜115.5の構成の面で図1の実施例とは異なる。光源115.1〜115.5は、複数の光ファイバを備えたファイバ束として構成されかつ空間的に分散されて柱体110内に配置されているのが有利である。ファイバ束の他端部には、一つだけの中央の光源150が配置されており、この光源はこれまた同様にUVビームを200nmと300nmの間の波長帯域で放射し、このビームは選択的に個々の光ファイバ内に結合する。この目的で光源150と複数の光ファイバの間には、単に概略化されて示された、公知の方法で構成されたファイバ光学の開閉装置140がファイバ光学のマルチプレクサの形態で配置されており、このマルチプレクサは制御ユニット130を介して時間上選択的な、個々の光ファイバのスイッチの入り切りのために、それにより柱体110内の光源115.1〜115.5により操作可能である。
個々の光ファイバの出口面は、上記の実施例のLED光源に相応して、これまた同様に本発明による荷電粒子ビーム機器の柱体110内の同じ要素あるいは領域の近くに配置されており、これらの要素あるいは領域は、有機汚染し易く、かつ説明を加えられた方法で洗浄モードで洗浄されることができる。この実施例においては、個々の光ファイバの出口面を真空試料室120の汚染になり易い要素に隣接して配置することも当然である。
具体的に記載された実施例の他に、本願発明の範囲内では別の形態の可能性もある。
従ってすでに先に示唆したように、電子ビーム描画の他に他の荷電粒子ビームシステムも本発明によれば構成することが可能である。
さらに他の光解離可能なガスも使用されることができ、これらの活性化に対しては、特に適したLEDあるいは光ファイバもしくはファイバ光学の開閉装置が利用できる。

Claims (15)

  1. 荷電粒子ビーム機器において、
    −柱体(10;110)であって、この柱体が荷電粒子ビーム光学系を介して露光モードにおいて、真空試料室(20;120)内で所望のパターンを露光するために、荷電粒子ビームを作るための荷電粒子ビーム光学系を備えた柱体と、
    −ガス供給システムであって、このガス供給システムを介して、柱体(10;110)および/または真空試料室(20;120)に洗浄モードにおいて、光解離可能なガス(O)を備えた調節可能なガス流を供給するためにガス供給システムと、
    −複数の光源(15.1〜15.5;115.1〜115.5)であって、これらの光源が空間的に分散された状態で柱体(10;110)および/または真空試料室(20;120)内に配置されておりかつ洗浄モードにおいて供給されるガス(O)の光解離をもたらす光源と
    −光源(15.1〜15.5;115.1〜115.5)に接続された制御ユニット(30;130)であって、この制御ユニットが、この制御ユニットを介して洗浄モードにおいて、個々の光源(15.1〜15.5;115.1〜115.5)が時間上選択的にスイッチを入り切り可能であるように構成されている制御ユニットを備えていることを特徴とする荷電粒子ビーム機器。
  2. 制御ユニット(30;130)がさらにガス供給システムの吸気弁と動作接続しており、かつ吸気弁(3;103)への作用により、洗浄モードで柱体(10;110)および/または真空試料室(20;120)内におけるガス圧が、的を絞って調節可能であるように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム機器。
  3. 柱体(10;110)および/または真空試料室(20;120)の規定された空間的領域のために、制御ユニット(30;130)において、各々パラメータセットが置かれ、このパラメータセットは各領域の最適に洗浄するための必要なパラメータを含み、パラメータセットは少なくとも一つあるいは複数の特定の光源(15.1〜15.5;115.1〜115.5)の選択、光源のスイッチを入れる時間ならびに柱体(10;110)および/または真空試料室(20;120)内の特定のガス圧を含むことを特徴とする請求項2に記載の荷電粒子ビーム機器。
  4. 汚染物と光解離生成物(O)の反応から生じる分解生成物(CO;HO)をポンプで排出するために、真空試料室(20;120)は真空ポンプ(5;105)と動作接続しており、真空試料室(20;120)と真空ポンプ(5;105)の間には変換ユニット(4;104)が配置されており、この変換ユニットはまだポンプ排出ガス流内にある光解離可能なガス(O)の残余物を分解することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム機器。
  5. この荷電粒子ビーム機器が柱体(10;110)内に配置された荷電粒子ビーム源(11;111)を備えており、この荷電粒子ビーム源には、荷電粒子ビーム源(11;111)を光解離生成物(O)の逆拡散から保護するために保護シールド(12;112)が前方に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム機器。
  6. 光源(15.1〜15.5;115.1〜115.5)が柱体(10;110)および/または真空試料室(20;120)内で各々、有機汚染になり易い要素に対して隣接して配置されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の荷電粒子ビーム機器。
  7. 光源(15.1〜15.5)が各々LEDとして構成されており、これらのLEDが200nmと300nmの間のUVスペクトルの帯域で放射することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の荷電粒子ビーム機器。
  8. 複数の光源(115.1〜115.5)が複数の光ファイバを備えたファイバ束の出口面として構成されており、空間的に分散された状態で柱体(110)および/または真空試料室(120)内に配置されており、かつファイバ束の他端には光源(150)が配置されており、この光源を介してファイバ束の個々の光ファイバ内への光の結合が行われており、その際に光源(150)と光ファイバの間には少なくとも一つの開閉装置(140)が配置されており、この開閉装置が個々の光ファイバの時間上選択的なスイッチの入り切りを行うための制御ユニット(130)を介して操作可能であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の荷電粒子ビーム機器。
  9. 柱体(10;110)の外側に、酸素貯蔵器(1;101)ならびにオゾン発生器(2;102)が配置されており、このオゾン発生器を介して、酸素貯蔵器(1;101)からオゾンが光解離可能なガス(O)として発生可能でありかつ柱体(10;110)にガス供給システムを介して供給可能であり、その際に光源(15.1〜15.5;115.1〜115.5)から放出されるビームとオゾン(O)の間の相互作用により、酸素ラジカル(O)が光解離生成物として生じ、これらの光解離生成物が汚染と反応して分解生成物(CO;HO)になることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の荷電粒子ビーム機器。
  10. 荷電粒子ビーム光学系を介して露光モードにおいて、真空試料室(20;120)内で所望のパターンを露光するために、荷電粒子ビーム光学系を有する柱体(10;110)を用いて荷電粒子ビーム機器を運転するための方法であって、
    −柱体(10;110)および/または真空試料室(20;120)を洗浄するために、洗浄モードにおいて、柱体(10;110)および/または真空試料室(20;120)のガス供給システムを介して光解離可能なガス(O)を備えた調節可能なガス流が供給され、
    −個々の光源(15.1〜15.5;115.1〜115.5)がそれと接続された制御ユニット(30;130)を介して時間上選択的にスイッチを入り切りされることにより、洗浄モードにおいて、供給されるガス(O)が、柱体(10;110)および/または真空試料室(20;120)内で空間分散された状態で配置された複数の光源(15.1〜15.5;115.1〜115.5)を用いて光解離されることを特徴とする方法。
  11. 制御ユニット(30;130)がさらにガス供給システムの吸気弁(3;103)と動作接続しており、洗浄モードにおいて、ガス圧が柱体(10;110)および/または真空試料室(20;120)内で規定された状態で調節されるように、吸気弁(3;103)に作用することを特徴とする請求項10に記載の方法。
  12. 制御ユニット(30;130)を介して洗浄モードにおいて、個々の光源(15.1〜15.5;115.1〜115.5)の時間的活性化が、各々の光源(15.1〜15.5;115.1〜115.5)の周囲の汚染に依存して行われることを特徴とする請求項10に記載の方法。
  13. 洗浄モード中に荷電粒子ビームがスイッチを入れられることを特徴とする請求項10に記載の方法。
  14. 汚染物と光解離生成物(O)の反応から生じる分解生成物(CO、HO)が真空ポンプを介して排出されることを特徴とする請求項10に記載の方法。
  15. ポンプで排出されるガス流内にまだある光解離可能なガス(O)の残余物が分解されことを特徴とする請求項14に記載の方法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6953276B2 (ja) * 2017-10-27 2021-10-27 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置およびその制御方法
WO2019155540A1 (ja) * 2018-02-07 2019-08-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ クリーニング装置
JP1713189S (ja) * 2021-09-15 2022-04-21
KR20240095241A (ko) * 2021-11-11 2024-06-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전 입자 평가 시스템 및 방법
EP4181167A1 (en) * 2021-11-11 2023-05-17 ASML Netherlands B.V. Charged particle assessment system and method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11154640A (ja) * 1997-09-18 1999-06-08 Toshiba Corp 荷電粒子ビーム装置用吸着板、荷電粒子ビーム装置用偏向電極及び荷電粒子ビーム装置
JP2001148340A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Advantest Corp 荷電粒子ビーム露光方法及び装置
US20110079711A1 (en) * 2009-07-15 2011-04-07 Wolfram Buehler Particle beam microscopy system and method for operating the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5466942A (en) * 1991-07-04 1995-11-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged beam irradiating apparatus having a cleaning means and a method of cleaning a charged beam irradiating apparatus
JP3253675B2 (ja) * 1991-07-04 2002-02-04 株式会社東芝 荷電ビーム照射装置及び方法
US5863327A (en) * 1997-02-10 1999-01-26 Micron Technology, Inc. Apparatus for forming materials
US6098637A (en) * 1998-03-03 2000-08-08 Applied Materials, Inc. In situ cleaning of the surface inside a vacuum processing chamber
DE102005031792A1 (de) * 2005-07-07 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Entfernung von Kontamination von optischen Elementen, insbesondere von Oberflächen optischer Elemente sowie ein optisches System oder Teilsystem hierfür
US8092641B1 (en) * 2005-08-08 2012-01-10 Hermes-Microvision, Inc. System and method for removing organic residue from a charged particle beam system
JP2007088386A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Advantest Corp 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光装置のクリーニング方法
EP1826808B1 (en) * 2006-02-23 2010-07-28 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device with ozone supply
US20070284541A1 (en) * 2006-06-08 2007-12-13 Vane Ronald A Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using UV excitation in a oxygen radical source
KR20080056479A (ko) 2006-12-18 2008-06-23 삼성전자주식회사 이온발생장치
DE102007022265A1 (de) * 2007-05-09 2008-11-13 Thies Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zum Färben eines textilen Substrates
DE102008049655A1 (de) 2008-09-30 2010-04-08 Carl Zeiss Nts Gmbh Partikelstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben desselben
US8492736B2 (en) * 2010-06-09 2013-07-23 Lam Research Corporation Ozone plenum as UV shutter or tunable UV filter for cleaning semiconductor substrates

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11154640A (ja) * 1997-09-18 1999-06-08 Toshiba Corp 荷電粒子ビーム装置用吸着板、荷電粒子ビーム装置用偏向電極及び荷電粒子ビーム装置
JP2001148340A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Advantest Corp 荷電粒子ビーム露光方法及び装置
US20110079711A1 (en) * 2009-07-15 2011-04-07 Wolfram Buehler Particle beam microscopy system and method for operating the same

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