JP2016225656A - 電子機器 - Google Patents

電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2016225656A
JP2016225656A JP2016184356A JP2016184356A JP2016225656A JP 2016225656 A JP2016225656 A JP 2016225656A JP 2016184356 A JP2016184356 A JP 2016184356A JP 2016184356 A JP2016184356 A JP 2016184356A JP 2016225656 A JP2016225656 A JP 2016225656A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal plate
conductive layer
power element
conductive
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016184356A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6308275B2 (ja
Inventor
森 昌吾
Shogo Mori
昌吾 森
直毅 加藤
Naoki Kato
直毅 加藤
洋史 湯口
Hiroshi Yuguchi
洋史 湯口
佳孝 岩田
Yoshitaka Iwata
佳孝 岩田
雅彦 川辺
Masahiko Kawabe
雅彦 川辺
音部 優里
Yuri Otobe
優里 音部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Industries Corp
Original Assignee
Toyota Industries Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Industries Corp filed Critical Toyota Industries Corp
Priority to JP2016184356A priority Critical patent/JP6308275B2/ja
Publication of JP2016225656A publication Critical patent/JP2016225656A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6308275B2 publication Critical patent/JP6308275B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】パワー素子を効率良く冷却しつつも、電子機器の平面的な体格の小型化を図ること。【解決手段】第1金属板11、樹脂層13及び第2金属板12が、放熱部材20に対して近い方からこの順序で積層されている。樹脂層13にはコイル19aが設けられ、第1金属板11にはコイル19aが電気的に接合されている。これによれば、第1金属板11が、第2金属板12よりも放熱部材20寄りに配置されるため、パワー素子11aから発せられる熱が、制御素子12a,12bから発せられる熱よりも優先的に放熱部材20により放熱される。さらに、第1金属板11、樹脂層13及び第2金属板12が積層されているため、第1金属板11と第2金属板12とが互いに平面的に配置されている場合に比べると、電子機器10の平面的な体格が小型化される。【選択図】図1

