JP2016193490A - 半導体素子の製造方法および半導体素子 - Google Patents
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Abstract
Description
・非平坦な立体形状(topography)を有し、実質的な地形変動を含む主面を備えた基板を用意することと、
・上面および下面を有する第1キャップ層を主面の上に形成することとを含み、
第1キャップ層の形成の際、第1キャップ層に局所欠陥が導入され、局所欠陥は、実質的な地形変動に対応した場所に位置決めされており、局所欠陥は、所定の流体(fluida)が通過できるのに適している。
・第2キャップ層を設けること。このキャップ層は、例えば、アルミニウム、またはAl合金、例えば、Al−CuやAl−Si−Cuを含み、またはこれらで実質的に構成される。
・アニール工程または温度工程(好ましくは、CMOS適合温度、好ましくは450℃未満、好ましくは425℃未満、好ましくは400℃未満)を設けて、何れか既存のキャップ層と置換する均一な封止層を得ること。
Claims (14)
- 半導体素子を製造する方法であって、
・非平坦な立体形状を有し、実質的な地形変動を含む主面を備えた基板を用意することと、
・上面および下面を有する第1非平坦キャップ層を、前記基板主面の上に形成することとを含み、
前記第1非平坦キャップ層の形成の際、前記第1キャップ層に局所欠陥が導入され、
前記局所欠陥は、前記実質的な地形変動に対応した場所に位置決めされており、
前記局所欠陥は、所定の流体が通過できるのに適しているようにした方法。 - 前記第1キャップ層の前記形成は、方向性堆積手法を用いて前記層を堆積することを含む請求項1記載の方法。
- 前記局所欠陥は、第1キャップ層の上面から第1キャップ層の下面へ延びる通路を形成するように形成される請求項1または2記載の方法。
- 前記実質的な地形変動の前記場所は、予め決定されている請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 前記局所欠陥は、前記第1キャップ層の、限定された数の実質的に水平に閉じ込められた区画に形成される請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 非平坦な立体形状を有する主面を備えた基板を用意することは、前記基板上に犠牲層を設けることを含み、
前記犠牲層の少なくとも一部は、前記第1キャップ層での前記局所欠陥と隣接するように配置され、
前記局所欠陥は、前記犠牲層のための除去剤が通過できるのに適している請求項1〜5のいずれかに記載の方法。 - 非平坦な立体形状を有する主面を備えた基板を用意することは、前記実質的な地形変動を含む膜層を前記基板上に設けることを含む請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
- 前記第1キャップ層を封止することをさらに含む請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- 前記第1キャップ層は、シリコンゲルマニウムを含み、
前記封止は、アルミニウムを含む第2キャップ層を前記第1キャップ層の上部に堆積することと、アニール処理を行って、前記第1および前記第2キャップ層を単一の封止層に転換することとを含む請求項8記載の方法。 - 非平坦な立体形状を有する無孔性キャップ層であって、
前記キャップ層は、欠陥を含み、
前記欠陥は、所定の流体が通過できるのに適しており、
前記欠陥は、その立体形状が実質的に変化している、前記キャップ層での場所に存在しているようにしたキャップ層。 - 第1層および無孔性キャップ層の積層体を含む膜であって、
前記第1層は、孔を含み、
前記キャップ層は、前記第1層と物理的接触しており、
前記キャップ層は、前記開口の側壁に位置決めされた局所欠陥を含み、
前記局所欠陥は、所定の流体を通過できるのに適しているようにした膜。 - 前記キャップ層を封止する層をさらに含む請求項11記載の膜。
- 請求項10記載のキャップ層によって覆われた空洞を備えたマイクロ電子デバイス。
- 請求項11または12記載の膜によって覆われた空洞を備えたマイクロ電子デバイス。
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