JP2016512933A - ドハーティ電力増幅回路及び電力増幅器 - Google Patents
ドハーティ電力増幅回路及び電力増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016512933A JP2016512933A JP2016503530A JP2016503530A JP2016512933A JP 2016512933 A JP2016512933 A JP 2016512933A JP 2016503530 A JP2016503530 A JP 2016503530A JP 2016503530 A JP2016503530 A JP 2016503530A JP 2016512933 A JP2016512933 A JP 2016512933A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- power amplifier
- circuit
- branch
- doherty
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/222—A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21106—An input signal being distributed in parallel over the inputs of a plurality of power amplifiers
Abstract
Description
前記少なくとも2つの2分岐電力デバイスにおいて、非対称2分岐電力デバイスのそれぞれに含まれる1つの電力増幅器は、個々に前記ドハーティ電力増幅回路のピーク電力増幅器を形成し、すべての前記非対称2分岐電力デバイスに含まれる他の電力増幅器は、前記ドハーティ電力増幅回路の主電力増幅器を共同して形成する
前記N−1の非対称2分岐電力デバイスは、N路ドハーティ電力増幅回路を形成する。
前記N−1の非対称2分岐電力デバイスにおいて、非対称2分岐電力デバイスのそれぞれに含まれるとともに、N路ドハーティ電力増幅回路のピーク電力増幅器を個々に形成するように構成されている電力増幅器は、同じ第2最大出力電力を有しており、
ここで、
第2最大出力電力 = (N−1) × M × 第1最大出力電力
であり、Mは正の数である。
C1の最大出力電力 = C2の最大出力電力
P1の最大出力電力 = P2の最大出力電力 = 2 × C1の最大出力電力
P1のゲートバイアス電圧は、C1及びC2のゲートバイアス電圧より低く、P2のゲートバイアス電圧は、P1のゲートバイアス電圧より低く設定される。
C1の最大出力電力 = C2の最大出力電力
P1の最大出力電力 = P2の最大出力電力 = 4 × C1の最大出力電力
C1の最大出力電力 = C2の最大出力電力
P1の最大出力電力 = P2の最大出力電力 = 2 × M × C1の最大出力電力
であり、ここで、Mは正の数であり、例えば、M = 1.2、M = 1.5などが許容される。
P1の最大出力電力 = P2の最大出力電力 = (PN−1)の最大出力電力 = (N−1) × M × C1の最大出力電力
C1の最大出力電力 = C2の最大出力電力 = ・・・ = (CN−1)の最大出力電力
P1から(PN−1)のゲートバイアス電圧は、順次減少するように設定され、したがって、P1から(PN−1)は、順次オンされる。
C1、P1 T1デバイスの電力増幅器
C2、P2 T2デバイスの電力増幅器
C1,C2 共同して主電力増幅器として動作
P1 第1ピーク電力増幅器として動作
P2 第2ピーク電力増幅器として動作
A1,A2,A3,A4 入力整合回路
B1,B2,B3,B4 出力整合回路
Claims (10)
- ドハーティ電力増幅回路であって、前記ドハーティ電力増幅回路は、少なくとも2つの2分岐電力デバイスを具備し、前記少なくとも2つの2分岐電力デバイスのそれぞれは、2つの電力増幅器を具備し、
前記少なくとも2つの2分岐電力デバイスにおいて、非対称2分岐電力デバイスのそれぞれに含まれる1つの電力増幅器は、個々に前記ドハーティ電力増幅回路のピーク電力増幅器を形成し、すべての前記非対称2分岐電力デバイスに含まれる他の電力増幅器は、前記ドハーティ電力増幅回路の主電力増幅器を共同して形成することを特徴とするドハーティ電力増幅回路。 - 前記ドハーティ電力増幅回路は、N−1の非対称2分岐電力デバイスを具備し、
Nは、2以上の整数であり、
前記N−1の非対称2分岐電力デバイスは、N路ドハーティ電力増幅回路を形成することを特徴とする請求項1に記載の回路。 - 前記N−1の非対称2分岐電力デバイスにおいて、すべての前記非対称2分岐電力デバイスに含まれるとともに、前記N路ドハーティ電力増幅回路の主電力増幅器を共同して形成するように構成されている電力増幅器は、同じ第1最大出力電力を有しており、
前記N−1の非対称2分岐電力デバイスにおいて、非対称2分岐電力デバイスのそれぞれに含まれるとともに、N路ドハーティ電力増幅回路のピーク電力増幅器を個々に形成するように構成されている電力増幅器は、同じ第2最大出力電力を有しており、
ここで、
第2最大出力電力 = (N−1) × M × 第1最大出力電力
であり、Mは正の数であることを特徴とする請求項2に記載の回路。 - Mの値は、通信システム信号のピーク対平均電力比とともに増加することを特徴とする請求項3に記載の回路。
- 前記少なくとも2つの2分岐電力デバイスのそれぞれは、非対称2分岐電力デバイスのそれぞれに含まれる2つの電力増幅器を統合することにより形成されることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の回路。
- 前記少なくとも2つの2分岐電力デバイスにおいて、非対称2分岐電力デバイスのそれぞれに含まれている2つの電力増幅器のそれぞれは、対応するインピーダンス整合回路を有し、
前記インピーダンス整合回路は、入力整合回路 ((A1, A2, A3, A4); (A5, A6, A7, A8))と、出力整合回路と、
を具備することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の回路。 - 前記少なくとも2つの2分岐電力デバイスのそれぞれに含まれている2つの電力増幅器のそれぞれは、それぞれの出力整合回路を使用することによりコンバイナと結合されていることを特徴とする請求項6に記載の回路。
- 前記少なくとも2つの2分岐電力デバイスにおいて、前記ドハーティ電力増幅回路のピーク電力増幅器を個々に形成するように構成されている任意の電力増幅器のゲートバイアス電圧は、前記ドハーティ電力増幅回路の主電力増幅器を共同して形成するように構成されている任意の電力増幅器のゲートバイアス電圧よりも低いことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の回路。
- 前記ドハーティ電力増幅回路のピーク電力増幅器は、ゲートバイアス電圧の降順で順次オンされることを特徴とする請求項9に記載の回路。
- 請求項1から9のいずれか一項に従うドハーティ電力増幅回路を具備する電力増幅器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310089529.0 | 2013-03-20 | ||
CN201310089529.0A CN103199798B (zh) | 2013-03-20 | 2013-03-20 | 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器 |
PCT/CN2014/073743 WO2014146585A1 (zh) | 2013-03-20 | 2014-03-20 | 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016512933A true JP2016512933A (ja) | 2016-05-09 |
