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  1. プロセスチャンバ用のサセプタ支持シャフトであって、
    持シャフト、および
    前記支持シャフトに結合される支持本体
    を備え、前記支持本体が、
    中実のディスクと、
    前記中実のディスクから外側に延びる複数の基部と、
    前記複数の基部のいくつかから延びる少なくとも3つの支持腕と、
    前記複数の基部のいくつかから延びる少なくとも3つのダミー腕と
    を備える、サセプタ支持シャフト。
  2. 前記支持腕が互いから等間隔で離間され、前記支持腕の各々がエルボーを含む、請求項1に記載のサセプタ支持シャフト。
  3. 記基部の各々の幅が減少するにつれて前記基部の各々の厚さが増加する、請求項1に記載のサセプタ支持シャフト。
  4. 前記支持腕の各々がそこを通してリフトピンを受け入れるための開口を含む、請求項1に記載のサセプタ支持シャフト。
  5. 前記中実のディスク上に取り外し可能に位置決めされる屈折要素をさらに備え、前記屈折要素が光透過性の材料から形成される、請求項1に記載のサセプタ支持シャフト。
  6. 前記屈折要素が第1の側に凸または凹面を、第1と反対の第2の側に凸または凹面を有する、請求項5に記載のサセプタ支持シャフト。
  7. 前記屈折要素が一定の厚さを有する、請求項に記載のサセプタ支持シャフト。
  8. 前記屈折要素の前記凹面が約200mm〜約1200mmの曲率半径を有する、請求項に記載のサセプタ支持シャフト。
  9. 基板を加熱するためのプロセスチャンバであって、
    記プロセスチャンバ内に配設される基板支持体
    前記基板支持体の下に配設される下部ドーム、
    前記下部ドームに対向して配設される上部ドームであって、
    中央窓部、および
    前記中央窓部の周縁の周りで前記中央窓部と係合する周辺フランジ
    を備え、前記中央窓部および前記周辺フランジが光透明性の材料から形成される、上部ドーム、ならびに
    前記基板支持体に結合される支持シャフトであって、
    ャフト、および
    記シャフトに結合される支持本体
    を備え、前記支持本体が、
    中実のディスクと、
    前記中実のディスクから外側に延びる複数の基部と、
    前記複数の基部のいくつかから延びる複数の支持腕と、
    前記複数の基部のいくつかから延びる複数のダミー腕と
    を備える支持シャフト
    を備える、プロセスチャンバ。
  10. 前記中実のディスクが約60ミリメートルの半径を有し、前記中実のディスクが前記基板の表面積(片側)よりも約30%〜80%少ない表面積(片側)を有する、請求項9に記載のプロセスチャンバ。
  11. 記支持シャフトが、
    前記中実のディスク上に取り外し可能に位置決めされる屈折要素をさらに備え、前記屈折要素が透き通った石英、ガラス、または透明なプラスチックから形成され、前記屈折要素が前記中実のディスクの外周に実質的に一致するようにサイズ決定される、請求項に記載のプロセスチャンバ。
  12. 前記屈折要素が、前記基板支持体の裏側に面する第1の側に凸または凹面を有し、前記屈折要素が、前記基板支持体の裏側から離れる方向に面する第2の側に凸または凹面を有する、請求項11に記載のプロセスチャンバ。
  13. 前記上部ドームの上に配設されるリフレクタをさらに備え、前記リフレクタが、前記リフレクタの外面上に1つまたは複数の筋を付けられた特徴部を有し、前記1つまたは複数の筋を付けられた特徴部が前記リフレクタの周縁の周りを延伸する、請求項に記載のプロセスチャンバ。
  14. プロセスチャンバのためのサセプタ支持シャフトであって、
    支持シャフトと、
    前記支持シャフトに結合される支持本体であって、
    中実のディスクと、
    前記中実のディスクの外側周縁から外側に等間隔で延びる複数の基部と、
    前記複数の基部のいくつかから延びる、互いから等間隔で離間された複数の支持腕と、
    前記複数の基部のいくつかから延びる、互いから等間隔で離間された複数のダミー腕と
    を備える、支持本体と、
    前記中実のディスクによって取り外し可能に支持され、前記中実のディスクの周縁に実質的に一致するようにサイズ決定される、屈折要素と
    を備える、サセプタ支持シャフト。
  15. 前記屈折要素が、第1の側に凸または凹面を、第1の側と反対の第2の側に凸または凹面を有する、請求項14に記載のサセプタ支持シャフト。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9814099B2 (en) * 2013-08-02 2017-11-07 Applied Materials, Inc. Substrate support with surface feature for reduced reflection and manufacturing techniques for producing same
WO2016109063A1 (en) * 2015-01-02 2016-07-07 Applied Materials, Inc. Processing chamber
JP6554328B2 (ja) * 2015-05-29 2019-07-31 株式会社Screenホールディングス 熱処理装置
US20170178758A1 (en) * 2015-12-18 2017-06-22 Applied Materials, Inc. Uniform wafer temperature achievement in unsymmetric chamber environment
US9721826B1 (en) * 2016-01-26 2017-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer supporting structure, and device and method for manufacturing semiconductor
CN117107221A (zh) * 2016-03-28 2023-11-24 应用材料公司 基座支撑件
DE102016212780A1 (de) 2016-07-13 2018-01-18 Siltronic Ag Vorrichtung zur Handhabung einer Halbleiterscheibe in einem Epitaxie-Reaktor und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht
US10840114B1 (en) * 2016-07-26 2020-11-17 Raytheon Company Rapid thermal anneal apparatus and method
US10312117B2 (en) * 2016-08-10 2019-06-04 Lam Research Ag Apparatus and radiant heating plate for processing wafer-shaped articles
JP6403106B2 (ja) * 2016-09-05 2018-10-10 信越半導体株式会社 気相成長装置
US10658204B2 (en) 2017-08-08 2020-05-19 Lam Research Ag Spin chuck with concentrated center and radial heating
CN110373654B (zh) * 2018-04-13 2021-09-17 北京北方华创微电子装备有限公司 叉指结构、下电极装置和工艺腔室
CN110373655B (zh) * 2018-04-13 2021-12-17 北京北方华创微电子装备有限公司 叉指结构、下电极装置和工艺腔室
KR20210031527A (ko) 2018-08-06 2021-03-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 챔버를 위한 라이너
CN111304740A (zh) * 2018-12-11 2020-06-19 西安奕斯伟硅片技术有限公司 外延生长装置及其制作方法
KR102640172B1 (ko) 2019-07-03 2024-02-23 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이의 구동 방법
KR102263006B1 (ko) * 2019-07-18 2021-06-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US20220056583A1 (en) * 2020-08-18 2022-02-24 Globalwafers Co., Ltd. Window for chemical vapor deposition systems and related methods
CN112216636A (zh) * 2020-08-27 2021-01-12 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种晶圆外延反应设备
CN116368269A (zh) * 2020-10-13 2023-06-30 周星工程股份有限公司 基板处理设备
US20220210872A1 (en) * 2020-12-31 2022-06-30 Globalwafers Co., Ltd. System and methods for a radiant heat cap in a semiconductor wafer reactor
CN113604871B (zh) * 2021-08-10 2023-04-18 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种用于硅片的外延生长的基座支撑架、装置及方法
US20230066087A1 (en) * 2021-09-01 2023-03-02 Applied Materials, Inc. Quartz susceptor for accurate non-contact temperature measurement
KR20230122477A (ko) * 2022-02-14 2023-08-22 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
WO2023220681A1 (en) * 2022-05-12 2023-11-16 Watlow Electric Manufacturing Company Hybrid shaft assembly for thermal control in heated semiconductor pedestals

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6054354U (ja) * 1983-09-21 1985-04-16 鹿児島日本電気株式会社 発光ダイオ−ド装置
US4639139A (en) 1985-09-27 1987-01-27 Wyko Corporation Optical profiler using improved phase shifting interferometry
US4993355A (en) * 1987-03-31 1991-02-19 Epsilon Technology, Inc. Susceptor with temperature sensing device
US4821674A (en) 1987-03-31 1989-04-18 Deboer Wiebe B Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
US5044943A (en) * 1990-08-16 1991-09-03 Applied Materials, Inc. Spoked susceptor support for enhanced thermal uniformity of susceptor in semiconductor wafer processing apparatus
DE4231069A1 (de) 1992-09-17 1994-03-24 Leica Mikroskopie & Syst Variabler Auflicht-Interferenzansatz nach Mirau
US5421893A (en) * 1993-02-26 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Susceptor drive and wafer displacement mechanism
JP3220619B2 (ja) * 1995-05-24 2001-10-22 松下電器産業株式会社 ガス伝熱プラズマ処理装置
JP3290999B2 (ja) * 1997-05-16 2002-06-10 ホーヤ株式会社 光学レンズ基材のホルダ設置機構
US6021152A (en) * 1997-07-11 2000-02-01 Asm America, Inc. Reflective surface for CVD reactor walls
JP2001522142A (ja) 1997-11-03 2001-11-13 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 改良された低質量ウェハ支持システム
US6301434B1 (en) 1998-03-23 2001-10-09 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for CVD and thermal processing of semiconductor substrates
JP4402763B2 (ja) * 1999-05-13 2010-01-20 Sumco Techxiv株式会社 エピタキシャルウェーハ製造装置
US6315833B1 (en) * 1999-07-01 2001-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon carbide sleeve for substrate support assembly
JP4592849B2 (ja) * 1999-10-29 2010-12-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置
US6399510B1 (en) * 2000-09-12 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Bi-directional processing chamber and method for bi-directional processing of semiconductor substrates
JP2003100855A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶ウェーハ処理装置、シリコン単結晶ウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
US7232591B2 (en) * 2002-04-09 2007-06-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of using an adhesive for temperature control during plasma processing
JP4173344B2 (ja) * 2002-10-02 2008-10-29 株式会社小糸製作所 車両用灯具
US7654221B2 (en) * 2003-10-06 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US20060005770A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Robin Tiner Independently moving substrate supports
WO2007091638A1 (ja) * 2006-02-09 2007-08-16 Sumco Techxiv Corporation サセプタおよびエピタキシャルウェハの製造装置
US8234835B2 (en) * 2007-03-16 2012-08-07 Quest Product Development Corporation Integrated multilayer insulation
US20090194024A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Applied Materials, Inc. Cvd apparatus
JP5145984B2 (ja) 2008-02-05 2013-02-20 株式会社デンソー 半導体製造装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2010114139A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Sumco Techxiv株式会社 サセプタ装置、エピタキシャルウェハの製造装置、および、エピタキシャルウェハの製造方法
JP5184302B2 (ja) * 2008-11-04 2013-04-17 Sumco Techxiv株式会社 サセプタ装置、エピタキシャルウェハの製造装置、および、エピタキシャルウェハの製造方法
US8372196B2 (en) * 2008-11-04 2013-02-12 Sumco Techxiv Corporation Susceptor device, manufacturing apparatus of epitaxial wafer, and manufacturing method of epitaxial wafer
TW201128734A (en) * 2009-08-05 2011-08-16 Applied Materials Inc CVD apparatus
US9127360B2 (en) * 2009-10-05 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Epitaxial chamber with cross flow
JP5446760B2 (ja) 2009-11-16 2014-03-19 株式会社Sumco エピタキシャル成長方法
US20110155058A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-30 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus having a radiant cavity
KR100960239B1 (ko) * 2010-04-05 2010-06-01 주성엔지니어링(주) 서셉터 지지대를 포함한 박막증착장치
US8591700B2 (en) * 2010-08-19 2013-11-26 Stmicroelectronics Pte Ltd. Susceptor support system
WO2012134663A2 (en) 2011-03-16 2012-10-04 Applied Materials, Inc Method and apparatus utilizing a single lift mechanism for processing and transfer of substrates
US9512520B2 (en) * 2011-04-25 2016-12-06 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate processing system
JP5712782B2 (ja) * 2011-05-13 2015-05-07 株式会社Sumco エピタキシャルウェーハ成長装置用サセプタサポートシャフトおよびエピタキシャル成長装置
US20130025538A1 (en) * 2011-07-27 2013-01-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for deposition processes
US9401271B2 (en) * 2012-04-19 2016-07-26 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Susceptor assemblies for supporting wafers in a reactor apparatus
US9123765B2 (en) * 2013-03-11 2015-09-01 Applied Materials, Inc. Susceptor support shaft for improved wafer temperature uniformity and process repeatability

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