JP2016197562A

JP2016197562A - 同軸コネクタ

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Publication number: JP2016197562A
Application number: JP2015077542A
Authority: JP
Inventors: 葉子村田; Yoko Murata; 田村　亮; Akira Tamura; 亮田村
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2015-04-06
Filing date: 2015-04-06
Publication date: 2016-11-24
Anticipated expiration: 2035-04-06
Also published as: US20160294129A1; JP6439555B2; US9716353B2

Abstract

【課題】高周波信号が反射するのを抑制することが可能な同軸コネクタを提供すること。
【解決手段】円形の開口端３３ｘを備えた相手方コネクタ３０に螺合する円筒状であって、内周面２２ｂに開口端３３ｘが当接する当接面２２ｃが設けられ、かつ、スリット２２ｓが形成されたことにより長手方向に伸縮自在とされた外部導体２２と、外部導体２２と同軸を成すように設けられ、かつ相手方コネクタ３０が立設されている基板３１に届く長さの中心導体２３とを有する同軸コネクタ２０による。
【選択図】図１０

Description

本発明は、同軸コネクタに関する。

携帯電話の基地局等においては、高周波信号を伝送するための同軸コネクタが使用される。同軸コネクタには、同軸ケーブルの端部に設けられたプラグと、そのプラグが嵌合するレセプタクルとがある。

プラグとレセプタクルは、いずれも中心導体とそれを囲う外部導体とを有しており、嵌合時にお互いの中心導体同士と外部導体同士とが接続される。

実開昭６３−５０４号公報特開２０１３−８４４９８号公報特開平５−４１２５９号公報特開２００９−５２９１３号公報

しかしながら、プラグとレセプタクルの形状の如何によっては特性インピーダンスの値が他の部位と異なる部位が生じ、その部位で高周波信号が反射してしまう。

開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、高周波信号が反射するのを抑制することが可能な同軸コネクタを提供することを目的とする。

以下の開示の一観点によれば、円形の開口端を備えた相手方コネクタに螺合する円筒状であって、内周面に前記開口端が当接する当接面が設けられ、かつ、スリットが形成されたことにより長手方向に伸縮自在とされた外部導体と、前記外部導体と同軸を成すように設けられ、かつ前記相手方コネクタが立設されている基板に届く長さの中心導体とを有する同軸コネクタが提供される。

また、その開示の他の観点によれば、円形の開口端を備えた相手方コネクタに嵌る円筒状であって、内周面に前記開口端が当接する当接面が設けられた外部導体と、前記外部導体と同軸を成すように設けられ、かつ前記相手方コネクタが立設されている基板に形成された中心孔に挿入自在な中心導体とを有する同軸コネクタが提供される。

そして、その開示の別の観点によれば、基板の表面に形成され、相手方コネクタの中心導体が当接する中心導体膜と、前記相手方コネクタが嵌る円筒状であって、前記中心導体膜を内側に含むように前記基板に立設された外部導体とを有する同軸コネクタが提供される。

更に、その開示の更に別の観点によれば、相手方コネクタが嵌る円筒状であって、前記相手方コネクタの中心導体が挿入自在となる中心孔が形成された基板に立設された外部導体を有する同軸コネクタが提供される。

以下の開示によれば、スリットにより外部導体がバネ性を有するようになるため、そのバネ性により外部導体の当接面と相手方コネクタの開口端とが密着し、かつ中心導体と基板とが密着する。その結果、外部導体と相手方コネクタとの間等に隙間が生じず、その隙間に起因して高周波信号が反射するのを抑制することが可能となる。

図１は、検討に使用したスナップイン方式の一対の同軸コネクタの一部断面側面図である。図２は、レセプタクルにプラグを接続した状態での一部断面側面図である。図３は、プラグとレセプタクルとが接続された状態で高周波信号の伝送路に沿った特性インピーダンスの測定結果を示す図である。図４は、第１実施形態に係る一対の同軸コネクタの側面図である。図５は、第１実施形態に係るプラグの斜視図である。図６は、第１実施形態に係るプラグの一部断面側面図である。図７（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態において、中心導体と芯線との接続方法の他の例について示す拡大断面図である。図８は、第１実施形態に係るレセプタクルの斜視図である。図９は、第１実施形態に係るレセプタクルの断面図である。図１０は、第１実施形態において、プラグとレセプタクルとを接続した状態での一部断面側面図である。図１１は、第１実施形態において、高周波信号の反射がどの程度抑制されるのかをシミュレーションして得られた図である。図１２は、第２実施形態に係る一対の同軸コネクタの側面図である。図１３は、第２実施形態に係るプラグの一部断面側面図である。図１４は、第２実施形態に係るレセプタクルの断面図である。図１５は、第２実施形態において、プラグとレセプタクルとを接続した状態での一部断面側面図である。

本実施形態の説明に先立ち、本願発明者が行った検討事項について説明する。

前述のように、同軸コネクタにはプラグとレセプタクルとがあるが、以下では挿抜が簡単なスナップイン方式の同軸コネクタについて説明する。

図１は、検討に使用したスナップイン方式の一対の同軸コネクタの一部断面側面図である。

これらの同軸コネクタのうちの一方は、同軸ケーブル４の端部に設けられたプラグ１であり、他方は回路基板１１の表面に立設されたレセプタクル１０である。

このうち、プラグ１は、高周波信号の伝送線路となる一対の中心導体２と、これらの中心導体２を囲う接地用の外部導体３とを有する。

外部導体３は概略筒状であって、その内周面には嵌合突起３ａと底面３ｘとが設けられる。

一方、レセプタクル１０は、回路基板１１に固定された接地用の筒状の外部導体１２を有しており、更にその外部導体１２の内側には高周波信号が流れるピン状の中心導体１３が設けられる。この例では、外部導体１２と中心導体１３は、いずれもはんだ１４により回路基板１１に固定される。

また、外部導体１２の外周面には、前述のプラグ１の嵌合突起３ａが嵌る嵌合凹部１２ａが設けられる。そして、外部導体１２の開口端１２ｘは、プラグ１の外部導体３に収容される円形とされる。

図２は、レセプタクル１０にプラグ１を接続した状態での一部断面側面図である。

この状態では外部導体３、１２同士が嵌合しており、これにより各外部導体３、１２が電気的に接続される。そして、ピン状の中心導体１３が一対の中心導体２で挟持されることで、各中心導体２、１３同士が電気的に接続される。

なお、プラグ１とレセプタクル１０とは嵌合凹部１２ａに嵌合突起３ａが嵌ることで互いに固定されているため、レセプタクル１０からプラグ１を簡単に抜去することができる。

本願発明者は、上記のようにプラグ１とレセプタクル１０とが接続された状態で高周波信号の伝送路に沿った特性インピーダンスを測定した。

その測定結果を図３に示す。

図３の横軸は、高周波信号の伝送路上の位置を示し、縦軸はその位置での特性インピーダンスを示す。

また、図３においては、上記のプラグ１とレセプタクル１０も併記する。

特性インピーダンスの仕様値は５０Ωであることが多いが、図３のようにこの例では特性インピーダンスの値が５０Ωから大きく外れている部位（１）〜（３）がある。

これは、信号線路と接地線路との間隔で定義される導体間隔Wに特性インピーダンスが依存するため、導体間隔Wが変化している部位（１）〜（３）で特性インピーダンスも変動するためと考えられる。

例えば、部位（１）は回路基板１１の表面であるが、当該表面にはんだ１４が広がるとそのはんだ１４と外部導体１２との導体間隔Wが狭くなるため、部位（１）において特性インピーダンスが変動することになる。

また、部位（２）は、各中心導体２、１３同士が接している部位である。この例のように中心導体２により中心導体１３を挟持すると、中心導体２の厚さの分だけ導体間隔Wが狭くなるので、特性インピーダンスも変動する。

そして、部位（３）は、外部導体１２の開口端１２ｘと外部導体１３との隙間Sが存在する部位である。その隙間Sが中心導体２側に表出することで導体間隔Wが広くなり、部位（３）において特性インピーダンスが変動することになる。

なお、部位（３）における特性インピーダンスの変動を抑制するために、開口端１２ｘを外部導体１３の底面３ｘに密着させることにより隙間Sを無くすことも考えられる。

しかし、底面１３ｘに開口端１２ｘを密着させると、プラグ１の奥にレセプタクル１０を押し込む余裕がなくなるため、加工ばらつきによって嵌合突起３ａの位置がずれたときに嵌合突起３ａが嵌合凹部１２ａに嵌らなくなるおそれがある。

このように特性インピーダンスが変動している部位（１）〜（３）が存在すると、これらの部位において高周波信号が反射してしまい、同軸コネクタの反射損失が増大してしまう。

以下に、高周波信号が反射するのを抑制することが可能な各実施形態について説明する。

（第１実施形態）
図４は、本実施形態に係る一対の同軸コネクタの側面図である。

これらの同軸コネクタのうちの一方は、同軸ケーブル２１の端部に設けられたプラグ２０であり、他方は回路基板３１の表面に立設されたレセプタクル３０である。

図５は、プラグ２０の斜視図である。

プラグ２０は、円筒状の外部導体２２と、その外部導体２２と同軸を成すピン状の中心導体２３とを有する。

外部導体２２には、幅が０．５mm〜１．０mm程度の螺旋状のスリット２２ｓが設けられる。これにより、外部導体２２がその長手方向Dに沿って伸縮自在となり、外部導体２２にバネ性が付与される。

更に、外部導体２２の外周面２２ａには、ユーザがプラグ２０を把持し易いようにするための複数の突起２２ｘが設けられる。

なお、プラグ２０の各寸法は特に限定されないが、この例では外部導体２２の直径を４．０mm〜８．０mm程度とし、外部導体２２の管壁の厚さを０．３mm〜０．６mm程度とする。また、長手方向Dに沿った外部導体２２の長さは、例えば３．０mm〜１１．０mm程度である。

そして、中心導体２３の直径は、例えば０．５mm〜１．０mm程度である。

図６は、プラグ２０の一部断面側面図である。

図６に示すように、同軸ケーブル２１は、高周波信号の伝送線路である芯線２５とこれを囲う外部導体２９とを有する。

その外部導体２９は接地電位に維持されており、前述のプラグ２０の外部導体２２と電気的に接続される。また、外部導体２２の円筒状の内周面２２ｂには、後述のようにレセプタクル３０が当接する当接面２２ｃと、そのレセプタクル３０と螺合するネジ溝２２ｄとが設けられる。

当接面２２ｃの形状は特に限定されない。この例では、断面視で内周面２２ｂと直角を成すように当接面２２ｃを設ける。

また、外部導体２２の基部寄りの内周面２２ｂには、当接面２２ｃに繋がる円筒面２２ｚが設けられる。円筒面２２ｚは、内周面２２ｂよりも直径が小さい円筒状であり、かつ内周面２２ｂと同軸を成す。

一方、中心導体２３は、その延在方向Eに沿って直径が略一定のピン状であると共に、その先端部２３ａが側面視で外部導体２２から若干はみ出る程度の長さを有する。

この例では同軸ケーブル２１の芯線２５を延伸することで中心導体２３とするが、中心導体２３と芯線２５との接続方法はこれに限定されない。

図７（ａ）、（ｂ）は、中心導体２３と芯線２５との接続方法の他の例について示す拡大断面図である。

このうち、図７（ａ）の例では、中心導体２３の基部２３ｚと芯線２５の先端とをはんだ２６で接続する。

一方、図７（ｂ）の例では、中心導体２３の基部２３ｚを中空にしてその中に芯線２５を挿入し、更に基部２３ｚを加締めることで芯線２５に中心導体２３を圧着する。

また、外部導体２２や中心導体２３の材料も特に限定されず、黄銅等の金属をこれらの材料として採用し得る。また、中心導体２３の電気抵抗を下げるために、中心導体２３を銅膜で被覆してもよい。

図８は、プラグ２０の相手方コネクタとなるレセプタクル３０の斜視図である。

図８に示すように、レセプタクル３０は概略円筒状の外部導体３３を有する。

外部導体３３の材料は黄銅等の金属であって、その開口端３３ｘは概略円形である。

また、外部導体３３の基部には複数のプレスフィット端子３３ａが設けられる。各プレスフィット端子３３ａには外力で潰れる孔３３ｂが設けられており、外力に抗して孔３３ｂが広がろうとすることで各プレスフィット端子３３ａが弾性力を呈するようになる。

更に、外部導体３３の外周面３３ｃには、プラグ２０のネジ溝２２ｄ（図６参照）と螺合するネジ山３３ｄが設けられる。

なお、外部導体３３の寸法は特に限定されないが、この例では外部導体３３の直径を３．５mm〜８．０mm程度とし、外部導体３３の管壁の厚さを０．５mm〜１．０mm程度とする。また、外部導体３３の長手方向に沿った長さは、例えば５．０mm〜１０．０mm程度である。

図９は、レセプタクル３０の断面図である。

レセプタクル３０は、前述の外部導体３３の他に、回路基板３１の表面に形成された中心導体膜３２を備える。そして、外部導体３３は、その中心導体膜３２を内側に含むように回路基板３１に立設される。

中心導体膜３２は、高周波信号の伝送線路の一部を形成するものであり、例えば厚さが３０μm〜１００μm程度の銅箔をパターニングすることで形成される。なお、中心導体膜２３は、不図示の配線を介して外部導体３３の外側に引き出される。

また、回路基板３１には直径が０．８mm〜１．５mm程度の貫通孔３１ａが形成されており、その貫通孔３１ａの内面には銅めっき膜等の接地導体膜３４が２５μm〜７５μm程度の厚さに設けられる。

そして、その貫通孔３１ａに前述のプレスフィット端子３３ａを圧入することで、プレスフィット端子３３ａの弾性力で回路基板３１に外部導体３３が固定され、かつ外部導体３３と接地導体膜３４とが電気的に接続される。接地導体膜３４は接地電位に維持されているため、これにより外部導体３３も接地されることになる。

なお、外部導体３３の内周面３３ｙの形状は特に限定されないが、この例では内周面３３ｙを凹凸のない円筒状とする。

図１０は、プラグ２０とレセプタクル３０とを接続した状態での一部断面側面図である。

プラグ２０とレセプタクル３０とを接続するには、ネジ溝２２ｄとネジ山３３ｄ同士が嵌合した状態で、ユーザがプラグ２０を回転させる。

これにより、レセプタクル３０に向かってプラグ２０が前進し、最終的には中心導体２３の先端部２３ａが中心導体膜３２に当接して、中心導体２３と中心導体膜３２とが電気的に接続される。また、これと共に、開口端３３ｘが当接面２２ｃに当接することにより、プラグ２０とレセプタクル３０とが完全に接続される。

ここで、前述のようにスリット２２ｓにより外部導体２２がバネ性を有しているため、中心導体２３と中心導体膜３２とが当接した後や、開口端３３ｘが当接面２２ｃに当接した後であっても、外部導体３３が若干延びる余裕がある。

そのため、レセプタクル３０にプラグ２０を更に押し込むことで外部導体３３が延び、外部導体３３のバネ性で中心導体膜３２に中心導体２３を密着させたり、当接面２２ｃに開口端３３ｘを密着させたりでき、レセプタクル３０にプラグ２０を確実に接続できる。

なお、この状態においては、内周面３３ｙと円筒面２２ｚとの間には段差は形成されず、内周面３３ｙと円筒面２２ｚとは連続した円筒状の管壁Tを形成する。これについては後述の第２実施形態でも同様である。

以上説明した本実施形態によれば、図１０のように当接面２２ｃに開口端３３ｘが当接するため、開口端３３ｘの近傍Fにおいて図３のような隙間Sが中心導体２３側に表出しない。

前述のように同軸コネクタの特性インピーダンスは信号線路と接地線路との間隔で定義される導体間隔に依存するが、このように隙間Sが表出しないことで開口端３３ｘの近傍Fでの導体間隔W1が中心導体２３の延在方向Eに沿って一定となる。

特に、本実施形態では外部導体２２のバネ性で当接面２２ｃに開口端３３ｘを押圧するので、近傍Fにおいて隙間が表出する余地が少ない。

また、はんだを使用せずに回路基板３１に中心導体膜３２や外部導体３３を固定しているため、回路基板３１の上を濡れ広がるはんだが原因で回路基板３１の表面近傍Gで導体間隔W2が変動しない。

更に、中心導体２３を中心導体膜３２に当接させることで両者を電気的に接続しており、図３のように一方の中心導体を他方で挟持していないので、延在方向Eに沿って導体間隔W3も略一定となる。

このように導体間隔W1〜W3が延在方向Eに沿って一定となることで、導体間隔W1〜W3の変動に起因して特性インピーダンスが延在方向Eに沿って変動するのが防止され、プラグ２０やレセプタクル３０で高周波信号が反射するのを抑制することができる。

特に、この例のように中心導体２３をその延在方向Eに沿って直径が略一定のピン状とすることで、延在方向Eに沿った導体間隔W1〜W3の変動を一層効果的に抑制できる。

なお、このように導体間隔W1〜W3を延在方向Eに沿って一定とするには、前述のように内周面３３ｙと円筒面２２ｚとで連続した円筒状の管壁Tを形成し、その管壁Tと中心導体２３との間隔Dを延在方向Eに沿って一定とするのが好ましい。

本願発明者は、本実施形態において高周波信号の反射がどの程度抑制されるのかをシミュレーションした。

そのシミュレーションの結果を図１１に示す。

図１１の縦軸は高周波信号の電圧定在波比（VSWR: Voltage Standing Wave Ratio）と反射損失（RL: Return Loss）を示し、横軸は高周波信号の周波数を示す。

なお、図１１においては、比較例として図３のプラグ１とレセプタクル１０のシミュレーション結果も併記する。

図１１に示すように、比較例においては、高周波信号の周波数が増加するにつれ電圧定在波比と反射損失が増大している。実使用下においてはVSWRを１．１以下にするのが良いとされているが、比較例では２GHz以下の周波数でなければVSWRを１．１以下にすることができない。

これに対し、本実施形態においては、高周波信号の周波数が増加しても電圧定在波比と反射損失の増大が抑制されており、３．５GHz程度の周波数においてもVSWRが１．１以下に抑えられている。

これは、前述のように、本実施形態では中心導体２３と外部導体３３との間隔W1〜W3が延在方向Eに沿って一定であり、特性インピーダンスが延在方向Eに沿って変動するのが防止されているためと考えられる。

この結果より、本実施形態に係るプラグ２０とレセプタクル３０において高周波信号の反射が抑制されていることが実際に確かめられた。

（第２実施形態）
第１実施形態では、図１０を参照して説明したように、スリット２２ｓにより外部導体２２にバネ性を持たせ、そのバネ性で中心導体膜３２に中心導体２３を押圧してこれらを電気的に確実に接続した。

本実施形態では、これと同様のことを外部導体２２にスリット２２ｓを設けることなしに以下のように実現する。

図１２は、本実施形態に係る一対の同軸コネクタの側面図である。

なお、図１２において、第１実施形態で説明したのと同じ要素には第１実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。これについては後述の図１３〜図１５でも同様である。

図１２に示すように、本実施形態に係るプラグ２０の外部導体２２にはスリットは設けられない。

また、図１３は、プラグ２０の一部断面側面図である。

第１実施形態とは異なり、本実施形態においては外部導体２２の内周面２２ｂにはネジ山が設けられておらず、当該内周面２２ｂは凹凸のない円筒面状とされる。

そして、中心導体２３の先端部２３ａは、外力で潰れる孔２３ｘを備えたプレスフィット端子とされる。その孔２３ｘが外力に抗して広がろうとすることで、先端部２３ａが弾性力を呈するようになる。

一方、図１４は、レセプタクル３０の断面図である。

図１４に示すように、外部導体３３の内側の回路基板３１には中心貫通孔３１ｂが設けられる。中心貫通孔３１ｂは、前述の中心導体２３の先端部２３ａが挿入自在となる程度の直径を有しており、この例ではその直径を０．５mm〜１．０mm程度とする。

そして、その中心貫通孔３１ｂの内面には、高周波信号の伝送線路の一部となる中心導体膜４１が設けられる。中心導体膜４１の形成方法は特に限定されないが、例えば銅めっき等により中心導体膜４１を２５μm〜７５μm程度の厚さに形成し得る。

なお、外部導体２２（図１３参照）の内周面２２ｂを凹凸のない円筒面状としたのに対応して、外部導体３３の外周面３３ｃも凹凸のない円筒面とする。

図１５は、プラグ２０とレセプタクル３０とを接続した状態での一部断面側面図である。

プラグ２０とレセプタクル３０とを接続するには、ユーザが外部導体３３に外部導体２２を押し込むことにより、当接面２２ｃに開口端３３ｘを当接させると共に、中心貫通孔３１ｂに中心導体２３の先端部２３ａを圧入する。

これにより、各外部導体２２、３３が電気的に接続されるのと同時に、中心導体膜４１と中心導体２３とが電気的に接続される。

以上説明した本実施形態によれば、中心貫通孔３１ｂに中心導体２３を挿入することで中心導体２３と中心導体膜４１とを電気的に接続しており、図３のように一方の中心導体を他方で挟持する構造を採用しない。

これにより、中心導体２３の延在方向Eに沿って導体間隔W3を一定にすることができる。

しかも、中心導体２３が中心貫通孔３１ｂに挿入自在であるため、外部導体３３に外部導体２２を押し込む際の押し込み動作が中心導体２３によって阻害されない。この結果、当接面２２ｃに開口端３３ｘを確実に当接させることができるので、第１実施形態と同様に当接面２２ｃと開口端３３ｘとの間に隙間ができず、開口端３３ｘの近傍Fにおいても導体間隔W1が一定となる。

その結果、間隔W1、W3の変動に起因して特性インピーダンスが延在方向Eに沿って変動するのを防止でき、特性インピーダンスの変動に起因した高周波信号の反射を抑制することが可能となる。

更に、上記のように中心貫通孔３１ｂに中心導体２３を挿入自在としたことで、中心導体２３が中心導体膜４１に擦れて両者の間から塵等の異物が排除される。この結果、異物によって中心導体２３と中心導体膜４１とが電気的に絶縁され難くなり、中心導体２３と中心導体膜４１とを電気的に確実に接続することが可能となる。

以上、各実施形態について詳細に説明したが、各実施形態は上記に限定されない。

例えば、各実施形態に係るプラグ２０やレセプタクル３０の使用用途は特に限定されず、ノート型パソコン等の小型電子機器や、携帯電話の基地局、及びRRH(Remote Radio Head)等においてプラグ２０とレセプタクル３０を使用し得る。

以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。

（付記１）円形の開口端を備えた相手方コネクタに螺合する円筒状であって、内周面に前記開口端が当接する当接面が設けられ、かつ、スリットが形成されたことにより長手方向に伸縮自在とされた外部導体と、
前記外部導体と同軸を成すように設けられ、かつ前記相手方コネクタが立設されている基板に届く長さの中心導体と、
を有することを特徴とする同軸コネクタ。

（付記２）円形の開口端を備えた相手方コネクタに嵌る円筒状であって、内周面に前記開口端が当接する当接面が設けられた外部導体と、
前記外部導体と同軸を成すように設けられ、かつ前記相手方コネクタが立設されている基板に形成された中心孔に挿入自在な中心導体と、
を有することを特徴とする同軸コネクタ。

（付記３）前記中心導体は、プレスフィット端子であることを特徴とする付記２に記載の同軸コネクタ。

（付記４）前記内周面に、前記当接面に繋がる円筒面が設けられ、
前記相手方コネクタの内周面と前記円筒面とが連続した円筒状の管壁を形成することを特徴とする付記１乃至付記３のいずれかに記載の同軸コネクタ。

（付記５）前記管壁と前記中心導体との間隔は、前記中心導体の延在方向に沿って一定であることを特徴とする付記４に記載の同軸コネクタ。

（付記６）前記中心導体はピン状であることを特徴とする付記１乃至付記５のいずれかに記載の同軸コネクタ。

（付記７）基板の表面に形成され、相手方コネクタの中心導体が当接する中心導体膜と、
前記相手方コネクタが嵌る円筒状であって、前記中心導体膜を内側に含むように前記基板に立設された外部導体と、
を有することを特徴とする同軸コネクタ。

（付記８）相手方コネクタが嵌る円筒状であって、前記相手方コネクタの中心導体が挿入自在となる中心孔が形成された基板に立設された外部導体を有することを特徴とする同軸コネクタ。

（付記９）前記外部導体に設けられたプレスフィット端子を更に有し、
前記プレスフィット端子を前記基板の貫通孔に嵌めることにより、前記基板に前記外部導体を立設したことを特徴とする付記７又は付記８に記載の同軸コネクタ。

１、２０…プラグ、２、１３、２３…中心導体、３、１２、２２、２９…外部導体、３ａ…嵌合突起、３ｘ…底面、４、２１…同軸ケーブル、１０、３０…レセプタクル、１１、３１…回路基板、１２ａ…嵌合凹部、１２ｘ…開口端、１４、２６…はんだ、２２ａ…外周面、２２ｂ…内周面、２２ｃ…当接面、２２ｄ…ネジ溝、２２ｘ…突起、２３ａ…先端部、２３ｚ…基部、２２ｚ…円筒面、２５…芯線、３１ａ…貫通孔、３１ｂ…中心貫通孔、３３ａ…プレスフィット端子、３３ｂ…孔、３３ｃ…外周面、３３ｄ…ネジ山、３３ｘ…開口端、３３ｙ…内周面、３４…接地導体膜、４１…中心導体膜、W、W1〜W3…導体間隔、E、D…延在方向、S…隙間、T…管壁。

Claims

円形の開口端を備えた相手方コネクタに螺合する円筒状であって、内周面に前記開口端が当接する当接面が設けられ、かつ、スリットが形成されたことにより長手方向に伸縮自在とされた外部導体と、
前記外部導体と同軸を成すように設けられ、かつ前記相手方コネクタが立設されている基板に届く長さの中心導体と、
を有することを特徴とする同軸コネクタ。
円形の開口端を備えた相手方コネクタに嵌る円筒状であって、内周面に前記開口端が当接する当接面が設けられた外部導体と、
前記外部導体と同軸を成すように設けられ、かつ前記相手方コネクタが立設されている基板に形成された中心孔に挿入自在な中心導体と、
を有することを特徴とする同軸コネクタ。
前記中心導体は、プレスフィット端子であることを特徴とする請求項２に記載の同軸コネクタ。
基板の表面に形成され、相手方コネクタの中心導体が当接する中心導体膜と、
前記相手方コネクタが嵌る円筒状であって、前記中心導体膜を内側に含むように前記基板に立設された外部導体と、
を有することを特徴とする同軸コネクタ。
相手方コネクタが嵌る円筒状であって、前記相手方コネクタの中心導体が挿入自在となる中心孔が形成された基板に立設された外部導体を有することを特徴とする同軸コネクタ。