JP2016521428A - メモリアレイの動作電圧を調整するためのシステムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、参照によりその全内容が本明細書に明示的に組み込まれている、2013年3月15日に出願した、共同所有された米国非仮特許出願第13/842.263号の優先権を主張するものである。
102 半導体デバイス
104 電圧調整デバイス
106 コアロジック
108 温度センサ
110 スタティックランダムアクセスメモリ
112 プロセッサ
114 電圧調整回路
116 メモリ
118 命令
120 製造データ
124 動作電圧
126 コアロジック動作電圧
128 待機電圧
130 コアロジック待機電圧
200 方法
300 方法
400 通信デバイス
410 プロセッサ
422 システムオンチップデバイス
426 ディスプレイコントローラ
428 ディスプレイデバイス
430 入力デバイス
432 メモリ
434 コーダ/デコーダ
436 スピーカ
438 マイクロフォン
440 ワイヤレスコントローラ
442 アンテナ
444 電源
446 電圧調整デバイス
448 命令
450 送受信機
452 温度センサ
454 命令
456 製造データ
458 動作電圧
460 待機電圧
462 コアロジック動作電圧
464 コアロジック待機電圧
500 電子デバイス製造プロセス
502 物理デバイス情報
504 ユーザインターフェース
506 リサーチコンピュータ
508 プロセッサ
510 メモリ
512 ライブラリファイル
514 設計コンピュータ
518 メモリ
520 電子設計自動化(EDA)ツール
522 回路設計情報
524 ユーザインターフェース
526 GDSIIファイル
528 製造プロセス
530 マスク製造業者
532 マスク
534 ウェハ
536 ダイ
538 パッケージ化プロセス
540 パッケージ
542 PCB設計情報
544 ユーザインターフェース
546 コンピュータ
548 プロセッサ
550 メモリ
552 GERBERファイル
554 基板アセンブリプロセス
556 PCB
558 プリント回路アセンブリ(PCA)
560 製品製造プロセス
562 第1の代表的電子デバイス
564 第2の代表的電子デバイス
Claims (31)
- メモリアレイに関連付けられたセンサの温度を測定するステップと、
前記温度に基づいて、かつ前記メモリアレイに関連する製造データに基づいて、電圧調整デバイスで動作電圧を計算するステップと、
前記動作電圧に基づいて、前記メモリアレイに提供される電圧を前記電圧調整デバイスで調整するステップと
を含む、方法。 - 前記温度および前記製造データに基づいて待機電圧を計算するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記電圧調整デバイスが、電源管理集積回路に含まれる、請求項1に記載の方法。
- 前記電圧調整デバイスが、前記メモリアレイを含む集積回路に組み込まれた、請求項1に記載の方法。
- 前記メモリアレイおよび前記センサが、同じ半導体ダイ内に置かれた、請求項1に記載の方法。
- 前記製造データが、寿命末期(EOL)動作電圧シフトの計算に適用可能な情報を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記製造データが、前記メモリアレイの要素のスイッチング能力の特徴を示す、請求項1に記載の方法。
- 前記製造データが、前記メモリアレイの負バイアス温度不安定性モデルに関する情報を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記メモリアレイに結合されたコアロジックに関連する性能パラメータに基づいてコアロジック動作電圧を計算するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記動作電圧に基づいて前記電圧を調整するステップが、
前記動作電圧に対応する第1の電圧を前記メモリアレイに提供するステップと、
前記コアロジック動作電圧に対応する第2の電圧を前記コアロジックに提供するステップと
を含む、請求項9に記載の方法。 - 前記動作電圧が、定期的に更新される、請求項1に記載の方法。
- 前記動作電圧を計算するステップが、電子デバイスに統合されたプロセッサで実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記メモリアレイが、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)アレイである、請求項1に記載の方法。
- メモリアレイと、
前記メモリアレイの温度を測定するように構成されたセンサと、
前記温度に基づいて、かつ前記メモリアレイに関連する製造データに基づいて、前記メモリアレイに供給されることになる動作電圧をセットするように構成された、論理手段と
を備える、装置。 - コアロジック動作電圧によって電力を供給されるコアロジックをさらに備える、請求項14に記載の装置。
- 前記メモリアレイがさらに、待機モード中に待機電圧を受け取るように構成され、前記待機電圧が、測定された待機温度に基づいて、かつ前記製造データに基づいて計算される、請求項14に記載の装置。
- 前記メモリアレイに提供される電圧が、前記動作電圧または前記待機電圧に基づいて調整される、請求項16に記載の装置。
- 前記製造データが、前記メモリアレイの少なくとも1つの要素のスイッチング能力の特徴を示す、請求項14に記載の装置。
- 前記製造データが、前記メモリアレイの負バイアス温度不安定性モデルに関する情報を含む、請求項14に記載の装置。
- 前記メモリアレイおよび前記センサがその上に置かれた、第1のダイと、
第2のメモリアレイ、および、前記第2のメモリアレイの温度を測定するように構成された第2のセンサを含む、第2のダイと
をさらに備える、請求項14に記載の装置。 - 前記論理手段が、前記第2のメモリアレイの温度および前記第2のメモリアレイに関連する製造データに基づいて前記第2のメモリアレイに供給されることになる第2の動作電圧をセットするようにさらに構成され、前記第2の動作電圧が、前記動作電圧とは独立してセットされる、請求項20に記載の装置。
- 前記メモリアレイが、フィン電界効果トランジスタ(Fin FET)デバイスを備える、請求項14に記載の装置。
- 前記メモリアレイが統合された、通信デバイス、コンピュータ、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、および固定ロケーションデータユニットからなる群から選択されたデバイスをさらに備える、請求項14に記載の装置。
- メモリアレイに関連付けられたセンサの温度を測定するための手段と、
前記温度に基づいて、かつ前記メモリアレイに関連する製造データに基づいて動作電圧を計算するための手段と、
前記動作電圧に基づいて電圧を調整するための手段と
を備える、装置。 - 少なくとも1つの半導体ダイに集積された、請求項24に記載の装置。
- 計算するための前記手段および調整するための前記手段が統合された、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、コンピュータ、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、および固定ロケーションデータユニットからなる群から選択されたデバイスをさらに備える、請求項25に記載の装置。
- 電圧調整デバイスで、測定温度に基づいて、かつメモリアレイに関連する製造データに基づいて動作電圧を計算するステップと、
前記動作電圧に基づいて、前記メモリアレイに提供される電圧を前記電圧調整デバイスで調整するステップと
を含む動作を実行するためにコンピュータによって実行可能な命令を記憶する、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。 - 前記命令が、通信デバイス、コンピュータ、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、および固定ロケーションデータユニットからなる群から選択されたデバイスに統合されたプロセッサによって実行可能な、請求項27に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
- 回路基板上のパッケージ化された半導体デバイスの物理位置情報を備える設計情報を受け取るステップであって、前記パッケージ化された半導体デバイスが、
メモリアレイ、
前記メモリアレイの温度を測定するように構成されたセンサ、および、
前記温度に基づいて、かつ前記メモリアレイに関連する製造データに基づいて、前記メモリアレイに供給される動作電圧をセットするように構成された論理手段
を備える、ステップと、
前記設計情報を変換してデータファイルを生成するステップと
を含む、方法。 - 前記データファイルが、GERBER形式を有する、請求項29に記載の方法。
- 前記データファイルが、GDSII形式を有する、請求項29に記載の方法。
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