JP2003203834A - Device for treating substrate - Google Patents

Device for treating substrate

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JP2003203834A
JP2003203834A JP2003028007A JP2003028007A JP2003203834A JP 2003203834 A JP2003203834 A JP 2003203834A JP 2003028007 A JP2003028007 A JP 2003028007A JP 2003028007 A JP2003028007 A JP 2003028007A JP 2003203834 A JP2003203834 A JP 2003203834A
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JP
Japan
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substrate
processing liquid
coating
liquid supply
photoresist
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JP2003028007A
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Japanese (ja)
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Izuru Izeki
出 井関
Satoru Takahashi
哲 高橋
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for treating substrate, which is able to evenly apply treatment liquid by enlarging a coating region of the treatment liquid in the moving direction. <P>SOLUTION: A device for coating substrate carries out treatment of a substrate W by supplying photoresist liquid to the surface of the substrate W. The device is provided with a spin chuck 1 for rotatably holding the substrate W, a conduction motor 2, and a coating head 10 which has an opening 10a for discharging a photoresist liquid towards the surface of the substrate W and moves from the edge of the substrate W to the center thereof. The head 10 is arranged so as to have an enlarged coating region of photoresist coincide with the moving direction. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板等の基板に対してフォトレジス
ト液、ポリイミド樹脂、SOG(Spin On Glass,シリカ系被
膜形成材とも呼ばれる)液などの処理液を供給して基板
に処理を施す基板処理装置に係り、特に処理液供給手段
を移動させつつ基板に処理液を塗布する技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, a substrate for an optical disk, a photoresist solution, a polyimide resin, an SOG (Spin On). The present invention relates to a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid such as a liquid (also referred to as Glass or a silica-based film forming material) to a substrate to process the substrate, and particularly to a technique for applying the processing liquid to the substrate while moving the processing liquid supply means.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置として、例
えば、図6に示すようなものが挙げられる。この装置
は、基板Wを水平面内において一定速度で回転させると
ともに、吐出部の水平断面形状がほぼ円形の供給ノズル
5からフォトレジスト液Rを供給しつつ、基板Wの中心
付近から半径方向の端縁部に向けて一定速度で供給ノズ
ル5を移動することによって基板Wの表面にフォトレジ
スト液Rを塗布するものである。
2. Description of the Related Art An example of a conventional substrate processing apparatus of this type is shown in FIG. This apparatus rotates the substrate W in a horizontal plane at a constant speed and supplies the photoresist liquid R from a supply nozzle 5 having a discharge section whose horizontal cross-sectional shape is substantially circular, while at the same time, from the center of the substrate W to a radial end. The photoresist liquid R is applied to the surface of the substrate W by moving the supply nozzle 5 at a constant speed toward the edge.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来装置の場合には、次のような問題
がある。すなわち、基板Wを一定速度で回転させるとと
もに、供給ノズル5を一定速度で移動しつつフォトレジ
スト液Rを供給している関係上、供給ノズル5から基板
W表面に供給されたフォトレジスト液Rの軌跡は、図6
に示すように螺旋状になる。このとき供給ノズル5の移
動速度が速すぎると、基板Wが1回転するごとにフォト
レジスト液Rが塗布されない部分が生じてムラを生じ、
フォトレジスト液Rを均一に塗布することができないと
いう問題点がある。その一方、基板Wの回転速度は、フ
ォトレジスト液Rの種類や粘度などの条件によって設定
する必要があり、その回転速度を速くしすぎるとフォト
レジスト液Rに気泡を巻き込むなどの不具合が生じるの
で、無制限に速めることはできない。通常、上記のよう
にしてフォトレジスト液Rを供給した後に、基板Wを高
速回転させることによりその表面にフォトレジスト被膜
を形成するが、上記のようにフォトレジスト液の供給時
にムラや気泡が生じていると、形成されたフォトレジス
ト被膜に膜厚不均一やピンホールなどの欠陥が生じる原
因となる。また、供給ノズル5の吐出部の水平断面形状
がほぼ円形であるので、図6に示すようにフォトレジス
ト液Rの供給直後は螺旋状の隙間が生じる。したがっ
て、その後に基板Wを高速回転させてもその影響でフォ
トレジスト被膜にムラが顕著に生じるという問題点があ
る。
However, the conventional device having such a configuration has the following problems. That is, since the substrate W is rotated at a constant speed and the photoresist solution R is supplied while moving the supply nozzle 5 at a constant speed, the photoresist solution R supplied from the supply nozzle 5 to the surface of the substrate W is not changed. The locus is shown in Fig. 6.
It becomes spiral as shown in. At this time, if the moving speed of the supply nozzle 5 is too fast, a portion where the photoresist liquid R is not applied occurs every time the substrate W makes one rotation, causing unevenness,
There is a problem that the photoresist solution R cannot be applied uniformly. On the other hand, the rotation speed of the substrate W needs to be set according to conditions such as the type and viscosity of the photoresist liquid R, and if the rotation speed is made too fast, problems such as inclusion of bubbles in the photoresist liquid R may occur. , You can't speed it up indefinitely. Usually, after the photoresist solution R is supplied as described above, the photoresist film is formed on the surface of the substrate W by rotating the substrate W at a high speed. However, as described above, unevenness and bubbles are generated when the photoresist solution is supplied. If so, defects such as uneven film thickness and pinholes may occur in the formed photoresist film. Moreover, since the horizontal cross-sectional shape of the discharge portion of the supply nozzle 5 is substantially circular, a spiral gap is formed immediately after the supply of the photoresist liquid R, as shown in FIG. Therefore, even if the substrate W is rotated at a high speed thereafter, there is a problem in that the photoresist film is significantly uneven due to the influence thereof.

【0004】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、移動方向に処理液の塗布部位を大きく
することによって、処理液を均一に塗布することができ
る基板処理装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a substrate processing apparatus capable of uniformly applying a processing liquid by enlarging the application area of the processing liquid in the moving direction. The purpose is to do.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、基板の表面に所定の処理
液を供給して基板に処理を施す基板処理装置において、
前記基板を回転可能に保持する基板保持手段と、前記基
板保持手段に保持された基板の表面に向けて処理液を吐
出する吐出口を有する処理液供給手段と、前記基板保持
手段に保持された基板に沿って、その端縁側から基板の
中心側に向けて前記処理液供給手段を水平移動させる駆
動手段とを備え、前記処理液供給手段は、移動方向に一
致するように処理液の塗布部位を大きくしてあることを
特徴とするものである。
The present invention has the following constitution in order to achieve such an object. That is, the invention according to claim 1 is a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a predetermined processing liquid to the surface of the substrate,
A substrate holding unit that holds the substrate rotatably, a processing liquid supply unit that has a discharge port that discharges the processing liquid toward the surface of the substrate held by the substrate holding unit, and a processing liquid held by the substrate holding unit Drive means for horizontally moving the processing liquid supply means along the substrate from the edge side toward the center side of the substrate, wherein the processing liquid supply means is a portion where the processing liquid is applied so as to coincide with the moving direction. It is characterized in that

【0006】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載の基板処理装置において、前記処理液供給手段を
基板の端縁側から中心側に向けて移動させるにしたがっ
て、その移動速度を速くするように前記駆動手段を制御
する制御手段を備えていることを特徴とするものであ
る。
The invention described in claim 2 is the same as claim 1
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising control means for controlling the drive means so as to increase the moving speed of the processing liquid supply means as it moves from the edge side of the substrate toward the center side. It is characterized by.

【0007】また、請求項3に記載の発明は、請求項1
または請求項2に記載の基板処理装置において、前記処
理液供給手段の吐出口は、スリット状に開口しているこ
とを特徴とするものである。
The invention described in claim 3 is the same as claim 1
Alternatively, in the substrate processing apparatus according to the second aspect, the discharge port of the processing liquid supply means is opened in a slit shape.

【0008】また、請求項4に記載の発明は、請求項3
に記載の基板処理装置において、前記処理液供給手段の
吐出口の長手方向と、前記処理液供給手段の移動方向と
を一致させたことを特徴とするものである。
The invention according to claim 4 is the same as claim 3
In the substrate processing apparatus described in the paragraph 1, the longitudinal direction of the discharge port of the processing liquid supply means and the moving direction of the processing liquid supply means are made to coincide with each other.

【0009】[0009]

【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。基板は基板保持手段によって回転され、その表面に
は処理液供給手段の吐出口により処理液が吐出される。
この処理液供給手段は、基板端縁側から中心側に向けて
駆動手段によって移動されつつ処理液を吐出するが、そ
の移動方向に一致するように処理液の塗布部位を大きく
してある。したがって、基板の回転速度を高めたり、処
理液供給手段の移動速度を低くしたりすることなく、基
板の表面全体を処理液で覆うことができ、基板の回転お
よび処理液供給手段の移動に伴う基板表面上における処
理液の螺旋状の軌跡には隙間が生じにくくムラの発生を
抑制できる。
The operation of the invention described in claim 1 is as follows. The substrate is rotated by the substrate holding means, and the processing liquid is discharged onto the surface of the substrate by the discharge port of the processing liquid supply means.
The processing liquid supply unit discharges the processing liquid while being moved by the driving unit from the substrate edge side toward the center side, and the processing liquid application site is enlarged so as to coincide with the moving direction. Therefore, it is possible to cover the entire surface of the substrate with the processing liquid without increasing the rotation speed of the substrate or decreasing the moving speed of the processing liquid supply unit. A gap is less likely to be formed in the spiral locus of the treatment liquid on the substrate surface, and the occurrence of unevenness can be suppressed.

【0010】請求項2に記載の発明によれば、処理液供
給手段は基板端縁側から中心側に向けて駆動手段によっ
て移動されつつ処理液を吐出するが、このとき制御手段
によってその移動速度が可変される。つまり、基板端縁
側から半径方向の中心側に向けて処理液供給手段が移動
するにつれて、その移動速度が速くなるように制御され
る。基板表面の半径方向に沿った処理液の塗布部位にお
ける線速度は、その半径に比例するので、中心に向かう
につれて処理液供給手段の移動速度を次第に速めること
によって、基板表面の半径方向に沿った塗布部位におけ
る処理液の供給量をほぼ一定にすることができる。
According to the second aspect of the present invention, the processing liquid supply means discharges the processing liquid while being moved by the drive means from the edge side of the substrate toward the center side. At this time, the moving speed is controlled by the control means. It is variable. That is, the moving speed of the processing liquid supply unit is controlled to increase as the processing liquid supply unit moves from the edge side of the substrate toward the center side in the radial direction. Since the linear velocity at the coating portion of the treatment liquid along the radial direction of the substrate surface is proportional to the radius, the moving velocity of the treatment liquid supply means is gradually increased toward the center, so that the linear velocity along the radial direction of the substrate surface is increased. The supply amount of the processing liquid at the application site can be made almost constant.

【0011】請求項3に記載の発明によると、処理液供
給手段の吐出口は円形状でなくスリット状に開口してい
るので、基板の回転および処理液供給手段の移動に伴う
基板表面上における処理液の螺旋状の軌跡には隙間が生
じにくくムラの発生を抑制できる。
According to the third aspect of the present invention, since the discharge port of the processing liquid supply means is not circular but has a slit shape, the substrate is rotated on the surface of the substrate as the processing liquid supply means moves. A gap is less likely to occur in the spiral locus of the treatment liquid, and the occurrence of unevenness can be suppressed.

【0012】請求項4に記載の発明によると、スリット
状に開口した処理液供給手段の吐出口の長手方向と、そ
の移動方向とを一致させることにより、基板表面の半径
方向に沿う処理液の塗布部位のうち、一度に処理液を供
給できる部位を大きくすることができるので、より速く
かつ少ない供給量で処理液を供給することができる。
According to the fourth aspect of the present invention, by aligning the longitudinal direction of the discharge port of the processing liquid supply means opened in a slit shape with the moving direction of the processing liquid, the processing liquid along the radial direction of the substrate surface can be formed. Since it is possible to increase the portion of the application site to which the processing liquid can be supplied at one time, the processing liquid can be supplied more quickly and with a smaller supply amount.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図1は、本発明に係る基板処理装置
の一例である基板塗布装置の概略構成を示す正面図であ
る。なお、以下の説明においては、基板として半導体ウ
エハを例にとって説明するが、これを単に基板と称する
ことにする。また、基板に供給する処理液としてはフォ
トレジスト液を例に採って説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a front view showing a schematic configuration of a substrate coating apparatus which is an example of the substrate processing apparatus according to the present invention. In the following description, a semiconductor wafer will be described as an example of the substrate, but this will be simply referred to as a substrate. A photoresist liquid will be described as an example of the processing liquid supplied to the substrate.

【0014】図中、符号1は、基板Wをほぼ水平姿勢で
吸着保持するスピンチャックである。このスピンチャッ
ク1は、その下部に回転軸が連結されており、電動モー
タ2によって回転中心P回りに回転される。電動モータ
2は、後述する制御部によって回転制御されるようにな
っており、スピンチャック1とともに基板Wを一体的に
水平面内で回転するものである。なお、スピンチャック
1および電動モータ2は、本発明における基板保持手段
に相当するものである。
In the figure, reference numeral 1 is a spin chuck for sucking and holding the substrate W in a substantially horizontal posture. The spin chuck 1 has a rotary shaft connected to the lower portion thereof, and is rotated about a rotation center P by an electric motor 2. The electric motor 2 is controlled in rotation by a control unit, which will be described later, and rotates the substrate W integrally with the spin chuck 1 in a horizontal plane. The spin chuck 1 and the electric motor 2 correspond to the substrate holding means in the present invention.

【0015】電動モータ2は、この装置のフレーム3の
底部に配設された昇降機構4によって昇降可能に構成さ
れている。昇降機構4は、フレーム3の底部に立設され
たリニアガイド4aと、リニアガイド4aに昇降自在に
取り付けられた、電動モータ2を保持するベース4b
と、ベース4bに螺合したボールネジ4cと、ボールネ
ジ4cを回転駆動する昇降パルスモータ4dとから構成
されている。このうち昇降パルスモータ4dは、後述す
る制御部によってその回転が制御され、スピンチャック
1に吸着保持された基板W表面の高さ位置を、基板Wを
搬送する際の高さであるとともに、フォトレジスト液を
基板W表面に塗布する際の高さである塗布高さHと、塗
布後に行われる振り切り処理時における高さである振り
切り高さLとにわたって昇降するようになっている。
The electric motor 2 is constructed so that it can be raised and lowered by a raising and lowering mechanism 4 arranged at the bottom of a frame 3 of this apparatus. The elevating mechanism 4 includes a linear guide 4a that is erected on the bottom of the frame 3 and a base 4b that is attached to the linear guide 4a so as to elevate and lower and that holds the electric motor 2.
And a ball screw 4c screwed to the base 4b, and an elevating pulse motor 4d for rotationally driving the ball screw 4c. Of these, the elevation pulse motor 4d is controlled in its rotation by a control unit described later, and the height position of the surface of the substrate W adsorbed and held by the spin chuck 1 is the height at which the substrate W is conveyed, and It is configured to rise and fall over a coating height H that is a height when the resist liquid is applied to the surface of the substrate W and a swing-off height L that is a height during a shake-off process performed after coating.

【0016】スピンチャック1の周囲には、上部開口を
有する飛散防止カップ6が配設されている。この飛散防
止カップ6は、基板Wが振り切り高さLにあるときに、
振り切られたフォトレジスト液の飛沫を下方に案内する
下向きの傾斜案内面を有するとともに、下方に案内され
たフォトレジスト液の飛沫を回収するための、平面視で
リング状に形成された排液ゾーンとを有する。
A scattering prevention cup 6 having an upper opening is arranged around the spin chuck 1. This scattering prevention cup 6 is provided when the substrate W is at the swing-off height L.
A drainage zone that has a downwardly inclined guide surface that guides the splashed-off photoresist liquid droplets downward, and that is formed in a ring shape in plan view for collecting the photoresist liquid droplets that are guided downward. Have and.

【0017】基板Wの上方には、その直径方向にわたっ
て移動自在の塗布ヘッド10が配設されている。塗布ヘ
ッド10の下面には、フォトレジスト液を吐出するため
のスリット状の吐出口10aが形成されている。この吐
出口10aの長手方向の長さは、図2に示すように基板
Wの半径よりも短く形成されている。駆動機構12は、
塗布ヘッド10を水平方向に移動するものであって、特
に図2に示すように基板Wの中心側から端縁側に向け
て、その吐出口10aを基板W表面に沿って一定間隔を
隔てた状態で移動する。駆動機構12は、フレーム3の
両側壁間にわたって水平方向に配設され、塗布ヘッド1
0が摺動自在に取り付けられたリニアガイド12aと、
塗布ヘッド10に螺合したボールネジ12bと、ボール
ネジ12bに回転軸が連動連結された水平パルスモータ
12cとから構成されている。なお、塗布ヘッド10は
本発明における処理液供給手段に相当し、駆動機構12
は駆動手段に相当するものである。
Above the substrate W, a coating head 10 is provided which is movable in the diameter direction thereof. A slit-shaped ejection port 10 a for ejecting the photoresist liquid is formed on the lower surface of the coating head 10. The length of the ejection port 10a in the longitudinal direction is shorter than the radius of the substrate W, as shown in FIG. The drive mechanism 12 is
A state in which the coating head 10 is moved in the horizontal direction, and in particular, as shown in FIG. 2, a state in which the ejection ports 10a are spaced from the center side of the substrate W toward the edge side along the surface of the substrate W at regular intervals. To move. The drive mechanism 12 is arranged horizontally between both side walls of the frame 3, and
0 is slidably attached to the linear guide 12a,
It is composed of a ball screw 12b screwed to the coating head 10 and a horizontal pulse motor 12c having a rotary shaft linked to the ball screw 12b. The coating head 10 corresponds to the processing liquid supply means in the present invention, and the drive mechanism 12 is provided.
Corresponds to the driving means.

【0018】供給部14は、図示しないタンクおよびポ
ンプを含む機構であって、タンクに貯留されているフォ
トレジスト液をポンプにより圧送するものである。圧送
されたフォトレジスト液は図示しない供給配管を介して
塗布ヘッド10に供給されるようになっている。なお、
上述した電動モータ2と、昇降機構4の昇降パルスモー
タ4dと、駆動機構12の水平パルスモータ12cは、
図示しないCPUやメモリを含む制御部16によって統
括制御されるようになっている。
The supply unit 14 is a mechanism including a tank and a pump (not shown), and pumps the photoresist liquid stored in the tank by a pump. The pressure-fed photoresist liquid is supplied to the coating head 10 via a supply pipe (not shown). In addition,
The electric motor 2, the lifting pulse motor 4d of the lifting mechanism 4, and the horizontal pulse motor 12c of the driving mechanism 12 are
The control unit 16 including a CPU and a memory (not shown) is integrally controlled.

【0019】制御部16は、駆動機構12によって塗布
ヘッド10を基板Wの半径方向に移動するが、その移動
は次のように行われる。すなわち、基板Wを搬送する際
や、フォトレジスト液が表面に塗布された基板Wを振り
切り処理する際には、飛散防止カップ6の側方に位置す
る退避位置(図1の左側に点線で示す位置)に移動され
ている。基板Wにフォトレジスト液を塗布する際には、
基板W表面と吐出口10aとの上下方向の間隔が一定の
間隔g(以下、塗布ギャップgと称する)となるように
昇降機構4により基板Wの高さを塗布高さ位置Hに移動
した後、駆動機構12により塗布ヘッド10を基板W中
心側(図1および図2中に実線で示す位置)に移動する
(以下、この位置を塗布開始位置と称する)。次いで、
電動モータ2を一定速度で回転駆動しつつ、基板Wの半
径方向に沿って塗布ヘッド10を基板Wの端縁側に向け
て移動して、基板Wの端縁部を越える位置(図1および
図2中に二点鎖線で示す位置)まで移動した時点で停止
する(以下、この位置を塗布終了位置と称する)。
The control unit 16 moves the coating head 10 in the radial direction of the substrate W by the drive mechanism 12, and the movement is performed as follows. That is, when the substrate W is transported or when the substrate W coated with the photoresist solution is shaken off, a retracted position located on the side of the scattering prevention cup 6 (indicated by a dotted line on the left side of FIG. 1). Position) has been moved. When applying the photoresist liquid to the substrate W,
After the height of the substrate W is moved to the coating height position H by the elevating mechanism 4 such that the vertical gap between the surface of the substrate W and the ejection port 10a becomes a constant gap g (hereinafter referred to as coating gap g). The drive mechanism 12 moves the coating head 10 to the center side of the substrate W (position indicated by a solid line in FIGS. 1 and 2) (hereinafter, this position is referred to as a coating start position). Then
A position where the coating head 10 is moved toward the edge side of the substrate W along the radial direction of the substrate W while rotating the electric motor 2 at a constant speed, and the coating head 10 exceeds the edge portion of the substrate W (FIGS. 1 and 1). It stops when it moves to the position indicated by the chain double-dashed line in 2) (hereinafter, this position is referred to as the coating end position).

【0020】このとき塗布ヘッド10の移動速度は一定
ではなく、基板Wの半径方向に沿った塗布部位に応じて
移動速度を遅くするようにする。具体的には、図2およ
び図3に示すように基板Wの半径をrとし、塗布開始位
置における塗布ヘッド10の移動速度をV1 とすると、
半径に沿ったフォトレジスト液の塗布部位に応じてその
速度を一定の割合で減じてゆき、供給部14によるフォ
トレジスト液の圧送および基板Wの回転を停止するとと
もに、塗布終了位置における塗布ヘッド10の移動速度
が0になるようにする。なお、速度を減じる割合は、基
板Wの大きさなどに応じて適宜に設定されるものであ
る。また、塗布ヘッド10を塗布終了位置で停止させる
ことなく、退避位置まで移動させるようにしてもよい。
At this time, the moving speed of the coating head 10 is not constant, but the moving speed is slowed according to the coating portion along the radial direction of the substrate W. Specifically, as shown in FIGS. 2 and 3, when the radius of the substrate W is r and the moving speed of the coating head 10 at the coating start position is V 1 ,
The speed of the photoresist solution is reduced at a constant rate in accordance with the location where the photoresist solution is applied along the radius to stop the pressure feed of the photoresist solution by the supply unit 14 and the rotation of the substrate W, and the application head 10 at the application end position. The moving speed of is 0. The rate of reducing the speed is appropriately set according to the size of the substrate W and the like. Further, the coating head 10 may be moved to the retracted position without being stopped at the coating end position.

【0021】このように一定速度で回転する基板Wの表
面に沿って、その半径方向に塗布ヘッド10を移動させ
つつフォトレジスト液を供給する場合には、半径方向に
沿った塗布部位における線速度が半径に比例することに
起因して、基板W中心側より端縁側に向かうにつれて線
速度が増大するので、フォトレジスト液が薄くなる現象
が生じるが、その増大分に応じて塗布ヘッド10の移動
速度を遅くすることにより、フォトレジスト液の供給量
を塗布部位にかかわらずほぼ一定とすることができる。
また、塗布ヘッド10は、その吐出口10aの長手方向
と、その移動方向とが図2に示すように一致するように
構成されているので、フォトレジスト液の螺旋状の軌跡
には隙間が生じにくくムラの発生を抑制することができ
る。
When the photoresist solution is supplied while moving the coating head 10 in the radial direction along the surface of the substrate W which rotates at a constant speed, the linear velocity at the coating site along the radial direction. Is proportional to the radius, the linear velocity increases from the center side of the substrate W toward the edge side, so that the phenomenon that the photoresist liquid becomes thin occurs, but the coating head 10 moves according to the increase. By decreasing the speed, the supply amount of the photoresist liquid can be made almost constant regardless of the application site.
Further, since the coating head 10 is configured such that the longitudinal direction of the ejection port 10a and the moving direction thereof coincide with each other as shown in FIG. 2, a gap is generated in the spiral locus of the photoresist liquid. It is difficult to suppress the occurrence of unevenness.

【0022】次に、図4のフローチャートを参照して、
上述したように構成された装置による基板Wへのフォト
レジスト液の塗布処理について説明する。
Next, referring to the flow chart of FIG.
The coating process of the photoresist liquid on the substrate W by the apparatus configured as described above will be described.

【0023】ステップS1(搬入) 制御部16は、昇降パルスモータ4dを駆動して、スピ
ンチャック1を上昇させる。これによりスピンチャック
1は、その上面が飛散防止カップ6の上部開口から上方
に突出し、その上面が塗布高さHより僅かに下側に位置
する。次いで図示しない基板搬送機構が基板Wを搬送し
て、その基板Wをスピンチャック1に載置する。この基
板Wは、スピンチャック1に吸着保持される。
Step S1 (carry-in) The control section 16 drives the lifting pulse motor 4d to raise the spin chuck 1. As a result, the spin chuck 1 has its upper surface protruding upward from the upper opening of the scattering prevention cup 6, and its upper surface is positioned slightly below the coating height H. Next, a substrate transport mechanism (not shown) transports the substrate W and places the substrate W on the spin chuck 1. The substrate W is adsorbed and held on the spin chuck 1.

【0024】ステップS2(塗布開始位置へ移動) 制御部16は、水平パルスモータ12cを駆動すること
によって、退避位置(図1中の左側に点線で示す位置)
にある塗布ヘッド10を基板Wの回転中心Pの上方にあ
たる塗布開始位置(図1中に実線で示す位置)にまで移
動する。
Step S2 (moving to the coating start position) The control unit 16 drives the horizontal pulse motor 12c to move to the retracted position (the position shown by the dotted line on the left side in FIG. 1).
The coating head 10 is moved to a coating start position (position shown by a solid line in FIG. 1) above the rotation center P of the substrate W.

【0025】ステップS3(塗布ギャップに設定) 昇降パルモータ4dを駆動して基板Wの高さを微調整
し、基板Wの上方に移動された塗布ヘッド10の吐出口
10aと基板W上面との上下方向の間隔が塗布ギャップ
gとなるようにする。なお、この塗布ギャップgは、フ
ォトレジスト液の種類、電動モータ2の回転数、塗布ヘ
ッド10の移動速度、さらに所望する膜厚などを勘案し
て決定されるものである。
Step S3 (setting of coating gap) The elevation pulse motor 4d is driven to finely adjust the height of the substrate W, and the upper and lower sides of the ejection port 10a of the coating head 10 moved above the substrate W and the upper surface of the substrate W are adjusted. The gap in the direction is set to the coating gap g. The coating gap g is determined in consideration of the type of photoresist solution, the rotation speed of the electric motor 2, the moving speed of the coating head 10, the desired film thickness, and the like.

【0026】ステップS4(吐出開始) 供給部14を動作させることによりフォトレジスト液を
塗布ヘッド10に圧送開始する。
Step S4 (Start of discharging) The supply unit 14 is operated to start pressure-feeding the photoresist liquid to the coating head 10.

【0027】ステップS5(待機) 塗布ヘッド10の吐出口10aからフォトレジスト液が
吐出され始め、スリット状の吐出口10aの長手方向の
全てにわたってフォトレジスト液が基板W表面に付着し
てビード(雫)を形成するまで待機する。具体的には、
ビードが形成されるまでの時間を予め実験などによって
測定しておき、その時間だけ待機するようにすればよ
い。
Step S5 (Standby) The photoresist liquid starts to be discharged from the discharge port 10a of the coating head 10, and the photoresist liquid adheres to the surface of the substrate W over the entire length of the slit-shaped discharge port 10a to form beads (droplets). ) Is formed. In particular,
The time until the bead is formed may be measured in advance by an experiment or the like, and the waiting time may be set.

【0028】ステップS6(回転開始) 基板Wが一定の回転速度で回転するように、電動モータ
2の回転制御を開始する。
Step S6 (Start of rotation) The rotation control of the electric motor 2 is started so that the substrate W rotates at a constant rotation speed.

【0029】ステップS7(移動開始) 水平パルスモータ12cを駆動することにより、塗布ヘ
ッド10を塗布開始位置から塗布終了位置に向けて移動
開始する。このとき上述したように塗布開始位置から塗
布終了位置に向かって移動するにつれて、その移動速度
を遅くしてゆく。移動速度を遅くしてゆくことによっ
て、基板Wの半径方向に沿った塗布部位におけるフォト
レジスト液の供給量をほぼ一定化することができる。し
たがって、フォトレジスト液を均一に塗布することがで
きる。また、吐出口10aはスリット状に形成されてお
り、フォトレジスト液の螺旋状の軌跡には隙間が生じに
くくムラの発生を抑制することができるので、より均一
にフォトレジスト液を塗布することが可能となる。さら
に、スリット状の吐出口10aの長手方向と、その移動
方向とを一致させておくことにより、基板W表面の半径
方向に沿うフォトレジスト液の塗布部位のうち、一度に
フォトレジスト液を供給できる部位を大きくすることが
できるので、より速くかつ少ない供給量でフォトレジス
ト液を供給することができる。
Step S7 (Start of movement) By driving the horizontal pulse motor 12c, the movement of the coating head 10 from the coating start position to the coating end position is started. At this time, as described above, as it moves from the coating start position to the coating end position, the moving speed thereof is decreased. By decreasing the moving speed, it is possible to make the supply amount of the photoresist liquid at the coating portion along the radial direction of the substrate W substantially constant. Therefore, the photoresist liquid can be applied uniformly. Further, since the ejection port 10a is formed in a slit shape, a spiral trace of the photoresist solution is less likely to have a gap, and unevenness can be suppressed, so that the photoresist solution can be applied more uniformly. It will be possible. Further, by aligning the longitudinal direction of the slit-shaped ejection port 10a and the moving direction thereof, the photoresist solution can be supplied at one time among the photoresist solution application sites along the radial direction of the surface of the substrate W. Since the area can be increased, the photoresist liquid can be supplied faster and with a smaller supply amount.

【0030】ステップS8(退避位置に移動) 塗布終了位置にまで移動した塗布ヘッド10をさらに移
動して、図1中に点線で示す退避位置にまで移動する。
Step S8 (moving to the retracted position) The coating head 10 that has moved to the coating end position is further moved to the retracted position shown by the dotted line in FIG.

【0031】ステップS9(高速回転) まず、昇降パルスモータ4dを駆動して、基板Wの高さ
位置を塗布高さ位置Hよりも下方に位置する振り切り高
さLにする。これにより基板Wは飛散防止カップ6内に
収納される。次いで、電動モータ2を高速で回転駆動す
ることにより、基板W表面に塗布されているフォトレジ
スト液の余剰分を振り切って塗布被膜の膜厚を均一にす
る。上述したように基板Wの表面には、均一にフォトレ
ジスト液が塗布されているので、振り切り処理によって
より均一な膜厚の塗布被膜を得ることができる。
Step S9 (high-speed rotation) First, the elevating pulse motor 4d is driven to set the height position of the substrate W to the shake-off height L located below the coating height position H. As a result, the substrate W is stored in the shatterproof cup 6. Then, by rotating the electric motor 2 at a high speed, the excess amount of the photoresist liquid applied on the surface of the substrate W is shaken off to make the film thickness of the applied film uniform. As described above, since the photoresist solution is uniformly applied to the surface of the substrate W, it is possible to obtain a coating film having a more uniform film thickness by the shake-off process.

【0032】ステップS10(搬出) 昇降パルスモータ4dを駆動することによって基板Wの
高さ位置を塗布高さ位置Hにまで上昇させ、電動モータ
2の回転駆動を停止させる。そして、図示しない基板搬
送機構によって塗布被膜が表面に形成された基板Wを装
置外に搬出する。そして、ステップS1から繰り返し実
行することによって複数枚の基板に対して順次に塗布処
理を施すことができる。
Step S10 (unloading) The elevation pulse motor 4d is driven to raise the height position of the substrate W to the coating height position H, and the rotation drive of the electric motor 2 is stopped. Then, the substrate W having the coating film formed on its surface is carried out of the apparatus by a substrate transport mechanism (not shown). Then, the coating process can be sequentially performed on a plurality of substrates by repeating the process from step S1.

【0033】なお、上記の実施例においては、塗布ヘッ
ド10を基板Wの中心側から端縁側に向けて移動するよ
うにしたが、塗布ヘッド10を基板Wの端縁側から中心
側に向けて移動するようにしてもよい。その場合には、
塗布ヘッド10が基板Wの中心側に向かうにつれて塗布
部位における線速度は次第に小さくなってゆくので、そ
れに応じて塗布ヘッド10の移動速度を速めてゆくよう
にすればよい(図3中に点線で示す)。このように構成
しても上述した実施例と同様の効果を奏することができ
る。
Although the coating head 10 is moved from the center side of the substrate W toward the edge side in the above embodiment, the coating head 10 is moved from the edge side of the substrate W toward the center side. You may do it. In that case,
As the coating head 10 moves toward the center of the substrate W, the linear velocity at the coating site gradually decreases, so that the moving speed of the coating head 10 should be increased accordingly (indicated by the dotted line in FIG. 3). Shown). Even with this configuration, the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.

【0034】なお、上記の実施例では、昇降機構4によ
って基板Wの高さを調整して、基板W表面と吐出口10
aとの上下方向の間隔を塗布ギャップgに設定するよう
にしたが、図5に示すように構成して塗布ヘッド10側
を昇降することによって塗布ギャップgに設定するよう
にしてもよい。
In the above embodiment, the height of the substrate W is adjusted by the elevating mechanism 4 so that the surface of the substrate W and the discharge port 10 can be adjusted.
Although the vertical gap with respect to a is set to the coating gap g, it may be set to the coating gap g by raising and lowering the coating head 10 side in the configuration shown in FIG.

【0035】すなわち、塗布ヘッド10は、その側面に
配設された支持アーム11aによって支持され、支持ア
ーム11aは移動部材11bのコの字状部分の間に立設
されたリニアガイド11cに摺動自在に取り付けられる
とともにボールネジ11dに螺合されている。ボールネ
ジ11dは、その上端部がパルスモータ11eの回転軸
に連動連結されている。また、塗布ヘッド10の一側面
には、吐出口10aと基板W表面との上下方向の間隔を
測定するためのギャップ測定用センサ11fが取り付け
られている。
That is, the coating head 10 is supported by the support arm 11a arranged on the side surface thereof, and the support arm 11a slides on the linear guide 11c provided upright between the U-shaped portions of the moving member 11b. It is freely attached and screwed to the ball screw 11d. The upper end of the ball screw 11d is interlocked with the rotary shaft of the pulse motor 11e. Further, on one side surface of the coating head 10, a gap measurement sensor 11f for measuring the vertical distance between the ejection port 10a and the surface of the substrate W is attached.

【0036】このような構成では、ギャップ測定用セン
サ11fから信号を制御部16に出力し、その信号が塗
布ギャップgに相当する信号となるようにパルスモータ
11eの回転を制御して塗布ヘッド10を昇降するよう
にする。このように構成することにより、塗布ギャップ
gをより正確に設定することができる。
In such a configuration, a signal is output from the gap measuring sensor 11f to the control section 16, and the rotation of the pulse motor 11e is controlled so that the signal becomes a signal corresponding to the coating gap g and the coating head 10 is controlled. To move up and down. With this configuration, the coating gap g can be set more accurately.

【0037】また、上記の実施例においては、塗布ヘッ
ド10が基板Wの直径を越える範囲にわたって水平移動
可能になっているが、少なくとも図1中の塗布開始位置
から退避位置まで移動可能であればよい。
Further, in the above embodiment, the coating head 10 is horizontally movable over the range exceeding the diameter of the substrate W, but if it is movable at least from the coating start position to the retracted position in FIG. Good.

【0038】なお、基板として半導体ウエハを例に採っ
て説明したが、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示
装置用のガラス基板、光ディスク用の基板等であっても
実施可能である。また、処理液としてはフォトレジスト
液の他に、ポリイミド樹脂やシリカ系被膜形成材であっ
ても実施可能である。
Although the semiconductor wafer has been described as an example of the substrate, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, a substrate for an optical disc, or the like can be used. In addition to the photoresist liquid, the treatment liquid may be a polyimide resin or a silica-based film forming material.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の本発明によれば、処理液供給手段は、基板端
縁側から中心側に向けて駆動手段によって移動されつつ
処理液を吐出するが、その移動方向に一致するように処
理液の塗布部位を大きくしてあるので、基板の回転速度
を高めたり、処理液供給手段の移動速度を低したりする
ことなく、基板の表面全体を処理液で覆うことができ、
基板の回転および処理液供給手段の移動に伴う基板表面
上における処理液の螺旋状の軌跡には隙間が生じにくく
ムラの発生を抑制できる。したがって、処理液を均一に
塗布することができ、基板表面に形成される被膜の膜厚
を均一にすることができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention as set forth in claim 1, the processing liquid supply means moves the processing liquid while being moved by the driving means from the substrate edge side toward the center side. The surface of the substrate is discharged without increasing the rotation speed of the substrate or lowering the moving speed of the processing liquid supply means, because the application portion of the processing liquid is enlarged so as to match the moving direction. The whole can be covered with processing liquid,
It is difficult to form a gap in the spiral locus of the processing liquid on the surface of the substrate due to the rotation of the substrate and the movement of the processing liquid supply means, and it is possible to suppress the occurrence of unevenness. Therefore, the treatment liquid can be applied uniformly, and the film thickness of the coating film formed on the substrate surface can be made uniform.

【0040】また、請求項2に記載の発明によれば、基
板の端縁側から中心側に処理液の塗布部位が移動するに
つれて、制御手段が処理液供給手段の移動速度を速める
ことにより、基板表面の半径方向に沿った塗布部位にお
ける処理液の供給量をほぼ一定にすることができる。し
たがって、基板表面に処理液を均一に塗布することがで
きる。
According to the second aspect of the present invention, the control means increases the moving speed of the processing liquid supply means as the application portion of the processing liquid moves from the edge side to the center side of the substrate, whereby the substrate is processed. It is possible to make the supply amount of the treatment liquid at the application site along the radial direction of the surface substantially constant. Therefore, the treatment liquid can be uniformly applied to the surface of the substrate.

【0041】また、請求項3に記載の発明によれば、処
理液供給手段の吐出口をスリット状にすることにより処
理液の螺旋状の軌跡には隙間が生じにくくムラの発生を
抑制することができるので、より均一に処理液を塗布す
ることが可能となる。したがって、より速くかつより少
ない供給量で処理液を均一に塗布することができる。
According to the third aspect of the present invention, the discharge port of the processing liquid supply means is formed in a slit shape so that a gap does not easily occur in the spiral locus of the processing liquid and unevenness is suppressed. Therefore, the treatment liquid can be applied more uniformly. Therefore, the treatment liquid can be uniformly applied at a faster speed and with a smaller supply amount.

【0042】また、請求項4に記載の発明によれば、基
板表面の半径方向に沿う処理液の塗布部位のうち、一度
に処理液を塗布することができる部位を大きくすること
ができるので、より速くかつ少ない供給量で処理液を塗
布することができる。さらに、基板の回転および処理液
供給手段の移動に伴う基板表面上における処理液の螺旋
状の軌跡に隙間が生じることを防止できてムラの発生を
防止することができる。したがって、より速くかつより
少ない供給量で処理液を均一に塗布することができる。
Further, according to the invention as set forth in claim 4, among the application portions of the treatment liquid along the radial direction of the substrate surface, it is possible to increase the portion to which the treatment liquid can be applied at one time. The treatment liquid can be applied faster and with a smaller supply amount. Further, it is possible to prevent a gap from being generated in the spiral locus of the processing liquid on the surface of the substrate due to the rotation of the substrate and the movement of the processing liquid supply means, and it is possible to prevent the occurrence of unevenness. Therefore, the treatment liquid can be uniformly applied at a faster speed and with a smaller supply amount.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る基板処理装置の一例である基板塗
布装置の概略構成を示す正面図である。
FIG. 1 is a front view showing a schematic configuration of a substrate coating apparatus which is an example of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】塗布ヘッドの移動の説明に供する図である。FIG. 2 is a diagram for explaining movement of a coating head.

【図3】塗布部位に応じた塗布ヘッドの移動速度の変化
を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing a change in moving speed of a coating head according to a coating site.

【図4】フォトレジスト液の塗布処理を示すフローチャ
ートである。
FIG. 4 is a flowchart showing a coating process of a photoresist liquid.

【図5】塗布ヘッドの変形例を示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing a modified example of the coating head.

【図6】従来例に係る基板処理装置を示す斜視図であ
る。
FIG. 6 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W … 基板 1 … スピンチャック(基板保持手段) 2 … 電動モータ(基板保持手段) 4 … 昇降機構 10 … 塗布ヘッド(処理液供給手段) 10a … 吐出口 12 … 駆動機構(駆動手段) 14 … 供給部 16 … 制御部(制御手段) H … 塗布高さ L … 振り切り高さ W ... Substrate 1 ... Spin chuck (substrate holding means) 2 ... Electric motor (board holding means) 4 ... Lifting mechanism 10 ... Coating head (processing liquid supply means) 10a ... Discharge port 12 ... Drive mechanism (drive means) 14 ... Supply Department 16 ... Control unit (control means) H ... Application height L… Shake-off height

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の表面に所定の処理液を供給して基
板に処理を施す基板処理装置において、 前記基板を回転可能に保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の表面に向けて処理
液を吐出する吐出口を有する処理液供給手段と、 前記基板保持手段に保持された基板に沿って、その端縁
側から基板の中心側に向けて前記処理液供給手段を水平
移動させる駆動手段とを備え、 前記処理液供給手段は、移動方向に一致するように処理
液の塗布部位を大きくしてあることを特徴とする基板処
理装置。
1. In a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a predetermined processing liquid to the surface of the substrate, a substrate holding means for rotatably holding the substrate, and a substrate holding means for holding the substrate. A processing liquid supply unit having a discharge port for discharging the processing liquid toward the surface, and the processing liquid supply unit horizontal from the edge side toward the center side of the substrate along the substrate held by the substrate holding unit. A substrate processing apparatus, comprising: a driving unit for moving the processing liquid, wherein the processing liquid supply unit enlarges a processing liquid application site so as to coincide with a moving direction.
【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記処理液供給手を基板の端縁側から中心側に向けて移
動させるにしたがって、その移動速度を速くするように
前記駆動手段を制御する制御手段を備えていることを特
徴とする基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the drive means is controlled so that a moving speed of the processing liquid supply hand is increased as the processing liquid supply hand is moved from an edge side of the substrate toward a center side. A substrate processing apparatus, comprising:
【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の基板処
理装置において、 前記処理液供給手段の吐出口は、スリット状に開口して
いることを特徴とする基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the discharge port of the processing liquid supply means has a slit-like opening.
【請求項4】 請求項3に記載の基板処理装置におい
て、 前記処理液供給手段の吐出口の長手方向と、前記処理液
供給手段の移動方向とを一致させたことを特徴とする基
板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the longitudinal direction of the ejection port of the processing liquid supply means and the moving direction of the processing liquid supply means are aligned with each other. .
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