JP2016213313A - Coating treatment device and coating treatment method - Google Patents
Coating treatment device and coating treatment method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016213313A JP2016213313A JP2015095455A JP2015095455A JP2016213313A JP 2016213313 A JP2016213313 A JP 2016213313A JP 2015095455 A JP2015095455 A JP 2015095455A JP 2015095455 A JP2015095455 A JP 2015095455A JP 2016213313 A JP2016213313 A JP 2016213313A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- frame
- tape
- wafer
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 90
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
本発明は、環状のフレームの内側に基板を配置し、粘着性のテープでフレームに貼り付けられた基板の表面に処理液を塗布する塗布処理装置に関する。 The present invention relates to a coating processing apparatus in which a substrate is disposed inside an annular frame, and a processing liquid is applied to the surface of the substrate attached to the frame with an adhesive tape.
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」とする)の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送すると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、環状のフレームの内側にウェハを配置し、フレームおよびウェハの裏面にテープを貼り付けて薄型化されたウェハを補強した状態で搬送していた(特許文献1参照)。 In recent years, for example, in semiconductor device manufacturing processes, semiconductor wafers (hereinafter referred to as “wafers”) have become larger in diameter. Further, in a specific process such as mounting, it is required to make the wafer thinner. For example, if a thin wafer with a large diameter is transported as it is, the wafer may be warped or cracked. For this reason, a wafer is disposed inside an annular frame, and a thinned wafer is transported by attaching a tape to the frame and the back surface of the wafer (see Patent Document 1).
また、上記の補強されたウェハの表面に処理液、例えば高粘度材料を塗布して塗布膜を形成し、その後塗布膜を乾燥させて、例えば乾燥後に厚み10μm〜2mmの厚膜をウェハの表面に形成せねばならない場合も考えられる。一般的に、厚膜形成のための塗布処理は、長尺状のノズルから処理液を帯状に吐出させつつ長尺状のノズルを移動させて、塗布膜を形成する(特許文献2参照)。 Further, a treatment liquid, for example, a high-viscosity material is applied to the surface of the reinforced wafer to form a coating film, and then the coating film is dried. For example, after drying, a thick film having a thickness of 10 μm to 2 mm is formed on the surface of the wafer. In some cases, it must be formed. In general, in the coating process for forming a thick film, the long nozzle is moved while discharging the processing liquid from the long nozzle in a strip shape to form a coating film (see Patent Document 2).
しかし、乾燥後の塗布膜の膜厚が10μm〜2mmの厚膜を形成するためには、乾燥前の(塗布処理時の)塗布膜は、その数倍の厚みで塗布する必要がある。従来、上記のような厚膜の塗布膜をウェハの表面にのみ形成すると、ウェハ周縁の膜厚が他の領域と比較して厚くなる傾向があり、ウェハ表面の膜厚の均一性が悪化していた。 However, in order to form a thick film having a thickness of 10 μm to 2 mm after drying, the coating film before drying (during the coating process) needs to be applied with a thickness several times that of the coating film. Conventionally, when a thick coating film as described above is formed only on the surface of the wafer, the film thickness on the wafer periphery tends to be thicker than other regions, and the uniformity of the film thickness on the wafer surface deteriorates. It was.
本発明は、従来技術の問題点を解決するものであり、フレームで補強されたウェハの表面に、均一な膜厚の塗布膜を形成するための塗布処理装置及び塗布処理方法を提供する。 The present invention solves the problems of the prior art, and provides a coating processing apparatus and a coating processing method for forming a coating film having a uniform film thickness on the surface of a wafer reinforced by a frame.
実施形態の一態様に係る塗布処理装置は、環状のフレームの内側に基板を配置し、粘着性のテープを前記フレームおよび前記基板に貼りつけて前記フレームの内側に保持された前記基板に処理液を塗布する塗布処理装置であって、前記テープに貼り付けられた前記基板を保持する基板保持手段と、前記テープに貼り付けられた前記フレームを保持するフレーム保持手段と、直線状に前記処理液を供給する処理液供給手段と、前記処理液供給手段と前記基板とを相対的に移動させる移動手段と、前記処理液供給手段および前記移動手段の動作を制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記基板を含む前記基板よりも広い領域に前記処理液を塗布するように、前記処理液供給手段および前記移動手段の動作を制御することを特徴とする。 In the coating processing apparatus according to one aspect of the embodiment, a substrate is disposed inside an annular frame, and a processing liquid is applied to the substrate held on the inside of the frame by sticking an adhesive tape to the frame and the substrate. A substrate holding means for holding the substrate attached to the tape, a frame holding means for holding the frame attached to the tape, and the processing liquid in a straight line. Processing liquid supply means, moving means for relatively moving the processing liquid supply means and the substrate, and control means for controlling operations of the processing liquid supply means and the moving means, The control means controls operations of the processing liquid supply means and the moving means so as to apply the processing liquid to a region wider than the substrate including the substrate.
また実施形態の一態様に係る塗布処理装置方法は、環状のフレームの内側に基板を配置し、粘着性のテープを前記フレームおよび前記基板に貼りつけて前記フレームの内側に保持された前記基板に処理液を塗布する塗布処理方法であって、直線状に前記処理液を供給するノズルを、前記基板の一端の外側の側方に配置する配置工程と、その後、前記ノズルから供給された直線状の前記処理液を前記基板の一端の外側に位置する前記テープに接触させる接触工程と、その後前記直線状の処理液を前記テープ及び前記基板に接触させながら前記ノズルを前記基板の他端の外側まで相対的に移動させて前記基板を含む前記基板よりも広い領域に前記処理液を塗布する塗布工程と、を有する。 In the coating processing apparatus method according to one aspect of the embodiment, the substrate is disposed inside the annular frame, and an adhesive tape is attached to the frame and the substrate to hold the substrate held inside the frame. A coating processing method for applying a processing liquid, wherein a nozzle for supplying the processing liquid in a straight line is disposed on a lateral side outside one end of the substrate, and then the linear shape supplied from the nozzle A contact step of bringing the treatment liquid into contact with the tape located outside one end of the substrate, and then the nozzle outside the other end of the substrate while bringing the linear treatment liquid into contact with the tape and the substrate. And an application step of applying the treatment liquid to a wider area than the substrate including the substrate.
本発明の塗布処理装置及び塗布処理方法を用いて塗布処理を行うことにより、ウェハの表面に均一な膜厚の塗布膜を形成することが可能である。 By performing the coating process using the coating processing apparatus and the coating processing method of the present invention, it is possible to form a coating film having a uniform film thickness on the surface of the wafer.
以下、添付図を参照して、本発明の好適な実施形態を説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
被処理基板例えばウェハWは、フレームFを用いて補強された状態で搬送や所定の処理が行われる。フレームFを用いて補強されることにより、ウェハWは反りや割れが防止される。 The substrate to be processed, for example, the wafer W is transported or subjected to a predetermined process while being reinforced using the frame F. By being reinforced using the frame F, the wafer W is prevented from warping or cracking.
図1は、フレームFとテープTに保持されたウェハWの平面図であり、図2は、フレームFとテープTに保持されたウェハWの縦断面図である。 FIG. 1 is a plan view of the wafer W held on the frame F and the tape T, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the wafer W held on the frame F and the tape T.
円環状のフレームFの内側にウェハWは配置される。フレームFとウェハWの裏面には粘着性を有するテープTが貼り付けられ、テープTによりフレームFの内側にウェハWが保持される。フレームFは、金属例えばアルミニウム等で形成される。フレームFの厚みはウェハWと同等〜2倍程度である。そして円環状のフレームFによりウェハWは補強され、ウェハWの反りや割れが防止される。 The wafer W is disposed inside the annular frame F. An adhesive tape T is attached to the back surface of the frame F and the wafer W, and the wafer W is held inside the frame F by the tape T. The frame F is formed of a metal such as aluminum. The thickness of the frame F is equivalent to about twice that of the wafer W. The wafer W is reinforced by the annular frame F, and warpage and cracking of the wafer W are prevented.
図3は塗布処理装置1の構成の概略を示す平面図であり、図4は塗布処理装置1の構成の概略を示す縦断面図である。 FIG. 3 is a plan view illustrating the outline of the configuration of the coating treatment apparatus 1, and FIG. 4 is a longitudinal sectional view illustrating the outline of the configuration of the coating treatment apparatus 1.
塗布処理装置1は、テープTに貼り付けられたウェハWを保持する基板保持手段例えばステージ11と、テープTに貼り付けられたフレームFを保持するフレーム保持手段例えばフレーム保持部12と、ウェハWに直線状に処理液例えば高粘度材料を供給する処理液供給手段例えば長尺状のノズル14と、処理液供給手段を移動させる移動手段例えばノズル移動手段22と、塗布処理装置1の動作を制御する制御手段例えば制御部24と、を有する。
The coating processing apparatus 1 includes a substrate holding unit that holds the wafer W attached to the tape T, such as a
図3に示すように、ステージ11はウェハWの外形と相似形であり、かつウェハWの周縁から例えば約20〜100mmほど大きい。ステージ11は、その上面に載置されたウェハWを吸着保持できる構成となっている。なお、ステージ11は、ウエハWの外周端縁よりも大きく、かつ、フレームFの内周端縁よりも小さい形状として、フレームFの内側においてテープTの裏面をウェハWの裏面とともに吸着保持できるようにしている。またフレーム保持部12は、図3に示すようにステージ11の周囲に位置する。塗布処理装置1は、ノズル14が待機するノズル待機部15を有する。ノズル待機部15は、ステージ11の側方に配置される。
As shown in FIG. 3, the
ノズル移動手段22は、レール16と、駆動部21とで構成される。レール16は、ステージ11とノズル待機部15の側方に配置される。ノズル14は、駆動部21の動作によりレール16に沿って案内され、ステージ11の上方とノズル待機部15との間を移動可能である。また駆動部21の動作により、ノズル14は昇降可能である。図4に示すように、ノズル14は、昇降動作を行うことでノズル待機部15に対して高さ方向に接離自在であり、またステージ11に対しても高さ方向に接離自在である。ノズル移動手段22は、ノズル14とステージ11上に保持されたウェハWとを相対的に移動させる移動手段として機能する。
The nozzle moving means 22 includes the
ステージ11は、多孔質材で形成されている。図4に示すように、ステージ11には開閉弁23が接続され、開閉弁23は、用力である真空源25に接続される。開閉弁23を開閉させることにより、テープTに貼り付けられたウェハWをステージ11上に吸着保持または吸着解除できる。
The
フレーム保持部12は、フレーム保持部12上に載置されたフレームFを固定保持するフレーム固定手段を有する。フレーム固定手段は、フレーム保持部12の表面に形成された複数の吸引孔20(図3)と、吸引孔20に接続される開閉弁19(図4)とで構成される。開閉弁19は、真空源25に接続される。開閉弁19を開閉させることにより、テープTに貼り付けられたフレームFをフレーム保持部12上に吸着保持または解除できる。
The
図4に示すように、塗布処理装置1はフレーム保持部12を昇降させるフレーム昇降手段13を有する。フレーム昇降手段13は、ステージ11とフレーム保持部12との相対的な高さ位置を調整する高さ調整手段として機能する。
As shown in FIG. 4, the coating treatment apparatus 1 includes a
また図4に示すように、ノズル14にはポンプ17が接続され、ポンプ17には処理液タンク18が接続される。処理液タンク18には、処理液が貯留されており、ポンプ17を駆動させて処理液タンク18からノズル14に処理液を供給する。
As shown in FIG. 4, a
図5は、ノズル14の縦断面図である。ノズル14は、液貯留部31と、スリット32と、吐出口33とを有する。液貯留部31はノズル14の内側に位置し、処理液タンク18から供給された処理液を液貯留部31に貯留する。スリット32は一端が液貯留部31に接続され、他端がノズル14の下面に位置し、スリット32は処理液の流路である。スリット32の下端に吐出口33が形成される。吐出口33は、ウェハWの直径よりも大きな(長い)直線状の形状である。液貯留部31に処理液Lを供給し、液貯留部31内の圧力を調整することにより、処理液の直線状の液溜りで断面形状が下に凸形状の凸部Nが吐出口33に形成される。凸部Nは、処理液Lの表面張力により吐出口33から落下せずに保持される。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view of the
塗布処理装置1は、塗布処理装置1の動作を制御する制御手段例えば制御部24を有する。制御部24は、図3に示す駆動部21、図4に示す開閉弁19、開閉弁23、フレーム昇降手段13、ポンプ17等の動作を制御し、塗布処理装置1に所定の動作を行わせることが可能である。
The coating processing apparatus 1 includes a control unit that controls the operation of the coating processing apparatus 1, for example, a
次に、塗布処理装置1で行われる塗布処理について説明する。図6〜図8は、塗布処理時の様子を示す説明図である。 Next, the coating process performed by the coating processing apparatus 1 will be described. 6-8 is explanatory drawing which shows the mode at the time of an application | coating process.
まず、塗布処理装置1にフレームFを用いて補強されたウェハWが搬入される。裏面にテープTが貼られたウェハWはステージ11上に、裏面にテープTが貼られたフレームFはフレーム保持部12上に載置される。このとき、フレーム昇降手段13を動作させ、ステージ11の表面高さとフレーム保持部12の表面高さとを、ほぼ同じ高さにする。
First, the wafer W reinforced using the frame F is loaded into the coating processing apparatus 1. The wafer W with the tape T attached to the back surface is placed on the
次に、開閉弁19と開閉弁23とを開とし、裏面にテープTが貼られたウェハWをステージ11に、裏面にテープTが貼られたフレームFをフレーム保持部12に、それぞれ吸着保持させる。
Next, the on-off
次に、図7に示すように、フレーム昇降手段13を動作させフレーム保持部12を下降させる。このとき、テープTが塑性変形しない程度(〜約3mm)下降させる。しかも、フレームFの表面高さがウェハWの表面高さより相対的に低く位置するように、フレーム保持部12を下降させるのがよい(設定工程)(例えばフレーム保持部12の表面高さがステージ11の表面高さより2mm低くなるように設定する。)。ここで、ステージ11の表面がウェハWよりも広くなっているために、ウェハWよりも外側においてテープTがウェハWとともにステージ11の表面で支持されることになり、フレーム保持部12を下降させることで、ウェハWの周囲に位置するテープTが環状の平坦面となり、さらにその外側に位置するテープTが外側下方へ向かう傾斜面となる。
Next, as shown in FIG. 7, the
次に、ノズル移動手段22を動作させ、図8に示すようにノズル14をノズル待機部15から上昇、左へ水平移動、下降させ、ノズル14をウェハWの一端より外側の側方に配置させる(配置工程)(例えばノズル14をウェハWの一端より5mm外側の側方に位置させる。)。
Next, the nozzle moving means 22 is operated, and as shown in FIG. 8, the
次に、液貯留部31内の圧力を調整すると液貯留部31の処理液はスリット32を通って吐出口33に到達し、処理液の液溜りである凸部Nが吐出口33に形成される。そして凸部Nが吐出口33から落下せずに吐出口33に保持されるように、液貯留部31内の圧力が維持される。このときに、凸部Nの高さ(吐出口33から凸部Nの下端までの長さ)をウェハWの厚み以上となるようにするのが好ましい。その後、ノズル14を下降させ、凸部Nの下端がテープTの表面に接触した時点(着液)でノズル14の下降を停止する(接触工程)。
Next, when the pressure in the
次に、液貯留部31内の圧力を調整しつつノズル14を図8に示すようにウェハWの他端に向けて左方向に水平移動させる。このときに凸部Nの下端をテープT及びウェハWに接触させながら水平移動させる(ウェハWの一端より外側では凸部Nの下端をテープTに接触させたまま水平移動させ、ウェハWの一端から他端までの間では凸部Nの下端をテープT及びウェハWに接触させたまま水平移動させ、ウェハWの他端より外側では凸部Nの下端をテープTに接触させたまま水平移動させる。)。凸部Nの処理液は吐出口33から落下することなくテープTおよびウェハWの表面に表面張力により吸い寄せられて、処理液の塗布膜がテープT及びウェハWの表面に形成される(塗布工程)。このときにウェハWの周囲に位置するテープTがウェハWとともにステージ11で支持されて環状の平坦面となっているために、処理液の凸部NがウェハWの表面だけでなくテープTの表面(環状の平坦面)にも塗布される。またこのときにフレームFの表面高さ位置をウェハWの表面高さ位置より低く設定しているので、塗布処理時にノズル14の下端がフレームFに接触してノズル14を破損する虞がない。その後、ノズル14をウェハWの他端の外側まで移動させて、ウェハWの他端の外側まで塗布膜を形成する。これにより、ウェハWの表面だけでなく、ウェハWの外周端縁よりも外側のテープTの表面(環状の平坦面)にも塗布膜を形成することができ、ウェハWを含むウェハWよりも広い領域に塗布膜を形成することができる。
Next, the
上記のように、ウェハWを含むウェハWよりも広い領域に塗布膜を形成した後に、ノズル14を上昇、水平移動、下降させてノズル14をノズル待機部15に移動させノズル14をノズル待機部15で待機させる。次に、ステージ11とフレーム保持部12の吸着動作を解除し、フレームFで補強されたウェハWを塗布処理装置1から搬出する。
As described above, after the coating film is formed in a region wider than the wafer W including the wafer W, the
ここで、本実施形態であるウェハWを含みウェハWより広い領域に塗布膜を形成した場合と、ウェハWの表面にのみ塗布膜を形成した場合とを比較しながら説明する。 Here, a case where the coating film is formed in a region wider than the wafer W including the wafer W according to the present embodiment and a case where the coating film is formed only on the surface of the wafer W will be described.
まず、上記で説明したように処理液の塗布膜を形成し、その後、形成された塗布膜を乾燥させて所望の膜厚の乾燥膜を得る。そして、所望の膜厚の乾燥膜を得るために、塗布時の塗布膜の膜厚は、乾燥膜の膜厚の数倍の厚みで形成しておく必要がある。ここで、乾燥膜の膜厚を厚膜例えば10μm〜2mmで形成する場合も、塗布時の塗布膜の膜厚はその数倍の厚みが必要となる。このような厚膜を塗布した場合、塗布直後は均一な膜厚であったとしても、塗布から時間が経過すると(例えば10秒経過した後)塗布膜の端部付近の膜厚が他の領域の膜厚より一般的に厚くなる。これは物理的な現象であり、塗布液が表面張力などによって移動することで発生すると考えられている。 First, as described above, a coating film of the treatment liquid is formed, and then the formed coating film is dried to obtain a dry film having a desired film thickness. And in order to obtain the dry film of a desired film thickness, it is necessary to form the film thickness of the coating film at the time of application | coating with the thickness of several times the film thickness of a dry film. Here, also when the film thickness of the dry film is formed with a thick film, for example, 10 μm to 2 mm, the film thickness of the coating film at the time of coating needs to be several times as thick. When such a thick film is applied, even if the film thickness is uniform immediately after application, the film thickness in the vicinity of the end of the applied film changes to another region after a time has elapsed since application (for example, after 10 seconds have elapsed). Generally thicker than the film thickness. This is a physical phenomenon and is considered to occur when the coating liquid moves due to surface tension or the like.
図9は、本実施形態で形成された塗布膜の平面図であり、図10は本実施形態で形成された塗布膜の縦断面図である。本実施形態における塗布処理では、図9や図10に示すように、ウェハWを含みウェハWより広い領域で塗布膜Mを形成する。しかも一般的に厚くなる傾向にある塗布膜Mの端部が図10に示すようにウェハWの外側に位置するように塗布膜Mを形成し、ウェハW上の塗布膜Mの膜厚が均一となるようにしている。この状態から塗布膜Mを乾燥させると、ウェハW上には均一な膜厚の乾燥膜が形成される。 FIG. 9 is a plan view of the coating film formed in the present embodiment, and FIG. 10 is a longitudinal sectional view of the coating film formed in the present embodiment. In the coating process in the present embodiment, as shown in FIGS. 9 and 10, the coating film M is formed in a region including the wafer W and wider than the wafer W. In addition, the coating film M is formed so that the end portion of the coating film M that tends to be generally thick is located outside the wafer W as shown in FIG. 10, and the film thickness of the coating film M on the wafer W is uniform. It is trying to become. When the coating film M is dried from this state, a dry film having a uniform film thickness is formed on the wafer W.
本実施形態との比較例として、ウェハWの表面にのみ塗布膜を形成した場合の縦断面図を図11に示す。ここで図11における塗布処理手順を説明する。ノズル14をノズル待機部15から上昇、左へ水平移動、下降させ、吐出口33がウェハWの一端上に位置するようにノズル14をウェハWの一端上に配置する。次に、液貯留部31内の圧力を調整し、凸部Nが吐出口33に形成される。次に、ノズル14を下降させ、凸部Nの下端がウェハWの一端に接触した時点(着液)でノズル14の下降を停止する。その後、液貯留部31内の圧力を調整しつつノズル14をウェハWの他端に向けて水平に移動させる。凸部NがウェハWの他端に達したら、ノズル14の水平移動を停止させる。すると処理液の塗布膜がウェハWの表面にのみ形成される。その後、ノズル14をノズル待機部15まで移動させ、ノズル14をノズル待機部15で待機させる。
As a comparative example with the present embodiment, FIG. 11 shows a longitudinal sectional view when a coating film is formed only on the surface of the wafer W. FIG. Here, the coating process procedure in FIG. 11 will be described. The
ここで図11に示すように、ウェハWの表面にのみ塗布膜Mを形成した場合、塗布から時間が経過するとウェハWの端部の膜厚が他の領域と比較して厚くなる。図11の状態から塗布膜Mを乾燥させると、乾燥後の乾燥膜の断面形状は図11と相似な形状のままであり、比較例では乾燥膜の膜厚はウェハWの面内で均一にならない。 Here, as shown in FIG. 11, when the coating film M is formed only on the surface of the wafer W, the film thickness at the end of the wafer W becomes thicker as compared with other regions as time elapses from coating. When the coating film M is dried from the state of FIG. 11, the cross-sectional shape of the dried film after drying remains similar to that of FIG. 11, and the film thickness of the dried film is uniform in the plane of the wafer W in the comparative example. Don't be.
本実施形態による塗布処理では、ウェハWを含みウェハWより広い領域に塗布膜を形成することにより、フレームFで補強されたウェハW上に均一な厚みの膜(塗布膜及び塗布膜を乾燥させた乾燥膜)を形成することができる。 In the coating process according to the present embodiment, a film having a uniform thickness (the coating film and the coating film are dried on the wafer W reinforced by the frame F by forming the coating film in a region wider than the wafer W including the wafer W. A dry film) can be formed.
なお、本発明は、上記の実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、ステージ11やフレーム保持部12におけるウェハWやフレームFの保持の方法は、真空吸着に限らず、静電吸着や他の手法を用いて保持、固定してもよい。また、ステージ11やフレーム保持部12の形状も本実施形態に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
In addition, this invention is not limited to said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, the method of holding the wafer W and the frame F in the
また、塗布膜形成手段の構成も本実施形態に限定されるものではなく、例えば特開2013−098371号公報に記載された塗布膜形成手段の構成を用いてもよい。 Further, the configuration of the coating film forming unit is not limited to the present embodiment, and for example, the configuration of the coating film forming unit described in JP2013-098371A may be used.
W ウェハ
F フレーム
T テープ
1 塗布処理装置
11 ステージ(基板保持手段)
12 フレーム保持部(フレーム保持手段)
13 フレーム昇降手段(高さ調整手段)
14 ノズル(処理液供給手段)
22 ノズル移動手段(移動手段)
24 制御部(制御手段)
W wafer F frame T tape 1
12 Frame holding part (frame holding means)
13 Frame lifting / lowering means (height adjusting means)
14 Nozzle (Processing liquid supply means)
22 Nozzle moving means (moving means)
24 Control unit (control means)
Claims (5)
前記テープに貼り付けられた前記基板を保持する基板保持手段と、
前記テープに貼り付けられた前記フレームを保持するフレーム保持手段と、
直線状に前記処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液供給手段と前記基板とを相対的に移動させる移動手段と、
前記処理液供給手段および前記移動手段の動作を制御する制御手段と
を有し、
前記制御手段は、前記基板を含む前記基板よりも広い領域に前記処理液を塗布するように、前記処理液供給手段および前記移動手段の動作を制御することを特徴とする塗布処理装置。 A coating processing apparatus for disposing a substrate inside an annular frame and applying a processing liquid to the substrate held inside the frame by attaching an adhesive tape to the frame and the substrate,
Substrate holding means for holding the substrate attached to the tape;
Frame holding means for holding the frame affixed to the tape;
Treatment liquid supply means for supplying the treatment liquid in a straight line;
Moving means for relatively moving the processing liquid supply means and the substrate;
Control means for controlling the operation of the processing liquid supply means and the moving means,
The coating processing apparatus, wherein the control means controls operations of the processing liquid supply means and the moving means so as to apply the processing liquid to a region wider than the substrate including the substrate.
前記処理液供給手段を前記基板の一端の外側に配置し、
その後、前記処理液供給手段から供給された直線状の前記処理液を前記基板の一端の外側に位置する前記テープに接触させ、
その後、直線状の前記処理液を前記テープ及び前記基板に接触させながら前記処理液供給手段を前記基板の他端の外側まで移動させるように制御することを特徴とする請求項1に記載の塗布処理装置。 The control means includes
The processing liquid supply means is disposed outside one end of the substrate,
Thereafter, the linear processing liquid supplied from the processing liquid supply means is brought into contact with the tape located outside one end of the substrate,
2. The coating according to claim 1, wherein the processing liquid supply means is controlled to move to the outside of the other end of the substrate while the linear processing liquid is brought into contact with the tape and the substrate. Processing equipment.
