JP2009147311A - 懸架膜素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】少なくとも1つの懸架膜を備えた素子を製造する方法である。
【解決手段】少なくとも1つの懸架膜を備えた素子を製造する方法であって、該方法は少なくとも、第1犠牲層および該第1犠牲層に堆積された第2層を貫通し、該第1犠牲層の少なくとも一部および第2層の少なくとも一部を完全に囲繞するトレンチを形成し、該トレンチの全体または一部に、少なくとも1種類のエッチング剤に対する耐性を有する少なくとも1種類の材料を充填し、該第1犠牲層の一部を、第2層に設けられた少なくとも1つの開口部を介してエッチング剤でエッチングする工程を含み、該第2層の一部は、懸架膜の少なくとも一部を形成することを特徴とする。
【選択図】図7
【解決手段】少なくとも1つの懸架膜を備えた素子を製造する方法であって、該方法は少なくとも、第1犠牲層および該第1犠牲層に堆積された第2層を貫通し、該第1犠牲層の少なくとも一部および第2層の少なくとも一部を完全に囲繞するトレンチを形成し、該トレンチの全体または一部に、少なくとも1種類のエッチング剤に対する耐性を有する少なくとも1種類の材料を充填し、該第1犠牲層の一部を、第2層に設けられた少なくとも1つの開口部を介してエッチング剤でエッチングする工程を含み、該第2層の一部は、懸架膜の少なくとも一部を形成することを特徴とする。
【選択図】図7
Description
本発明は、MEMS(微小電気機械システム)またはNEMS(ナノ電気機械システム)の分野に関するものであり、とくに、表面科学技術により製造された懸架素子(suspended elements)を有するマイクロセンサに関する。
現在、懸架膜(suspended membranes)と呼ばれる材料の懸架部分を含むMEMSの製造を可能にする方法がいくつかある。
特許文献1は、SOI(シリコン・オン・インシュレータ)基板から表面MEMS構造体を形成する方法を記載している。いくつかの開口部が、SOI基板のシリコン上部層および誘電体層に貫設される。絶縁性の耐エッチング材料がこれらの開口部に堆積され、さらにシリコン層がSOI基板のシリコンの上部層にエピタキシャル成長される。次に誘電体層がエッチングされ、それにより、エピタキシャル成長層が、絶縁性材料で形成されSOI基板のシリコン下部層に連結された固定柱上に支持される。
しかし、場合によっては、固定柱が下部に配設されていない膜を製造する必要がある。
特許文献2は、表面圧力センサの製造方法を記載している。このセンサはSOI基板で作られている。1つの開口部が、SOI基板のシリコン上部層を貫通し、絶縁層に達する位置まで形成される。次に、絶縁層が、先に設けられた開口部から拡散されるフッ化水素酸系の溶剤でエッチングされる。このエッチングは、シリコンの上部層の下部に同心円状に広がる。このエッチングは、エッチングされた酸化物径が所望の大きさに達すると終了される。
この方法は、懸架構造体、すなわち膜の固定部がシリコン懸架部の下部に位置する酸化物の周壁で形成される懸架円形膜(suspended, circular membranes)の形成を可能にしている。
具体的には、この方法は、形成される懸架構造体の寸法調整パラメータとして時間が用いられるというデメリットがある。そのため、エッチング速度がエッチング剤のpHに左右されること、及び、単一のエッチング剤によるエッチング速度は、温度ならびにエッチングされる誘電体の組成に左右されることを考慮すると、この方法により、製造する構造体の寸法を正確に特徴付けることはできない。
また、この方法では、エッチング溶剤を拡散させる開口部を懸架膜の中央に配設せざるを得ない。そのうえ、開口部を閉じる栓が膜の材料とは異なる材料からなるため、膜の機械的性質を変え得る不良とみなすことができる。とくに、この膜がマイクや超音波振動子の振動素子である場合、栓は伝達される波を摂動させる。さらに、この方法によって得られる懸架膜の形状は、必然的に円形となる。他の関連技術として、特許文献3〜5が挙げられる。
US2004/0119125
US5,510,276
DE199 03 380 A1
DE101 44 847 A1
KR2004 0102390A
本発明は、従来技術による方法におけるデメリットを解消または軽減する懸架膜の新たな製造方法を提示することを目的とする。すなわち、例えば懸架膜の製造において、製造される膜の寸法および形状に関する精度の改善を実現することにより、製造方法に起因する膜の機械的性質の低下を抑え、かつ形成される構造体の接着性が改善しつつ、任意の形状の懸架膜を得ることを可能にする。
この目的を達成するために、本発明は、少なくとも1つの懸架膜を備えた素子を製造する方法を提案する。本方法は、少なくとも、
第1犠牲層および第1犠牲層に堆積された第2層を貫通し、該第1犠牲層の少なくとも一部および前記第2層の少なくとも一部を完全に囲繞するトレンチを形成し、
該トレンチの全体または一部に、少なくとも1種類のエッチング剤に対する耐性を有する少なくとも1種類の材料を充填し、
前記第1犠牲層の前記一部を、前記第2層に設けられた少なくとも1つの開口部を介して前記エッチング剤でエッチングする工程を含み、
前記第2層の前記一部は、前記懸架膜の少なくとも一部を形成する。
第1犠牲層および第1犠牲層に堆積された第2層を貫通し、該第1犠牲層の少なくとも一部および前記第2層の少なくとも一部を完全に囲繞するトレンチを形成し、
該トレンチの全体または一部に、少なくとも1種類のエッチング剤に対する耐性を有する少なくとも1種類の材料を充填し、
前記第1犠牲層の前記一部を、前記第2層に設けられた少なくとも1つの開口部を介して前記エッチング剤でエッチングする工程を含み、
前記第2層の前記一部は、前記懸架膜の少なくとも一部を形成する。
このように、本方法では、トレンチが、例えばSOI型基板の酸化被膜である犠牲層のエッチング停止壁の形成を可能とする閉輪郭を有する。こうして、エッチング停止材を充填したトレンチがこの壁を形成し、この壁に囲繞された犠牲層の囲み領域を輪郭的に画定する。トレンチ内に堆積された壁材は犠牲層のエッチング剤に対して耐性を有するため、この壁がエッチング停止壁の役割をする。
このような方法で、単結晶材料からなる懸架膜を形成でき、そこから懸架構造体を構築することができる。また、本方法は、形状や所望の寸法などの特性が従来技術による方法よりも精密な懸架膜を形成できる。
本方法は、懸架膜の形状にいかなる制限も課さない。
本方法はまた、犠牲層に対する接触穴の位置決めを自由に行えるようにする。これらの穴は、好ましくは、構造体の機械的性質に変化をきたさない領域(例えば、圧力センサの場合、膜の端部)に配置されるとよい。このようにして、これらの接触穴による懸架膜の機械的性質の低下を抑制できる。
第2層は、少なくとも1種類の半導体材料を含んでいてもよく、該半導体材料の少なくとも一部は単結晶である。
前記トレンチの形成工程に先立って、本方法はさらに、第3層にイオン注入することによって、少なくとも1つの電極を前記第1犠牲層および第2層の前記一部の下部に形成する工程を含んでもよく、該第1犠牲層および第2層をこの第3層上に堆積する。
代替案として、トレンチの形成工程に先立って、本方法はさらに、少なくとも1つの電極を、少なくとも前記エッチング剤に対する耐性を有する、例えば多結晶の導電性材料の堆積物を少なくとも1つ介して、少なくとも前記エッチング剤に対する耐性を有する材料を含有する第3層上に形成する工程を含み、前記第1犠牲層および前記第2層は前記第3層に堆積可能であり、前記第1犠牲層の前記一部は少なくとも電極の一部に堆積可能である。
本電極の形成は、センサまたは静電容量型アクチュエータの製造を可能にし、その検出能力または動作能力は、本電極および懸架膜によってもたらされる。
トレンチに堆積する材料は、誘電性材料でよい。これにより、犠牲層上に形成される層を、犠牲層下部の層から電気的に絶縁できる。
少なくとも前記エッチング剤に対する耐性を有する材料は、導電性材料でよい。この場合、1または複数の固定壁は、犠牲層上部に配された層と犠牲層下部に配された層との電気的接続を確保する。
前記トレンチを充填する工程と前記第1犠牲層の一部をエッチングする工程の間において、本方法はさらに、前記第2層および前記トレンチに堆積した前記材料に対し、非選択的エピタキシーを行う工程を含んでもよい。これにより、懸架膜形成用の表面層の厚みが増す。
別の実施形態では、前記トレンチの充填する工程と前記第1犠牲層の一部をエッチングする工程の間において、本方法はさらに、前記第2層および前記トレンチに堆積した少なくとも前記エッチング剤に対する耐性を有する材料上に、1種類の材料を転写する工程を含んでもよく、また場合によっては、転写した材料を薄くする工程を含んでもよい。
前記転写された材料は、具体的には少なくとも部分的に単結晶であってもよく、それにより懸架膜の単結晶固定部を得ることができる。このように、機械的性質が多結晶材料の性質よりも優れているため、形成される固定部の品質が改善される。
前記トレンチの充填は、堆積によって実行されてもよい。
代替案として、前記トレンチの充填は、前記第2層および前記トレンチの非選択的エピタキシーの工程で実行されてもよい。
前記エッチング工程後に、本方法はさらに、保護層を前記素子上に堆積させる工程を含んでもよい。
最後に、前記エッチング工程後に、本方法はさらに、前記第2層の前記一部に接続され、および/または、本方法が電極を形成する工程を含む場合には前記電極に電気的に接続される接点を形成する工程を含んでもよい。
前記トレンチには、少なくとも前記エッチング剤に対して耐性を有する前記材料からなる第1堆積物、および該トレンチ内の別の材料からなる第2堆積物が充填されてもよい。