Description

本発明は、電子機器に関する。
一般的に、車両には、特許文献1に開示されているような、直流電圧を交流電圧に変換する電子機器であるインバータ装置が搭載されている。インバータ装置は、パワー素子が実装された第1金属板(第1導電層)と、制御素子が実装された第2金属板(第2導電層)とを有する。制御素子は、パワー素子のスイッチング動作を制御する。
特開2010−73767号公報
ところで、パワー素子は、制御素子に比べて発熱量が多いため、パワー素子を効率良く冷却することが望まれる。また、このような電子機器において、例えば、第1金属板と第2金属板とが互いに平面的に配置されていると、車両への搭載スペースの制約上、電子機器を車両に搭載することが困難となってしまう場合がある。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、パワー素子を効率良く冷却しつつも、平面的な体格の小型化を図ることができる電子機器を提供することにある。
上記課題を解決する電子機器は、放熱部材と、前記放熱部材に熱的に結合されるパワー素子が電気的に接合された第1導電層と、前記パワー素子のスイッチング動作を制御する制御素子が電気的に接合された第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層との間において前記パワー素子が埋め込まれる樹脂層と、を有し、前記第1導電層、前記樹脂層及び前記第2導電層は、前記放熱部材に対して近い方からこの順序で積層されており、前記樹脂層にはコイルが設けられ、前記第1導電層には前記コイルが電気的に接合されている。
これによれば、第1導電層が、第2導電層よりも放熱部材寄りに配置されるため、パワー素子から発せられる熱が、制御素子から発せられる熱よりも優先的に放熱部材により放熱される。さらに、第1導電層、樹脂層及び第2導電層が積層されているため、第1導電層と第2導電層とが互いに平面的に配置されている場合に比べると、パワー素子を効率良く冷却しつつも、電子機器の平面的な体格の小型化を図ることができる。これによれば、発熱量が多いコイルを効率良く冷却することができる。
上記電子機器において、前記放熱部材と前記第1導電層との間には、前記樹脂層よりも熱伝導率の高い高熱伝導絶縁層が介在されていることが好ましい。
これによれば、放熱部材と第1導電層との間を絶縁しなければならない構成であっても、放熱部材と第1導電層との間に介在される高熱伝導絶縁層は、樹脂層よりも熱伝導率が高いため、パワー素子から発せられる熱は、樹脂層よりも高熱伝導絶縁層に伝達され易い。よって、高熱伝導絶縁層に伝達された熱が放熱部材に伝達されて、放熱部材によって放熱されるため、放熱部材と第1導電層との間を絶縁しなければならない構成であっても、パワー素子を効率良く冷却することができる。
上記電子機器において、前記パワー素子と前記第2導電層とは、前記樹脂層を通過し、前記パワー素子における前記第2導電層側の平面に対して垂直方向に延びる複数の導電部材によって接続されていることが好ましい。
これによれば、パワー素子と第2導電層とを互いに平面的に配置して、パワー素子と第2導電層とをワイヤボンディングにより接続する場合に比べると、電子機器の平面的な体格の小型化を図ることができる。
上記電子機器において、前記導電部材は板状であることが好ましい。これによれば、パワー素子と第2導電層とをスルーホールにより電気的に接続する場合に比べると、パワー素子と第2導電層との電気的な接続状態を良好なものとすることができる。
上記電子機器において、前記パワー素子と前記制御素子とが、前記第1導電層、前記樹脂層及び前記第2導電層が積層される積層方向において重なっていることが好ましい。
これによれば、パワー素子と制御素子とが積層方向において重なっていない場合に比べると、電子機器の平面的な体格の小型化を図ることができる。
上記電子機器において、前記樹脂層及び前記第2導電層には貫通孔が形成されており、前記貫通孔には前記コイル及びコアが設けられ、前記第1導電層には前記コアが熱的に接合されていることが好ましい。これによれば、発熱量が多いコアを効率良く冷却することができる。
上記電子機器において、前記パワー素子はMOSFETであり、前記第1導電層に対してベアチップ実装されていることが好ましい。これによれば、パッケージされたパワー素子が第1導電層に対して実装されている場合に比べると、電子機器を小型化することができる。
上記電子機器において、前記第1導電層の厚さは、前記第2導電層の厚さよりも厚いことが好ましい。
これによれば、第1導電層を平面的に大型化させる場合に比べて、電子機器の平面的な体格の小型化を図ることができる。
この発明によれば、パワー素子を効率良く冷却しつつも、電子機器の平面的な体格の小型化を図ることができる。
実施形態における電子機器の断面図。
以下、電子機器を具体化した一実施形態を図1にしたがって説明する。本実施形態の電子機器は、例えば、車載用のインバータ装置である。