直線状に前記処理液を供給するノズルを、前記基板の一端の外側の側方に配置する配置工程と、
その後、前記ノズルから供給された直線状の前記処理液を前記基板の一端の外側に位置する前記テープに接触させる接触工程と、
その後前記直線状の処理液を前記テープ及び前記基板に接触させながら前記ノズルを前記基板の他端の外側まで相対的に移動させて前記基板を含む前記基板よりも広い領域に前記処理液を塗布する塗布工程と、
を有する塗布処理方法。 A substrate is disposed inside an annular frame, and a coating treatment method is applied to apply a treatment liquid to the substrate held inside the frame by attaching an adhesive tape to the frame and the substrate,
An arrangement step of arranging a nozzle for supplying the treatment liquid in a straight line on the outer side of one end of the substrate;
Thereafter, a contact step of bringing the linear treatment liquid supplied from the nozzle into contact with the tape located outside one end of the substrate;
Thereafter, the nozzle is moved relatively to the outside of the other end of the substrate while the linear processing solution is in contact with the tape and the substrate, and the processing solution is applied to a wider area than the substrate including the substrate. An application process to
A coating treatment method comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015095455A JP6444256B2 (en) | 2015-05-08 | 2015-05-08 | Coating processing apparatus and coating processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015095455A JP6444256B2 (en) | 2015-05-08 | 2015-05-08 | Coating processing apparatus and coating processing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016213313A true JP2016213313A (en) | 2016-12-15 |
JP6444256B2 JP6444256B2 (en) | 2018-12-26 |
Family
ID=57552029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015095455A Active JP6444256B2 (en) | 2015-05-08 | 2015-05-08 | Coating processing apparatus and coating processing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6444256B2 (en) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1144957A (en) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Developing device and developing method |
JP2001269610A (en) * | 2000-01-17 | 2001-10-02 | Canon Inc | Coating method, coating device and method of forming coating film |
JP2003243332A (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Hugle Electronics Inc | Expander of low expansion rate and method of fixing expansion film sheet |
JP2007000865A (en) * | 2005-06-25 | 2007-01-11 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | Coating liquid coating apparatus and process for producing liquid crystal display device using the same |
JP2009148784A (en) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | Chuck table mechanism |
JP2013175644A (en) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | Chuck table and wafer laser processing method using the same |
JP2014113555A (en) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coating applicator |
-
2015
- 2015-05-08 JP JP2015095455A patent/JP6444256B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1144957A (en) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Developing device and developing method |
JP2001269610A (en) * | 2000-01-17 | 2001-10-02 | Canon Inc | Coating method, coating device and method of forming coating film |
JP2003243332A (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Hugle Electronics Inc | Expander of low expansion rate and method of fixing expansion film sheet |
JP2007000865A (en) * | 2005-06-25 | 2007-01-11 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | Coating liquid coating apparatus and process for producing liquid crystal display device using the same |
JP2009148784A (en) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | Chuck table mechanism |
JP2013175644A (en) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | Chuck table and wafer laser processing method using the same |
JP2014113555A (en) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coating applicator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6444256B2 (en) | 2018-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20190148129A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
CN107051831B (en) | Coating film forming method and coating film forming apparatus | |
KR102331827B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP5752639B2 (en) | Joining system, joining method, program, and computer storage medium | |
JP6369054B2 (en) | Substrate placing apparatus and substrate processing apparatus | |
JP5740583B2 (en) | Peeling apparatus, peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
JP6080647B2 (en) | Peeling device | |
KR102316266B1 (en) | Coating processing apparatus | |
KR20150032463A (en) | Spiral coating apparatus | |
JP2007208140A (en) | Coating method, coating apparatus and coating treatment program | |
JP6872328B2 (en) | Vacuum drying device, vacuum drying system, vacuum drying method | |
JP6444256B2 (en) | Coating processing apparatus and coating processing method | |
JP7141318B2 (en) | Heating device and heating method | |
JP2017166802A (en) | Decompression drying method and decompression drying device | |
JP2018067582A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
US11201067B2 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment device | |
JP2017148761A (en) | Coating apparatus | |
KR102617347B1 (en) | Die ejector and die supplying apparatus including the same | |
TWI754070B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR101098982B1 (en) | Method for treating substrates | |
JP2014056910A (en) | Application processing device, joint system, application processing method, program, and computer storage medium | |
WO2023120145A1 (en) | Coating apparatus and coating method | |
JP2023161719A (en) | Heating processing device, heating processing method, and computer storage medium | |
JP2015062890A (en) | Coating device | |
TWI509319B (en) | Apparatus and method for treating substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180605 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180821 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181030 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6444256 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |