JP2016197659A - シリコンゲルマニウムを含むデバイスおよびその製造方法 - Google Patents

シリコンゲルマニウムを含むデバイスおよびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】応力の低減化が図れたシリコンゲルマニウムを含むデバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】製造方法は、非晶質層1上に非晶質金属層2を形成する工程と、非晶質金属層2上に、金属を含み、結晶面が所定の面に配向する金属層2を形成する工程と、金属層2上、にシリコンを含む半導体および前記金属層に含まれる前記金属と同一の金属を含む第1の層を形成する工程とを含む。前記製造方法は、さらに、前記第1の層を、結晶面が前記所定の面に配向する前記半導体と前記金属との化合物を含む第2の層4aに変える工程と、第2の層4a上に、結晶面が前記所定の面に配向する多結晶シリコンゲルマニウムを含む第3の層5を形成する工程とを含む。【選択図】図5

Description

本発明の実施形態は、シリコンゲルマニウムを含むデバイスおよびその製造方法に関する。
シリコン以外の半導体材料の一つとしてシリコンゲルマニウムが知られている。シリコンゲルマニウムを含む層を用いたデバイスとしては、例えば、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)デバイスや薄膜トランジスタ(TFT: thin film transistor)が知られている。
米国特許第7176111号明細書
本発明の目的は、応力の低減化が図れたシリコンゲルマニウムを含むデバイスおよびその製造方法を提供することにある。
実施形態のデバイスの製造方法は、非晶質金属層を形成する工程と、前記非晶質金属層上に、金属を含み、結晶面が所定の面に配向する金属層を形成する工程と、前記金属層上に、シリコンを含む半導体および前記金属層に含まれる前記金属と同一の金属を含む第1の層を形成する工程とを含む。実施形態のデバイスの製造方法は、さらに、前記第1の層を、結晶面が前記所定の面に配向する前記半導体と前記金属との化合物を含む第2の層に変える工程と、前記第2の層上に、結晶面が前記所定の面に配向する多結晶シリコンゲルマニウムを含む第3の層を形成する工程とを含む。
実施形態の他のデバイスの製造方法は、第1の絶縁層を形成する工程と、前記第1の絶縁層上に、隣接する柱状部材間の距離が一定値以下の複数の柱状部材と、前記複数の柱状部材間を埋める非晶質シリコンゲルマニウムとを含む第1の層を形成する工程と、前記第1の層上に第2の絶縁層を形成する工程とを含む。実施形態の他のデバイスの製造方法は、さらに、前記第1の層をアニールすることにより、前記非晶質シリコンゲルマニウムを結晶面が所定の面に配向するシリコンゲルマニウムに変える工程と、前記第2の絶縁層を除去する工程と、前記第1の層上に結晶面が前記所定の面に配向する多結晶シリコンゲルマニウムを含む第2の層を形成する工程とを含む。
実施形態のデバイスは、複数の柱状部材と、前記複数の柱状部材間を埋める結晶面が(111)面に配向するシリコンゲルマニウムとを含む第1の層と、前記第1の層上に設けられた結晶面が(111)面に配向する多結晶シリコンゲルマニウムを含む第2の層とを含む。
図1は、第1の実施形態に係るシリコンゲルマニウム層の形成方法を説明するための断面図である。 図2は、図1に続く第1の実施形態に係るシリコンゲルマニウム層の形成方法を説明するための断面図である。 図3は、図2に続く第1の実施形態に係るシリコンゲルマニウム層の形成方法を説明するための断面図である。 図4は、図3に続く第1の実施形態に係るシリコンゲルマニウム層の形成方法を説明するための断面図である。 図5は、図4に続く第1の実施形態に係るシリコンゲルマニウム層の形成方法を説明するための断面図である。 図6は、実施形態に係るMEMSデバイスを含む加速度センサを模式的に示す平面図である。 図7は、図6の平面図の7−7断面図である。 図8は、実施形態に係るMEMSデバイスを含む加速度センサの製造方法を説明するための断面図である。 図9は、図8に続く実施形態に係る加速度センサの製造方法を説明するための断面図である。 図10は、図9に続く実施形態に係る加速度センサの製造方法を説明するための断面図である。 図11は、図10に続く実施形態に係る加速度センサの製造方法を説明するための断面図である。 図12は、図11に続く実施形態に係る加速度センサの製造方法を説明するための断面図である。 図13は、図12に続く実施形態に係る加速度センサの製造方法を説明するための断面図である。 図14は、図13に続く実施形態に係る加速度センサの製造方法を説明するための断面図である。 図15は、図14に続く実施形態に係る加速度センサの製造方法を説明するための断面図である。 図16は、図15に続く実施形態に係る加速度センサの製造方法を説明するための断面図である。 図17は、第2の実施形態に係るシリコンゲルマニウム層の形成方法を説明するための断面図である。 図18は、図17に続く第2の実施形態に係るシリコンゲルマニウム層の形成方法を説明するための断面図である。 図19は、図18に続く第2の実施形態に係るシリコンゲルマニウム層の形成方法を説明するための断面図である。 図20は、第3の実施形態に係るシリコンゲルマニウム層の形成方法を説明するための断面図である。 図21は、図20に続く第3の実施形態に係るシリコンゲルマニウム層の形成方法を説明するための断面図である。 図22は、図21に続く第3の実施形態に係るシリコンゲルマニウム層の形成方法を説明するための断面図である。 図23は、図22に続く第3の実施形態に係るシリコンゲルマニウム層の形成方法を説明するための断面図である。 図24は、図23に続く第3の実施形態に係るシリコンゲルマニウム層の形成方法を説明するための断面図である。 図25は、第3の実施形態に係る非晶質SiGe層および複数のAg柱を含む層を模式的に示す平面図である。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。図面は、模式的または概念的なものであり、各図面の寸法および比率等は、必ずしも現実のものと同一であるとは限らない。また、図面において、同一符号(添字等が異なるものを含む)は同一または相当部分を付してあり、重複した説明は必要に応じて行う。
(第1の実施形態)
MEMSやTFTに使用するシリコンゲルマニウムは、例えば、450℃以下の低温での形成する必要がある。シリコンゲルマニウムを高温で形成すると、既に形成されている素子や回路が影響を受けるからである。
低温で形成する方法として化学気相成長(CVD)があるが、非晶質層上にCVDによりシリコンゲルマニウム層を形成すると、シリコンゲルマニウム層の結晶配向性は、ランダムか(220)へ優先配向となる。
MEMSの場合、シリコンゲルマニウム層はMEMS可動部として用いられ、シリコンゲルマニウム層は10ミクロン以上の厚さが必要である。シリコンゲルマニウム層は、性能の観点からは低応力である必要があり、また、コストの観点から高スループットが必要である。
シリコンゲルマニウムをランダムに形成する場合、シリコンゲルマニウム層の応力が大きくなり、性能が劣る問題点がある。また、シリコンゲルマニウム層を(220)面に優先配向させて形成する場合は、シリコンゲルマニウム層の形成はある特定の条件を選択する必要があり、例えば、シリコンゲルマニウムの原料であるシランとゲルマンに加えて、それらよりも10倍もの水素を供給する方法をとる必要がある。その結果、シリコンゲルマニウム層の形成速度が低下する、すなわちスループットが低下するという問題点が発生する。
実施形態では、低応力で高スループットなシリコンゲルマニウム層を形成するため、主に(111)へ配向したシリコンゲルマニウム層を形成する方法である。CVDプロセスの条件によらず配向層を形成するため、CVD時の下地層にシリコンゲルマニウムに格子定数の近い配向層もしくはシリコンゲルマニウムの配向層を用意する。
図1−図5は、第1の実施形態に係るシリコンゲルマニウムを含む層(以下、SiGe層と称す)の形成方法を説明するための断面図である。
[図1]
非晶質層(下地層)1上に非晶質金属層2が形成される。非晶質層1の材料は例えばシリコン酸化物であるが、非晶質層1の材料は半導体または金属でも構わない。非晶質金属層2の材料は、例えば、タンタル(Ta)、または、タンタルを含む材料であるタンタルナイトライド(TaN)もしくはニッケルタンタル(NiTa)である。非晶質金属層2の厚さは特に規定はないが、配向層を形成するには2nmもあれば十分である。厚くするにも問題はないが、応力の観点から厚くない方が好ましく50nm以下が妥当である。非晶質金属層2は、例えば、スパッタリングプロセスにより形成される。非晶質層1の下に他の層が存在しても構わない。他の層は、例えば、CMOS回路を含む。
[図2]
非晶質金属層2上に、結晶面が所定の面に配向する金属を含む金属層(以下、配向層という)3が形成される。配向層3の上面は(111)面に配向する。非晶質金属層2は配向層3を所定の面に精度良く配向させるための補助下地層として機能する。上記金属は、例えば、ニッケル(Ni)またはコバルト(Co)等の高融点金属である。配向層3の厚さは、例えば、数10nmである。配向層3は、例えば、非晶質金属層2上に上記金属をスパッタリングプロセスにより堆積することにより形成される。NiおよびCoの格子定数はSiGeの格子定数とは大きく異なる。
[図3]
配向層3上に、シリコンゲルマニウム(SiGe)および上記金属(高融点金属)を含む層(第1の層)4が形成される。層4は後工程で加熱されてSiと上記金属との合金を含む層(金属シリサイド層)に変わるので、以下、層4を前駆体層4という。
配向層3中の金属は(111)面に配向しているが、前駆体層4中の金属は必ずしも(111)面に配向していない。
前駆体層4は、例えば、SiGeと上記金属とが混合した層(単層)を含む。このような単層は、例えば、SiGeおよび上記金属を含むターゲットを用いたスパッタリングプロセスにより形成される。
前駆体層4は、SiGeを含む層と、上記金属とを含む層との積層体を含んでいても構わない。このような積層体は、例えば、SiGeを含むターゲットおよび上記金属を含むターゲットを含む複数のターゲットを用いたスパッタリングプロセスにより形成される。
前駆体層4中のSiおよび上記金属の量は、前駆体層4を加熱することにより、Siと上記金属との合金(例えば、Ni(SiGe)2 またはCo(SiGe)2 )層が形成されるように設定される。
[図4]
不活性ガス雰囲気中で前駆体層4を加熱すること(アニール)により、前駆体層4を合金層(第2の層)4aに変える。不活性ガス雰囲気は、例えば、窒素やアルゴン等を含む雰囲気である。上記アニールは、例えば、450℃以下の温度で行われる。
上記アニールにより、(111)面に配向し、かつ、格子定数がSiGeに近い合金層4a(Ni(SiGe)2 層またはCo(SiGe)2 層)が得られる。
Ni(SiGe)2 層またはCo(SiGe)2 層のSiGeの組成Si1-xGexのxは0から1の範囲であるが、低温形成の点ではxは0.3よりも大きく、かつ、1以下が好ましい。
Ni(SiGe)2 層またはCo(SiGe)2 層の厚さも特に規定はないが、2nmもあればSiGe配向層を成長させるのに十分である。厚くするにも問題はないが、応力の観点から厚くない方が好ましく、非晶質金属層2と同様に50nm以下が妥当である。
更に、非晶質層2の厚さと配向層3の厚さとの合計(合計厚)は応力の観点から薄い方が好ましく、その上へ形成する多結晶SiGe層へ影響を与えない点を考慮すると合計厚は50nm以下が好ましい。
[図5]
(111)面に配向した合金層4a上に(111)面に配向した多結晶Si1-xGex 層(第3の層)5が形成される。組成比xは、例えば、0.3よりも大きく、かつ、1以下である。
多結晶Si1-xGex 層(以下、多結晶SiGe層と略記)5は、例えば、CVDプロセスにより形成される。上記CVDプロセスは、例えば、450℃以下で行われる。多結晶SiGe層5はその抵抗を下げる不純物を含んでいても構わない。上記CVDプロセスは、例えば、プラズマエンハスト化学気相成長(PECVD)プロセス、低圧化学気相成長(LPCVD)プロセスである。多結晶SiGe層5の形成にCVDプロセスを用いることにより、厚い(例えば、10μm以上)多結晶SiGe層5でも、スループットの低下は抑制される。
合金層4aの格子定数と多結晶SiGe層5の格子定数との差は、非晶質金属層2の格子定数と多結晶SiGe層5の格子定数との差よりも小さいので、非晶質層1上には、応力の低減化が図れた多結晶SiGe層5が形成されることになる。また、前駆体層4を形成するためのアニールは450℃以下で行うことができる。さらに、多結晶SiGe層5を形成するためのCVDプロセスも450℃以下の低温で行うことができる。そのため、上記アニールおよびCVDプロセスによる非晶質層1の下にあるCMOS回路等の他の層への影響は抑制される。
この後、デバイス(例えば、以下に説明する加速度センサ)によっては、非晶質層1は除去される。デバイスによっては、さらに、非晶質金属層2、または、非晶質金属層2および配向層3、または、非晶質金属層2、配向層3および合金層4aも除去される。
次に、実施形態のSiGe層の形成方法をMEMSデバイスを含む加速度センサに適用した例について説明する。
図6は実施形態に係るMEMSデバイスを含む加速度センサを模式的に示す平面図であり、図7は図6の平面図の7−7断面図である。
なお、図6および図7には、簡単のため、水平方向(X方向)および垂直方向(Y方向)の一方の加速度を検出するMEMSデバイスが示されている。実施形態のSiGe層の形成方法は、さらに、高さ方向(Z方向)の加速度を検出するMEMSデバイスに対しても適用可能である。
本実施形態に係る加速度センサは、基板110と、基板110上に設けられたMEMSデバイス120とを含む。基板110は、シリコン基板101と、シリコン基板101上に設けられたCMOS集積回路109とを含む。
MEMSデバイス120は、基板110上に固定された櫛状の第1および第2の固定電極111a,111b、ならびに、加速度の変化に対応して右方向または左方向に位置が変位する櫛状の可動電極112を備えている。
第1の固定電極111aの櫛歯状の部分と可動電極112の櫛歯状の部分とは互いに空隙をもって噛み合う状態に、第1の固定電極111aおよび可動電極112は配置されている。同様に、第2の固定電極111bの櫛歯状の部分と可動電極112の櫛歯状の部分とは互いに空隙をもって噛み合う状態に、第2の固定電極111bおよび可動電極112は配置されている。
第1の固定電極111aと可動電極112とは第1のキャパシタを構成する。第2の固定電極111bと可動電極112とは第2のキャパシタを構成する。加速度の変化に対応して第1のキャパシタの静電容量と第1のキャパシタの静電容量との差は変化する。CMOS集積回路109は、第1のキャパシタの静電容量と第2のキャパシタの静電容量との差の変化を差動検知するための回路(不図示)を含む。
可動電極112は、ばね部113を介して基板110上に設けられたアンカー部114A,115Aに接続される。アンカー部114Aの外側の基板110上にはアンカー部114Bが設けられている。アンカー部114B上にはアンカー部115Bが設けられている。
固定電極111a,111b、可動電極112およびばね部113の上方には、複数の貫通孔を有する天井部116が設けられている。天井部116はアンカー部115Bによって支えられている。アンカー部114B,115Bおよび天井部116上にはキャップ膜117が設けられている。キャップ膜117は多層の絶縁膜でも構わないし、単層の絶縁膜でも構わない。キャップ膜117は天井部116の複数の貫通孔に面する。キャップ膜117は天井部116の複数の貫通孔を塞いでも構わない。基板110、アンカー部114B,115B、天井部116およびキャップ膜117は、固定電極111a,111bおよび可動電極112を収容する空洞を構成する。
図8−図16は、実施形態に係るMEMSデバイスを含む加速度センサの製造方法を説明するための断面図である。図8−図16は、図6の平面図の7−7断面図に対応する。
[図8]
シリコン基板101上にCMOS集積回路109が周知の方法により形成される。図8において、102は素子分離領域、103はゲート(ゲート電極、ゲート絶縁膜)、104はソース/ドレイン領域、105は絶縁膜、106はコンタクトプラグ、107は配線、108は絶縁膜を示している。絶縁膜105および絶縁膜108は、例えば、それぞれ、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜である。
基板110上に非晶質SiGe層200が形成され、その後、フォトリソグラフィプロセスおよびエッチングプロセスを用いて非晶質SiGe層200は所定の形状にパターニングされる。パターニングされた非晶質SiGe層200は、図7に示された固定電極111a1、アンカー部114A,114Bに対応するパターンを含む。非晶質SiGe層200はその抵抗を下げる不純物を含んでいても構わない。
[図9]
以下の図では、簡単のため、図8のシリコン基板101およびCMOS集積回路109をまとめて一つの基板110として示してある。
基板110および非晶質SiGe層200の上に犠牲層201が形成され、その後、CMPプロセスにより、非晶質SiGe層200が露出するまで犠牲層201は研磨されるとともに、非晶質SiGe層200および犠牲層201の表面は平坦化される。犠牲層201の材料、例えば、シリコン酸化物である。
[図10]
実施形態の多結晶SiGe層の形成方法を用いて、非晶質SiGe層200および犠牲層201の上に多結晶SiGe層を含む層(以下、SiGe層という)202が形成される。上記多結晶SiGe層の厚さは、例えば、10μm以上である。SiGe層202は、図5に示された非晶質金属層2、配向層3、前駆体層4aおよび多結晶SiGe層5を含むが、簡単のために、層2,3,4aに対応する層は省略してある。また、非晶質SiGe層200および犠牲層201は、図5に示された非晶質層1に対応する。
[図11]
SiGe層202上に犠牲層203が形成される。犠牲層203は、固定電極111a2、可動電極112、ばね部113およびアンカー部115A,115Bに対応するパターンを有する。
[図12]
犠牲層203をマスクに用いたエッチングによりSiGe層202は所定の形状にパターニングされる。パターニングされたSiGe層202は、図7に示された固定電極111a2、可動電極112、ばね部113およびアンカー部115A,115Bに対応するパターンを含む。
[図13]
犠牲層201およびSiGe層202の上に犠牲層204が形成され、その後、SiGe層202の一部を露出させる開口部205が犠牲層201,204中に形成される。開口部205は、図7に示されたアンカー部115Bの上面の一部に対応する位置に形成される。開口部205の形成は、例えば、フォトリソグラフィプロセスおよびエッチングプロセスを用いて犠牲層203,204をパターニングすることにより行われる。
[図14]
開口部205を埋め込むように、犠牲層204上にSiGe層206が形成される。周知の低温CVDプロセスを用いた場合、SiGe層206は非晶質となる。SiGe層206は実施形態の多結晶SiGe層の形成方法を用いて形成されても構わない。
[図15]
フォトリソグラフィプロセスおよびエッチングプロセスを用いてSiGe層206は所定の形状にパターニングされる。パターニングされたSiGe層206は、図7に示された複数の貫通孔を有する天井部116に対応するパターンを含む。
[図16]
ドライプロセスにより犠牲層201,203,204は除去される。犠牲層201,203,204の材料がシリコン酸化物の場合、例えば、フッ化水素ガス(HFガス)を用いたドライプロセスにより、犠牲層201,203,204は除去される。
上述したように、SiGe層202は、図5に示された非晶質金属層2、配向層3、前駆体層4aおよび多結晶SiGe層5を含むが、層2,3,4aは図示していない。犠牲層201を除去した後、層2、または、層2,3、または、層2,3,4aは除去される場合もある。
この後、キャップ膜を形成することにより、図7に示されたMEMSデバイスを含む加速度センサが得られる。本実施形態によれば、応力が低減されたSiGe層を含むMEMSデバイスが得られるので、Q値が高い可動部を含むMEMSデバイスを提供できるようになる。
実施形態のSiGe層の形成方法は、MEMSデバイスを含む他のセンサ、例えば、ジャイロまたは圧力センサにも適用可能である。
(第2の実施形態)
図17−図19は、第2の実施形態に係るSiGe層の形成方法を説明するための断面図である。第1の実施形態では、図3の工程で、配向層3上にSiと金属との合金(金属シリサイド)を含む前駆体層4を形成したが、本実施形態では配向層3上にSiGeと金属との合金を含む前駆体層4’を形成する。
[図17]
第1の実施形態の図1および図2の工程が行われ、その後、配向層3上にSiGeと金属とを含む合金の前駆体層(第1の層)4’が形成される。
前駆体層4’は、例えば、Siと金属とが混合した層(単層)、または、SiGeを含む層と金属とを含む層との積層体を備える。前駆体層4’は、前駆体層4の場合と同様には、例えば、スパッタリングプロセスを用いて形成される。
前駆体層4’中のSiGeおよび金属の量は、前駆体層4’を加熱することにより、SiGeと金属との合金(例えば、Ni(Si1-xGex 2 またはCo(Si1-xGex 2 )の層が形成されるように設定される。Ni(Si1-xGex 2 およびCo(Si1-xGex 2 の配向面は(111)面である。Ni(Si1-xGex 2 およびCo(Si1-xGex 2 の格子定数はSiGeの格子定数に近い。
[図18]
不活性ガス雰囲気中で前駆体層4’を加熱すること(アニール)により、前駆体層4’をSiGeと金属との合金層4a’に変える。不活性ガス雰囲気は、例えば、窒素やアルゴン等を含む雰囲気である。上記アニールは、例えば、450℃以下の温度で行われる。
上記アニールにより、SiGeと同じ配向面を有し、かつ、格子定数がSiGeに近い合金層4a’(Ni(SiGe)2 層またはCo(SiGe)2 層)が得られる。
[図19]
合金層4a’上に多結晶SiGe層5が形成される。多結晶SiGe層5は、例えば、CVDプロセスにより形成される。上記CVDプロセスは、例えば、450℃以下で行われる。
本実施形態のSiGe層の形成方法も第1の実施形態のそれと同様の効果を有する。また、本実施形態のSiGe層の形成方法も第1の実施形態のそれと同様にMEMSデバイスを含むセンサの製造方法に適用できる。
(第3の実施形態)
図20−図24は、第3の実施形態に係るSiGe層の形成方法を説明するための断面図である。
[図20]
非晶質層1上に第1のゲルマニウム酸化層11aが形成される。
[図21]
第1のゲルマニウム酸化層11a上に、非晶質SiGe層12および複数のAg柱(柱状部材)13を含む層(第1の層)14が形成される。
非晶質SiGe層12の厚さは、例えば、2nm以上20nm以下である。また、非晶質SiGe層12は複数のAg柱13によって横方向等の寸法が一定値以下に制限されている。図25に第1の層14の平面図を示す。図21に示された非晶質SiGe層12の断面図は、図25の21−21断面図に対応する。横方向に隣接する二つのAg柱13間の距離Lは一定値(例えば数nm)以下である。その結果、非晶質SiGe層12中のSiGe原子は横方向に関して動きにくくなる。第1の層14は、例えば、ゲルマニウム酸化層11上にSiGeおよびAgをスパッタリングプロセスにより堆積することにより形成することができる。上記スパッタリングプロセスにおいては、例えば、Ge、AgおよびSiが混ざったターゲットが使用される。ターゲット中のGe、AgおよびSiの割合は、例えば、Ge:Si=6:4、Ge:Ag=6:4である。Agの代わりにAlを用いた場合も同様の組成を有するターゲットが使用可能である。
[図22]
第1層の14上に第2のゲルマニウム酸化層11bが形成される。非晶質SiGe層12の上面は第2のゲルマニウム酸化層14によってキャップされる。
[図23]
MILC(Metal Induced Lateral Crystallization)プロセスを用いて、非晶質SiGe層12を多結晶SiGe層15に変える。多結晶SiGe層15の厚さは、例えば、10〜20nm以下である。MILCプロセスは、例えば、450℃以下の温度で行われる。
XRD(X-ray diffraction)法を用いて多結晶SiGe層15を調べたところ、多結晶SiGe層15は(111)面に配向されることが確認された。
[図24]
第2のゲルマニウム酸化層14が除去され、その後、多結晶SiGe層15を下地層に用いて、第1の層14上に(111)面に配向され、応力が低減された多結晶SiGe層5が形成される。
なお、Ag以外の金属(例えば、アルミニウム)を含む柱状部材を用いても構わない。さらに、シリコン酸化物等の絶縁体を含む柱状部材を用いても構わない。
以上述べた実施形態の半導体装置およびその製造方法の上位概念、中位概念および下位概念の一部または全ては、例えば以下のような付記1−27またはその組合せで表現できる。
[付記1]
非晶質金属層を形成する工程と、
前記非晶質金属層上に、金属を含み、結晶面が所定の面に配向する金属層を形成する工程と、
前記金属層上に、シリコンを含む半導体および前記金属層に含まれる前記金属と同一の金属を含む第1の層を形成する工程と、
前記第1の層を、結晶面が前記所定の面に配向する前記半導体と前記金属との化合物を含む第2の層に変える工程と、
前記第2の層上に、結晶面が前記所定の面に配向する多結晶シリコンゲルマニウムを含む第3の層を形成する工程と
を具備してなることを特徴とするデバイスの製造方法。
[付記2]
前記第2の層の格子定数と前記第3の層の格子定数との差は、前記第1の層の格子定数と前記第3の層の格子定数との差よりも小さいことを特徴とする付記1に記載のデバイスの製造方法。
[付記3]
前記非晶質金属層は非晶質層上に形成されることを特徴とする付記1または2に記載のデバイスの製造方法。
[付記4]
前記非晶質層は、絶縁物を含むことを特徴とする付記1ないし3のいずれか一つに記載のデバイスの製造方法。
[付記5]
前記非晶質金属層は、タンタルまたはタンタルナイトライドを含むことを特徴とする付記1ないし4のいずれか一つに記載のデバイスの製造方法。
[付記6]
前記結晶面が前記所定の面に配向する前記金属は、ニッケルまたはコバルトを含むことを特徴とする付記1ないし5のいずれか一つに記載のデバイスの製造方法。
[付記7]
前記金属層を形成する工程は、前記非晶質金属層上に前記金属をスパッタリングプロセスにより堆積することを含むことを特徴とする付記1ないし6のいずれか一つに記載のデバイスの製造方法。
[付記8]
前記第1の層を形成する工程は、前記半導体および前記金属を含む単層を形成する工程を含むことを特徴とする付記1ないし7のいずれか一つに記載のデバイスの製造方法。
[付記9]
前記第1の層を形成する工程は、前記半導体を含む層と前記金属を含む層との積層体を形成する工程を含むことを特徴とする付記1ないし7のいずれか一つに記載のデバイスの製造方法。
[付記10]
前記半導体はさらにゲルマニウムを含むことを特徴とする付記1ないし9のいずれか一つに記載のデバイスの製造方法。
[付記11]
前記第2の層を形成する工程は、前記第1の層をアニールすることを含むことを特徴とする付記1ないし10のいずれか一つに記載のデバイスの製造方法。
[付記12]
前記化合物は、NiSi2 またはCoSi2 を含むことを特徴とする付記1ないし11のいずれか一つに記載のデバイスの製造方法。
[付記13]
前記多結晶シリコンゲルマニウムを含む前記第3の層を形成する工程は、450℃以下のCVDプロセスを用いて行われることを含むことを特徴とする付記1ないし12のいずれか一つに記載のデバイスの製造方法。
[付記14]
第1の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層上に、隣接する柱状部材間の距離が一定値以下の複数の柱状部材と、前記複数の柱状部材間を埋める非晶質シリコンゲルマニウムとを含む第1の層を形成する工程と、
前記第1の層上に第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の層をアニールすることにより、前記非晶質シリコンゲルマニウムを結晶面が所定の面に配向するシリコンゲルマニウムに変える工程と、
前記第2の絶縁層を除去する工程と、
前記第1の層上に結晶面が前記所定の面に配向する多結晶シリコンゲルマニウムを含む第2の層を形成する工程と
を具備してなることを特徴とするデバイスの製造方法
[付記15]
前記金属は銀またはアルミニウムを含み、前記絶縁体はシリコン酸化物を含むことを特徴とする付記14に記載のデバイスに製造方法
[付記16]
前記多結晶シリコンゲルマニウムを含む前記第2の層を形成する工程は、450℃以下のCVDプロセスを用いて行われることを含むことを特徴とする付記14または15に記載のデバイスの製造方法。
[付記17]
前記アニールは450℃以下の温度で行われることを特徴とする付記1ないし16のいずれか一つに記載のデバイスの製造方法。
[付記18]
前記所定の面は(111)面であることを特徴とする付記1ないし17のいずれか一つに記載のデバイスの製造方法。
[付記19]
前記第1の絶縁層は非晶質層上に形成されることを特徴とする付記14ないし18のいずれか一つに記載のデバイスの製造方法。
[付記20]
前記非晶質層を除去する工程をさらに含むことを特徴とする付記1ないし19のいずれか一つに記載のデバイスの製造方法
[付記21]
複数の柱状部材と、前記複数の柱状部材間を埋める結晶面が(111)面に配向するシリコンゲルマニウムとを含む第1の層と、
前記第1の層上に設けられた結晶面が(111)面に配向する多結晶シリコンゲルマニウムを含む第2の層と
を具備してなることを特徴とするデバイス
[付記22]
前記複数の柱状部材は、複数の柱状の金属または絶縁体であることを特徴とする付記21に記載のデバイス。
[付記23]
前記金属は銀またはアルミニウムを含み、前記絶縁体はシリコン酸化物を含むことを特徴とする付記22に記載のデバイス。
[付記24]
前記非晶質金属層の厚さは2nm以上50nm以下であることを特徴とする付記1ないし13のいずれかに記載のデバイスの製造方法。
[付記25]
前記第2の層はNi(Si1-xGex 2 層またはCo(Si1-xGex 2 層であり、かつ、0≦x≦1であることを特徴とする付記1に記載のデバイスの製造方法。
[付記26]
前記xは0.3以上であることを特徴とする付記25に記載のデバイスの製造方法。
[付記27]
前記Ni(Si1-xGex 2 層またはCo(Si1-xGex 2 層の厚さは2nm以上50nm以下であることを特徴とする付記25に記載のデバイスの製造方法。
[付記27]
前記非晶質金属層の厚さと前記金属層の厚さとの合計は50nm以下であることを特徴とする付記1に記載のデバイスの製造方法。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…非晶質層(下地層)、2…非晶質金属層、3…配向層(金属層)、4,4’…前駆体層(第1の層)、4a,4a’…合金層(第2の層)、5…多結晶SiGe層(第3の層)、14…第1の層、101…シリコン基板、102…素子分離領域、103…ゲート、104…ソース/ドレイン領域、105…絶縁膜、106…コンタクトプラグ、107…配線、108…絶縁膜、109…CMOS集積回路、110…基板、111a…櫛状の第1の固定電極、111b…櫛状の第1の固定電極、112…可動電極、113…ばね部、114A,114B,115A,115B…アンカー部、116…天井部、117…キャップ膜、120…MEMSデバイス、200…SiGe層、201…犠牲層、202…SiGe層、203…犠牲層、204…犠牲層、205…開口部、206…SiGe層。

Claims (9)

  1. 非晶質金属層を形成する工程と、
    前記非晶質金属層上に、金属を含み、結晶面が所定の面に配向する金属層を形成する工程と、
    前記金属層上に、シリコンを含む半導体および前記金属層に含まれる前記金属と同一の金属を含む第1の層を形成する工程と、
    前記第1の層を、結晶面が前記所定の面に配向する前記半導体と前記金属との化合物を含む第2の層に変える工程と、
    前記第2の層上に、結晶面が前記所定の面に配向する多結晶シリコンゲルマニウムを含む第3の層を形成する工程と
    を具備してなることを特徴とするデバイスの製造方法。
  2. 前記結晶面が前記所定の面に配向する前記金属は、ニッケルまたはコバルトを含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイスの製造方法。
  3. 前記第1の層を形成する工程は、前記半導体を含む層と前記金属を含む層との積層体を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載のデバイスの製造方法。
  4. 前記化合物は、NiSi2 またはCoSi2 を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のデバイスの製造方法。
  5. 第1の絶縁層を形成する工程と、
    前記第1の絶縁層上に、隣接する柱状部材間の距離が一定値以下の複数の柱状部材と、前記複数の柱状部材間を埋める非晶質シリコンゲルマニウムとを含む第1の層を形成する工程と、
    前記第1の層上に第2の絶縁層を形成する工程と、
    前記第1の層をアニールすることにより、前記非晶質シリコンゲルマニウムを結晶面が所定の面に配向するシリコンゲルマニウムに変える工程と、
    前記第2の絶縁層を除去する工程と、
    前記第1の層上に結晶面が前記所定の面に配向する多結晶シリコンゲルマニウムを含む第2の層を形成する工程と
    を具備してなることを特徴とするデバイスの製造方法。
  6. 前記所定の面は(111)面であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載のデバイスの製造方法。
  7. 複数の柱状部材と、前記複数の柱状部材間を埋める結晶面が(111)面に配向するシリコンゲルマニウムとを含む第1の層と、
    前記第1の層上に設けられた結晶面が(111)面に配向する多結晶シリコンゲルマニウムを含む第2の層と
    を具備してなることを特徴とするデバイス。
  8. 前記複数の柱状部材は、複数の柱状の金属または絶縁体であることを特徴とする請求項7に記載のデバイス。
  9. 前記金属は銀またはアルミニウムを含み、前記絶縁体はシリコン酸化物を含むことを特徴とする請求項8に記載のデバイス。
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