JP2016220402A - 電源回路および電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
オフセット幅を最適化することで、幅広い入力電圧範囲で、よりオーバーシュートやアンダーシュートを抑制できる。
「一体集積化」とは、回路の構成要素のすべてが半導体基板上に形成される場合や、回路の主要構成要素が一体集積化される場合が含まれ、回路定数の調節用に一部の抵抗やキャパシタなどが半導体基板の外部に設けられていてもよい。ある態様において、電源回路には、スイッチングレギュレータのインダクタ、平滑キャパシタ、を除く主要部が、集積化されてもよい。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、それらの電気的な接続状態に実質的な影響を及ぼさない、あるいはそれらの結合により奏される機能や効果を損なわせない、その他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
VOUT=VREF1×(R11+R12)/R12
VRAMP’=VRAMP+VBE
レベルシフト回路312は、アナログ加算器(加減算器)314を含む。アナログ加減算器314は、ランプ電圧VRAMPに応じた電圧VRAMP’と、基準電圧VREF2’を加算する。基準電圧VREF2’は、バッファ316を経た基準電圧VREF2であり、それらは等しい。基準電圧VREF2を生成する電圧源の出力インピーダンスが十分低い場合、バッファ316は省略可能である。
VOFS’=VOFS+VBE
VSLOPE=VRAMP’+VREF’−VOFS’
=(VRAMP+VBE)+VREF−(VOFS+VBE)
=VRAMP+VREF−VOFS
このようにして、加減算回路314は、キャパシタC21に生ずるランプ電圧VRAMPを基準電圧VREF’およびオフセット電圧VOFSと合成し、スロープ信号VSLOPEを生成する。トランジスタQ31とQ32のペアにより、ソースフォロアの温度依存性が相殺される。
図5は、図2の電源回路100のタイムチャートである。図5には、リニアレギュレータ200のイネーブル状態から、スイッチングレギュレータ300のイネーブル状態への動作を示す。図5には、各ブロックのイネーブル/ディセーブル状態の制御が示される。
時刻t1にスイッチSW1がオンする。これにより、誤差信号VERRが直ちに基準電圧VREF2まで上昇する。ここで留意すべきは、単にスイッチSW1によってフィードバック信号VFB2が第2エラーアンプEA2の出力の誤差信号VERRに現れているのではなく、第2エラーアンプEA2およびスイッチSW1がボルテージフォロアとして動作し、フィードバックによってその非反転入力端子(+)の基準電圧VREF2が、誤差信号VERRに現れている点である。つまり第2エラーアンプEA2の内部の差動アンプや増幅段のトランジスタ素子の動作点が、スイッチングレギュレータ300のイネーブル状態と同等となっている。
この電源回路100では、オーバーラップ期間τの間に、基準電圧VREF2を受ける第2エラーアンプEA2を、ボルテージフォロアとして動作させるとともに、スロープ発生器310のベースラインを基準電圧VREF2にもとづいて生成することとした。これにより、図6の時刻t2の後も、一点鎖線や鎖線で示すような出力電圧VOUTのアンダーシュートやオーバーシュートを抑制し、実線で示すように、目標電圧を維持することができる。
オーバーラップ期間におけるドライバのスイッチング停止方法はそれには限定されない。たとえばドライバ330の前段のパルス変調器320において、ロジック回路326のセット端子に入力される周期信号SOSCをマスクすることで、スイッチングを停止してもよい。
実施の形態ではダイオード整流型のDC/DCコンバータを説明したが、同期整流型にも適用可能である。
パルス変調器320の構成も図3のそれには限定されない。たとえばパルス変調器320からオシレータ322、ロジック回路326を省略し、PWMコンパレータ324の出力である比較信号SCMPをパルス信号SPWMとしてもよい。この場合、ランプ波形(のこぎり波を含む)のスロープ信号VSLOPEを、誤差信号VERRによってスライスし、VSLOPE>VERRのときとVSLOPE<VERRのときとで異なるレベルをとるパルス信号SPWMを生成してもよい。あるいは、パルス変調器320は、電圧モードではなく、電流モードであってもよい。
Claims (10)
- イネーブル状態/ディセーブル状態が切りかえ可能であり、入力ラインの入力電圧を受け、前記イネーブル状態において出力ラインの出力電圧を所定の目標電圧に安定するリニアレギュレータと、
イネーブル状態/ディセーブル状態が切りかえ可能であり、前記入力ラインの前記入力電圧を受け、前記イネーブル状態において前記出力ラインの前記出力電圧を前記目標電圧に安定化するスイッチングレギュレータと、
前記リニアレギュレータおよび前記スイッチングレギュレータそれぞれの前記イネーブル状態、前記ディセーブル状態を切りかえるコントローラと、
を備え、
前記スイッチングレギュレータは、
イネーブル状態/ディセーブル状態が切りかえ可能であり、非反転入力端子に基準電圧を受け、反転入力端子に前記出力電圧に応じたフィードバック信号を受け、前記イネーブル状態において前記基準電圧と前記フィードバック信号の誤差を増幅し、誤差信号を出力するエラーアンプと、
前記エラーアンプの出力端子と前記反転入力端子の間に設けられたスイッチと、
前記基準電圧に応じたベースラインを有するスロープ信号を生成するスロープ発生器と、
前記誤差信号と前記スロープ信号とにもとづき、パルス変調されたパルス信号を生成するパルス変調器と、
前記パルス信号に応じて前記スイッチングレギュレータのスイッチングトランジスタをスイッチングするドライバと、
を備え、
前記コントローラは、前記リニアレギュレータのイネーブル状態から前記スイッチングレギュレータのイネーブル状態に切りかえるときに、オーバーラップ期間を挿入し、前記オーバーラップ期間において、前記リニアレギュレータを前記イネーブル状態に維持し、前記エラーアンプをイネーブル状態、前記スイッチをオン状態とし、前記ドライバによる前記スイッチングトランジスタのスイッチングを停止することを特徴とする電源回路。 - 前記パルス変調器は、
所定の周期を有する周期信号を生成するオシレータと、
前記誤差信号と前記スロープ信号を比較し、比較結果を示すリセット信号を生成するパルス幅変調コンパレータと、
前記周期信号および前記リセット信号に応じてレベルが遷移する前記パルス信号を生成するロジック回路と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の電源回路。 - 前記スロープ発生器は、
キャパシタと、
前記キャパシタを充電する電流源と、
前記キャパシタを放電する放電スイッチと、
前記キャパシタに生ずるランプ電圧を前記基準電圧と合成し、前記スロープ信号を生成するレベルシフト回路と、
を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の電源回路。 - 前記レベルシフト回路は、アナログ加算器を含むことを特徴とする請求項3に記載の電源回路。
- 前記スロープ信号の前記ベースラインは、前記基準電圧から所定のオフセット幅、低下したレベルであることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の電源回路。
- 前記スロープ発生器は、
キャパシタと、
前記キャパシタを充電する電流源と、
前記キャパシタを放電する放電スイッチと、
前記オフセット幅に相当するオフセット電圧を生成するオフセット電圧生成回路と、
前記キャパシタに生ずるランプ電圧を前記基準電圧および前記オフセット電圧と合成し、前記スロープ信号を生成するレベルシフト回路と、
を含むことを特徴とする請求項5に記載の電源回路。 - 前記レベルシフト回路は、前記ランプ電圧に前記基準電圧を加算し、前記オフセット電圧を減算するアナログ加減算器を含むことを特徴とする請求項6に記載の電源回路。
- 前記レベルシフト回路は、
ベースに前記ランプ電圧を受ける第1バイポーラトランジスタと、
前記第1バイポーラトランジスタと接続される第1電流源と、
ベースコレクタが接続された前記第1バイポーラトランジスタと同型の第2バイポーラトランジスタと、
前記第2バイポーラトランジスタと直列に接続された抵抗と、
前記第2バイポーラトランジスタおよび前記抵抗の直列接続に、電流を供給する第2電流源と、
前記第1バイポーラトランジスタのエミッタ電圧と前記基準電圧を加算し、前記第2バイポーラトランジスタのエミッタ電圧を減算するアナログ加減算器と、
を含むことを特徴とする請求項6に記載の電源回路。 - ひとつの半導体基板に一体集積化されることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の電源回路。
- 電池と、
少なくともひとつの負荷と、
前記電池の電圧を受け、前記少なくともひとつの負荷に電源電圧を供給する請求項1から9のいずれかに記載の電源回路と、
を備えることを特徴とする電子機器。
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