JP2016194630A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 - Google Patents

電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2016194630A
JP2016194630A JP2015074868A JP2015074868A JP2016194630A JP 2016194630 A JP2016194630 A JP 2016194630A JP 2015074868 A JP2015074868 A JP 2015074868A JP 2015074868 A JP2015074868 A JP 2015074868A JP 2016194630 A JP2016194630 A JP 2016194630A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mirror
electro
optical device
sacrificial layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015074868A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6519284B2 (ja
Inventor
伊藤　智
Satoshi Ito
智 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2015074868A priority Critical patent/JP6519284B2/ja
Priority to US15/060,077 priority patent/US9933700B2/en
Priority to CN201610151350.7A priority patent/CN106054375B/zh
Publication of JP2016194630A publication Critical patent/JP2016194630A/ja
Priority to US15/405,701 priority patent/US10151974B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6519284B2 publication Critical patent/JP6519284B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/18—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
    • G02B7/182—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors for mirrors
    • G02B7/1821—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors for mirrors for rotating or oscillating mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

【課題】ミラーを支持するミラー支持部に犠牲層を残さずに、表面に大きな窪みのないミラーを効率よく形成することのできる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００は、ねじれヒンジ３５およびミラー支持部３８は導電部材３１に一体に形成され、ミラー支持部（第２支持部）３８において、基板１側の第１端部３８１は基板１に向けて開口した開放端になっている。ミラー支持部３８において、ミラー５１側の第２端部３８２は、ミラー支持部３８の開口を塞ぐ平板部３８５になっており、ミラー５１は、平板部３８５の基板１とは反対側の面に接している。かかる電気光学装置１００の製造に用いる第１犠牲層２１は、感光性レジストに対する露光、現像によって形成される。【選択図】図７

Description

本発明は、ミラーを備えた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器に関するものである。
電子機器として、例えば、光源から出射された光をＤＭＤ（デジタル・ミラー・デバイス）と呼ばれる電気光学装置の複数のミラー（マイクロミラー）によって変調した後、変調光を投射光学系によって拡大投射することにより、スクリーンに画像を表示する投射型表示装置等が知られている。かかる電子機器に用いられる電気光学装置において、ミラーは、ミラー支持部を介してトーションヒンジ（ねじれヒンジ）に支持されているとともに、トーションヒンジに電気的に接続されている。また、トーションヒンジは、ヒンジ支持部を介して基板に形成された基板側バイアス電極に支持されているとともに、基板側バイアス電極に電気的に接続されている。従って、基板側バイアス電極からミラーにバイアス電圧を印加する一方、アドレス電極に駆動電圧を印加すれば、ミラーとアドレス電極との間に発生する静電力によってミラーを駆動することができる。かかる構成の電気光学装置の製造工程では、樹脂材料からなる犠牲層を利用してトーションヒンジやミラー等が形成される。
ここで、ミラー支持部が基板とは反対側に凹部を向けていると、ミラーの表面に大きな窪みが形成されてしまい、ミラーの表面（反射面）での反射率が低下する。そこで、ミラー支持部および犠牲層等の表面に無機材料を堆積させた後、研磨し、その後、ミラーを形成する反射膜を形成することが提案されている（特許文献１参照）。また、ミラー支持部を形成するにあたっては、トーションヒンジ上に残した柱状の犠牲層（樹脂層）の表面に金属層を形成した構成が提案されている（特許文献２参照）。
特表２００７−５１０１７４号公報 特開平８−２２７０４２号公報
しかしながら、特許文献１に記載の構成のように、無機材料を堆積させて凹部を埋めるには、無機材料をかなり厚く堆積させる必要があるとともに、無機材料の場合には研磨速度が遅い。このため、犠牲層等の表面から無機材料を研磨で除去するには長い処理時間を必要とするという問題点がある。
また、特許文献２に記載の構成のように、柱状の樹脂層に金属層を積層してミラー支持部を形成した場合、照射された光や、駆動回路を動作させた際の基板での発熱等が原因で電気光学装置の温度が上昇したとき、犠牲層からガスが発生するおそれがある。かかるガスは、ミラーの表面（反射面）に付着すると、ミラーの反射率を低下させるため、好ましくない。また、トーションヒンジ（ねじれヒンジ）とミラー支持部を形成するために２層の金属層を形成すると共に２層の金属層の間に絶縁性の中間層を形成し、パターニングする工程が必要となり、電気光学装置の製造工程が複雑となる。
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、ミラーを支持するミラー支持部に犠牲層を残さずに、表面に大きな窪みのないミラーを効率よく形成することのできる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、基板と、前記基板の一方面側で前記基板に向け突出すると共に前記基板に支持された第１支持部（ヒンジ支持部）と、前記第１支持部を介して前記基板側に支持されたねじれヒンジ（トーションヒンジ）、および前記ねじれヒンジから前記基板とは反対側に突出し、前記ねじれヒンジ側の第１端部が前記基板に向いた開放端になっている筒状の第２支持部（ミラー支持部）が一体に形成された導電部材と、前記第２支持部の前記基板とは反対側の第２端部に接するミラーと、を有することを特徴とする。
本発明に係る電気光学装置の製造方法では、基板の一方面側に形成された感光性樹脂層に露光および現像を行って、第１開口部（ヒンジ支持部用開口部）、および前記基板とは反対側に突出した柱状の凸部を備えた第１犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程と、前記第１犠牲層の前記基板とは反対側および前記第１開口部の内側に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、前記第１導電膜をパターニングにして、前記第１開口部の内側に形成された前記第１導電膜よりなる第１支持部、前記第１支持部（ヒンジ支持部）と一体のねじれヒンジ、および前記ねじれヒンジから前記基板とは反対側に突出し前記ねじれヒンジと一体の筒状の第２支持部を形成する第１パターニング工程と、前記ねじれンジおよび前記第２支持部の前記基板とは反対側に第２犠牲層を形成する第２犠牲層形成工程と、前記第２犠牲層を前記基板とは反対側から平坦化して前記第２支持部を露出させる平坦化工程と、前記第２犠牲層の前記基板とは反対側に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、前記第２導電膜をパターニングしてミラーを形成する第２パターニング工程と、前記第１犠牲層および前記第２犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、を有することを特徴とする。
本発明では、トーションヒンジから基板とは反対側に突出するミラーポストは、筒状になっているとともに、基板側の第１端部が開放端になっている。このため、ミラーポストを形成する際に内側に犠牲層があっても、かかる犠牲層を除去することができる。従って、ミラーポストの内部には、犠牲層を構成する樹脂が残らないため、照射された光や、駆動回路を動作させた際の基板の発熱等が原因で電気光学装置の温度が上昇した場合でも、犠牲層からガスが発生することがない。それ故、犠牲層から発生したガスによって、ミラーの表面（反射面）での反射率が低下するという事態が発生しない。第２支持部において基板とは反対側で第２端部が平坦部になっている状態のときに第２支持部とは別体のミラーを第２支持部に接続させることができる。このため、ミラーの表面に窪みが発生しない。従って、光の利用効率を向上することができるとともに、ミラーでの散乱に起因するコントラストの低下を抑制することができる。また、凹部を無機材料で埋めた場合と違って、凹部を埋めた厚い無機材料をミラーの表面から除去する必要がないので、ミラーの表面に窪みを発生させない第２支持部を効率よく形成することができる。また、ねじれヒンジから基板とは反対側に突出する第２支持部は、筒状になっているとともに、基板側の第１端部が開放端になり、ねじれヒンジと一体で形成されている。このため、第２支持部とねじれヒンジの境界部で発生する強度の低下を抑えることが可能となり、電気光学装置の信頼性が向上する。
本発明において、前記第２端部は、前記第２支持部の開口を塞ぐ平板部になっていることが好ましい。かかる構成によれば、第２支持部とミラーとを確実の電気的に接続することができる。
本発明において、前記第２支持部と前記ねじれヒンジとの間が、湾曲した断面形状になっていることが好ましい。かかる構成によれば、ミラーから第２支持部を介してねじれヒンジに加わる応力が特定個所に集中しにくいという利点がある。
本発明において、前記第２支持部の外周面が前記ミラー側に向いたテーパ面になっていることが好ましい。かかる構成によれば、第２支持部の強度を大きくすることができる。
本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１犠牲層形成工程では、第１感光性樹脂層を形成する第１工程と、前記第１感光性樹脂層に露光および現像を行って前記第１開口部を形成する第２工程と、前記第１感光性樹脂層に対して前記基板とは反対側で重なる第２感光性樹脂層を形成する第３工程と、前記第２感光性樹脂層に露光および現像を行って前記凸部を形成する第４工程と、を行って前記第１犠牲層を形成する態様を採用することができる。
本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１犠牲層形成工程では、感光性樹脂層を形成後、前記感光性樹脂層をハーフトーンマスクによって露光を行った後、現像を行って前記基板とは反対側に突出した柱状の前記凸部を備えた前記第１犠牲層を形成する態様を採用してもよい。
本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記感光性樹脂層としてポジ型の感光性樹脂層を用いる態様を採用することができる。また、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記感光性樹脂層としてネガ型の感光性樹脂層を用いる態様を採用してもよい。
本発明を適用した電気光学装置は各種電子機器に用いることができ、この場合、電子機器には、前記ミラーに光源光を照射する光源部が設けられる。また、電子機器として投射型表示装置や頭部装着型表示装置を構成する場合、電子機器には、さらに、前記ミラーによって変調された光を投射する投射光学系が設けられる。
本発明を適用した電子機器としての投射型表示装置の光学系を示す模式図である。 本発明を適用した電気光学装置の基本構成を模式的に示す説明図である。 本発明を適用した電気光学装置の要部におけるＡ−Ａ′断面を模式的に示す説明図である。 本発明を適用した電気光学装置の詳細構成を示す断面図である。 本発明を適用した電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明を適用した電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明を適用した電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明を適用した電気光学装置の製造工程で形成された層の平面図である。 本発明を適用した電気光学装置の製造工程で用いる第１犠牲層の別の製造方法を模式的に示す説明図である。 本発明を適用した電気光学装置のミラー支持部（第２支持部）の好ましい形態を示す説明図である。
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、本発明を適用した電子機器として投射型表示装置を説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、図面では、ミラー等の数を減らして示してある。
［電子機器としての投射型表示装置］
図１は、本発明を適用した電子機器としての投射型表示装置の光学系を示す模式図である。図１に示す投射型表示装置１０００は、光源部１００２と、光源部１００２から出射された光を画像情報に応じて変調する電気光学装置１００と、電気光学装置１００で変調された光を投射画像としてスクリーン等の被投射物１１００に投射する投射光学系１００４と有している。光源部１００２は、光源１０２０と、カラーフィルタ１０３０とを備えている。光源１０２０は白色光を出射し、カラーフィルタ１０３０は、回転に伴って各色の光を出射し、電気光学装置１００は、カラーフィルタ１０３０の回転に同期したタイミングで、入射した光を変調する。なお、カラーフィルタ１０３０に代えて、光源１０２０から出射された光を各色の光に変換する蛍光体基板を用いてもよい。また、各色の光毎に光源部１００２および電気光学装置１００を設けてもよい。
［電気光学装置１００の基本構成］
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００の基本構成を模式的に示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、電気光学装置１００の要部を示す説明図、および電気光学装置１００の要部の分解斜視図である。図３は、本発明を適用した電気光学装置１００の要部におけるＡ−Ａ′断面を模式的に示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、ミラーが一方側に傾いた状態を模式的に示す説明図、およびミラーが他方側に傾いた状態を模式的に示す説明図である。
図２および図３に示すように、電気光学装置１００は、基板１の一方面１ｓ側に複数のミラー５１がマトリクス状に配置されており、ミラー５１は基板１から離間している。基板１は、例えば、シリコン基板である。ミラー５１は、例えば、１辺の長さが例えば１０〜３０μｍの平面サイズを有するマイクロミラーである。ミラー５１は、例えば、６００×８００から１９２０×１０８０の配列をもって配置されており、１つのミラー５１が画像の１画素に対応する。
ミラー５１の表面はアルミニウム等の反射金属膜からなる反射面になっている。電気光学装置１００は、基板１の一方面１ｓに形成された基板側バイアス電極１１および基板側アドレス電極１２、１３等を含む１階部分１００ａと、高架アドレス電極３２、３３およびトーションヒンジ（ねじれヒンジ）３５を含む２階部分１００ｂと、ミラー５１を含む３階部分１００ｃとを備えている。１階部分１００ａでは、基板１にアドレス回路１４が形成されている。アドレス回路１４は、各ミラー５１の動作を選択的に制御するためのメモリセルや、ワード線、ビット線の配線１５等を備えており、ＣＭＯＳ回路１６を備えたＲＡＭ（Random Access Memory）に類似した回路構成を有している。
２階部分１００ｂは、高架アドレス電極３２、３３、トーションヒンジ３５、およびミラー支持部（第２支持部）３８を含んでいる。高架アドレス電極３２、３３は、電極ポスト３２１、３３１を介して基板側アドレス電極１２、１３に導通しているとともに、基板側アドレス電極１２、１３によって支持されている。トーションヒンジ３５の両端からはヒンジアーム３６、３７が延在している。ヒンジアーム３６、３７は、ヒンジ支持部（第１支持部）３９を介して基板側バイアス電極１１に導通しているとともに、基板側バイアス電極１１によって支持されている。ミラー５１は、ミラー支持部３８を介してトーションヒンジ３５に導通しているとともに、トーションヒンジ３５によって支持されている。従って、ミラー５１は、ミラー支持部３８、トーションヒンジ３５、ヒンジアーム３６、３７、ヒンジ支持部３９を介して基板側バイアス電極１１に導通しており、基板側バイアス電極１１からバイアス電圧が印加される。なお、ヒンジアーム３６、３７の先端には、ミラー５１が傾いたときに当接して、ミラー５１と高架アドレス電極３２、３３との接触を防止するストッパー３６１、３６２、３７１、３７２が形成されている。
基板側アドレス電極１２、１３および高架アドレス電極３２、３３は、ミラー５１との間に静電力を発生させてミラー５１を傾くように駆動する駆動素子を構成している。具体的には、トーションヒンジ３５は、基板側アドレス電極１２、１３および高架アドレス電極３２、３３に駆動電圧が印加されて、図３に示すように、ミラー５１が基板側アドレス電極１２および高架アドレス電極３２の側、あるいは基板側アドレス電極１２および高架アドレス電極３３に引き寄せられるように傾いた際に捩じれる。そして、基板側アドレス電極１２、１３および高架アドレス電極３２、３３に対する駆動電圧の印加が停止してミラー５１に対する吸引力が消失した際、ミラー５１が基板１に平行な姿勢に戻す力を発揮する。
電気光学装置１００において、例えば、図３（ａ）に示すように、ミラー５１が基板側アドレス電極１２および高架アドレス電極３２の側に傾くと、光源部１００２から出射された光がミラー５１によって投射光学系１００４に向けて反射するオン状態となる。これに対して、図３（ｂ）に示すように、ミラー５１が基板側アドレス電極１３および高架アドレス電極３３の側に傾くと、光源部１００２から出射された光がミラー５１によって光吸収装置１００５に向けて反射するオフ状態となり、かかるオフ状態では、投射光学系１００４に向けて光が反射されない。かかる駆動は、複数のミラー５１の各々で行われる結果、光源部１００２から出射された光は、複数のミラー５１で画像光に変調されて投射光学系１００４から投射され、画像を表示する。
なお、基板側アドレス電極１２、１３と対向する平板状のヨークをトーションヒンジ３５と一体に設け、高架アドレス電極３２、３３とミラー５１との間に発生する静電力に加えて、基板側アドレス電極１２、１３とヨークとの間に作用する静電力も利用してミラー５１を駆動することもある。
［電気光学装置１００の詳細構成］
図４は、本発明を適用した電気光学装置１００の詳細構成を示す断面図である。なお、図４には、電気光学装置１００の２階部分１００ｂおよび３階部分１００ｃのみを示し、基板側バイアス電極１１および基板側アドレス電極１２、１３等を含む１階部分１００ａの図示を省略してある。また、図４では、電気光学装置１００に形成される複数のミラー５１のうち、１つのミラー５１に対するミラー支持部（第２支持部）３８およびトーションヒンジ（ねじれヒンジ）３５のみを示してある。
図４に示すように、電気光学装置１００は、基板１の一方面１ｓ側に、導電性のヒンジ支持部（第１支持部）３９を介して基板１側に支持された導電性のトーションヒンジ３５を有している。また、電気光学装置１００は、トーションヒンジ３５の長さ方向の中央部分でトーションヒンジ３５から基板１側とは反対側に向けて突出した筒状のミラー支持部３８と、ミラー支持部３８に支持されたミラー５１とを有している。
ここで、トーションヒンジ３５とミラー支持部３８とは一体に形成されている。より具体的には、トーションヒンジ３５とミラー支持部３８とを一体に備えた導電部材３１において、基板１の一方面１ｓに沿うように延在した部分によってトーションヒンジ３５が構成され、基板１側とは反対側に向けて突出した部分によってミラー支持部３８が構成されている。また、導電部材３１には、ヒンジ支持部３９も一体に形成されている。すなわち、導電部材３１において、トーションヒンジ３５から基板１に向けて突出する部分によってヒンジ支持部３９が構成され、ヒンジ支持部３９は基板１に支持されている。
ミラー支持部３８において、基板１側（トーションヒンジ３５側）の第１端部３８１は基板１に向けて開口した開放端になっている。ミラー支持部３８において、基板１およびトーションヒンジ３５とは反対側（ミラー５１側）の第２端部３８２は、ミラー支持部３８の開口を塞ぐ平板部３８５になっており、ミラー５１は、平板部３８５の基板１とは反対側の面に接している。このため、ミラー５１の表面には窪みが存在しない。
［電気光学装置の製造方法］
図２（ｂ）および図５〜図８を参照して、本発明を適用した電気光学装置１００の製造工程のうち、トーションヒンジ（ねじれヒンジ）、ミラー支持部（第２支持部）およびミラーを形成する工程を中心に説明する。図５、図６および図７は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図である。図８は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造工程で形成された層の平面図である。なお、図５〜図８では、電気光学装置１００に形成される複数のミラー５１のうち、１つのミラー５１に対するミラー支持部３８およびトーションヒンジ３５のみを示してある。また、以下の説明では、適宜、図２（ｂ）を参照して説明した各部位との関係も説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、工程ＳＴ１において、シリコン基板からなるウエハー１０（基板）に、図２（ｂ）を参照して説明したアドレス回路１４、基板側バイアス電極１１および基板側アドレス電極１２、１３等を形成する。
次に、工程ＳＴ２（第１工程）において、ウエハー１０の一方面１０ｓにポジ型有機フォトレジスト等からなる第１感光性樹脂層２１１を形成した後、図５（ｂ）に示す工程ＳＴ３（第２工程）において、第１感光性樹脂層２１１に対して露光および現像を行い、ヒンジ支持部用開口部（第１支持部用開口部）２１１ａを形成する。その際、図８（ａ）に示すように、高架アドレス電極３２、３３の電極ポスト３２１、３３１用の電極ポスト用開口部２１１ｂも形成する。第１感光性樹脂層２１１の厚さは、例えば１μｍであり、ヒンジ支持部ト用開口部２１１ａの開口径は、例えば約０．６μｍである。次に、図５（ｃ）に示す工程ＳＴ４（第３工程）において、第１感光性樹脂層２１１に対してウエハー１０とは反対側の面にポジ型有機フォトレジスト等からなる第２感光性樹脂層２１２を形成する。次に、図５（ｄ）に示す工程ＳＴ５（第４工程）において、第２感光性樹脂層２１２に対して露光および現像を行い、ヒンジ支持部用開口部２１１ａと重なる位置から感光性樹脂層２１２を除去するとともに、第１感光性樹脂層２１１から基板１とは反対側に突出する柱状の凸部２１２ａを形成する。第２感光性樹脂層２１２の厚さは、例えば２μｍであり、凸部２１２ａの外径は、例えば約０．６μｍである。かかる工程ＳＴ２、ＳＴ３、ＳＴ４、ＳＴ５が、感光性樹脂層に露光および現像を行って、ヒンジ支持部用開口部２１１ａ、および柱状の凸部２１２ａを備えた第１犠牲層２１を形成する第１犠牲層形成工程である。
次に、図５（ｅ）に示す工程ＳＴ６（第１導電膜形成工程）において、第１犠牲層２１の表面（ウエハー１０とは反対側の面）に第１導電膜３０を全面に形成する（図８（ｂ）参照）。この際、第１導電膜は、ヒンジ支持部用開口部２１１ａの壁面および底面にも形成される。第１導電膜３０は、例えば、アルミニウム層の単体膜、あるはアルミニウム層とチタン層との積層膜であり、厚さは、例えば０．０６μｍである。
次に、工程ＳＴ７（第１パターニング工程）において、第１導電膜３０の表面（ウエハー１０とは反対側の面）にレジストマスクを形成した状態で第１導電膜３０をパターニングし、トーションヒンジ３５を備えた導電部材３１を形成する。その際、導電部材３１では、ヒンジ支持部用開口部２１１ａに残った第１導電膜３０によってヒンジ支持部３９がトーションヒンジ３５と一体に形成される。また、導電部材３１では、トーションヒンジ３５から基板１とは反対側に突出した筒状のヒンジ支持部３８がトーションヒンジ３５と一体に形成される。その際、図８（ｃ）に示すように、導電部材３１では、ヒンジアーム３６、３７が形成される。また、高架アドレス電極３２、３３が同時形成され、電極ポスト用開口部２１１ｂの内部に電極ポスト３２１、３３１が形成される。
次に、図６（ａ）に示す工程ＳＴ８（第２犠牲層形成工程）では、トーションヒンジ３５およびミラー支持部３８をウエハー１０とは反対側から覆うように、ポジ型有機フォトレジスト等からなる感光性樹脂層を形成した後、硬化させ、第２犠牲層２２を形成する。第２犠牲層２２の厚さは、例えば３μｍである。
次に、図６（ｂ）に示す工程ＳＴ９（平坦化工程）では、ＣＭＰ法等によって、第２犠牲層２２をウエハー１０とは反対側から平坦化してミラー支持部３８の第２端部３８２を露出させる（図８（ｄ）参照）。本形態では、ミラー支持部３８の第２端部３８２に平板部３８５が残るように平坦化を行う。
次に、図６（ｃ）に示す工程ＳＴ１０（第２導電膜形成工程）では、第２犠牲層２２のウエハー１０とは反対側に第２導電膜５０を形成する。第２導電膜５０は、例えば、厚さが０．３μｍのアルミニウム層である。
次に、図７（ａ）に示す工程ＳＴ１１では、ＰＥＶＣＤ法等により酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）等の無機膜７０を形成する（図９（ｅ）参照）。次に、図７（ｂ）に示す工程ＳＴ１２では、無機膜７０の表面（ウエハー１０とは反対側の面）にレジストマスクを形成した状態で無機膜７０をパターニングし、ミラー５１と同一の平面形状のエッチングストッパー層７１を形成する（図９（ｆ）参照）。その後、レジストマスクを除去する。次に、図７（ｃ）に示す工程ＳＴ１３では、エッチングストッパー層７１をマスクにして、第２導電膜５０をパターニングし、ミラー５１を形成する。かかる工程ＳＴ１１、ＳＴ１２、ＳＴ１３が第２パターニング工程である。
次に、ウエハー１０を単品サイズの複数の基板１に分割する。
次に、図７（ｄ）に示す工程ＳＴ１４（犠牲層除去工程）では、プラズマエッチング等を行って、第１犠牲層２１および第２犠牲層２２を除去する。その際、ミラー支持部３８とウエハー１０との間では、第１犠牲層２１の第１感光性樹脂層２１１と凸部２１２ａ（第２感光性樹脂層２１２）とが接しているので、第１感光性樹脂層２１１を除去されれば、その後、凸部２１２ａ（第２感光性樹脂層２１２）が除去される。また、本形態では、第１犠牲層２１および第２犠牲層２２を除去する際、エッチングストッパー層７１を除去する。その結果、電気光学装置１００が得られる。
［本形態の主な効果］
以上説明したように、本形態では、トーションヒンジ（ねじれヒンジ）３５から基板１とは反対側に突出するミラー支持部（第２支持部）３８は、筒状になっているとともに、基板１側の第１端部３８１が開放端になっている。このため、ミラー支持部３８を形成する際に内側に凸部２１２ａ（第１犠牲層２１）があっても、第１犠牲層２１を除去することができる。従って、ミラー支持部３８の内部には、犠牲層を構成する樹脂が残らないため、照射された光や、駆動回路を動作させた際の基板の発熱等が原因で電気光学装置１００の温度が上昇した場合でも、犠牲層からガスが発生することがない。それ故、犠牲層から発生したガスによって、ミラー５１の表面（反射面）での反射率が低下するという事態が発生しない。さらに、トーションヒンジ３５から基板とは反対側に突出するミラー支持部３８は、筒状になっているとともにトーションヒンジ３５と一体で形成されている。このため、ミラー支持部３８とトーションヒンジ３５の境界部で発生する強度が低下しない。
また、ミラー支持部３８において基板１とは反対側で第２端部３８２が平坦部になっている状態のときにミラー支持部３８とは別体のミラー５１をミラー支持部３８に接続させることができる。このため、ミラー５１の表面に窪みが発生しない。従って、光の利用効率を向上することができるとともに、ミラー５１での散乱に起因するコントラストの低下を抑制することができる。
また、凹部を無機材料で埋めた場合と違って、凹部を埋めた厚い無機材料をミラー５１の表面から除去する必要がないので、ミラー５１の表面に窪みを発生させないミラー支持部３８を効率よく形成することができる。
［第１犠牲膜２１の別の製造方法］
図９は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造工程で用いる第１犠牲層の別の製造方法を模式的に示す説明図である。
本形態では、第１犠牲層形成工程において、まず、図９（ａ）に示すように、ウエハー１０の一方面１０ｓにポジ型有機フォトレジスト等からなる感光性樹脂層２１０を形成した後、感光性樹脂層２１０をハーフトーンマスクによって露光した後、現像し、図９（ｂ）に示す第１犠牲層２１を形成する。かかる第１犠牲層２１では、感光性樹脂層２１０のうち、全露光された領域にヒンジ支持部用開口部２１１ａが形成され、ハーフ露光された領域の感光性樹脂層２１０が薄くなる結果、露光されなかった領域に柱状の凸部２１２ａが形成される。
なお、本例では、ハーフトーンマスクを用いた１回の露光によって、第１犠牲層２１を形成したが、ヒンジ支持部用開口部２１１ａを形成すべき領域への露光と、ヒンジ支持部用開口部２１１ａおよび柱状の凸部２１２ａが形成されない領域に対するハーフトーンマスクを用いたハーフ露光とを別の工程で行ってもよい。
［ミラー支持部（第２支持部）３８の改良例］
図１０は、本発明を適用した電気光学装置１００のミラー支持部（第２支持部）３８の好ましい形態を示す説明図である。本発明を適用した電気光学装置１００を製造するにあたって、第１犠牲層２１を形成するにあたって、ポジ型の感光性樹脂層を用いたが、ネガ型の感光性樹脂層を用いてもよい。かかるネガ型の感光性樹脂層を用いた場合、感光性樹脂層内での光の散乱等の影響で、凸部２１２ａの外周面２１２ｂがミラー５１側（ウエハー１０とは反対側）に向いたテーパ面になりやすい。その結果、ミラー支持部３８の外周面３８３がミラー５１側（ウエハー１０とは反対側）に向いたテーパ面となる。それ故、ミラー支持部３８は、トーションヒンジ３５の側がミラー５１側より大径になるので、ミラー支持部３８の強度を大きくすることができる。
また、ポジ型およびネガ型に関わらず、感光性樹脂層を用いた場合、凸部２１２ａの根元２１２ｃが湾曲した形状になりやすい。その結果、ミラー支持部３８とトーションヒンジ３５との間が、湾曲した断面形状になる。かかる構成によれば、ミラー５１からミラー支持部３８を介してトーションヒンジ３５に加わる応力が特定箇所に集中しにくいという利点がある。
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、図６（ｂ）を参照して説明した平坦化工程（工程ＳＴ９）において、ミラー支持部３８の第２端部３８２に平板部３８５が残るように平坦化したが、平板部３８５が無くなるまで平坦化してもよい。この場合でも、ミラー５１を形成するための第２導電膜５０を形成する際、ミラー支持部３８の端部は、第１犠牲層２１の凸部２１２ａによって平坦部になっている。従って、ミラー５１の表面には窪みが発生しない。
１・・基板、１０・・ウエハー、１１・・基板側バイアス電極、１２、１３・・基板側アドレス電極、１４・・アドレス回路、２１・・第１犠牲層、２２・・第２犠牲層、３０・・第１導電膜、３１・・導電部材、３５・・トーションヒンジ、３８・・ミラー支持部（第２支持部）、３９・・ヒンジ支持部（第１支持部）、５０・・第２導電膜、５１・・ミラー、７１・・エッチングストッパー層、１００・・電気光学装置、２１１・・第１感光性樹脂層、２１１ａ・・ヒンジ支持部用開口部（第１支持部用開口部）、２１２・・第２感光性樹脂層、２１２ａ・・凸部、３８１・・第１端部、３８２・・第２端部、３８３・・外周面、３８５・・平板部、１０００・・投射型表示装置、１００２・・光源部、１００４・・投射光学系

Claims (10)

  1. 基板と、
    前記基板の一方面側で前記基板に向けて突出すると共に前記基板に支持された第１支持部と、
    前記第１支持部を介して前記基板側に支持されたねじれヒンジ、および前記ねじれヒンジから前記基板とは反対側に突出し、前記ねじれヒンジ側の第１端部が前記基板に向いた開放端になっている筒状の第２支持部が一体に形成された導電部材と、
    前記第２支持部の前記基板とは反対側の第２端部に接するミラーと、
    を有することを特徴とする電気光学装置。
  2. 請求項１に記載の電気光学装置において、
    前記第２端部は、前記第２支持部の開口を塞ぐ平板部になっていることを特徴とする電気光学装置。
  3. 請求項１または２に記載の電気光学装置において、
    前記第２支持部と前記ねじれヒンジとの間が、湾曲した断面形状になっていることを特徴とする電気光学装置。
  4. 請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置において、
    前記第２支持部の外周面が前記ミラー側に向いたテーパ面になっていることを特徴とする電気光学装置。
  5. 基板の一方面側に形成された感光性樹脂層に露光および現像を行って、第１開口部および前記基板とは反対側に突出した柱状の凸部を備えた第１犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程と、
    前記第１犠牲層の前記基板とは反対側および前記第１開口部の内側に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、
    前記第１導電膜をパターニングにして、前記第１開口部の内側に形成された前記第１導電膜よりなる第１支持部、前記第１支持部と一体のねじれヒンジ、および前記ねじれヒンジから前記基板とは反対側に突出し、前記ねじれヒンジと一体の筒状の第２支持部を形成する第１パターニング工程と、
    前記ねじれヒンジおよび前記第２支持部の前記基板とは反対側に第２犠牲層を形成する第２犠牲層形成工程と、
    前記第２犠牲層を前記基板とは反対側から平坦化して前記第２支持部を露出させる平坦化工程と、
    前記第２犠牲層の前記基板とは反対側に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、
    前記第２導電膜をパターニングしてミラーを形成する第２パターニング工程と、
    前記第１犠牲層および前記第２犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  6. 請求項５に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記第１犠牲層形成工程では、第１感光性樹脂層を形成する第１工程と、前記第１感光性樹脂層に露光および現像を行って前記第１開口部を形成する第２工程と、前記第１感光性樹脂層に対して前記基板とは反対側で重なる第２感光性樹脂層を形成する第３工程と、前記第２感光性樹脂層に露光および現像を行って前記凸部を形成する第４工程と、を行って前記第１犠牲層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  7. 請求項５に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記第１犠牲層形成工程では、感光性樹脂層を形成後、前記感光性樹脂層をハーフトーンマスクによって露光を行った後、現像を行って前記基板とは反対側に突出した柱状の前記凸部を備えた前記第１犠牲層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  8. 請求項５乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記感光性樹脂層としてポジ型の感光性樹脂層を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  9. 請求項５乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記感光性樹脂層としてネガ型の感光性樹脂層を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  10. 請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器であって、
    前記ミラーに光源光を照射する光源部を有することを特徴とする電子機器。
JP2015074868A 2015-04-01 2015-04-01 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 Active JP6519284B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015074868A JP6519284B2 (ja) 2015-04-01 2015-04-01 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
US15/060,077 US9933700B2 (en) 2015-04-01 2016-03-03 Electrooptical apparatus, production method for the electrooptical apparatus, and electronic appliance
CN201610151350.7A CN106054375B (zh) 2015-04-01 2016-03-16 电光装置、电光装置的制造方法及电子设备
US15/405,701 US10151974B2 (en) 2015-04-01 2017-01-13 Electrooptical apparatus, production method for the electrooptical apparatus, and electronic appliance

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015074868A JP6519284B2 (ja) 2015-04-01 2015-04-01 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016194630A true JP2016194630A (ja) 2016-11-17
JP6519284B2 JP6519284B2 (ja) 2019-05-29

Family

ID=57017473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015074868A Active JP6519284B2 (ja) 2015-04-01 2015-04-01 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9933700B2 (ja)
JP (1) JP6519284B2 (ja)
CN (1) CN106054375B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021181155A (ja) * 2017-07-21 2021-11-25 浜松ホトニクス株式会社 アクチュエータ装置
JP2022507320A (ja) * 2019-04-04 2022-01-18 中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司 バルク音響波共振器及びその製造方法並びにフィルタ、無線周波数通信システム

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6492893B2 (ja) * 2015-04-01 2019-04-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
CN112219164A (zh) * 2018-03-26 2021-01-12 应用材料公司 用于生产多层压印母版的方法、多层压印母版及多层压印母版的用途

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030117688A1 (en) * 2000-09-29 2003-06-26 Meier Robert E. Hidden hinge digital micromirror device with improved manufacturing yield and improved contrast ratio
JP2004109446A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Seiko Epson Corp 光スイッチング素子の製造方法、および光スイッチング素子
JP2006502449A (ja) * 2002-10-11 2006-01-19 エクサジョウル リミテッド ライアビィティ カンパニー マイクロミラー・システム
JP2009514029A (ja) * 2005-10-28 2009-04-02 ミラディア インク 高充填率シリコン空間光変調器
JP2015043029A (ja) * 2013-08-26 2015-03-05 株式会社豊田中央研究所 Ｍｅｍｓ装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5061049A (en) 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5083857A (en) 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5583688A (en) * 1993-12-21 1996-12-10 Texas Instruments Incorporated Multi-level digital micromirror device
US5650881A (en) * 1994-11-02 1997-07-22 Texas Instruments Incorporated Support post architecture for micromechanical devices
US5703728A (en) 1994-11-02 1997-12-30 Texas Instruments Incorporated Support post architecture for micromechanical devices
WO2002042825A1 (en) * 2000-11-22 2002-05-30 Ball Semiconductor, Inc. Light modulation device and system
US6952304B2 (en) * 2001-01-30 2005-10-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Variable mirror and information apparatus comprising variable mirror
CN101084462B (zh) 2003-10-27 2010-06-02 视频有限公司 高反差空间光调制器和方法
JP2005202257A (ja) 2004-01-19 2005-07-28 Ricoh Co Ltd 光偏向装置
US7787170B2 (en) * 2004-06-15 2010-08-31 Texas Instruments Incorporated Micromirror array assembly with in-array pillars
EP1835324A4 (en) 2005-01-05 2010-02-17 Nippon Telegraph & Telephone MIRROR DEVICE, MIRROR NETWORK, OPTICAL SWITCH, METHOD FOR MANUFACTURING MIRROR DEVICE AND MIRROR SUBSTRATE
US20060238852A1 (en) * 2005-04-22 2006-10-26 Texas Instruments Incorporated A non-contacting electrostatically-driven mems device
US7871931B2 (en) * 2005-09-20 2011-01-18 Texas Instruments Incorporated Method for chemical mechanical planarization of a metal layer located over a photoresist layer and a method for manufacturing a micro pixel array using the same
JP2013068678A (ja) 2011-09-20 2013-04-18 Olympus Corp 光偏向器および光偏向器アレイ
JP6106970B2 (ja) * 2012-07-02 2017-04-05 株式会社ニコン 空間光変調器および露光装置
US8780434B1 (en) * 2013-01-04 2014-07-15 Texas Instruments Incorporated MEMS device with sloped support
CN104216107B (zh) * 2013-05-31 2017-02-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 单像素结构，包括其的数字微镜器件以及它们的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030117688A1 (en) * 2000-09-29 2003-06-26 Meier Robert E. Hidden hinge digital micromirror device with improved manufacturing yield and improved contrast ratio
JP2004109446A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Seiko Epson Corp 光スイッチング素子の製造方法、および光スイッチング素子
JP2006502449A (ja) * 2002-10-11 2006-01-19 エクサジョウル リミテッド ライアビィティ カンパニー マイクロミラー・システム
JP2009514029A (ja) * 2005-10-28 2009-04-02 ミラディア インク 高充填率シリコン空間光変調器
JP2015043029A (ja) * 2013-08-26 2015-03-05 株式会社豊田中央研究所 Ｍｅｍｓ装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021181155A (ja) * 2017-07-21 2021-11-25 浜松ホトニクス株式会社 アクチュエータ装置
JP7171850B2 (ja) 2017-07-21 2022-11-15 浜松ホトニクス株式会社 アクチュエータ装置
US11675185B2 (en) 2017-07-21 2023-06-13 Hamamatsu Photonics K.K. Actuator device
JP2022507320A (ja) * 2019-04-04 2022-01-18 中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司 バルク音響波共振器及びその製造方法並びにフィルタ、無線周波数通信システム
JP7199758B2 (ja) 2019-04-04 2023-01-06 中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司 バルク音響波共振器及びその製造方法並びにフィルタ、無線周波数通信システム

Also Published As

Publication number Publication date
US10151974B2 (en) 2018-12-11
CN106054375A (zh) 2016-10-26
US20170131631A1 (en) 2017-05-11
JP6519284B2 (ja) 2019-05-29
CN106054375B (zh) 2019-11-01
US20160291318A1 (en) 2016-10-06
US9933700B2 (en) 2018-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111352232B (zh) 电光装置
US20070285757A1 (en) Yokeless Hidden Hinge Digital Micromirror Device
US7483199B2 (en) Yokeless hidden hinge digital micromirror device with double binge layer
JP6519284B2 (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
JP5630015B2 (ja) 空間光変調器、露光装置およびそれらの製造方法
US20200233204A1 (en) Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
US10001642B2 (en) Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
JP2011137961A (ja) 空間光変調器、露光装置およびそれらの製造方法
JP6492893B2 (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
JP2016139015A (ja) ミラーデバイス、ミラーデバイスの製造方法、及び画像表示装置
US9791692B2 (en) Electrooptical device, method for manufacturing electrooptical device, and electronic apparatus
JP6904405B2 (ja) 電気光学装置および電子機器
JP2017211402A (ja) 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
US10444493B2 (en) Electro-optical device, manufacturing method for electro-optical device, and electronic apparatus
US10495873B2 (en) Electronic device and electro-optical device having a mirror with antireflection film

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180306

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20180905

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20181115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190116

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190326

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190408

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6519284

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150