JP2016194110A - Production of multilayer film structure - Google Patents
Production of multilayer film structure Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016194110A JP2016194110A JP2015074218A JP2015074218A JP2016194110A JP 2016194110 A JP2016194110 A JP 2016194110A JP 2015074218 A JP2015074218 A JP 2015074218A JP 2015074218 A JP2015074218 A JP 2015074218A JP 2016194110 A JP2016194110 A JP 2016194110A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metal
- dielectric film
- dielectric
- multilayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 134
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 134
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 58
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 58
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 19
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 15
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 22
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 22
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 abstract description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 31
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は、スパッタリングターゲットを用いて成膜する多層膜構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer structure in which a film is formed using a sputtering target.
従来、例えばＮＤ（Neutral Density）フィルターなど、金属膜と誘電体膜とを交互に積層し、所定のフィルター特性を有する光学多層膜が知られている（例えば、特許文献１参照。）。 2. Description of the Related Art Conventionally, for example, an optical multilayer film having a predetermined filter characteristic in which metal films and dielectric films are alternately stacked, such as an ND (Neutral Density) filter, is known (for example, see Patent Document 1).
ところで、前述のような多層膜の製造において、反応性スパッタリングの反応性ガスとして酸素を供給し、金属膜上に誘電体膜を成膜した場合、金属膜表面が酸化し、特性が劣化する。このため、従来、酸素を供給せずに透明な膜となるＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などにより、金属膜表面にバリア膜を成膜し、バリア膜上に誘電体膜を成膜していた。 By the way, in the manufacture of the multilayer film as described above, when oxygen is supplied as a reactive gas for reactive sputtering and a dielectric film is formed on the metal film, the surface of the metal film is oxidized and the characteristics deteriorate. For this reason, conventionally, a barrier film is formed on the surface of the metal film and a dielectric film is formed on the barrier film using SiO 2 , Al 2 O 3 or the like that becomes a transparent film without supplying oxygen. .
しかしながら、従来の方法では、金属膜、誘電体膜、及びバリア膜の３種類を成膜可能な３元スパッタ設備が必要であった。また、従来の方法では、本来不要であるバリア膜が成膜されるため、多層膜本来の特性が得られなかった。 However, the conventional method requires a three-way sputtering facility that can form a metal film, a dielectric film, and a barrier film. Further, in the conventional method, a barrier film which is originally unnecessary is formed, and thus the original characteristics of the multilayer film cannot be obtained.
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、反応性ガスによる金属膜の特性変化を抑制し、優れた特性を得ることができる多層膜構造体の製造方法を提供する。 The present invention has been proposed in view of such a conventional situation, and provides a method for producing a multilayer film structure that can suppress a change in characteristics of a metal film due to a reactive gas and obtain excellent characteristics. To do.
本発明者は、表面が活性化されたスパッタリングターゲットを用いて、金属膜上に誘電体膜を成膜することにより、金属膜の特性変化を抑制することができ、優れた特性を有する多層膜構造体を得ることができることを見出し、本発明を完成するに至った。 The present inventor uses a sputtering target whose surface is activated to form a dielectric film on the metal film, thereby suppressing a change in the characteristics of the metal film, and providing a multilayer film having excellent characteristics. The present inventors have found that a structure can be obtained and have completed the present invention.
すなわち、本発明に係る多層膜構造体の製造方法は、第１の金属ターゲットを用いて、金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、表面が活性化された第２の金属含有ターゲットを用いて、不活性ガスの供給により前記金属膜上に第１の誘電体膜を成膜した後、反応性ガスの供給により前記第１の誘電体膜上に第２の誘電体膜を成膜する誘電体膜成膜工程とを有することを特徴とする。 That is, the manufacturing method of the multilayer film structure according to the present invention includes a metal film forming step of forming a metal film using the first metal target, and a second metal-containing target whose surface is activated. The first dielectric film is formed on the metal film by supplying an inert gas, and then the second dielectric film is formed on the first dielectric film by supplying a reactive gas. And a dielectric film forming step.
また、本発明に係る多層膜構造体は、前述の製造方法により得られることを特徴とする。 Moreover, the multilayer film structure according to the present invention is obtained by the above-described manufacturing method.
また、本発明に係る多層膜構造体は、金属からなる金属膜と、前記金属膜上に成膜され、バリア層である誘電体からなる第１の誘電体膜と、前記第１の誘電体膜上に成膜され、前記誘電体からなる第２の誘電体膜とを有することを特徴とする。 The multilayer film structure according to the present invention includes a metal film made of metal, a first dielectric film formed on the metal film and made of a dielectric that is a barrier layer, and the first dielectric And a second dielectric film made of the dielectric material.
本発明によれば、表面が活性化されたスパッタリングターゲットを用いて、金属膜上に誘電体膜を成膜することにより、金属膜の特性変化を抑制することができ、優れた特性を有する多層膜構造体を得ることができる。 According to the present invention, by using a sputtering target whose surface is activated, a dielectric film is formed on the metal film, so that a change in characteristics of the metal film can be suppressed, and a multilayer having excellent characteristics. A membrane structure can be obtained.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
１．多層膜構造体の製造方法
２．多層膜構造体
３．実施例
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail in the following order with reference to the drawings.
1. 1. Manufacturing method of
＜１．多層膜構造体の製造方法＞
図１は、本実施の形態に係る多層膜構造体の製造方法により得られる多層膜構造体の一部断面を示す概略図である。
<1. Manufacturing method of multilayer structure>
FIG. 1 is a schematic view showing a partial cross section of a multilayer film structure obtained by the method for manufacturing a multilayer film structure according to the present embodiment.
本実施の形態に係る多層膜構造体の製造方法は、第１の金属ターゲットを用いて、金属膜１を成膜する金属膜成膜工程と、表面が活性化された第２の金属含有ターゲットを用いて、不活性ガスの供給により金属膜１上に第１の誘電体膜２を成膜した後、反応性ガスの供給により第１の誘電体膜２上に第２の誘電体膜３を成膜する誘電体膜成膜工程とを有する。ここで、表面が活性化された第２の金属含有ターゲットは、反応性ガスにより表面が予め反応された状態のものをいう。具体的には、第２の金属含有ターゲットの表面が、酸化又は窒化された状態のものをいう。これにより、不活性ガスの供給により金属膜１上にバリア層としての第１の誘電体膜２を成膜することができ、金属膜１の特性変化を抑制することができる。
The manufacturing method of the multilayer structure according to the present embodiment includes a metal film forming step of forming the metal film 1 using the first metal target, and a second metal-containing target whose surface is activated. , A first
また、反応性ガスとしては、酸化性ガス、窒化性ガスなどが挙げられ、第２の誘電体膜３としては、ＳｉＯ２などの金属酸化膜、Ｓｉ３Ｎ４などの金属窒化膜などが挙げられる。
Examples of the reactive gas include an oxidizing gas and a nitriding gas. Examples of the second
以下、本発明の一実施形態として、反応性ガスとして酸化性ガスを用い、第２の誘電体膜３として金属酸化膜を成膜する具体例について説明する。すなわち、具体例として示す多層膜構造体の製造方法は、第１の金属ターゲットを用いて、金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、表面が酸化された第２の金属含有ターゲットを用いて、不活性ガスの供給により金属膜上に第１の金属酸化物膜を成膜した後、酸化性ガスの供給により第１の金属酸化物膜上に第２の金属酸化物膜を成膜する誘電体膜成膜工程とを有する。
Hereinafter, as an embodiment of the present invention, a specific example in which an oxidizing gas is used as a reactive gas and a metal oxide film is formed as the second
金属膜成膜工程にて使用可能な第１の金属ターゲットは、特に限定されるものではないが、本実施の形態では、比較的酸化されやすい金属を用いることができる。このような第１の金属ターゲットとしては、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｉｎから選択される１種以上の金属を含むものを挙げることができる。また、第１の金属ターゲットを用いたスパッタ法も、特に限定されるものではなく、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法などを用いることができる。 The first metal target that can be used in the metal film forming step is not particularly limited, but in the present embodiment, a metal that is relatively easily oxidized can be used. Examples of the first metal target include those containing one or more kinds of metals selected from Ti, Al, Zn, Cr, Fe, Co, Ni, Sn, Cu, Ag, Nb, and In. be able to. Further, the sputtering method using the first metal target is not particularly limited, and a DC magnetron sputtering method, an RF magnetron sputtering method, or the like can be used.
誘電体膜成膜工程にて使用可能な第２の金属含有ターゲットは、酸化によってターゲット表面に金属酸化物が形成されれば、特に限定されるものではない。このような第２の金属含有ターゲットとしては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎから選択される金属を含む金属酸化物、金属窒化物、若しくは金属炭化物、又は金属単体を挙げることができる。具体的には、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、Ａｌ、ＡｌＯｘ、ＡｌＮｘ、Ｎｂ、ＮｂＯｘ、Ｔｉ、ＴｉＯｘ、ＴｉＮｘ、Ｚｎ、ＺｎＯｘ、Ｓｎ、ＳｎＯｘ、Ｉｎ、ＩｎＯｘなどや、これらの混合物を挙げることができる。これらの中でも、ＳｉＯ２を成膜する場合、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）ターゲット、又はＳｉＣ粉末１質量部に対してＳｉ粉末を１．１〜１．５質量部の割合で焼結されてなるＳｉｘＣ（ｘ＝２．３±０．２）ターゲットを用いることが好ましい。ＳｉＯｘ（ｘ＜２）ターゲットを用いることにより、スパッタ中の酸素供給量を少なくしても透明にできるため、高真空下でのスパッタが容易になり、よりバリア性の高い緻密な膜を得ることができる。また、ＳｉｘＣ（ｘ＝２．３±０．２）ターゲットを用いることにより、大きい成膜速度を得ることが可能となる。 The second metal-containing target that can be used in the dielectric film forming step is not particularly limited as long as a metal oxide is formed on the target surface by oxidation. As such a second metal-containing target, for example, a metal oxide, a metal nitride, or a metal carbide containing a metal selected from Si, Al, Nb, Ti, Zn, Sn, and In, or a single metal is used. Can be mentioned. Specifically, Si, SiC, SiO x , SiN x , Al, AlO x , AlN x , Nb, NbO x , Ti, TiO x , TiN x , Zn, ZnO x , Sn, SnO x , In, InO x And a mixture thereof. Among these, when depositing SiO 2 , the Si powder is sintered at a ratio of 1.1 to 1.5 parts by mass with respect to 1 part by mass of the SiO x (x <2) target or SiC powder. It is preferable to use a SixC (x = 2.3 ± 0.2) target. By using a SiO x (x <2) target, it can be made transparent even if the amount of oxygen supplied during sputtering is reduced, so that sputtering under high vacuum is facilitated, and a dense film with higher barrier properties is obtained. be able to. Further, by using a SixC (x = 2.3 ± 0.2) target, it is possible to obtain a high film formation rate.
また、第２の金属含有ターゲットを用いたスパッタ法は、反応性スパッタリング（Reactive Sputtering)を用いる。また、膜付着性を向上させるために、交流（高周波）を掛けるＲＦスパッタを用いてもよい。また、被着体の耐熱性に乏しい場合には、ターゲット側に磁石で磁界をつくり、プラズマを試料から分離するマグネトロンスパッタを用いてもよい。 Moreover, the reactive sputtering (Reactive Sputtering) is used for the sputtering method using the second metal-containing target. Further, in order to improve film adhesion, RF sputtering that applies alternating current (high frequency) may be used. If the adherend is poor in heat resistance, magnetron sputtering may be used in which a magnetic field is generated with a magnet on the target side and plasma is separated from the sample.
反応性スパッタリングに用いられる反応性ガスとしては、酸化性ガス及び不活性ガスの混合ガスが用いられる。酸化性ガスとしては、例えば、酸素、オゾン、炭酸ガス、又はこれらの混合ガスが挙げられる。また、不活性ガスとしては、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、又はこれらの混合ガスが挙げられる。これらの中でも、本実施の形態では、アルゴンガスと酸素との混合ガスが好ましく用いられる。 As a reactive gas used for reactive sputtering, a mixed gas of an oxidizing gas and an inert gas is used. Examples of the oxidizing gas include oxygen, ozone, carbon dioxide gas, or a mixed gas thereof. Examples of the inert gas include helium, neon, argon, krypton, xenon, or a mixed gas thereof. Among these, in this Embodiment, the mixed gas of argon gas and oxygen is used preferably.
図２は、アルゴン／酸素ガス比に対する金属酸化物膜の成膜速度の影響を示す説明図である。図２に示すように、反応性スパッタリングでは、ターゲット表面がそのままスパッタされる金属モード（Metal mode）と、ターゲット表面が反応性ガスと反応し、化合物となった状態でスパッタされる反応モードである酸化物モード（Oxide mode）と、その中間領域である遷移領域（Transition area）とがある。 FIG. 2 is an explanatory diagram showing the influence of the deposition rate of the metal oxide film on the argon / oxygen gas ratio. As shown in FIG. 2, reactive sputtering is a metal mode in which the target surface is sputtered as it is, and a reaction mode in which the target surface is sputtered in a state of reacting with a reactive gas to become a compound. There are an oxide mode and a transition area which is an intermediate region.
金属モードでは、アルゴン／酸素ガス比が大きい、すなわち酸素分圧が低い。金属モードのＡ点では、ターゲット表面がそのままスパッタされ、成膜速度が大きい。この状態から酸素の供給量を増やし、酸素分圧を高くすると、ターゲット表面の酸化が進行して成膜速度が急激に低下し、酸化物モードに移行する。酸化物モードのＢ点では、ターゲット表面が酸素ガスと反応し、酸化物となった状態でスパッタされる。 In the metal mode, the argon / oxygen gas ratio is large, that is, the oxygen partial pressure is low. At point A in the metal mode, the target surface is sputtered as it is, and the film formation rate is high. When the supply amount of oxygen is increased from this state and the oxygen partial pressure is increased, the oxidation of the target surface proceeds, the film formation rate rapidly decreases, and the mode shifts to the oxide mode. At the point B in the oxide mode, the target surface reacts with oxygen gas and is sputtered in an oxide state.
すなわち、誘電体膜成膜工程では、金属モードにおいて、第２の金属含有ターゲット表面の金属酸化物がスパッタされ、第１の金属酸化膜が成膜される。バリア層としての第１の金属酸化膜は、十分なバリア性能を得るために３ｎｍ以上成膜することが好ましく、生産性などを考慮すると３ｎｍ〜１０ｎｍ成膜することがより好ましく、生産性をより考慮すると３ｎｍ〜５ｎｍ成膜することがさらに好ましい。膜厚が３ｎｍ未満であると、酸化物モードにおいて、金属膜の酸化抑制が困難となる。なお、バリア層とは、金属を変質させる酸素などの物質に対する保護機能を有するものをいう。 That is, in the dielectric film forming step, in the metal mode, the metal oxide on the surface of the second metal-containing target is sputtered to form the first metal oxide film. The first metal oxide film as the barrier layer is preferably formed to have a thickness of 3 nm or more in order to obtain sufficient barrier performance. In consideration of productivity, the first metal oxide film is more preferably formed to have a thickness of 3 nm to 10 nm. In consideration of the above, it is more preferable to form a film with a thickness of 3 nm to 5 nm. When the film thickness is less than 3 nm, it becomes difficult to suppress oxidation of the metal film in the oxide mode. Note that the barrier layer refers to a layer having a protective function against a substance such as oxygen that alters a metal.
また、誘電体膜成膜工程では、第１の金属酸化膜の成膜後、反応モードである酸化物モードにおいて、第２の金属含有ターゲット表面が酸素と反応し、金属酸化物となった状態でスパッタされ、第２の金属酸化物膜が成膜される。第２の金属酸化膜は、その厚みに関わらず、他の誘電体膜と組成がほぼ一致しているため、分析等によって区別するのは困難である。但し、第２の金属酸化膜を金属層に置き換えたり、酸素欠損の大きな誘電体膜にしたりした場合には、第２の金属酸化膜層を判別することが可能となる。 In the dielectric film forming step, after the first metal oxide film is formed, the second metal-containing target surface reacts with oxygen in the oxide mode, which is a reaction mode, and becomes a metal oxide. To form a second metal oxide film. Regardless of the thickness of the second metal oxide film, the composition is almost the same as that of the other dielectric film, so that it is difficult to distinguish the second metal oxide film by analysis or the like. However, when the second metal oxide film is replaced with a metal layer or a dielectric film having large oxygen vacancies, the second metal oxide film layer can be identified.
また、誘電体膜成膜工程では、第２の金属酸化物膜の成膜後、酸化性ガスの供給量を増加させ、酸化物モードのＢ点よりもアルゴン／酸素ガス比が小さい、すなわち酸素分圧が大きいＣ点とすることが好ましい。具体的には、Ｃ点の酸素供給量は、Ｂ点の５０％以上であることが好ましい。このＣ点では、成膜速度が低いものの第３の金属酸化物膜がごく僅かに成膜される。さらに、第２の金属含有ターゲットの表面が酸化され、表面に金属酸化物が形成される。 Also, in the dielectric film forming step, after the second metal oxide film is formed, the supply amount of the oxidizing gas is increased, and the argon / oxygen gas ratio is smaller than the point B in the oxide mode, that is, oxygen It is preferable that the point C has a large partial pressure. Specifically, the oxygen supply amount at point C is preferably 50% or more of point B. At this point C, the third metal oxide film is deposited very slightly although the deposition rate is low. Furthermore, the surface of the second metal-containing target is oxidized, and a metal oxide is formed on the surface.
このような金属膜成膜工程と誘電体膜成膜工程とを交互に繰り返すことにより、酸化劣化の少ない金属膜と誘電体膜とが交互に積層されてなる多層膜を得ることができる。また、金属膜と誘電体膜とが交互に積層されてなる多層膜は、光学特性上の酸化劣化がないことから、誘電体膜の第１の金属酸化物膜及び第３の金属酸化物膜は、バリア層として作用していることが伺える。また、第１の金属酸化物膜及び第３の金属酸化物膜は、第２の金属酸化物膜の成膜時と同一のターゲット材から得ることができるため、生産性を向上させることができる。 By repeating such a metal film forming step and a dielectric film forming step alternately, a multilayer film in which metal films and dielectric films with little oxidation deterioration are alternately stacked can be obtained. In addition, since the multilayer film in which the metal film and the dielectric film are alternately laminated does not have oxidative deterioration in terms of optical characteristics, the first metal oxide film and the third metal oxide film of the dielectric film are used. Can be said to act as a barrier layer. In addition, since the first metal oxide film and the third metal oxide film can be obtained from the same target material as that for forming the second metal oxide film, productivity can be improved. .
図３は、本法を適用可能な反応性スパッタリング装置の構成例を示す概略図である。図３に示す反応性スパッタリング装置は、ラジカル酸化源１１と、酸化源用電源１２と、スパッタ電源１３ａ，１３ｂと、スパッタリングターゲット１４ａ，１４ｂと、排気ポンプ１５ａ，１５ｂと、円筒型基板ホルダー１６と、不活性ガス供給源１７ａ，１７ｂと、反応性ガス供給源１８ａ，１８ｂと、ロードロック室１９とを備える。本実施の形態では、スパッタリングターゲット１４ａ，１４ｂとして、それぞれ第１の金属ターゲット及び第２の金属含有ターゲットを用い、２元スパッタとして構成される。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a configuration example of a reactive sputtering apparatus to which the present method can be applied. The reactive sputtering apparatus shown in FIG. 3 includes a
金属膜成膜工程では、例えば、不活性ガス供給源１７ａからＡｒガスを供給し、スパッタ電源１３ａにより第１の金属ターゲットに高電圧を印加することにより、円筒型基板ホルダー１６に保持された基板上に金属膜を金属モードにて成膜することが可能である。
In the metal film forming step, for example, an Ar gas is supplied from an inert
誘電体膜成膜工程では、例えば、円筒型基板ホルダー１６を１８０度回転させ、不活性ガス供給源１７ａからＡｒガスを供給し、スパッタ電源１３ｂにより表面が酸化された第２の金属含有ターゲットに高電圧を印加することにより、金属膜上に第１の金属酸化物膜を金属モードにて成膜することが可能である。また、反応性ガス供給源１８ｂからＯ２ガスを供給することにより、第１の金属酸化物膜上に第２の金属酸化物膜を酸化モードにて成膜することが可能である。また、例えば、反応性ガス供給源１８ｂからＯ２ガスの供給量を増加させることにより、第３の金属酸化物膜を成膜するとともに、第２の金属含有ターゲットの表面を酸化させることが可能である。
In the dielectric film forming step, for example, the
このような操作により、金属膜の酸化を抑制し、理論設計に極めて忠実な光学特性を有する多層膜構造体を得ることができる。また、バリア層を成膜するためのスパッタリングターゲットやカソード源の追加など、装置の過度な大型化や改造を施すことなく、優れた光学特性を有する多層膜構造体を効率よく生産することができる。また、バリア膜となる第１の金属酸化物膜と第２の金属酸化物膜を、同一の第２の金属含有ターゲットから得ることができる。また、第２の金属含有ターゲットとして、成膜速度の高い金属ターゲットを使用することができるため、生産性を向上させることができる。 By such an operation, it is possible to suppress the oxidation of the metal film and obtain a multilayer film structure having optical characteristics that are extremely faithful to the theoretical design. In addition, it is possible to efficiently produce a multilayer film structure having excellent optical characteristics without excessive enlargement or modification of the apparatus such as addition of a sputtering target or a cathode source for forming a barrier layer. . In addition, the first metal oxide film and the second metal oxide film serving as the barrier film can be obtained from the same second metal-containing target. In addition, since a metal target having a high film formation rate can be used as the second metal-containing target, productivity can be improved.
また、反応性スパッタリング装置は、前述した構成例に限られることなく、例えば、金属膜を成膜する第１の成膜室と、誘電体膜を成膜する第２の成膜室とを備え、基板が搬送手段としての搬送トレイにより支持されて第１の成膜室及び第２の成膜室に搬送される構成であってもよい。この場合、第２の金属含有ターゲットの表面を酸化させるターゲット酸化工程を別に設け、第１の成膜室における金属膜成膜工程と第２の成膜室におけるターゲット酸化工程とを並行して行うようにしてもよい。また、第１の成膜室に第１の金属ターゲット及び第３の金属ターゲットを配置し、第２の成膜室に第２の金属含有ターゲット及び第４の金属含有ターゲットを配置し、第１〜第４の金属が任意に積層された多層膜を成膜するようにしてもよい。 The reactive sputtering apparatus is not limited to the configuration example described above, and includes, for example, a first film formation chamber for forming a metal film and a second film formation chamber for forming a dielectric film. The substrate may be supported by a transfer tray as a transfer unit and transferred to the first film formation chamber and the second film formation chamber. In this case, a target oxidation step for oxidizing the surface of the second metal-containing target is separately provided, and the metal film formation step in the first film formation chamber and the target oxidation step in the second film formation chamber are performed in parallel. You may do it. In addition, the first metal target and the third metal target are arranged in the first film formation chamber, the second metal-containing target and the fourth metal-containing target are arranged in the second film formation chamber, and the first A multilayer film in which the fourth metal is arbitrarily laminated may be formed.
＜２．多層膜構造体＞
図１に示すように、本実施の形態に係る多層膜構造体は、金属からなる金属膜１と、金属膜１上に成膜され、バリア層である誘電体からなる第１の誘電体膜２と、第１の誘電体膜上に成膜され、誘電体からなる第２の誘電体膜３とを有する。ここで、第１の誘電体膜は、第２の誘電体膜の組成と同一であることが好ましい。これにより、理論設計に極めて忠実な光学特性を有する多層膜構造体を得ることができる。
<2. Multilayer structure>
As shown in FIG. 1, the multilayer film structure according to the present embodiment includes a metal film 1 made of metal, and a first dielectric film formed on the metal film 1 and made of a dielectric that is a barrier layer. 2 and a
また、具体例として示す多層膜構造体は、金属からなる金属膜と、金属膜上に成膜され、バリア層である金属酸化物からなる第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜上に成膜され、前記金属酸化物からなる第２の金属酸化物膜とを有することが好ましい。ここで、第１の金属酸化物膜は、前述した反応性スパッタリングにより、金属モードにて成膜されてなるバリア層として機能する。また、第２の金属酸化物膜は、酸化物モードにて成膜されてなる。これにより、金属膜の酸化が抑制されるため、理論値とほぼ同等の特性を有する多層膜構造体を得ることができる。 In addition, a multilayer film structure shown as a specific example includes a metal film made of metal, a first metal oxide film made of a metal oxide that is a barrier film and formed on the metal film, and a first metal oxide film It is preferable to have a second metal oxide film formed on the material film and made of the metal oxide. Here, the first metal oxide film functions as a barrier layer formed in the metal mode by the reactive sputtering described above. The second metal oxide film is formed in an oxide mode. Thereby, since oxidation of the metal film is suppressed, it is possible to obtain a multilayer film structure having characteristics substantially equivalent to the theoretical values.
多層膜構造体の具体例としては、例えば、ＮＤフィルターなどの光学フィルターを挙げることができる。また、多層膜構造体は、多層構造を維持していれば、その大きさは、特に制限されることはない。 Specific examples of the multilayer film structure include an optical filter such as an ND filter. The size of the multilayer structure is not particularly limited as long as the multilayer structure is maintained.
＜３．実施例＞
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。本実施例では、反応性スパッタリングによりＴｉ膜とＳｉＯ２膜とを積層させたＮＤ（Neutral Density）フィルターを作製した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
<3. Example>
Examples of the present invention will be described in detail below. In this example, an ND (Neutral Density) filter in which a Ti film and a SiO 2 film were laminated by reactive sputtering was produced. The present invention is not limited to these examples.
＜実施例＞
可視波長域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において、透過率が４０％の一定値となるＮＤフィルターについて、光学多層膜のシミュレーションソフト（商品名：ＯｐｔｉＬａｙｅｒ、（株）ケイワン）を用いて設計した。設計環境は、垂直入射とし、金属膜をＴｉ、誘電体膜をＳｉＯ２、入射及び出射媒質を空気、基板を白板ガラス基板としてシミュレーション設計を行った。
<Example>
In the visible wavelength region (400 nm to 700 nm), an ND filter having a constant transmittance of 40% was designed using optical multilayer film simulation software (trade name: OptiLayer, Keiwan Co., Ltd.). The design environment was a normal incidence, and the simulation design was performed with Ti as the metal film, SiO 2 as the dielectric film, air as the incident and emission medium, and the white glass substrate as the substrate.
表１に、基板側から第１層〜第６層からなる光学多層膜のシミュレーション設計の結果を示す。 Table 1 shows the result of the simulation design of the optical multilayer film composed of the first to sixth layers from the substrate side.
図３に示すようなバッチ式の反応性スパッタリング装置（ＲＡＳ１１００Ｂ、（株）シンクロン）を用いて、表１に示す６層構成のＮＤフィルターを作製した。このような反応性スパッタリング装置において、スパッタリングターゲット１４ａ，１４ｂが保持されたカソードが２元あるスパッタ室に、Ａｒガスをそれぞれカソード近傍に供給し、ラジカル酸化源１１を備えるラジカル室にＯ２ガスを供給し、Ａｒ／Ｏ２ガス比を制御した。なお、スパッタ室及びラジカル室は、同じ真空チャンバー内に存在し、間仕切りされているものの密閉されていないため、ＡｒとＯ２は、真空チャンバー内で混合される。
Using a batch type reactive sputtering apparatus (RAS1100B, SYNCHRON Co., Ltd.) as shown in FIG. 3, ND filters having a 6-layer structure shown in Table 1 were produced. In such a reactive sputtering apparatus, Ar gas is supplied to the vicinity of the cathode in the sputtering chamber in which the cathodes holding the sputtering targets 14 a and 14 b are dual, and O 2 gas is supplied into the radical chamber including the
Ｔｉ材料としてＴｉからなるスパッタリングターゲット（３Ｎ以上グレード、デクセリアルズ（株）製）を準備した。また、ＳｉＯ２材料としてケイ素（Ｓｉ）１に対して炭化ケイ素（ＳｉＣ）が１．３の割合で焼成されたＳｉｘＣ（ｘ＝２．３）からなるスパッタリングターゲット（デクセリアルズ（株）製）を準備した。 A sputtering target (3N or higher grade, manufactured by Dexerials Co., Ltd.) made of Ti was prepared as a Ti material. Further, a sputtering target (made by Dexerials Co., Ltd.) made of Si x C (x = 2.3) obtained by firing silicon carbide (SiC) at a ratio of 1.3 to silicon (Si) 1 as a SiO 2 material. Prepared.
表２に、実施例におけるＴｉ膜及びＳｉＯ２膜の成膜条件を示す。表２において、金属モードは、無酸素モードである。また、酸化物モードは、酸化物成膜時の通常モードである。また、ターゲット酸化モードは、成膜速度が非常に小さい過剰酸化モードである。 Table 2 shows conditions for forming the Ti film and the SiO 2 film in the examples. In Table 2, the metal mode is an oxygen-free mode. The oxide mode is a normal mode during oxide film formation. The target oxidation mode is an excessive oxidation mode with a very low film formation rate.
図４は、実施例の成膜条件で成膜したＮＤフィルターの断面構成を示す説明図である。図４に示すように、先ず、ガラス基板１００上に密着膜として厚み２．５ｎｍのＳｉＯ２からなる第１層１０１を酸化物モードにて成膜した。次に、第１層１０１上に密着膜として厚み０．５ｎｍのＳｉＯ２からなる第２層１０２をターゲット酸化モードにて成膜した。次に、第２層１０２上に金属膜として厚み３ｎｍのＴｉからなる第３層１０３を金属モードにて成膜した。次に、第３層１０３上に第１の金属酸化物膜として厚み３ｎｍのＳｉＯ２からなる第４層１０４を金属モードにて成膜した。次に、第４層１０４上に第２の金属酸化物膜として厚み３６．５ｎｍのＳｉＯ２からなる第５層１０５を酸化物モードにて成膜した。次に、第５層１０５上に第３の金属酸化物膜として厚み０．５ｎｍのＳｉＯ２からなる第６層１０６をターゲット酸化モードにて成膜した。次に、第６層１０６上に金属膜として厚み３ｎｍのＴｉからなる第７層１０７を金属モードにて成膜した。次に、第７層１０７上に第１の金属酸化物膜として厚み３ｎｍのＳｉＯ２からなる第８層１０８を金属モードにて成膜した。次に、第８層１０８上に第２の金属酸化物膜として厚み１６．５ｎｍのＳｉＯ２からなる第９層１０９を酸化物モードにて成膜した。次に、第９層１０９上に第３の金属酸化物膜として厚み０．５ｎｍのＳｉＯ２からなる第１０層１１０をターゲット酸化モードにて成膜した。次に、第１０層１１０上に金属膜として厚み４ｎｍのＴｉからなる第１１層１１１を金属モードにて成膜した。次に、第１１層１１１上に第１の金属酸化物膜として厚み３ｎｍのＳｉＯ２からなる第１２層１１２を金属モードにて成膜した。次に、第１２層１１２上に第２の金属酸化物膜として厚み７７ｎｍのＳｉＯ２からなる第１３層１１３を酸化物モードにて成膜した。これにより、基板側から３ｎｍのＴｉ膜、４０ｎｍのＳｉＯ２膜、３ｎｍのＴｉ膜、２０ｎｍのＳｉＯ２膜、４ｎｍのＴｉ膜、８０ｎｍのＳｉＯ２膜が順次積層されたシミュレーション設計通りのＮＤフィルターを得た。
FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating a cross-sectional configuration of the ND filter formed under the film forming conditions of the example. As shown in FIG. 4, first, a
図５は、実施例の成膜条件で成膜したＮＤフィルターの透過率を示すグラフである。また、図５のグラフに、シミュレーション設計したＮＤフィルターの透過率の理論値を示す。実施例の成膜条件で成膜したＮＤフィルターの透過率は、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲において、理論値とほぼ一致した。これは、第１の金属酸化膜を無酸素状態で成膜したことによって、下地の金属膜の酸化を抑制したためであると考えられる。さらに、第１の金属膜が、第２の金属酸化膜及び第３の金属酸化膜と同一組成であることによって、光学特性の変化を抑制したためであると考えられる。 FIG. 5 is a graph showing the transmittance of the ND filter formed under the film forming conditions of the example. The graph of FIG. 5 shows the theoretical value of the transmittance of the ND filter designed by simulation. The transmittance of the ND filter formed under the film forming conditions of the example almost coincided with the theoretical value in the wavelength range of 400 nm to 700 nm. This is thought to be because the oxidation of the underlying metal film was suppressed by forming the first metal oxide film in an oxygen-free state. Furthermore, it is considered that the first metal film has the same composition as the second metal oxide film and the third metal oxide film, thereby suppressing the change in optical characteristics.
また、ＳｉＯ２材料としてＳｉＯｘ（ｘ＝１．８）からなるスパッタリングターゲット（デクセリアルズ（株）製）を準備した以外は、前述の実施例と同様にしてＮＤフィルターを作製した。ＳｉｘＣ（ｘ＝２．３）スパッタリングターゲットを使用したときに比べ、第２の金属酸化物膜の成膜速度が小さかったものの、ＮＤフィルターの透過率は、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲において、理論値とほぼ一致した。これにより、緻密でバリア性が高くなりやすいＳｉＯ２ターゲット材料を用いた場合でも、同様の多層膜が得られることが分かった。 Further, an ND filter was produced in the same manner as in the above-described example except that a sputtering target (made by Dexerials Co., Ltd.) made of SiO x (x = 1.8) was prepared as the SiO 2 material. Although the film formation rate of the second metal oxide film was lower than when the Si x C (x = 2.3) sputtering target was used, the transmittance of the ND filter was in the wavelength range of 400 nm to 700 nm. It almost agreed with the theoretical value. Thus, it was found that a similar multilayer film can be obtained even when a dense SiO 2 target material that tends to have high barrier properties is used.
＜比較例＞
表２に示すＳｉＯ２の成膜条件において、酸化物モードのみを用いた以外は、実施例と同様にしてＮＤフィルターを作製した。
<Comparative example>
An ND filter was produced in the same manner as in Example except that only the oxide mode was used under the SiO 2 film formation conditions shown in Table 2.
図６は、比較例の成膜条件で成膜したＮＤフィルターの断面構成を示す説明図である。図６に示すように、先ず、ガラス基板２００上に密着膜として厚み３ｎｍのＳｉＯ２からなる第１層２０１を酸化物モードにて成膜した。次に、第１層２０１上に金属膜として厚み３ｎｍのＴｉからなる第２層２０２を金属モードにて成膜した。次に、第２層２０２上に金属酸化物膜として厚み４０ｎｍのＳｉＯ２からなる第３層２０３を酸化物モードにて成膜した。次に、第３層２０３上に金属膜として厚み３ｎｍのＴｉからなる第４層２０４を金属モードにて成膜した。次に、第４層２０４上に金属酸化物膜として厚み２０ｎｍのＳｉＯ２からなる第５層２０５を酸化物モードにて成膜した。次に、第５層２０５上に金属膜として厚み４ｎｍのＴｉからなる第６層２０６を金属モードにて成膜した。次に、第６層２０６上に金属酸化物膜として厚み８０ｎｍのＳｉＯ２からなる第７層２０７を酸化物モードにて成膜した。これにより、基板側から３ｎｍのＴｉ膜、４０ｎｍのＳｉＯ２膜、３ｎｍのＴｉ膜、２０ｎｍのＳｉＯ２膜、４ｎｍのＴｉ膜、８０ｎｍのＳｉＯ２膜が順次積層されたシミュレーション設計通りのＮＤフィルターを得た。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a cross-sectional configuration of an ND filter formed under the film forming conditions of the comparative example. As shown in FIG. 6, first, a
図７は、比較例の成膜条件で成膜したＮＤフィルターの透過率を示すグラフである。また、図７のグラフに、シミュレーション設計したＮＤフィルターの透過率の理論値を示す。比較例の成膜条件で成膜したＮＤフィルターの透過率は、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲において、３０％ほど理論値よりも高くなった。これは、金属酸化膜を酸素が供給された状態で成膜したことによって、下地の金属膜が酸化されたためであると考えられる。 FIG. 7 is a graph showing the transmittance of the ND filter formed under the film forming conditions of the comparative example. The graph of FIG. 7 shows the theoretical value of the transmittance of the ND filter designed by simulation. The transmittance of the ND filter formed under the film forming conditions of the comparative example was higher than the theoretical value by about 30% in the wavelength range of 400 nm to 700 nm. This is presumably because the underlying metal film was oxidized by forming the metal oxide film with oxygen supplied.
＜従来例＞
実施例と同様、可視波長域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において、透過率が４０％の一定値となるＮＤフィルターを、従来技術であるバリア膜を設けた構成としてシミュレーションを行った。設計環境は、バリア膜をＳｉＯｘ、金属膜をＴｉ、誘電体膜をＳｉＯ２とし、各膜厚を最適化した以外は、実施例と同様にシミュレーション設計を行った。
<Conventional example>
Similar to the example, a simulation was performed with an ND filter having a constant transmittance of 40% in the visible wavelength region (400 nm to 700 nm) as a configuration provided with a barrier film as a conventional technique. As the design environment, simulation design was performed in the same manner as in the example except that the barrier film was SiO x , the metal film was Ti, the dielectric film was SiO 2 , and the respective film thicknesses were optimized.
表３に、基板側から第１層〜第１２層からなる光学多層膜のシミュレーション設計の結果を示す。 Table 3 shows the result of the simulation design of the optical multilayer film composed of the first layer to the twelfth layer from the substrate side.
図８は、従来例のＮＤフィルターにおける透過率のシミュレーション結果を示すグラフである。また、図８のグラフに、実施例でシミュレーション設計したＮＤフィルターの透過率の理論値を示す。表３に示すように、バリア膜を設け、各膜厚を最適化したのにも関わらず、従来例のＮＤフィルターの理論値は、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲において、３〜５％ほど実施例のＮＤフィルターの理論値よりも低くなった。これは、バリア膜のＳｉＯｘが酸素欠損を有し、光学吸収を有するため、透過率が低下したものと考えられる。 FIG. 8 is a graph showing a simulation result of transmittance in a conventional ND filter. Further, the theoretical value of the transmittance of the ND filter designed by simulation in the example is shown in the graph of FIG. As shown in Table 3, the theoretical value of the ND filter of the conventional example is about 3 to 5% in the wavelength range of 400 nm to 700 nm, although the barrier film is provided and each film thickness is optimized. It was lower than the theoretical value of the ND filter. This is presumably because the transmittance of the barrier film is reduced because SiO x has oxygen deficiency and optical absorption.
１ 金属膜、２ 第１の誘電体膜、３ 第２の誘電体膜、１１ ラジカル酸化源、１２ 酸化源用電源、１３ａ，１３ｂ スパッタ電源、１４ａ，１４ｂ スパッタリングターゲット、１５ａ，１５ｂ 排気ポンプ、１６ 円筒型基板ホルダー、１７ａ，１７ｂ 不活性ガス供給源、１８ａ，１８ｂ 反応性ガス供給源、１９ ロードロック室
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Metal film, 2 1st dielectric film, 3 2nd dielectric film, 11 Radical oxidation source, 12 Power supply for oxidation sources, 13a, 13b Sputter power supply, 14a, 14b Sputtering target, 15a, 15b Exhaust pump, 16 Cylindrical substrate holder, 17a, 17b inert gas supply source, 18a, 18b reactive gas supply source, 19 load lock chamber
Claims (11)
表面が活性化された第２の金属含有ターゲットを用いて、不活性ガスの供給により前記金属膜上に第１の誘電体膜を成膜した後、反応性ガスの供給により前記第１の誘電体膜上に第２の誘電体膜を成膜する誘電体膜成膜工程と
を有する多層膜構造体の製造方法。 A metal film forming step of forming a metal film using the first metal target;
Using the second metal-containing target whose surface is activated, a first dielectric film is formed on the metal film by supplying an inert gas, and then the first dielectric is supplied by supplying a reactive gas. A dielectric film forming step of forming a second dielectric film on the body film.
前記金属膜上に成膜され、バリア層である誘電体からなる第１の誘電体膜と、
前記第１の誘電体膜上に成膜され、誘電体からなる第２の誘電体膜と
を有する多層膜構造体。 A metal film made of metal,
A first dielectric film formed on the metal film and made of a dielectric that is a barrier layer;
And a second dielectric film formed on the first dielectric film and made of a dielectric.
The multilayer film structure obtained by the manufacturing method according to any one of claims 1 to 6.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015074218A JP6480239B2 (en) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | Method of manufacturing multilayer film structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015074218A JP6480239B2 (en) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | Method of manufacturing multilayer film structure |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019021094A Division JP6661808B2 (en) | 2019-02-07 | 2019-02-07 | Method for manufacturing multilayer film structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016194110A true JP2016194110A (en) | 2016-11-17 |
| JP6480239B2 JP6480239B2 (en) | 2019-03-06 |
Family
ID=57322692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015074218A Active JP6480239B2 (en) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | Method of manufacturing multilayer film structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6480239B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018092030A (en) * | 2016-12-05 | 2018-06-14 | キヤノン電子株式会社 | Optical filter and imaging optical system |
| JP2019085482A (en) * | 2017-11-06 | 2019-06-06 | トヨタ自動車株式会社 | Method for manufacturing powder of infrared reflective pigment |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280384A (en) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Thin-film forming method |
| JP2003059130A (en) * | 2001-08-21 | 2003-02-28 | Sony Corp | Device and method for film formation, production method for optical recording medium, and optical recording medium |
| WO2007083833A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Absorption-type multilayer film nd filter and process for producing the same |
| JP2011021237A (en) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Transparent conductive film and method for forming the same |
| JP2011053715A (en) * | 2010-12-01 | 2011-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method for manufacturing liquid crystal display device |
-
2015
- 2015-03-31 JP JP2015074218A patent/JP6480239B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280384A (en) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Thin-film forming method |
| JP2003059130A (en) * | 2001-08-21 | 2003-02-28 | Sony Corp | Device and method for film formation, production method for optical recording medium, and optical recording medium |
| WO2007083833A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Absorption-type multilayer film nd filter and process for producing the same |
| JP2011021237A (en) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Transparent conductive film and method for forming the same |
| JP2011053715A (en) * | 2010-12-01 | 2011-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method for manufacturing liquid crystal display device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018092030A (en) * | 2016-12-05 | 2018-06-14 | キヤノン電子株式会社 | Optical filter and imaging optical system |
| JP2019085482A (en) * | 2017-11-06 | 2019-06-06 | トヨタ自動車株式会社 | Method for manufacturing powder of infrared reflective pigment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6480239B2 (en) | 2019-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7842168B2 (en) | Method for producing silicon oxide film and method for producing optical multilayer film | |
| JP6814853B2 (en) | Optical filter and its forming method | |
| JP4982423B2 (en) | Sputter target for forming zinc oxide thin film, display element and solar cell having zinc oxide thin film obtained using the same | |
| TW201447002A (en) | Light absorbing layer, and layer system comprising said layer, method for the production of said layer system and sputtering target suitable for that purpose | |
| JP2005298833A (en) | Multilayer film-coated substrate and its manufacturing method | |
| JP4915065B2 (en) | Oxide sintered body and manufacturing method thereof, amorphous oxide film obtained using oxide sintered body, and laminate including the amorphous oxide film | |
| JP6480239B2 (en) | Method of manufacturing multilayer film structure | |
| JP2007154242A (en) | Method for producing mixture film of oxides | |
| JP7128220B2 (en) | Method for manufacturing multilayer structure | |
| JP2006336084A (en) | Sputtering film deposition method | |
| JP6661808B2 (en) | Method for manufacturing multilayer film structure | |
| CN101065239B (en) | Gas barrier transparent resin substrate, method for manufacture thereof, and flexible display element using gas barrier transparent resin substrate | |
| JP5114683B2 (en) | Back electrode of glass substrate for solar cell and manufacturing method thereof | |
| US20120202028A1 (en) | Ceramic member and manufacturing thereof | |
| JPS63224116A (en) | Manufacture of thin film superconductor | |
| JP2012154969A (en) | Thermochromic material and production method of the same | |
| JP2007270279A (en) | Sputtering film deposition method and antireflection film | |
| Ling | Diffusion of sputtered vanadium, nickel, and silver in lead magnesium niobate ceramic | |
| TW201943878A (en) | Color film and method of forming the same | |
| WO1982004158A1 (en) | Magnetic recording medium | |
| JP4595354B2 (en) | Method for producing optical multilayer film | |
| JP6525497B2 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYER FILM STRUCTURE, AND MULTILAYER FILM STRUCTURE | |
| Petitjean et al. | Structure–properties relationship in reactively sputtered Ag–Cu–O films | |
| JP2013140201A (en) | Method of forming optical thin film with metal oxide film, and optical element | |
| JP2007187993A (en) | Electrochromic element and method for manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180314 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180928 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181023 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181217 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190108 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190207 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6480239 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |