JP2016536682A - タッチパネル用の積層体及び積層体形成方法 - Google Patents

Abstract

タッチパネル用の積層体（１００；２００）が記載される。積層体は、一又は複数の層を基板上に堆積させるためのポリマーを含む基板（１１０；２１０）と、透光性導電性酸化物（ＴＣＯ）のエリア及びＴＣＯのエリア間の間隙を含む、基板（１１０；２１０）上に設けられたパターン形成されたＴＣＯ層（１６０；２６０）と、パターン形成されたＴＣＯ層（１６０；２６０）の間隙に提供された第１の誘電体材料（１７０；２７０）と、ＴＣＯ層（１６０；２６０）のＴＣＯエリア上に直接堆積し、かつ第１の誘電体材料（１７０；２７０）上に直接堆積している誘電体層（１８０；２８０）とを含む。更に、積層体を含むタッチパネル及びタッチパネル用の積層体を形成するための方法が記載される。【選択図】図１

Description

［０００１］本発明の実施形態は、タッチパネル用の積層体（ｌａｙｅｒ ｓｔａｃｋ）、及び同積層体の形成方法に関する。特に、本発明の実施形態は、ＴＣＯ層を含むタッチパネル用の積層体、具体的には、積層体の中にＴＣＯがパターン形成された積層体、及びＴＣＯ層を含む積層体の形成方法に関する。

［０００２］タッチパネルやタッチスクリーンパネルは、表示エリア内部のタッチを検出し、その場所を示すことができる種類の電子視覚表示である。一般に、タッチパネルは、積層体を含み、タッチを感知するように構成される。タッチパネルの本体は、スクリーンによって放射される可視スペクトルの光がスクリーンを透過することができるように、実質的に透明にする必要がある。少なくともいくつかの既知のタッチパネルは、基板の上に形成された透光性（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）導体を含む。そのようなパネルの表示エリアをタッチすると、通常、導体領域の容量が変化して検知される。容量の変化は、種々の技法で検知され、検知結果から、タッチの位置を決定することができる。

［０００３］導電層を含む、タッチパネル用積層体は、いくつかの要件が求められる。主要要件として積層体の安定性が挙げられる。積層体の安定性とは、スクリーン上での複数回の接触や劣悪な条件に耐えられるほど安定していて、時間が経ってもタッチスクリーンの信頼性が損なわれないことである。しかしながら、頑丈と考えられるタッチスクリーンに組み入れた従来の積層体のなかには、導電層の厚さ、構成、構造などのために、タッチスクリーンの透光性が十分とはいえないものがある。を更に、安定性に加え、バリアの均一性や無欠陥性の点などで品質を向上させた積層体を製造することは、困難である。

［０００４］また、容量の変化を検知するための導電層として構造化された導電層を使用する積層体の場合には、ユーザからの見え方などの光学的特徴について、特に、考慮する必要がある。したがって、薄膜型のフラットパネルディスプレイないしタッチスクリーンにおいて、オブジェクトの透明性を実現し、導電性に対して（タッチセンサ構造のような）パターンが形成され、従来構造と比較して光学的電気的性能に優れたものを提供すること、が望まれる。

［０００５］かくして、本発明の目的は、上記の従来技術の問題の少なくとも一部を克服し、所望の特性を実現する、タッチパネル用の積層体、タッチパネル、及びタッチパネル用の積層体の形成方法を提供することである。

［０００６］かくして、タッチパネル用の積層体、及び独立請求項によるタッチパネル用の積層体の形成方法が提供される。本発明の更なる態様、利点及び特徴が、従属請求項、明細書及び添付の図面から明らかになる。

［０００７］１つの実施形態によれば、タッチパネル用の積層体が提供される。積層体は、一又は複数の層を堆積させるためのポリマーを含む基板と、透光性導電性酸化物のエリア、及び透光性導電性酸化物のエリア間の間隙を含む、基板上方に提供された透光性導電性酸化物のパターン形成された層とを含む。第１の誘電体材料は、透光性導電性酸化物のパターン形成された層の間隙に提供される。更に、積層体は、透光性導電性酸化物の層の透光性導電性酸化物のエリア上に直接、かつ第１の誘電体材料上に直接堆積している誘電体層とを含む。

［０００８］別の実施形態によれば、タッチパネル用の積層体を形成するための方法が提供される。方法は、ポリマーを含む基板上に透光性導電性酸化物の層を堆積させることと、透光性導電性酸化物のエリア間に間隙を形成するように、透光性導電性酸化物の層をパターン形成することとを含む。方法は、第１の誘電体材料で、透光性導電性酸化物のパターン形成された層の間隙を充填することと；透光性導電性酸化物のパターン形成された層の透光性誘電性酸化物のエリア上に直接堆積した第１の誘電体材料を除去することと；透光性導電性酸化物のエリア上に直接かつ第１の誘電体材料上に直接、誘電体層を提供することとを更に含む。

［０００９］実施形態は、開示された方法を実行する装置も対象とし、記載されたそれぞれの方法ステップを実行する装置部分を含む。これらの方法ステップは、ハードウェア構成要素、もしくは適当なソフトウェアによってプログラムされたコンピュータを手段として、又はこれらの２つの任意の組合せによって、或いは任意の他の方式で実行することができる。更に、本発明による実施形態は、記載された装置が動作する方法も対象とする。方法は、装置のあらゆる機能を実行する方法ステップを含む。

［００１０］本発明の上記の特徴を詳細に理解することができるよう、実施形態を参照することによって、上記で簡潔に概説した本発明のより詳細な説明を得ることができる。添付の図面は、本発明の実施形態に関連し、以下の記述において説明される。

本明細書に記載された実施形態によるタッチパネル用の積層体の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態によるタッチパネル用の例示的積層体製造の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態によるタッチパネル用の例示的積層体製造の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態によるタッチパネル用の例示的積層体製造の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態によるタッチパネル用の例示的積層体製造の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態によるタッチパネル用の例示的積層体製造の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態による積層体の中に提供されたパターン形成されたＴＣＯ層の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態による積層体を含むタッチパネルの断面図を示す。 本明細書に記載された実施形態による、もう１つの側面から図４ａで示されたタッチパネルの断面概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態による積層体の光学的挙動の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態による積層体の光学的挙動の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態によるタッチパネル用の積層体を形成する方法のフローチャートを示す。 本明細書に記載された実施形態によるタッチパネル用の積層体を形成する方法のフローチャートを示す。

［００１１］これより本発明の種々の実施形態が詳細に参照されるが、その一又は複数の例が図示されている。図面に関する以下の説明の中で、同一の参照番号は、同一の構成要素を指す。一般的に、個々の実施形態に関する違いのみが説明される。各例は、本発明の説明として提供されているが、本発明を限定することを意図するものではない。更に、１つの実施形態の一部として図示又は説明される特徴を、他の実施形態で又は他の実施形態と併用して、更なる実施形態を得ることが可能である。本明細書は、かかる修正及び改変を含むことが意図されている。

［００１２］図１は、本明細書に記載された実施形態による積層体１００を示す。典型的な実施形態によれば、積層体は、別の膜上に形成された（例えば、堆積による）多くの膜によって構成される。概して、膜又は層は、基板１１０の上に堆積され得る。本明細書に記載された基板は、ポリマー基板であり得る。本明細書で用いられる用語「基板」は、フレキシブルでない基板、例えば、硬質ポリマー基板、及びウェブ又は箔などのフレキシブル基板の両方を含むものとする。１つの実施形態では、基板は、ポリマー箔、特に、ＰＥＴ箔である。

［００１３］いくつかの実施形態によれば、本明細書に記載された積層体は、タッチパネル用の積層体、特に、タッチパネル用の反射防止積層体であり得る。タッチパネルで使用されるように、本明細書に記載された実施形態による積層体は、パターン形成されたＴＣＯ（透光性導電性酸化物）層を含み、それは、図１でＴＣＯパターン１６０として見ることができる。ＴＣＯ層のパターンは、ＴＣＯのエリア、及びＴＣＯのエリア間の間隙を含み得る。図１では、ＴＣＯパターンの間隙に材料１７０が充填されていると理解できる。誘電体層１８０は、ＴＣＯエリア１６０上に直接、更には材料１７０上に直接堆積される。いくつかの実施形態では、誘電体層１８０は、第２の誘電体材料を含み得る。１つの例では、誘電体層は、最上層として説明され得る。

［００１４］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、本明細書で言及される透光性導電性酸化物は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層（例えば、結晶性のＩＴＯ）、ドープされたＩＴＯ層、不純物がドープされたＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２及びＣｄｏ、ＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｓｎ）、ＡＺＯ（ＺｎＯ：Ａｌ）、ＩＺＯ（ＺｎＯ：Ｉｎ）、ＧＺＯ（ＺｎＯ：Ｇａ）、又はＩＴＯ、ドープされたＩＴＯ、不純物がドープされたＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ２、及びＣｄＯ、ＡＺＯ、ＩＺＯ、ＧＺＯの組み合わせを含む又はその組み合わせから成る複合酸化物であり得る。

［００１５］概して、起伏が多く、壊れないＰＥＴ箔の基板に基づく大型の射影容量タッチパネルセンサには、低いシート抵抗のＴＣＯ層（１５０オーム／スクエア未満のシート抵抗を有するＴＣＯ層など）、ＴＣＯパターニング後のセンサ要素の不可視性を併用した高い光学的中間色透過が必要とされる。最適なデバイス性能について、非常に薄いＩＴＯ層が、ＴＣＯ層の不可視性に必要とされる。例えば、薄型層の厚さは、約２５ｎｍ未満の範囲であり得る。現在の処理技術及び設計集積化スキームは、約１００オーム／スクエアで限定される。低いシート抵抗は、ＴＣＯが積層体の最上部に堆積される現在の層アーキテクチャでは不可能である。

［００１６］タッチパネル用の積層体を製造する標準処理フローでは、ＩＴＯ層が、積層体の最上部に最後の層として堆積される。代替的な既知の層構造では、ＩＴＯ層は、層システム内部に埋め込まれる。この種のものは「埋込型ＩＴＯ」と呼ばれる。埋込型ＩＴＯの場合、相対的に、透光性と無色性（ｃｏｌｏｒ ｎｅｕｔｒａｌ）が高いパターン形成ＩＴＯ層の厚さを厚く形成することができるため、シート抵抗はさらに小さくなる。しかしながら、この種の「埋込型ＩＴＯ」の場合、低下したシート抵抗が低下する一方でＴＣＯ層の厚さが増加していくことから、厚く構造化されたＴＣＯ層が更に見えやすくするなど、改善の余地がある。

［００１７］更に、既知のシステムでは、下位のサンライトリーダビリティ、スクリーンの着色された外観（反射率）、下部のディスプレイからの作成された画像に対する色の変化、及び機能的なスクリーンの構造化されたコア層から多少なりとも見ることができるパターン（例えば、パターン形成された透光性導電性酸化物、ＴＣＯ）が、しばしば得られる。また、導電性は、大面積タッチパネル、例えば、７インチ以上の対角線を有するタッチパネル、特に２０インチ以上の対角線を有するタッチスクリーンには、不十分であり得る。

［００１８］タッチパネルの光学的外観を改良する一方で、同時に層に低い表面抵抗を提供するために、発明者によって、反射防止積層体内部でＴＣＯ層を使用することが発見された。本明細書に記載された実施形態によれば、ＴＣＯパターン間の間隙は、第１の誘電体材料、特に、第１の透光性誘電体材料で充填される。特に、第１の誘電体材料は、ＴＣＯパターンと同一又は類似の光学的パラメータ（屈折率ｎ又は消光係数ｋなど）を提供し得る。図１では、第１の誘電体材料１７０は、ＴＣＯパターン１６０の間隙に見られる。いくつかの実施形態によれば、第１の誘電体材料を伴うパターン形成されたＴＣＯ層は、パターン構造を含まない閉鎖膜のように光学的挙動を行う。この挙動により、反射防止コーティングスタック内部での適用が可能になる。いくつかの実施形態では、ＴＣＯパターンの間隙は、第２の誘電体材料が、ＴＣＯパターン上に直接かつ第１の誘電体材料上に直接堆積される前に、第１の誘電体材料で充填される。

［００１９］１つの実施形態では、ＴＣＯ層の間隙内に充填されている第１の誘電体材料は、ＴＣＯ層と同一又は類似の光学的特性を有し得る。例えば、特性は、記載された特性の値が、類似の値から最大で約１５％までずれる場合に、「類似」であると表示され得る。

［００２０］１つの実施形態において、ＩＴＯがＴＣＯとして使用される場合、第１の誘電体材料の屈折率は、およそｎ＝２．０からおよそｎ＝２．３５であり得る。第１の誘電体材料の屈折率は、屈折率ｎの値について最大で１５％ほどずれることがある。第１の誘電体材料の消光係数ｋは、約２．１１ｅ^−１であり、消光係数ｋの値について１５％のずれを含むことがある。ＴＣＯの光学的特性と類似又は同一の第１の誘電体材料の他の光学的特性は、約０．４７１μｍ^−１の色分散ｄｎ／ｄλ及び１．０６２３ｅ＋５ｃｍ^−１の吸収係数αを含み得、これにより、これらの値の各々が、ＴＣＯ層のそれぞれの値に類似するような約１５％のずれを含み得る。

