JP2016519433A - ウェハのシンニング方法及び装置 - Google Patents

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Abstract

ウェハのシンニング方法及び装置が提供される。本発明の一実施形態によるウェハのシンニング方法は、ウェハの特定の深さに焦点が合わせられたラインビームを照射する段階と、前記ラインビームを利用して前記ウェハをスキャンして前記ウェハの特定の深さに界面を形成する段階と、前記界面が形成されたウェハをパターンウェハ（ｐａｔｔｅｒｎ ｗａｆｅｒ）とダミーウェハ（ｄｕｍｍｙ ｗａｆｅｒ）にクリービング（ｃｌｅａｖｉｎｇ）する段階とを含む。

Description

本発明はウェハのシンニング方法及び装置に関し、より詳細にはウェハ（Ｗａｆｅｒ）の所望する厚さに応じて特定の深さに焦点が合わせられたレーザラインビーム（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｎｅ ｂｅａｍ）をスキャン（Ｓｃａｎ）して界面を形成し、ウェハをクリービング（Ｃｌｅａｖｉｎｇ）して簡単に所望の厚さにウェハを分離するウェハのシンニング方法及び装置に関する。
電気電子機器の小型化及びスリム化はより薄いダイを必要とする。集積回路のような半導体チップの製造時に回路が半導体ウェハ（Ｗａｆｅｒ）上に形成され、その後それぞれの部分またはダイに分離されたり個別化される。これは装置を個別に形成することに比べて費用が節減され、処理を簡素化する。
図１は従来のウェハからダイを分離する工程を示す図である。
図１を参照すると、ウェハ１の一面に形成された回路２を保護するため、保護フィルム５が回路２が形成されたウェハ１の上に付着する（（ａ）参照）。ウェハ１はダイ３に分離される前に、化学的または機械的な平坦化、または他の材料除去技術により裏面研削（ｂａｃｋ ｇｒｉｎｄｉｎｇ）されるのが通常あり、この場合、材料はウェハの下部または裏面から除去され、滑らかな下面を残す。このような工程をウェハ裏面研削（Ｗａｆｅｒ Ｂａｃｋ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）という。すなわち、半導体の組み立ての前にウェハ１をウェハチャック１５で支持し、ウェハ１をグラインダ１０で薄型化してウェハ１の厚さを均一に揃えると同時に所望する厚さに研磨する工程である（（ｂ）参照）。また、保護フィルム５を除去し、分離段階の間ダイを機械的に支持するためにマウントフィルム２０を付着し、ウェハリング２５で固定する（（ｃ）参照）。ウェハ１の上部面からウェハ１を介してスクライブライン３０の機械的な生成によって、ウェハ１から物理的に分離された個々のダイ２に切断される（（ｄ）参照）。また、個々のダイ２をウェハ１から分離できるようにウェハリング２５を移動させてマウントフィルム２０を拡張させる（（ｅ）参照）。また、ウェハ１から個々のダイ２を完全に分離し（（ｆ）参照）、分離されたダイ３を分離して集積回路チップ内に組み立てるか、または印刷回路基板（ＰＣＢ）に直接固定することができ、ダイ上にある一つ以上の電気的に導通するボンディングワイヤーで電気的な接続が行われる。特に、ウェハ１からダイ３を分離する工程をソーイング（Ｓａｗｉｎｇ）またはダイシング（Ｄｉｃｉｎｇ）という。
図２は従来のウェハ裏面研削（Ｗａｆｅｒ Ｂａｃｋ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）を示す図面であり、図３は従来のウェハ裏面研削によるウェハの厚さの変動を示す図である。
図２及び図３を参照すると、従来の研削ホイール（Ｇｒｉｎｄｉｎｇ Ｗｈｅｅｌ、１０）を利用したウェハ研削技術は、高速で回転する研削ホイール１０で直接ウェハ１面を研磨する工法であって、機械的な摩擦熱と異物の除去のために工程中にＤＩ Ｗａｔｅｒを継続して吹き付けながら行われる。ウェハチャック（Ｗａｆｅｒ Ｃｈｕｃｋ、１５）の上に載せられたウェハ１は研削の間、機械的なストレスを受けざるを得ない。このようなストレスは研削（Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）後、反対面に付着された保護フィルム５を分離する過程でウェハ１の割れなどで現れる場合もる。ウェハ研削（Ｗａｆｅｒ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）工程中に研磨されない回路２が形成された面は保護フィルム５が付着された状態でウェハチャック１５に固定される。保護フィルム５はウェハ１の回路２パターンの高低に応じて屈曲を有し、この状態でウェハチャック１５に固定される。ウェハ１の保護フィルム５に転写されたパターン面の形状はウェハ１がウェハチャック１５に固定されて研磨され、薄くなるにつれ研磨面に現れ、ウェハ１全体の厚さの変動要因になる。
また、化学的にウェハ裏面を研磨するエッチング（Ｅｔｃｈｉｎｇ）方式はウェハ面を強い化学薬品で溶かして厚さを薄くする工法である。このような方法は薬品とウェハ材質の間の化学反応により除去することであり、機械的な方法に比べて多くの時間が必要とされる。
前述した機械的な方式または化学的な方式はいずれもウェハを薄型化するウェハシンニング（Ｗａｆｅｒ Ｔｈｉｎｎｉｎｇ）中にウェハが機械的、化学的なストレスを受けてシンニング（Ｔｈｉｎｎｉｎｇ）後にはクラック（Ｃｒａｃｋ）などの原因になるという問題点を有している。また、ウェハを薄型化するウェハシンニング中に相当量の汚水／廃水を発生させるため、別途の処理費用が必要であり、ウェハの相当な厚さがリサイクル不可能な状態で捨てられるという問題を共通に有している。
本発明は前記問題点を解決するため、ウェハの所望する厚さに応じて特定の深さに焦点が合わせられたレーザラインビーム（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｎｅ ｂｅａｍ）を平面方向にスキャンして界面を形成することによって、その平面層を基準にウェハをクリービング（Ｃｌｅａｖｉｎｇ）して簡単に所望する厚さにウェハをシンニング（Ｔｈｉｎｎｉｎｇ）するウェハのシンニング方法及び装置を提供することにある。
また、ウェハの所望する厚さに応じて特定の深さに焦点が合わせられたレーザラインビーム（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｎｅ ｂｅａｍ）を平面方向にスキャンし、界面を形成すると同時に特定間隔の格子形状のライン（Ｌｉｎｅ）も共に形成し、ウェハを所望するサイズに切断するダイシング工程を代替できるウェハのシンニング方法及び装置を提供することにある。
本発明が解決しようとする課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されていない他の課題は次の記載から当業者に明確に理解できるであろう。
前記課題を達成するための本発明の一実施形態によるウェハのシンニング方法は、ウェハの特定の深さに焦点が合わせられたラインビームを照射する段階と、前記ラインビームを利用して前記ウェハをスキャンし、前記ウェハの特定の深さに界面を形成する段階と、前記界面が形成されたウェハをパターンウェハ（ｐａｔｔｅｒｎ ｗａｆｅｒ）とダミーウェハ（ｄｕｍｍｙ ｗａｆｅｒ）にクリービング（ｃｌｅａｖｉｎｇ）する段階を含む。
前記課題を達成するための本発明の一実施形態によるウェハのシンニング装置は、ウェハの一面を支持し、固定するウェハ支持部と、レーザビームを照射するレーザ光源部と、前記レーザビームを整形してラインビームを生成し、前記ウェハのサイズに合わせて前記ウェハの特定の深さに前記ラインビームを照射するラインビーム光学部と、前記ラインビームを利用して前記ウェハをスキャンするため、前記ラインビーム光学部及び前記ウェハ支持部のうち少なくとも一つをＸＹ方向に移動させるガントリ部と、前記ウェハの他面を固定するウェハ固定部と、前記ウェハ支持部及び前記ウェハ固定部を逆方向に移動させ、前記ラインビームのスキャンによって前記ウェハの特定の深さに形成された界面を中心に前記ウェハをパターンウェハ（ｐａｔｔｅｒｎ ｗａｆｅｒ）とダミーウェハ（ｄｕｍｍｙ ｗａｆｅｒ）にクリービング（ｃｌｅａｖｉｎｇ）するクリービング移動部を含む。
本発明のその他の具体的な内容は発明の詳細な説明及び図面に含まれている。
本発明によれば、ウェハの所望する厚さに応じて特定の深さに焦点が合わせられたレーザラインビーム（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｎｅ ｂｅａｍ）を平面方向にスキャンし、界面を形成することによって、その平面層を基準にウェハをクリービング（Ｃｌｅａｖｉｎｇ）して簡単に所望する厚さにウェハをシンニング（Ｔｈｉｎｎｉｎｇ）することができる。
また、ウェハの所望する厚さに応じて特定の深さに焦点が合わせられたレーザラインビーム（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｎｅ ｂｅａｍ）を平面方向にスキャンし、界面を形成すると同時に特定間隔の格子形状のライン（Ｌｉｎｅ）も共に形成し、ウェハを所望するサイズに切断するダイシング工程の代替が可能である。
また、ウェハシンニング（Ｗａｆｅｒ Ｔｈｉｎｎｉｎｇ）工程を簡素化してウェハのストレスを最小化し、汚水／廃水の発生を画期的に減らし、高価なウェハをリサイクルすることができる。
従来のウェハからダイを分離する工程を示す図である。 従来のウェハ裏面研削（Ｗａｆｅｒ Ｂａｃｋ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）を示す図である。 従来のウェハ裏面研削によるウェハの厚さ変動を示す図である。 本発明の一実施形態によるウェハのシンニング方法の順序図である。 図４の実施形態によるウェハのシンニング過程を示す概念図である。 図４の実施形態によるウェハのシンニング過程のうちクリービング過程をより詳細に示す概念図である。 図４の実施形態によるウェハのシンニング過程で形成されたウェハの格子ラインを示す断面図である。 図４の実施形態によるウェハの処理過程を示す概念図である。 本発明の一実施形態によるウェハのシンニング装置の構成図である。 本発明の一実施形態によるウェハのシンニング装置の構成図である。
［発明を実施するための最良の形態］
ウェハ（Ｗａｆｅｒ）の所望する厚さに応じて特定の深さに焦点が合わせられたレーザ ラインビーム（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｎｅ ｂｅａｍ）をスキャン（Ｓｃａｎ）して、界面を形成して、ウェハをクリービング（Ｃｌｅａｖｉｎｇ）して簡単に所望する厚さでウェハを切り離す。
以下、添付した図面を参照して本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。本発明の利点及び特徴、これらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施例を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されるものであり、本実施例は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、特許請求の範囲によってのみ定義される。明細書全体にかけて同一の参照符号は同一の構成要素を指称する。
他に定義されなければ、本明細書で使用されるすべての用語（技術及び科学的用語を含む）は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に共通に理解できる意味で使用される。また一般的に使用される辞書に定義されている用語は特別に定義して明らかにしない限り理想的にまたは過度に解釈されない。
以下、本発明について添付した図面を参照して詳細に説明する。
図４は本発明の一実施形態によるウェハのシンニング方法の順序図である。また、図５は図４の実施形態によるウェハのシンニング過程を示す概念図であり、図６は図４の実施形態によるウェハのシンニング過程のうちクリービング過程をより詳細に示す概念図である。また、図７は図４の実施形態によるウェハのシンニング過程で形成されたウェハの格子ラインを示す断面図である。
図４から図６を参照すると、本発明の一実施形態によるウェハのシンニング（Ｔｈｉｎｎｉｎｇ）方法は、ウェハ５０の特定の深さに焦点が合わせられたラインビーム６０を照射し（Ｓ１０）、ラインビーム６０を利用してウェハ５０をスキャンし（Ｓ２０）、前記ウェハ５０の特定の深さに界面５７を形成し（Ｓ３０）、界面５７が形成されたウェハ５０をパターンウェハ（ｐａｔｔｅｒｎ ｗａｆｅｒ）とダミーウェハ（ｄｕｍｍｙ ｗａｆｅｒ）にクリービング（ｃｌｅａｖｉｎｇ）する（Ｓ４０）。ここで、界面５７はウェハ５０の内部にあるクリービングの基準になる層をいい、パターンウェハ（ｐａｔｔｅｒｎ ｗａｆｅｒ）とダミーウェハ（ｄｕｍｍｙ ｗａｆｅｒ）はそれぞれクリービングされたウェハで回路パターン５５を備えたウェハと回路パターン５５を備えていないウェハを意味する。
すなわち、ウェハのシンニング方法はウェハ５０の所望する厚さに応じて特定の深さに焦点が合わせられたレーザラインビーム６０を平面方向にスキャンし、界面５７を形成することによってその平面層を基準にウェハ５０を上下にクリービング（ｃｌｅａｖｉｎｇ）して簡単に所望する厚さにウェハを分離することを特徴とする。これにより、短いタクトタイム（Ｔａｃｔ Ｔｉｍｅ）で高い生産性を達成することはもちろん、機械的な研磨過程を省略し得るので、全体のウェハの厚さの変動も最小化することができる。
レーザはフラットトップ（ｆｌａｔ ｔｏｐ）形態のラインビーム光学系を有し得、光学系は対象ウェハのサイズに合わせてレーザビームのサイズを変更し得る。レーザの焦点位置をウェハの切断する深さに合わせてレーザラインビーム６０を照射し得る。この際、レーザラインビーム６０はウェハ５０の回路パターンが形成された面の反対面から照射される。これにより、ラインビーム６０が集中するウェハ５０の内部層以外には熱−衝撃を最小化することができる。すなわち、ウェハ５０を上下にクリービングする基準になる界面５７以外には衝撃を最小化することができる。
ウェハ５０の特定の深さに焦点が合わせられたラインビーム６０を照射（Ｓ１０）するため、レーザビームを照射し、前記照射されるレーザビームを整形してラインビーム６０を生成する。このために、レーザはラインビーム６０を生成するために別途のラインビーム光学系を備え得る。
また、ウェハ５０の特定の深さに界面５７を形成する場合（Ｓ３０）、ラインビーム６０のスキャン速度及びラインビームの６０強度のうち少なくとも一つを調整し、ウェハ５０の特定の深さに格子形状のラインを形成し得る。図７は、ウェハ５０の平面上に所望する位置に格子形状にエネルギーが選択的に追加して印加されたラインを示している。このようなラインはウェハ５０をラインビーム６０でスキャンした後、ウェハ５０を９０度に回転させ、同一の平面方向にラインビーム６０をスキャンして形成し得る。これにより、ウェハ５０の特定の深さには平面方向に界面５７が形成されると同時に特定間隔の格子形状のラインも共に形成される。このような格子形状のラインはクリービング（Ｃｌｅａｖｉｎｇ）工程後、パターンウェハ（ｐａｔｔｅｒｎ ｗａｆｅｒ）の表面に残るようになり、半導体の組み立てのためにウェハマウントフィルムに付着され、ダイボンド（Ｄｉｅ Ｂｏｎｄ）またはフリップチップボンド（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄ）工程でウェハマウントフィルムを膨張させるときに発生する応力によって割れる切断面の開始点になる。これにより、レーザラインビーム６０をスキャンしてウェハ５０を所望する厚さにシンニング（Ｔｈｉｎｎｉｎｇ）する工程とウェハ５０を所望するサイズに切断するソーイング（Ｓａｗｉｎｇ）またはダイシング（Ｄｉｃｉｎｇ）工程を代替することができる。
また、界面５７が形成されたウェハ５０をパターンウェハ（ｐａｔｔｅｒｎ ｗａｆｅｒ）とダミーウェハ（ｄｕｍｍｙ ｗａｆｅｒ）にクリービング（ｃｌｅａｖｉｎｇ）する場合（Ｓ４０）、ウェハ５０の両面を固定する移動するウェハチャック（７０、７５）を逆方向に移動させてウェハ５０を分離し得る。また、ウェハ５０のクリービングを容易にするため、界面５７に機械的な力を加える衝撃部材８０を使用し得る。
ウェハ５０がパターンウェハ（ｐａｔｔｅｒｎ ｗａｆｅｒ）とダミーウェハ（ｄｕｍｍｙ ｗａｆｅｒ）にクリービング（ｃｌｅａｖｉｎｇ）された後（Ｓ４０）、所望する厚さに分離されたパターンウェハは分離面を均一にするためにポリッシング（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程に提供され、分離された残りのダミーウェハは再びＦＡＢ工程に投入され、新しいパターンウェハとしてリサイクルされる。これによって、不必要なダミーウェハ５０のリサイクルが可能である。
図８は図４の実施形態によるウェハの処理過程を示す概念図である。
図８を参照すると、ウェハマガジン４１０に収納されたウェハ５０はウェハハンドラ（Ｗａｆｅｒ Ｈａｎｄｌｅｒ、４００）によりクリービング工程（Ｃｌｅａｖｉｎｇ、１００）に提供され、前記クリービング工程（Ｃｌｅａｖｉｎｇ、１００）を終えたウェハ５０はパターンウェハ（ｐａｔｔｅｒｎ ｗａｆｅｒ）とダミーウェハ（ｄｕｍｍｙ ｗａｆｅｒ）に分けられる。その後に、パターンウェハ（ｐａｔｔｅｒｎ ｗａｆｅｒ）はウェハハンドラ４００によってポリッシング工程（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、２００）に提供され、パターンウェハの面を均一にした後、再びウェハハンドラ４００によってパターンウェハマガジン４２０に収納される。また、ダミーウェハ（ｄｕｍｍｙ ｗａｆｅｒ）はウェハハンドラ４００によってダミーウェハマガジン４３０に分離されて収納され、ダミーウェハマガジン４３０に収納されたダミーウェハはＦＡＢ工程に投入され、新しいウェハとしてリサイクルされる。
したがって、所望するウェハ５０の厚さに応じてラインビーム６０の照射の深さを変更することによって選択的なシンニング（Ｔｈｉｎｎｉｎｇ）が可能である。また、クリービング（Ｃｌｅａｖｉｎｇ）だけですぐに所望する厚さにウェハ５０のシンニングが可能であるため、短い工程時間と共に汚水／廃水を減らし、不必要なダミーウェハ５０のリサイクルが可能である。これにより、ウェハ５０の機械的なストレス及び化学的なストレスを最小化することができる。また、ウェハ５０の特定の深さには平面方向に界面５７が形成されると同時に特定間隔の格子形状のラインも共に形成されることにより、格子形状のラインはクリービング工程後、ボンディング工程でウェハマウントテープ（Ｗａｆｅｒ Ｍｏｕｎｔ Ｔａｐｅ）を拡張（Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）させるときに発生する応力によって割れる切断面の開始点になり、これにより、本ウェハ５０を所望する厚さにシンニング（Ｔｈｉｎｎｉｎｇ）する工程とウェハ５０を所望するサイズに切断するソーイング（Ｓａｗｉｎｇ）工程を代替することができる。
図９及び図１０は本発明の一実施形態によるウェハのシンニング装置の構成図である。
本発明の一実施形態によるウェハのシンニング装置５００は、ウェハ５０の一面を支持し、固定するウェハ支持部５１０、レーザビームを照射するレーザ光源部５２０、前記レーザビームを整形してラインビームを生成し、前記ウェハ５０のサイズに合わせて前記ウェハ５０の特定の深さに前記ラインビームを照射するラインビーム光学部５３０、前記ラインビームを利用して前記ウェハ５０をスキャンするために前記ラインビーム光学部５３０及び前記ウェハ支持部５１０のうち少なくとも一つをＸＹ方向に移動させるガントリ部５４０、前記ウェハ５０の他面を固定するウェハ固定部５６０、および前記ウェハ支持部５１０及び前記ウェハ固定部５６０を逆方向に移動させ、前記ラインビームのスキャンによって前記ウェハ５０の特定の深さに形成された界面５７を中心に前記ウェハ５０をパターンウェハ（ｐａｔｔｅｒｎ ｗａｆｅｒ）とダミーウェハ（ｄｕｍｍｙ ｗａｆｅｒ）にクリービング（ｃｌｅａｖｉｎｇ）するクリービング部移動部５７０を含む。また、他のウェハのシンニング装置５００は、前記レーザ光源部５１０の出力を制御してラインビームの強度を調整したり、またはガントリ部５４０を制御して前記ラインビームのスキャン速度を調整する制御部５５０を含み得る。
ウェハ支持部５１０はウェハ５０の一面を支持する役割を果たし、ウェハ５０のクリービングの際にウェハ５０を固定する。
レーザ光源部５２０はレーザビームを供給し、レーザソースはフォトン（ｐｈｏｔｏｎ）エネルギーを有するすべてのレーザが含まれ得る。レーザ光源部５２０はダイオードレーザ、赤外線レーザ、ＤＰＳＳレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、ナノ秒レーザなどの採択可能ないかなるレーザでも使用できることは当業者に自明である。
ラインビーム光学部５３０はレーザビームに対し、レーザ加工に要求されるラインビームの断面形状を有するようにレーザビームを光学的に整形する役割を果たす。ラインビーム光学部５３０は入射されたレーザビームに対し、均一な強度を有しながらも、その断面形状が所定の長さと幅を有するようにレーザビームを光学的に整形する。例えば、ラインビーム光学部５３０はフィールド絞りでレーザビームをフォーカシングしてその断面形状が長方形であるラインビームを生成し得る。または、入射された一つの円形スポットを有するレーザビームに対し、隣接するスポットの間に所定の間隔を有するように複数のレーザビームだけ増加させ、焦点面で複数の円形スポットが一列に配置されるようにし得、複数の円形スポットの一部が互いに重畳し、ガウス型の強度分布を一次元方向でフラットトップ（ｆｌａｔ−ｔｏｐ）させたラインビームで生成し得る。他にも、レーザビームをラインビームで整形する他の方式を適用できることは当業者に自明である。
ガントリ部５４０はラインビームでウェハ５０をスキャンする役割を果たし、ウェハ５０をスキャンするためにラインビーム光学部５３０及びウェハ支持部５１０のうち少なくとも一つをＸＹ方向に移動させ得る。ガントリ部５４０により、ウェハ５０の所定深さの２次元平面をラインビームで上下左右スキャンし得る。
制御部５５０はレーザ光源部５１０の出力を制御してラインビームの強度を調整したり、またはガントリ部５４０を制御してラインビームのスキャン速度を調整することによって、スキャンされるウェハ５０の内部の平面上の所望する位置に、格子形状のライン（Ｌｉｎｅ）形状にエネルギーが選択的に追加して印加された線を引くことができる。これにより、ウェハ５０の特定の深さには平面方向に界面が形成されると同時に特定間隔の格子形状のラインも共に形成される。
ウェハ固定部５６０はウェハ支持部５１０の反対側でウェハ５０の他面を固定する役割を果たし、ウェハ固定部５６０とウェハ支持部５１０がウェハ５０の両面を固定し、ウェハ固定部５６０とウェハ支持部５１０を互いに逆方向に移動させ、ウェハ５０を所望する厚さにクリービングし得る。
クリービング移動部５７０はウェハ固定部５６０とウェハ支持部５１０を互いに逆方向に移動させる駆動力を提供し、クリービング移動部５７０の動作によってウェハ５０がウェハ５０の特定の深さに形成された界面５７を中心にパターンウェハ（ｐａｔｔｅｒｎ ｗａｆｅｒ）とダミーウェハ（ｄｕｍｍｙ ｗａｆｅｒ）に分けられる。
したがって、本発明の一実施形態によるウェハのシンニング装置５００によってウェハ５０をレーザラインビーム（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｎｅ Ｂｅａｍ）でスキャンし、ウェハ５０を所望する厚さにシンニング（Ｔｈｉｎｎｉｎｇ）し、ウェハ５０を所望するダイサイズに切断するダイシング（Ｄｉｃｉｎｇ）を代替し得、これによりウェハ５０の機械的なストレス及び化学的なストレスを最小化し得る。
以上添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は本発明がその技術的な思想や必須の特徴を変更しない範囲で他の具体的な形態で実施され得ることを理解できるであろう。したがって、上記実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。
１ ウェハ
２ 回路
３ ダイ
５ 保護フィルム
１０ グラインダ
１５ ウェハチャック
２０ マウントフィルム
２５ ウェハリング
５０ ウェハ
５５ 回路パターン
５７ 界面
６０ ラインビーム
７０、７５ ウェハチャック
８０ 衝撃部材

Claims (6)

  1. ウェハの特定の深さに焦点が合わせられたラインビームを照射する段階と、
    前記ラインビームを利用して前記ウェハをスキャンして前記ウェハの特定の深さに界面を形成する段階と、
    前記界面が形成されたウェハをパターンウェハとダミーウェハにクリービングする段階とを含むウェハのシンニング方法。
  2. 前記ラインビームを照射する段階は、
    レーザビームを照射する段階と、
    前記レーザビームを整形して前記ラインビームを生成する段階とを含む、請求項１に記載のウェハのシンニング方法。
  3. 前記界面を形成する段階は、
    前記ラインビームのスキャン速度及び前記ラインビームの強度のうち少なくとも一つを調整する段階と、
    前記ウェハの特定の深さに格子形状のラインを形成する段階とを含む、請求項１に記載のウェハのシンニング方法。
  4. 前記ダミーウェハに回路パターンを形成してリサイクルする段階をさらに含む、請求項１に記載のウェハのシンニング方法。
  5. ウェハの一面を支持し、固定するウェハ支持部と、
    レーザビームを照射するレーザ光源部と、
    前記レーザビームを整形してラインビームを生成し、前記ウェハのサイズに合わせて前記ウェハの特定の深さに前記ラインビームを照射するラインビーム光学部と、
    前記ラインビームを利用して前記ウェハをスキャンするために前記ラインビーム光学部及び前記ウェハ支持部のうち少なくとも一つをＸＹ方向に移動させるガントリ部と、
    前記ウェハの他面を固定するウェハ固定部と、
    前記ウェハ支持部及び前記ウェハ固定部を逆方向に移動させ、前記ラインビームのスキャンによって前記ウェハの特定の深さに形成された界面を中心に前記ウェハをパターンウェハとダミーウェハにクリービングするクリービング移動部とを含む、ウェハのシンニング装置。
  6. 前記レーザ光源部の出力を制御して前記ラインビームの強度を調整したり、前記ガントリ部を制御して前記ラインビームのスキャン速度を調整する制御部をさらに含む、請求項５に記載のウェハのシンニング装置。
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