CN103199798A - 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器 - Google Patents

一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN103199798A
CN103199798A CN2013100895290A CN201310089529A CN103199798A CN 103199798 A CN103199798 A CN 103199798A CN 2013100895290 A CN2013100895290 A CN 2013100895290A CN 201310089529 A CN201310089529 A CN 201310089529A CN 103199798 A CN103199798 A CN 103199798A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power
asymmetric
circuit
way
doherty
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2013100895290A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103199798B (zh
Inventor
孙捷
曾志雄
李学坤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huawei Technologies Co Ltd
Original Assignee
Huawei Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huawei Technologies Co Ltd filed Critical Huawei Technologies Co Ltd
Priority to CN201310089529.0A priority Critical patent/CN103199798B/zh
Publication of CN103199798A publication Critical patent/CN103199798A/zh
Priority to PCT/CN2014/073743 priority patent/WO2014146585A1/zh
Priority to ES14769091T priority patent/ES2773491T3/es
Priority to EP14769091.1A priority patent/EP2963810B1/en
Priority to JP2016503530A priority patent/JP6516227B2/ja
Priority to US14/859,080 priority patent/US9484866B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN103199798B publication Critical patent/CN103199798B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/222—A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21106—An input signal being distributed in parallel over the inputs of a plurality of power amplifiers

Abstract

本发明实施例公开了一种多赫蒂功率放大电路。所述多赫蒂功率放大电路包含至少两个非对称双路功率器件，所述至少两个非对称双路功率器件中的每个非对称双路功率器件包含两个功率放大器；所述至少两个非对称双路功率器件中，每个非对称双路功率器件包含的一个功率放大器单独构成所述多赫蒂功率放大电路的峰值功率放大器，每个非对称双路功率器件包含的另一个功率放大器共同构成所述多赫蒂功率放大电路的主功率放大器。本发明还相应地公开了一种功率放大器。采用本发明的多赫蒂功率放大电路和功率放大器，有利于改善主功率放大器的散热，减少电路的器件数量，减少电路面积，节约成本。

Description

一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器
技术领域
本发明涉及功率放大器，具体涉及一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器。
背景技术
功率放大器是无线基站中不可缺少的一部分，功率放大器的效率决定了基站的功耗、尺寸、热设计等。目前，为了提高频谱的利用效率，无线通信采用了多种不同制式的调制信号，如正交频分复用(Orthogonal Frequency DivisionMultiplexing，OFDM)、码分多址(Code-Division Multiple Access，CDMA)、时分多址(Time division multiple access，TDMA)等，根据相关协议的规定，这些制式的信号具有大小不同的峰均比(Peak-to-Average Power Ratio)，如OFDM的峰均比为10～12dB。高峰均比的信号在基站中对功率放大器有更高的要求，基站功率放大器为了不失真的放大这些高峰均比的信号，一种方法是采用功率回退的方法，就是让功率放大器工作在A类或AB类状态，但根据功率放大器的特性，这种方法会引起功率放大器效率的大幅度下降，在同样输出功率下，使基站的能耗大大增加；另一种方法就是采用高效率的非线性功率放大器与数字预失真(Digital Predistortion，DPD)等线性化数字技术结合。这样，可以得到比较好的功率放大器效率，同时功率放大器的线性也能够满足相关协议的要求。多赫蒂(Doherty)技术由于实现简单，成本较低，是当前主流的高效率功率放大器技术。
对于传统的对称多赫蒂功率放大电路最佳效率点在回退6dB的位置，比较适合于6dB的峰均比信号。而实际上在目前和未来的通信系统中，高峰均比的趋势越来越明显，为了实现在更高峰均比信号下获得更高的效率，非对称和多路多赫蒂技术的应用越来越多。然而，例如，现有技术中典型的3路多赫蒂功率放大电路一般会有3个功率器件：1个主功率放大器和2个峰值功率放大器，它们各自为一个独立封装的器件。这种传统的3路多赫蒂功率放大电路存在以下主要问题：
1、主功率放大器消耗了整个功率放大电路的大部分功耗，大部分热耗集中在主功率放大器一个功率器件上。这带来了一些问题，一是热量集中不利于系统的散热；二是主功率放大器热耗大，引起主功率放大器在高温下性能下降，同时芯片裸片(Die)的节温过高，主功率放大器的器件可靠性降低。
2、传统的3路多赫蒂功率放大器采用3个器件，器件的数量多，模块的面积大，导致整个模块的成本上升。
发明内容
本发明实施例提供了一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器，以期改善主功率放大器的散热，减少电路的器件数量，减少电路面积，节约成本。
第一方面，本发明提供一种多赫蒂功率放大电路，其特征在于，所述多赫蒂功率放大电路包含至少两个非对称双路功率器件，所述至少两个非对称双路功率器件中的每个非对称双路功率器件包含两个功率放大器；
所述至少两个非对称双路功率器件中，每个非对称双路功率器件包含的一个功率放大器单独构成所述多赫蒂功率放大电路的峰值功率放大器，每个非对称双路功率器件包含的另一个功率放大器共同构成所述多赫蒂功率放大电路的主功率放大器。
在第一种可能的实现方式中，所述多赫蒂功率放大电路包含N-1个非对称双路功率器件，其中，N为大于2的正整数；
所述N-1个非对称双路功率器件构成N路多赫蒂功率放大电路。
结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述N-1个非对称双路功率器件中，每个非对称双路功率器件包含的用于共同构成所述N路多赫蒂功率放大电路的主功率放大器的功率放大器的第一最大输出功率相等；
所述N-1个非对称双路功率器件中，每个非对称双路功率器件包含的用于单独构成所述N路多赫蒂功率放大电路的峰值功率放大器的功率放大器的第二最大输出功率相等；
其中，第二最大输出功率=(N-1)*M*第一最大输出功率，M为正数。
结合第一方面的第二种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，，M的取值随通信系统信号的峰均比的增大而增大。结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式或第一方面的第二种可能的实现方式或第一方面的第三种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，所述至少两个非对称双路功率器件中，每个所述非对称双路功率器件均通过对每个所述非对称双路功率器件包含的两个功率放大器进行集成而形成。
结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式或第一方面的第二种可能的实现方式或第一方面的第三种可能的实现方式或第一方面的第四种可能的实现方式，在第五种可能的实现方式中，所述至少两个非对称双路功率器件中，每个所述非对称双路功率器件包含的两个功率放大器分别有相应的阻抗匹配电路，所述阻抗匹配电路包括输入匹配电路和输出匹配电路。
结合第一方面的第五种可能的实现方式，在第六种可能的实现方式中，所述至少两个非对称双路功率器件中的每个所述非对称双路功率器件包含的两个功率放大器分别通过各自的所述输出匹配电路连接至合路器。
结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式或第一方面的第二种可能的实现方式或第一方面的第三种可能的实现方式或第一方面的第四种可能的实现方式或第一方面的第五种可能的实现方式或第一方面的第六种可能的实现方式，在第七种可能的实现方式中，
所述至少两个非对称双路功率器件中，用于单独构成所述多赫蒂功率放大电路的峰值功率放大器的任一个功率放大器的栅极偏置低于用于共同构成所述多赫蒂功率放大电路的主功率放大器的任一个功率放大器的栅极偏置。
结合第一方面的第七种可能的实现方式，在第八种可能的实现方式中，按照栅极偏置由高至低的顺序，依次开启所述多赫蒂功率放大电路的峰值功率放大器。
第二方面，本发明提供一种功率放大器，其特征在于，包括第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式或第一方面的第二种可能的实现方式或第一方面的第三种可能的实现方式或第一方面的第四种可能的实现方式或第一方面的第五种可能的实现方式或第一方面的第六种可能的实现方式或第一方面的第七种可能的实现方式或第一方面的第八种可能的实现方式所述的多赫蒂功率放大电路。
由上可知，在本发明一些可行的实施方式中，通过将功率放大器集成到非对称双路功率器件中，减少了电路的器件数量，减少了电路的面积，同时节约了成本，且主功率放大器的热耗分散到了每个非对称双路功率器件，有利于改善主功率放大器的散热。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一种3路多赫蒂功率放大电路的电路结构示意图；
图2为另一种3路多赫蒂功率放大电路的电路结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为解决现有技术中的多赫蒂功率放大电路存在的热耗集中、器件数量多、成本高等问题，本发明实施例提供一种多赫蒂功率放大电路，所述多赫蒂功率放大电路包含至少两个非对称双路功率器件，所述至少两个非对称双路功率器件中的每个非对称双路功率器件包含两个功率放大器，所述至少两个非对称双路功率器件中，每个非对称双路功率器件包含的一个功率放大器单独构成所述多赫蒂功率放大电路的峰值功率放大器，每个非对称双路功率器件包含的另一个功率放大器共同构成所述多赫蒂功率放大电路的主功率放大器。
作为一种实施方式，所述多赫蒂功率放大电路包含N-1个非对称双路功率器件，其中，N为大于2的正整数，所述N-1个非对称双路功率器件构成N路多赫蒂功率放大电路。
所述N-1个非对称双路功率器件中，每个非对称双路功率器件包含的用于共同构成所述N路多赫蒂功率放大电路的主功率放大器的功率放大器的第一最大输出功率相等，每个非对称双路功率器件包含的用于单独构成所述N路多赫蒂功率放大电路的峰值功率放大器的功率放大器的第二最大输出功率相等，其中，第二最大输出功率=(N-1)*M*第一最大输出功率，M为正数。M的取值随通信系统信号的峰均比的增大而增大。
至少两个非对称双路功率器件中，每个所述非对称双路功率器件均通过对每个所述非对称双路功率器件包含的两个功率放大器进行集成。
至少两个非对称双路功率器件中，每个所述非对称双路功率器件包含的两个功率放大器分别有相应的阻抗匹配电路，阻抗匹配电路包括输入匹配电路和输出匹配电路。至少两个非对称双路功率器件中，每个非对称双路功率器件包含的两个功率放大器分别通过各自的输出匹配电路连接至合路器。
所述至少两个非对称双路功率器件中，用于单独构成多赫蒂功率放大电路的峰值功率放大器的任一个功率放大器的栅极偏置，要低于用于共同构成多赫蒂功率放大电路的主功率放大器的任一个功率放大器的栅极偏置。按照栅极偏置由高至低的顺序，依次开启所述多赫蒂功率放大电路的峰值功率放大器。根据本发明实施例提供的一种多赫蒂功率放大电路，通过将功率放大器集成到非对称双路功率器件中，减少了电路的器件数量，减少了电路的面积，同时节约了成本，且主功率放大器的热耗分散到了每个非对称双路功率器件，有利于改善主功率放大器的散热。
下面以3路多赫蒂功率放大电路为例进行说明。