JP6516227B2 JP6516227B2 (ja) | 2019-05-22 |
Family
ID=48722188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016503530A Active JP6516227B2 (ja) | 2013-03-20 | 2014-03-20 | ドハーティ電力増幅回路及び電力増幅器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9484866B2 (ja) |
EP (1) | EP2963810B1 (ja) |
JP (1) | JP6516227B2 (ja) |
CN (1) | CN103199798B (ja) |
ES (1) | ES2773491T3 (ja) |
WO (1) | WO2014146585A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103580612A (zh) * | 2012-08-10 | 2014-02-12 | 中兴通讯股份有限公司 | 功率放大管装置、多路射频功率放大电路及其实现方法 |
CN103199798B (zh) * | 2013-03-20 | 2015-12-02 | 华为技术有限公司 | 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器 |
EP3095190B1 (en) | 2014-01-16 | 2019-07-24 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Method and apparatus for adjusting peak power capability |
JP6332565B2 (ja) | 2015-09-01 | 2018-05-30 | 日本電気株式会社 | 電力増幅装置およびテレビジョン信号送信システム |
DE112018006918T5 (de) * | 2018-01-22 | 2020-10-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Verstärker |
US11159187B2 (en) * | 2018-02-26 | 2021-10-26 | Parallel Wireless, Inc. | Microcomponent massive MIMO arrays |
CN113169767A (zh) | 2018-07-30 | 2021-07-23 | 盈诺飞公司 | 大规模mimo通信系统和方法 |
WO2020093005A1 (en) | 2018-11-01 | 2020-05-07 | Innophase, Inc. | Reconfigurable phase array |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006067176A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Nec Corp | ドハティ増幅器並列運転回路 |
JP2006197556A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-07-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 増幅器 |
JP2007081800A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドハティ増幅器 |
JP2011507445A (ja) * | 2007-12-21 | 2011-03-03 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 出力回路網を最小にした3ウェイドハティ増幅器 |
JP2012028880A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | ドハティ増幅器および半導体装置 |
JP2012075193A (ja) * | 2003-05-05 | 2012-04-12 | Cree Inc | 不均等入力電力分割を用いた増加されたバックオフ能力および電力付加効率を持つnウェイrf電力増幅器回路 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5786727A (en) * | 1996-10-15 | 1998-07-28 | Motorola, Inc. | Multi-stage high efficiency linear power amplifier and method therefor |
KR101083920B1 (ko) * | 2006-08-11 | 2011-11-15 | 엘지에릭슨 주식회사 | 다중 입출력 경로 도허티 증폭기 |
WO2008053534A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Panasonic Corporation | Doherty amplifier |
CN101534093B (zh) * | 2009-04-14 | 2011-08-10 | 武汉正维电子技术有限公司 | 用于移动通信基站系统功率放大器的末级三路功率合成放大电路 |
US8736364B2 (en) * | 2009-10-13 | 2014-05-27 | Nec Corporation | Power amplifier and method of operation thereof |
KR101682424B1 (ko) * | 2010-04-06 | 2016-12-06 | 삼성전자주식회사 | 결합형 도허티 전력 증폭 장치 |
JP2012029239A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | ドハティ増幅器 |
EP2521257B1 (en) * | 2011-05-06 | 2014-11-12 | Nxp B.V. | Doherty amplifier circuit |
CN102355198B (zh) * | 2011-08-01 | 2013-11-27 | 深圳大学 | 多路非对称Doherty功率放大器 |
CN102427332B (zh) | 2011-11-28 | 2015-04-08 | 华为技术有限公司 | Doherty功率放大器及提高其功放效率的方法、设备 |
WO2013086658A1 (en) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Doherty power amplification apparatus and method |
CN102545788A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-07-04 | 武汉正维电子技术有限公司 | 一种多路非对称Doherty放大器 |
CN103199798B (zh) * | 2013-03-20 | 2015-12-02 | 华为技术有限公司 | 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器 |
-
2013
- 2013-03-20 CN CN201310089529.0A patent/CN103199798B/zh active Active
-
2014
- 2014-03-20 WO PCT/CN2014/073743 patent/WO2014146585A1/zh active Application Filing
- 2014-03-20 EP EP14769091.1A patent/EP2963810B1/en active Active
- 2014-03-20 ES ES14769091T patent/ES2773491T3/es active Active
- 2014-03-20 JP JP2016503530A patent/JP6516227B2/ja active Active
-
2015
- 2015-09-18 US US14/859,080 patent/US9484866B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012075193A (ja) * | 2003-05-05 | 2012-04-12 | Cree Inc | 不均等入力電力分割を用いた増加されたバックオフ能力および電力付加効率を持つnウェイrf電力増幅器回路 |
JP2006067176A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Nec Corp | ドハティ増幅器並列運転回路 |
JP2006197556A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-07-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 増幅器 |
JP2007081800A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドハティ増幅器 |
JP2011507445A (ja) * | 2007-12-21 | 2011-03-03 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 出力回路網を最小にした3ウェイドハティ増幅器 |
JP2012028880A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | ドハティ増幅器および半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6516227B2 (ja) | 2019-05-22 |
US9484866B2 (en) | 2016-11-01 |
CN103199798B (zh) | 2015-12-02 |
EP2963810A1 (en) | 2016-01-06 |
ES2773491T3 (es) | 2020-07-13 |
CN103199798A (zh) | 2013-07-10 |
US20160013762A1 (en) | 2016-01-14 |
EP2963810A4 (en) | 2016-01-06 |
EP2963810B1 (en) | 2019-12-04 |
WO2014146585A1 (zh) | 2014-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6516227B2 (ja) | ドハーティ電力増幅回路及び電力増幅器 | |
US9917551B2 (en) | Doherty amplifiers with minimum phase output networks | |
Indirayanti et al. | A 32 GHz 20 dBm-P SAT transformer-based Doherty power amplifier for multi-Gb/s 5G applications in 28 nm bulk CMOS | |
EP2806557B1 (en) | Doherty amplifier | |
EP2608400B1 (en) | N way Doherty amplifier | |
JP4976552B2 (ja) | 広帯域増幅装置 | |
EP2521257B1 (en) | Doherty amplifier circuit | |
US9331638B2 (en) | Doherty power amplifier apparatus | |
JP6501322B2 (ja) | 電力増幅器、リモート無線ユニット、及び基地局 | |
CN111416578B (zh) | 基于低Q输出网络的宽带集成Doherty功率放大器 | |
Onizuka et al. | A 1.8 GHz linear CMOS power amplifier with supply-path switching scheme for WCDMA/LTE applications | |
EP2665181A1 (en) | Amplifier circuit | |
US20150340996A1 (en) | Power amplifier, transceiver, and base station | |
CN102130657A (zh) | 一种功率放大器、不对称达赫笛功率放大设备和基站 | |
CN102594266A (zh) | 一种多级多路Doherty放大器 | |
CN104393843A (zh) | 采用多级式辅路放大器的Doherty功率放大器 | |
US11128259B2 (en) | Power amplification apparatus, remote radio unit, and base station | |
US8797099B2 (en) | Power amplifier device and power amplifier circuit thereof | |
WO2012146009A1 (zh) | 一种多赫蒂功放装置及功率放大方法 | |
Kumaran et al. | Compact N-Way Doherty Power Combiners for mm-wave 5G Transmitters | |
JP2011091801A (ja) | ドハティ増幅器用合成器 | |
Gilasgar et al. | A wideband highly-efficient linearizable 700w doherty power amplifier | |
WO2023115382A1 (zh) | 多赫蒂放大器及其输出网络、多赫蒂放大器的设计方法 | |
Boumaiza et al. | Broadband Doherty power amplifiers: Advances and challenges | |
Ziraksaz | A review of different structures of power amplifiers to improve linearity and efficiency |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151029 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151029 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161227 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171006 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20171017 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20171228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190122 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190408 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6516227 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |