JP2002059060A - Application method, applicator, and method for forming coating film - Google Patents

Application method, applicator, and method for forming coating film

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JP2002059060A
JP2002059060A JP2000250980A JP2000250980A JP2002059060A JP 2002059060 A JP2002059060 A JP 2002059060A JP 2000250980 A JP2000250980 A JP 2000250980A JP 2000250980 A JP2000250980 A JP 2000250980A JP 2002059060 A JP2002059060 A JP 2002059060A
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Japan
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substrate
coating
film
liquid
stage
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Application number
JP2000250980A
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Japanese (ja)
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Yasuhito Kodera
泰人 小寺
Fumikazu Kobayashi
史和 小林
Toshinori Furusawa
俊範 古澤
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Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that, in a conventional application method, uniformity in the surface of a formed liquid film is not enough, especially the difference between the liquid film thickness at the end part of a substrate and the film thickness at the middle part of the substrate is apt to occur to cause the nonuniformity of the film thickness, and the inclusion of bubbles and the breakage of the film are generated dependently on the thickness of the substrate and the material of the film. SOLUTION: In an application method in which, while an application means 2 is moved relatively to a substrate stage 1 for holding the substrate W, and a coating liquid P is supplied from the application means 2 to the substrate W held on the substrate stage 1 to form a coating film on the substrate, the substrate is mounted on the substrate holding part 5 of the substrate stage 1 having the substrate holding part 5 and peripheral parts 1A-1C which can move vertically in relation to the substrate holding part 5, the position of the substrate holding part 5 in relation to the peripheral parts 1A-1C is decided by a change means 5A for changing the height of the substrate, and the liquid film is formed so that an application range covers the peripheral parts.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
や半導体デバイス等の電子デバイスの製造過程における
液膜を形成するための液膜の塗布方法、塗布装置及び被
膜の作製方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of applying a liquid film for forming a liquid film in a process of manufacturing an electronic device such as a liquid crystal display or a semiconductor device, a coating apparatus, and a method of forming a film.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶ディスプレイや半導体デバイス等の
製造過程においては、各種の被膜を形成する工程があ
る。このような被膜としては、例えば、ホトリソグラフ
ィーに用いられるホトレジスト等の感光性被膜、液晶デ
ィスプレイにおける配向膜やカラーフィルターの着色
膜、半導体デバイスにおける層間絶縁膜などである。
2. Description of the Related Art In a process of manufacturing a liquid crystal display, a semiconductor device, or the like, there is a step of forming various kinds of films. Examples of such a film include a photosensitive film such as a photoresist used for photolithography, an alignment film in a liquid crystal display, a colored film of a color filter, and an interlayer insulating film in a semiconductor device.

【0003】これらの被膜は、スピンコート法で形成さ
れた塗液の膜(液膜)から作製されてきたが、最近では
液膜の形成方法の一つとして、ダイコート法が注目され
ている。ダイコート法は、2枚のダイブレードを用い1
0〜100μm程度の平行なエッジによりスリット部を
形成した塗布ヘッド(ダイヘッド)を用いて、このスリ
ット部より塗液を圧送またはポンプ等で押し出して、吐
出させ、平らなガラスや半導体ウエハ等の基板に塗液を
直接塗布して液膜を形成する方法であり、スリットコー
ト法と呼ばれることもある。
[0003] These coatings have been produced from a coating liquid film (liquid film) formed by a spin coating method, but recently, a die coating method has attracted attention as one of the liquid film forming methods. The die coating method uses two die blades,
Using a coating head (die head) having slits formed by parallel edges of about 0 to 100 μm, the coating liquid is extruded from the slits by pressure feeding or a pump or the like, and discharged, and flat glass or a substrate such as a semiconductor wafer or the like is discharged. Is a method of forming a liquid film by directly applying a coating liquid to a liquid, and is sometimes referred to as a slit coating method.

【0004】ダイコート法(スリットコート法)やその
ための装置は、特開平10−012710号公報、特開
平11−090295号公報などに記載されている。
[0004] A die coating method (slit coating method) and an apparatus therefor are described in JP-A-10-012710 and JP-A-11-090295.

【0005】このダイコート法は、従来から用いられて
いるスピンコート法に比べて使用する塗液の使用量を格
段に減らすことができ、また、角型基板を用いる液晶デ
ィスプレイでは基板の必要な部分のみに液膜を形成する
ことができるなどのメリットがある。
[0005] The die coating method can greatly reduce the amount of a coating liquid to be used, as compared with a conventionally used spin coating method. In addition, in a liquid crystal display using a rectangular substrate, a necessary portion of the substrate is required. There is an advantage such that a liquid film can be formed only on this.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たダイコート法は、液晶ディスプレイ等で用いられるガ
ラス基板に代表される角型基板には適しているが、塗液
を吐出する塗布ヘッドの構造上、シリコンウエハや記録
ディスク等の円形の非角形基板に対しては、基板上のみ
への塗布は難しかった。
However, the above-mentioned die coating method is suitable for a rectangular substrate typified by a glass substrate used in a liquid crystal display or the like, but is not suitable for the structure of a coating head for discharging a coating liquid. It has been difficult to apply a circular non-square substrate such as a silicon wafer or a recording disk only to the substrate.

【0007】又、従来の塗布方法では、角型基板、非角
型基板にかかわらず、形成される液膜の面内均一性が不
十分であり、とくに基板の端部上における液膜の厚さが
基板の中央部上の液膜の厚さと相違する膜厚むらが生じ
易かった。
In addition, in the conventional coating method, the in-plane uniformity of the formed liquid film is insufficient irrespective of the square substrate or the non-square substrate, and especially the thickness of the liquid film on the edge of the substrate is insufficient. However, unevenness in film thickness different from the thickness of the liquid film on the central portion of the substrate was likely to occur.

【0008】更には、基板の厚さや、液膜の材料や厚さ
によっては、気泡の抱きこみや、液膜の破断が生じるこ
とがあった。
Furthermore, depending on the thickness of the substrate and the material and thickness of the liquid film, there are cases where bubbles are entrapped or the liquid film is broken.

【0009】本発明の別の目的は、従来よりも基板面内
における膜厚均一性に優れた液膜又は被膜が形成できる
液膜の塗布方法、液膜の塗布装置及び被膜の形成方法を
提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a liquid film coating method, a liquid film coating apparatus, and a film forming method capable of forming a liquid film or a film having better film thickness uniformity in a substrate surface than in the past. Is to do.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の液膜の塗布方法
は、基板を保持する為の基板ステージに対して塗布手段
を相対移動させながら、前記塗布手段から前記基板ステ
ージに保持された基板上に塗液を供給して前記基板上に
前記塗液の膜を形成する塗布方法において、基板保持部
と前記基板保持部に対して相対的に昇降し得る周辺部と
を有する前記基板ステージの前記基板保持部上に前記基
板を載置する工程、前記周辺部に対する前記基板保持部
の相対的な位置を定める工程、塗布範囲が前記周辺部上
に及ぶように前記膜を形成する工程、を含むことを特徴
とする。
According to the present invention, there is provided a method for coating a liquid film, the method comprising: moving a coating means relative to a substrate stage for holding a substrate; In a coating method of supplying a coating liquid on the substrate to form a film of the coating liquid on the substrate, the substrate stage having a substrate holding portion and a peripheral portion that can be moved up and down relatively to the substrate holding portion. Placing the substrate on the substrate holding portion, determining the relative position of the substrate holding portion with respect to the peripheral portion, forming the film so that the coating range extends over the peripheral portion, It is characterized by including.

【0011】本発明の液膜の塗布装置は、基板を保持す
る為の基板ステージと、塗液を前記基板上に供給する塗
布手段と、を備え、前記塗布手段と前記基板ステージを
相対移動させながら前記塗布手段から塗液を前記基板ス
テージに保持された基板上に供給して、前記基板上に前
記塗液の膜を形成する塗布装置において、前記基板ステ
ージは、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保
持部に対して相対的に昇降し得、塗液が付与される周辺
部とを有しており、前記周辺部と前記基板保持部との相
対的な位置を変更する為の変更手段を備えていることを
特徴とする。
The liquid film coating apparatus of the present invention includes a substrate stage for holding a substrate, and coating means for supplying a coating liquid onto the substrate, and moves the coating means and the substrate stage relative to each other. In the coating apparatus, the coating liquid is supplied from the coating unit onto the substrate held on the substrate stage to form a film of the coating liquid on the substrate. In the coating apparatus, the substrate stage holds the substrate. And a peripheral portion which can be moved up and down relative to the substrate holding portion and to which a coating liquid is applied, in order to change a relative position between the peripheral portion and the substrate holding portion. Is provided.

【0012】本発明の被膜の作製方法は、上述した塗布
方法により基板上に前記塗液の膜を形成する工程、前記
塗液の膜をベーキングする工程を含むことを特徴とす
る。
[0012] A method for producing a coating film according to the present invention is characterized by comprising a step of forming a film of the coating liquid on a substrate by the above-mentioned coating method and a step of baking the coating liquid film.

【0013】(作用)本発明によれば、基板に液膜を塗
布する場合に、基板の被成膜面に近い高さの面を有する
基板ステージの周辺部上も塗布範囲内になるように塗液
を塗布することにより基板の端部上における膜厚むらの
発生を抑制することができる。
(Function) According to the present invention, when a liquid film is applied to a substrate, the liquid is applied so that the periphery of the substrate stage having a surface close to the surface on which the film is to be formed is also within the application range. By applying the coating liquid, it is possible to suppress the occurrence of uneven film thickness on the edge of the substrate.

【0014】そして、基板保持部と周辺部との相対的な
位置を調整できるので、基板の端部における気泡の抱き
込みや、液膜の破断を防止することができる。
Since the relative position between the substrate holding portion and the peripheral portion can be adjusted, it is possible to prevent air bubbles from being caught at the edge of the substrate and breakage of the liquid film.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0016】ダイコート法に代表される塗布方法は、角
型基板には適しているが、シリコンウエハや記録ディス
ク等の円形の非角形基板に対しては、塗液を吐出する塗
布ヘッドの構造上、円形基板上のみへの塗布は難しかっ
た。
A coating method typified by a die coating method is suitable for a square substrate, but is applied to a circular non-square substrate such as a silicon wafer or a recording disk due to the structure of a coating head for discharging a coating liquid. However, it was difficult to apply only on a circular substrate.

【0017】又、角型基板、非角型基板にかかわらず、
基板上に形成される液膜の面内均一性が不十分であり、
とくに基板端部上における液膜の厚さが基板中央部上の
液膜の厚さと相違する膜厚むらが生じ易かった。
[0017] Regardless of the square substrate and the non-square substrate,
The in-plane uniformity of the liquid film formed on the substrate is insufficient,
In particular, the thickness of the liquid film on the edge of the substrate is likely to be uneven, which is different from the thickness of the liquid film on the center of the substrate.

【0018】そこで、基板ステージの周辺部の高さを高
くして、基板の被成膜面に基板ステージの周辺部の上面
を近づけ、塗布範囲が基板ステージの周辺部にまで及ぶ
ように塗液を塗布することにより、基板上に形成された
液膜の厚さの均一性を高めることができた。
Therefore, the height of the peripheral portion of the substrate stage is increased, the upper surface of the peripheral portion of the substrate stage is brought close to the surface on which the film is to be formed on the substrate, and the coating solution is extended so as to extend to the peripheral portion of the substrate stage. Was applied, the uniformity of the thickness of the liquid film formed on the substrate could be improved.

【0019】しかし、周辺部に対する基板の被成膜面の
相対的な位置によっては、液膜と基板との間に気泡を抱
き込んだり、液膜が基板の端面で破断し望ましくない形
状になることがある。
However, depending on the relative position of the film deposition surface of the substrate with respect to the peripheral portion, bubbles may be trapped between the liquid film and the substrate, or the liquid film may break at the end surface of the substrate to have an undesirable shape. Sometimes.

【0020】例えば、基板の被成膜面が周辺部の上面よ
り低い位置にあると気泡を抱き込みや易くなり、逆に高
い位置にあると液膜の破断を生じ易くなる。そして、基
板の被成膜面と周辺部上面の相対的な高低関係、即ち基
板の表面の法線方向の相対位置の最適条件は、塗布しよ
うとする塗液の物性(例えば粘度など)や液膜の厚さな
どに依存する。
For example, if the film formation surface of the substrate is at a position lower than the upper surface of the peripheral portion, it is easy to embrace bubbles, and if it is at a higher position, the liquid film is liable to break. The relative height relationship between the film-forming surface of the substrate and the upper surface of the peripheral portion, that is, the optimum condition of the relative position in the normal direction of the surface of the substrate depends on the physical properties (for example, viscosity) of the coating liquid to be applied and the liquid. It depends on the thickness of the film.

【0021】そこで、本発明は、基板ステージの周辺部
と基板保持部とを相対的に昇降可能に構成し、それらの
相対的な位置を変更し、調整することができる変更手段
を設けることにより、気泡の抱きこみや液膜の破断を生
じさせずに、均一な厚さで液膜を形成できるようにした
ものである。
Therefore, the present invention provides a structure in which the peripheral portion of the substrate stage and the substrate holding portion can be moved up and down relatively, and a change means capable of changing and adjusting their relative positions is provided. In addition, the liquid film can be formed with a uniform thickness without entrapping bubbles or breaking the liquid film.

【0022】(実施形態1)図1は、本発明に基づく液
膜の塗布装置の一実施の形態の概略構成を示す斜視図、
図2は、その断面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of an embodiment of a liquid film coating apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a sectional view thereof.

【0023】図3は、本発明に基づくダイコート法によ
る液膜形成および液除去工程を示す概略的な工程図であ
る。
FIG. 3 is a schematic flow chart showing a liquid film forming and liquid removing step by the die coating method according to the present invention.

【0024】本発明に基づく液膜の塗布装置は、図1、
2に示すように、ウエハ等の略円板状の基板Wを保持す
る基板ステージ1と、基板ステージ1に保持された基板
Wに塗液を塗布する塗布手段2と、を備えている。
The liquid film coating apparatus according to the present invention is shown in FIG.
As shown in FIG. 2, a substrate stage 1 for holding a substantially disk-shaped substrate W such as a wafer, and an application unit 2 for applying a coating liquid to the substrate W held on the substrate stage 1 are provided.

【0025】基板ステージ1は、基板Wを載せる部分が
凹部となるように構成されている。この凹部は、基板W
を保持するために基板Wのサイズに略相当する大きさで
かつ基板Wの被成膜面が基板ステージ1の周辺部の表面
1A、1B、1Cに略一致するような深さを有し得るよう
に、基板ステージ1の周辺部1A、1B、1Cと基板保
持部5とにより、形成されている。
The substrate stage 1 is configured such that a portion on which the substrate W is placed is a concave portion. This recess is formed on the substrate W
In order to hold the substrate W, the substrate W may have a depth substantially corresponding to the size of the substrate W and a depth such that the film formation surface of the substrate W substantially coincides with the peripheral surfaces 1A, 1B, and 1C of the substrate stage 1. As described above, the peripheral part 1A, 1B, 1C of the substrate stage 1 and the substrate holding part 5 are formed.

【0026】この凹部は、例えば厚さ約0.625m
m、直径約125mmのウエハ(所謂5インチウエハ)
に塗布を行なう場合には、そのウエハのサイズに相当す
る大きさ(直径約125mm、深さ約0.625mm)
となる。
This recess has a thickness of, for example, about 0.625 m.
m, about 125 mm diameter wafer (so-called 5-inch wafer)
When coating is performed on a wafer, a size corresponding to the size of the wafer (diameter: about 125 mm, depth: about 0.625 mm)
Becomes

【0027】また、必要に応じて、基板ステージ1には
基板Wを基板保持部5に密着保持させるように基板保持
部5に連通する吸引孔6が設けられており、吸引孔6は
吸引管7をして真空ポンプのような吸引源7Aに接続さ
れる。
Further, if necessary, the substrate stage 1 is provided with a suction hole 6 communicating with the substrate holding portion 5 so as to hold the substrate W in close contact with the substrate holding portion 5. 7 and is connected to a suction source 7A such as a vacuum pump.

【0028】基板保持部5は、基板ステージ周辺部に対
して相対的に昇降可能に構成されており、後述するモー
ター、油圧シリンダー、エアシリンダーなどの昇降手段
(変更手段)5Aによって駆動される。
The substrate holding unit 5 is configured to be able to move up and down relatively with respect to the periphery of the substrate stage, and is driven by elevating means (change means) 5A such as a motor, a hydraulic cylinder, and an air cylinder, which will be described later.

【0029】昇降手段5Aにより、基板保持部5の上面
と周辺部の上面1A〜1Cとの相対的な高低関を適宜変
更することができる。即ち、不図示の制御装置から制御
信号を昇降手段に伝達することにより、基板保持部5上
に載置された基板表面の法線方向における基板保持部5
の位置を調整できるようになっている。
The relative elevation between the upper surface of the substrate holding portion 5 and the upper surfaces 1A to 1C of the peripheral portion can be appropriately changed by the elevating means 5A. That is, by transmitting a control signal from a control device (not shown) to the lifting / lowering means, the substrate holding unit 5 in the direction normal to the surface of the substrate placed on the substrate holding unit 5 is transmitted.
Position can be adjusted.

【0030】図1、2の実施形態では、昇降手段5によ
り基板保持部5を上下に昇降できる構成を図示している
が、基板保持部5を固定して周辺部1A〜1Cを上下に昇
降可能に構成しても良いし、両者を共に昇降可能に構成
してもよい。
In the embodiment of FIGS. 1 and 2, the structure in which the substrate holder 5 can be moved up and down by the elevating means 5 is shown. However, the substrate holder 5 is fixed and the peripheral parts 1 A to 1 C are moved up and down. It may be configured to be able to move up or down.

【0031】塗布手段2は、基板Wに塗液を塗布する塗
布ヘッド(ダイヘッド)8と塗布ヘッド8へ塗液を供給
する塗液供給源9Aと塗布ヘッド8と塗液供給源9Aを
接続する液供給路9とから構成されている。
The coating means 2 connects a coating head (die head) 8 for coating the substrate W with the coating liquid, a coating liquid supply source 9A for supplying the coating liquid to the coating head 8, and the coating head 8 and the coating liquid supply source 9A. And a liquid supply path 9.

【0032】ここで用いられている塗布ヘッド8は、少
なくとも2枚のブレード8A、8Bにより形成された長
さ10μm〜100μmのスリット部8Cを有し、この
スリット部8Cは、塗液を塗布する基板Wの最大幅(こ
こではウエハの直径に相当)よりやや長い長さをもって
形成されている。また、塗布ヘッド8は、基板ステージ
1の周辺部の表面1Aから僅か上方に離間して位置付け
ることができるように上下方向に調整可能に設けられ、
さらに、基板ステージ1に対して相対的に平行移動する
ことができるように構成されている。
The coating head 8 used here has a slit 8C having a length of 10 μm to 100 μm formed by at least two blades 8A and 8B, and the slit 8C applies a coating liquid. It is formed with a length slightly longer than the maximum width of the substrate W (corresponding to the diameter of the wafer in this case). The coating head 8 is provided so as to be adjustable in the vertical direction so that the coating head 8 can be positioned slightly apart from the surface 1A of the peripheral portion of the substrate stage 1, and
Furthermore, it is configured to be able to translate relatively to the substrate stage 1.

【0033】これにより、塗布ヘッド8と基板ステージ
1とを基板Wの被成膜面に沿って相対的に平行移動させ
ながら、スリット部8Cから塗液を吐出させることによ
って、基板ステージ1に吸着保持されている基板Wの上
面全面に塗液を塗布して基板W上に液膜を形成すること
ができる。
Thus, the coating liquid is discharged from the slit 8C while the coating head 8 and the substrate stage 1 are relatively moved in parallel along the surface on which the substrate W is to be formed, so that the substrate stage 1 is attracted. A liquid film can be formed on the substrate W by applying the coating liquid on the entire upper surface of the held substrate W.

【0034】次に、以上のように構成された塗布装置を
用いて、基板ステージに吸着保持された基板に塗液を塗
布して液膜を形成する態様を図3に示す工程図に沿って
説明する。
Next, an embodiment in which a coating film is formed by applying a coating liquid to the substrate held by suction on the substrate stage by using the coating apparatus having the above-described structure will be described with reference to the process chart shown in FIG. explain.

【0035】先ず、図3の(a)に示すように、基板ス
テージ1の基板保持部5の底面上に半導体ウエハや記録
ディスク等の基板Wを載置して、真空吸引源7Aを作動
させ吸引孔6内を大気圧より低い圧力に減圧して基板W
を基板保持部5に吸着して、基板Wを基板ステージ1に
保持する。このとき、吸着前及び/又は吸着後に、基板
Wの被成膜面が基板ステージ1の周辺部の表面1A、1B
と同一平面となるように、基板保持部5を上下に昇降さ
せて、位置を調整する。
First, as shown in FIG. 3A, a substrate W such as a semiconductor wafer or a recording disk is placed on the bottom surface of the substrate holder 5 of the substrate stage 1, and the vacuum suction source 7A is operated. The pressure in the suction hole 6 is reduced to a pressure lower than the atmospheric pressure, and the substrate W
Is attracted to the substrate holding unit 5 to hold the substrate W on the substrate stage 1. At this time, before and / or after the suction, the film formation surface of the substrate W is moved to the surfaces 1A and 1B of the peripheral portion of the substrate stage 1.
The substrate holder 5 is moved up and down so as to be on the same plane as above, and the position is adjusted.

【0036】次いで、図3の(b)に示すように、塗布
手段2を作動させ、塗布ヘッド8のスリット部8Cから
塗液Pを吐出させながら、塗布ヘッド8を基板ステージ
1上の基板Wの被成膜面に沿ってスリット部8Cの長さ
方向と垂直な方向に移動させて、基板Wの被成膜面全面
を含む領域に塗液Pの塗布を行なう。
Next, as shown in FIG. 3B, the application unit 2 is operated to discharge the coating liquid P from the slit portion 8C of the coating head 8 and to move the coating head 8 onto the substrate W on the substrate stage 1. The coating liquid P is applied to a region including the entire surface of the substrate W on which the film is to be formed by moving the slit portion 8C in a direction perpendicular to the length direction of the slit portion 8C.

【0037】このとき、図示したように塗布範囲が周辺
部にも及ぶように塗液を塗布する。
At this time, the coating liquid is applied so that the coating range extends to the peripheral portion as shown in the figure.

【0038】とりわけ、図示したように塗布開始位置を
基板ステージの周辺部1Bの表面として、基板Wの縁部
までの助走距離を設け、又、塗布終了位置を基板ステー
ジの周辺部1Aの表面として、基板Wの縁部からの延長
距離を設けるとよい。
In particular, as shown in the figure, the coating start position is set as the surface of the peripheral portion 1B of the substrate stage, the approach distance to the edge of the substrate W is set, and the coating end position is set as the surface of the peripheral portion 1A of the substrate stage. , An extension distance from the edge of the substrate W may be provided.

【0039】又、これとは別に、図示したようにスリッ
ト部8Cの長さを、基板Wのスリット部の走査方向の最
大幅(ここでは円形基板の直径)より長くして、ヘッド
の移動方向に対して基板Wの両側にある基板ステージの
周辺部1Cにも塗液が塗布されるようにすることも好ま
しいものである。
Separately, as shown in the figure, the length of the slit portion 8C is made longer than the maximum width of the slit portion of the substrate W in the scanning direction (here, the diameter of the circular substrate), so that the head moves in the moving direction. On the other hand, it is also preferable that the coating liquid is applied to the peripheral portion 1C of the substrate stage on both sides of the substrate W.

【0040】そして、基板ステージの周辺部1A、1
B、1Cの表面と基板Wの被成膜面全面に塗液Pが付与
されるようにすれば、より一層好ましいものである。
Then, the peripheral portions 1A, 1
It is even more preferable that the coating liquid P is applied to the surfaces B and 1C and the entire surface of the substrate W on which the film is formed.

【0041】塗布後は真空吸引源7Aによる基板Wの吸
着動作を解除して、吸引孔6内を大気圧に戻し、基板W
を基板ステージ1の基板保持部5から取り出す。
After the application, the suction operation of the substrate W by the vacuum suction source 7A is released, and the inside of the suction hole 6 is returned to the atmospheric pressure.
Is taken out of the substrate holding unit 5 of the substrate stage 1.

【0042】吸着動作解除前に、基板の裏面が周辺部よ
り高くなる位置まで基板保持部5を上昇させることによ
り、基板Wを基板ステージ1の基板保持部5から取り出
し易くしてもよい。更には、基板保持部から基板を離す
べく、基板保持部を介して昇降し得るリフト部材を設け
ることも好ましいものである。
Before the suction operation is released, the substrate W may be easily taken out from the substrate holding portion 5 of the substrate stage 1 by raising the substrate holding portion 5 to a position where the back surface of the substrate is higher than the peripheral portion. Further, it is also preferable to provide a lift member that can move up and down through the substrate holding unit so as to separate the substrate from the substrate holding unit.

【0043】こうして、上面全面に液膜が形成された基
板Wが得られる。
Thus, a substrate W having a liquid film formed on the entire upper surface is obtained.

【0044】又、基板Wが取り除かれた後の基板ステー
ジ1の周辺部には塗液が付着しているので、次の処理の
ために、それを除去することが望ましい。
Further, since the coating liquid adheres to the peripheral portion of the substrate stage 1 after the removal of the substrate W, it is desirable to remove it for the next processing.

【0045】形成される液膜の端部が基板ステージの周
辺部の表面上に位置するように、塗液を塗布することに
より、基板Wの被成膜面には均一な液膜が形成できる。
図4を参照して、この様子を説明する。
A uniform liquid film can be formed on the film-forming surface of the substrate W by applying the coating liquid such that the edge of the liquid film to be formed is located on the surface of the peripheral portion of the substrate stage. .
This will be described with reference to FIG.

【0046】図4の(a)は、基板ステージ1の周辺部
1Aおよび1Bの表面が、基板Wの表面より基板の厚さ
分、低い位置にある構成のステージ上に基板を載置し
て、基板Wの被成膜面にのみ液膜塗布した場合の様子を
示す模式的断面図である。
FIG. 4A shows a peripheral portion of the substrate stage 1.
A state in which a substrate is placed on a stage having a configuration in which the surfaces of 1A and 1B are lower than the surface of the substrate W by the thickness of the substrate, and a liquid film is applied only to the film formation surface of the substrate W FIG.

【0047】これに対して、図4の(b)は、基板ステ
ージ1の周辺部1Aおよび1Bの表面が、基板Wの表面と
ほぼ同一平面にある構成のステージ上に基板を載置し
て、基板Wの被成膜面とともに周辺部1A、1Bの表面
にも液膜を形成した場合の様子を示す模式的断面図であ
る。
On the other hand, FIG. 4B shows a state in which the substrate is placed on a stage in which the surfaces of the peripheral portions 1A and 1B of the substrate stage 1 are substantially flush with the surface of the substrate W. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a liquid film is formed on the surfaces of peripheral portions 1A and 1B together with the film-forming surface of a substrate W.

【0048】いずれの場合も、液膜の端部P1における
膜厚は、液膜の中央部P2における膜厚より厚くなって
いる。(a)の場合は厚い部分P1が基板Wの端部上に
配されてしまうのに対して、(b)の場合は液膜の厚い
部分P1は基板ステージの周辺部1A,1Bの上に配さ
れるので、基板Wの端部上の液膜の厚さは基板Wの中央
部の液膜の厚さと同じになる。こうして、基板W表面全
面に均一な液膜を形成することができる。
In any case, the film thickness at the end P1 of the liquid film is larger than the film thickness at the center P2 of the liquid film. In the case of (a), the thick portion P1 is disposed on the end of the substrate W, whereas in the case of (b), the thick portion P1 of the liquid film is located on the peripheral portions 1A and 1B of the substrate stage. As a result, the thickness of the liquid film on the edge of the substrate W is the same as the thickness of the liquid film on the center of the substrate W. Thus, a uniform liquid film can be formed on the entire surface of the substrate W.

【0049】好ましくは、基板Wの表面と、基板ステー
ジの周辺部の表面とが、できるかぎり、同一平面になる
ようにして、周辺部と基板との境界で、液膜が気泡を抱
き込んだり、液膜が破断ないし分断しないようにするこ
とが望ましい。塗液の粘度や液膜の厚さにも依存する
が、基板の被成膜面に対し周辺部の上面が+10μm〜
−200μm程度の差であれば、この分野に用いられる
塗液を塗布する場合に気泡の抱きこみや液膜の分断を防
ぐことができる。こうして、面内における厚さが均一な
液膜を形成することが可能となる。
Preferably, the surface of the substrate W and the surface of the peripheral portion of the substrate stage are as flush as possible, so that the liquid film embraces bubbles at the boundary between the peripheral portion and the substrate. It is desirable that the liquid film does not break or break. Although it depends on the viscosity of the coating solution and the thickness of the liquid film, the upper surface of the peripheral portion with respect to the film formation surface of the substrate is +10 μm or more.
If the difference is about -200 μm, it is possible to prevent entrapped air bubbles and disruption of the liquid film when applying a coating liquid used in this field. Thus, it is possible to form a liquid film having a uniform thickness in the plane.

【0050】液膜の材料や基板表面の材料によっては、
高低差を付けた方が、むしろ好ましい場合もあるかもし
れない。その場合にも、昇降手段により、所定の高低差
が得られるように、基板保持部の位置を調整すればよ
い。
Depending on the material of the liquid film and the material of the substrate surface,
In some cases, it may be preferable to make a difference in elevation. Also in this case, the position of the substrate holding section may be adjusted by the elevating means so that a predetermined height difference is obtained.

【0051】このように基板の被成膜面と基板ステージ
の周辺部上面との相対位置を所望の位置にするには、±
3μm程度の精度で基板保持部を昇降できることが望ま
しい。このような高い精度の調整は後述するようにサー
ボモーターやステッピングモーター用いれば、十分可能
である。
In order to set the relative position between the film formation surface of the substrate and the upper surface of the peripheral portion of the substrate stage as described above, ±
It is desirable that the substrate holder can be moved up and down with an accuracy of about 3 μm. Such a high-accuracy adjustment can be sufficiently performed by using a servo motor or a stepping motor as described later.

【0052】(実施形態2)次に、本発明の液膜の塗布
装置の他の実施形態について、図5、6を参照して説明
する。図5は、塗布装置の基板ステージの模式的斜視
図、図6はその断面図である。
(Embodiment 2) Next, another embodiment of the liquid film coating apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a schematic perspective view of a substrate stage of the coating apparatus, and FIG. 6 is a sectional view thereof.

【0053】基板ステージ1は、支持台20の上に支持
柱21によって支持されている。基板保持部5は基板ス
テージ周辺部1A〜1Cに対して相対的に昇降可能に構成
されている。
The substrate stage 1 is supported on a support 20 by support columns 21. The substrate holding unit 5 is configured to be able to move up and down relatively to the substrate stage peripheral parts 1A to 1C.

【0054】基板保持部5には、その下方に、ギア23
に係合する可動部材24と中空部を有する可動部材26
が固定されている。可動部材24にはアーム27によっ
て可動ガイド部材25が固定されている。支持台20に
は、サーボモーターまたはステッピングモーターなどの
モーター(駆動源)22と、軸受け28が設けられてい
る。モーター22が回転するとギア23が回転し、それ
に係合する可動部材24がギア23の回転軸に沿って上
下に移動する力を受ける。このとき可動ガイド部材25
は、支持台20と基板ステージ周辺部とに固定されたリ
ニアガイド29によって案内されて上下に移動するの
で、これとともに可動部材24、26、基板保持部5が
上下に移動する。
The substrate holder 5 has a gear 23 below it.
And movable member 24 having a hollow portion
Has been fixed. A movable guide member 25 is fixed to the movable member 24 by an arm 27. The support 20 is provided with a motor (drive source) 22 such as a servo motor or a stepping motor, and a bearing 28. When the motor 22 rotates, the gear 23 rotates, and the movable member 24 engaged with the gear 23 receives a force to move up and down along the rotation axis of the gear 23. At this time, the movable guide member 25
Is moved up and down by being guided by a linear guide 29 fixed to the support base 20 and the peripheral portion of the substrate stage, and accordingly, the movable members 24 and 26 and the substrate holding unit 5 move up and down.

【0055】モーター22は、制御装置22Aによっ
て、その動作を制御され、オペレーターの指示を受けた
制御装置22Aが所定の制御信号あるいは駆動信号をモ
ーター22に送り、基板保持部5を適切な高さになるま
で昇降させる。
The operation of the motor 22 is controlled by the control device 22A. The control device 22A, which has received an instruction from the operator, sends a predetermined control signal or drive signal to the motor 22, and moves the substrate holder 5 to an appropriate height. Raise and lower until.

【0056】本実施形態において、基板ステージに吸着
保持された基板に塗液を塗布して液膜を形成する過程
は、前述した実施形態と同様に行なわれる。即ち、基板
ステージ1の基板保持部5に基板Wを載せ、吸引孔6内
を負圧にして基板Wを吸着保持する。
In the present embodiment, the process of applying a coating liquid to the substrate held by suction on the substrate stage to form a liquid film is performed in the same manner as in the above-described embodiment. That is, the substrate W is placed on the substrate holding unit 5 of the substrate stage 1, and the inside of the suction hole 6 is set to a negative pressure to suck and hold the substrate W.

【0057】そして、モーター22の動作によって、基
板Wを昇降させて適切な位置に定め、塗布手段2(図
5、6には不図示)により基板Wの全面を含む範囲に塗
液Pを塗布する。その後に、基板Wを取り出し易い位置
にまで上昇させて、真空吸引源7Aを停止させて吸引孔
6内を大気圧に戻して基板Wを解放し、基板Wを基板保
持部5上から取り出すことにより、全表面に液膜が形成
された基板Wが得られる。
Then, the substrate W is moved up and down by the operation of the motor 22 so as to be positioned at an appropriate position, and the coating liquid P is applied to the area including the entire surface of the substrate W by the coating means 2 (not shown in FIGS. 5 and 6). I do. After that, the substrate W is raised to a position where it can be easily taken out, the vacuum suction source 7A is stopped, and the suction hole is removed.
The inside of the substrate 6 is returned to the atmospheric pressure, the substrate W is released, and the substrate W is taken out from the substrate holding part 5, whereby the substrate W having a liquid film formed on the entire surface is obtained.

【0058】(実施形態3)次に、本発明の液膜の塗布
装置の更に他の実施形態について、図7、8を参照して
説明する。図7は、塗布装置の基板ステージの模式的斜
視図、図8はその断面図である。
(Embodiment 3) Next, still another embodiment of the liquid film coating apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a schematic perspective view of a substrate stage of the coating apparatus, and FIG. 8 is a sectional view thereof.

【0059】基板ステージ1は、支持台20の上に支持
柱21によって支持されている。基板保持部5は基板ス
テージ周辺部1A〜1Cに対して相対的に昇降可能に構成
されている。
The substrate stage 1 is supported on a support 20 by support columns 21. The substrate holding unit 5 is configured to be able to move up and down relatively to the substrate stage peripheral parts 1A to 1C.

【0060】基板保持部5には、その下方に、下斜面を
有する可動ブロック34が取り付けられている。支持台
20には、上斜面を有する可動ブロック33とそれを基
板と平行に移動させるモーター31とが取り付けられて
おり、可動ブロック33の移動に応じて、可動ブロック
34が基板保持部5とともに上下に移動するように構成
されている。
A movable block 34 having a lower slope is attached below the substrate holding unit 5. A movable block 33 having an upper inclined surface and a motor 31 for moving the movable block 33 in parallel with the substrate are attached to the support base 20, and the movable block 34 moves up and down together with the substrate holding unit 5 in accordance with the movement of the movable block 33. It is configured to move to.

【0061】モーター31は、制御装置31Aによっ
て、その動作を制御され、オペレーターの指示を受けた
制御装置31Aが所定の制御信号あるいは駆動信号をモ
ーター31に送り、基板保持部5を適切な高さになるま
で昇降させる。
The operation of the motor 31 is controlled by the control device 31A, and the control device 31A, which has received an instruction from the operator, sends a predetermined control signal or drive signal to the motor 31, and raises the substrate holder 5 to an appropriate height. Raise and lower until.

【0062】本実施形態において、基板ステージに吸着
保持された基板に塗液を塗布して液膜を形成する過程
は、前述した実施形態と同様に行なわれる。即ち、基板
ステージ1の基板保持部5に基板Wを載せ、吸引孔6内
を負圧にして基板Wを吸着保持する。
In this embodiment, the process of forming a liquid film by applying a coating liquid to the substrate held by suction on the substrate stage is performed in the same manner as in the above-described embodiment. That is, the substrate W is placed on the substrate holding unit 5 of the substrate stage 1, and the inside of the suction hole 6 is set to a negative pressure to suck and hold the substrate W.

【0063】そして、モーター31の動作によって、基
板Wを昇降させて適切な位置に定め、塗布手段2(図
7、8には不図示)により基板Wの全面を含む範囲に塗
液Pを塗布する。その後に、基板Wを取り出し易い位置
にまで上昇させて、真空吸引源7Aを停止させて吸引孔
6内を大気圧に戻して基板Wを解放し、基板Wを基板保
持部5上から取り出すことにより、全表面に液膜が形成
された基板Wが得られる。本発明においては、ガラス基
板のような角型基板を保持できるように、基板ステージ
に設けられた基板保持部の形状を四角形の凹にすること
もできる。この場合、スリット部は、塗液を塗布する基
板の最大幅(ここでは四角形基板の幅であり、スリット
部の長さ方向に沿った長さ)と同じ長さとするか、或い
はそれよりやや長くするとよい。
Then, the substrate W is moved up and down by the operation of the motor 31 to be set at an appropriate position, and the coating liquid P is applied to a range including the entire surface of the substrate W by the coating means 2 (not shown in FIGS. 7 and 8). I do. After that, the substrate W is raised to a position where it can be easily taken out, the vacuum suction source 7A is stopped, and the suction hole is removed.
The inside of the substrate 6 is returned to the atmospheric pressure, the substrate W is released, and the substrate W is taken out from the substrate holding part 5, whereby the substrate W having a liquid film formed on the entire surface is obtained. In the present invention, the shape of the substrate holding portion provided on the substrate stage may be a square concave so that a rectangular substrate such as a glass substrate can be held. In this case, the slit portion has the same length as the maximum width of the substrate on which the coating liquid is applied (here, the width of the rectangular substrate, and the length along the length direction of the slit portion), or is slightly longer than that. Good to do.

【0064】その他の構成や塗布方法も前述した実施形
態と同じである。
Other configurations and coating methods are the same as those of the above-described embodiment.

【0065】本発明は以上説明した実施形態に限定され
るものではなく、本発明の目的を達成する範囲におい
て、各種構成要素の材料を変更したり、付加的な手段を
追加してもよいし、又、各種構成要素が均等物に置換さ
れたものであってもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and the materials of various constituent elements may be changed or additional means may be added as long as the object of the present invention is achieved. Also, various components may be replaced with equivalents.

【0066】本発明に用いられる基板としては、シリコ
ン、炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、砒化ガリウ
ム、砒化インジウム、などの半導体ウエハや、石英、サ
ファイヤ、アルミナ、ガラス、樹脂などの絶縁性基板、
アルミニウム、ステンレス鋼などの金属基板などのであ
り、それらの上に各種素子、配線、各種薄膜などが形成
されたものであってもよい。
Examples of the substrate used in the present invention include semiconductor wafers such as silicon, silicon carbide, silicon germanium, gallium arsenide, and indium arsenide; insulating substrates such as quartz, sapphire, alumina, glass, and resin;
It may be a metal substrate of aluminum, stainless steel, or the like, on which various elements, wiring, various thin films, and the like are formed.

【0067】これらの基板は、半導体素子、LSI、液
晶素子、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク、
カラーフィルター、マイクロレンズなどを製造するため
に用いられる。
These substrates include semiconductor elements, LSIs, liquid crystal elements, optical disks, magnetic disks, magneto-optical disks,
It is used for manufacturing color filters, micro lenses, and the like.

【0068】本発明により形成される被膜としては、撥
水性膜、撥油性膜、感光性膜、絶縁性膜、熱硬化性膜、
光硬化性膜、配向膜である。例えば、感光性膜としては
ホトリソグラフィーやカラーフィルターの形成に利用さ
れるホトレジストである。絶縁性膜としては、LSIや
液晶素子に用いられる配線間の絶縁膜である。
The coating formed by the present invention includes a water-repellent film, an oil-repellent film, a photosensitive film, an insulating film, a thermosetting film,
Photocurable film and alignment film. For example, the photosensitive film is a photoresist used for forming a photolithography or a color filter. The insulating film is an insulating film between wirings used for an LSI or a liquid crystal element.

【0069】具体的には、アクリル系樹脂、エポキシ系
樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイ
ミド、ポリビニルアルコール、ポリイミド、HSQ(Hy
drogen Silsesquioxan)、BCB(Benzocyclobuten
e)、MSQ(Methyl Silsesquioxane)、PTFE(Poly
tetrafluoroethylene)、ポリアリールエーテル、フッ
素化ポリアリールエーテル等である。
Specifically, acrylic resin, epoxy resin, phenol resin, polyimide, fluorinated polyimide, polyvinyl alcohol, polyimide, HSQ (Hy
drogen Silsesquioxan), BCB (Benzocyclobuten)
e), MSQ (Methyl Silsesquioxane), PTFE (Poly
tetrafluoroethylene), polyaryl ethers, fluorinated polyaryl ethers and the like.

【0070】これらの被膜は、上述した各実施形態によ
る塗布方法により形成された液膜に適当な温度、例えば
50℃以上の温度でベーキングを行い溶媒や分散媒を蒸
発させて強固なまくにする。光硬化性樹脂の場合には更
に紫外線などの光を照射して強固な膜にする。
These films are baked at an appropriate temperature, for example, at a temperature of 50 ° C. or higher, to form a liquid film formed by the coating method according to each of the above-described embodiments, thereby evaporating a solvent or a dispersion medium to make the film strong. . In the case of a photo-curable resin, light such as ultraviolet rays is further applied to form a strong film.

【0071】本発明に用いられる塗液としては、上記原
料を溶媒や分散媒に溶解または分散させた出発材料を用
いることができる。これらの粘度は出発材料に依存する
が10cps〜100000cps程度の範囲から選択しう
る。
As the coating liquid used in the present invention, a starting material obtained by dissolving or dispersing the above-mentioned raw materials in a solvent or a dispersion medium can be used. These viscosities depend on the starting materials, but can be selected from the range of about 10 cps to 100,000 cps.

【0072】液膜の厚さは、0.3μm〜200μmで
あり、液膜形成後のベーキングにより、厚さが減少する
ので、目的とする被膜の厚さや使用する出発材料に応じ
て適宜選択すべきである。
The thickness of the liquid film is 0.3 μm to 200 μm, and the thickness is reduced by baking after the formation of the liquid film. Therefore, it is appropriately selected according to the thickness of the target film and the starting material to be used. Should.

【0073】本発明に用いられる塗布手段としては、前
述したダイコート法やロールコート法などに用いられる
ヘッドやローラーが用いられる。
As a coating means used in the present invention, a head or a roller used in the aforementioned die coating method or roll coating method is used.

【0074】塗布手段と基板ステージとは、塗布の際に
相対的に移動すればよいのであって、ヘッドやロールの
みを一方向に移動させても、基板ステージのみを一方向
に移動させても、両者をそれそれ移動させてもよい。
The application means and the substrate stage need only be relatively moved during the application, so that only the head or roll can be moved in one direction, or only the substrate stage can be moved in one direction. Alternatively, both may be moved individually.

【0075】基板ステージ周辺部の高さは、前述したと
おり基板の被成膜面とほぼ同じ高さとする。基板より周
辺部が高いと液膜が気泡を取り込み易くなり、基板より
周辺部が低いと液膜の分断が生じ易くなる。塗液の粘度
や液膜の厚さにも因るが、基板の被成膜面基準で周辺部
の高さが+10μm〜−200μm程度であれば、こう
した不具合の発生を十分に抑制することができる。
The height of the peripheral portion of the substrate stage is substantially the same as the film formation surface of the substrate as described above. When the peripheral portion is higher than the substrate, the liquid film tends to take in bubbles, and when the peripheral portion is lower than the substrate, the liquid film is likely to be divided. Depending on the viscosity of the coating liquid and the thickness of the liquid film, if the height of the peripheral portion is about +10 μm to −200 μm on the basis of the film formation surface of the substrate, it is possible to sufficiently suppress the occurrence of such a problem. it can.

【0076】基板ステージ周辺部上の塗布開始位置と基
板縁部との間の距離は、1mm以上とすればよく、より
好ましくは5mm〜30mmに設定すると良い。一方、
反対側の基板縁部と塗布終了位置との間の距離は1mm
以上とすればよい。いずれも距離を大きくとるに従っ
て、塗液の消費量が増えるので、この点を考慮して距離
の上限を決めればよい。同じようにスリット部の長さ
は、基板の幅より1mm以上長くすることが好ましいも
のである。
The distance between the coating start position on the periphery of the substrate stage and the edge of the substrate may be 1 mm or more, and more preferably, 5 mm to 30 mm. on the other hand,
The distance between the opposite substrate edge and the coating end position is 1 mm
That is all. In any case, as the distance is increased, the consumption of the coating liquid increases. Therefore, the upper limit of the distance may be determined in consideration of this point. Similarly, it is preferable that the length of the slit portion is 1 mm or more longer than the width of the substrate.

【0077】基板ステージとしては、複数の基板Wを同
時に保持できるように構成されていてもよい。又、基板
Wとしては、図示したようなウエハやディスクのような
非角型基板だけでなくガラス基板のような角型基板でも
よい。そして、塗布手段の長さは、配列された基板群の
配列最大幅(スリット部の長さ方向に沿った長さ)と同
じか若干大きくする。こうして、基板Wだけでなく、少
なくとも基板ステージ周辺部の一部にも液膜が延在する
ように形成される。
The substrate stage may be configured to hold a plurality of substrates W at the same time. Further, as the substrate W, not only a non-square substrate such as a wafer or a disk as shown in the figure but also a square substrate such as a glass substrate may be used. The length of the coating means is equal to or slightly larger than the maximum array width (length along the length direction of the slit portion) of the arrayed substrate group. Thus, the liquid film is formed so as to extend not only to the substrate W but also to at least a part of the peripheral portion of the substrate stage.

【0078】[0078]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板ステージ周辺部と基板の被成膜面との相対的な位置
を調整できるので、均一な厚さの液膜を形成しようとす
るときに、気泡の抱き込みや、液膜の破断が生じ難くな
る。
As described above, according to the present invention,
Since the relative position between the peripheral portion of the substrate stage and the surface on which the film is to be formed can be adjusted, when trying to form a liquid film having a uniform thickness, it is difficult for air bubbles to be caught or the liquid film to be broken. Become.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に基づく液膜の塗布装置の実施形態の概
略構成を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of an embodiment of a liquid film coating apparatus according to the present invention.

【図2】本発明に基づく液膜の塗布装置の実施形態の概
略構成を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an embodiment of a liquid film coating apparatus according to the present invention.

【図3】本発明に基づくダイコート法による液膜形成工
程を示す概略的な工程図である。
FIG. 3 is a schematic process diagram showing a liquid film forming process by a die coating method according to the present invention.

【図4】比較例と本発明の塗布方法により得られた液膜
の断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a liquid film obtained by a comparative example and a coating method of the present invention.

【図5】本発明に基づく液膜の塗布装置の一実施形態に
おける基板ステージを示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a substrate stage in one embodiment of a liquid film coating apparatus according to the present invention.

【図6】本発明に基づく液膜の塗布装置の一実施形態に
おける基板ステージを示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a substrate stage in one embodiment of a liquid film coating apparatus according to the present invention.

【図7】本発明に基づく液膜の塗布装置の他の実施形態
における基板ステージを示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a substrate stage in another embodiment of the liquid film coating apparatus according to the present invention.

【図8】本発明に基づく液膜の塗布装置の他の実施形態
における基板ステージを示す断面図である。
FIG. 8 is a sectional view showing a substrate stage in another embodiment of the liquid film coating apparatus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板ステージ 1A、1B、1C 周辺部 2 塗布手段 3 液除去手段 5 基板保持部 5A 昇降手段 6 吸引孔 7 吸引管 7A 真空吸引源 8 塗布ヘッド(ダイヘッド) 8A、8B ブレード 8C スリット部 9 液供給路 9A 塗液供給源 20 支持台 21 支持柱 22、31 モーター 22A、31A 制御装置 23 ギア 24、26 可動部材 25 可動ガイド部材 27 アーム 28 軸受け 29 リニアガイド 33、34 可動ブロック W 基板(ウエハ) P 塗液 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate stage 1A, 1B, 1C peripheral part 2 Coating means 3 Liquid removing means 5 Substrate holding part 5A Elevating means 6 Suction hole 7 Suction tube 7A Vacuum suction source 8 Coating head (die head) 8A, 8B Blade 8C Slit part 9 Liquid supply Path 9A Coating liquid supply source 20 Support base 21 Support column 22, 31 Motor 22A, 31A Controller 23 Gear 24, 26 Movable member 25 Movable guide member 27 Arm 28 Bearing 29 Linear guide 33, 34 Movable block W Substrate (wafer) P Coating liquid

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古澤 俊範 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AB16 AB17 EA04 4D075 AC04 AC82 AC93 AC95 CA47 DA08 DB14 DC22 EA05 4F041 AA06 AB01 BA05 BA22 4F042 AA06 BA08 CB03 DF09 DF34 5F046 JA01 JA27  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Toshinori Furusawa 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term (reference) in Canon Inc. 2H025 AB16 AB17 EA04 4D075 AC04 AC82 AC93 AC95 CA47 DA08 DB14 DC22 EA05 4F041 AA06 AB01 BA05 BA22 4F042 AA06 BA08 CB03 DF09 DF34 5F046 JA01 JA27

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を保持する為の基板ステージに対し
て塗布手段を相対移動させながら、前記塗布手段から前
記基板ステージに保持された基板上に塗液を供給して前
記基板上に前記塗液の膜を形成する塗布方法において、 基板保持部と前記基板保持部に対して相対的に昇降し得
る周辺部とを有する前記基板ステージの前記基板保持部
上に前記基板を載置する工程、 前記周辺部に対する前記基板保持部の相対的な位置を定
める工程、 塗布範囲が前記周辺部上に及ぶように前記膜を形成する
工程、を含むことを特徴とする塗布方法。
1. A coating liquid is supplied from the coating means onto a substrate held on the substrate stage while the coating means is relatively moved with respect to a substrate stage for holding the substrate, and the coating liquid is supplied onto the substrate. In a coating method for forming a liquid film, a step of mounting the substrate on the substrate holding portion of the substrate stage having a substrate holding portion and a peripheral portion that can move up and down relatively to the substrate holding portion; A coating method comprising: determining a relative position of the substrate holding unit with respect to the peripheral portion; and forming the film so that an application range extends over the peripheral portion.
【請求項2】 前記基板保持部は、吸引孔により前記基
板を吸着することを特徴とする請求項1記載の塗布方
法。
2. The coating method according to claim 1, wherein the substrate holding section sucks the substrate by a suction hole.
【請求項3】 前記基板が、非角型基板であることを特
徴とする請求項1記載の塗布方法。
3. The coating method according to claim 1, wherein the substrate is a non-square substrate.
【請求項4】 塗布開始位置と前記塗布終了位置を前記
基板ステージの前記周辺部上とすることを特徴とする請
求項1記載の塗布方法。
4. The coating method according to claim 1, wherein the coating start position and the coating end position are on the peripheral portion of the substrate stage.
【請求項5】 前記塗布手段はスリット部を有し、前記
スリット部から前記塗液を吐出させて前記膜を形成する
ことを特徴とする請求項1記載の塗布方法。
5. The coating method according to claim 1, wherein the coating unit has a slit, and the coating liquid is discharged from the slit to form the film.
【請求項6】 前記塗布手段は、前記基板の最大幅より
長いスリット部を有し、前記スリット部から前記塗液を
吐出させ、前記スリット部の長さ方向と垂直な方向に前
記塗布手段を相対移動させて前記膜を形成することを特
徴とする請求項1記載の塗布方法。
6. The coating means has a slit portion longer than a maximum width of the substrate, discharges the coating liquid from the slit portion, and controls the coating means in a direction perpendicular to a length direction of the slit portion. The coating method according to claim 1, wherein the film is formed by being relatively moved.
【請求項7】 基板を保持する為の基板ステージと、塗
液を前記基板上に供給する塗布手段と、を備え、前記塗
布手段と前記基板ステージを相対移動させながら前記塗
布手段から塗液を前記基板ステージに保持された基板上
に供給して、前記基板上に前記塗液の膜を形成する塗布
装置において、 前記基板ステージは、前記基板を保持する基板保持部
と、前記基板保持部に対して相対的に昇降し得、塗液が
付与される周辺部とを有しており、 前記周辺部と前記基板保持部との相対的な位置を変更す
る為の変更手段を備えていることを特徴とする塗布装
置。
7. A substrate stage for holding a substrate, and a coating unit for supplying a coating liquid onto the substrate, wherein the coating liquid is applied from the coating unit while the coating unit and the substrate stage are relatively moved. In a coating apparatus that supplies the coating liquid on the substrate held on the substrate stage to form a film of the coating liquid on the substrate, the substrate stage includes a substrate holding unit that holds the substrate, and a substrate holding unit. A peripheral portion to which the coating liquid is applied, which can be relatively raised and lowered with respect to the substrate holding portion; and a changing portion for changing a relative position between the peripheral portion and the substrate holding portion. A coating device characterized by the above-mentioned.
【請求項8】 前記基板保持部は、吸引孔により前記基
板を吸着することを特徴とする請求項7記載の塗布装
置。
8. The coating apparatus according to claim 7, wherein the substrate holding section sucks the substrate by a suction hole.
【請求項9】 前記基板保持部が、非角型であることを
特徴とする請求項7に記載の塗布装置。
9. The coating apparatus according to claim 7, wherein the substrate holding section is non-square.
【請求項10】 塗布開始位置と前記塗布終了位置が前
記基板ステージの前記周辺部上となるように前記塗布手
段と前記基板ステージの動作を制御することを特徴とす
る請求項7記載の塗布装置。
10. The coating apparatus according to claim 7, wherein the operation of the coating unit and the substrate stage is controlled such that the coating start position and the coating end position are on the peripheral portion of the substrate stage. .
【請求項11】 前記塗布手段はスリット部を有し、前
記スリット部から前記塗液を吐出させて前記液膜を形成
することを特徴とする請求項7記載の塗布装置。
11. The coating apparatus according to claim 7, wherein said coating means has a slit portion, and discharges said coating liquid from said slit portion to form said liquid film.
【請求項12】 前記塗布手段は、前記基板の最大幅よ
り長いスリット部を有し、前記スリット部から前記塗液
を吐出させ、前記スリット部の長さ方向と垂直な方向に
前記塗布手段を相対移動させて前記膜を形成することを
特徴とする請求項7記載の塗布装置。
12. The coating means has a slit portion longer than the maximum width of the substrate, discharges the coating liquid from the slit portion, and applies the coating means in a direction perpendicular to the length direction of the slit portion. The coating device according to claim 7, wherein the film is formed by being relatively moved.
【請求項13】 請求項1記載の塗布方法により基板上
に前記塗液の膜を形成する工程、前記塗液の膜をベーキ
ングする工程を含む被膜の作製方法。
13. A method for producing a film, comprising: a step of forming a film of the coating liquid on a substrate by the coating method according to claim 1; and a step of baking the film of the coating liquid.
【請求項14】 前記被膜は、撥水性膜、撥油性膜、感
光性膜、絶縁性膜、熱硬化性膜、光硬化性膜、配向膜か
ら選択される被膜であることを特徴とする請求項13記
載の被膜の作製方法。
14. The film according to claim 1, wherein the film is a film selected from a water-repellent film, an oil-repellent film, a photosensitive film, an insulating film, a thermosetting film, a photocurable film, and an alignment film. Item 14. A method for producing a film according to Item 13.
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