JP2016225373A - Semiconductor device and adhesive sheet - Google Patents

Semiconductor device and adhesive sheet Download PDF

Info

Publication number
JP2016225373A
JP2016225373A JP2015107833A JP2015107833A JP2016225373A JP 2016225373 A JP2016225373 A JP 2016225373A JP 2015107833 A JP2015107833 A JP 2015107833A JP 2015107833 A JP2015107833 A JP 2015107833A JP 2016225373 A JP2016225373 A JP 2016225373A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive layer
sealing material
cured product
color
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015107833A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6536177B2 (en
Inventor
涼士 古谷
Suzushi Furuya
涼士 古谷
憲子 稲葉
Noriko Inaba
憲子 稲葉
増野 道夫
Michio Masuno
道夫 増野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2015107833A priority Critical patent/JP6536177B2/en
Publication of JP2016225373A publication Critical patent/JP2016225373A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6536177B2 publication Critical patent/JP6536177B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device and an adhesive sheet capable of suppressing generation of poor appearance of the semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device 10 comprises: a support member 11; a cured product 12 of an adhesive agent layer provided on the support member 11; a second semiconductor chip S2 provided on the cured product 12 of the adhesive agent layer; and an encapsulation material 13 that encapsulates the second semiconductor chip S2. A color tone of the cured product 12 of the adhesive agent layer is the same as that of the encapsulation material 13. Thereby, generation of poor appearance of the device can be suppressed.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、半導体装置及び接着シートに関する。   The present invention relates to a semiconductor device and an adhesive sheet.

ウェハ裏面貼付け方式に用いられるフィルム状接着剤と、ダイシングテープとを貼り合せてなり、一枚で両方の機能を有する接着シート(ダイボンドダイシングシート)が知られている(たとえば、特許文献1参照)。特許文献1に記載の接着シートは、たとえば、剥離性シート/接着剤層/粘着剤層/基材シートの4層構造を有している。このようなダイボンドダイシングシートとして機能する接着シートを用い、支持部材上に接着固定した半導体チップを封止材で封止した埋め込み型の半導体装置が開発されている。   An adhesive sheet (die-bonded dicing sheet) is known which is formed by laminating a film-like adhesive used for a wafer back surface pasting method and a dicing tape (see, for example, Patent Document 1). . The adhesive sheet described in Patent Document 1 has, for example, a four-layer structure of peelable sheet / adhesive layer / adhesive layer / base material sheet. An embedded semiconductor device has been developed in which an adhesive sheet functioning as such a die bond dicing sheet is used and a semiconductor chip bonded and fixed on a support member is sealed with a sealing material.

特開平7−44557号公報JP 7-44557 A

上述の埋め込み型の半導体装置の製造過程では、半導体チップが接着剤層により埋め込まれるのと同時に、埋め込まれた半導体チップの体積に相当する接着剤層が半導体チップの側面方向にはみ出す場合がある。小型の半導体装置を得るには、埋め込まれた半導体チップの端部に近い位置で個片化を行う必要がある。得られた半導体装置の外面において封止材の表面から接着剤層の硬化物が露出していたり、封止材の表面から接着剤層の硬化物が透けていたりする場合、装置の外観不良が生じるおそれがある。   In the process of manufacturing the embedded semiconductor device described above, the adhesive layer corresponding to the volume of the embedded semiconductor chip may protrude in the lateral direction of the semiconductor chip at the same time as the semiconductor chip is embedded with the adhesive layer. In order to obtain a small-sized semiconductor device, it is necessary to divide into pieces at a position close to the end of the embedded semiconductor chip. If the cured product of the adhesive layer is exposed from the surface of the sealing material on the outer surface of the obtained semiconductor device, or the cured product of the adhesive layer is transparent from the surface of the sealing material, the appearance of the device is poor. May occur.

本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、外観不良の発生を抑制できる半導体装置及び接着シートを提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device and an adhesive sheet that can suppress appearance defects.

本発明の一側面に係る半導体装置は、支持部材と、支持部材上に設けられた接着剤層の硬化物と、接着剤層の硬化物上に設けられた半導体チップと、半導体チップを封止する封止材と、を備え、接着剤層の硬化物の色目が、封止材の色目と同一となっている。   A semiconductor device according to one aspect of the present invention seals a support member, a cured product of an adhesive layer provided on the support member, a semiconductor chip provided on the cured product of the adhesive layer, and the semiconductor chip The color of the cured product of the adhesive layer is the same as the color of the sealing material.

この半導体装置では、接着剤層の硬化物の色目が、封止材の色目と同一となっている。このため、半導体装置の外面において封止材の表面から接着剤層の硬化物が露出していたり、封止材の表面から接着剤層の硬化物が透けていたりする場合でも、接着剤層の硬化物と封止材とを一体的に見せることが可能となる。したがって、装置の外観不良の発生を抑制できる。   In this semiconductor device, the color of the cured product of the adhesive layer is the same as the color of the sealing material. For this reason, even when the cured product of the adhesive layer is exposed from the surface of the sealing material on the outer surface of the semiconductor device or the cured product of the adhesive layer is transparent from the surface of the sealing material, It is possible to show the cured product and the sealing material together. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defective appearance of the device.

接着剤層の硬化物が、封止材の表面から露出していてもよい。接着剤層の硬化物が、封止材の表面から露出している場合、接着剤層の硬化物の色目と封止材の色目との違いによる外観不良が特に生じやすい。したがって、接着剤層の硬化物の色目と封止材の色目とを同一にすることにより、装置の外観不良の発生を好適に抑制できる。   The cured product of the adhesive layer may be exposed from the surface of the sealing material. When the hardened | cured material of an adhesive bond layer is exposed from the surface of a sealing material, the external appearance defect by the difference between the color of the hardened | cured material of an adhesive bond layer and the color of a sealing material tends to produce especially. Therefore, by making the color of the cured product of the adhesive layer and the color of the sealing material the same, it is possible to suitably suppress the occurrence of the appearance defect of the device.

接着剤層の硬化物の明度が、封止材の明度と同一となっていてもよい。この場合、接着剤層の硬化物と封止材とをより確実に一体的に見せることができる。   The brightness of the cured product of the adhesive layer may be the same as the brightness of the sealing material. In this case, the hardened | cured material of an adhesive bond layer and a sealing material can be shown more reliably integrally.

接着剤層の硬化物の彩度が、封止材の彩度と同一となっていてもよい。この場合、接着剤層の硬化物と封止材とをより確実に一体的に見せることができる。   The saturation of the cured product of the adhesive layer may be the same as the saturation of the sealing material. In this case, the hardened | cured material of an adhesive bond layer and a sealing material can be shown more reliably integrally.

接着剤層の硬化物の色が、封止材の色と色相環において同一又は隣り合う色となっていてもよい。この場合、接着剤層の硬化物と封止材とをより確実に一体的に見せることができる。   The color of the cured product of the adhesive layer may be the same as or adjacent to the color of the sealing material in the hue ring. In this case, the hardened | cured material of an adhesive bond layer and a sealing material can be shown more reliably integrally.

接着剤層の硬化物の色が、封止材の色と同一となっていてもよい。この場合、接着剤層の硬化物と封止材とを一層確実に一体的に見せることができる。   The color of the cured product of the adhesive layer may be the same as the color of the sealing material. In this case, the cured product of the adhesive layer and the sealing material can be more reliably integrated.

本発明の一側面に係る接着シートは、接着剤層の硬化物を介して支持部材上に設けられた半導体チップを封止材で封止してなる半導体装置の製造に用いられる接着シートであって、剥離性シートと、剥離性シートの一方面に設けられた接着剤層と、接着剤層を覆うように接着剤層上に設けられた粘着剤層と、粘着剤層を覆うように粘着剤層上に設けられた基材シートと、を備え、接着剤層の硬化後の色目が、封止材の色目と同一になる。   An adhesive sheet according to an aspect of the present invention is an adhesive sheet used for manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor chip provided on a support member is sealed with a sealing material via a cured product of an adhesive layer. A peelable sheet, an adhesive layer provided on one side of the peelable sheet, an adhesive layer provided on the adhesive layer so as to cover the adhesive layer, and an adhesive layer so as to cover the adhesive layer And a base sheet provided on the agent layer, and the color after curing of the adhesive layer is the same as the color of the sealing material.

この接着シートでは、半導体装置の製造に用いられ、接着剤層の硬化後の色目が、封止材の色目と同一になる。このため、製造された半導体装置の外面において封止材の表面から接着剤の硬化物が露出していたり、封止材の表面から接着剤層の硬化物が透けていたりする場合でも、接着剤層の硬化物と封止材とを一体的に見せることが可能となる。したがって、装置の外観不良の発生を抑制できる。   This adhesive sheet is used for manufacturing a semiconductor device, and the color after the adhesive layer is cured is the same as the color of the sealing material. For this reason, even when the cured product of the adhesive is exposed from the surface of the sealing material on the outer surface of the manufactured semiconductor device or the cured product of the adhesive layer is transparent from the surface of the sealing material, the adhesive It becomes possible to show the cured product of the layer and the sealing material integrally. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defective appearance of the device.

接着剤層の硬化物の明度が、封止材の明度と同一になってもよい。この場合、接着剤層の硬化物と封止材とをより確実に一体的に見せることができる。   The brightness of the cured product of the adhesive layer may be the same as the brightness of the sealing material. In this case, the hardened | cured material of an adhesive bond layer and a sealing material can be shown more reliably integrally.

接着剤層の硬化物の彩度が、封止材の彩度と同一になってもよい。この場合、接着剤層の硬化物と封止材とをより確実に一体的に見せることができる。   The saturation of the cured product of the adhesive layer may be the same as the saturation of the sealing material. In this case, the hardened | cured material of an adhesive bond layer and a sealing material can be shown more reliably integrally.

接着剤層の硬化物の色が、封止材の色と色相環において同一又は隣り合う色になってもよい。この場合、接着剤層の硬化物と封止材とをより確実に一体的に見せることができる。   The color of the cured product of the adhesive layer may be the same as or adjacent to the color of the sealing material in the hue ring. In this case, the hardened | cured material of an adhesive bond layer and a sealing material can be shown more reliably integrally.

接着剤層の硬化物の色が、封止材の色と同一になってもよい。この場合、接着剤層の硬化物と封止材とを一層確実に一体的に見せることができる。   The color of the cured product of the adhesive layer may be the same as the color of the sealing material. In this case, the cured product of the adhesive layer and the sealing material can be more reliably integrated.

接着剤層の80℃における粘度が10000Pa・s以下であってもよい。この場合、接着シートを用いたダイボンド工程において、接着剤層による半導体チップの埋め込み性を十分に高められる。   The viscosity at 80 ° C. of the adhesive layer may be 10,000 Pa · s or less. In this case, the embedding property of the semiconductor chip by the adhesive layer can be sufficiently enhanced in the die bonding process using the adhesive sheet.

剥離性シートが長尺状をなすと共に、接着剤層、粘着剤層、及び基材シートが積層されてなる複数の積層体が剥離性シートの長手方向に沿って互いに離間して配置された状態でロール状に巻かれていてもよい。この場合、ロールから接着シートを繰り出しながら積層体と半導体ウェハとを順次貼り合せることができるので、半導体装置の生産性の向上が図られる。   A state in which a peelable sheet has a long shape and a plurality of laminates in which an adhesive layer, a pressure-sensitive adhesive layer, and a base material sheet are laminated are spaced apart from each other along the longitudinal direction of the peelable sheet It may be wound in a roll. In this case, the laminated body and the semiconductor wafer can be sequentially bonded while feeding the adhesive sheet from the roll, so that the productivity of the semiconductor device can be improved.

本発明によれば、半導体装置の外観不良の発生を抑制することができる。   According to the present invention, it is possible to suppress the appearance defect of the semiconductor device.

実施形態に係る半導体装置の斜視図である。1 is a perspective view of a semiconductor device according to an embodiment. 図1のII−II線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the II-II line of FIG. 図1のIII−III線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the III-III line of FIG. 図1の半導体装置を製造するために用いられる接着シートの斜視図である。It is a perspective view of the adhesive sheet used in order to manufacture the semiconductor device of FIG. 図4の接着シートの平面図及び断面図である。It is the top view and sectional drawing of the adhesive sheet of FIG. 積層体と半導体ウェハとを貼り合せた状態を示す図である。It is a figure which shows the state which bonded the laminated body and the semiconductor wafer. 図6の半導体ウェハをダイシングしている状態を示す図である。It is a figure which shows the state which is dicing the semiconductor wafer of FIG. 図7の個片化された半導体ウェハ及び接着剤層をピックアップしている状態を示す図である。It is a figure which shows the state which has picked up the semiconductor wafer and adhesive layer which were separated into pieces of FIG. 基板上に設けられた第1半導体チップの平面図である。It is a top view of the 1st semiconductor chip provided on the substrate. 図8の第2半導体チップを図9の第1半導体チップ上にダイボンドした状態を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a state where the second semiconductor chip of FIG. 8 is die-bonded on the first semiconductor chip of FIG. 9. 図10の第2半導体チップを基板上にワイヤボンディングした状態を示す図である。It is a figure which shows the state which carried out the wire bonding of the 2nd semiconductor chip of FIG. 10 on the board | substrate. 半導体装置の製造方法の変形例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification of the manufacturing method of a semiconductor device.

以下、添付図面を参照して、本実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素または同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。   Hereinafter, this embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description, the same reference numerals are used for the same elements or elements having the same function, and redundant description is omitted.

(半導体装置)
図1〜図3を参照して、実施形態に係る半導体装置10の構成を説明する。図1は、実施形態に係る半導体装置の斜視図である。図2は、図1のII−II線に沿った断面図である。図3は、図1のIII−III線に沿った断面図である。
(Semiconductor device)
The configuration of the semiconductor device 10 according to the embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor device according to the embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG.

図1〜図3に示されるように、半導体装置10は、略直方体形状を呈している。半導体装置10は、装置外面として外面10a〜10fを備えている。外面10a,10bは、互いに対向している。外面10c,10dは、互いに対向している。外面10e,10fは、互いに対向している。外面10a,10bの対向する方向と、外面10c,10dの対向する方向と、外面10e,10fの対向する方向とは、互いに直交している。   As shown in FIGS. 1 to 3, the semiconductor device 10 has a substantially rectangular parallelepiped shape. The semiconductor device 10 includes outer surfaces 10a to 10f as device outer surfaces. The outer surfaces 10a and 10b are opposed to each other. The outer surfaces 10c and 10d are opposed to each other. The outer surfaces 10e and 10f are opposed to each other. The direction in which the outer surfaces 10a and 10b face each other, the direction in which the outer surfaces 10c and 10d face each other, and the direction in which the outer surfaces 10e and 10f face each other are orthogonal to each other.

図2及び図3に示されるように、半導体装置10は、支持部材11と、第1半導体チップS1と、接着剤層の硬化物12と、接着剤層の硬化物12上に設けられた第2半導体チップS2と、封止材13と、を備えている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the semiconductor device 10 includes a support member 11, a first semiconductor chip S <b> 1, a cured product 12 of the adhesive layer, and a cured product 12 provided on the cured product 12 of the adhesive layer. 2 semiconductor chip S2 and sealing material 13 are provided.

支持部材11は、平面視で略矩形状をなす平板である。ここでは、支持部材11は、平面視で略長方形状を呈している。支持部材11は、たとえば、リードフレームである。支持部材11の一方の主面は、半導体装置10の外面をなしている。支持部材11の側面は、半導体装置10の外面10c〜10fの一部をなしている。   The support member 11 is a flat plate having a substantially rectangular shape in plan view. Here, the support member 11 has a substantially rectangular shape in plan view. The support member 11 is, for example, a lead frame. One main surface of the support member 11 forms the outer surface of the semiconductor device 10. The side surface of the support member 11 forms part of the outer surfaces 10 c to 10 f of the semiconductor device 10.

第1半導体チップS1は、平面視で略矩形状を呈している。ここでは、第1半導体チップS1は、平面視で略長方形状を呈している。第1半導体チップS1は、支持部材11の他方の主面上に、銀ペーストまたはフィルム状の接着剤層が硬化してなる硬化物14を介して固定されている。第1半導体チップS1は、複数のワイヤW1により支持部材11にワイヤボンディングされている。   The first semiconductor chip S1 has a substantially rectangular shape in plan view. Here, the first semiconductor chip S1 has a substantially rectangular shape in plan view. The first semiconductor chip S1 is fixed on the other main surface of the support member 11 via a cured product 14 formed by curing a silver paste or a film-like adhesive layer. The first semiconductor chip S1 is wire bonded to the support member 11 with a plurality of wires W1.

接着剤層の硬化物12は、接着剤層23p(図8参照)が硬化してなる硬化物である。接着剤層23pについては後述する。接着剤層の硬化物12は、ワイヤW1及び第1半導体チップS1を埋め込むようにして支持部材11上に設けられている。接着剤層の硬化物12の色は、黒色となっている。   The cured product 12 of the adhesive layer is a cured product obtained by curing the adhesive layer 23p (see FIG. 8). The adhesive layer 23p will be described later. The cured product 12 of the adhesive layer is provided on the support member 11 so as to embed the wire W1 and the first semiconductor chip S1. The color of the cured product 12 of the adhesive layer is black.

図1に示されるように、接着剤層の硬化物12は、半導体装置10の外面10e,10f(図2参照)において、封止材13の表面から露出し、当該露出部分12aが外面10e,10fの一部をなしている。接着剤層の硬化物12は、半導体装置10の外面10a〜10d(図3参照)には露出していない。   As shown in FIG. 1, the cured product 12 of the adhesive layer is exposed from the surface of the sealing material 13 on the outer surfaces 10e and 10f (see FIG. 2) of the semiconductor device 10, and the exposed portion 12a is exposed to the outer surfaces 10e and 10f. Part of 10f. The cured product 12 of the adhesive layer is not exposed on the outer surfaces 10 a to 10 d (see FIG. 3) of the semiconductor device 10.

露出部分12aは、帯状または略長方形状を呈している。露出部分12aは、支持部材11よりの位置で外面10eと外面10f(図2参照)との対向方向に沿って延びている。ここで、略長方形状とは、角部が丸みをおびた形状も含む意味である。なお、露出部分12aは、外面10e,10fにおいて、外面10e,10fの周縁(すなわち、外面10eの外面10a〜10d(図3参照)側の端、及び外面10fの外面10a〜10d側の端)から離間している。露出部分12aは、外面10e,10fにおいて、支持部材11の側面からも離間している。   The exposed portion 12a has a strip shape or a substantially rectangular shape. The exposed portion 12a extends along the opposing direction of the outer surface 10e and the outer surface 10f (see FIG. 2) at a position from the support member 11. Here, “substantially rectangular” means to include a shape with rounded corners. In addition, the exposed part 12a is the periphery of the outer surfaces 10e and 10f (that is, the end on the outer surfaces 10a to 10d (see FIG. 3) side of the outer surface 10e and the end on the outer surfaces 10a to 10d side of the outer surface 10f) of the outer surfaces 10e and 10f. It is away from. The exposed portion 12a is also separated from the side surface of the support member 11 on the outer surfaces 10e and 10f.

第2半導体チップS2は、平面視で略矩形状を呈している。ここでは、第2半導体チップS2は、平面視で略長方形状を呈している。平面視における第2半導体チップS2の面積は、平面視における第1半導体チップS1の面積よりも一回り大きくなっている。第2半導体チップS2は、複数のワイヤW2により支持部材11にワイヤボンディングされている。   The second semiconductor chip S2 has a substantially rectangular shape in plan view. Here, the second semiconductor chip S2 has a substantially rectangular shape in plan view. The area of the second semiconductor chip S2 in plan view is slightly larger than the area of the first semiconductor chip S1 in plan view. The second semiconductor chip S2 is wire bonded to the support member 11 with a plurality of wires W2.

封止材13は、たとえば、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及び充填材によって構成されている。封止材13は、ワイヤW2及び第2半導体チップS2を封止している。封止材13は、半導体装置10の外面10c〜10fの一部と、外面10bとを構成している。封止材13の色は、接着剤層の硬化物12と同様に、黒色となっている。   The sealing material 13 is composed of, for example, an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, and a filler. The sealing material 13 seals the wire W2 and the second semiconductor chip S2. The sealing material 13 constitutes a part of the outer surfaces 10 c to 10 f of the semiconductor device 10 and the outer surface 10 b. The color of the sealing material 13 is black, similar to the cured product 12 of the adhesive layer.

半導体装置10では、上述したように、接着剤層の硬化物12が半導体装置10の外面10e,10fに露出した状態となっている。すなわち、接着剤層の硬化物12は、封止材13の表面から帯状または略長方形状に露出しており、半導体装置10の外面10e,10fでは、支持部材11側から見て、封止材13、接着剤層の硬化物12の露出部分12a、及び封止材13が交互に並んだ状態となっている。   In the semiconductor device 10, as described above, the cured product 12 of the adhesive layer is exposed on the outer surfaces 10 e and 10 f of the semiconductor device 10. That is, the cured product 12 of the adhesive layer is exposed from the surface of the sealing material 13 in a band shape or a substantially rectangular shape, and the outer surfaces 10e and 10f of the semiconductor device 10 are seen from the support member 11 side as viewed from the support member 11 side. 13, the exposed portions 12 a of the cured product 12 of the adhesive layer and the sealing material 13 are alternately arranged.

このような構成に対し、半導体装置10では、接着剤層の硬化物12及び封止材13がいずれも黒色を呈している。したがって、半導体装置10の外面10e,10fでは、接着剤層の硬化物12の露出部分12aと封止材13とが同色となるため、露出部分12aが封止材13と一体的に見えることとなる。   In contrast to such a configuration, in the semiconductor device 10, the cured product 12 and the sealing material 13 of the adhesive layer are both black. Therefore, on the outer surfaces 10e and 10f of the semiconductor device 10, the exposed portion 12a of the cured product 12 of the adhesive layer and the sealing material 13 have the same color, so that the exposed portion 12a can be seen integrally with the sealing material 13. Become.

接着剤層の硬化物12及び封止材13は、必ずしも黒色である必要はなく、色目が同一となっていればよい。色目が同一であるとは、同色の場合のほか、色の差が目立ち難いことを意味する。例えば接着剤層の硬化物12及び封止材13を同色にする場合、それぞれを青色、緑色、茶色などの濃色としてもよい。また、接着剤層の硬化物12及び封止材13の一方を黒色とし、他方を青色、緑色、茶色などの濃色としてもよい。   The cured product 12 and the sealing material 13 of the adhesive layer do not necessarily need to be black, and may have the same color. The same color means that the color difference is not noticeable in addition to the case of the same color. For example, when the cured product 12 and the sealing material 13 of the adhesive layer are made the same color, each may be a dark color such as blue, green, and brown. Alternatively, one of the cured product 12 and the sealing material 13 of the adhesive layer may be black, and the other may be a dark color such as blue, green, and brown.

また、接着剤層の硬化物12の明度を封止材13の明度と同一としてもよく、接着剤層の硬化物12の彩度を封止材13の彩度と同一としてもよい。具体的には、日本塗料工業会が発行する色見本帳2015年H版において、接着剤層の硬化物12及び封止材13の色は、無彩色の場合、明度が0から55であってもよく、明度が0に近い値であってもよい。接着剤層の硬化物12及び封止材13の色は、色彩区分05,19,22,25,35,45,55,65,75,85,95であってもよい。接着剤層の硬化物12及び封止材13の色は、いずれの色彩区分においても明度が40以下であってもよく、明度が0に近い値であってもよい。   The brightness of the cured product 12 of the adhesive layer may be the same as the brightness of the sealing material 13, and the saturation of the cured product 12 of the adhesive layer may be the same as the saturation of the sealing material 13. Specifically, in the color sample book 2015 H edition issued by the Japan Paint Manufacturers Association, the brightness of the cured product 12 and the sealing material 13 of the adhesive layer is 0 to 55 when the color is achromatic. The brightness may be a value close to 0. The colors of the cured product 12 and the sealing material 13 of the adhesive layer may be color categories 05, 19, 22, 25, 35, 45, 55, 65, 75, 85, and 95. The color of the cured product 12 and the sealing material 13 of the adhesive layer may have a lightness of 40 or less or a lightness close to 0 in any color classification.

また、接着剤層の硬化物12の色と封止材13の色とが同系色であってもよい。すなわち、接着剤層の硬化物12の色が、色相環において封止材13の色と同一又は隣り合う色であってもよい。例えば日本色研配色体系(PCCS)の色相環では、赤→橙→黄→緑→青→藍→紫、の順で24色相が連続している。したがって、この色相環において隣り合う色相の一方を接着剤層の硬化物12の色として選択し、他方を封止材13の色として選択すればよい。なお、接着剤層の硬化物12の色と封止材13の色とは、必ずしも色相環において同一又は隣り合う色でなくてもよく、少なくとも補色の関係になければよい。   Further, the color of the cured product 12 of the adhesive layer and the color of the sealing material 13 may be similar colors. That is, the color of the cured product 12 of the adhesive layer may be the same as or adjacent to the color of the sealing material 13 in the hue ring. For example, in the hue circle of the Nippon Color Research Coordination System (PCCS), 24 hues are consecutive in the order of red → orange → yellow → green → blue → indigo → purple. Therefore, one of the adjacent hues in this hue ring may be selected as the color of the cured product 12 of the adhesive layer, and the other may be selected as the color of the sealing material 13. It should be noted that the color of the cured product 12 of the adhesive layer and the color of the sealing material 13 do not necessarily have to be the same or adjacent colors in the hue ring, and at least do not have a complementary color relationship.

(接着シート)
図4及び図5を参照して、上記半導体装置10を製造するために用いられる接着シート20の構成を説明する。図4は、図1の半導体装置を製造するために用いられる接着シートの斜視図である。図5(a)は、図4の接着シートの平面図である。図5(b)は、図5(a)のVb−Vb線に沿った断面図である。接着シート20は、半導体装置10を製造するために用いられるダイボンドダイシングシートである。
(Adhesive sheet)
With reference to FIG.4 and FIG.5, the structure of the adhesive sheet 20 used in order to manufacture the said semiconductor device 10 is demonstrated. FIG. 4 is a perspective view of an adhesive sheet used for manufacturing the semiconductor device of FIG. Fig.5 (a) is a top view of the adhesive sheet of FIG. FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line Vb-Vb in FIG. The adhesive sheet 20 is a die bond dicing sheet used for manufacturing the semiconductor device 10.

図4及び図5に示されるように、接着シート20は、長尺をなし、円筒状の巻き芯21の周りにロール状に巻かれている。接着シート20は、剥離性シート22と、接着剤層23、粘着剤層24、及び基材シート25をこの順に積層してなる積層体Lと、を備えている。   As shown in FIGS. 4 and 5, the adhesive sheet 20 is long and is wound around a cylindrical winding core 21 in a roll shape. The adhesive sheet 20 includes a peelable sheet 22, and a laminate L formed by laminating an adhesive layer 23, an adhesive layer 24, and a base sheet 25 in this order.

剥離性シート22は、長尺状をなすシートまたはフィルムである。剥離性シート22の長手方向は、接着シート20の長手方向と一致している。剥離性シート22は、複数の積層体Lが剥離性シート22の長手方向に沿って互いに離間して配置された状態で、巻き芯21の周りにロール状に巻かれている。   The peelable sheet 22 is a long sheet or film. The longitudinal direction of the peelable sheet 22 coincides with the longitudinal direction of the adhesive sheet 20. The peelable sheet 22 is wound around the winding core 21 in a roll shape in a state in which a plurality of laminated bodies L are arranged apart from each other along the longitudinal direction of the peelable sheet 22.

剥離性シート22は、たとえば、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルムなどのポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムなどからなる。剥離性シート22は、たとえば、紙、不織布、金属箔などからなってもよい。   The peelable sheet 22 is, for example, a polyester film such as a polyethylene terephthalate film, a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, a polyolefin film such as a polyvinyl acetate film, a polyvinyl chloride film, or a polyimide film. Made of plastic film. The peelable sheet 22 may be made of paper, non-woven fabric, metal foil, or the like, for example.

剥離性シート22の一方の面(一方面)22aは、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの離型剤により処理された剥離面であってもよい。剥離性シート22の厚さは、作業性を損なわない範囲で適宜に設定されている。剥離性シート22の厚さは、通常は1000μm以下、好ましくは1〜100μm、更に好ましくは2〜20μm、特に好ましくは3〜10μmである。   One surface (one surface) 22a of the release sheet 22 may be a release surface treated with a release agent such as a silicone release agent, a fluorine release agent, or a long-chain alkyl acrylate release agent. The thickness of the peelable sheet 22 is appropriately set as long as the workability is not impaired. The thickness of the peelable sheet 22 is usually 1000 μm or less, preferably 1 to 100 μm, more preferably 2 to 20 μm, and particularly preferably 3 to 10 μm.

接着剤層23は、剥離性シート22の一方の面22a上に設けられている。接着剤層23は、平面視で略円形状を呈している。接着剤層23は、半導体チップの接着(接合)に使用されている公知の種々の熱硬化性接着剤、光硬化性接着剤、熱可塑性接着剤または酸素反応性接着剤などからなる。接着剤層23は、これら単独からなってもよいし、2種類以上の組み合わせからなってもよい。   The adhesive layer 23 is provided on one surface 22 a of the peelable sheet 22. The adhesive layer 23 has a substantially circular shape in plan view. The adhesive layer 23 is made of various known thermosetting adhesives, photocurable adhesives, thermoplastic adhesives, oxygen reactive adhesives, or the like that are used for bonding (bonding) semiconductor chips. The adhesive layer 23 may be composed of these alone or in combination of two or more.

接着剤層23の厚さは、通常は1〜200μm、好ましくは3〜150μmである。接着剤層23の厚さは、ワイヤ及び半導体チップを埋め込む用途としては40〜140μmがより好ましい。接着剤層23の厚さが40μmよりも薄いと、十分にワイヤ及び半導体チップを埋め込むことが困難になる。また、接着剤層23の厚さが200μmよりも厚いと、接着剤の使用量が増大するため、半導体装置10の製造コストの上昇を招くおそれがある。   The thickness of the adhesive layer 23 is usually 1 to 200 μm, preferably 3 to 150 μm. The thickness of the adhesive layer 23 is more preferably 40 to 140 μm for the purpose of embedding wires and semiconductor chips. If the thickness of the adhesive layer 23 is thinner than 40 μm, it is difficult to sufficiently embed the wire and the semiconductor chip. In addition, when the thickness of the adhesive layer 23 is greater than 200 μm, the amount of adhesive used increases, which may increase the manufacturing cost of the semiconductor device 10.

接着剤層23は、たとえば、色素の添加により予め黒色に着色されている。接着剤層23は、硬化の前後で変色しないものであってもよく、硬化の前後で変色するものであってもよい。接着剤層23を硬化の前後で変色させる場合、接着剤層23の硬化の進行と共に変色させてもよく、熱履歴により変色させてもよい。   The adhesive layer 23 is colored black in advance by adding a pigment, for example. The adhesive layer 23 may be one that does not change color before and after curing, or one that changes color before and after curing. When the color of the adhesive layer 23 is changed before and after curing, the color may be changed with the progress of curing of the adhesive layer 23, or the color may be changed by a thermal history.

一般的に半導体装置10の製造方法は、封止材13を硬化させる封止材硬化工程(たとえば、170℃、3時間程度)を含んでいる。このため、接着剤層23は、たとえば、170℃、3時間程度で着色される構成としてもよい。また、封止材13により第2半導体チップS2を封止する封止工程(たとえば、175℃、5分間程度)により、封止材13の硬化が完了し、半導体装置10の製造方法が封止材硬化工程を含まない場合もある。したがって、接着剤層23は、ワイヤボンド工程(一般的に150℃、30分程度)、またはダイボンド工程(たとえば、120℃、1分程度)により着色される構成としてもよい。この場合、接着剤層23は、たとえば、150℃、30分程度、または120℃、1分程度で着色される。   Generally, the method for manufacturing the semiconductor device 10 includes a sealing material curing step (for example, 170 ° C., about 3 hours) for curing the sealing material 13. For this reason, the adhesive layer 23 may be configured to be colored at 170 ° C. for about 3 hours, for example. Further, the sealing step of sealing the second semiconductor chip S2 with the sealing material 13 (for example, about 175 ° C. for about 5 minutes) completes the curing of the sealing material 13, and the manufacturing method of the semiconductor device 10 is sealed. In some cases, the material curing step is not included. Accordingly, the adhesive layer 23 may be colored by a wire bonding step (generally about 150 ° C. for about 30 minutes) or a die bonding step (for example, about 120 ° C. for about 1 minute). In this case, the adhesive layer 23 is colored at 150 ° C. for about 30 minutes, or 120 ° C. for about 1 minute, for example.

接着剤層23は、ダイボンド工程で第1半導体チップS1を埋め込むために、ダイボンド工程で与えられる熱により十分に流動する必要がある。接着剤層23の80℃における粘度は、10000Pa・s以下であることが好ましい。第1半導体チップS1の埋め込み性を考慮する場合、接着剤層23の80℃における粘度は、5000Pa・s以下であることが好ましく、3000Pa・s以下であることがより好ましい。接着剤層23の80℃における粘度の測定は、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン社製の回転式粘弾性測定装置(ARES−RDA)により、8mmΦの冶具、100〜200μmの厚さのサンプルを用いて行われる。測定条件として、たとえば、ストレイン5%、トルク200g・cm、初期荷重100gとすればよい。   In order to embed the first semiconductor chip S1 in the die bonding process, the adhesive layer 23 needs to flow sufficiently by the heat applied in the die bonding process. The viscosity at 80 ° C. of the adhesive layer 23 is preferably 10,000 Pa · s or less. In consideration of the embedding property of the first semiconductor chip S1, the viscosity of the adhesive layer 23 at 80 ° C. is preferably 5000 Pa · s or less, and more preferably 3000 Pa · s or less. The viscosity of the adhesive layer 23 at 80 ° C. is measured with a rotary viscoelasticity measuring device (ARES-RDA) manufactured by TA Instruments Japan Co., Ltd., an 8 mmφ jig, a sample having a thickness of 100 to 200 μm. It is done using. As measurement conditions, for example, a strain of 5%, a torque of 200 g · cm, and an initial load of 100 g may be used.

粘着剤層24は、接着剤層23の全体を覆うように接着剤層23上に設けられている。粘着剤層24は、平面視で略円形状を呈している。平面視における粘着剤層24の面積は、平面視における接着剤層23の面積よりも一回り大きくなっている。粘着剤層24の周縁部は、接着剤層23と重なり合わず、剥離性シート22の一方の面22aに直接接して設けられている。   The pressure-sensitive adhesive layer 24 is provided on the adhesive layer 23 so as to cover the entire adhesive layer 23. The pressure-sensitive adhesive layer 24 has a substantially circular shape in plan view. The area of the pressure-sensitive adhesive layer 24 in plan view is slightly larger than the area of the adhesive layer 23 in plan view. The peripheral edge of the pressure-sensitive adhesive layer 24 does not overlap the adhesive layer 23 and is provided in direct contact with one surface 22 a of the peelable sheet 22.

粘着剤層24の含有成分は、特に指定されていない。粘着剤層24は、たとえば、ジオール基を有する化合物、イソシアネート化合物、ウレタン(メタ)アクリレート化合物、ジアミン化合物、尿素メタクリレート化合物、側鎖にエチレン性不飽和基を有する高エネルギー線重合性共重合体などからなる。粘着剤層24の含有成分は、温度、湿度、時間、及び、酸素の有無などの保管環境による粘着性変化が少ない成分が好ましく、環境による変化が全く無い成分がより好ましい。また、粘着剤層24の含有成分は、紫外線、放射線などの高エネルギー線、熱によって硬化する(すなわち、粘着力を低下させる)成分でもよく、特に、高エネルギー線によって硬化する成分が好ましく、更には紫外線によって硬化する成分が好ましい。   The component contained in the pressure-sensitive adhesive layer 24 is not particularly specified. The pressure-sensitive adhesive layer 24 includes, for example, a compound having a diol group, an isocyanate compound, a urethane (meth) acrylate compound, a diamine compound, a urea methacrylate compound, and a high energy ray polymerizable copolymer having an ethylenically unsaturated group in the side chain. Consists of. The component contained in the pressure-sensitive adhesive layer 24 is preferably a component that has little change in adhesiveness due to storage environment such as temperature, humidity, time, and the presence or absence of oxygen, and more preferably a component that has no change due to the environment. In addition, the component contained in the pressure-sensitive adhesive layer 24 may be a component that is cured by high energy rays such as ultraviolet rays or radiation and heat (that is, the adhesive force is reduced), and particularly a component that is cured by high energy rays is preferable. Is preferably a component that is cured by ultraviolet rays.

基材シート25は、粘着剤層24の全体を覆うように粘着剤層24上に設けられている。基材シート25は、平面視で略円形状を呈している。平面視における基材シート25の面積は、平面視における粘着剤層24の面積と同一となっている。基材シート25の全体は、粘着剤層24と重なり合っている。これにより、基材シート25は、粘着剤層24を保護する保護フィルムとして機能している。   The base material sheet 25 is provided on the pressure-sensitive adhesive layer 24 so as to cover the whole pressure-sensitive adhesive layer 24. The base sheet 25 has a substantially circular shape in plan view. The area of the base material sheet 25 in plan view is the same as the area of the pressure-sensitive adhesive layer 24 in plan view. The entire base sheet 25 overlaps the pressure-sensitive adhesive layer 24. Thereby, the base material sheet 25 functions as a protective film for protecting the pressure-sensitive adhesive layer 24.

基材シート25は、剥離性シート22をなすシートと同様なシート、または剥離性シート22をなすフィルムと同様なフィルムにより構成することができる。すなわち、基材シート25は、たとえば、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルムなどのポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムなどからなる。基材シート25の厚さは、通常は10〜500μm、好ましくは50〜200μmである。   The base sheet 25 can be composed of a sheet similar to the sheet forming the peelable sheet 22 or a film similar to the film forming the peelable sheet 22. That is, the base sheet 25 is, for example, a polyester film such as a polyethylene terephthalate film, a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, a polyolefin film such as a polyvinyl acetate film, a polyvinyl chloride film, It consists of a plastic film such as a polyimide film. The thickness of the base material sheet 25 is 10-500 micrometers normally, Preferably it is 50-200 micrometers.

(半導体装置の製造方法)
図6〜図11を参照して、実施形態に係る半導体装置10を製造する方法について説明する。図6は、積層体と半導体ウェハとを貼り合せた状態を示す図である。図7は、図6の半導体ウェハをダイシングしている状態を示す図である。図8は、図7の個片化された半導体ウェハ及び接着剤層をピックアップしている状態を示す図である。図9は、基板上に設けられた第1半導体チップの平面図である。図10は、図8の第2半導体チップを図9の第1半導体チップ上にダイボンドした状態を示す図である。図11は、図10の第2半導体チップを基板上にワイヤボンディングした状態を示す図である。
(Method for manufacturing semiconductor device)
A method for manufacturing the semiconductor device 10 according to the embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a diagram illustrating a state in which the stacked body and the semiconductor wafer are bonded to each other. FIG. 7 is a view showing a state where the semiconductor wafer of FIG. 6 is diced. FIG. 8 is a diagram showing a state where the separated semiconductor wafer and adhesive layer of FIG. 7 are picked up. FIG. 9 is a plan view of the first semiconductor chip provided on the substrate. FIG. 10 is a diagram showing a state where the second semiconductor chip of FIG. 8 is die-bonded on the first semiconductor chip of FIG. FIG. 11 is a diagram showing a state where the second semiconductor chip of FIG. 10 is wire-bonded on the substrate.

まず、図5に示した接着シート20から、剥離性シート22を剥離除去し、接着剤層23を露出させる。この剥離性シート22の剥離除去は、接着シート20の周縁から徐々に行う。   First, the peelable sheet 22 is peeled and removed from the adhesive sheet 20 shown in FIG. 5 to expose the adhesive layer 23. The peeling and removal of the peelable sheet 22 is gradually performed from the periphery of the adhesive sheet 20.

続いて、図6に示されるように、積層体Lと半導体ウェハ26とを貼り合せる。具体的には、接着剤層23の露出された一方の面23aのうち、周縁部を除く中央部に半導体ウェハ26の他方の面26bの全体を貼り合わせる。また、粘着剤層24の一方の面24aの周縁部、すなわち、接着剤層23よりも外側の部分にダイシング用のリングフレーム27の他方の面27bを貼り合わせる。リングフレーム27は、金属製またはプラスチック製の円環状の成形体である。リングフレーム27の内径は、半導体ウェハ26の外径よりも大きく、かつ、接着剤層23の外径よりも大きい。   Subsequently, as illustrated in FIG. 6, the stacked body L and the semiconductor wafer 26 are bonded together. Specifically, the entire other surface 26b of the semiconductor wafer 26 is bonded to the central portion excluding the peripheral edge portion of the exposed one surface 23a of the adhesive layer 23. Further, the other surface 27 b of the dicing ring frame 27 is bonded to the peripheral portion of the one surface 24 a of the pressure-sensitive adhesive layer 24, that is, the portion outside the adhesive layer 23. The ring frame 27 is an annular molded body made of metal or plastic. The inner diameter of the ring frame 27 is larger than the outer diameter of the semiconductor wafer 26 and larger than the outer diameter of the adhesive layer 23.

次に、図7に示されるように、回転刃などのブレード28によって半導体ウェハ26、及び接着剤層23を所定のサイズに切断する(第1ダイシング工程)。ここでは、半導体ウェハ26、及び接着剤層23を厚さ方向に切断すると共に、粘着剤層24を切断する。なお、接着剤層23を厚さ方向に完全に切断せず、切断されていない部分を一部に残してもよい。また、粘着剤層24を切断しないように、半導体ウェハ26及び接着剤層23のみを切断してもよい。第1ダイシング工程により、半導体ウェハ26及び接着剤層23が同時に個片化され、複数の半導体ウェハ26p及び接着剤層23pの対が得られる。ここで、半導体ウェハ26pは、第2半導体チップS2に対応している。   Next, as shown in FIG. 7, the semiconductor wafer 26 and the adhesive layer 23 are cut into a predetermined size by a blade 28 such as a rotary blade (first dicing step). Here, the semiconductor wafer 26 and the adhesive layer 23 are cut in the thickness direction, and the pressure-sensitive adhesive layer 24 is cut. Note that the adhesive layer 23 may not be completely cut in the thickness direction, and an uncut portion may be left as a part. Moreover, you may cut | disconnect only the semiconductor wafer 26 and the adhesive bond layer 23 so that the adhesive layer 24 may not be cut | disconnected. By the first dicing step, the semiconductor wafer 26 and the adhesive layer 23 are separated into pieces simultaneously, and a plurality of pairs of the semiconductor wafer 26p and the adhesive layer 23p are obtained. Here, the semiconductor wafer 26p corresponds to the second semiconductor chip S2.

第1ダイシング工程には、市販されているダイサーを用いることができる。ダイサーとしては、たとえば、株式会社ディスコ社製のフルオートマチックダイシングソー6000シリーズ、セミオートマチックダイシングソー3000シリーズなどが挙げられる。ブレード28としては、たとえば、株式会社ディスコ社製のダイシングブレードNBC−ZH05シリーズ、NBC−ZHシリーズなどが挙げられる。   A commercially available dicer can be used for the first dicing step. Examples of the dicer include a full automatic dicing saw 6000 series and a semi-automatic dicing saw 3000 series manufactured by DISCO Corporation. Examples of the blade 28 include dicing blades NBC-ZH05 series and NBC-ZH series manufactured by DISCO Corporation.

また、第1ダイシング工程には、ブレード28の代わりにレーザを用いることができる、レーザ式のダイサーとしては、たとえば、株式会社ディスコ社製のフルオートマチックレーザソー7000シリーズなどが挙げられる。   In the first dicing step, a laser can be used instead of the blade 28. Examples of the laser-type dicer include a fully automatic laser saw 7000 series manufactured by DISCO Corporation.

次に、紫外線などを照射し、接着剤層23pと粘着剤層24との間の接着力を低下させる。続いて、図8に示されるように、接着剤層23p付き第2半導体チップS2をピックアップする(ピックアップ工程)。   Next, the adhesive force between the adhesive layer 23p and the pressure-sensitive adhesive layer 24 is reduced by irradiating ultraviolet rays or the like. Subsequently, as shown in FIG. 8, the second semiconductor chip S2 with the adhesive layer 23p is picked up (pickup process).

次に、図9に示されるように、第1半導体チップS1が固定された基板31を用意する。基板31は、例えばリードフレーム、レジスト基板等である。第1半導体チップS1は、銀ペーストまたはフィルム状の接着剤層の硬化物14(図2参照)により基板31に固定されている。また、第1半導体チップS1は、ワイヤW1により基板31にワイヤボンディングされている。ワイヤボンディングは、平面視において対向する第1半導体チップS1の2辺に対してなされている。   Next, as shown in FIG. 9, a substrate 31 to which the first semiconductor chip S1 is fixed is prepared. The substrate 31 is, for example, a lead frame or a resist substrate. The first semiconductor chip S1 is fixed to the substrate 31 with a cured product 14 (see FIG. 2) of a silver paste or a film-like adhesive layer. The first semiconductor chip S1 is wire bonded to the substrate 31 with a wire W1. Wire bonding is performed on two sides of the first semiconductor chip S1 that are opposed to each other in plan view.

続いて、第1半導体チップS1上に、接着剤層23p付き第2半導体チップS2を載置し、加熱及び加圧する(ダイボンド工程)。これにより、図10に示されるように、接着剤層23pは、第1半導体チップS1及びワイヤW1を埋め込む。ここで、埋め込み性が不十分な場合は、必要に応じて加圧オーブンを用い、追加の埋め込み及び加熱硬化を行う。   Subsequently, the second semiconductor chip S2 with the adhesive layer 23p is placed on the first semiconductor chip S1, and heated and pressurized (die bonding step). Thereby, as shown in FIG. 10, the adhesive layer 23p embeds the first semiconductor chip S1 and the wire W1. Here, when the embedding property is insufficient, additional embedding and heat curing are performed using a pressure oven as necessary.

次に、図11に示されるように、第2半導体チップS2をワイヤW2により基板31にワイヤボンディングする(ワイヤボンディング工程)。ワイヤボンディングは、平面視において対向する第2半導体チップS2の2辺に対してなされる。   Next, as shown in FIG. 11, the second semiconductor chip S2 is wire-bonded to the substrate 31 with a wire W2 (wire bonding step). Wire bonding is performed with respect to two sides of the second semiconductor chip S2 facing each other in plan view.

続いて、第2半導体チップS2及び接着剤層の硬化物12の全体を覆うように、封止材を基板31上に設ける。これにより、第2半導体チップS2が封止材により封止される(封止工程)。ここで、必要に応じて封止材を硬化させる工程を行う(封止材硬化工程)。ここまでの工程で、接着剤層23pが硬化されて接着剤層の硬化物12となる。   Subsequently, a sealing material is provided on the substrate 31 so as to cover the second semiconductor chip S2 and the entire cured product 12 of the adhesive layer. Thereby, 2nd semiconductor chip S2 is sealed with a sealing material (sealing process). Here, the process of hardening a sealing material is performed as needed (sealing material hardening process). Through the steps so far, the adhesive layer 23p is cured to become a cured product 12 of the adhesive layer.

次に、封止材及び基板31を所定のサイズに切断する(第2ダイシング工程)。第2ダイシング工程には、たとえば、第1ダイシング工程と同様のダイサーを用いることができる。第2ダイシング工程により、半導体装置10が得られる。すなわち、個片化された封止材は、封止材13(図3参照)に対応し、個片化された基板31は、支持部材11(図3参照)に対応している。なお、図6〜図11では、一組の第1半導体チップS1及び第2半導体チップS2が設けられた基板31を用いる場合について例示したが、複数組の第1半導体チップS1及び第2半導体チップS2が設けられた基板31を用いてもよい。   Next, the sealing material and the substrate 31 are cut into a predetermined size (second dicing step). For the second dicing step, for example, a dicer similar to the first dicing step can be used. The semiconductor device 10 is obtained by the second dicing process. That is, the separated sealing material corresponds to the sealing material 13 (see FIG. 3), and the separated substrate 31 corresponds to the support member 11 (see FIG. 3). 6 to 11 exemplify the case of using the substrate 31 provided with a set of the first semiconductor chip S1 and the second semiconductor chip S2, a plurality of sets of the first semiconductor chip S1 and the second semiconductor chip are used. The substrate 31 provided with S2 may be used.

この場合、図12に示されるように、まず、複数組の第1半導体チップS1及び第2半導体チップS2が設けられた基板31を用意する。ここでは、第1半導体チップS1及び第2半導体チップS2の組が、基板31上に5×3で升目状に配列されている。次に、封止工程、及び必要に応じて封止材硬化工程を行う。その後、直線からなる複数のダイシングラインDに沿って、基板31を升目状に切断する。これにより、複数の半導体装置10を得ることができる。   In this case, as shown in FIG. 12, first, a substrate 31 provided with a plurality of sets of first semiconductor chips S1 and second semiconductor chips S2 is prepared. Here, a set of the first semiconductor chip S1 and the second semiconductor chip S2 is arranged in a 5 × 3 grid pattern on the substrate 31. Next, a sealing process and a sealing material hardening process are performed as needed. Thereafter, the substrate 31 is cut into a grid shape along a plurality of dicing lines D formed of straight lines. Thereby, a plurality of semiconductor devices 10 can be obtained.

以上説明したように、半導体装置10では、接着剤層の硬化物12が、外面10e,10fにおいて封止材13の表面から帯状または略長方形状に露出している。これにより、外面10e,10fでは、支持部材11側から見て、封止材13、接着剤層の硬化物12の露出部分12a、及び封止材13が交互に並んだ状態となっている。すなわち、接着剤層の硬化物12の色目と封止材13の色目との違いによる外観不良が特に生じ易い状態となっている。   As described above, in the semiconductor device 10, the cured product 12 of the adhesive layer is exposed in a strip shape or a substantially rectangular shape from the surface of the sealing material 13 on the outer surfaces 10 e and 10 f. Thereby, in the outer surfaces 10e and 10f, the sealing material 13, the exposed portion 12a of the cured product 12 of the adhesive layer, and the sealing material 13 are alternately arranged when viewed from the support member 11 side. That is, the appearance defect due to the difference between the color of the cured product 12 of the adhesive layer and the color of the sealing material 13 is particularly likely to occur.

ここで、半導体装置10では、接着剤層の硬化物12及び封止材13の色は、いずれも黒色で同色であり、色目が同一となっている。また、半導体装置10の製造に用いられる接着シート20では、接着剤層23は、たとえば、色素の添加により予め黒色に着色されており、硬化の前後で変色しない。このため、半導体装置10では、接着剤層の硬化物12が、封止材13の表面から露出しているにもかかわらず、接着剤層の硬化物12と封止材13とを確実に一体的に見せることが可能となる。したがって、半導体装置10の外観不良の発生を確実に抑制することが可能となる。   Here, in the semiconductor device 10, the color of the cured product 12 and the sealing material 13 of the adhesive layer are both black and the same color, and the color is the same. Moreover, in the adhesive sheet 20 used for manufacture of the semiconductor device 10, the adhesive layer 23 is colored black in advance by adding a pigment, for example, and does not change color before and after curing. For this reason, in the semiconductor device 10, the cured product 12 of the adhesive layer and the sealing material 13 are reliably integrated with each other even though the cured product 12 of the adhesive layer is exposed from the surface of the sealing material 13. It becomes possible to show it. Therefore, it is possible to reliably suppress the appearance defect of the semiconductor device 10.

接着剤層23の80℃における粘度が10000Pa・s以下である。このため、接着シート20を用いたダイボンド工程において、個片化された接着剤層23pによるワイヤW1及び第1半導体チップS1の埋め込み性を十分に高められる。これにより、埋め込み不足による不良の発生を抑制することができる。   The viscosity at 80 ° C. of the adhesive layer 23 is 10000 Pa · s or less. For this reason, in the die-bonding process using the adhesive sheet 20, the embedding property of the wire W1 and the first semiconductor chip S1 by the separated adhesive layer 23p can be sufficiently enhanced. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of defects due to insufficient embedding.

剥離性シート22が長尺状をなすとともに、複数の積層体Lが剥離性シート22の長手方向に沿って互いに離間して配置された状態で、ロール状に巻かれている。このため、ロールから接着シート20を繰り出しながら積層体Lと半導体ウェハ26とを順次貼り合せることができる。これにより、半導体装置10の生産性の向上を図ることができる。   While the peelable sheet 22 has a long shape, the plurality of laminated bodies L are wound in a roll shape in a state of being separated from each other along the longitudinal direction of the peelable sheet 22. For this reason, the laminated body L and the semiconductor wafer 26 can be bonded together sequentially while paying out the adhesive sheet 20 from the roll. Thereby, the productivity of the semiconductor device 10 can be improved.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で様々な変更が可能である。たとえば、半導体装置10の外面10a〜10fにおいて、封止材13の表面から接着剤層の硬化物12が露出していなくてもよい。すなわち、封止材13は、接着剤層の硬化物12と共に、ワイヤW2及び第2半導体チップS2を封止していてもよい。このような場合であっても、封止材13の表面から接着剤層の硬化物12が透けていることにより、半導体装置10の外観不良が生じるおそれがある。半導体装置10では、接着剤層の硬化物12の色目が、封止材13の色目と同一となっていることにより、接着剤層の硬化物12と封止材13とを一体的に見せることが可能となるので、半導体装置10の外観不良の発生を抑制できる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, A various change is possible in the range which does not change the summary. For example, the cured product 12 of the adhesive layer may not be exposed from the surface of the sealing material 13 on the outer surfaces 10 a to 10 f of the semiconductor device 10. That is, the sealing material 13 may seal the wire W2 and the second semiconductor chip S2 together with the cured product 12 of the adhesive layer. Even in such a case, the appearance of the semiconductor device 10 may be deteriorated due to the cured product 12 of the adhesive layer being transparent from the surface of the sealing material 13. In the semiconductor device 10, since the color of the cured product 12 of the adhesive layer is the same as the color of the encapsulant 13, the cured product 12 of the adhesive layer and the encapsulant 13 are shown integrally. Therefore, the appearance defect of the semiconductor device 10 can be suppressed.

接着剤層の硬化物12の全体の色目が、封止材13の色目と同一となっている場合に限らず、たとえば、接着剤層の硬化物12の露出部分12aのみが黒に着色され、封止材13の色目と同一となっていてもよい。   The entire color of the cured product 12 of the adhesive layer is not limited to the same color as the color of the sealing material 13, for example, only the exposed portion 12 a of the cured product 12 of the adhesive layer is colored black, The color of the sealing material 13 may be the same.

半導体装置10は、支持部材11と、接着剤層の硬化物12と、第2半導体チップS2と、封止材13とを備えていればよく、第1半導体チップS1を備えていなくてもよい。また、第2半導体チップS2は、ワイヤW2以外の接続手段により、支持部材11と電気的に接続されていてもよい。   The semiconductor device 10 only needs to include the support member 11, the cured product 12 of the adhesive layer, the second semiconductor chip S2, and the sealing material 13, and may not include the first semiconductor chip S1. . Further, the second semiconductor chip S2 may be electrically connected to the support member 11 by connection means other than the wire W2.

半導体装置10の形状は、略直方体に限られず、第2半導体チップS2の形状に合わせて適宜変更可能である。また、接着シート20の接着剤層23、粘着剤層24、及び基材シート25の形状は、円形に限られず、半導体ウェハ26及びリングフレーム27の形状に合わせて適宜変更可能である。また、第1半導体チップS1の形状及び第2半導体チップS2の形状は、いずれも長方形状に限られず、正方形状などであってもよい。   The shape of the semiconductor device 10 is not limited to a substantially rectangular parallelepiped, and can be appropriately changed according to the shape of the second semiconductor chip S2. Further, the shapes of the adhesive layer 23, the pressure-sensitive adhesive layer 24, and the base material sheet 25 of the adhesive sheet 20 are not limited to a circle, and can be appropriately changed according to the shapes of the semiconductor wafer 26 and the ring frame 27. Further, the shape of the first semiconductor chip S1 and the shape of the second semiconductor chip S2 are not limited to a rectangular shape, and may be a square shape or the like.

接着シート20では、接着剤層23、粘着剤層24、及び基材シート25が積層されてなる積層体Lが、剥離性シート22上に少なくとも1つ設けられていればよい。また、接着シート20は、必ずしもロール状に巻かれていなくてもよく、予め積層体Lごとに裁断されていてもよい。   In the adhesive sheet 20, at least one laminate L formed by laminating the adhesive layer 23, the pressure-sensitive adhesive layer 24, and the base material sheet 25 may be provided on the peelable sheet 22. Moreover, the adhesive sheet 20 does not necessarily have to be wound in a roll shape, and may be cut for each laminate L in advance.

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to a following example.

まず、接着剤層の形成に用いる溶液1〜4を準備した。溶液1は、着色せず白色溶液として準備した。溶液2〜4は、着色により黒色溶液として準備した。   First, solutions 1 to 4 used for forming the adhesive layer were prepared. Solution 1 was prepared as a white solution without coloring. Solutions 2 to 4 were prepared as black solutions by coloring.

溶液1は、具体的には、以下のようにして準備した。すなわち、プラスチックカップにSC2050−HLG(アドマテックス製)94.1g、EXA−830CRP(DIC製)27.4g、CHN(シクロヘキサノン)34.1g(シノペック製)、YDCN−700−10(新日鉄住金製)31.2g、XLC−LL(三井化学製)44.7g、HTR−860P−3CSP(ナガセケムテクス製)の12.1%溶液品を266.2g、2PZ−CN(四国化成)1.4gを入れて、12時間攪拌した。これにより得られた溶液を溶液1とした。   Specifically, the solution 1 was prepared as follows. That is, SC2050-HLG (manufactured by Admatechs) 94.1 g, EXA-830CRP (manufactured by DIC) 27.4 g, CHN (cyclohexanone) 34.1 g (manufactured by Sinopec), YDCN-700-10 (manufactured by NSSMC) 31.2 g, XLC-LL (Mitsui Chemicals) 44.7 g, HTR-860P-3CSP (manufactured by Nagase ChemteX) 12.1% solution product 266.2 g, 2PZ-CN (Shikoku Chemicals) 1.4 g And stirred for 12 hours. The solution thus obtained was designated as Solution 1.

溶液2は、具体的には、以下のようにして準備した。すなわち、溶液1にFB Black(山陽色素製)10%溶液を0.5g加え、更に5時間攪拌した。これにより得られた溶液を溶液2とした。   Specifically, the solution 2 was prepared as follows. That is, 0.5 g of 10% FB Black (manufactured by Sanyo Dye) was added to Solution 1, and the mixture was further stirred for 5 hours. The solution thus obtained was designated as Solution 2.

溶液3は、具体的には、以下のようにして準備した。すなわち、溶液1にFB Black(山陽色素製)10%溶液を1.0g加え、更に5時間攪拌した。これにより得られた溶液を溶液3とした。   Specifically, the solution 3 was prepared as follows. That is, 1.0 g of a 10% solution of FB Black (manufactured by Sanyo Dye) was added to Solution 1, and the mixture was further stirred for 5 hours. The solution thus obtained was designated as Solution 3.

溶液4は、具体的には、以下のようにして準備した。すなわち、溶液1にFB Black(山陽色素製)10%溶液を5.0g加え、更に5時間攪拌した。これにより得られた溶液を溶液4とした。   Specifically, the solution 4 was prepared as follows. That is, 5.0 g of FB Black (manufactured by Sanyo Dye) 10% solution was added to Solution 1, and the mixture was further stirred for 5 hours. The solution thus obtained was designated as Solution 4.

次に、上述のようにして準備した溶液1〜4を用いて、実施例1〜4及び比較例1〜4の接着剤層を以下のようにして形成した。すなわち、溶液1〜4それぞれからCHNを蒸発させ、フィルム化することで120μm厚みの接着剤層を得た。溶液1から得たフィルムを比較例1、溶液2から得たフィルムを実施例1、溶液3から得たフィルムを実施例2、溶液4から得たフィルムを実施例3とした。   Next, using the solutions 1 to 4 prepared as described above, adhesive layers of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 were formed as follows. That is, CHN was evaporated from each of the solutions 1 to 4 to form a film to obtain an adhesive layer having a thickness of 120 μm. The film obtained from the solution 1 was designated as Comparative Example 1, the film obtained from the solution 2 as Example 1, the film obtained from the solution 3 as Example 2, and the film obtained from the solution 4 as Example 3.

更に、比較例1のフィルムを125℃、20分で硬化したフィルムを比較例2とした。比較例1のフィルムを125℃、30分で硬化したフィルムを比較例3とした。実施例2のフィルムを125℃、20分で硬化したフィルムを実施例4とした。実施例2のフィルムを、125℃、30分で硬化したフィルムを比較例4とした。   Further, Comparative Example 2 was obtained by curing the film of Comparative Example 1 at 125 ° C. for 20 minutes. A film obtained by curing the film of Comparative Example 1 at 125 ° C. for 30 minutes was referred to as Comparative Example 3. A film obtained by curing the film of Example 2 at 125 ° C. for 20 minutes was defined as Example 4. A film obtained by curing the film of Example 2 at 125 ° C. for 30 minutes was referred to as Comparative Example 4.

実施例1〜4及び比較例1〜4の接着剤層の形成条件を表1に示す。表1では、各接着剤層の形成条件として、各接着剤層を形成する際に使用した溶液、及び各接着剤層の硬化条件(硬化温度、硬化時間)が示されている。硬化条件は、硬化処理が行われた実施例4、及び比較例2〜4の接着剤層についてのみ示されている。

Figure 2016225373
Table 1 shows the conditions for forming the adhesive layers of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4. In Table 1, as the formation conditions of each adhesive layer, the solution used when forming each adhesive layer and the curing conditions (curing temperature, curing time) of each adhesive layer are shown. The curing conditions are shown only for the adhesive layers of Example 4 and Comparative Examples 2 to 4 where the curing treatment was performed.
Figure 2016225373

実施例1〜4及び比較例1〜4の接着剤層を、それぞれ320mmφの大きさに切断し、粘着剤層付き基材シートを粘着剤層が接着剤層と接するように貼り合わせた。続いて、粘着剤層付き基材シートを接着剤層の円形と中心が略一致するような位置で370mmφの大きさに切り、接着シートを得た。続いて、接着剤層と半導体ウェハとが接するように、接着剤層、粘着剤層及び基材シートからなる積層体と半導体ウェハとを70℃で貼り付けた。更に、ダイシングにより、10mm×10mmの接着剤層付き第2半導体チップを得た。   The adhesive layers of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 were each cut into a size of 320 mmφ, and the base sheet with the adhesive layer was bonded so that the adhesive layer was in contact with the adhesive layer. Subsequently, the base sheet with the pressure-sensitive adhesive layer was cut into a size of 370 mmφ at a position where the circle and the center of the adhesive layer substantially coincided to obtain an adhesive sheet. Then, the laminated body which consists of an adhesive bond layer, an adhesive layer, and a base material sheet, and a semiconductor wafer were affixed at 70 degreeC so that an adhesive bond layer and a semiconductor wafer might contact | connect. Further, a second semiconductor chip with an adhesive layer of 10 mm × 10 mm was obtained by dicing.

次に、基板上に銀ペーストまたは接着フィルムで固定された7mm×5mmの第1半導体チップに対して、120℃、0.2MPa、5秒の条件で10mm×10mmの接着剤層付き第2半導体チップをダイボンドし、加圧オーブンで硬化した。加圧オーブンを用いた硬化は、所定の圧力条件及び温度条件下で行った。すなわち、最大0.7MPaで、室温から90℃まで5分間で昇温し、90℃で5分間保持した。その後、90℃から140℃まで17分間で再度昇温し、140℃で40分間保持した。   Next, a second semiconductor with an adhesive layer of 10 mm × 10 mm under the conditions of 120 ° C., 0.2 MPa, 5 seconds against the first semiconductor chip of 7 mm × 5 mm fixed on the substrate with silver paste or an adhesive film The chip was die bonded and cured in a pressure oven. Curing using a pressure oven was performed under predetermined pressure and temperature conditions. That is, the temperature was raised from room temperature to 90 ° C. over 5 minutes at a maximum of 0.7 MPa, and kept at 90 ° C. for 5 minutes. Thereafter, the temperature was raised again from 90 ° C. to 140 ° C. in 17 minutes and held at 140 ° C. for 40 minutes.

次に、黒色の封止材として日立化成株式会社製のエポキシ樹脂封止材CEL−9750ZHF10AKLC1を用い、第2半導体チップの封止を行った。続いて、第2半導体チップの端部から外方に0.5mmの位置で半導体装置を個片化した。個片化の際、半導体装置の側面において、封止材から接着剤層の硬化物が露出した。   Next, the second semiconductor chip was sealed by using an epoxy resin sealing material CEL-9750ZHF10AKLC1 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. as a black sealing material. Subsequently, the semiconductor device was singulated at a position of 0.5 mm outward from the end of the second semiconductor chip. During the separation, the cured product of the adhesive layer was exposed from the sealing material on the side surface of the semiconductor device.

以上のようにして得られた半導体装置について、SAT(超音波映像装置)分析を行い、第1半導体チップの埋め込み性を確認した。SAT分析の結果を表2に示す。表2では、埋め込み性が十分であるものを「A」、埋め込み性が不足しているものを「B」として示す。また、半導体装置の側面の外観を観察し、接着剤層の硬化物と封止材とが一体的に見えるものを「A」、接着剤層の硬化物と封止材とが別体に見えるものを「B」として示す。

Figure 2016225373
The semiconductor device obtained as described above was subjected to SAT (ultrasonic imaging device) analysis, and the embedding property of the first semiconductor chip was confirmed. The results of SAT analysis are shown in Table 2. In Table 2, “A” indicates that the embeddability is sufficient, and “B” indicates that the embeddability is insufficient. In addition, the external appearance of the side surface of the semiconductor device is observed, and “A” indicates that the cured product of the adhesive layer and the sealing material can be seen integrally, and the cured product of the adhesive layer and the sealing material appear to be separate. Things are shown as “B”.
Figure 2016225373

表2に示されるように、実施例1〜4の接着剤層を用いた場合では、チップの埋め込み性が十分であった。また、黒色の封止材に対し、半導体装置の側面に露出する接着剤層の硬化物が黒色であり、接着剤層の硬化物と封止材とが一体的に視認された。これに対して、比較例1,2の接着剤層では、チップの埋め込み性は十分であったものの、黒色の封止材に対し、半導体装置の側面に露出する接着剤層の硬化物が白色であり、接着剤層の硬化物と封止材とが別体として視認された。   As shown in Table 2, when the adhesive layers of Examples 1 to 4 were used, the chip embeddability was sufficient. Moreover, the hardened | cured material of the adhesive bond layer exposed to the side surface of a semiconductor device was black with respect to the black sealing material, and the hardened | cured material of the adhesive bond layer and the sealing material were visually recognized integrally. On the other hand, in the adhesive layers of Comparative Examples 1 and 2, although the chip embeddability was sufficient, the cured product of the adhesive layer exposed on the side surface of the semiconductor device was white with respect to the black sealing material. The cured product of the adhesive layer and the sealing material were visually recognized as separate bodies.

比較例3の接着剤層では、チップの埋め込み性が不十分であった。また、黒色の封止材に対し、半導体装置の側面に露出する接着剤層の硬化物が白色であり、接着剤層の硬化物と封止材とが別体として視認された。比較例4の接着剤層では、黒色の封止材に対し、半導体装置の側面に露出する接着剤層の硬化物が黒色であり、接着剤層の硬化物と封止材とが一体的に視認されたものの、チップの埋め込み性が不十分であった。   In the adhesive layer of Comparative Example 3, the chip embeddability was insufficient. Moreover, the hardened | cured material of the adhesive bond layer exposed to the side surface of a semiconductor device was white with respect to the black sealing material, and the hardened | cured material of the adhesive bond layer and the sealing material were visually recognized as a different body. In the adhesive layer of Comparative Example 4, the cured product of the adhesive layer exposed on the side surface of the semiconductor device is black with respect to the black encapsulant, and the cured product of the adhesive layer and the encapsulant are integrally formed. Although visible, the chip embeddability was insufficient.

以上の結果から、実施例1〜4及び比較例4の半導体装置では、接着剤層の硬化物の色を封止材の色と同一とすることにより、装置の外観不良の発生が抑制可能となることが確認できた。また、実施例1〜4及び比較例1,2では、接着剤層の80℃における粘度が10000Pa・s以下である接着シートを用いることにより、接着剤層によるチップの埋め込み性が十分に高められることが確認できた。   From the above results, in the semiconductor devices of Examples 1 to 4 and Comparative Example 4, it is possible to suppress the appearance failure of the device by making the color of the cured product of the adhesive layer the same as the color of the sealing material. It was confirmed that In Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2, the adhesiveness of the chip by the adhesive layer is sufficiently enhanced by using an adhesive sheet having an adhesive layer having a viscosity at 80 ° C. of 10,000 Pa · s or less. I was able to confirm.

10…半導体装置、10a〜10f…外面、11…支持部材、12…接着剤層の硬化物、13…封止材、20…接着シート、22…剥離性シート、22a…一方の面、23,23p…接着剤層、24…粘着剤層、25…基材シート、L…積層体、S2…第2半導体チップ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Semiconductor device, 10a-10f ... Outer surface, 11 ... Support member, 12 ... Hardened | cured material of an adhesive bond layer, 13 ... Sealing material, 20 ... Adhesive sheet, 22 ... Release sheet, 22a ... One side, 23, 23p ... Adhesive layer, 24 ... Adhesive layer, 25 ... Base sheet, L ... Laminate, S2 ... Second semiconductor chip.

Claims (13)

支持部材と、
前記支持部材上に設けられた接着剤層の硬化物と、
前記接着剤層の硬化物上に設けられた半導体チップと、
前記半導体チップを封止する封止材と、を備え、
前記接着剤層の硬化物の色目が、前記封止材の色目と同一となっている、半導体装置。
A support member;
A cured product of an adhesive layer provided on the support member;
A semiconductor chip provided on the cured product of the adhesive layer;
A sealing material for sealing the semiconductor chip,
The semiconductor device in which the color of the cured product of the adhesive layer is the same as the color of the sealing material.
前記接着剤層の硬化物が、前記封止材の表面から露出している、請求項1記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein a cured product of the adhesive layer is exposed from a surface of the sealing material. 前記接着剤層の硬化物の明度が、前記封止材の明度と同一となっている、請求項1または2記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the brightness of the cured product of the adhesive layer is the same as the brightness of the sealing material. 前記接着剤層の硬化物の彩度が、前記封止材の彩度と同一となっている、請求項1〜3のいずれか一項記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein a saturation of the cured product of the adhesive layer is the same as a saturation of the sealing material. 前記接着剤層の硬化物の色が、前記封止材の色と色相環において同一又は隣り合う色となっている、請求項1〜4のいずれか一項記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein a color of the cured product of the adhesive layer is the same as or adjacent to a color of the sealing material in a hue ring. 前記接着剤層の硬化物の色が、前記封止材の色と同一となっている、請求項1〜5のいずれか一項記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the color of the cured product of the adhesive layer is the same as the color of the sealing material. 接着剤層の硬化物を介して支持部材上に設けられた半導体チップを封止材で封止してなる半導体装置の製造に用いられる接着シートであって、
剥離性シートと、
前記剥離性シートの一方面に設けられた接着剤層と、
前記接着剤層を覆うように前記接着剤層上に設けられた粘着剤層と、
前記粘着剤層を覆うように前記粘着剤層上に設けられた基材シートと、を備え、
前記接着剤層の硬化後の色目が、前記封止材の色目と同一になる、接着シート。
An adhesive sheet used for manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor chip provided on a support member is sealed with a sealing material via a cured product of an adhesive layer,
A peelable sheet;
An adhesive layer provided on one side of the peelable sheet;
A pressure-sensitive adhesive layer provided on the adhesive layer so as to cover the adhesive layer;
A base sheet provided on the pressure-sensitive adhesive layer so as to cover the pressure-sensitive adhesive layer,
The adhesive sheet in which the color after curing of the adhesive layer is the same as the color of the sealing material.
前記接着剤層の硬化物の明度が、前記封止材の明度と同一になる、請求項7記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 7, wherein the brightness of the cured product of the adhesive layer is the same as the brightness of the sealing material. 前記接着剤層の硬化物の彩度が、前記封止材の彩度と同一になる、請求項7または8記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 7 or 8, wherein the saturation of the cured product of the adhesive layer is the same as the saturation of the sealing material. 前記接着剤層の硬化物の色が、前記封止材の色と色相環において同一又は隣り合う色になる、請求項7〜9のいずれか一項記載の接着シート。   The adhesive sheet according to any one of claims 7 to 9, wherein the color of the cured product of the adhesive layer is the same as or adjacent to the color of the sealing material in a hue ring. 前記接着剤層の硬化物の色が、前記封止材の色と同一になる、請求項7〜10いずれか一項記載の接着シート。   The adhesive sheet according to any one of claims 7 to 10, wherein the color of the cured product of the adhesive layer is the same as the color of the sealing material. 前記接着剤層の80℃における粘度が10000Pa・s以下である、請求項7〜11のいずれか一項記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 7, wherein the adhesive layer has a viscosity at 80 ° C. of 10,000 Pa · s or less. 前記剥離性シートが長尺状をなすと共に、前記接着剤層、前記粘着剤層、及び前記基材シートが積層されてなる複数の積層体が前記剥離性シートの長手方向に沿って互いに離間して配置された状態でロール状に巻かれている、請求項7〜12のいずれか一項記載の接着シート。   The peelable sheet has a long shape, and a plurality of laminates in which the adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer, and the base sheet are laminated are separated from each other along the longitudinal direction of the peelable sheet. The adhesive sheet according to any one of claims 7 to 12, wherein the adhesive sheet is wound into a roll shape in a state of being disposed.
JP2015107833A 2015-05-27 2015-05-27 Semiconductor device Active JP6536177B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015107833A JP6536177B2 (en) 2015-05-27 2015-05-27 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015107833A JP6536177B2 (en) 2015-05-27 2015-05-27 Semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016225373A true JP2016225373A (en) 2016-12-28
JP6536177B2 JP6536177B2 (en) 2019-07-03

Family

ID=57745923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015107833A Active JP6536177B2 (en) 2015-05-27 2015-05-27 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6536177B2 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1140704A (en) * 1997-07-15 1999-02-12 Hitachi Ltd Semiconductor device
JP2001015532A (en) * 1999-06-30 2001-01-19 Mitsumi Electric Co Ltd Ic package
WO2013133275A1 (en) * 2012-03-08 2013-09-12 日立化成株式会社 Adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device
JP2014027109A (en) * 2012-07-26 2014-02-06 Renesas Electronics Corp Semiconductor device, portable communication equipment and semiconductor device manufacturing method
JP5714091B1 (en) * 2013-12-24 2015-05-07 日東電工株式会社 Film roll for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1140704A (en) * 1997-07-15 1999-02-12 Hitachi Ltd Semiconductor device
JP2001015532A (en) * 1999-06-30 2001-01-19 Mitsumi Electric Co Ltd Ic package
WO2013133275A1 (en) * 2012-03-08 2013-09-12 日立化成株式会社 Adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device
JP2014027109A (en) * 2012-07-26 2014-02-06 Renesas Electronics Corp Semiconductor device, portable communication equipment and semiconductor device manufacturing method
JP5714091B1 (en) * 2013-12-24 2015-05-07 日東電工株式会社 Film roll for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP6536177B2 (en) 2019-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6361709B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
KR100892799B1 (en) Adhesive sheet and method for manufacturing the same, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
JP6709159B2 (en) Adhesive-free light-emitting device with fluorescence converter
JP5157208B2 (en) Die bond dicing sheet
TWI649800B (en) Film for semiconductor device production, method for producing film for semiconductor device production, and method for semiconductor device production
WO2015178369A1 (en) Die bonding/dicing sheet
JP2005162818A (en) Dicing die bond sheet
US8659137B2 (en) Stacked semiconductor device and manufacturing method thereof
CN106415823A (en) Semiconductor device, layered semiconductor device, sealed-then-layered semiconductor device, and manufacturing methods therefor
TWI460778B (en) Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface, and process for producing semiconductor device
US20130273718A1 (en) Tape for processing wafer, method for manufacturing tape for processing wafer, and method for manufacturing semiconductor device
CN105489510A (en) Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device
JP4505798B2 (en) Adhesive sheet
JP2016186093A (en) Manufacturing method of adhesive sheet, and adhesive sheet
TW200822315A (en) Sensor type semiconductor package and fabrication method thereof
JP2005350520A (en) Adhesive sheet, method for producing the sheet, method for producing semiconductor device, and the semiconductor device
JP2010027686A (en) Surface protecting sheet and method for grinding semiconductor wafer
JP2014165462A (en) Semiconductor chip manufacturing method
JP4563257B2 (en) Adhesive sheet and electronic component manufacturing method
TW201236073A (en) Pre-cut wafer applied underfill film on dicing tape
JP6536177B2 (en) Semiconductor device
JP4956560B2 (en) Wafer processing tape roll packaging method
JP2017139409A (en) Die-bonding dicing sheet
WO2020034386A1 (en) Stepped stacked chip packaging structure employing resin gasket and preparation process
JP2020088061A (en) Semiconductor device and adhesive film

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180420

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190305

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190329

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190520

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6536177

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S801 Written request for registration of abandonment of right

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311801

ABAN Cancellation due to abandonment
R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350