JP2001269610A - Coating method, coating device and method of forming coating film - Google Patents
Coating method, coating device and method of forming coating filmInfo
- Publication number
- JP2001269610A JP2001269610A JP2000362097A JP2000362097A JP2001269610A JP 2001269610 A JP2001269610 A JP 2001269610A JP 2000362097 A JP2000362097 A JP 2000362097A JP 2000362097 A JP2000362097 A JP 2000362097A JP 2001269610 A JP2001269610 A JP 2001269610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- substrate
- liquid
- substrate stage
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
や半導体デバイス等の電子デバイスの製造過程における
液膜を形成するための液膜の塗布方法、塗布装置および
被膜の作製方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of applying a liquid film for forming a liquid film in a process of manufacturing an electronic device such as a liquid crystal display or a semiconductor device, a coating apparatus, and a method of forming a film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶ディスプレイや半導体デバイス等の
製造過程においては、各種の被膜を形成する工程があ
る。このような被膜としては、例えば、ホトリソグラフ
ィーに用いられるホトレジスト等の感光性被膜、液晶デ
ィスプレイにおける配向膜やカラーフィルターの着色
膜、半導体デバイスにおける層間絶縁膜等である。2. Description of the Related Art In a process of manufacturing a liquid crystal display, a semiconductor device, or the like, there are steps of forming various kinds of films. Examples of such a film include a photosensitive film such as a photoresist used for photolithography, an alignment film in a liquid crystal display, a colored film of a color filter, and an interlayer insulating film in a semiconductor device.
【０００３】これらの被膜は、スピンコート法で形成さ
れた塗液の膜（液膜）から作製されてきたが、最近で
は、液膜の形成方法の一つとして、ダイコート法が注目
されている。ダイコート法は、２枚のダイブレードを用
い１０〜１００μｍ程度の平行なエッジによりスリット
部を形成した塗布ヘッド（ダイヘッド）を用いて、この
スリット部より塗液を圧送またはポンプ等で吐出させ、
平らなガラスや半導体ウエハ等の基板に塗液を直接塗布
して液膜を形成する方法であり、スリットコート法と呼
ばれることもある。ダイコート法（スリットコート法）
やそのための装置は、特開平１０−０１２７１０号公
報、特開平１１−０９０２９５号公報等に記載されてい
る。[0003] These coatings have been produced from a coating liquid film (liquid film) formed by a spin coating method. Recently, a die coating method has attracted attention as one of the liquid film forming methods. . The die coating method uses a coating head (die head) in which a slit portion is formed by parallel edges of about 10 to 100 μm using two die blades, and the coating liquid is discharged from the slit portion by pressure feeding or a pump, and the like.
This is a method of forming a liquid film by directly applying a coating liquid on a substrate such as a flat glass or a semiconductor wafer, and is sometimes called a slit coating method. Die coating method (slit coating method)
An apparatus for this and other devices are described in JP-A-10-012710 and JP-A-11-090295.
【０００４】このダイコート法は、従来から用いられて
いるスピンコート法に比べて、使用する塗液の使用量を
格段に減らすことができ、また、角型基板を用いる液晶
ディスプレイでは基板の必要な部分のみに液膜を形成す
ることができるなどのメリットがある。[0004] The die coating method can greatly reduce the amount of a coating solution used, as compared with the conventionally used spin coating method, and requires a substrate in a liquid crystal display using a square substrate. There are advantages such as that a liquid film can be formed only on a part.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たダイコート法は、液晶ディスプレイ等で用いられるガ
ラス基板に代表される角型基板には適しているが、塗液
を吐出する塗布ヘッドの構造上、シリコンウエハや記録
ディスク等の円形の非角形基板に対しては、基板上のみ
への塗布は難しかった。また、後述するように基板ステ
ージの形状を改良して塗布を行うと、基板を保持する基
板ステージの周辺部にも塗液が塗布されてしまう。この
塗液はその溶剤が蒸発すると基板ステージに固形物とな
って残ってしまう。これが次に塗布ヘッドから吐出され
る塗液の液膜に影響を及ぼし、縦すじ等の膜厚むらが生
じてしまうことがあった。However, the above-mentioned die coating method is suitable for a rectangular substrate typified by a glass substrate used in a liquid crystal display or the like, but is not suitable for the structure of a coating head for discharging a coating liquid. It has been difficult to apply a circular non-square substrate such as a silicon wafer or a recording disk only to the substrate. In addition, when the coating is performed after improving the shape of the substrate stage as described later, the coating liquid is also applied to the peripheral portion of the substrate stage that holds the substrate. When the solvent evaporates, the coating liquid remains as a solid on the substrate stage. This may affect the liquid film of the coating liquid discharged from the coating head next, resulting in uneven film thickness such as vertical stripes.
【０００６】さらに、従来の塗布方法では、角型基板、
非角型基板にかかわらず、基板上に形成される液膜の面
内均一性が不十分であり、特に基板の端部上における液
膜の厚さが基板中央部上の液膜の厚さと相違する膜厚む
らが生じ易かった。Further, in the conventional coating method, a rectangular substrate,
Regardless of the non-square substrate, the in-plane uniformity of the liquid film formed on the substrate is insufficient, especially when the thickness of the liquid film on the edge of the substrate is less than the thickness of the liquid film on the center of the substrate. Different thickness unevenness was likely to occur.
【０００７】そこで、前述した従来技術の有する未解決
の課題に鑑みて、本発明の目的は、液膜を繰り返し均一
に塗布できる塗布方法および塗布装置を提供することに
ある。[0007] In view of the above-mentioned unsolved problems of the prior art, an object of the present invention is to provide a coating method and a coating apparatus capable of repeatedly and uniformly coating a liquid film.
【０００８】さらに、本発明の別の目的は、従来よりも
基板面内における膜厚均一性に優れた液膜または被膜を
形成することができる塗布方法、塗布装置および被膜の
作製方法を提供することにある。Further, another object of the present invention is to provide a coating method, a coating apparatus and a method of forming a coating film capable of forming a liquid film or a coating film having better film thickness uniformity in a substrate surface than in the past. It is in.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】ダイコート法に代表され
る塗布方法は、角型基板には適しているが、シリコンウ
エハや記録ディスク等の円形の非角形基板に対しては、
非角形基板上のみへの塗布は難しく、さらに、角型基
板、非角型基板にかかわらず、基板上に形成される液膜
の面内均一性が不十分であり、特に、基板端部上におけ
る液膜の厚さが基板中央部上の液膜の厚さと相違する膜
厚むらが生じ易かった。A coating method represented by a die coating method is suitable for a square substrate, but is suitable for a circular non-square substrate such as a silicon wafer or a recording disk.
It is difficult to apply only on the non-square substrate, and furthermore, the in-plane uniformity of the liquid film formed on the substrate is insufficient irrespective of the square substrate or the non-square substrate. In this case, the thickness of the liquid film was likely to be different from the thickness of the liquid film on the central portion of the substrate.
【００１０】そこで、本発明者等は、これらの点につい
て鋭意検討した結果、基板ステージにおける基板を保持
する保持部の周りの周辺部の高さを高くして、その周辺
部の上面を基板の被成膜面に近づけ、そして、塗液を塗
布する塗布範囲を基板上のみに限定せず基板ステージの
周辺部にまで及ぶように、塗液を塗布することにより、
基板上に形成された液膜の厚さの均一性を高めることが
できることを見出した。しかし、残留塗液が基板ステー
ジの周辺部に残ると、これが固形物となり、次の塗布の
際に、均一な塗布を妨げる原因になることも判明した。The inventors of the present invention have intensively studied these points, and as a result, have increased the height of the peripheral portion around the holding portion for holding the substrate on the substrate stage, and have set the upper surface of the peripheral portion to the upper surface of the substrate. By applying the coating liquid close to the surface on which the film is to be formed, and applying the coating liquid to the periphery of the substrate stage without limiting the coating range of the coating liquid only on the substrate,
It has been found that the uniformity of the thickness of the liquid film formed on the substrate can be improved. However, it has also been found that if the residual coating liquid remains on the peripheral portion of the substrate stage, it becomes a solid, which may hinder uniform coating during the next coating.
【００１１】そこで、本発明は、塗布範囲を基板ステー
ジの周辺部にまで及ぶように塗液を塗布するとともに、
塗液除去手段によって、基板ステージの周辺部に残留す
る塗液や液膜そしてそれらが変化して固形物ができてし
まった場合にはそれらも含めて除去することにより、基
板ステージの周辺部をクリーニングするようになし、角
型基板や非角型基板にかかわらず基板上に常に均一な厚
さで液膜を形成できるようにしたものである。Therefore, the present invention provides a method of applying a coating liquid so as to extend the coating range to the periphery of the substrate stage,
The coating liquid removing means removes the coating liquid and the liquid film remaining on the periphery of the substrate stage and, when they change, solids are formed, thereby removing the peripheral portion of the substrate stage. Cleaning is performed so that a liquid film having a uniform thickness can be always formed on a substrate irrespective of a square substrate or a non-square substrate.
【００１２】すなわち、本発明の塗布方法は、基板を保
持するための基板ステージに対して塗布手段を相対移動
させながら、前記塗布手段から前記基板ステージに保持
された基板上に塗液を供給して該基板上に液膜を形成す
る塗布方法において、基板を保持する基板保持部と該基
板保持部より高い面を有する周辺部とを有する前記基板
ステージの前記基板保持部上に基板を載置する工程と、
前記塗布手段により塗布範囲が前記周辺部上に及ぶよう
に液膜を形成する工程と、前記液膜が形成された基板を
前記基板ステージから取り外した後に、前記周辺部に残
留する塗液を塗液除去手段により除去する工程とを含む
ことを特徴とする。That is, in the coating method of the present invention, a coating liquid is supplied from the coating means onto the substrate held on the substrate stage while the coating means is relatively moved with respect to the substrate stage for holding the substrate. A coating method for forming a liquid film on the substrate by placing the substrate on the substrate holding portion of the substrate stage having a substrate holding portion for holding the substrate and a peripheral portion having a surface higher than the substrate holding portion. The process of
A step of forming a liquid film so that the coating range extends over the peripheral portion by the coating unit; and, after removing the substrate on which the liquid film is formed from the substrate stage, applying a coating liquid remaining on the peripheral portion. Removing by a liquid removing means.
【００１３】本発明の塗布方法において、前記塗液除去
手段は、前記周辺部に付着する塗液を吸収する吸液ロー
ラーまたは吸液ブロックを有しており、該吸液ローラー
または吸液ブロックを前記基板ステージの前記周辺部に
接触させながら前記基板ステージに対して相対移動させ
て前記周辺部に付着した塗液を除去することが好まし
く、また、前記吸液ローラーまたは吸液ブロックを通し
て吸引することにより塗液を除去することが好ましい。In the coating method according to the present invention, the coating liquid removing means has a liquid absorbing roller or a liquid absorbing block for absorbing the coating liquid adhering to the peripheral portion. It is preferable to remove the coating liquid adhering to the peripheral portion by moving the substrate stage relative to the substrate stage while making contact with the peripheral portion of the substrate stage, and suctioning through the liquid absorbing roller or the liquid absorbing block. It is preferable to remove the coating liquid by the following method.
【００１４】本発明の塗布方法において、前記塗液除去
手段は、先端部にスリット部を有する吸引ヘッドを有し
ており、該吸引ヘッドのスリット部を前記基板ステージ
に付着する塗液に接近させあるいは接触させながら前記
基板ステージに対して相対移動させることにより塗液を
除去することが好ましい。[0014] In the coating method of the present invention, the coating liquid removing means has a suction head having a slit at a tip portion, and causes the slit of the suction head to approach a coating liquid adhering to the substrate stage. Alternatively, it is preferable to remove the coating liquid by moving the substrate relative to the substrate stage while making contact.
【００１５】本発明の塗布方法においては、塗布を開始
する位置と塗布を終了する位置を前記基板ステージの前
記周辺部上とすることが好ましい。In the coating method of the present invention, it is preferable that a position where the coating is started and a position where the coating is ended be on the peripheral portion of the substrate stage.
【００１６】本発明の塗布方法においては、前記周辺部
に洗浄液を供給しながら塗液の除去を行うことが好まし
く、また、前記塗液の除去の後に前記周辺部を乾燥させ
ることが好ましい。In the coating method of the present invention, it is preferable to remove the coating liquid while supplying the cleaning liquid to the peripheral part, and it is preferable to dry the peripheral part after removing the coating liquid.
【００１７】本発明の塗布方法において、前記塗布手段
はスリット部を有し、前記スリット部から塗液を吐出さ
せて液膜を形成することが好ましく、また、前記塗布手
段は、基板の最大幅より長いスリット部を有し、前記ス
リット部から塗液を吐出させ、前記スリット部の長さ方
向と垂直な方向に前記塗布手段を相対移動させて液膜を
形成することが好ましい。In the coating method of the present invention, it is preferable that the coating means has a slit portion, and the coating liquid is discharged from the slit portion to form a liquid film, and the coating means has a maximum width of the substrate. It is preferable that a liquid film is formed by having a longer slit portion, discharging the coating liquid from the slit portion, and relatively moving the coating unit in a direction perpendicular to the length direction of the slit portion.
【００１８】さらに、本発明の塗布装置は、基板を保持
するための基板ステージと、塗液を前記基板上に供給す
る塗布手段とを備え、前記塗布手段を前記基板ステージ
に対して相対移動させながら前記塗布手段から塗液を前
記基板ステージに保持された基板上に供給して、該基板
上に液膜を形成する塗布装置において、前記基板ステー
ジは、基板を保持する基板保持部と該基板保持部より高
い面を有し塗液が付与される周辺部とを有しており、前
記基板ステージの前記周辺部に付与された塗液を除去す
る塗液除去手段を備えていることを特徴とする。Further, the coating apparatus of the present invention includes a substrate stage for holding a substrate, and coating means for supplying a coating liquid onto the substrate, wherein the coating means is moved relative to the substrate stage. In a coating apparatus that supplies a coating liquid from the coating unit onto a substrate held on the substrate stage while forming a liquid film on the substrate, the substrate stage includes a substrate holding unit that holds the substrate and the substrate holding unit. A peripheral portion to which the coating liquid is applied, the surface having a higher surface than the holding portion, and a coating liquid removing means for removing the coating liquid applied to the peripheral portion of the substrate stage. And
【００１９】本発明の塗布装置において、前記塗液除去
手段は、前記周辺部に付着する塗液を吸収する吸液ロー
ラーまたは吸液ブロックと、該吸液ローラーまたは吸液
ブロックを前記基板ステージの前記周辺部に接触させな
がら前記基板ステージに対して相対移動させる移動手段
とを有することが好ましく、また、前記吸液ローラーま
たは吸液ブロックは、真空吸引手段に連通されているこ
とが好ましい。In the coating apparatus of the present invention, the coating liquid removing means includes: a liquid absorbing roller or a liquid absorbing block for absorbing the coating liquid adhering to the peripheral portion; It is preferable that the apparatus further includes a moving unit that relatively moves the substrate stage while being in contact with the peripheral portion, and the liquid suction roller or the liquid suction block is preferably connected to a vacuum suction unit.
【００２０】本発明の塗布装置において、前記塗液除去
手段は、先端部にスリット部を有する吸引ヘッドと、該
吸引ヘッドに連通された真空吸引手段と、前記吸引ヘッ
ドのスリット部を前記周辺部に付着する塗液に接近させ
あるいは接触させながら前記基板ステージに対して相対
移動させる移動手段とを有することが好ましい。In the coating apparatus of the present invention, the coating liquid removing means includes a suction head having a slit at a tip, a vacuum suction means connected to the suction head, and a slit provided in the suction head. Moving means for moving the coating liquid adhering to the substrate stage relatively to the substrate stage while approaching or making contact with the coating liquid.
【００２１】本発明の塗布装置においては、前記塗液の
除去を行うために、前記周辺部に洗浄液を供給する洗浄
液供給手段を有することが好ましく、また、前記塗液の
除去の後に前記周辺部を乾燥させる乾燥手段を有するこ
とが好ましい。In the coating apparatus of the present invention, it is preferable that a cleaning liquid supply means for supplying a cleaning liquid to the peripheral portion is provided for removing the coating liquid, and the peripheral portion is removed after the coating liquid is removed. It is preferable to have a drying means for drying.
【００２２】本発明の塗布装置において、前記塗布手段
は、スリット部を有し、該スリット部から塗液を吐出さ
せて液膜を形成することが好ましく、また、前記塗布手
段は、基板の最大幅より長いスリット部を有し、該スリ
ット部から塗液を吐出させ、該スリット部の長さ方向と
垂直な方向に前記塗布手段を相対移動させて液膜を形成
することが好ましい。In the coating apparatus of the present invention, it is preferable that the coating means has a slit portion, and the coating liquid is discharged from the slit portion to form a liquid film. It is preferable to form a liquid film by having a slit portion that is significantly longer, discharging the coating liquid from the slit portion, and relatively moving the coating means in a direction perpendicular to the length direction of the slit portion.
【００２３】さらに、本発明の被膜の作製方法は、請求
項１記載の塗布方法により基板上に塗液の膜を形成する
工程と前記塗液の膜をベーキングする工程を含むことを
特徴とする。Further, a method of forming a coating film according to the present invention includes a step of forming a coating liquid film on a substrate by the coating method according to claim 1 and a step of baking the coating liquid film. .
【００２４】本発明の被膜の作製方法において、前記被
膜は、撥水性膜、撥油性膜、感光性膜、絶縁性膜、熱硬
化性膜、光硬化性膜、および配向膜から選択される被膜
であることが好ましい。In the method for producing a film according to the present invention, the film is selected from a water-repellent film, an oil-repellent film, a photosensitive film, an insulating film, a thermosetting film, a photocurable film, and an alignment film. It is preferred that
【００２５】[0025]
【作用】本発明によれば、ウエハ等の基板に塗液を塗布
して液膜を形成する毎に、基板ステージ上に付着する塗
液を除去することにより、次に塗布される液膜に生じや
すい膜厚むらの発生を抑制することができる。According to the present invention, each time a coating liquid is applied to a substrate such as a wafer to form a liquid film, the coating liquid adhering to the substrate stage is removed, so that the next liquid film to be coated is removed. It is possible to suppress the occurrence of unevenness in film thickness that is likely to occur.
【００２６】また、基板に液膜を塗布する場合に、基板
の被成膜面に近い高さの面を有する基板ステージの周辺
部上も塗布範囲内になるように塗液を塗布することによ
り、基板の端部上における膜厚むらの発生を抑制するこ
とができ、基板上に形成される液膜の厚さの均一性を高
めることができる。Further, when a liquid film is applied to the substrate, the application liquid is applied so that the peripheral surface of the substrate stage having a surface close to the surface on which the film is to be formed is also within the application range. In addition, it is possible to suppress the occurrence of uneven film thickness on the edge of the substrate, and to increase the uniformity of the thickness of the liquid film formed on the substrate.
【００２７】[0027]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２８】（実施形態１）図１は、本発明に基づく塗
布装置の一実施の形態の概略構成を示す斜視図であり、
図２は、本発明に基づく塗布装置の一実施の形態の概略
構成を示す断面図である。図３の（Ａ）〜（Ｄ）は、本
発明に基づくダイコート法による液膜形成および塗液除
去工程を示す概略的な工程図であり、図４の（Ａ）〜
（Ｄ）は、本発明に基づくダイコート法による液膜形成
および塗液除去工程を斜視図で示す概略的な工程図であ
る。(Embodiment 1) FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of an embodiment of a coating apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a sectional view showing a schematic configuration of an embodiment of the coating apparatus according to the present invention. FIGS. 3A to 3D are schematic process diagrams showing a liquid film forming and coating liquid removing step by a die coating method according to the present invention, and FIGS.
(D) is a schematic process diagram showing a liquid film forming and coating liquid removing process by a die coating method according to the present invention in a perspective view.
【００２９】本発明に基づく塗布装置は、図１および図
２に示すように、ウエハ等の略円板状の基板Ｗを保持す
る基板ステージ１と、基板ステージ１に保持された基板
Ｗに塗液を塗布する塗布手段２と、基板ステージ１上に
残存し付着した塗液を除去するための塗液除去手段３と
を備えている。As shown in FIGS. 1 and 2, a coating apparatus according to the present invention comprises a substrate stage 1 for holding a substantially disk-shaped substrate W such as a wafer, and a substrate W held on the substrate stage 1. The apparatus includes a coating means 2 for applying a liquid, and a coating liquid removing means 3 for removing a coating liquid remaining on and adhering to the substrate stage 1.
【００３０】基板ステージ１には、基板Ｗを保持するた
めに基板Ｗのサイズに略相当する大きさでかつ基板Ｗの
被成膜面が基板ステージ１の周辺部の表面（以下、単に
周辺表面という）１Ａ、１Ｂ、１Ｃに略一致するような
深さを有する凹部をもって形成された基板保持部５が設
けられている。この基板保持部５は、例えば厚さ０．６
２５ｍｍ、直径１２５ｍｍのウエハ（所謂５インチウエ
ハ）に塗液の塗布を行う場合には、そのウエハのサイズ
に相当する大きさ（直径１２５ｍｍ、深さ０．６２５ｍ
ｍ）の凹部に彫り込まれる。また、必要に応じて、基板
ステージ１には基板Ｗを基板保持部５に、すなわち凹部
の底面上に、密着保持させるように基板保持部５に連通
する吸引孔６が設けられており、吸引孔６は吸引管７を
介して真空吸引源７Ａに接続される。The substrate stage 1 has a size substantially corresponding to the size of the substrate W for holding the substrate W, and a film-forming surface of the substrate W has a peripheral surface of the substrate stage 1 (hereinafter simply referred to as a peripheral surface). 1A, 1B, and 1C are provided with a concave portion having a depth substantially corresponding to 1A, 1B, and 1C. The substrate holder 5 has a thickness of, for example, 0.6.
When a coating liquid is applied to a wafer having a diameter of 25 mm and a diameter of 125 mm (a so-called 5-inch wafer), a size corresponding to the size of the wafer (a diameter of 125 mm and a depth of 0.625 m) is used.
m). Further, if necessary, the substrate stage 1 is provided with a suction hole 6 communicating with the substrate holding portion 5 so as to closely hold the substrate W on the substrate holding portion 5, that is, on the bottom surface of the concave portion. The hole 6 is connected to a vacuum suction source 7A via a suction pipe 7.
【００３１】塗布手段２は、基板Ｗに塗液を塗布する塗
布ヘッド（ダイヘッド）８と、塗布ヘッド８へ塗液を供
給する塗液供給源９Ａと、塗布ヘッド８と塗液供給源９
Ａを接続する液供給路９とから構成されている。ここで
用いられている塗布ヘッド８は、少なくとも２枚のブレ
ード８Ａ、８Ｂにより形成された間隔１０μｍ〜１００
μｍのスリット部８Ｃを有し、このスリット部８Ｃは、
塗液を塗布する基板Ｗの最大幅（ここではウエハの直径
に相当する）よりやや長い長さをもって形成されてい
る。また、塗布ヘッド８は、基板ステージ１の周辺表面
１Ａ、１Ｂ、１Ｃから僅か上方に離間して位置付けるこ
とができるように上下方向に調整可能に設けられ、さら
に、基板ステージ１に対して相対的に平行移動すること
ができるように構成されている。The coating means 2 includes a coating head (die head) 8 for coating the substrate W with the coating liquid, a coating liquid supply source 9A for supplying the coating liquid to the coating head 8, a coating head 8 and a coating liquid supply source 9
A and a liquid supply path 9 for connecting A. The coating head 8 used here has an interval of 10 μm to 100 μm formed by at least two blades 8A and 8B.
has a slit portion 8C of μm.
It is formed with a length slightly longer than the maximum width (corresponding to the diameter of the wafer in this case) of the substrate W to which the coating liquid is applied. The coating head 8 is provided so as to be vertically adjustable so as to be positioned slightly above the peripheral surfaces 1A, 1B, and 1C of the substrate stage 1, and is further provided with a relative position with respect to the substrate stage 1. Is configured to be able to translate in parallel.
【００３２】これにより、塗布ヘッド８と基板ステージ
１とを基板Ｗの被成膜面に沿って相対的に平行移動させ
ながら、スリット部８Ｃから塗液を吐出させることによ
って、基板ステージ１に吸着保持されている基板Ｗの上
面全面に塗液を塗布して基板Ｗ上に液膜を形成すること
ができる。Thus, while the coating head 8 and the substrate stage 1 are relatively moved in parallel along the surface on which the substrate W is to be formed, the coating liquid is discharged from the slit portion 8C, thereby adsorbing the substrate stage 1. A liquid film can be formed on the substrate W by applying the coating liquid on the entire upper surface of the held substrate W.
【００３３】ここで用いられている基板ステージ１上に
付着した塗液を除去するための塗液除去手段３は、基板
ステージ１の表面上を回転しながら移動しうるように形
成された円筒形状の多孔構造体１０Ａからなる吸液ロー
ラー１０と、吸液ローラー１０の中心部に配置された表
面に多数の孔を有する中空軸１１と、中空軸１１に真空
吸引路１２を介して連通する真空吸引源１２Ａとから構
成され、吸液ローラー１０の多孔構造体１０Ａには、そ
の表面に塗液の吸収を促進するために、超微細、高密度
微細構造繊維の高吸収布１０Ｂをさらに巻き付けて用い
ることもできる。高吸収布１０Ｂの構成材料としてはポ
リウレタン等を用いることができる。The coating liquid removing means 3 used for removing the coating liquid adhered on the substrate stage 1 is a cylindrical shape formed so as to be able to move while rotating on the surface of the substrate stage 1. A liquid absorbing roller 10 composed of a porous structure 10A, a hollow shaft 11 having a large number of holes in a surface disposed at the center of the liquid absorbing roller 10, and a vacuum communicating with the hollow shaft 11 through a vacuum suction path 12. The porous structure 10A of the liquid-absorbing roller 10 is constituted by a suction source 12A, and a superabsorbent cloth 10B of ultra-fine, high-density fine-structured fibers is further wrapped around the porous structure 10A of the liquid-absorbing roller 10 to promote the absorption of the coating liquid. It can also be used. Polyurethane or the like can be used as a constituent material of the high absorption cloth 10B.
【００３４】塗液除去手段３は、吸液ローラー１０を基
板ステージ１の表面に押し付けて回転させながら移動さ
せることにより、基板ステージ１上に付着している塗液
を高吸収布１０Ｂおよび多孔構造体１０Ａで吸収するこ
とができ、さらに、真空吸引源１２Ａを作動させて吸液
ローラー１０の中空軸１１内を大気圧より低い負圧にす
ることにより、高吸収布１０Ｂおよび多孔構造体１０Ａ
で構成される吸液ローラー１０の表面部分から基板ステ
ージ１の表面に付着している塗液を吸収吸引し、さら
に、吸液ローラー１０の周辺部分から中心部分へ吸引
し、中空軸１１から真空吸引路１２を通して吸液ローラ
ー１０の外部へ排出することができるように構成されて
いる。The coating liquid removing means 3 moves the liquid absorbing roller 10 against the surface of the substrate stage 1 while rotating the liquid absorbing roller 10 so that the coating liquid adhering to the substrate stage 1 is removed by the highly absorbent cloth 10B and the porous structure. 10A, and the vacuum suction source 12A is operated to make the inside of the hollow shaft 11 of the liquid absorbing roller 10 a negative pressure lower than the atmospheric pressure, so that the highly absorbent cloth 10B and the porous structure 10A can be absorbed.
The coating liquid adhering to the surface of the substrate stage 1 is absorbed and suctioned from the surface portion of the liquid absorbing roller 10 composed of It is configured such that the liquid can be discharged to the outside of the liquid absorbing roller 10 through the suction path 12.
【００３５】次に、以上のように構成された塗布装置を
用いて、基板ステージに保持された基板に塗液を塗布し
て液膜を形成し、そして基板ステージ上に付着した塗液
を除去する態様を図３の（Ａ）〜（Ｄ）および図４の
（Ａ）〜（Ｄ）に示す工程図に沿って説明する。Next, using the coating apparatus configured as described above, a coating liquid is applied to the substrate held on the substrate stage to form a liquid film, and the coating liquid attached to the substrate stage is removed. This will be described with reference to FIGS. 3A to 3D and FIGS. 4A to 4D.
【００３６】先ず、図３の（Ａ）および図４の（Ａ）に
示すように、基板ステージ１の基板保持部５の底面上に
半導体ウエハや記録ディスク等の基板Ｗを載置して、真
空吸引源７Ａを作動させ吸引孔６内を大気圧より低い圧
力に減圧して基板Ｗを基板保持部５に吸着して、基板Ｗ
を基板ステージ１に保持する。このとき、基板Ｗの被成
膜面は、基板ステージ１の周辺表面１Ａ、１Ｂ、１Ｃと
同一平面となる。ここでいう同一平面とは、基板の被成
膜面と基板ステージの周辺表面１Ａ、１Ｂ、１Ｃとが誤
差なく完全に同じ高さにあることに限定される意味では
なく、基板の被成膜面が基板ステージの周辺表面１Ａ、
１Ｂ、１Ｃより低い場合で−２０μｍ程度、高い場合で
＋２００μｍ程度の範囲でずれがあっても良い。First, as shown in FIGS. 3A and 4A, a substrate W such as a semiconductor wafer or a recording disk is placed on the bottom surface of the substrate holding portion 5 of the substrate stage 1, and The vacuum suction source 7A is operated to reduce the pressure in the suction hole 6 to a pressure lower than the atmospheric pressure, and the substrate W is adsorbed on the substrate holding unit 5, and the substrate W
Is held on the substrate stage 1. At this time, the deposition surface of the substrate W is flush with the peripheral surfaces 1A, 1B, and 1C of the substrate stage 1. The term “coplanar” as used herein does not mean that the film-forming surface of the substrate and the peripheral surfaces 1A, 1B, and 1C of the substrate stage are completely at the same height without error. The surface is the peripheral surface 1A of the substrate stage,
The deviation may be in the range of about −20 μm when the distance is lower than 1B and 1C, and about +200 μm when the distance is higher than 1B and 1C.
【００３７】次いで、図３の（Ｂ）および図４の（Ｂ）
に示すように、塗布手段２を作動させ、塗布ヘッド８の
スリット部８Ｃから塗液Ｐを吐出させながら、塗布ヘッ
ド８を基板ステージ１上の基板Ｗの被成膜面に沿ってス
リット部８Ｃの長さ方向と垂直な方向に移動させて、基
板Ｗの被成膜面全面を含む領域に塗液Ｐの塗布を行う。Next, FIG. 3B and FIG. 4B
As shown in FIG. 5, the application unit 2 is operated to discharge the coating liquid P from the slit portion 8C of the coating head 8, and the coating head 8 is moved along the film formation surface of the substrate W on the substrate stage 1 by the slit portion 8C. The coating liquid P is applied to a region including the entire surface of the substrate W on which the film is to be formed by moving the substrate W in the direction perpendicular to the length direction of the substrate W.
【００３８】このとき、図３の（Ｂ）、（Ｃ）および図
４の（Ｂ）、（Ｃ）に図示するように、塗布範囲が周辺
表面にも及ぶように塗液Ｐを塗布するとよい。とりわ
け、図示したように、塗布開始位置を基板ステージの周
辺表面１Ａとして、基板Ｗの縁部までの助走距離を設
け、また、塗布終了位置を基板ステージの周辺表面１Ｂ
として、基板Ｗの縁部からの延長距離を設けるとよい。
また、塗布ヘッド８のスリット部８Ｃの長さを基板Ｗの
最大幅（ここでは円形基板の直径）Ｗ1 より長くして、
塗布ヘッド８の移動方向に対して基板Ｗの両側にある基
板ステージ１の周辺表面１Ｃ、１Ｃにも塗液Ｐが塗布さ
れるようにすることも好ましい。このように、基板ステ
ージ１の周辺表面１Ａ、１Ｂ、１Ｃと基板Ｗの被成膜面
全面に塗液Ｐが付与されるようにすれば、より一層好ま
しいものである。At this time, as shown in FIGS. 3 (B) and 3 (C) and FIGS. 4 (B) and 4 (C), it is preferable to apply the coating liquid P so that the coating range extends to the peripheral surface. . In particular, as shown in the drawing, the application start position is set as the peripheral surface 1A of the substrate stage, the approach distance to the edge of the substrate W is provided, and the application end position is set as the peripheral surface 1B of the substrate stage.
It is preferable to provide an extension distance from the edge of the substrate W.
Further, the length of the slit portion 8C of the coating head 8 (in this case the diameter of the circular substrate) maximum width of the substrate W longer than W 1,
It is also preferable that the coating liquid P is applied to the peripheral surfaces 1C, 1C of the substrate stage 1 on both sides of the substrate W with respect to the moving direction of the coating head 8. As described above, it is more preferable that the coating liquid P is applied to the peripheral surfaces 1A, 1B, and 1C of the substrate stage 1 and the entire surface of the substrate W on which the film is formed.
【００３９】基板Ｗの被成膜面全面を含む領域に塗液Ｐ
の塗布を行った後に、真空吸引源７Ａによる基板Ｗの吸
着動作を解除して、吸引孔６内を大気圧に戻し、図３の
（Ｃ）に示すように基板Ｗを基板ステージ１の基板保持
部５から取り出すことにより、上面全面に液膜が形成さ
れた基板Ｗが得られる。The coating liquid P is applied to a region including the entire surface of the substrate W on which the film is to be formed.
Then, the suction operation of the substrate W by the vacuum suction source 7A is released to return the inside of the suction hole 6 to the atmospheric pressure, and the substrate W is moved to the substrate stage 1 as shown in FIG. By removing the substrate W from the holder 5, a substrate W having a liquid film formed on the entire upper surface is obtained.
【００４０】基板Ｗが取り除かれた後の基板ステージ１
には、図３の（Ｃ）および図４の（Ｃ）に示すような領
域（周辺表面１Ａ、１Ｂ、１Ｃの一部）に塗液Ｐが付着
している。Substrate stage 1 after substrate W has been removed
The coating liquid P adheres to the regions (parts of the peripheral surfaces 1A, 1B, 1C) as shown in FIGS. 3 (C) and 4 (C).
【００４１】そこで、図３の（Ｄ）および図４の（Ｄ）
に示すように、塗液除去手段３を作動させ、吸液ローラ
ー１０を基板ステージ１の周辺表面１Ａ、１Ｂ、１Ｃに
押し付けて、吸液ローラー１０を回転させながら基板ス
テージ１上を移動させて、基板ステージ１に付着してい
る塗液Ｐを除去する。すなわち、真空吸引源１２Ａを作
動させて吸液ローラー１０の中空軸１１内を大気圧より
低い圧力に減圧して、吸液ローラー１０を基板ステージ
１の表面に押し付けて回転させながら、基板ステージ１
上を移動させると、高吸収布１０Ｂおよび多孔構造体１
０Ａで構成されている吸液ローラー１０の表面部分から
基板ステージ１に付着している塗液Ｐを吸収吸引し、吸
収吸引された塗液Ｐは、吸液ローラー１０の周辺部分か
らさらに吸液ローラー１０の中心部分へ吸引され、中空
軸１１から真空吸引路１２を通して吸液ローラー１０の
外部へ排出される。このように基板ステージ１上の塗液
Ｐを処理し除去することにより、基板ステージ１の基板
保持部５内に塗液Ｐが入り込むことなく基板ステージ１
上のほとんどの塗液Ｐを除去することができる。Therefore, FIG. 3D and FIG.
As shown in (2), the coating liquid removing means 3 is operated, the liquid absorbing roller 10 is pressed against the peripheral surfaces 1A, 1B, and 1C of the substrate stage 1, and is moved on the substrate stage 1 while rotating the liquid absorbing roller 10. Then, the coating liquid P adhering to the substrate stage 1 is removed. That is, the vacuum suction source 12A is operated to reduce the pressure inside the hollow shaft 11 of the liquid absorbing roller 10 to a pressure lower than the atmospheric pressure, and the liquid absorbing roller 10 is pressed against the surface of the substrate stage 1 and rotated.
When moved up, the high-absorbency cloth 10B and the porous structure 1
The coating liquid P adhering to the substrate stage 1 is absorbed and suctioned from a surface portion of the liquid absorption roller 10 composed of 0A, and the absorbed and suctioned coating liquid P is further absorbed from a peripheral portion of the liquid absorption roller 10. The liquid is sucked into the central portion of the roller 10 and discharged from the hollow shaft 11 through the vacuum suction path 12 to the outside of the liquid absorbing roller 10. By treating and removing the coating liquid P on the substrate stage 1 in this manner, the coating liquid P is prevented from entering the substrate holding portion 5 of the substrate stage 1.
Most of the upper coating liquid P can be removed.
【００４２】図３の（Ｄ）および図４の（Ｄ）に示すよ
うに、塗液除去手段３によって塗液Ｐを除去した後に
は、再び上述した工程と同様にして、新たな基板Ｗを基
板ステージ１の基板保持部５に吸着保持させ、塗布ヘッ
ド８により塗液Ｐを塗布する。このように、基板Ｗへの
塗液Ｐの塗布および基板ステージ１上に付着した塗液Ｐ
の除去を繰り返し行うことにより、基板Ｗには、残留塗
液による液膜の膜厚むら等が生じることがなく、なんら
問題なく液膜を形成することができる。As shown in FIGS. 3D and 4D, after the coating liquid P is removed by the coating liquid removing means 3, a new substrate W is formed again in the same manner as in the above-described process. The coating liquid P is applied by the application head 8 while being adsorbed and held on the substrate holding section 5 of the substrate stage 1. Thus, the application of the coating liquid P to the substrate W and the coating liquid P
By repeatedly performing the removal, the liquid film can be formed on the substrate W without any problem without causing the film thickness unevenness of the residual coating liquid.
【００４３】また、形成される液膜の端部が基板ステー
ジの周辺表面上に位置するように塗液を塗布することに
より、基板Ｗの被成膜面には均一な液膜が形成できる。
この様子を図５の（Ａ）および（Ｂ）を用いて詳述す
る。Further, a uniform liquid film can be formed on the film-forming surface of the substrate W by applying the coating liquid such that the end of the liquid film to be formed is located on the peripheral surface of the substrate stage.
This situation will be described in detail with reference to FIGS.
【００４４】図５の（Ａ）は、基板ステージ１の周辺表
面１Ａおよび１Ｂが基板Ｗの表面より基板Ｗの厚さ分低
くなる構成の基板ステージ１上に基板Ｗを載置して、基
板Ｗの被成膜面にのみ液膜を塗布した場合の様子を示す
模式的断面図である。これに対して、図５の（Ｂ）は、
基板ステージ１の周辺表面１Ａおよび１Ｂが、基板Ｗの
表面とほぼ同一平面となる構成の基板ステージ１上に基
板Ｗを載置して、基板Ｗの被成膜面とともに周辺表面１
Ａ、１Ｂにも液膜を形成した場合の様子を示す模式的断
面図である。FIG. 5A shows a state in which the substrate W is placed on the substrate stage 1 having a configuration in which the peripheral surfaces 1A and 1B of the substrate stage 1 are lower than the surface of the substrate W by the thickness of the substrate W. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a liquid film is applied only to a film formation surface of W. On the other hand, FIG.
The substrate W is placed on the substrate stage 1 having a configuration in which the peripheral surfaces 1A and 1B of the substrate stage 1 are substantially flush with the surface of the substrate W.
It is a typical sectional view showing a situation when a liquid film is formed also to A and 1B.
【００４５】図５の（Ａ）および（Ｂ）に示すいずれの
場合においても、液膜Ｌの端部Ｌ1における膜厚は、液
膜Ｌの中央部Ｌ2 における膜厚より厚くなっている。同
図（Ａ）の場合は、液膜の厚い端部Ｌ1 が基板Ｗの端部
上に配されてしまうのに対して、同図（Ｂ）の場合は、
液膜の厚い端部Ｌ1 は基板ステージの周辺表面１Ａ、１
Ｂの上に配されるので、基板Ｗの端部上の液膜の厚さは
基板Ｗの中央部の液膜の厚さと同じになり、基板Ｗの表
面全面に均一な液膜を形成することができる。In each of the cases shown in FIGS. 5A and 5B, the film thickness at the end L 1 of the liquid film L is larger than the film thickness at the center L 2 of the liquid film L. . For drawing (A), while the thicker end L 1 of the liquid film will be placed on the end portion of the substrate W, when the figure (B) is
Near the surface 1A of the thicker end portion L 1 is a substrate stage of the liquid film, 1
Since the liquid film is disposed on the substrate B, the thickness of the liquid film on the edge of the substrate W is the same as the thickness of the liquid film at the center of the substrate W, and a uniform liquid film is formed on the entire surface of the substrate W. be able to.
【００４６】また、好ましくは、基板Ｗの表面と基板ス
テージの周辺表面とが、図５の（Ｂ）に示したように同
一平面になるようにして、周辺表面と基板との境界で、
液膜が気泡を抱き込んだり、液膜が分断しないようにす
ることが望ましい。塗液の粘度や液膜の厚さにも依存す
るが、基板Ｗの表面が基板ステージの周辺表面に対して
低い場合で−２０μｍ程度、高い場合で＋２００μｍ程
度の範囲の差であれば、この分野に用いられる塗液を塗
布する場合に、気泡の抱き込みや液膜の分断を防ぐこと
ができる。Preferably, the surface of the substrate W and the peripheral surface of the substrate stage are flush with each other as shown in FIG.
It is desirable that the liquid film does not entrap bubbles or break the liquid film. Depending on the viscosity of the coating liquid and the thickness of the liquid film, if the surface of the substrate W is different from the peripheral surface of the substrate stage in a range of about −20 μm when it is low and about 200 μm when it is high, the difference is When a coating liquid used in the field is applied, it is possible to prevent air bubbles from being trapped and the liquid film from being separated.
【００４７】そして、前述したように、吸液ローラー１
０を用いて、基板Ｗに塗液Ｐを塗布する毎に基板ステー
ジ１上に残存する塗液Ｐを除去することで、連続的に複
数枚のウエハ等の基板に塗液を塗布し、面内における厚
さが均一な液膜を形成することが可能となる。Then, as described above, the liquid absorbing roller 1
0, the coating liquid P remaining on the substrate stage 1 is removed every time the coating liquid P is applied to the substrate W, thereby continuously applying the coating liquid to a plurality of substrates such as wafers. It is possible to form a liquid film having a uniform thickness in the inside.
【００４８】（実施形態２）次に、本発明の塗布装置の
他の実施の形態について、図６および図７を参照して説
明する。図６は、基板に液膜を形成した後に、基板ステ
ージ上に付着した塗液を除去する態様を図示する斜視図
であり、図７は、図６と同じく基板ステージ上に付着し
た塗液を除去する態様を図示する断面図である。(Embodiment 2) Next, another embodiment of the coating apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a perspective view illustrating a mode of removing the coating liquid adhered on the substrate stage after forming a liquid film on the substrate. FIG. It is sectional drawing which illustrates the aspect which removes.
【００４９】本実施形態は、基板ステージ１上に付着し
た塗液を除去する塗液除去手段として、移動中は回転し
ない吸液ブロックを用いている点で前述した実施形態と
相違し、その他の構成や液膜の形成に関しては前述した
実施形態と同様であり、前述した実施形態と同様の部分
には同一符号を付している。This embodiment is different from the above-described embodiment in that a liquid absorbing block which does not rotate during movement is used as a coating liquid removing means for removing the coating liquid adhered on the substrate stage 1. The configuration and the formation of the liquid film are the same as those of the above-described embodiment, and the same parts as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals.
【００５０】図６および図７において、塗液除去手段と
しての吸液ブロック２０は、断面多角形状（図では四角
形状）の多孔構造体２０Ａで形成され、その表面には塗
液Ｐの吸収を促進させるために超微細、高密度微細構造
繊維等の高吸収布２０Ｂを巻き付けてある。吸液ブロッ
ク２０の中心部には表面に多数の孔を有する中空軸２１
が配置され、中空軸２１は真空吸引路２２を介して真空
吸引源２２Ａに連通している。In FIGS. 6 and 7, a liquid absorbing block 20 as a coating liquid removing means is formed of a porous structure 20A having a polygonal cross section (square in the figure), and the surface of the block absorbs the coating liquid P. A super-absorbent cloth 20B such as ultra-fine or high-density micro-structured fiber is wrapped around to promote this. A hollow shaft 21 having a large number of holes on its surface is provided at the center of the liquid absorbing block 20.
Are arranged, and the hollow shaft 21 communicates with a vacuum suction source 22A via a vacuum suction path 22.
【００５１】このように構成された吸液ブロック２０
は、基板ステージ１上を回転することなく多角形状の一
面を基板ステージ１に押し付けながら移動させて、基板
ステージ１に付着している塗液Ｐを除去する。すなわ
ち、吸液ブロック２０を基板ステージ１に沿って移動さ
せることによって、基板ステージ１上に付着している塗
液Ｐを高吸収布２０Ｂおよび多孔構造体２０Ａで吸収す
るとともに、真空吸引源２２Ａを作動させて吸液ブロッ
ク２０の中空軸２１内を負圧にすることにより、高吸収
布２０Ｂおよび多孔構造体２０Ａで構成される吸液ブロ
ック２０の表面部分から基板ステージ１に付着している
塗液Ｐを吸収吸引し、吸収吸引された塗液を、その表面
部分からさらに中心部分へ吸引し、中空軸２１から真空
吸引路２２を通して吸液ブロック２０の外部へ排出す
る。The liquid absorbing block 20 constructed as described above
Moves the polygonal surface while pressing it on the substrate stage 1 without rotating on the substrate stage 1 to remove the coating liquid P attached to the substrate stage 1. That is, by moving the liquid absorbing block 20 along the substrate stage 1, the coating liquid P adhering on the substrate stage 1 is absorbed by the highly absorbent cloth 20B and the porous structure 20A, and the vacuum suction source 22A is When the inside of the hollow shaft 21 of the liquid absorbing block 20 is operated to be a negative pressure, the coating applied to the substrate stage 1 from the surface portion of the liquid absorbing block 20 composed of the highly absorbent cloth 20B and the porous structure 20A. The liquid P is absorbed and suctioned, and the absorbed and suctioned coating liquid is further suctioned from the surface portion to the center portion, and is discharged from the hollow shaft 21 to the outside of the liquid suction block 20 through the vacuum suction passage 22.
【００５２】本実施形態において、基板ステージに吸着
保持された基板に塗液を塗布して液膜を形成する過程
は、前述した実施形態と同様に行なわれる。すなわち、
基板ステージ１の基板保持部５に基板Ｗを載せ、吸引孔
６内を負圧にして基板Ｗを吸着保持する。次に、塗布手
段２（図６および図７には不図示）により基板Ｗの全面
を含む範囲に塗液Ｐを塗布する。その後に、真空吸引源
７Ａを停止させて吸引孔６内を大気圧に戻して基板Ｗを
解放し、基板Ｗを基板ステージ１から取り出すことによ
り、全表面に液膜が形成された基板Ｗが得られる（図３
の（Ａ）〜（Ｃ）、図４の（Ａ）〜（Ｃ）参照）。In this embodiment, the process of forming a liquid film by applying a coating liquid to the substrate adsorbed and held on the substrate stage is performed in the same manner as in the above-described embodiment. That is,
The substrate W is placed on the substrate holding unit 5 of the substrate stage 1, and the pressure in the suction hole 6 is reduced to hold the substrate W by suction. Next, the coating liquid P is applied to a range including the entire surface of the substrate W by the coating means 2 (not shown in FIGS. 6 and 7). Thereafter, the vacuum suction source 7A is stopped, the inside of the suction hole 6 is returned to the atmospheric pressure, the substrate W is released, and the substrate W having the liquid film formed on the entire surface is removed by removing the substrate W from the substrate stage 1. (Figure 3
(A) to (C) and FIG. 4 (A) to (C)).
【００５３】その後に、基板ステージ１に付着している
塗液Ｐを除去するために、図６および図７に図示するよ
うに、真空吸引源２２Ａを作動させて吸液ブロック２０
の中空軸２１内を負圧にして、吸液ブロック２０を基板
ステージ１の周辺表面に押し付けながら基板ステージ１
上を平行移動させる。これによって、高吸収布２０Ｂお
よび多孔構造体２０Ａで構成される吸液ブロック２０の
表面部分から基板ステージ１に付着している塗液Ｐを吸
収吸引し、吸収吸引された塗液Ｐは、吸液ブロック２０
の表面部分からさらに吸液ブロック２０の中心部分へ吸
引され、中空軸２１から真空吸引路２２を通して吸液ブ
ロック２０の外部へ排出され、基板ステージ１に付着し
ている塗液を除去する。このとき、吸液ブロック２０
は、回転することなく、基板ステージ１の表面に沿って
移動する。Thereafter, in order to remove the coating liquid P adhering to the substrate stage 1, as shown in FIGS. 6 and 7, the vacuum suction source 22A is operated to operate the liquid suction block 20.
A vacuum is applied to the inside of the hollow shaft 21 of the substrate stage 1 while pressing the liquid absorbing block 20 against the peripheral surface of the substrate stage 1.
Translate up. Thus, the coating liquid P adhering to the substrate stage 1 is absorbed and sucked from the surface of the liquid absorbing block 20 composed of the highly absorbent cloth 20B and the porous structure 20A, and the absorbed and sucked coating liquid P is absorbed. Liquid block 20
Is further sucked from the surface portion of the liquid suction block 20 to the center portion of the liquid suction block 20, discharged from the hollow shaft 21 through the vacuum suction path 22 to the outside of the liquid suction block 20, and the coating liquid adhering to the substrate stage 1 is removed. At this time, the liquid absorbing block 20
Moves along the surface of the substrate stage 1 without rotating.
【００５４】本実施形態における吸液ブロック２０にお
いては、基板ステージ１に圧接して塗液を除去している
面の吸液能力が低下すると、吸液ブロック２０を回転さ
せて異なった面を基板ステージ１に当接させることによ
り、吸液能力を維持することができる。例えば、一枚の
基板に液膜を形成する度に、吸液ブロック２０を９０
度、１８０度あるいは２７０度回転させて、前回用いた
面とは別の面で、基板ステージ１上の塗液を除去するこ
とも好ましいものである。こうして、本実施形態におい
ても、基板ステージ１の基板保持部５内に塗液Ｐが入り
込むことなく基板ステージ１上に残存し付着するほとん
どの塗液Ｐを除去することができ、基板Ｗに塗液Ｐを塗
布する毎に基板ステージ１上の塗液Ｐを除去すること
で、連続的に複数枚のウエハ等の基板に塗液を塗布する
ことが可能となる。また、前述したように、特に液膜の
形成開始時と形成終了時にあたる液膜の両端部において
液膜の厚さが不均一になるので、基板ステージの周辺部
にも液膜が形成されるように塗布手段による塗布範囲を
定めるとよい。In the liquid absorbing block 20 according to the present embodiment, when the liquid absorbing ability of the surface from which the coating liquid is removed by pressing against the substrate stage 1 is reduced, the liquid absorbing block 20 is rotated so that a different surface is applied to the substrate. By contacting the stage 1, the liquid absorbing ability can be maintained. For example, each time a liquid film is formed on a single substrate, the liquid absorbing block 20 is moved 90 times.
It is also preferable that the coating liquid on the substrate stage 1 is removed on a surface different from the surface used previously by rotating the substrate stage by 180 degrees or 270 degrees. Thus, also in the present embodiment, most of the coating liquid P remaining on and adhering to the substrate stage 1 can be removed without the coating liquid P entering the substrate holding portion 5 of the substrate stage 1, and the coating on the substrate W can be performed. By removing the coating liquid P on the substrate stage 1 every time the liquid P is applied, it becomes possible to continuously apply the coating liquid to a plurality of substrates such as wafers. In addition, as described above, since the liquid film thickness becomes uneven at both ends of the liquid film, particularly at the start and end of the liquid film formation, the liquid film is also formed around the substrate stage. The application range by the application means may be determined as described above.
【００５５】（実施形態３）次に、本発明の塗布装置の
他の実施の形態について、図８および図９を参照して説
明する。図８は、基板に液膜を形成した後に、基板ステ
ージ上に付着した塗液を除去する態様を図示する斜視図
であり、図９は、図８と同じく基板ステージ上に付着し
た塗液を除去する態様を図示する断面図である。(Embodiment 3) Next, another embodiment of the coating apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a perspective view illustrating a mode of removing the coating liquid adhered on the substrate stage after forming a liquid film on the substrate. FIG. It is sectional drawing which illustrates the aspect which removes.
【００５６】本実施形態は、基板ステージ上に残存し付
着する塗液を除去する塗液除去手段が前述した実施形態
と相違するものの、その他の構成や液膜の形成に関して
は前述した実施形態と同様であり、前述した実施形態と
同様の部分には同一符号を付して説明する。The present embodiment is different from the above-described embodiment in the coating liquid removing means for removing the coating liquid remaining on and adhering to the substrate stage, but the other configurations and the formation of the liquid film are the same as those in the above-described embodiment. This is the same, and the same parts as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals and described.
【００５７】図８および図９において、塗液除去手段
は、基板ステージ１の幅に略相当する長さをもって形成
された吸引ヘッド３０と、吸引ヘッド３０に真空吸引管
３２を介して連通する真空ポンプ等の真空吸引源３２Ａ
とから構成されている。吸引ヘッド３０は、塗布ヘッド
（図１および図２参照）の構成と同様に、２枚のブレー
ド３０Ａ、３０Ｂにより形成されたスリット部３０Ｃを
有している。スリット部３０Ｃの間隔は５０μｍ〜１０
ｍｍ程度の範囲から選択されるが、ここではスリット部
３０Ｃの間隔を１００μｍとする。このように構成され
た塗液除去手段は、吸引ヘッド３０の先端のスリット部
３０Ｃを基板ステージ１に接近させあるいは接触させる
とともに真空吸引源３２Ａを作動させて、吸引ヘッド３
０を基板ステージ１の表面に沿って平行移動させること
により、基板ステージ１上に付着している塗液Ｐをスリ
ット部３０Ｃの先端部より吸い取ることができ、塗液Ｐ
を真空吸引管３２を介して外部へ排出することができ
る。8 and 9, a coating liquid removing means includes a suction head 30 formed with a length substantially corresponding to the width of the substrate stage 1, and a vacuum communicating with the suction head 30 via a vacuum suction pipe 32. Vacuum suction source 32A such as a pump
It is composed of The suction head 30 has a slit portion 30C formed by two blades 30A and 30B, similarly to the configuration of the coating head (see FIGS. 1 and 2). The interval between the slit portions 30C is 50 μm to 10
The distance is selected from the range of about mm, but here, the interval between the slit portions 30C is 100 μm. The coating liquid removing means configured as described above brings the slit portion 30C at the tip of the suction head 30 close to or into contact with the substrate stage 1 and activates the vacuum suction source 32A to thereby operate the suction head 3A.
0 is moved in parallel along the surface of the substrate stage 1 so that the coating liquid P adhering to the substrate stage 1 can be sucked from the tip of the slit 30C.
Can be discharged to the outside through the vacuum suction tube 32.
【００５８】本実施形態においても、基板ステージ１に
吸着保持された基板Ｗに塗液Ｐを塗布して液膜を形成す
る過程は、前述した実施形態と同様に行われ、基板ステ
ージ１の基板保持部５に基板Ｗを吸着保持した後に、塗
布手段２（図８および図９には不図示）により基板Ｗの
全面を覆う領域に塗液Ｐを塗布する。その後に、真空吸
引源７Ａを停止させて基板Ｗの吸着を解放して、基板Ｗ
を基板ステージ１から取り出すことにより、全表面に液
膜が形成された基板Ｗが得られる（図３の（Ａ）〜
（Ｃ）、図４の（Ａ）〜（Ｃ）参照）。Also in the present embodiment, the process of applying the coating liquid P to the substrate W sucked and held on the substrate stage 1 to form a liquid film is performed in the same manner as in the above-described embodiment. After adsorbing and holding the substrate W on the holding unit 5, the coating liquid P is applied to a region covering the entire surface of the substrate W by the application unit 2 (not shown in FIGS. 8 and 9). Thereafter, the vacuum suction source 7A is stopped to release the suction of the substrate W, and the substrate W
Is taken out of the substrate stage 1 to obtain a substrate W having a liquid film formed on the entire surface (FIG. 3A to FIG. 3A).
(C) and (A) to (C) of FIG. 4).
【００５９】その後に、図８および図９に示するよう
に、吸引ヘッド３０の先端のスリット部３０Ｃを基板ス
テージ１に接近させあるいは接触させるとともに真空吸
引源３２Ａを作動させて、吸引ヘッド３０を基板ステー
ジ１の表面に沿って平行移動させ、基板ステージ１上に
付着している塗液Ｐをスリット部３０Ｃの先端部より吸
い取り、さらに、塗液Ｐを真空吸引管３２を介して外部
へ排出する。After that, as shown in FIGS. 8 and 9, the slit 30C at the tip of the suction head 30 is brought close to or in contact with the substrate stage 1, and the vacuum suction source 32A is operated to move the suction head 30. The coating liquid P is moved in parallel along the surface of the substrate stage 1 to suck the coating liquid P adhering on the substrate stage 1 from the tip of the slit 30C, and the coating liquid P is discharged to the outside via the vacuum suction pipe 32. I do.
【００６０】基板ステージ１上に付着した塗液の除去に
際し、吸引ヘッド３０のスリット部３０Ｃの先端と基板
ステージ１との間隔を１０μｍ、吸引ヘッド３０の移動
速度を１０ｍｍ／ｓｅｃとして、塗液の除去処理を行っ
たところ、基板ステージ１の基板保持部５に塗液Ｐが入
り込むことなく基板ステージ１上のほとんどの塗液Ｐを
除去することができた。また、ウエハ等の基板Ｗに液膜
を形成する毎に、吸引ヘッド３０での基板ステージ１上
の塗液を除去する工程を行ったところ、連続的に複数枚
の基板への液膜形成を行うことができた。When removing the coating liquid adhering to the substrate stage 1, the distance between the tip of the slit 30C of the suction head 30 and the substrate stage 1 is set to 10 μm, and the moving speed of the suction head 30 is set to 10 mm / sec. As a result of the removal treatment, most of the coating liquid P on the substrate stage 1 could be removed without the coating liquid P entering the substrate holding portion 5 of the substrate stage 1. Further, every time a liquid film is formed on a substrate W such as a wafer, a step of removing the coating liquid on the substrate stage 1 by the suction head 30 is performed. Could be done.
【００６１】（実施形態４）次に、本発明の塗布装置の
さらに他の実施の形態について、図１０を参照して説明
する。図１０は、本発明に基づく塗布装置のさらに他の
実施の形態の概略構成を示す斜視図である。(Embodiment 4) Next, still another embodiment of the coating apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a perspective view showing a schematic configuration of still another embodiment of the coating apparatus according to the present invention.
【００６２】本実施形態において、前述した実施形態と
異なる点は、図１０に示すように、ガラス基板のような
角型基板を保持できるように、基板ステージ１に設けら
れた基板保持部５の形状を四角形の凹部にした点であ
る。凹部の深さは角型基板の厚さに略相当するサイズで
基板の被成膜面が基板ステージ１の周辺表面１Ａ、１
Ｂ、１Ｃに略一致するようになっている。The present embodiment is different from the above-described embodiment in that, as shown in FIG. 10, a substrate holder 5 provided on the substrate stage 1 can hold a rectangular substrate such as a glass substrate. The point is that the shape is a rectangular recess. The depth of the concave portion is substantially equal to the thickness of the rectangular substrate, and the surface on which the substrate is to be formed is formed on the peripheral surface 1A, 1
B and 1C.
【００６３】また、塗布ヘッド８は、塗液を塗布する基
板Ｗの最大幅（ここでは四角形基板の幅）Ｗ2 と同じ長
さとするか、あるいはそれよりやや長く形成する。その
他の構成や塗布方法は前述した実施形態と同じである。The coating head 8 is formed to have the same length as the maximum width (here, the width of the rectangular substrate) W 2 of the substrate W to which the coating liquid is applied, or to be slightly longer. Other configurations and application methods are the same as in the above-described embodiment.
【００６４】塗布ヘッド８を用いて基板Ｗに塗液を塗布
した後に、塗液Ｐは少なくとも基板ステージ１の周辺表
面１Ａ、１Ｂに残留するので、吸液ローラー１０を基板
ステージ１の周辺表面１Ａ、１Ｂに押し付けて、吸液ロ
ーラー１０を回転させながら基板ステージ１上を移動さ
せて、基板ステージ１の周辺表面１Ａ、１Ｂに付着して
いる塗液Ｐを除去する。勿論、塗液除去手段３として実
施形態２、３で説明したものを用いることもできる。After the coating liquid is applied to the substrate W using the coating head 8, the coating liquid P remains on at least the peripheral surfaces 1 A and 1 B of the substrate stage 1. 1B, and is moved on the substrate stage 1 while rotating the liquid absorbing roller 10 to remove the coating liquid P adhering to the peripheral surfaces 1A and 1B of the substrate stage 1. Of course, the coating liquid removing unit 3 described in the second and third embodiments can be used.
【００６５】（実施形態５）次に、本発明の塗布装置の
他の実施の形態について、図１１を参照して説明する。
図１１は、本発明に基づく塗布装置のさらに他の実施の
形態の概略構成を示す断面図である。(Embodiment 5) Next, another embodiment of the coating apparatus of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 11 is a sectional view showing a schematic configuration of still another embodiment of the coating apparatus according to the present invention.
【００６６】本実施形態において、前述した実施形態と
異なる点は、図１１に示すように、塗布手段として塗布
ローラー４１を有するロールコーターを用いた点にあ
る。塗布ローラー４１の表面には、塗液供給源４２Ａか
ら液供給路４２を介して塗液が供給され、塗布ローラー
４１が回転しながら基板Ｗ上を移動することにより基板
Ｗに塗液が付与される。基板Ｗとしては、ウエハやディ
スクのような円盤でもガラス基板のような角型基板でも
よい。そして、塗布ローラー４１の長さは、基板Ｗの最
大幅と同じか若干大きくする。こうして、基板Ｗだけで
なく、少なくとも基板ステージ１の周辺表面１Ａ、１Ｂ
の一部にも塗液が延在するように形成される。その他の
構成や塗布方法も前述した実施形態と同じである。The present embodiment differs from the above-described embodiment in that a roll coater having an application roller 41 is used as an application means as shown in FIG. A coating liquid is supplied to the surface of the coating roller 41 from a coating liquid supply source 42A via a liquid supply path 42, and the coating roller 41 moves on the substrate W while rotating, so that the coating liquid is applied to the substrate W. You. The substrate W may be a disk such as a wafer or a disk or a square substrate such as a glass substrate. The length of the application roller 41 is equal to or slightly larger than the maximum width of the substrate W. Thus, not only the substrate W but also at least the peripheral surfaces 1A, 1B of the substrate stage 1
Is formed such that the coating liquid extends to a part of the. Other configurations and application methods are the same as those of the above-described embodiment.
【００６７】塗布ローラー４１を用いて基板Ｗに塗液Ｐ
を塗布した後に基板Ｗを取り除いた後には、塗液Ｐは少
なくとも基板ステージ１の周辺表面１Ａ、１Ｂに残留す
るので、吸液ローラー１０を基板ステージ１の周辺表面
１Ａ、１Ｂに押し付けて、吸液ローラー１０を回転させ
ながら基板ステージ１上を移動させて、基板ステージ１
に付着している塗液Ｐを除去する。勿論、塗液除去手段
３として実施形態２、３で説明したものを用いることも
できる。The coating liquid P is applied to the substrate W using the coating roller 41.
After the substrate W is removed after the application, the coating liquid P remains on at least the peripheral surfaces 1A and 1B of the substrate stage 1. Therefore, the liquid absorbing roller 10 is pressed against the peripheral surfaces 1A and 1B of the substrate stage 1 to absorb the liquid. The substrate stage 1 is moved by rotating the liquid roller 10 on the substrate stage 1.
The coating liquid P adhering to is removed. Of course, the coating liquid removing unit 3 described in the second and third embodiments can be used.
【００６８】（実施形態６）次に、本発明の塗布装置の
他の実施の形態について、図１２を参照して説明する。
図１２は、本発明に基づく塗布装置のさらに他の実施の
形態の概略構成を示す斜視図である。(Embodiment 6) Next, another embodiment of the coating apparatus of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 12 is a perspective view showing a schematic configuration of still another embodiment of the coating apparatus according to the present invention.
【００６９】本実施形態において、前述した実施形態と
異なる点は、図１２に示すように、基板ステージ１に複
数の基板保持部５を形成し、複数の基板Ｗを保持できる
ように構成されている点である。基板Ｗとしては、図示
したようなウエハやディスクのような円盤だけでなくガ
ラス基板のような角型基板でもよい。そして、塗布手段
２の塗布ヘッド８の長さは、配列された基板群の配列最
大幅（塗布ヘッドの長さ方向に沿った長さ）Ｗ3 と同じ
か若干大きくする。こうして、複数の基板Ｗだけでな
く、少なくとも基板ステージ周辺部の一部にも塗液が延
在するように形成される。その他の構成や塗布方法も前
述した実施形態と同じである。This embodiment is different from the above-described embodiment in that a plurality of substrate holding portions 5 are formed on a substrate stage 1 so as to hold a plurality of substrates W, as shown in FIG. It is a point. As the substrate W, not only a disk such as a wafer or a disk as illustrated but also a rectangular substrate such as a glass substrate may be used. The length of the coating head 8 coating means 2 (length along the length direction of the coating head) arrayed substrate group of SEQ maximum width W 3 same or slightly larger as. Thus, the coating liquid is formed so as to extend not only to the plurality of substrates W but also to at least a part of the peripheral portion of the substrate stage. Other configurations and application methods are the same as those of the above-described embodiment.
【００７０】塗布ヘッド８を用いて基板Ｗに塗液Ｐを塗
布した後に基板Ｗを取り除いた後には、塗液は少なくと
も基板ステージ１の周辺部の上面に残留するので、塗液
除去手段３の吸液ローラー１０を基板ステージ１の周辺
部の上面に押し付けて、吸液ローラー１０を回転させな
がら基板ステージ１上を移動させて、基板ステージ１に
付着している塗液Ｐを除去する。勿論、塗液除去手段３
として実施形態２、３で説明したものを用いることもで
き、塗布手段２として実施形態５で説明した塗布ローラ
ーを用いることもできる。After the coating liquid P is applied to the substrate W using the coating head 8 and the substrate W is removed, the coating liquid remains on at least the upper surface of the peripheral portion of the substrate stage 1. The liquid absorbing roller 10 is pressed against the upper surface of the peripheral portion of the substrate stage 1 and is moved on the substrate stage 1 while rotating the liquid absorbing roller 10 to remove the coating liquid P attached to the substrate stage 1. Of course, the coating liquid removing means 3
As described above, those described in Embodiments 2 and 3 can be used, and the application roller described in Embodiment 5 can be used as the application unit 2.
【００７１】（実施形態７）次に、本発明の塗布装置の
他の実施の形態について、図１３を参照して説明する。
図１３は、本発明に基づく塗布装置のさらに他の実施の
形態の概略構成を示す断面図である。(Embodiment 7) Next, another embodiment of the coating apparatus of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 13 is a sectional view showing a schematic configuration of still another embodiment of the coating apparatus according to the present invention.
【００７２】本実施形態において、前述した実施形態と
異なる点は、図１３に示すように、洗浄液供給手段とし
ての洗浄液ノズル４４および乾燥手段としてのドライエ
ア噴出ノズル４５を塗液除去手段３の吸液ローラー１０
に近接して配置し、これらを吸液ローラー１０とともに
移動可能に設けた点である。その他の構成や塗布方法は
前述した実施形態と同じである。This embodiment is different from the above-described embodiment in that a cleaning liquid nozzle 44 as a cleaning liquid supply unit and a dry air jet nozzle 45 as a drying unit are connected to a liquid absorption unit 3 as shown in FIG. Roller 10
, And these are provided so as to be movable together with the liquid absorbing roller 10. Other configurations and application methods are the same as in the above-described embodiment.
【００７３】塗布ヘッド８を用いて基板Ｗに塗液Ｐを塗
布した後に基板Ｗを取り除いた後には、塗液Ｐは少なく
とも基板ステージ１の周辺表面１Ａ、１Ｂに残留するの
で、移動する洗浄液ノズル４４から洗浄液を基板ステー
ジ１に付与する。そして、吸液ローラー１０を基板ステ
ージ１の周辺部の表面に押し付けて、吸液ローラー１０
を回転させながら基板ステージ１上を移動させて、基板
ステージ１に付着している塗液Ｐを除去する。さらに、
移動するドライエア噴出ノズル４５からドライエアを基
板ステージ１に吹き付けて基板ステージ１を乾燥させ
る。もちろん、塗液除去手段３として実施形態２、３で
説明したものを用いることもでき、塗布手段２として実
施形態５で説明した塗布ローラーを用いることもでき
る。After the coating liquid P is applied to the substrate W using the coating head 8 and then the substrate W is removed, the coating liquid P remains on at least the peripheral surfaces 1 A and 1 B of the substrate stage 1. From 44, a cleaning liquid is applied to the substrate stage 1. Then, the liquid absorbing roller 10 is pressed against the peripheral surface of the substrate stage 1 to
The substrate is moved on the substrate stage 1 while being rotated to remove the coating liquid P attached to the substrate stage 1. further,
Dry air is blown onto the substrate stage 1 from the moving dry air ejection nozzle 45 to dry the substrate stage 1. Of course, the coating liquid removing unit 3 described in the second and third embodiments can be used, and the coating roller described in the fifth embodiment can be used as the coating unit 2.
【００７４】（他の実施形態）本発明に用いられる基板
としては、シリコン、炭化シリコン、シリコンゲルマニ
ウム、砒化ガリウム、砒化インジウム等の半導体ウエハ
や、石英、サファイヤ、アルミナ、ガラス、樹脂等の絶
縁性基板、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属基板な
どであり、それらの上に各種素子、配線、各種薄膜など
が形成されたものであってもよい。(Other Embodiments) As a substrate used in the present invention, semiconductor wafers such as silicon, silicon carbide, silicon germanium, gallium arsenide, indium arsenide, and insulating materials such as quartz, sapphire, alumina, glass, and resin are used. It may be a substrate, a metal substrate such as aluminum or stainless steel, or the like, on which various elements, wiring, various thin films, and the like are formed.
【００７５】これらの基板は、半導体素子、ＬＳＩ、液
晶素子、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク、
カラーフィルター、マイクロレンズなどを製造するため
に用いられる。These substrates include semiconductor elements, LSIs, liquid crystal elements, optical disks, magnetic disks, magneto-optical disks,
It is used for manufacturing color filters, micro lenses, and the like.
【００７６】本発明により形成される被膜としては、撥
水性膜、撥油性膜、感光性膜、絶縁性膜、熱硬化性膜、
光硬化性膜、配向膜である。例えば、感光性膜としては
ホトリソグラフィーやカラーフィルターの形成に利用さ
れるホトレジストである。絶縁性膜としては、ＬＳＩや
液晶素子に用いられる配線間の絶縁膜である。具体的に
は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹
脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリビニルアル
コール、ポリイミド、ＨＳＱ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｓｉ
ｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎ）、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏｃｙｃ
ｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ＭＳＱ（Ｍｅｔｈｙｌ Ｓｉｌｓ
ｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒ
ａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ポリアリールエー
テル、フッ素化ポリアリールエーテル等である。The coating formed by the present invention includes a water-repellent film, an oil-repellent film, a photosensitive film, an insulating film, a thermosetting film,
Photocurable film and alignment film. For example, the photosensitive film is a photoresist used for forming a photolithography or a color filter. The insulating film is an insulating film between wirings used for an LSI or a liquid crystal element. Specifically, acrylic resin, epoxy resin, phenolic resin, polyimide, fluorinated polyimide, polyvinyl alcohol, polyimide, HSQ (Hydrogen Si
lsesquioxan), BCB (Benzocyc)
lobutene), MSQ (Methyl Sils)
esquioxane), PTFE (Polytetrar)
afluoroethylene), polyaryl ethers, fluorinated polyaryl ethers, and the like.
【００７７】これらの被膜は、前述した各実施形態によ
る塗布方法により形成された液膜に適当な温度、例えば
５０℃以上の温度でベーキングを行い、溶媒や分散媒を
蒸発させて強固な膜にする。光硬化性樹脂の場合にはさ
らに紫外線などの光を照射して強固な膜にする。These films are baked at an appropriate temperature, for example, at a temperature of 50 ° C. or higher, to a liquid film formed by the coating method according to each of the above-described embodiments, and a solvent or a dispersion medium is evaporated to form a strong film. I do. In the case of a photo-curable resin, light such as ultraviolet rays is further applied to form a strong film.
【００７８】本発明に用いられる塗液としては、前記原
料を溶媒や分散媒に溶解または分散させた出発材料を用
いることができる。これらの粘度は、出発材料に依存す
るが、１０ｃｐｓ〜１０００００ｃｐｓ程度の範囲から
選択しうる。As the coating liquid used in the present invention, a starting material obtained by dissolving or dispersing the above-mentioned raw materials in a solvent or a dispersion medium can be used. These viscosities depend on the starting materials, but can be selected from the range of about 10 cps to 100,000 cps.
【００７９】液膜の厚さは、０．３μｍ〜２００μｍで
あり、液膜形成後のベーキングにより、厚さが減少する
ので、目的とする被膜の厚さや使用する出発材料に応じ
て適宜選択すべきである。The thickness of the liquid film is 0.3 μm to 200 μm, and the thickness is reduced by baking after the formation of the liquid film. Therefore, it is appropriately selected according to the thickness of the target film and the starting material to be used. Should.
【００８０】本発明に用いられる塗布手段としては、前
述したダイコート法やロールコート法などに用いられる
ヘッドやローラーが用いられる。As a coating means used in the present invention, a head or a roller used in the aforementioned die coating method or roll coating method is used.
【００８１】本発明における塗布手段と基板ステージ
は、塗布の際に相対的に移動すればよいのであって、ヘ
ッドやロールのみを一方向に移動させても、基板ステー
ジのみを一方向に移動させても、両者をそれぞれ移動さ
せてもよい。The coating means and the substrate stage in the present invention may be relatively moved during coating. Even if only the head or roll is moved in one direction, only the substrate stage is moved in one direction. Alternatively, both may be moved.
【００８２】基板ステージの周辺部の表面の高さは、前
述したとおり基板の被成膜面とほぼ同じ高さとする。周
辺部の表面が基板より高いと液膜が気泡を取り込み易く
なり、周辺部の表面が基板より低いと液膜の分断が生じ
易くなる。塗液の粘度や液膜の厚さにも因るが、基板の
被成膜面が、基板ステージの周辺表面から２０μｍ程度
低い位置から、２００μｍ程度高い位置の範囲内にあれ
ば、こうした不具合の発生を十分に抑制することができ
る。The height of the surface of the peripheral portion of the substrate stage is substantially the same as the film formation surface of the substrate as described above. When the surface of the peripheral portion is higher than the substrate, the liquid film tends to take in bubbles, and when the surface of the peripheral portion is lower than the substrate, the liquid film is likely to be divided. Although it depends on the viscosity of the coating liquid and the thickness of the liquid film, if the film formation surface of the substrate is within a range from about 20 μm lower than the peripheral surface of the substrate stage to about 200 μm higher from the peripheral surface, such a problem may occur. Generation can be sufficiently suppressed.
【００８３】また、前述した各実施形態を説明する各図
では、基板ステージを加工して凹部を形成することによ
り、周辺部の表面を、搭載される基板の表面に整列させ
たが、基板と相補的な形状の開孔を持つとともに基板と
同じ厚さのガイドリングのような部材を、平坦なテーブ
ル上に載せることにより、基板ステージを構成してもよ
い。In each of the drawings for describing the above-described embodiments, the surface of the peripheral portion is aligned with the surface of the substrate to be mounted by processing the substrate stage to form a concave portion. The substrate stage may be configured by mounting a member such as a guide ring having openings of complementary shapes and the same thickness as the substrate on a flat table.
【００８４】基板ステージの周辺部の表面上の塗布開始
位置と基板縁部との間の距離は、１ｍｍ以上とすればよ
く、より好ましくは５ｍｍ〜３０ｍｍに設定すると良
い。一方、反対側の基板縁部と塗布終了位置との間の距
離は１ｍｍ以上とすればよい。いずれも距離を大きくと
るに従って、塗液の消費量が増えるので、この点を考慮
して距離の上限を決めればよい。同じように塗布手段の
スリット部等の長さは、基板の幅より１ｍｍ以上長くす
ることが好ましいものである。The distance between the coating start position on the surface of the peripheral portion of the substrate stage and the edge of the substrate may be 1 mm or more, and more preferably, 5 mm to 30 mm. On the other hand, the distance between the opposite substrate edge and the coating end position may be 1 mm or more. In any case, as the distance is increased, the consumption of the coating liquid increases. Therefore, the upper limit of the distance may be determined in consideration of this point. Similarly, it is preferable that the length of the slit portion or the like of the application unit be longer than the width of the substrate by 1 mm or more.
【００８５】本発明に用いられる塗液除去手段として
は、前述した吸液ローラー、吸液ブロック、吸引スリッ
ト部を備えた吸引ヘッド以外にも、吸液シートなどを用
いることもできる。あるいはまた、ゴム製ブレードのよ
うな弾性部材を有するワイパーを周辺部の表面に接触さ
せて、塗液を除去してもよい。塗液除去動作の際には、
ローラー、ブロック、スリットやワイパーなどの塗液除
去手段のみを移動させても、基板ステージのみを移動さ
せても、あるいは両者を移動させてもよい。As the coating liquid removing means used in the present invention, a liquid absorbing sheet or the like may be used in addition to the liquid absorbing roller, the liquid absorbing block, and the suction head having the suction slit. Alternatively, a wiper having an elastic member such as a rubber blade may be brought into contact with the peripheral surface to remove the coating liquid. During the coating liquid removal operation,
Only the coating liquid removing means such as a roller, a block, a slit or a wiper may be moved, only the substrate stage may be moved, or both may be moved.
【００８６】また、アセトンやイソプロピルアルコール
等のケトン類やアルコール等、塗液が溶解する有機溶剤
や水などの洗浄液を付与する洗浄液供給手段を設けて、
基板ステージの周辺部の表面および基板保持部をウエッ
ト洗浄してもよい。さらには、塗液とともに有機溶剤を
除去するスポンジのような吸収体を設け、ウエット洗浄
後にそれらを吸収除去することも好ましいものである。
また、必要に応じてドライエアやドライ窒素を基板ステ
ージに吹き付けて、基板ステージの周辺部の表面と基板
保持部を乾燥する乾燥手段を付加することも好ましいも
のである。Further, there is provided a cleaning liquid supply means for applying a cleaning liquid such as an organic solvent in which the coating liquid is dissolved or water such as ketones such as acetone and isopropyl alcohol, and alcohol.
The surface of the peripheral part of the substrate stage and the substrate holding part may be wet-cleaned. Further, it is also preferable to provide an absorber such as a sponge for removing the organic solvent together with the coating liquid, and to absorb and remove them after wet cleaning.
It is also preferable to add a drying unit for blowing the dry air or dry nitrogen onto the substrate stage as needed to dry the surface of the peripheral portion of the substrate stage and the substrate holding unit.
【００８７】本発明は以上説明した実施形態に限定され
るものではなく、本発明の目的を達成する範囲におい
て、各種構成要素の材料を変更したり、付加的な手段を
追加してもよいし、また、各種構成要素が均等物に置換
されたものであってもよい。The present invention is not limited to the above-described embodiments, and the materials of various components may be changed or additional means may be added as long as the object of the present invention is achieved. Also, various components may be replaced with equivalents.
【００８８】[0088]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハ等の基板に塗液を塗布して液膜を形成する毎に、
基板ステージ上に付着する塗液を除去することにより、
次に塗布される液膜に生じやすい膜厚むらの発生を抑制
することができ、縦筋等の膜厚むらを生じさせることが
なく、ウエハ等の非角型基板であってもダイコート法等
による液膜の形成を可能にする。As described above, according to the present invention,
Each time a coating liquid is applied to a substrate such as a wafer to form a liquid film,
By removing the coating liquid adhering on the substrate stage,
It is possible to suppress the occurrence of unevenness in film thickness that is likely to be generated in a liquid film to be applied next, without causing unevenness in film thickness such as vertical stripes, and even in the case of a non-square substrate such as a wafer, a die coating method or the like. To form a liquid film.
【００８９】さらに、基板に液膜を塗布する場合に、基
板の被成膜面に近い高さの面を有する基板ステージの周
辺部表面上も塗布範囲内になるように塗液を塗布するこ
とにより、基板の端部上における膜厚むらの発生を抑制
することができ、基板上に形成される液膜の厚さの均一
性を高めることができる。Further, when the liquid film is applied to the substrate, the application liquid is applied so that the surface of the peripheral portion of the substrate stage having a surface close to the surface on which the film is formed is also within the application range. Accordingly, it is possible to suppress the occurrence of uneven film thickness on the edge of the substrate, and to increase the uniformity of the thickness of the liquid film formed on the substrate.
【図１】本発明に基づく塗布装置の一実施の形態の概略
構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of an embodiment of a coating apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に基づく塗布装置の一実施の形態の概略
構成を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a schematic configuration of an embodiment of a coating apparatus according to the present invention.
【図３】本発明に基づくダイコート法による液膜形成お
よび液除去工程を示す概略的な工程図である。FIG. 3 is a schematic process chart showing a liquid film forming and liquid removing step by a die coating method according to the present invention.
【図４】本発明に基づくダイコート法による液膜形成お
よび液除去工程を斜視図で示す概略的な工程図である。FIG. 4 is a schematic process diagram showing a liquid film forming and liquid removing process by a die coating method according to the present invention in a perspective view.
【図５】比較例と本発明の塗布方法により得られた液膜
の模式的な断面図であり、（Ａ）は基板ステージの周辺
部表面が基板の表面より基板の厚さ分低くなる構成のス
テージ上に基板を載置して、基板の被成膜面にのみ液膜
塗布した場合の様子を示す模式的断面図であり、（Ｂ）
は基板ステージの周辺部表面が基板の表面とほぼ同一平
面となる構成のステージ上に基板を載置して、基板の被
成膜面とともに周辺部表面にも液膜を形成した場合の様
子を示す模式的断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a liquid film obtained by a coating method according to a comparative example and the present invention, wherein FIG. FIG. 4B is a schematic cross-sectional view showing a state in which the substrate is mounted on the stage shown in FIG.
Shows a situation where a substrate is placed on a stage where the peripheral surface of the substrate stage is almost flush with the surface of the substrate, and a liquid film is formed on the peripheral surface as well as on the film formation surface of the substrate. It is a typical sectional view shown.
【図６】本発明に基づく塗布装置の他の実施の形態にお
ける塗液を除去する態様を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a mode of removing a coating liquid in another embodiment of the coating apparatus according to the present invention.
【図７】図６に図示する塗布装置の他の実施の形態にお
ける塗液を除去する態様を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a mode of removing a coating liquid in another embodiment of the coating apparatus shown in FIG.
【図８】本発明に基づく塗布装置のさらに他の実施の形
態における塗液を除去する態様を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing a mode of removing a coating liquid in still another embodiment of the coating apparatus according to the present invention.
【図９】図８に図示する塗布装置における塗液を除去す
る態様を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a mode of removing a coating liquid in the coating device shown in FIG.
【図１０】本発明に基づく塗布装置のさらに他の実施の
形態の概略構成を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a schematic configuration of still another embodiment of a coating apparatus according to the present invention.
【図１１】本発明に基づく塗布装置のさらに他の実施の
形態の概略構成を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of still another embodiment of a coating apparatus according to the present invention.
【図１２】本発明に基づく塗布装置のさらに他の実施形
態の概略構成を示す斜視図である。FIG. 12 is a perspective view showing a schematic configuration of still another embodiment of the coating apparatus according to the present invention.
【図１３】本発明に基づく塗布装置のさらに他の実施の
形態の概略構成を示す断面図である。FIG. 13 is a sectional view showing a schematic configuration of still another embodiment of the coating apparatus according to the present invention.
１ 基板ステージ １Ａ、１Ｂ、１Ｃ 周辺表面 ２ 塗布手段 ３ 塗液除去手段 ５ 基板保持部 ６ 吸引孔 ７ 吸引管 ７Ａ 真空吸引源 ８ 塗布ヘッド（ダイヘッド） ８Ａ、８Ｂ ブレード ８Ｃ スリット部 ９ 塗液供給路 ９Ａ 塗液供給源 １０ 吸液ローラー １０Ａ 多孔構造体 １０Ｂ 高吸収布 １１ 中空軸 １２ 真空吸引路 １２Ａ 真空吸引源 ２０ 吸液ブロック ２０Ａ 多孔構造体 ２０Ｂ 高吸収布 ２１ 中空軸 ２２ 真空吸引路 ２２Ａ 真空吸引源 ３０ 吸引ヘッド ３０Ａ、３０Ｂ ブレード ３０Ｃ スリット部 ３２ 真空吸引路 ３２Ａ 真空吸引源 ４１ 塗布ローラー ４２ 塗液供給路 ４２Ａ 塗液供給源 ４４ 洗浄液供給手段（洗浄液ノズル） ４５ 乾燥手段（ドライエア噴出ノズル） Ｗ 基板（ウエハ） Ｐ 塗液 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate stage 1A, 1B, 1C Peripheral surface 2 Coating means 3 Coating liquid removing means 5 Substrate holding part 6 Suction hole 7 Suction tube 7A Vacuum suction source 8 Coating head (die head) 8A, 8B Blade 8C Slit part 9 Coating liquid supply path 9A Coating liquid supply source 10 Liquid absorption roller 10A Porous structure 10B High absorption cloth 11 Hollow shaft 12 Vacuum suction path 12A Vacuum suction source 20 Liquid absorption block 20A Porous structure 20B High absorption cloth 21 Hollow shaft 22 Vacuum suction path 22A Vacuum suction Source 30 Suction head 30A, 30B Blade 30C Slit part 32 Vacuum suction path 32A Vacuum suction source 41 Coating roller 42 Coating liquid supply path 42A Coating liquid supply source 44 Cleaning liquid supply means (cleaning liquid nozzle) 45 Drying means (dry air jet nozzle) W Substrate (Wafer) P coating liquid
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｚ (72)発明者 古澤 俊範 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB16 AB17 EA04 4D075 AC02 AC73 AC82 AC84 BB20Z BB24Y BB26Z BB65Z CA23 CA36 CA37 CA47 CB07 DA08 DB04 DB07 DB13 DB14 DB31 DC22 DC24 DC27 EA07 EA19 EA21 EA45 EB16 EB19 EB22 EB32 EB33 EB37 EB39 4F041 AA02 AA06 AB02 BA05 BA12 BA59 CA02 CA28 4F042 AA02 AA07 AA08 CC03 CC04 CC07 CC11 5F046 JA02 JA22 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI FI Theme Court ゛ (Reference) H01L 21/027 H01L 21/30 564Z (72) Inventor Toshinori Furusawa 3- 30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F term (reference) in Canon Inc. AA02 AA06 AB02 BA05 BA12 BA59 CA02 CA28 4F042 AA02 AA07 AA08 CC03 CC04 CC07 CC11 5F046 JA02 JA22
Claims (30)
して塗布手段を相対移動させながら、前記塗布手段から
前記基板ステージに保持された基板上に塗液を供給して
該基板上に液膜を形成する塗布方法において、 基板を保持する基板保持部と該基板保持部より高い面を
有する周辺部とを有する前記基板ステージの前記基板保
持部上に基板を載置する工程と、 前記塗布手段により塗布範囲が前記周辺部上に及ぶよう
に液膜を形成する工程と、 前記液膜が形成された基板を前記基板ステージから取り
外した後に、前記周辺部に残留する塗液を塗液除去手段
により除去する工程とを含むことを特徴とする塗布方
法。1. A coating liquid is supplied from a coating means onto a substrate held on a substrate stage while a coating means is relatively moved with respect to a substrate stage for holding the substrate, and a liquid film is formed on the substrate. Forming a substrate on the substrate holding portion of the substrate stage having a substrate holding portion for holding a substrate and a peripheral portion having a surface higher than the substrate holding portion; Forming a liquid film so that the coating range extends over the peripheral portion by removing the substrate on which the liquid film is formed from the substrate stage, and then removing the coating liquid remaining on the peripheral portion by the coating liquid removing means. And a removing step.
する塗液を吸収する吸液ローラーまたは吸液ブロックを
有しており、該吸液ローラーまたは吸液ブロックを前記
基板ステージの前記周辺部に接触させながら前記基板ス
テージに対して相対移動させて前記周辺部に付着した塗
液を除去することを特徴とする請求項１記載の塗布方
法。2. The method according to claim 1, wherein the coating liquid removing unit includes a liquid absorbing roller or a liquid absorbing block that absorbs the coating liquid adhered to the peripheral portion. 2. The coating method according to claim 1, wherein the coating liquid attached to the peripheral portion is removed by being moved relatively to the substrate stage while being in contact with the peripheral portion.
通して吸引することにより塗液を除去することを特徴と
する請求項２記載の塗布方法。3. The coating method according to claim 2, wherein the coating liquid is removed by suction through the liquid absorbing roller or the liquid absorbing block.
部を有する吸引ヘッドを有しており、該吸引ヘッドのス
リット部を前記基板ステージに付着する塗液に接近させ
あるいは接触させながら前記基板ステージに対して相対
移動させることにより塗液を除去することを特徴とする
請求項１記載の塗布方法。4. The coating liquid removing means has a suction head having a slit portion at a tip end, and the slit portion of the suction head approaches or comes into contact with the coating liquid adhering to the substrate stage. The coating method according to claim 1, wherein the coating liquid is removed by moving the coating liquid relative to the substrate stage.
徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の塗布
方法。5. The coating method according to claim 1, wherein the substrate is a non-square substrate.
置を前記基板ステージの前記周辺部上とすることを特徴
とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の塗布方
法。6. The coating method according to claim 1, wherein a position at which the coating is started and a position at which the coating is ended are set on the peripheral portion of the substrate stage.
の除去を行うことを特徴とする請求項１ないし６のいず
れか１項に記載の塗布方法。7. The coating method according to claim 1, wherein the coating liquid is removed while supplying a cleaning liquid to the peripheral portion.
させることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１
項に記載の塗布方法。8. The method according to claim 1, wherein the peripheral portion is dried after removing the coating liquid.
The coating method according to the item.
スリット部から塗液を吐出させて液膜を形成することを
特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の塗
布方法。9. The coating method according to claim 1, wherein the coating unit has a slit portion, and the coating liquid is discharged from the slit portion to form a liquid film. .
いスリット部を有し、前記スリット部から塗液を吐出さ
せ、前記スリット部の長さ方向と垂直な方向に前記塗布
手段を相対移動させて液膜を形成することを特徴とする
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の塗布方法。10. The coating means has a slit portion longer than the maximum width of the substrate, discharges a coating liquid from the slit portion, and relatively moves the coating means in a direction perpendicular to the length direction of the slit portion. The coating method according to any one of claims 1 to 8, wherein a liquid film is formed by causing the liquid film to be formed.
と、塗液を前記基板上に供給する塗布手段とを備え、前
記塗布手段を前記基板ステージに対して相対移動させな
がら前記塗布手段から塗液を前記基板ステージに保持さ
れた基板上に供給して、該基板上に液膜を形成する塗布
装置において、前記基板ステージは、基板を保持する基
板保持部と該基板保持部より高い面を有し塗液が付与さ
れる周辺部とを有しており、前記基板ステージの前記周
辺部に付与された塗液を除去する塗液除去手段を備えて
いることを特徴とする塗布装置。11. A substrate stage for holding a substrate, and a coating unit for supplying a coating liquid onto the substrate, wherein the coating unit is moved from the coating unit while the coating unit is relatively moved with respect to the substrate stage. Is supplied onto a substrate held by the substrate stage to form a liquid film on the substrate, wherein the substrate stage has a substrate holding portion for holding the substrate and a surface higher than the substrate holding portion. A coating liquid removing means for removing the coating liquid applied to the peripheral portion of the substrate stage.
着する塗液を吸収する吸液ローラーまたは吸液ブロック
と、該吸液ローラーまたは吸液ブロックを前記基板ステ
ージの前記周辺部に接触させながら前記基板ステージに
対して相対移動させる移動手段とを有することを特徴と
する請求項１１記載の塗布装置。12. The liquid-removing means includes a liquid-absorbing roller or a liquid-absorbing block that absorbs the liquid that adheres to the peripheral portion, and the liquid-absorbing roller or the liquid-absorbing block coming into contact with the peripheral portion of the substrate stage. The coating apparatus according to claim 11, further comprising: a moving unit configured to move the substrate relative to the substrate stage.
は、真空吸引手段に連通されていることを特徴とする請
求項１２記載の塗布装置。13. The coating apparatus according to claim 12, wherein the liquid absorbing roller or the liquid absorbing block is communicated with a vacuum suction unit.
ト部を有する吸引ヘッドと、該吸引ヘッドに連通された
真空吸引手段と、前記吸引ヘッドのスリット部を前記周
辺部に付着する塗液に接近させあるいは接触させながら
前記基板ステージに対して相対移動させる移動手段とを
有することを特徴とする請求項１１記載の塗布装置。14. The coating liquid removing means includes: a suction head having a slit at a tip end; a vacuum suction means connected to the suction head; and a coating liquid for attaching the slit of the suction head to the peripheral portion. 12. The coating apparatus according to claim 11, further comprising: a moving unit that moves relatively to the substrate stage while approaching or making contact with the substrate stage.
なることを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれか
１項に記載の塗布装置。15. The coating apparatus according to claim 11, wherein the substrate holding portion is formed of a non-square concave portion.
位置が前記基板ステージの前記周辺部上となるように前
記塗布手段と前記基板ステージの動作を制御することを
特徴とする請求項１１ないし１５のいずれか１項に記載
の塗布装置。16. The operation of the coating unit and the substrate stage is controlled such that a position where the coating is started and a position where the coating is ended are on the peripheral portion of the substrate stage. 16. The coating device according to any one of the above items 15.
辺部に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を有することを
特徴とする請求項１１ないし１６のいずれか１項に記載
の塗布装置。17. The coating apparatus according to claim 11, further comprising a cleaning liquid supply unit that supplies a cleaning liquid to the peripheral portion to remove the coating liquid.
燥させる乾燥手段を有することを特徴とする請求項１１
ないし１７のいずれか１項に記載の塗布装置。18. The apparatus according to claim 11, further comprising a drying unit configured to dry the peripheral portion after removing the coating liquid.
18. The coating apparatus according to any one of items 17 to 17.
スリット部から塗液を吐出させて液膜を形成することを
特徴とする請求項１１ないし１８のいずれか１項に記載
の塗布装置。19. The coating apparatus according to claim 11, wherein the coating unit has a slit, and the coating liquid is discharged from the slit to form a liquid film. .
いスリット部を有し、該スリット部から塗液を吐出さ
せ、該スリット部の長さ方向と垂直な方向に前記塗布手
段を相対移動させて液膜を形成することを特徴とする請
求項１１ないし１８のいずれか１項に記載の塗布装置。20. The coating means has a slit portion longer than the maximum width of the substrate, discharges a coating liquid from the slit portion, and relatively moves the coating means in a direction perpendicular to the length direction of the slit portion. The coating apparatus according to any one of claims 11 to 18, wherein the liquid film is formed by causing the liquid film to be formed.
に塗液の膜を形成する工程と前記塗液の膜をベーキング
する工程を含むことを特徴とする被膜の作製方法。21. A method for producing a coating film, comprising: a step of forming a coating liquid film on a substrate by the coating method according to claim 1; and a step of baking the coating liquid film.
光性膜、絶縁性膜、熱硬化性膜、光硬化性膜、および配
向膜から選択される被膜であることを特徴とする請求項
２１記載の被膜の作製方法。22. The film, wherein the film is a film selected from a water-repellent film, an oil-repellent film, a photosensitive film, an insulating film, a thermosetting film, a photocurable film, and an alignment film. A method for producing a film according to claim 21.
された平行なスリット部を有する塗布ヘッドを基板を保
持する基板ステージに対し相対移動させながら前記塗布
ヘッドから塗液を吐出させて前記基板ステージに保持さ
れた基板上に塗液の膜を形成し、該膜が形成された基板
を前記基板ステージから取り外した後に、前記基板ステ
ージ上に付着した塗液を塗液除去手段により除去し、そ
の後に次の基板に塗布を行うことを特徴とする塗布方
法。23. A coating liquid having a parallel slit portion formed by at least two blades is relatively moved with respect to a substrate stage holding a substrate, and a coating liquid is discharged from the coating head to be held on the substrate stage. Forming a film of the coating liquid on the coated substrate, removing the substrate on which the film is formed from the substrate stage, removing the coating liquid adhered on the substrate stage by a coating liquid removing unit, and thereafter, A coating method, wherein the coating is performed on a substrate.
え、前記基板ステージ上に付着した塗液を真空吸引して
除去することを特徴とする請求項２３記載の塗布方法。24. The coating method according to claim 23, wherein said coating liquid removing means includes a vacuum suction means, and removes the coating liquid attached on said substrate stage by vacuum suction.
が、非角型基板であることを特徴とする請求項２３また
は２４記載の塗布方法。25. The coating method according to claim 23, wherein the substrate held by the substrate stage is a non-square substrate.
板ステージと、少なくとも２枚のブレードにより形成さ
れた平行なスリット部を有し該スリット部から塗液を吐
出させる塗布ヘッドと、前記基板ステージ上に付着した
塗液を除去する塗液除去手段とを備え、前記塗布ヘッド
と前記基板ステージを相対移動させながら前記塗布ヘッ
ドの前記スリット部から塗液を吐出させて前記基板ステ
ージに保持された基板上に塗液の膜を形成し、その後に
前記基板ステージ上に付着する塗液を前記塗液除去手段
により除去することを特徴とする塗布装置。26. A substrate stage formed so as to hold a substrate, a coating head having a parallel slit formed by at least two blades and discharging a coating liquid from the slit, and the substrate A coating liquid removing unit that removes the coating liquid attached to the stage, ejects the coating liquid from the slit portion of the coating head while relatively moving the coating head and the substrate stage, and is held by the substrate stage. A coating liquid film is formed on the coated substrate, and thereafter, the coating liquid adhering to the substrate stage is removed by the coating liquid removing means.
ジ上に付着する塗液を吸収する吸液ローラーまたは吸液
ブロックを有し、該吸液ローラーまたは吸液ブロックを
前記基板ステージに接触させて移動させることにより前
記基板ステージ上に付着する塗液を除去することを特徴
とする請求項２６記載の塗布装置。27. The coating liquid removing means has a liquid absorbing roller or a liquid absorbing block for absorbing a coating liquid adhering on the substrate stage, and brings the liquid absorbing roller or the liquid absorbing block into contact with the substrate stage. 27. The coating apparatus according to claim 26, wherein the coating liquid attached to the substrate stage is removed by moving the coating liquid.
は、真空吸引手段に連通されていることを特徴とする請
求項２７記載の塗布装置。28. The coating apparatus according to claim 27, wherein the liquid absorbing roller or the liquid absorbing block is connected to a vacuum suction unit.
ト部を有する吸引ヘッドと、該吸引ヘッドに連通された
真空吸引手段とを備え、前記吸引ヘッドのスリット部を
前記基板ステージに付着する塗液に接近させあるいは接
触させながら前記基板ステージに対して相対移動させ、
前記基板ステージに付着する塗液を吸引除去することを
特徴とする請求項２８記載の塗布装置。29. The coating liquid removing means includes a suction head having a slit at a tip end thereof, and a vacuum suction means connected to the suction head, and attaches the slit of the suction head to the substrate stage. Move relative to the substrate stage while approaching or in contact with the coating liquid,
29. The coating apparatus according to claim 28, wherein the coating liquid attached to the substrate stage is removed by suction.
が、非角型基板であることを特徴とする請求項２６ない
し２９のいずれか１項に記載の塗布装置。30. The coating apparatus according to claim 26, wherein the substrate held by the substrate stage is a non-square substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000362097A JP2001269610A (en) | 2000-01-17 | 2000-11-29 | Coating method, coating device and method of forming coating film |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000007321 | 2000-01-17 | ||
| JP2000-7321 | 2000-01-17 | ||
| JP2000362097A JP2001269610A (en) | 2000-01-17 | 2000-11-29 | Coating method, coating device and method of forming coating film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001269610A true JP2001269610A (en) | 2001-10-02 |
Family
ID=26583598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000362097A Pending JP2001269610A (en) | 2000-01-17 | 2000-11-29 | Coating method, coating device and method of forming coating film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001269610A (en) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216253A (en) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Removing device |
| US7611581B2 (en) | 2004-11-29 | 2009-11-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus, coating method and coating-film forming apparatus |
| JP2009254926A (en) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Coating device and coating method |
| JP2012030191A (en) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Tokyo Electron Ltd | Coating apparatus, and method for priming treatment of nozzle |
| JP2012088684A (en) * | 2010-09-21 | 2012-05-10 | Dainippon Printing Co Ltd | Display front panel, production method for display front panel, display device, and production method for display device |
| JP2012110870A (en) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Shibaura Mechatronics Corp | Apparatus and method for feeding adhesive agent |
| JP2012129231A (en) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Ushio Inc | Exposure device and exposure method |
| JP2013103396A (en) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Disco Corp | Resin film forming apparatus |
| JP2014079730A (en) * | 2012-10-18 | 2014-05-08 | Asahi Glass Co Ltd | Method of manufacturing glass laminate, and method of manufacturing electronic device |
| JP2014155883A (en) * | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | Coating method for protective coating and coating forming device |
| JP2015188803A (en) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | Coating film removal method, and coating film removal device |
| JP2016213313A (en) * | 2015-05-08 | 2016-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | Coating treatment device and coating treatment method |
| WO2017104745A1 (en) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | 千住金属工業株式会社 | Fluid discharging device and fluid discharging method |
-
2000
- 2000-11-29 JP JP2000362097A patent/JP2001269610A/en active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7611581B2 (en) | 2004-11-29 | 2009-11-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus, coating method and coating-film forming apparatus |
| US8132526B2 (en) | 2004-11-29 | 2012-03-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus, coating method and coating-film forming appratus |
| US8449945B2 (en) | 2004-11-29 | 2013-05-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus, coating method and coating-film forming apparatus |
| JP2006216253A (en) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Removing device |
| JP2009254926A (en) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Coating device and coating method |
| JP2012030191A (en) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Tokyo Electron Ltd | Coating apparatus, and method for priming treatment of nozzle |
| JP2012088684A (en) * | 2010-09-21 | 2012-05-10 | Dainippon Printing Co Ltd | Display front panel, production method for display front panel, display device, and production method for display device |
| JP2012110870A (en) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Shibaura Mechatronics Corp | Apparatus and method for feeding adhesive agent |
| CN102566305A (en) * | 2010-12-13 | 2012-07-11 | 优志旺电机株式会社 | Exposure device and exposure method |
| JP2012129231A (en) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Ushio Inc | Exposure device and exposure method |
| JP2013103396A (en) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Disco Corp | Resin film forming apparatus |
| JP2014079730A (en) * | 2012-10-18 | 2014-05-08 | Asahi Glass Co Ltd | Method of manufacturing glass laminate, and method of manufacturing electronic device |
| JP2014155883A (en) * | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | Coating method for protective coating and coating forming device |
| JP2015188803A (en) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | Coating film removal method, and coating film removal device |
| JP2016213313A (en) * | 2015-05-08 | 2016-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | Coating treatment device and coating treatment method |
| WO2017104745A1 (en) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | 千住金属工業株式会社 | Fluid discharging device and fluid discharging method |
| US10932372B2 (en) | 2015-12-15 | 2021-02-23 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Fluid discharge device |
| US11259415B2 (en) | 2015-12-15 | 2022-02-22 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Method for discharging fluid |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6544590B1 (en) | Liquid coating method, apparatus and film-forming method for producing the same employing excess coating removing unit having absorbent fabric on porous structure | |
| US5939139A (en) | Method of removing coated film from substrate edge surface and apparatus for removing coated film | |
| US5985363A (en) | Method of providing uniform photoresist coatings for tight control of image dimensions | |
| JP2001269610A (en) | Coating method, coating device and method of forming coating film | |
| KR101337368B1 (en) | Coating apparatus and method of forming coating layer using the same | |
| JP3405312B2 (en) | Coating film removal device | |
| US6605153B2 (en) | Coating film forming apparatus | |
| JP2846879B2 (en) | Photoresist coating equipment for semiconductor manufacturing | |
| US20220288627A1 (en) | Spin dispenser module substrate surface protection system | |
| JP2006501691A (en) | Method and system for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus | |
| JPH07230173A (en) | Developing method and device | |
| KR20040091927A (en) | Cleaning unit, coating apparatus having the same and coating method using the same | |
| SG175574A1 (en) | Carrier for reducing entrance and/or exit marks left by a substrate-processing meniscus | |
| JPH10242110A (en) | Method and device for rotational treatment | |
| KR102304312B1 (en) | Si WAFER NOZZLE, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND MEGASONIC CLEANING MODULE | |
| JP3604987B2 (en) | Coating device and coating method | |
| JP2002059060A (en) | Application method, applicator, and method for forming coating film | |
| KR101303395B1 (en) | Preparatory photoresist discharging device for substrate coater apparatus and method of coating photoresist on substrate using same | |
| CN109991820B (en) | Device and method for removing residual water drops after immersion exposure | |
| US6992023B2 (en) | Method and system for drying semiconductor wafers in a spin coating process | |
| JP3266229B2 (en) | Processing method | |
| US20040149322A1 (en) | Automatically-adjusting substrate rinsing system | |
| JPH11186123A (en) | Development of photosensitive film formed on wafer | |
| KR100943324B1 (en) | Slit coater and coting method using coating liquid | |
| JPH05228413A (en) | Coating device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050201 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050701 |