図1に示すように、電子機器10は、放熱部材20と、パワー素子11aが電気的に接合された第1導電層としての第1金属板11と、二つの制御素子12a,12bが電気的に接合された第2導電層としての第2金属板12とを備えている。パワー素子11aはMOSFETであり、第1金属板11に対してベアチップ実装されている。各制御素子12a,12bは、例えばチップ抵抗やコンデンサ等である。放熱部材20は、例えば、内部に冷却水が流れる冷却水流路を有するアルミニウム製の筐体である。第1金属板11及び第2金属板12は、平板状の銅板である。第1金属板11の厚さH1は、第2金属板12の厚さH2よりも厚くなっており、第1金属板11は第2金属板12よりも大電流が流れる。
電子機器10は、第1金属板11と第2金属板12との間においてパワー素子11aが埋め込まれる樹脂層13を備えている。樹脂層13は、ガラス繊維等の熱伝導率の良好なフィラーを含むエポキシ樹脂からなる。第1金属板11、樹脂層13及び第2金属板12は、放熱部材20に対して近い方からこの順序で積層されている。よって、第1金属板11は、第2金属板12よりも放熱部材20寄りに配置されている。パワー素子11aと一方の制御素子12aとは、第1金属板11、樹脂層13及び第2金属板12が積層される積層方向において、その一部分が重なっている。パワー素子11aは、樹脂層13に埋め込まれるようにして第1金属板11と樹脂層13との間に配置されている。
放熱部材20と第1金属板11との間には、高熱伝導絶縁層14が介在されている。高熱伝導絶縁層14は、ガラス繊維等の熱伝導率の良好なフィラーを含むエポキシ樹脂からなる。高熱伝導絶縁層14を形成するエポキシ樹脂に混入されたフィラーの量は、樹脂層13を形成するエポキシ樹脂に混入されたフィラーの量よりも多くなっている。よって、高熱伝導絶縁層14は、樹脂層13よりも熱伝導率が高くなっている。
パワー素子11aと第2金属板12とは、板状の二つの導電部材15によって電気的に接続されている。各導電部材15は、樹脂層13の内部を通過し、パワー素子11aにおける第2金属板12側の平面111aに対して垂直方向に立設して延びる平板状である。よって、各導電部材15は、その厚み方向がパワー素子11aの平面111aに沿う方向となるように配置されている。各導電部材15は、パワー素子11aと制御素子12a,12bとの間を流れる電流経路を形成している。そして、各制御素子12a,12bとパワー素子11aとの間で、第2金属板12及び各導電部材15を介した電流の流れが生じることで、パワー素子11aのスイッチング動作が行われる。よって、制御素子12a,12bは、パワー素子11aのスイッチング動作を制御する。
電子機器10は、制御素子12a,12bよりも発熱量の少ない発熱素子16aを有する第3金属板16を備えている。第3金属板16は、平板状の銅板である。第3金属板16は、第2金属板12における第1金属板11とは反対側に積層されている。第2金属板12と第3金属板16との間には絶縁層17が介在されている。絶縁層17は、ガラス繊維等の熱伝導率の良好なフィラーを含むエポキシ樹脂からなる。樹脂層13及び絶縁層17の熱伝導率は同じである。制御素子12a,12bは、絶縁層17に埋め込まれるようにして第2金属板12と絶縁層17との間に配置されている。
電子機器10は、第3金属板16、絶縁層17、第2金属板12及び樹脂層13を積層方向に沿って貫通する貫通孔18を有する。貫通孔18内には、第1金属板11に実装された誘導機器19(例えばリアクトル)が収容されている。誘導機器19は、第1金属板11に電気的に接合されるコイル19a(図1において二点鎖線で示す)と、第1金属板11に熱的に接合されるコア19b(図1において二点鎖線で示す)とを備える。誘導機器19は、第3金属板16の上面(第3金属板16における絶縁層17とは反対側の面)よりも突出していない。
次に、本実施形態の作用を説明する。
パワー素子11aは、制御素子12a,12bに比べて発熱量が多い。第1金属板11は、第2金属板12よりも放熱部材20寄りに配置されているため、パワー素子11aから発せられる熱は、制御素子12a,12bから発せられる熱よりも優先的に放熱部材20により放熱される。また、高熱伝導絶縁層14は、樹脂層13よりも熱伝導率が高いため、パワー素子11aから発せられる熱は、樹脂層13よりも高熱伝導絶縁層14に伝達され易い。よって、パワー素子11aから発せられる熱は、第1金属板11及び高熱伝導絶縁層14を介して放熱部材20に伝達されて、放熱部材20によって放熱される。さらに、誘導機器19のコイル19a及びコア19bから発せられる熱も、第1金属板11及び高熱伝導絶縁層14を介して放熱部材20に伝達されて、放熱部材20によって放熱される。
上記実施形態では以下の効果を得ることができる。
(1)第1金属板11、樹脂層13及び第2金属板12が、放熱部材20に対して近い方からこの順序で積層されている。これによれば、第1金属板11が、第2金属板12よりも放熱部材20寄りに配置されるため、パワー素子11aから発せられる熱が、制御素子12a,12bから発せられる熱よりも優先的に放熱部材20により放熱される。さらに、第1金属板11、樹脂層13及び第2金属板12が積層されているため、第1金属板11と第2金属板12とが互いに平面的に配置されている場合に比べると、パワー素子11aを効率良く冷却しつつも、電子機器10の平面的な体格の小型化を図ることができる。
(2)放熱部材20と第1金属板11との間には、樹脂層13よりも熱伝導率の高い高熱伝導絶縁層14が介在されている。これによれば、放熱部材20と第1金属板11との間を絶縁しなければならない構成であっても、放熱部材20と第1金属板11との間に介在される高熱伝導絶縁層14は、樹脂層13よりも熱伝導率が高いため、パワー素子11aから発せられる熱は、樹脂層13よりも高熱伝導絶縁層14に伝達され易い。よって、高熱伝導絶縁層14に伝達された熱が放熱部材20に伝達されて、放熱部材20によって放熱されるため、放熱部材20と第1金属板11との間を絶縁しなければならない構成であっても、パワー素子11aを効率良く冷却することができる。
(3)パワー素子11aと第2金属板12とは、樹脂層13の内部を通過し、パワー素子11aにおける第2金属板12側の平面に対して垂直方向に延びる導電部材15によって接続されている。これによれば、パワー素子11aと第2金属板12とを互いに平面的に配置して、パワー素子11aと第2金属板12とをワイヤボンディングにより接続する場合に比べると、電子機器10の平面的な体格の小型化を図ることができる。
(4)導電部材15は板状である。これによれば、パワー素子11aと第2金属板12とをスルーホールにより電気的に接続する場合に比べると、パワー素子11aと第2金属板12との電気的な接続状態を良好なものとすることができる。
(5)パワー素子11aと制御素子12aとが積層方向において重なっている。これによれば、パワー素子11aと制御素子12aとが積層方向において重なっていない場合に比べると、電子機器10の平面的な体格の小型化を図ることができる。
(6)第1金属板11にはコイル19aが電気的に接合されるとともにコア19bが熱的に接合されている。これによれば、コイル19a及びコア19bから発せられる熱が、第1金属板11及び高熱伝導絶縁層14を介して放熱部材20に伝達されて、放熱部材20によって放熱される。よって、発熱量が多いコイル19a及びコア19bを効率良く冷却することができる。
(7)パワー素子11aはMOSFETであり、第1金属板11に対してベアチップ実装されている。これによれば、パッケージされたパワー素子が第1金属板11に対して実装されている場合に比べると、電子機器10を小型化することができる。
(8)第1金属板11の厚さH1は、第2金属板12の厚さH2よりも厚い。これによれば、第1金属板11を平面的に大型化させる場合に比べて、電子機器10の平面的な体格の小型化を図ることができる。
(9)誘導機器19は、貫通孔18内に収容されており、第3金属板16の上面よりも突出していない。これによれば、誘導機器19が第3金属板16の上面よりも突出している場合に比べると、電子機器10を小型化することができる。
(10)パワー素子11aから発せられる熱は、第1金属板11及び高熱伝導絶縁層14を介して放熱部材20に伝達されて、放熱部材20によって放熱されるため、パワー素子11aから発せられる熱が、各導電部材15及び第2金属板12を介して制御素子12a,12bに伝達してしまうことを抑制することができる。
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○ 実施形態において、パワー素子11aと制御素子12aとが積層方向において重なっていなくてもよい。
○ 実施形態において、導電部材15の形状は特に限定されるものではなく、例えば、ピン状であってもよい。
○ 実施形態において、パワー素子11aと第2金属板12とがスルーホールにより電気的に接続されていてもよい。
○ 実施形態において、放熱部材20と第1金属板11との間に、樹脂層13と同じ熱伝導率である絶縁層が介在されていてもよい。
○ 実施形態において、高熱伝導絶縁層14は、セラミックにより形成されていてもよい。
○ 実施形態において、放熱部材20と第1金属板11との間を絶縁しなくてもよい構成であれば、高熱伝導絶縁層14を削除してもよい。そして、第1金属板11を放熱部材20に接着してもよい。
○ 実施形態において、パワー素子11a、制御素子12a,12bの数は特に限定されるものではない。
○ 実施形態において、第1金属板11の厚さH1と第2金属板12の厚さH2とが同じ厚さであってもよい。
○ 実施形態において、高熱伝導絶縁層14と放熱部材20との間に金属板が介在されていてもよい。
○ 実施形態において、第3金属板16と絶縁層17との間に新たな金属板が介在されていてもよい。この場合、新たな金属板と第3金属板16との間を絶縁する絶縁層を介在する必要がある。
○ 実施形態において、放熱部材20は、例えば、内部に冷却風が流れる筐体であってもよい。
○ 実施形態において、電子機器10は、車載用以外のものであってもよい。また、インバータに限らず、DCDCコンバータに適用してもよい。
10…電子機器、11…第1導電層としての第1金属板、11a…パワー素子、12…第2導電層としての第2金属板、12a,12b…制御素子、13…樹脂層、14…高熱伝導絶縁層、15…導電部材、18…貫通孔、19a…コイル、19b…コア、20…放熱部材、111a…平面。

Claims (8)

  1. 放熱部材と、
    前記放熱部材に熱的に結合されるパワー素子が電気的に接合された第1導電層と、
    前記パワー素子のスイッチング動作を制御する制御素子が電気的に接合された第2導電層と、
    前記第1導電層と前記第2導電層との間において前記パワー素子が埋め込まれる樹脂層と、を有し、
    前記第1導電層、前記樹脂層及び前記第2導電層は、前記放熱部材に対して近い方からこの順序で積層されており、
    前記樹脂層にはコイルが設けられ、
    前記第1導電層には前記コイルが電気的に接合されていることを特徴とする電子機器。
  2. 前記放熱部材と前記第1導電層との間には、前記樹脂層よりも熱伝導率の高い高熱伝導絶縁層が介在されていることを特徴とする請求項1に記載の電子機器。
  3. 前記パワー素子と前記第2導電層とは、前記樹脂層を通過し、前記パワー素子における前記第2導電層側の平面に対して垂直方向に延びる複数の導電部材によって接続されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子機器。
  4. 前記導電部材は板状であることを特徴とする請求項3に記載の電子機器。
  5. 前記パワー素子と前記制御素子とが、前記第1導電層、前記樹脂層及び前記第2導電層が積層される積層方向において重なっていることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の電子機器。
  6. 前記樹脂層及び前記第2導電層には貫通孔が形成されており、
    前記貫通孔には前記コイル及びコアが設けられ、
    前記第1導電層には前記コアが熱的に接合されていることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の電子機器。
  7. 前記パワー素子はMOSFETであり、前記第1導電層に対してベアチップ実装されていることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の電子機器。
  8. 前記第1導電層の厚さは、前記第2導電層の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか一項に記載の電子機器。
JP2016184356A 2016-09-21 2016-09-21 電子機器 Active JP6308275B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016184356A JP6308275B2 (ja) 2016-09-21 2016-09-21 電子機器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016184356A JP6308275B2 (ja) 2016-09-21 2016-09-21 電子機器

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014240286A Division JP6048481B2 (ja) 2014-11-27 2014-11-27 電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016225656A true JP2016225656A (ja) 2016-12-28
JP6308275B2 JP6308275B2 (ja) 2018-04-11

Family

ID=57748645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016184356A Active JP6308275B2 (ja) 2016-09-21 2016-09-21 電子機器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6308275B2 (ja)

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1117349A (ja) * 1997-06-27 1999-01-22 Nec Corp 高周波集積回路装置およびその製造方法
JP2003244959A (ja) * 2002-02-20 2003-08-29 Tdk Corp スイッチング電源とその製造方法
US20090189291A1 (en) * 2008-01-24 2009-07-30 Infineon Technologies Ag Multi-chip module
WO2010050627A1 (ja) * 2008-10-31 2010-05-06 太陽誘電株式会社 プリント配線板およびその製造方法
JP2010109309A (ja) * 2008-10-03 2010-05-13 Furukawa Electric Co Ltd:The 電子基板
US20110127675A1 (en) * 2009-12-01 2011-06-02 Infineon Technologies Ag Laminate electronic device
US20110204505A1 (en) * 2010-02-23 2011-08-25 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor Device and Method of Forming TMV and TSV in WLCSP Using Same Carrier
JP2011243870A (ja) * 2010-05-20 2011-12-01 Denso Corp コイル実装基板
JP2012190955A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 射出成型基板
EP2722886A1 (en) * 2012-10-18 2014-04-23 International Rectifier Corporation Power converter package including vertically stacked driver IC
US20140239438A1 (en) * 2013-02-22 2014-08-28 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
JP2014240286A (ja) * 2013-06-11 2014-12-25 株式会社三谷バルブ 内容物放出用ポンプ機構およびこの内容物放出用ポンプ機構を備えたポンプ式製品

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1117349A (ja) * 1997-06-27 1999-01-22 Nec Corp 高周波集積回路装置およびその製造方法
JP2003244959A (ja) * 2002-02-20 2003-08-29 Tdk Corp スイッチング電源とその製造方法
US20090189291A1 (en) * 2008-01-24 2009-07-30 Infineon Technologies Ag Multi-chip module
JP2010109309A (ja) * 2008-10-03 2010-05-13 Furukawa Electric Co Ltd:The 電子基板
WO2010050627A1 (ja) * 2008-10-31 2010-05-06 太陽誘電株式会社 プリント配線板およびその製造方法
US20110127675A1 (en) * 2009-12-01 2011-06-02 Infineon Technologies Ag Laminate electronic device
US20110204505A1 (en) * 2010-02-23 2011-08-25 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor Device and Method of Forming TMV and TSV in WLCSP Using Same Carrier
JP2011243870A (ja) * 2010-05-20 2011-12-01 Denso Corp コイル実装基板
JP2012190955A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 射出成型基板
EP2722886A1 (en) * 2012-10-18 2014-04-23 International Rectifier Corporation Power converter package including vertically stacked driver IC
US20140239438A1 (en) * 2013-02-22 2014-08-28 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
JP2014240286A (ja) * 2013-06-11 2014-12-25 株式会社三谷バルブ 内容物放出用ポンプ機構およびこの内容物放出用ポンプ機構を備えたポンプ式製品

Also Published As

Publication number Publication date
JP6308275B2 (ja) 2018-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5641230B2 (ja) 電子機器
JP6048481B2 (ja) 電子機器
JP6584652B2 (ja) 電力用回路装置
JP6008160B1 (ja) ノイズフィルタ
WO2022215357A1 (ja) 半導体装置
JP2014212278A (ja) 電子機器
WO2017208802A1 (ja) 半導体装置
JP2013150414A (ja) トランス及びスイッチング電源装置
US11350517B2 (en) Circuit device and power conversion device
JP2005143215A (ja) Dc−dcコンバータ装置
WO2017038369A1 (ja) 電力変換装置
JP6308275B2 (ja) 電子機器
JPWO2017038567A1 (ja) 電力変換装置
JP2015060923A (ja) 電子モジュール
JP6076277B2 (ja) 電力変換装置
JP2016101071A (ja) 半導体装置
JP7267412B2 (ja) 電力変換装置および電力変換装置の製造方法
WO2021235485A1 (ja) 電力変換装置および電力変換装置の製造方法
JP5807801B2 (ja) 半導体モジュール
JP2018022818A (ja) 半導体装置
JP2011250607A (ja) 電力変換装置
JP2022114474A (ja) パワーモジュール
JP2014146657A (ja) 誘導装置
JP2019057658A (ja) 電源基板

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170628

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170718

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170915

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180213

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180226

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6308275

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151