前記トレンチには、誘電性材料からなる第1堆積物、および前記エッチング剤に対し耐性を有する前記材料からなる第2堆積物が充填されてもよい。前記エッチング剤に耐性を有する前記材料が導電性である場合、この代替案では、とくに、基板の残部の固定部を前記第1誘電性堆積物によって電気的に絶縁できる。
これにより、とくに後者の幅が広い場合、または前記固定壁が果たす所期の機能(電気信号の維持および/または導通)に応じて、前記トレンチの充填を最適化できる。したがって、いくつかの異なる材料を前記トレンチに配することができる。
本発明は、実例となる、用途が限定されない代表的な実施形態の説明を、添付の図面を参照して読むことでより良く理解できるであろう。
図面間の移行をしやすくするため、以下に記載する種々の図面における同一、類似、または同等の部分は同一の参照符号を付する。
図を識別しやすくするため、各図に示す様々な部分は必ずしも同一の尺度にしていない。
様々な可能性(代案および実施形態)が、相互に非排他的、且つ組み合わせ可能であることを理解されたい。
まず、第1実施形態による懸架膜素子(suspended membrane device)100を製造する方法を示す図1から図7を参照する。
素子100は、シリコンなどの半導体ベースの基板102で製造され、該基板上には、例えばSiO2を含有し、約1μm相当の厚み、より一般的には約0.1μmから3μmの厚みを有する犠牲層を形成する誘電体層104と、例えば単結晶シリコンなどの半導体材料を含む薄層106とが積層される。また、層106は、シリコン以外の半導体材料として、例えば、SiC(炭化ケイ素)を含んでもよく、またはLiNbO3(ニオブ酸リチウム)あるいはBaTiO3(チタン酸バリウム)などの圧電材料を含んでもよい。この場合、半導体層106の厚みは約10μm未満、または約0.1μmから数十マイクロメートルもしくは約100μm未満である。第1実施形態では、基板102、犠牲層104、および半導体層106は、有利に単結晶SOI基板を形成する。
図1に示すように、基板102がN型かP型かによって、それぞれP型またはN型ドーパントのイオン注入を行うことができ、それにより基板102にドープ領域105を形成する。基板102の残りの部分とともに、このドープシリコン領域105がPN接合部を形成する。例えば、約230nm相当の厚みのSiO2系の犠牲層104および約120nm相当の厚みのシリコン系の半導体層106を介してボロンを注入した場合、ドープ領域105の厚みは、例えば約0.3μm相当である。この注入は、例えば、約100keV相当のエネルギーを有するイオンビームを用いて実行し、注入される量は約3.1015 atom/cm2である。一般的には、半導体層106および犠牲層104の厚みは、例えば、これらの層を通じてイオンが注入できるわずかな厚みであればよい。
このイオン注入は、基板102に埋め込まれる電極の形成に使用してもよく、例えば、素子の懸架膜下に位置する一または複数の埋め込み電極と前記懸架膜との間の容量検出または作動を行うために使用できる。
図2に示すように、次に半導体層106および犠牲層104にエッチングを施してトレンチ108を形成する。トレンチ108は、半導体層106および犠牲層104を完全に貫通する。このトレンチ108はまた、基板102に部分的に形成されていてもよい。図3(素子100の上面図)では、トレンチ108が、半導体層106の一部110を完全に囲繞して境界を画定し、素子100の懸架膜の少なくとも一部を形成するように、連続する境界線に沿って形成されているのが分かる。図解すると、素子100の第2懸架膜を形成するための、半導体層106の第2部分110’の境界を画定する第2のトレンチ108’が図2および図3に部分的に示されている。トレンチ108は、半導体層106の部分110の下に位置する犠牲層104の部分111も同じように完全に囲繞する。同様に、トレンチ108’は半導体層106の部分110’の下に位置する犠牲層104の部分111’の境界を画定する。ドープ領域105は、少なくとも部分的に半導体層106の部分110の下に位置する。トレンチ108は、例えば、約1μmから2μmの間の幅(図2に示すx軸方向の寸法)を有する。
トレンチ108によって形成されるパターンは円形でなくてもよく、例えば、半導体層106の部分110が、長方形や六角形など、途切れのない閉輪郭を有する形状のものであればよい。
この第1実施形態では、トレンチ108に隣接する半導体層106の部分114および犠牲層104の部分115は、素子100の残部、又は一または複数の懸架膜の固定壁を形成する。これらのトレンチ108は、例えば、反応性イオンエッチング(RIE)によって形成してもよい。
図4において、次に、トレンチ108および108’に、犠牲層104の部分111をエッチングする手順において、後に使用される1種または数種のエッチング剤に対して耐性を持つエッチング停止材116を充填する。このエッチング停止材116は、例えば、PECVD(プラズマ助長化学蒸着)法、またはLPCVD(低圧化学蒸着)法によって蒸着する。この後続のエッチングは選択的なエッチングであるため、半導体層106、犠牲層104、およびエッチング停止材116の材料は、エッチング剤がトレンチ108および108’に蒸着したエッチング停止材116または半導体層106の材料をエッチングすることなく犠牲層104の材料をエッチングするようなものを選ぶ。第1実施形態では、エッチング停止材116は、例えばトレンチ108の幅に相当する厚みに渡り蒸着される。
以下に示す表は、エッチング剤の種類に応じて用いることのできる、犠牲層104およびエッチング停止材116の材料の組み合わせの例を示す。第2材料に対する第1材料用のエッチング剤の選択性は、第1材料のエッチング速度の第2材料のエッチング速度に対する比率として定義される。
ここに述べる実施形態では、エッチング停止材116は、例えばシリコンリッチSiNを含有する。シリコンリッチSiNは、例えばLPCVD蒸着(低圧化学蒸着)によって得られる非化学量論的窒化ケイ素である。この材料の過剰化学量論的組成のシリコンは、SiNの生成時におけるNH3の流量に対するジクロロシランの流量の増加によって得られる。この窒化物は、「低圧SiN」とも呼ばれる。
図4に示すように、エッチング停止材116は、半導体層106上にも蒸着される。図5に示すように、さらに、トレンチ108、108’の外側にあるエッチング停止材116を除去できるようにするエッチングを施す。このエッチングは平坦化エッチングまたはリソグラフィフリーの全断面エッチングとも称される。このエッチングは、例えば、RIE型(反応性イオンエッチング)である。
図6に示すように、特定の用途では、次に、非選択エピタキシーを、エッチング停止材116に関連して、半導体層106上と、例えば、エピタキシーを施す材料の性質に応じて層106と同じ単結晶シリコンまたは多結晶シリコンなどの材料を含む層122を形成するエッチング停止材116上とに実行することも可能である。このようにして、素子100の懸架膜の製造に必要な厚みを得るために、初期に半導体材料106で形成された半導体材料の厚みを増加させる。
したがって、初期の段階における層106は、製造する懸架膜に必要な厚みを備えていなくてもよい。基板102においてイオン注入を行った後、犠牲層104上の材料の厚みを増加させることにより、とくに、注入が行われた際に、材料の厚みを、この注入を実行するために誘電体層104および半導体層106を通じて供されるエネルギーに適合させることができる。
半導体層106の厚みを得る別の方法として、転写を用いてもよい。この転写は、例えば、材料122からなる基板または膜を半導体層106上に転写、そして接着し、その後可能であれば薄くすることで、実現することができる。層122は、具体的には、単結晶または非単結晶シリコンなどの半導体ベースの材料でよい。このようにして、製造工程の終了時には、エッチング停止材部分116、すなわち、膜の固定部分に近接する、例えば膜が折り曲げられると機械的応力が最大となる部分を含む、完全に単結晶の半導体ベースの膜を得ることができる。単結晶の特性は、単結晶半導体よりも引張強度が低い多結晶半導体に比べ、より改善された機械的性質を膜にもたらす。厚みを薄くした後に半導体層106に転写された層の余分な厚みは、SOI基板を用いることで容易に調整できる。SOI基板の表面半導体層(酸化被膜上に設けられている)は、シリコン下層および転写されたSOI基板の酸化被膜の貼り付けおよび除去後に、半導体全体の厚み(半導体層106の厚みに表面半導体層の厚みを加えた厚み)が、製造される構成要素に必要な厚みと同等になるようにするものである。
そして、所望の膜厚を得るために選ぶ選択肢に関わらず、少なくとも1つの開口部118、本例ではアクセスホールが、半導体層106の部分110および層122にエッチングされる。この開口部118は、例えばRIEエッチングで形成される。層122の主平面内の開口部118の断面寸法(例えば、直径または辺の長さ)は、例えば約0.3μmから数μmの間、すなわち、約10μm未満である。この開口部118は、エッチング停止材116に囲繞された犠牲層104の部分111への接触を可能にする。この開口部118は、半導体層106の部分110のどこにでも形成してよく、好ましくは、部分110の中心部を避けて、エッチング停止材116近傍に形成される。犠牲層104の部分111以外の部分を除去するために、別の開口部をエピタキシャル成長層122および半導体層106に貫設することも可能である。
最後に、図7に示すように、半導体層106の部分110の下に位置する犠牲層104の部分111をさらにエッチングする。このエッチング後、空間120、つまり空隙が犠牲層104の部分111の代わりに得られる。エッチング剤がエッチング停止材116に達すると、エッチングが止まる。例えば、フッ化水素系の水溶液をこのエッチングに使用してもよく、この水溶液は開口部118を介して犠牲層104の部分111全体に拡散する。
このようにして、半導体層106の部分110は基板102から遊離され、半導体層106の残部上のエピタキシャル成長層122と、さらに固定領域を形成する部分114とによって、素子100に固定される。こうして懸架膜素子100が得られる。
図8から図28は、第2実施形態による懸架膜素子200を製造する方法の工程を示す。この第2実施形態では、素子200は、例えば静電容量圧力センサである。
素子200は半導体ベースの基板202からなり、この基板は本実施形態ではシリコンである(図8)。
この基板202に熱酸化を施し、該基板上にSiO2系の層204を形成する。図9に示す例では、該層204は例えば約1μm相当の厚みを有する。一般的に、この層204の厚みは、約0.1μmから2μmの間でよい。
図10に示すように、次に、例えばLPCVDまたはPECVD式の蒸着を用いて、後の処理過程で使用される少なくとも1種類のエッチング剤に対して耐性を持つ材料を含む層206を酸化被膜204上に蒸着させる。図10では、層206は「低圧SiN」、すなわち第1実施形態で使用したエッチング停止材116を含む。層206の厚みは、層206の材料がエッチング剤でエッチングされる割合、およびエッチング時間に応じて決める。HF式エッチング(フッ化水素使用)の場合、層206の役割も、酸化被膜204を保護することである。例えば、この層206の厚みは、エッチングされる材料の厚みが例えば20μmの場合、約0.3μm相当である。
その後、図11に示すように、例えば多結晶シリコン系材料などの誘電性材料を含む層208を蒸着する。この蒸着は、LPCVD式でよい。層208の厚みは、約0.35μm相当であり、あるいはより一般的には約0.1μmから1μmの間である。この層208の材料は、後続の懸架膜を製造する手順で使用されるエッチング剤に対する耐性を有し(図24を参照)、さらにその後の本方法の過程で行われる密閉作業(図15を参照)の温度に耐えうるものを選択する。
次に、該誘電層208をエッチングして、該誘電層208の残余部209が、素子200の懸架膜とともに使用できる素子200の下部電極を形成するようにする(図12を参照)。
図13に示すように、蒸着物は、本方法の過程において、後の工程でエッチング剤を用いてエッチングされる材料を含む層210からなり、犠牲層210を形成する。この第2実施形態では、犠牲層210は、例えばテトラエチル・オルトシリケートを含み、これはTEOS酸化物とも呼ばれる。犠牲層210はまた、第1実施形態で挙げた犠牲層104に使用可能な材料を1種類または数種類含む。この犠牲層210はさらに、平坦化される(図14)。
次に、シリコンなどの半導体ベース基板214、SiO2などの酸化被膜216、および単結晶シリコンなどの半導体層218から成る212SOI基板を、犠牲層210上に転写する。この転写は、例えば、シリコン層218と犠牲層210の間の分子付着によって行う。
図16において、転写されたSOI基板212をSiO2層216に至るまで薄くして、基板214を除去する。続いて、SiO2層216をエッチングして除去する(図17)。
第1実施形態と同様に、トレンチ220をシリコン218および犠牲層210に貫設する(図18)。トレンチ220は、素子200の懸架膜を形成するためのシリコン層218の部分222の境界を画定する、閉輪郭を形成する。第2の膜を形成するためのシリコン層218の別の部分222’の境界を画定する別のトレンチ220’もまた、図示されている。
図19は、トレンチ220および220’の形成工程後の素子200の上面図を示す。ここでは、部分222および222’は、それぞれトレンチ220および220’に完全に囲繞された六角形状を備えているのが分かる。複数の膜を、特に六角形状に隣り合って配列して製造すると、ハニカム状の膜を網目模様に製造することができる。
第1実施形態と同様に、次にエッチング停止材228をシリコン層218上およびトレンチ220、220’内に蒸着させる(図20)。この第2実施形態では、材料228は「低圧SiN」を含有する。材料228の層の厚みは、本実施形態では、形成したトレンチ220、220’の幅とほぼ同じである。平坦化エッチングをさらに行って、トレンチ220、220’内以外に存在する材料228を除去する(図21)。
第1実施形態と同様の方法で、層218をエピタキシャル成長させて、例えばシリコンなどの半導体ベース層230をこの層218およびエッチング停止材部分228に形成する(図22)。エピタキシー工程もまた、半導体層(または基板)の分子付着工程に置き換え可能であり、さらに場合により、この層または基板を薄くすることも可能である。
図23に示すように、次に、開口部232をシリコン層218およびエピタキシャル成長層230の部分222、222’を通してエッチングする。これらの開口部232は、エッチング停止材228で囲繞された犠牲層210の部分221、221’への接触を可能にする。
次に、エッチング停止材228に囲繞された犠牲層210の部分221、221’を、HF系の水溶液でエッチングする。それにより、空間が犠牲層210の部分222、222’の代わりに得られる。エッチングは、エッチング剤がエッチング停止材228に達すると止まる(図24)。
このようにして、半導体層218の部分222、222’が基板202から部分的に遊離され、半導体層218の残部上のエピタキシャル成長層230と、とくに固定領域形成トレンチ228に隣接する犠牲層210の各部分とによって素子200に固定される。
さらに、開口部232を、例えば、リンケイ酸ガラス(PSG)などの材料234を蒸着およびエッチングして塞ぐ(図25)。図26に示すように、例えば誘電体を含む保護層236を、さらに、素子200上、つまりエピタキシャル成長層230および栓材234上に堆積する。
次に、層218、230、および236の、懸架膜または素子200の残部の一部を形成するためのものではない部分をエッチングする(図27)。それにより、下部電極209に接触するための犠牲層210のエッチングが可能となり、下部電極209の接点金属化238が可能となる。エピタキシャル成長層230に接触するために、同じく金属化240を保護層236を介して行う(図28)。
この第2実施形態では、とくに、例えば多結晶シリコン系の電極209に対し、異なる方法での電気の引き込みが可能である。実際には、第1実施形態では、下部埋め込みシリコン電極および基板で形成されるPN接合部は遮断されてしまうため、基板を追加分極する必要があるが、これは第2実施形態では不要である。また、第2実施形態に係る素子200は前述の素子100よりも高い温度で使用できるが、これは作業温度が、100℃を上回る場合に起こりえるPN接合部の漏電電流によって制限されないためである。
素子の懸架膜が基板から電気的に絶縁されていない場合、または本構造に1または複数の電気結線が形成されている場合、エッチング停止壁は導電性材料または半導体材料で作られていてもよい。この例を、第3実施形態による懸架膜素子300の製造方法の過程を示す図29から図39を用いて説明する。この第3実施形態では、素子300は単結晶のピエゾ抵抗検出型膜圧センサである。
まず、基板302、誘電体層304、および本実施形態では単結晶シリコンである半導体ベース層306を含む、例えば図1に関して述べたSOI基板と同様のSOI基板から始め、図29に示すように、トレンチ308を半導体層306および犠牲層である誘電体層304にエッチングする(図30)。トレンチ308は、半導体層306の第1部分310を完全に囲繞して境界を画定し、半導体層が同じようにトレンチ308に囲繞される犠牲層304の第1部分311とともに素子300の懸架膜を形成するように、連続した境界線に沿って形成される。このトレンチ308は、例えば反応性イオンエッチングによって、約1μmから2μmの間の幅に渡って形成される。
図31に示すように、犠牲層304の材料に非選択的エピタキシーを施すことが可能であり、それにより、層306上のシリコンの上層312を形成する。この上層の厚さは、懸架膜の製造に望ましい厚さとなる。さらに、トレンチ308に、エピタキシャル成長させた材料312を充填する。
そして、懸架膜に望ましいシリコンの厚みを得るために、エピタキシャル成長層312にメカノケミカル平坦化を施す(図32)。
前述の実施形態と同様に、開口部314をエピタキシャル成長層312および半導体層306の第1部分310にエッチングすることで、犠牲層304の第1部分311への接触が可能となる(図33)。
図34に示すように、次に、トレンチ308によって画成される犠牲層304の第1部分311をエッチングする。この第3実施形態では、エピタキシャル成長させた材料312、本実施形態ではシリコンが、エッチング停止材を形成する。このエッチングは、HF系の水溶液を使用して行ってもよい。
第2実施形態の場合と同様に、開口部314は、例えば、リンケイ酸ガラス(PSG)などの材料316を蒸着およびエッチングして塞ぐ(図35)。そして、1000℃を超える温度でPSGアニーリングを行うことで、クリープを発生させる。
さらにイオン注入を行って、エピタキシャル成長層312に圧電ゲージ318を形成する(図36)。素子300はさらに、保護層320を蒸着させることで不動態化される(図37)。
次にコンタクトホール322を、保護層320上のゲージ318付近に形成する(図38)。
さらに、素子300は、図39に示すように、素子300にゲージ318と接する金属相互接続路324を形成することで完成する。
上述の3つの実施形態では、素子の懸架膜を形成するための半導体層の一部分の境界を画定する各トレンチを、犠牲材料のエッチングを止めるためのエッチング停止材で完全に埋める。これらの3つの実施形態の代案として、最初にトレンチの一部に、例えば概ね均一的な厚みを有する層をトレンチの内壁に形成する第1材料を充填することもでき、さらに、エッチング停止材上のトレンチの内側に残っている空間に、例えばエピタキシーで得た、懸架膜の一部を形成できる第2材料を堆積させる。第1材料は、例えばSiO2および/またはSiNなどの誘電体でよく、第2エピタキシャル成長材は可能であればシリコンとする。この場合、とくに、SiO2層の主な役割は、基板をエピタキシャル成長層から電気的に絶縁することである。これは犠牲層のエッチング剤に十分な耐性を示すはずであるが、エッチング停止機能はトレンチ中に存在するエピタキシャル成長させたシリコンによって実現される。
前述の各実施形態では、トレンチ内部の材料の堆積は、トレンチの「垂直」壁に対して行い、トレンチの底部からは行わない。これらの「垂直」壁への堆積率は、例えばトレンチの底壁のような「水平」面への堆積率よりも低いため、トレンチを充填するために堆積される厚さは、通常、トレンチの幅と同じである。したがって、トレンチの幅は、トレンチに堆積可能なエッチング停止材の最大厚に対応するように選択される。
トレンチの幅がトレンチに堆積可能なエッチング停止材の最大厚よりも広い場合、トレンチはエッチング停止材の第1堆積物を介して埋めてもよく、その後、少なくともトレンチ内の別の材料からなる第2堆積物によって埋める。前述のトレンチ内に配されたエッチング剤に耐性を持つ材料は導電性であり、トレンチは、誘電性材料の第1堆積物および前述のエッチング剤に耐性を持つ材料による第2堆積物を介して埋められる。
図40から図47は、このような懸架膜素子400のトレンチの埋め込みの工程例を示す。この埋め込み例は、とくに、前述の懸架膜素子の製造方法のうちの一方法における過程で実行される。
図40に示すように、素子400は、例えばシリコンなどの少なくとも1つの半導体を含む基板402から成り、この基板上に、例えばSiO2を含み犠牲層を形成する誘電体層404、および例えばシリコンの薄い半導体ベースの層406が積層される。
例えばSiO2を含む誘電体層408を、薄いシリコン層406上に堆積する(図41)。
次に、トレンチ410が層408、406、404、および基板402の一部にエッチングされる(図42)。前述の懸架膜素子の製造方法と同様に、トレンチ410は、素子400の懸架膜の少なくとも一部を形成する薄層406の一部を完全に囲繞して境界を画定する、連続した境界線を形成する。
図43に示すように、例えば誘電体などの耐エッチング材ベース層412を、トレンチ410内および誘電体層408に堆積する。さらに研磨することで、この層412の誘電体層408上に位置する部分を除去できる(図44)。次に、誘電体層408を、例えばエッチングによって除去する(図45)。
図46に示すように、さらに薄層406をエピタキシャル成長させて、薄層材料406を含む層、すなわち多結晶または単結晶の層414を薄層406付近に形成する。エピタキシーは、トレンチ410、つまり耐エッチング材412にも施される。
最後に誘電体層404を、例えばHFエッチングによってエッチングする。材料412が存在することで、あらかじめトレンチ410内に生成されたエピタキシャル成長材料414を保護でき、それにより基板402に連結部が形成される(図47)。
また別の方法として、材料412は誘電体層404のエッチングに使用されるエッチング剤に対して耐性を有していなくてもよく、例えば、一般的な誘電材料から成るものでもよい。この材料は、とくに、形成される固定物に対して基板とエピタキシャル成長層414間の電気絶縁を確実なものにできる。この場合、層414の誘電体層404付近に位置する部分を、図48に示すように、誘電体層404のエッチング時にさらにエッチングする。エッチングは、先に形成されたトレンチ410内のエピタキシャル成長させたシリコンの層414によって停止される。
次に、懸架膜素子400のトレンチの別の埋め込み例について、このような埋め込み作業の工程の一部を示す図49から図54と関連付けて述べる。
図40から図43に関連して前述した工程を、最初に実行する。
図49に示すように、多結晶シリコン416の厚い堆積物を、トレンチ410近傍および薄層406近傍の誘電体層412に形成する。厚い堆積物とは、層の堆積物のことであり、その厚みは少なくともトレンチ410の深さに等しいということを理解されたい。
次に平坦化を行い、この平坦化は薄層406で停止する(図50)。このようにして、トレンチ410内にある層416の部分のみが存続する。この平坦化はまた、誘電体層408を、誘電体層412のトレンチ410内に位置する部分と共に除去する。
図51に示すように、基板418、本例では単結晶シリコン系の基板を、素子400、すなわち薄層406ならびに層412および層416の残部に接着転写する。この基板418はさらに、素子400の懸架膜の任意の厚みに応じて薄くする(図52)。
最後に、誘電体層404をエッチングして懸架膜を遊離させ、層412および416の残部によって固定部を基板402に形成する(図53)。
前述のトレンチの埋め込み例では、層412は誘電体層404の除去に使用されるエッチング剤に対して耐性を備えていない材料を含むことができるが、この層は、例えば、一般的な誘電材料で構成される。この場合、図54に示すように、誘電体層412の、誘電体層404の除去に使用されるエッチング剤にさらされる部分もエッチングされるため、材料416がエッチング停止材料の役割を果たすことになる。この場合、材料416はまた、固定材料416と基板402との間の電気絶縁機能も果たす。
Claims (13)
- 少なくとも1つの懸架膜を備えた素子を製造する方法であって、該方法は少なくとも、
第1犠牲層および該第1犠牲層に堆積された第2層を貫通し、該第1犠牲層の少なくとも一部および前記第2層の少なくとも一部を完全に囲繞するトレンチを形成し、
該トレンチの全体または一部に、少なくとも1種類のエッチング剤に対する耐性を有する少なくとも1種類の材料を充填し、
前記第1犠牲層の前記一部を、前記第2層に設けられた少なくとも1つの開口部を介して前記エッチング剤でエッチングする工程を含み、
前記第2層の前記一部は、前記懸架膜の少なくとも一部を形成することを特徴とする方法。 - 前記第2層が少なくとも1種類の半導体材料を含み、該半導体材料の少なくとも一部が単結晶であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記方法はさらに、前記トレンチ形成工程に先立って、第3層にイオン注入することによって、少なくとも1つの電極を前記第1犠牲層および前記第2層の前記一部の下部に形成する工程を含み、該第1犠牲層および該第2層を前記第3層上に堆積することを特徴とする、請求項1乃至2のいずれか1つに記載の方法。
- 前記方法はさらに、前記トレンチ形成工程に先立って、少なくとも1つの電極を、少なくとも前記エッチング剤に対する耐性を有する導電性材料の堆積物を少なくとも1つ介して、少なくとも該エッチング剤に対する耐性を有する材料を含有する第3層上に形成する工程を含み、前記第1犠牲層および前記第2層を該第3層上に堆積し、前記第1犠牲層の前記一部を少なくとも前記電極の一部に堆積することを特徴とする、請求項1または2のいずれかに記載の方法。
- 前記方法はさらに、前記トレンチを充填する工程と前記第1犠牲層の一部をエッチングする工程との間に、前記第2層および前記トレンチに堆積した前記材料に対し、非選択的エピタキシーを行う工程を含むことを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1つに記載の方法。
- 前記方法はさらに、前記トレンチを充填する工程と前記第1犠牲層の一部をエッチングする工程との間に、前記第2層および前記トレンチ内に堆積した前記材料上に、一種類の材料を転写する工程を含むことを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1つに記載の方法。
- 前記転写された材料は少なくとも部分的に単結晶であることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記トレンチの充填は、前記第2層上および該トレンチ内部における非選択的エピタキシャル成長工程で実行されること特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1つに記載の方法。
- 前記方法はさらに、前記エッチング工程後に、保護層を前記素子上に堆積させる工程を含むことを特徴とする、請求項1乃至8のいずれか1つに記載の方法。
- 前記方法はさらに、前記エッチング工程後に、前記第2層の前記一部に接続され、および/または、前記方法が電極を形成する工程を含む場合には前記電極に電気的に接続される接点を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項1乃至9のいずれかに記載の方法。
- 前記トレンチ内に配された前記材料は誘電性材料であることを特徴とする、請求項1乃至10のいずれか1つに記載の方法。
- 前記トレンチには、少なくとも前記エッチング剤に対して耐性を有する前記材料からなる第1堆積物、および該トレンチ内の別の材料からなる第2堆積物が充填されることを特徴とする、請求項1乃至10のいずれか1つに記載の方法。
- 前記トレンチには、誘電性材料からなる第1堆積物、および前記エッチング剤に対し耐性を有する前記材料からなる第2堆積物が充填されることを特徴とする、請求項1乃至10のいずれか1つに記載の方法。
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