图1为一种3路多赫蒂功率放大电路的电路结构示意图。如图1所示，为1:1:1的3路多赫蒂功率放大电路，T1和T2是2个非对称双路功率器件，该器件内部有两路，T1器件内部两路分别为C1和P1，T2器件内部两路分别为C2和P2，其中，C1和P1、C2和P2分别进行集成，构成T1和T2。
C1和P1、C2和P2的最大输出功率分别不相同，C1、P1、C2和P2的最大输出功率根据3路多赫蒂功率放大电路的设计来进行选取，其最大输出功率关系如下：
C1的最大输出功率=C2的最大输出功率
P1的最大输出功率=P2的最大输出功率=2*C1的最大输出功率
设置P1的栅极偏置比C1和C2的栅极偏置低，P2的栅极偏置比P1的栅极偏置低。
在射频功率放大器的电路设计中，功率放大器的输入和输出需要匹配电路，匹配到合适的阻抗点，保证功率放大器的功率，效率和增益等。在C1、P1、C2和P2的输入端和输出端分别连接有输入匹配电路和输出匹配电路，其中，C1分别连接输入匹配电路A1和输出匹配电路B1，P1分别连接输入匹配电路A2和输出匹配电路B2，C2分别连接输入匹配电路A3和输出匹配电路B3，P2分别连接输入匹配电路A4和输出匹配电路B4。
C1、P1、C2和P2的输出匹配电路连接到合路器1，合路器1将C1、P1、C2和P2的输出功率合路在一起，输出给负载，合路器1还包括3路多赫蒂功率放大电路的阻抗变换部分，根据C1，C2，P1和P2的最大输出功率关系选取合适阻抗变换关系，选取阻抗变换就是使C1、P1、C2和P2之间的阻抗牵引满足多赫蒂设计的限定条件。
图1所示的3路多赫蒂功率放大电路的工作原理如下：
实际工作时C1和C2合路做主功率放大器，P1和P2分别作为第一个峰值功率放大器和第二个峰值功率放大器。
当输出功率回退小于12dB时，主要是主功率放大器C1和C2工作，P1和P2工作在C类，没有开启。
当输出功率回退小于12dB，大于6dB时P1打开，主功率放大器C1、C2和P1工作，P2还没有开启。
当输出功率回退小于6dB时，P2也打开，C1、C2、P1和P2都工作。
合路器1将C1、P1、C2和P2的输出功率合路在一起，输出给负载。
由于P1的栅极偏置比C1和C2的栅极偏置低，P2的栅极偏置比P1更低，所以主功率放大器和峰值功率放大器依次打开。具体地，栅极偏置越高增益越高，而且峰值功率放大器的增益是随着输入功率的增大而增大的，所以对于相同输入功率而言，输入功率非常小的时候，主功率放大器的输出功率远大于P1的输出功率，P1的输出功率大于P2的输出功率，此时主要是主功率放大器在工作，即输出功率主要是主功率放大器输出的。当输入功率继续增大，增大到输出功率为总功率回退12dB时，P1的增益变得比较大了，其输出功率开始增大，但此时P2的增益还是比较低，其输出功率可以忽略不计。输入功率继续增大，增大到输出功率为总功率回退6dB时，P2的增益变得比较大了，其输出功率开始增大。直到最后，主功率放大器和峰值功率放大器都达到其最大输出功率。
根据上述实施例提供的3路多赫蒂功率放大电路，C1和C2合路做主功放，这样主功放的热耗分散到了T1和T2两个非对称双路功率器件，改善了模块散热和器件的性能，且C1、C2、P1和P2集成到了T1和T2两个非对称双路功率器件，减少了器件的数量，减少了电路的面积，同时节约了成本。
图2为另一种3路多赫蒂功率放大电路的电路结构示意图。如图2所示，为1:2:2的3路多赫蒂功率放大电路，其最大输出功率如下：
C1的最大输出功率=C2的最大输出功率
P1的最大输出功率=P2的最大输出功率=4*C1的最大输出功率
图2与图1的区别在于，图1所示的1:1:1的多赫蒂功率放大电路的开启点分别是12dB和6dB，图2所示的1:2：2的多赫蒂功率放大电路无非就是这个点不一样而已，当然其合路器2内的阻抗匹配电路也不同，根据C3，C4，P3和P4的最大输出功率关系选取合适阻抗变换关系。
具体运行时，根据实际通信系统信号的峰均比，选择到底是1:1:1或1:2:2。
推广到1：M：M的3路doherty，其最大输出功率关系如下：
C1的最大输出功率=C2的最大输出功率
P1的最大输出功率=P2的最大输出功率=2*M*C1的最大输出功率
其中，M为一个正数，比如M=1.2、M=1.5等等都是可以的。
推广到1：M：…M的N路多赫蒂功率放大电路，其最大输出功率关系如下：
P1的最大输出功率=P2的最大输出功率=…=PN-1的最大输出功率
=(N-1)*M*C1的最大输出功率
C1的最大输出功率=C2的最大输出功率=…=CN-1的最大输出功率
设置P1到PN-1的栅极偏置依次减小，所以，P1到PN-1依次开启。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种多赫蒂功率放大电路，其特征在于，所述多赫蒂功率放大电路包含至少两个非对称双路功率器件，所述至少两个非对称双路功率器件中的每个非对称双路功率器件包含两个功率放大器；
所述至少两个非对称双路功率器件中，每个非对称双路功率器件包含的一个功率放大器单独构成所述多赫蒂功率放大电路的峰值功率放大器，每个非对称双路功率器件包含的另一个功率放大器共同构成所述多赫蒂功率放大电路的主功率放大器。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述多赫蒂功率放大电路包含N-1个非对称双路功率器件，其中，N为大于2的正整数；
所述N-1个非对称双路功率器件构成N路多赫蒂功率放大电路。
3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述N-1个非对称双路功率器件中，每个非对称双路功率器件包含的用于共同构成所述N路多赫蒂功率放大电路的主功率放大器的功率放大器的第一最大输出功率相等；
所述N-1个非对称双路功率器件中，每个非对称双路功率器件包含的用于单独构成所述N路多赫蒂功率放大电路的峰值功率放大器的功率放大器的第二最大输出功率相等；
其中，第二最大输出功率=(N-1)*M*第一最大输出功率，M为正数。
4.如权利要求3所述的电路，其特征在于，M的取值随通信系统信号的峰均比的增大而增大。
5.如权利要求1-4所述的电路，其特征在于，所述至少两个非对称双路功率器件中，每个所述非对称双路功率器件均通过对每个所述非对称双路功率器件包含的两个功率放大器进行集成而形成。
6.如权利要求1-5所述的电路，其特征在于，所述至少两个非对称双路功率器件中，每个所述非对称双路功率器件包含的两个功率放大器分别有相应的阻抗匹配电路，所述阻抗匹配电路包括输入匹配电路和输出匹配电路。
7.如权利要求6所述的电路，其特征在于，所述至少两个非对称双路功率器件中的每个所述非对称双路功率器件包含的两个功率放大器分别通过各自的所述输出匹配电路连接至合路器。
8.如权利要求1-7所述的电路，其特征在于，所述至少两个非对称双路功率器件中，用于单独构成所述多赫蒂功率放大电路的峰值功率放大器的任一个功率放大器的栅极偏置低于用于共同构成所述多赫蒂功率放大电路的主功率放大器的任一个功率放大器的栅极偏置。
9.如权利要求8所述的电路，其特征在于，按照栅极偏置由高至低的顺序，依次开启所述多赫蒂功率放大电路的峰值功率放大器。
10.一种功率放大器，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的多赫蒂功率放大电路。
CN201310089529.0A 2013-03-20 2013-03-20 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器 Active CN103199798B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310089529.0A CN103199798B (zh) 2013-03-20 2013-03-20 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器
PCT/CN2014/073743 WO2014146585A1 (zh) 2013-03-20 2014-03-20 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器
ES14769091T ES2773491T3 (es) 2013-03-20 2014-03-20 Circuito de amplificación de potencia Doherty y amplificador de potencia
EP14769091.1A EP2963810B1 (en) 2013-03-20 2014-03-20 Doherty power amplification circuit and power amplifier
JP2016503530A JP6516227B2 (ja) 2013-03-20 2014-03-20 ドハーティ電力増幅回路及び電力増幅器
US14/859,080 US9484866B2 (en) 2013-03-20 2015-09-18 Doherty power amplifying circuit and power amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310089529.0A CN103199798B (zh) 2013-03-20 2013-03-20 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103199798A true CN103199798A (zh) 2013-07-10
CN103199798B CN103199798B (zh) 2015-12-02

Family

ID=48722188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310089529.0A Active CN103199798B (zh) 2013-03-20 2013-03-20 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9484866B2 (zh)
EP (1) EP2963810B1 (zh)
JP (1) JP6516227B2 (zh)
CN (1) CN103199798B (zh)
ES (1) ES2773491T3 (zh)
WO (1) WO2014146585A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014023241A1 (zh) * 2012-08-10 2014-02-13 中兴通讯股份有限公司 功率放大管装置、多路射频功率放大电路及其实现方法
WO2014146585A1 (zh) * 2013-03-20 2014-09-25 华为技术有限公司 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器
WO2015106422A1 (en) * 2014-01-16 2015-07-23 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Method and apparatus for adjusting peak power capability

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6332565B2 (ja) 2015-09-01 2018-05-30 日本電気株式会社 電力増幅装置およびテレビジョン信号送信システム
DE112018006918T5 (de) * 2018-01-22 2020-10-01 Mitsubishi Electric Corporation Verstärker
US11159187B2 (en) * 2018-02-26 2021-10-26 Parallel Wireless, Inc. Microcomponent massive MIMO arrays
CN113169767A (zh) 2018-07-30 2021-07-23 盈诺飞公司 大规模mimo通信系统和方法
WO2020093005A1 (en) 2018-11-01 2020-05-07 Innophase, Inc. Reconfigurable phase array

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1741373A (zh) * 2004-08-26 2006-03-01 日本电气株式会社 用于多赫蒂放大器并行操作的电路
US20080036533A1 (en) * 2006-08-11 2008-02-14 Lg-Nortel Co., Ltd. Multi-path doherty amplifier and control method of a multi-path doherty amplifier
CN101534093A (zh) * 2009-04-14 2009-09-16 武汉正维电子技术有限公司 用于移动通信基站系统功率放大器的末级三路功率合成放大电路
CN102355198A (zh) * 2011-08-01 2012-02-15 深圳大学 多路非对称Doherty功率放大器
CN102427332A (zh) * 2011-11-28 2012-04-25 华为技术有限公司 Doherty功率放大器及提高其功放效率的方法、设备
CN102545788A (zh) * 2011-12-29 2012-07-04 武汉正维电子技术有限公司 一种多路非对称Doherty放大器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5786727A (en) * 1996-10-15 1998-07-28 Motorola, Inc. Multi-stage high efficiency linear power amplifier and method therefor
US6737922B2 (en) * 2002-01-28 2004-05-18 Cree Microwave, Inc. N-way RF power amplifier circuit with increased back-off capability and power added efficiency using unequal input power division
JP4700470B2 (ja) * 2004-12-15 2011-06-15 株式会社日立国際電気 増幅器
JP2007081800A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドハティ増幅器
WO2008053534A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-08 Panasonic Corporation Doherty amplifier
KR101107827B1 (ko) * 2007-12-21 2012-01-31 엔엑스피 비 브이 최소 출력 네트워크를 포함한 3-웨이 도허티 증폭기
US8736364B2 (en) * 2009-10-13 2014-05-27 Nec Corporation Power amplifier and method of operation thereof
KR101682424B1 (ko) * 2010-04-06 2016-12-06 삼성전자주식회사 결합형 도허티 전력 증폭 장치
JP5483581B2 (ja) * 2010-07-20 2014-05-07 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 ドハティ増幅器および半導体装置
JP2012029239A (ja) * 2010-07-27 2012-02-09 Sumitomo Electric Device Innovations Inc ドハティ増幅器
EP2521257B1 (en) * 2011-05-06 2014-11-12 Nxp B.V. Doherty amplifier circuit
WO2013086658A1 (en) * 2011-12-15 2013-06-20 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Doherty power amplification apparatus and method
CN103199798B (zh) * 2013-03-20 2015-12-02 华为技术有限公司 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1741373A (zh) * 2004-08-26 2006-03-01 日本电气株式会社 用于多赫蒂放大器并行操作的电路
US20080036533A1 (en) * 2006-08-11 2008-02-14 Lg-Nortel Co., Ltd. Multi-path doherty amplifier and control method of a multi-path doherty amplifier
CN101534093A (zh) * 2009-04-14 2009-09-16 武汉正维电子技术有限公司 用于移动通信基站系统功率放大器的末级三路功率合成放大电路
CN102355198A (zh) * 2011-08-01 2012-02-15 深圳大学 多路非对称Doherty功率放大器
CN102427332A (zh) * 2011-11-28 2012-04-25 华为技术有限公司 Doherty功率放大器及提高其功放效率的方法、设备
CN102545788A (zh) * 2011-12-29 2012-07-04 武汉正维电子技术有限公司 一种多路非对称Doherty放大器