［００２１］ＴＣＯパターンの間隙に充填される第１の誘電体材料は、ＴＣＯ材料次第で、特に、ＴＣＯ材料の光学的特徴次第で、選択され得る。いくつかの実施形態によれば、ＴＣＯパターン間の間隙を充填する第１の誘電体材料は、例えば、化学式ＳｉＮｘＯｙを含む材料であり得る。いくつかの実施形態では、第１の誘電体材料は、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＺｎＯ、及び／又はＳｎＯ_２を含み得る。

［００２２］記載された実施形態による積層体の構造のため、導電性膜が、本体を介した光の最適透過を損傷しないことが促進される。特に、この実施形態による積層体は、導電性膜、更には構造化された導電性膜でさえもが、光の透過に悪影響を及ぼすことなく、不所望な反射特性を回避することを促進する。

［００２３］間隙充填されたＴＣＯ層の反射防止積層体の１つの実施形態が、図１に示される。上記基板１１０、ＴＣＯパターン１６０、ＴＣＯパターンの間隙の第１の誘電体材料１７０、第２の誘電体材料から形成されている誘電体層１８０に加え、積層体１００は、例えば、基板上の次に続く層の接着を改善し、及び次に続く層に対するシード層、基板に対するバリア層又は同種のものとしての役割を果たす、接着層１２０を含み得る。接着層１２０は、ＳｉＯ_ｘなどの酸化ケイ素を含み得る。例えば、接着層は、ＳｉＯ_２又はＳｉＯを含み得る。いくつかの実施形態によれば、接着層は、薄い層であり得る。薄い接着層は、約２５ｎｍの層の厚さを提供し得る。

［００２４］例示的に示される積層体１００は、高い屈折率及び低い屈折率を有する材料（ＳｉＯｘ、ＴｉＯｘ、ＮｂＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＡｌＯｘ、ＡｌＯｘＮｙ、ＭｇＦ_２、ＴａＯｘなど）を含み得る。例えば、第１の高屈折率の層１３０、低屈折率の層１４０、及び第２の高屈折率の層１５０が、接着層とＴＣＯ層との間に提供される。

［００２５］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせられ得る１つの実施形態では、高屈折率の層（又はまさに高屈折率の層）１３０又は１５０は、１．８を上回る屈折率を有し得る。例えば、ニオブ酸化物含有膜は、高屈折率の層として堆積され得る。高屈折率を有する膜は、例えば、ＮｂＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＡｌＯｘＮｙ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｒＯｘ又は同種のものを含む膜によって、提供され得る。いくつかの実施形態によれば、膜を含むニオブ酸化物は、Ｎｂ_２Ｏ_５など、Ｎｂ_ｘＯ_ｙのような化学式を有し得る。

［００２６］いくつかの実施形態によれば、低屈折率を有する膜は、ＳｉＯ_ｘ、ＭｇＦ_ｘ、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ、又は同種のもの、例えば、ＳｉＯ_２などを含む膜によって提供することができる。低屈折率の層又はまさに低屈折率の層として説明されている層は、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせられ得る１つの実施形態では、１．６を下回る屈折率を有し得る。

［００２７］本明細書に記載された、いくつかの実施形態によれば、本明細書に記載された誘電体層の第２の誘電体材料は、ＴＣＯパターンの間隙に提供されている第１の誘電体材料と異なる誘電体材料であり得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせられ得る１つの実施形態では、誘電体層は、上記の低屈折率材料を含み得る。例えば、誘電体層は、ＳｉＯ_２を含み得る。低屈折率の層である誘電体層は、その下に配置された積層体を安定化処理するだけではなく、積層体を反射防止積層体にするのに貢献し得る。いくつかの実施形態では、同一の誘電体材料が、第１及び第２の誘電体材料に使用されてもよい。

［００２８］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせられ得るいくつかの実施形態によれば、誘電体層（図１に記載された誘電体層１８０及び図２ｅに記載された以下の誘電体層２８０）は、「屈折率分布」層として形成され得る。屈折率分布層では、層の材料の屈折率は、第１の値から第２の値までシフトし得る。１つの実施形態では、屈折率分布層の屈折率は、連続的に又は段階的にシフトし得る。例えば、誘電体層の屈折率は、ＴＣＯ層の屈折率からＳｉＯ_２の屈折率までの範囲、例えば、ＩＴＯ層と接触する側での屈折率２．０（ＩＴＯの屈折率である）から、ＳｉＯｘＮｙ（ｎ＝１．９）、ＳｉＯｘＮｙ（ｎ＝１．８）などの屈折率を超えて、ＳｉＯ_２（ｎ＝１．４６）の屈折率までの範囲などの屈折率を有し得る。

［００２９］更に、以下の明細書中で、層又は膜は、堆積する材料の量と理解され得る。特に、材料の量は、定義された厚さを有する層を形成するために基板の上又は別の層の上に堆積され得る。いくつかの実施形態によれば、層は、別の材料の上に堆積している材料の量と定義され得る。層は、材料の量の単なる堆積によって、材料の堆積及び後続の処理（エッチング、レベリング、インプリント方法若しくは同種のものなど）によって、又は定義された方法で堆積及び処理されている複数の材料の組成物によって、形成され得る。例えば、パターン形成された材料及び均一の光学的外観を有するためのパターンの間隙に充填されている材料は、一体的に層を形成し得る。特に、パターン及びパターンの間隙における充填によって形成される層は、実質的に均一な厚さを有し、１つの層として表示され得る。それでもなお、材料上の層の先ほどの説明にしたがって、間隙を充填するパターン形成された層の上に堆積され、かつパターン上に提供されている材料もまた、層として表示され得る。

［００３０］図２ａから図２ｅにおいて、図１に記載された積層体を形成する例が示される。図２ａでは、積層体２００は、基板２１０、接着層２２０、第１の高屈折率層２３０、低屈折率層２４０及び第２の高屈折率層２５０を含む。いくつかの実施形態によれば、図２ａから図２ｅに記載された層は、図１に関して記載されたような層であり得る。例えば、図２ａから図２ｅに記載された層の材料及び特性は、図１に関して記載されたもの（例えば、光学的特性）と同一であり得る。

［００３１］図２ａに示される実施形態では、ＴＣＯ層２６０は、第２の高屈折率層２５０上に堆積される。ＴＣＯ層２６０は、典型的には、約２５ｎｍから約９０ｎｍまでの厚さ、より典型的には、約３０ｎｍから約７０ｎｍまでの厚さ、更により典型的には、約４０ｎｍから約６０ｎｍまでの厚さを有し得る。１つの例では、ＴＣＯ層の厚さは、約５０ｎｍであり得る。

［００３２］明確に示されていないが、図２ａに示された積層体２００は、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態において、ＴＣＯ層上に堆積されたコンタクト層を更に含み得る。コンタクト層は、銅などの金属を含み得る。例えば、コンタクト層は、タッチパネル配置において本明細書に記載された実施形態により形成された積層体を使用することができるように提供され得る。コンタクト層は、以下に詳しく記載されるように、ＴＣＯ層、又はパターン形成されたＴＣＯ層へのコンタクトを提供するために形成及び使用され得る。代替的には、Ａｇペーストが、ＴＣＯ層へのコンタクトのためにタッチパネルに提供され得る。

［００３３］図２ｂは、図２ａに示された積層体２００であるが、パターン形成されたＴＣＯ層２６０を含む積層体２００を示す。パターンは、ＴＣＯ材料のエリア２６１、及びＴＣＯ材料のエリア２６１の間の間隙２６２を含み得る。いくつかの実施形態によれば、ＴＣＯエリア２６１の間の間隙２６２は、ＴＣＯ材料を実質的に含まない。ＴＣＯパターンを形成するために、ＴＣＯ層２６０は、例えば、所望パターンの悪影響（ｎｅｇａｔｉｖｅ）を提供するマスクを使用するなどの類似処理によって、エッチング又は処理され得る。いくつかの実施形態によれば、コンタクト層はまた、パターン形成され得、又はコンタクト層の一部は、タッチパネル用の所望の積層体及び／又はタッチパネル用のコンタクトラインを形成するために除去され得る。

［００３４］いくつかの実施形態によれば、ＴＣＯ層２６０のパターン形成は、インプリント方法によって、特にマルチレベルのインプリント方法によって（例えば、銅もまたエッチングされるであろう場合に）、実行され得る。例えば、マルチレベルインプリント方法は、ポリマーコーティングによってパターン形成される層（本実施形態では、層２６０など）をコーティングすることと、ポリマーコーティングをエンボス加工することと、エンボス加工されたポリマーコーティングをＵＶ光の使用によるなどして硬化させることと、エンボス加工構造を解除することによってエンボス加工されたポリマーコーティングを露出することと、マスクとしてポリマーコートを使用することによってパターンをエッチングすることとを含み得る。これにより、ＴＣＯのエリア及びＴＣＯエリア間の間隙を含む上記のパターンが形成され得る。

［００３５］いくつかの実施形態によれば、ＴＣＯ層は、約１５０オーム／スクエア以下の表面抵抗を有し得る。１つの実施形態では、ＴＣＯ層の表面抵抗は、典型的には、約１００オーム／スクエア未満であり、より典型的には、約８０オーム／スクエア未満であり、更により典型的には、約７０オーム／スクエア未満である。１つの例では、ＴＣＯ層は、約５０オーム／スクエアの表面抵抗を提供する。

［００３６］概して、構造化されたＴＣＯパターン、例えば、ＴＣＯのラインは、オームでのライン抵抗に対応する。しかしながら、シート抵抗は、関連のあるパラメータであり、テストエリアの堆積によって決定することができる、又はパターン形成された構造の抵抗及び構造の形状寸法に基づき、決定又は計算することができる。したがって、構造層のシート抵抗は、直接的に（更に間接的に）決定できず、むしろ非構造化層の抵抗を指すとしても、当業者であれば、構造化された層の値に対応するシート抵抗を関係付けるだろう。

［００３７］図２ａから図２ｅが、ＴＣＯのエリアとしてストライプ又はスクエアラの単純なパターンを示すのに対して、図３は、ＴＣＯパターンを含む層の更なる例を示す。ＴＣＯ層３００は、ＴＣＯエリア３２０、及びＴＣＯエリア３２０間の間隙３３０を有する。図３から分かるように、ＴＣＯのパターンは、１つの方向にＴＣＯエリア３２０を結合し、別の方向へのＴＣＯエリア３２０間の結合を実質的に提供し得ない。例えば、ＴＣＯエリア３２０の列３１０が、ＴＣＯエリア３２０を結合することによって形成される一方で、列３１０の間は、実質的に結合されない。図３に示された例では、ＴＣＯパターンは、ひし形のようなＴＣＯエリアを含む；しかし、本明細書に記載されたＴＣＯパターンは、図示されたパターンに限定されず、ストライプ形状、長方形形状、二次形状、三角形形状、多角形形状、又はタッチパネルでＴＣＯ層に使用するのに適した任意の形状を有するＴＣＯエリアなど、異なる形状のＴＣＯエリアを提供し得る。いくつかの実施形態によれば、ＴＣＯエリアは、典型的には、約１ｍｍから約７ｍｍまで、より典型的には、約２ｍｍから約６ｍｍまで、更により典型的には、約３ｍｍから約５ｍｍまでの直径を有し得る。１つの実施形態では、ＴＣＯエリアの直径（図３の参照番号３２５により示される）は、３ｍｍであり得る。用語「直径」は、ＴＣＯエリアの形状により決まり、また１つの方向でのＴＣＯエリアの寸法によって画定され得ると理解すべきである。いくつかの実施形態によれば、既に先ほど説明されたように、ＴＣＯエリアは、経路（経路３２６など）によって結合され得る。１つの実施形態では、列３１０を形成するために１つの方向にＴＣＯエリア３２０を結合する経路３２６は、約１ｍｍの幅３２７を有し得る。

［００３８］図３は、ＴＣＯパターンと接触している銅線３４０を更に示す。いくつかの実施形態によれば、銅線３４０は、ＴＣＯパターンをコントローラ３５０と結合する。例えば、コントローラ３５０は、ＴＣＯパターン及び銅線を通過し、タッチスクリーンに触れることによって誘導される電流の差を検出し得る。

［００３９］図２ａから図２ｅを再び参照すると、パターン形成されたＴＣＯ層２６０は、図２ｃの第１の誘電体材料２７０によって覆われる。第１の誘電体材料２７０は、ＴＣＯ層２６０と類似又は同一の光学的特性を有するなど、図１に記載された第１の誘電体材料と同一の特性を有し得る。第１の誘電体層２７０の堆積は、ＴＣＯパターンの間隙２６２を充填する。

［００４０］いくつかの実施形態によれば、第１の誘電体材料は、図２ｃに示されるようにＴＣＯ層を覆って堆積し、更なるステップ（図２ｄに示される）で、ＴＣＯパターン２６０上方にある（又はＴＣＯパターンの画定された厚さ上方にある）第１の誘電体材料が除去される。いくつかの実施形態によれば、ＴＣＯ層２６０最上部の第１の誘電体材料２７０は、エッチングステップによって除去される。

［００４１］図面に示される図が、寸法の正しい縮尺を示していないと理解すべきである。例えば、第１の誘電体材料の層２７０は、ＴＣＯ層と実質的に同じ厚さであり、ＴＣＯパターン上方に提供される層２７０の一部又は粒子を除去する前に、堆積処理のためＴＣＯパターン上に第１の誘電体材料の粒子を提供し得る。図２ｄで実行される処理ステップの後に、即ち、ＴＣＯパターンから第１の誘電体材料を除去した後に、第１の誘電体材料２７０の層は、約５０ｎｍの厚さなど、ＴＣＯ層２６０と実質的に同一の厚さを有し得る。いくつかの実施形態によれば、ＴＣＯパターン２６０及び第１の誘電体材料２７０は、実質的に均一な厚さを有する層２６５を形成し得る。

［００４２］図２ｅでは、誘電体層２８０が、ＴＣＯエリア上に直接、かつ第１の誘電体材料２７０上に直接堆積する。いくつかの実施形態によれば、誘電体層２８０は、第１の誘電体材料と異なり得る、又は先ほど記載されたように低屈折率の材料であり得る、第２の誘電体材料を含み得る。例えば、誘電体層は、ＳｉＯ_２などのＳｉＯ_ｘを含み得る。

［００４３］「層が材料の上に直接堆積する」、又は「層が別の層の上に直接堆積する」という表現は、互いに直接堆積している層又は材料の間に、更なる層が実質的に堆積しない状況を指すと理解すべきである。しかしながら、１つの層を他の層の上に直接提供することを妨げることなく、２つの層の間にあり得る層上に以前に提供された他の材料の汚染物、粒子又は残骸が存在し得る。いくつかの実施形態によれば、互いの上に直接提供される２つの層の間の汚染物は、互いの上に直接提供される層の表面積の１５％までを占め得る。１つの実施形態では、第１の材料を第２の材料の上に直接提供することは、第２の材料の少なくとも約８５％が第１の材料と直接、接触することを意味し得る。例えば、本明細書に記載されたＴＣＯのエリア上に直接堆積する誘電体層は、ＴＣＯエリアの表面の８５％以上が誘電体層によって直接覆われていることを意味し得る。いくつかの実施形態によれば、ＴＣＯパターンで存在するすべてのＴＣＯエリアは、第２の誘電体材料によって直接覆われている。同一のものがＴＣＯ間隙の第１の誘電体材料に関する具体的な例の中で適用され、これにより本明細書に記載された誘電体層には、第１の誘電体材料が提供又は直接堆積（又は接触）される。

［００４４］いくつかの実施形態によれば、特にコンタクト層を含む実施形態によれば、誘電体層２８０は、コンタクト層の覆いを外すためにインプリントステップ（先ほど記載されたようなインプリント方法など）、又は導電性構造と接触することができるコンタクトパターンにさらされ得る。

［００４５］図４ａは、本明細書に記載された実施形態によるタッチパネルの層構造の例の断面図を示す。タッチパネル用の層構造４００は、フレキシブル基板４１０、接着層４２０、第１の高屈折率層４３０、第１の低屈折率層４４０、及び第２の高屈折率層４５０を含み得る。タッチパネルの層構造４００は、ＴＣＯのエリア及びＴＣＯのエリア間の間隙を有するＴＣＯパターン４６０を更に含む。ＴＣＯのエリア間の間隙は、第１の誘電体材料４７０で充填される。いくつかの実施形態によれば、層の材料は、図１及び図２ａから図２ｅの積層体の前述の層の中の材料に対応し得る。例えば、ＴＣＯ層のパターンは、先ほど記載されたようにインプリント方法によって形成され得る。１つの実施形態では、コンタクト層（銅層など）はまた、ＴＣＯ層と接触するためにスタックの中にも形成され得る。代替的には、バスバーを提供するために、Ａｇペーストが提供され得る。

［００４６］図４ａに示されたタッチパネルの断面図はまた、ＴＣＯパターンの間隙の中の第１の誘電体材料４７０上に直接、かつＴＣＯパターン４６０のＴＣＯエリア上に直接提供される第２の誘電体材料を含む層４８０を含む。層４８０は、分離層として表示され得る。１つの実施形態では、層４８０は、ＳｉＯ_２を含む。

［００４７］いくつかの実施形態によれば、タッチパネル４００は、層４６１及び層４８１を含む。層４６１は、実質的には層４６０のように提供され得る。例えば、層４６１は、第２のＴＣＯ層であり、層４８１は、第２の誘電体層であり得る。これは例えば、層４６１が、ＴＣＯのエリアと、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２又は化学式ＳｉＮ_ｘＯ_ｙを有する材料を含み得る、前述の第１の誘電体材料などの誘電体材料で充填されるＴＣＯのエリア間の間隙とを含むＴＣＯパターンを含み得ることを意味している。いくつかの実施形態によれば、図４ａのＴＣＯパターン４６０が、実質的にｘ方向に向かうＴＣＯのラインによって提供されるのに対し、層４６１のＴＣＯパターンは、図４ａの左側の座標系に示されるように、実質的にｙ方向に向かうラインを含む。

［００４８］図４ｂでは、タッチパネル４００の断面図が、図４ａ及び図４ｂのそばに示された座標系から分かるように、９０度回転後の観点から示されている。図４ｂでは、ＴＣＯエリア４６２及びＴＣＯエリア４６２の間の間隙を有するＴＣＯパターンを含む層４６１の構造を見ることができる。本明細書に記載された実施形態によれば、ＴＣＯエリア４６２の間の間隙は、前述の第１の誘電体材料などの誘電体材料４６３で充填される。

［００４９］図４ａ及び図４ｂに示される構造により、容量性のタッチパネルが提供され得る。タッチパネルは、図４ａ及び図４ｂの２つの層４６０と４６１との間の容量性変動の感知を使用し得る。いくつかの実施形態によれば、層４６０及び４６１はまた、導電層としても表示され得る。２つの導電層は、互いに平行に配置され、分離層（層４８０など）によって間隔が空けられてもよい。電流が印加されると（例えば、例示的には銅から形成される前述のコンタクトラインによって）、蓄積された電子の場（ｆｉｅｌｄ）が導電層の間で実現される。フィンガ又は適するスティックがタッチパネルに触れ、又はパネルに極めて接近すると、２つの導電層間の容量の値が影響を受け、変動するだろう。この変動（例えば、コントローラによる）を感知することによって、触れた位置をリンクされたコントローラ専用アルゴリズムなどによって示すことができる。

［００５０］図５は、本明細書に記載された実施形態による積層体の光学的挙動の概略図を示す。図５に光学的挙動が示される積層体は、約５０ｎｍの厚さを有するパターン形成されたＴＣＯ層を含む。横座標の軸には、約３８０ｎｍから約７８０ｎｍまでの範囲の波長が示される。縦座標の軸は、入射光の百分率で積層体の透過挙動を示す。当業者は、図５から、約４３０ｎｍから約７８０ｎｍまでの波長での透過が９０％を上回り、約５４０ｎｍから約７４０ｎｍまでの波長での透過が９５％を上回ることを認識するだろう。したがって、本明細書に記載された実施形態による積層体は、既知のシステムと比較して向上した光学的透過率を提供する。また、本明細書に記載された実施形態による積層体は、例えば、積層体の中に比較的厚いＴＣＯ層を提供することによって、約５０オーム／スクエアの低い表面抵抗を提供する。

［００５１］図６は、本明細書に記載された実施形態による積層体の光学的挙動の概略図を示す。図６に光学的挙動が示される積層体は、約５０ｎｍの厚さを有するパターン形成されたＴＣＯ層を含む。横座標の軸には、約４００ｎｍから約８００ｎｍまでの範囲の波長が示される。縦座標の軸は、入射光の百分率で積層体の反射挙動を示す。当業者は、図６から、約４４０ｎｍから約６６０ｎｍまでの波長での反射が０．５％を下回り、約４４０ｎｍから約６００ｎｍまでの波長での反射が０．２％を下回ることを認識するだろう。したがって、本明細書に記載された実施形態による積層体が、タッチパネルの反射防止積層体として作用するのに対し、同時に、画定された表面抵抗を有する信頼できる導電層を提供し得る。

［００５２］図７は、本明細書に記載された実施形態によるタッチパネル用の積層体を形成する方法のフローチャートを示す。方法７００は、ボックス７１０において、基板上にＴＣＯ層を堆積させることを含む。例えば、基板は、ポリマーを含み得る。本明細書に記載された、いくつかの実施形態によれば、基板は、ウェブ、箔、又はフレキシブル基板であり得る。１つの実施形態では、コーティングされる基板は、ＰＥＴ基板、特に、ＰＥＴ箔である。ボックス７２０では、基板上に堆積したＴＣＯ層は、パターン形成される。パターン形成することは、エッチングステップ、マルチレベルインプリント方法又は同種のものによって実行され得る。本明細書に記載された実施形態によれば、パターン形成されたＴＣＯ層のパターンは、ＴＣＯのエリア、及びＴＣＯのエリア間の間隙を含む。

［００５３］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせ得る、本明細書に記載された、いくつかの実施形態によれば、コーティングされる基板は、ウェブであり得るが、また大面積基板も含み得る。いくつかの実施形態では、基板は、約０．６７ｍ^２の基板（０．７３×０．９２ｍ）に相当するＧＥＮ４．５、約１．４ｍ^２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に相当するＧＥＮ５、約４．２９ｍ^２の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に相当するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ^２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に相当するＧＥＮ８．５、又は約８．７ｍ^２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に相当するＧＥＮ１０でさえあり得る。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２などの更に大きな世代並びにこれらに相当する基板面積が、同様に実現され得る。

［００５４］いくつかの実施形態によれば、方法７００は、ボックス７３０を更に含み、ボックス７３０では、パターン形成されたＴＣＯ層の間隙が第１の誘電体材料で充填される。第１の誘電体材料は、ＴＣＯ層と同一又は少なくとも類似の光学的特性を有し得る。例えば、第１の誘電体材料は、図１及び図２ａから図２ｅを参照して先ほど記載されたように、第１の誘電体材料であり得る；特に、第１の誘電体層は、ＴＣＯパターンで使用されるＴＣＯと同一若しくは類似の消光係数ｋ及び／又は同一若しくは類似の屈折率ｎを有し得る。

［００５５］ボックス７４０では、タッチパネル用の積層体を形成するための方法７００は、パターン形成されたＴＣＯ層のＴＣＯエリア上に直接堆積する誘電体材料を除去することを含む。１つの実施形態では、ＴＣＯのエリア間の間隙の充填が、図２ｃ及び図２ｄに記載されるように、即ち、ＴＣＯ層の間及びＴＣＯ層の上方に第１の誘電体材料を提供することによって、実行される。続いて、ＴＣＯエリア上方に提供される第１の誘電体材料は、第１の誘電体材料が、ＴＣＯエリアの上方ではなく、ＴＣＯエリア間の間隙だけに存在するように、除去され得る。いくつかの実施形態によれば、したがって、第１の誘電体材料は、ＴＣＯ層の厚さに対応する厚さで形成される。ＴＣＯ層及び第１の誘電体材料の厚さは、典型的には、約２５ｎｍから約９０ｎｍまで、より典型的には、約３０ｎｍから約７０ｎｍまで、更により典型的には、約４０ｎｍから約６０ｎｍまでであり得る。１つの例では、ＴＣＯ層の厚さは、約５０ｎｍであり得る。

［００５６］本明細書に記載された実施形態によれば、方法７００のボックス７５０は、ＴＣＯエリア上に直接、かつ第１の誘電体材料上に直接誘電体層を提供することを含む。１つの層を別の層へ直接堆積させることが、先ほど記載及び定義されたように実行され得る。例えば、第１の材料を第２の材料の上に直接提供することは、第２の材料の約８５％が第１の材料と直接、接触することを意味し得る。例えば、本明細書に記載されたＴＣＯのエリア上に直接堆積する誘電体層は、ＴＣＯエリアの表面の８５％以上が誘電体層によって直接覆われていることを意味し得る。同一のものがＴＣＯ間隙の第１の誘電体材料に関する具体的な例の中で適用され、これにより本明細書に記載された誘電体層には、第１の誘電体材料が提供又は直接堆積（又は接触）される。

［００５７］いくつかの実施形態によれば、ポリマー基板上への材料の堆積は、典型的には約１５０℃未満、より典型的には約１２０℃未満、更により典型的には１００℃未満の温度で起こり得る。１つの実施形態では、本明細書に記載された層堆積、とりわけＴＣＯ材料の層堆積は、特にＰＥＴ箔が基板として使用される場合に、約８０℃の温度で起こり得る。本明細書に記載された層の堆積は、スパッタ処理、例えば、ターゲット又は回転ターゲットを使用したスパッタ処理によって実行され得る。

［００５８］１つの実施形態では、タッチパネル用の積層体を形成するための方法は、ＴＣＯ層の堆積前に基板上に直接、接着層を堆積させることを含む。接着層は、基板上に続いて形成される層の接着を向上させる働きをするが、分離層だけではなくバリア層の特性も提供し得る。１つの実施形態では、接着層は、ＳｉＯ_２などのＳｉＯ_ｘを含む材料を含み得る。接着層は、約２５ｎｍ以下の厚さを有する薄い層であり得る。接着層の堆積後に、第１の高屈折率の層が、接着層上に形成され得る。第１の高屈折率の層は、１．８より高い高屈折率を有する材料を含み得る。例えば、高屈折率を有する材料は、Ｎｂ_２Ｏ_５などのＮｂ_ｘＯ_ｙを含み得る。第１の高屈折率の層上に、第１の低屈折率の層が堆積され得る。１つの実施形態では、低屈折率の層は、１．６より低い屈折率を有する材料を含み得る。例えば、第１の低屈折率の層は、ＳｉＯ_２などの材料を含み得る。１つの実施形態では、低屈折率の層上に、第２の高屈折率の層が形成され得る。第２の高屈折率の層は、第１の低屈折率の層に類似した層であり得、例えば、第１の高屈折率の層の材料と比較して、同一の材料及び／又は同一若しくは類似の材料特性を提供する。いくつかの実施形態によれば、前述のＴＣＯ層の堆積は、第２の高屈折率の層上で実行され得る。

［００５９］図８は、タッチパネル用の積層体を形成する方法の実施形態のフローチャート８００を示す。概して、ボックス８１０、８２０、８３０、８４０、及び８５０は、方法７００のボックス７１０、７２０、７３０、７４０、及び７５０にそれぞれ対応し得る。方法８００は、ボックス８１０におけるポリマーを含む基板上へのＴＣＯ層堆積後に、ボックス８１５において、ＴＣＯ層上にコンタクト層を堆積させることを更に含む。コンタクト層は、ボックス８２０において、ＴＣＯ層のパターン形成前に堆積され得る。１つの実施形態では、コンタクト層は、銅層を含み得る。

［００６０］ボックス８２０の後に実行され得るボックス８２５において、コンタクト層は、第１の誘電体材料でパターン形成されたＴＣＯ層の間隙を充填する前に、パターン形成され得る。いくつかの実施形態によれば、コンタクト層及びＴＣＯ層のパターン形成は、同時に実行され得る。コンタクト層のパターン形成後、ボックス８３０において、第１の誘電体材料がＴＣＯエリア間の間隙に充填され得、ボックス８４０において、ＴＣＯパターン及び誘電体材料の充填を含む均一の層を有するように、パターン形成されたＴＣＯ層のＴＣＯエリア上に直接堆積する誘電体材料が、ＴＣＯエリアから除去され得る。ボックス８５０は、先ほど記載されたように、ＴＣＯエリア上に直接、かつ第１の誘電体材料上に直接誘電体層を提供することを含み得る。

［００６１］銅がコンタクトの可能性として使用され、ＴＣＯ層上に堆積されるいくつかの実施形態によれば、タッチパネル用の積層体を形成する方法は、ＴＣＯ層及びコンタクト層をパターン形成するための２つのレベルのインプリント方法又は他のリソグラフィ方法を含み得る。２つのレベルのインプリント方法の後に、コンタクト層は、エッチングされる（パターンを形成するために）。１つの実施形態では、ＴＣＯは、ＴＣＯパターン形成のためにコンタクト層がエッチングされた後に、エッチングされる。先述のように、エッチングされたパターンは、ＴＣＯエリア、及びＴＣＯエリア間の間隙を含み得る。続いて、第１の誘電体材料が、ＴＣＯエリア間の間隙に充填され、特に、第１の誘電体材料は、ＴＣＯ（例えば、化学式ＳｉＮ_ｘＯ_ｙを有する材料）と同じ屈折率及び／又は同じ消光係数を有する。第１の誘電体材料の堆積後、第２のインプリント方法又は対応するリソグラフィ方法が使用される。続いて、特に、ＴＣＯエリア上にある第１の誘電体材料を除去するために、更には、ＴＣＯパターン及び均一の光学的外観を有する第１の誘電体材料を含む閉鎖層を形成するために、堆積した第１の誘電体材料がエッチングされる。第１の誘電体材料のエッチングの後に、ＳｉＯ_２を含み得る、誘電体層などの低屈折率の層が、ＴＣＯパターン及び第１の誘電体材料を含む閉鎖層上に堆積され、第３のインプリント方法又は対応するリソグラフィ方法によって処理され、エッチングされ得る。例えば、コンタクト層又はコンタクトパターン（結合ラインとして提供され得る）を露出するために、特に、コンタクトパターンを露出して、コントローラに結合され得る（図３に示された例ついては）コンタクトラインを介してＴＣＯ層と接触することができるように、誘電体層がエッチングされ得る。

［００６２］本明細書に記載される実施形態によれば、第１の誘電体材料を伴うパターン形成されたＴＣＯ層は、パターン構造を含まない閉鎖膜のように光学的挙動を行う。ＴＣＯのエリア及び間隙に充填される誘電体材料は、光学的に均一な層を形成する。特に、ＴＣＯエリア及びＴＣＯエリア間の誘電体充填によって形成される膜は、典型的には、約２５ｎｍから約９０ｎｍまでの厚さ、より典型的には、約３０ｎｍから約７０ｎｍまでの厚さ、更により典型的には、約４０ｎｍから約６０ｎｍまでの厚さを有し得る。１つの例では、ＴＣＯエリア及び誘電体充填を含む層の厚さは、約５０ｎｍであり得る。厚さの値は、単なるＴＣＯ層の厚さの値に対応する。ＴＣＯエリア間で堆積した第１誘電体材料は、ＴＣＯエリアの上方には実質的には提供されない。しかしながら、例外は、先述の除去ステップから残った汚染物又は粒子であり得る。実質的には、パターン形成されたＴＣＯ層及び第１の誘電体材料は、均一の光学的外観、特に先ほど言及された厚さを有する層を形成する。

［００６３］本明細書に記載された実施形態による積層体、本明細書に記載された実施形態による積層体を含むタッチパネル、及び本明細書に記載された実施形態による積層体を形成するための方法は、高い透過率、及び同時に低い表面抵抗を提供する。ＴＣＯパターンは、反射防止積層体の中で、ほとんど又は完全に目に見えない。したがって、本明細書に記載された積層体を含むタッチパネルが、改善された光学的外観を有しているのに対し、導電層は、ポリマー基板上に提供され、いくつかの実施形態では、限定された温度での層堆積だけを可能にする。

［００６４］本明細書は、最良の形態を含む本発明を開示し、かつ任意の当業者が本発明を実施し、利用できるようにするために複数の例を用いる。本発明は種々の具体的な実施形態に関して説明されてきたが、特許請求の範囲の精神及び範囲内で、変更を加えて本発明を実施できることが当業者には認識されよう。特に、上記の実施形態及び変更形態の複数の例の互いに非排他的な特徴は、互いに組み合わせることができる。

［００６５］上記の記述は本発明の実施形態を対象としているが、本発明のその他の実施形態及び更なる実施形態が、本発明の基本的な範囲を逸脱することなく、考案され、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。

Claims (15)

1. タッチパネル用の積層体（１００；２００）を形成する方法（７００；８００）であって、
   ポリマーを含む基板（１１０；２１０）上に透光性導電性酸化物の層を堆積させること（７１０；８１０）と、
   透光性導電性酸化物のエリア間に間隙が形成されるようにして、前記透光性導電性酸化物の層（１６０；２６０）をパターン形成すること（７２０；８２０）と、
   前記透光性導電性酸化物のパターン形成された層（１６０；２６０）における前記間隙を第１の誘電体材料（１７０；２７０）で充填すること（７３０；８３０）と、
   前記透光性導電性酸化物のパターン形成された層（１６０；２６０）の前記透光性誘電性酸化物のエリア上に直接堆積した前記第１の誘電体材料（１７０；２７０）を除去すること（７４０；８４０）と、
   前記透光性導電性酸化物のエリア上に直接かつ前記第１の誘電体材料（１７０；２７０）上に直接、誘電体層（１８０；２８０）を設けること（７５０；８５０）と
   を含む方法。
2. 前記第１の誘電体材料で前記間隙を充填すること（７３０；８３０）が、前記透光性導電性酸化物の層（１６０；２６０）と実質的に同一の屈折率、及び前記透光性導電性酸化物の層（１６０；２６０）と実質的に同一の消光係数のうちの少なくとも１つを有する誘電体材料を選択することを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記基板（１１０；２１０）上に前記透光性導電性酸化物の層（１６０；２６０）を堆積させることが、フレキシブル基板、熱可塑性基板、箔、及びＰＥＴ箔のうちの少なくとも１つを含む前記基板上に前記透光性導電性酸化物の層を堆積させることを含む、請求項１又は２に記載の方法。
4. 更に、前記透光性導電性酸化物の層（１６０；２６０）を堆積させる（７１０；８１０）前に、
   前記基板（１１０；２１０）上に直接、接着層（１２０；２２０）を堆積させることと、
   前記接着層（１２０；２２０）上に第１の高屈折率の層（１３０；２３０）を堆積させることと、
   前記第１の高屈折率の層（１３０；２３０）上に第１の低屈折率の層（１４０；２４０）を堆積させることと、
   前記第１の低屈折率の層（１４０；２５０）上に第２の高屈折率の層（１５０；２５０）を堆積させることと
   を含む、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
5. 更に、前記透光性導電性酸化物の層をパターン形成する前に、前記透光性導電性酸化物の層（１６０；２６０）上にコンタクト層、特に銅層を堆積させること（８１５）と、；
   前記第１の誘電体材料（１７０；２７０）で前記透光性導電性酸化物のパターン形成された層の前記間隙を充填する（８３０）前に、前記透光性導電性酸化物の層（１６０；２６０）及び前記コンタクト層をパターン形成すること（８２５）と
   を含む、請求項１から４の何れか一項に記載の方法。
6. 特に請求項１から５の何れか一項に記載の方法によって製造された、タッチパネル用の積層体（１００；２００）であって、
   一又は複数の層を堆積させるためのポリマーを含む基板（１１０；２１０）と、
   透光性導電性酸化物のエリア、及び前記透光性導電性酸化物のエリア間の間隙を含む、前記基板（１１０；２１０）上方に提供された透光性導電性酸化物のパターン形成された層（１６０；２６０）と、
   前記透光性導電性酸化物のパターン形成された層（１６０；２６０）の前記間隙に提供された第１の誘電体材料（１７０；２７０）と、
   前記透光性導電性酸化物の層（１６０；２６０）の前記透光性導電性酸化物のエリア上に直接堆積し、かつ前記第１の誘電体材料（１７０；２７０）上に直接堆積している誘電体層（１８０；２８０）と
   を含む積層体。
7. 前記基板（１１０；２１０）が、熱可塑性基板、フレキシブル基板、箔、及びＰＥＴ箔のうちの少なくとも１つであり得る、請求項６に記載の積層体。
8. 前記積層体（１１０；２１０）が、反射防止積層体である、請求項６又は７に記載の積層体。
9. 前記第１の誘電体材料（１７０；２７０）が、前記透光性導電性酸化物の層（１６０；２６０）と実質的に同一の屈折率、及び前記透光性導電性酸化物の層（１６０；２６０）と実質的に同一の消光係数のうちの少なくとも１つを有する、請求項６から８の何れか一項に記載の積層体。
10. 前記透光性導電性酸化物のパターン形成された層（１６０；２６０）及び前記第１の誘電体材料（１７０；２７０）が、均一な光学的外観を有する層を形成する、請求項６から９の何れか一項に記載の積層体。
11. 前記第１の誘電体材料（１７０；２７０）が、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＺｎＯ、及びＳｎＯ_２のうちの少なくとも１つを含み、及び／又は前記誘電体層（１８０；２８０）が、ＳｉＯ_２を含む第２の誘電体材料を含む、請求項６から１０の何れか一項に記載の積層体。
12. 更に、前記積層体（１００；２００）が、前記基板（１１０；２１０）と前記透光性導電性酸化物のパターン形成された層（２６０；２６０）との間に、
    前記基板（１１０；２１０）上に直接形成された接着層（１２０；２２０）と、
    前記接着層（１２０；２２０）上に形成された第１の高屈折率の層（１３０；２３０）と、
    前記高屈折率の層（１３０；２３０）上に形成された第１の低屈折率の層（１４０；２４０）と、
    前記低屈折率の層（１４０；２４０）上に形成された第２の高屈折率の層（１５０；２５０）と
    を含む、請求項６から１１の何れか一項に記載の積層体。
13. 前記層の前記材料が、前記高屈折率の層（１３０；２３０；１５０；２５０）に対するＮｂ_２Ｏ_５、前記低屈折率の層（１４０；２４０）に対するＳｉＯ_２、及び前記接着層（１２０；２２０）に対するＳｉＯｘのうちの少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の積層体。
14. 前記透光性導電性酸化物の層（１６０；２６０）が、約３０ｎｍから約７０ｎｍまでの厚さ、特に約５０ｎｍの厚さを有する、請求項６から１３の何れか一項に記載の積層体。
15. 請求項６から１４の何れか一項に記載の前記積層体（１００；２００）を含むタッチパネル（４００）。

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