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014023241A1 (zh) * 2012-08-10 2014-02-13 中兴通讯股份有限公司 功率放大管装置、多路射频功率放大电路及其实现方法
WO2014146585A1 (zh) * 2013-03-20 2014-09-25 华为技术有限公司 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器
US9484866B2 (en) 2013-03-20 2016-11-01 Huawei Technologies Co., Ltd. Doherty power amplifying circuit and power amplifier
WO2015106422A1 (en) * 2014-01-16 2015-07-23 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Method and apparatus for adjusting peak power capability
US9871538B2 (en) 2014-01-16 2018-01-16 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Method and apparatus for adjusting peak power capability

Also Published As

Publication number Publication date
JP6516227B2 (ja) 2019-05-22
US9484866B2 (en) 2016-11-01
CN103199798B (zh) 2015-12-02
EP2963810A1 (en) 2016-01-06
ES2773491T3 (es) 2020-07-13
US20160013762A1 (en) 2016-01-14
EP2963810A4 (en) 2016-01-06
EP2963810B1 (en) 2019-12-04
JP2016512933A (ja) 2016-05-09
WO2014146585A1 (zh) 2014-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103199798B (zh) 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器
Indirayanti et al. A 32 GHz 20 dBm-P SAT transformer-based Doherty power amplifier for multi-Gb/s 5G applications in 28 nm bulk CMOS
Hoversten et al. Codesign of PA, supply, and signal processing for linear supply-modulated RF transmitters
CN102545788A (zh) 一种多路非对称Doherty放大器
CN103795354A (zh) 包含低和高功率工作模式的高效线性集成功率放大器
CN103430603B (zh) 功率放大器、收发信机及基站
CN102130657A (zh) 一种功率放大器、不对称达赫笛功率放大设备和基站
CN107408924A (zh) 通过共射共基电流导引的增强的放大器效率
CN111416578B (zh) 基于低Q输出网络的宽带集成Doherty功率放大器
CN106374860A (zh) 一种基于电压合成结构的Doherty功率放大器
CN102594266A (zh) 一种多级多路Doherty放大器
CN104779922A (zh) 用于优化射频功率放大器性能的高电压包络跟踪器
CN109417394A (zh) 包络调制器、包络跟踪功率放大器及通信设备
CN104393843A (zh) 采用多级式辅路放大器的Doherty功率放大器
Honda et al. Efficiency enhancement of GaN Doherty power amplifier at large power back-off with virtual short stub technique
CN202535310U (zh) 一种多级多路Doherty放大器
CN101924522A (zh) 带有自适应线性化偏置电路的射频功率放大器
CN104380598B (zh) 功率放大电路
Joo et al. A WLAN RF CMOS PA with adaptive power cells
CN108111134A (zh) 功率放大装置和微波电路
CN105680801B (zh) 一种平衡散热的多模功率放大器及其移动终端
CN204376835U (zh) 采用多级式辅路放大器的Doherty功率放大器
CN110199474A (zh) 一种功率放大装置、射频拉远单元及基站
CN204156825U (zh) 射频功率放大器
Choi et al. 28.8 dBm, high efficiency, linear GaN power amplifier with in-phase power combining for IEEE 802.11 p applications

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant