JP2016189029A - 露光装置、計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置、計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016189029A JP2016189029A JP2016145825A JP2016145825A JP2016189029A JP 2016189029 A JP2016189029 A JP 2016189029A JP 2016145825 A JP2016145825 A JP 2016145825A JP 2016145825 A JP2016145825 A JP 2016145825A JP 2016189029 A JP2016189029 A JP 2016189029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical system
- exposure
- projection optical
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
磁気ヘッド等のマイクロデバイスの製造工程の1つとして通常設けられるフォトリソグラフィー工程では、露光対象としての基板(フォトレジストが塗布された半導体ウェハ又はガラスプレート)にマスク又はレチクル(以下、これらを総称するときは、マスクという)に形成されたパターンの縮小像を投影露光する露光装置が用いられる。近年においては、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置(所謂、ステッパ)又はステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が多用されている。
過部から射出される光の拡がりも大きくなり、良好に受光することができない虞がある。
本発明の第1の観点による露光装置は、照明系(IS)からの露光光を、投影光学系(PL)と液体(w)とを介して基板(W)上に照射することによって前記基板を露光する露光装置(EX)において、前記投影光学系の像面側に配置された光透過部(31、32)を介して、前記投影光学系を通過した露光光を受光する受光器(36、37)を有する計測手段(27)を備え、前記投影光学系と前記光透過部との間に液体がない状態で、前記計測手段の受光器で前記投影光学系を通過した露光光を受光することを特徴としている。
この発明によると、投影光学系の像面側に液体が供給されていない状態で、投影光学系を通過した露光光が投影光学系の像面側に配置された光透過部を介して計測手段の受光器で受光される。
本発明の第2の観点による露光装置は、照明系(IS)からの露光光を、投影光学系(PL)を介して基板(W)上に照射することによって前記基板を露光する露光装置(EX)において、前記投影光学系の像面側に配置され、前記投影光学系からの露光光が入射する光透過部(31、44、56)と、該光透過部からの光を受光器に入射させるための集光部材(41、45、52、57、62、71)とを有する計測手段(40、50、60、70)を備え、前記投影光学系からの露光光が気体中を通過せずに前記集光部材に入射するように、前記集光部材は、前記光透過部と前記受光器との間に配置されていることを特徴としている。
この発明によると、投影光学系からの露光光のうち、光透過部を透過した光は気体中を通過せずに集光部材に入射して集光される。尚、光透過部から集光部材に気体を通過しないように光を導くには、種々の方法があるが、光透過部と集光部材を接合しても良く、或いは、気体以外の媒質であって光透過性の媒質、例えば、液体、超臨界流体、ペースト、固体を光透過部と集光部材との間に、例えば薄膜状に介在させても良い。
本発明の第3の観点による露光装置は、投影光学系(PL)と液体(w)とを介して露光光を基板(W)上に照射することによって前記基板を露光する露光装置(EX)において、前記投影光学系に対向するように一方面が配置され、他方面の一部に光透過部(56)が形成された板状部材(51)と、前記光透過部からの光を受光する受光器(53)とを有する計測手段(50)を備え、前記計測手段の受光器による露光光の受光は、前記投影光学系と前記板状部材との間の液体(w)を介して行われることを特徴としている。
この発明によると、投影光学系からの露光光は液体を介して板状部材に入射し、板状部材に入射した光のうち光透過部を通過した光が計測手段が備える受光器に受光される。それゆえ、液浸露光の状態で露光光を計測することができる。
本発明の第4の観点による露光装置は、照明系(IS)からの露光光を、投影光学系(PL)と液体(w)とを介して基板(W)上に照射することによって前記基板を露光する露光装置(EX)において、前記投影光学系の像面側に配置され、前記投影光学系からの露光光が液体を介して入射する光透過部(31、32、44、56)と、該光透過部からの光を受光器(36、37)に入射させるための光学系(41、45、52、57、62、71、81、86、91、101、111)とを有する計測手段(40、50、60、70、80、85、90、100、110)を備え、前記光透過部からの光が気体中を通
過せずに前記光学系に入射するように、前記光学系は、前記光透過部に近接して配置されていることを特徴としている。
この発明によると、投影光学系からの露光光のうち、光透過部を透過した光は計測手段に設けられた光学系によって気体中を通過しないよう導かれて受光器に入射する。それゆえ、受光器は光透過部を透過した光を効率良く受光できる。光透過部から光学系に気体を通過しないように光を導くには、前述のように気体以外の媒質を介在させてもよい。なお、光学系は一つの光学部材であってもよいし、複数の光学部材から構成されていてもよい。
本発明の第5の観点による露光装置は、投影光学系と、該投影光学系の像面側に配置された基板上に供給される液体とを介して前記基板に露光光を照射する露光装置であって、前記投影光学系に対して移動可能なステージと、前記ステージに設けられ、前記投影光学系に対向して配置された状態で前記液体に接する第1面、および前記投影光学系と前記液体とを介して前記第1面から入射した前記露光光を射出させる第2面を有する光学部材と、前記第2面から射出した前記露光光を受光する受光面を有し、該受光面と前記第2面との間に気体を介在させて配置される受光素子と、を備え、前記第2面は、少なくとも1つの曲面が形成された曲面部と、凹凸が形成された凹凸部との少なくとも一方を含む。
本発明の第1の観点によるデバイス製造方法は、上記の何れかの露光装置を用いることを特徴としている。
本発明の第2の観点によるデバイス製造方法は、基板上にマイクロデバイスを形成するデバイス製造方法であって、上記の何れかの露光装置を用いて、前記基板にパターンを転写することと、前記パターンが転写された前記基板を該パターンに基づいて処理することと、を含む。
本発明の第1の観点による計測方法は、投影光学系と、該投影光学系の像面側に配置された基板上に供給される液体とを介して前記基板に照射される露光光を検出する計測方法であって、前記投影光学系に対して移動可能なステージに設けられた光学部材の第1面を、前記投影光学系に対向した状態で前記液体に接触させることと、前記投影光学系と前記液体とを介して前記第1面から前記光学部材に入射した前記露光光を、前記光学部材が有する面のうち、少なくとも1つの曲面が形成された曲面部と凹凸が形成された凹凸部との少なくとも一方を含む第2面から射出させることと、前記第2面から射出した前記露光光を、気体を介して受光することと、を含む。
本発明の第1の観点による露光方法は、投影光学系(PL)と液体とを介して露光光で基板(W)を露光する露光方法であって、前記投影光学系の光射出端の側に、前記露光光を計測する計測装置(27)を設置する設置ステップと、前記投影光学系の光射出端側の光路空間に前記液体を介在させずに前記計測装置で前記露光光を計測する計測ステップ(S14、S15)と、前記計測結果に基づいて、前記光路空間に前記液体を介在させて前記基板を露光する露光ステップ(S19)とを含み、前記投影光学系の光射出端と前記光路空間との界面に入射する前記露光光の入射角が、前記計測ステップと前記露光ステップとで異なることを特徴としている。
この方法によると、計測ステップにおける前記投影光学系の光射出端と前記光路空間との界面に入射する露光光の入射角を、前記露光ステップにおける入射角より小さく調整することによって投影光学系と計測装置との間の光路空間に液体に存在していなくても計測装置は良好に露光光を受光することができ、その受光した光で結像状態や露光光の調整を実行することができる。
本発明の第2の観点による露光方法は、投影光学系(PL)を介して露光光で基板(W)を露光する露光方法であって、前記投影光学系から射出された前記露光光を気体を通過させずに受光器で受光する計測ステップと、前記投影光学系と液体とを介して前記基板上に前記露光光を照射することによって前記基板を露光する露光ステップとを含むことを特徴としている。
この方法によれば、露光光を気体中を通過せずに受光素子に送ることができるため、投影光学系の開口数が大きくなっても、投影光学系を通過した露光光を良好に受光すること
ができる。
本発明の第3の観点による露光方法は、投影光学系と、該投影光学系の像面側に配置された基板上に供給される液体とを介して前記基板に露光光を照射する露光方法であって、上記の計測方法を用いて前記露光光を計測することと、前記露光光の計測結果に基づいて、前記露光光の照射条件を設定することと、を含む。
本発明の第3の観点によるデバイス製造方法は、上記の何れかの露光方法を用いることを特徴としている。
本発明の第4の観点によるデバイス製造方法は、基板上にマイクロデバイスを形成するデバイス製造方法であって、上記何れかの露光方法を用いて、前記基板にパターンを転写することと、前記パターンが転写された前記基板を該パターンに基づいて処理することと、を含む。
例えば、投影光学系の端面に入射する露光光束の角度(最外の光線と光軸とがなす角度)を調整(小さく)することで液体が無い状態でも投影光学系を通過した露光光を受光することができる。
また、本発明によれば、投影光学系の開口数の増大により大きな入射角を有する露光光が光透過部に入射しても光透過部を通過した露光光を確実に受光することができるという効果がある。
更に、本発明によれば、投影光学系と対向する一方面を平坦化でき、その板状部材の一方面への泡の付着や投影光学系と板状部材との間の液体の乱れ等を防止することができる。
また更に、本発明によれば、計測結果に応じて最適化した条件の下でマスクのパターンを基板上に露光転写することで、マスクに形成された微細なパターンを基板上に精確に転写することができる。この結果、高集積度のデバイスを歩留まり良く生産することができるという効果がある。
図1は、本発明の第1実施形態による露光装置の概略構成を示す図である。尚、図1に示す露光装置EXは、投影光学系PLとウェハWとの間の液体(純水)wを介して露光を行う液浸式の露光装置であって、半導体素子の回路パターンDPが形成されたレチクルRを用い、ステップ・アンド・リピート方式により、上記回路パターンDPの像をウェハWに転写する露光装置である。
り、開口絞り板8は回転軸Oの周りで回転自在に構成された円板からなり、通常照明用の円形の開口絞り8a、輪帯照明用の開口絞り8b、4極変形照明(4極照明)用の開口絞り8c、小さいコヒーレンスファクタ(小σ)用の小円形の開口絞り8d、及び露光光の照度むら又は光量等を計測する時に用いられる可変の開口絞り8eが周方向に沿って形成されている。尚、図2中に示した破線の大きな円は通常照明用の円形の開口絞り8aの大きさを表しており、開口絞り8b〜8eとの大きさの比較のため図示している。
σ=NAi/NAr
また、投影光学系PLの開口数NAは、通常ウェハW側の開口数NAwを示し、レチクル側の開口数NArは、投影光学系PLの倍率Mより、NAr=NAw/Mとして求められる。
が用いられる。投影光学系PLが備える光学素子の一部は、投影光学系PLの光軸AX方
向(Z方向)に移動可能且つX軸に平行な軸又はY軸に平行な軸の周りでチルト可能に構成されており、これらの光学素子は後述するレンズコントローラ部14によって制御される。この投影光学系PLは像面側に液体wが供給されている状態で、入射光束が像面側に結像する液浸式の投影光学系であり、開口数(N.A.)は1以上(例えば、1.03〜1.30)に設定されている。尚、本実施形態の投影光学系PLは、ジオプトリック系(屈折系)であるが、カタジオプトリック系(反射屈折系)や反射系も使用できることはいうまでもない。
コートが施されており、各々は支持部材を介して電気基板38に取り付けられる。
0は光源1に対して制御信号を出力して光源1を発光させる。光源1の発光により光源1から射出されたほぼ平行光束は、ビーム整形光学系2を介して所定断面の光束に整形され、干渉性低減部3、第1フライアイレンズ4、振動ミラー5、及びリレー光学系6を順に介して第2フライアイレンズ7に入射し、これにより第2フライアイレンズ7の射出面CJに多数の二次光源が形成される。
いて、光源1に制御信号を出力して露光光の強度や強度分布を変更し、又はレンズコントローラ部14を介して投影光学系PLの光学性能を調整するためのパラメータを変更する(ステップS16)。次に、主制御系20は、不図示のレチクルローダに制御信号を出力してレチクルステージ13上にレチクルRを保持させるとともに駆動モータ8fを駆動して第2フライアイレンズ7の射出面CJに配置する開口絞り8eを、ウェハWを露光するための開口絞り8a〜8dの何れかに変更する。例えば、輪帯照明を行う場合には、開口絞り8bを第2フライアイレンズ7の射出面CJに配置する(ステップS17)。
光の開き角を調整したとしても、投影光学系PLの像面側に液体wがある状態と液体wがない状態とでは、投影光学系PLの下面での反射率が異なる場合がある。その場合には、例えば所定の反射率を有する反射板を投影光学系PLの像面側に配置した状態で露光光を照射し、例えば特開2001−144004号公報に開示されているような反射量モニタを使って、液体wがある状態と液体wがない状態とで投影光学系PLから戻ってくる光量をそれぞれ計測する。そして、その差を補正情報として保持しておき、照度むらセンサ36や照射量モニタ37の液体w無しでの計測結果をその補正情報を用いて補正するようにすればよい。
次に、本発明の第2実施形態による露光装置について説明する。本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、第1実施形態においては、露光光センサ27は、投影光学系PLの像面側に液体wなしに計測動作(露光光の受光)を行ったが、以下の説明においては、露光光センサ27は投影光学系PLの像面側の液体wを介して計測動作を行う。また、図3に示す通り、第1実施形態で説明した露光光センサ27は照度むらセンサ36と照射量センサ37とを備えているが、以下では説明の簡単のため、主として露光光センサ27に設けられる照度むらセンサについて説明する。
42aにArFレーザ光に対するARコートが施されている。
次に、本発明の第3実施形態による露光装置について説明する。上述した第2実施形態と同様に、本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態においても主として露光光センサ27に設けられる照度むらセンサについて説明する。
に配置されるようウェハステージ15に取り付けられる。
おいては、平行平板54の底面側に遮光部55を形成して平凸レンズ52(57)を当接させる構成であるが、平凸レンズ52(57)の平坦部52a(57a)に遮光部55を
形成して平行平板54を当接させても良い。
次に、本発明の第4実施形態による露光装置について説明する。上述した第2,第3実施形態と同様に、本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態においても主として露光光センサ27に設けられる照度むらセンサについて説明する。図9は、本発明の第4実施形態による露光装置に設けられる照度むらセンサの概略構成を示す断面図である。図9に示す通り、本実施形態の露光装置に設けられる照度むらセンサ60は、平行平板61、平凸レンズ62、及び受光素子63を含んで構成される。
平板61をシャーシ30上に取り付けるのが好適である。尚、シャーシ30の上板の厚さが極めて薄い場合には、シャーシ30の下面に大きな平凸レンズを配置しても良い。この場合も、図7(a)と同様に、ピンホール31からの光を受光素子に集めることができる。
次に、本発明の第5実施形態による露光装置について説明する。上述した第2〜第4実施形態と同様に、本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態においても主として露光光センサ27に設けられる照度むらセンサについて説明する。図10は、本発明の第5実施形態による露光装置に設けられる照度むらセンサの概略構成を示す断面図である。図10に示す通り、本実施形態の露光装置に設けられる照度むらセンサ70は、平凸レンズ71及び受光素子72を含んで構成される。
次に、本発明の第6実施形態による露光装置について説明する。本実施形態の露光装置も全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態の露光装置が備える露光光センサ27は、上述した第2〜第5実施形態と同様に、投影光学系PLの像面側の液体wを介して計測動作を行うものである。但し、本実施形態においては、主として露光光センサ27に設けられる照射量センサについて説明する。
影光学系PLに入射した露光光は、投影光学系PLの先端部において最外の光線も全反射されずに投影光学系PLを通過して液体wに入射する。
次に、本発明の第7実施形態による露光装置について説明する。本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態の露光装置が備える露光光センサ27は、上述した第2〜第5実施形態と同様に、投影光学系PLの像面側の液体wを介して計測動作を行うものである。但し、本実施形態においては、主として露光光センサ27に設けられる照射量センサについて説明する。
な凹凸が形成された面86aと平坦な面86bとを有し、面86bを投影光学系PL側(+Z方向)に向けて、且つ面86bが図3に示すシャーシ30の上面33と一致するよう開口32内に設けられている。尚、拡散板86とシャーシ30との間はシール材等によって防水対策が施されている。受光素子87は、受光面87aを拡散板86に向け、且つ受光面87aのほぼ中心が拡散板86の中央部のほぼ中心の真下(−Z方向)に位置するよう配置されている。また、受光素子87は受光面87aを拡散板86に近接させた状態に配置されている。この受光素子87の受光面87aにはArFレーザ光に対するARコートが施されている。
次に、本発明の第8実施形態による露光装置について説明する。本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態の露光装置が備える露光光センサ27は、上述した第2〜第5実施形態と同様に、投影光学系PLの像面側の液体wを介して計測動作を行うものである。但し、本実施形態においては、主として露光光センサ27に設けられる照射量センサについて説明する。
素材を含有する光透過板や、有機色素を表面にコーティングした光透過板を用いることができる。この場合、受光素子は蛍光波長の感度に応じて適宜選択することができる。
次に、本発明の第9実施形態による露光装置について説明する。本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態の露光装置が備える露光光センサ27は、上述した第2〜第5実施形態と同様に、投影光学系PLの像面側の液体wを介して計測動作を行うものであって、主に露光光センサ27に設けられる照度むらセンサについて説明する。
らセンサ100は、導波部材101と受光素子102とを含んで構成される。導波部材101は、図3に示すシャーシ30に形成されたピンホール31の径よりも大きな径を有する円柱状であり、その中心軸とピンホール31の中心位置とをほぼ一致させて、ピンホール31の下方(−Z方向)に一端101aを当接させた状態で配置されている。
次に、本発明の第10実施形態による露光装置について説明する。本実施形態の露光装置の全体構成は図1に示す露光装置とほぼ同様の構成であるが、露光光センサ27の構成が相違する。尚、本実施形態の露光装置が備える露光光センサ27は、上述した第2〜第
5実施形態と同様に、投影光学系PLの像面側の液体wを介して計測動作を行うものであって、主に露光光センサ27に設けられる照度むらセンサについて説明する。
また、上記第2〜第5実施形態では、露光光を集光する集光部材として1つの平凸レンズ41,45,52,57,62,71を備える場合を例に挙げて説明し、上記第6〜第
10実施形態では露光光を受光素子に入射させるための光学系として、集光板81、拡散板86、蛍光板91、導波部材101、及び積分球111を含む構成について説明した。しかしながら、平凸レンズ41,45,52,57,62,71と受光素子との間、並びに、集光板81、拡散板86、蛍光板91、導波部材101、及び積分球111と受光素子との間に複数のレンズを設けて露光光等を受光素子に導く構成が望ましい。
ており、露光光の光源としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)を用いた場合、ウェハW上では1/n、即ち約134nmに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、即ち約1.44倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
ることもできる。F2レーザ光源を用いる場合、液浸露光用の液体としてはF2レーザ光を透過可能な例えばフッ素系オイルや過フッ化ポリエーテル(PFPE)等のフッ素系の液体を用いればよい。また、その他にも、露光光に対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLやウェハW表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。また、上述の液浸法を適用した露光装置は、投影光学系PLの終端光学部材の射出側の光路空間を液体(純水)で満たしてウェハWを露光する構成になっているが、国際公開第2004/019128号に開示されているように、投影光学系の終端光学部材の入射側の光路空間も液体(純水)で満たすようにしてもよい。この場合、投影光学系PLが1.0以上の大きな開口数を有していても、終端光学部材として無屈折力の平行平板や屈折力の非常に小さいレンズを採用することができる。
ーザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られる。この場合、単一波長発振レーザとしては例えばイットリビウム・ドープ・ファイバーレーザを用いることができる。
しかしながら、これらは、露光光の波長に応じて、フッ化マグネシウム(MgF2)等の
フッ化物結晶又はこれらの混晶、又フッ素や水素等の物質をドープした石英硝子等の真空紫外光を透過する光学材料から選択される。尚、所定の物質をドープした石英硝子は、露光光の波長が150nm程度より短くなると透過率が低下するため、波長が150nm程度以下の真空紫外光を露光光として用いる場合には、光学素子の光学材料としては、蛍石(フッ化カルシウム)、フッ化マグネシウム等のフッ化物結晶又はこれらの混晶が使用される。
レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のX線露光装置、又は電子線露光装置などでは透過型マスク(ステンシルマスク、メンブレンマスク)が用いられ、マスク基板としてはシリコンウェハなどが用いられる。なお、このような露光装置は、WO99/34255号、WO99/50712号、WO99/66370号、特開平11−194479号、特開2000−12453号、特開2000−29202号等に開示されている。
31 ピンホール(光透過部)
32 開口(光透過部)
34 NDフィルタ(光透過部)
36 照度むらセンサ(受光器)
37 照射量センサ(受光器)
40 照度むらセンサ(計測手段)
41 平凸レンズ(集光部材、光学部材)
44 光透過部
45 平凸レンズ(集光部材、光学部材)
45a平坦部
50 照度むらセンサ(計測手段)
51 開口板(板状部材)
52 平凸レンズ(集光部材、光学部材)
53 受光素子
56 光透過部
57 平凸レンズ(集光部材、光学部材)
60 照度むらセンサ(計測手段)
62 平凸レンズ(集光部材、光学部材)
70 照度むらセンサ(計測手段)
71 平凸レンズ(集光部材、光学部材)
80 照射量センサ(計測手段)
81 集光板(光学系、集光部材、光学部材)
82 受光素子
83 マイクロレンズアレイ(波面分割素子、マイクロレンズアレイ素子)
85 照射量センサ(計測手段)
86 拡散板(光学系、拡散部材、光学部材)
87 受光素子
90 照射量センサ(計測手段)
91 蛍光板(光学系、波長変換手段)
92 受光素子
100照度むらセンサ(計測手段)
101導波部材(光学系)
102受光素子
110照度むらセンサ(計測手段)
111積分球(光学系、導波部材)
112受光素子
121レンズ(光学素子)
122レンズ(光学素子)
EX 露光装置
IS 照明光学系(照明系)
PL 投影光学系
W ウェハ(基板)
w 液体
Claims (35)
- 照明系からの露光光を、投影光学系と液体とを介して基板上に照射することによって前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の像面側に配置された光透過部を介して、前記投影光学系を通過した露光光を受光する受光器を有する計測手段を備え、
前記投影光学系と前記光透過部との間に液体がない状態で、前記計測手段の受光器で前記投影光学系を通過した露光光を受光することを特徴とする露光装置。 - 前記計測手段の受光器で、前記光透過部及び前記投影光学系を通過した露光光を受光する際に、前記投影光学系の端面に入射する露光光の入射角は、該端面から投影光学系と前記光透過部との間の空間へ該露光光が出射するように調整されていることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記投影光学系に露光光を導く照明系を更に備え、前記露光光束の角度調整は、前記照明系内の、前記投影光学系の瞳面と共役な面内における前記露光光の光束分布を調整することによって行われることを特徴とする請求項2記載の露光装置。
- 前記露光光束の角度調整は、前記照明系のコヒーレンスファクタσを調整することによって行われることを特徴とする請求項2又は請求項3記載の露光装置。
- 前記投影光学系の開口数NAは1以上であって、前記照明系のコヒーレンスファクタσは0.05〜0.50であることを特徴とする請求項4記載の露光装置。
- 前記計測手段は、前記光透過部からの光を受光器に入射させるための光学部材を有し、
前記光学部材は、前記光透過部からの光が気体中を通過しないように前記光透過部の近傍に配置されている
ことを特徴とする請求項1から請求項5の何れか一項に記載の露光装置。 - 前記計測手段は、板状部材を有し、
前記板状部材の一方面が前記投影光学系に対向するように配置され、他方面の一部に前記光透過部が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項6の何れか一項に記載の露光装置。 - 照明系からの露光光を、投影光学系を介して基板上に照射することによって前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の像面側に配置され、前記投影光学系からの露光光が入射する光透過部と、該光透過部からの光を受光器に入射させるための集光部材とを有する計測手段を備え、
前記投影光学系からの露光光が気体中を通過せずに前記集光部材に入射するように、前記集光部材は、前記光透過部と前記受光器との間に配置されていることを特徴とする露光装置。 - 前記投影光学系を通過した露光光は、液体を介して、前記計測手段の光透過部に入射することを特徴とする請求項8記載の露光装置。
- 前記集光部材は、前記投影光学系に対向する平坦部を有し、
前記光透過部は、前記平坦部に形成されていることを特徴とする請求項8又は請求項9記載の露光装置。 - 前記計測手段は、前記光透過部を有する板状部材を有し、前記集光部材は前記板状部材に密接していることを特徴とする請求項8又は請求項9記載の露光装置。
- 前記板状部材は、一方面が前記投影光学系に対向するように配置され、他方面の一部に前記光透過部が形成され、さらにその他方面に前記集光部材が密接していることを特徴とする請求項11記載の露光装置。
- 投影光学系と液体とを介して露光光を基板上に照射することによって前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系に対向するように一方面が配置され、他方面の一部に光透過部が形成された板状部材と、前記光透過部からの光を受光する受光器とを有する計測手段を備え、
前記計測手段の受光器による露光光の受光は、前記投影光学系と前記板状部材との間の液体を介して行われることを特徴とする露光装置。 - 照明系からの露光光を、投影光学系と液体とを介して基板上に照射することによって前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の像面側に配置され、前記投影光学系からの露光光が液体を介して入射する光透過部と、該光透過部からの光を受光器に入射させるための光学系とを有する計測手段を備え、
前記光透過部からの光が気体中を通過せずに前記光学系に入射するように、前記光学系は、前記光透過部と前記受光器との間に配置されていることを特徴とする露光装置。 - 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光を集光して前記受光器に入射させる集光部材を含むことを特徴とする請求項14記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光を波面分割して各々を集光することにより前記受光器に入射させる波面分割素子を含むことを特徴とする請求項15記載の露光装置。
- 前記集光部材は、マイクロレンズアレイ素子を含むことを特徴とする請求項15又は請求項16記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光を屈折作用を利用して前記受光器に入射させることを特徴とする請求項14から請求項17の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光を拡散させて前記受光器に入射させる拡散部材を含むことを特徴とする請求項14記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光を導波して前記受光器に入射させる導波部材を含むことを特徴とする請求項14記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光を反射作用を利用して前記受光器に入射させることを特徴とする請求項14記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、オプティカルインテグレータを含むことを特徴とする請求項21記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光を回折作用により前記受光器に入射させる回折素子を含むことを特徴とする請求項14記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部から入射した光の射出面に所定の光学加工が施された光学部材を含むことを特徴とする請求項14から請求項23の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、前記光透過部からの光の波長を変換した上で、前記受光器に入射させる波長変換部材を含むことを特徴とする請求項14記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、蛍光部材を含むことを特徴とする請求項14又は請求項25記載の露光装置。
- 前記計測手段の光学系は、複数の光学素子を含み、
その複数の光学素子のうち前記光透過部に最も近い光学素子が前記光透過部に近接して配置されていることを特徴とする請求項14から請求項26の何れか一項に記載の露光装置。 - 前記投影光学系の開口数NAは1以上であることを特徴とする請求項14から請求項27の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記投影光学系の像面側で移動可能なステージを更に備え、
前記光透過部は、前記ステージに配置されていることを特徴とする請求項8から請求項28の何れか一項に記載の露光装置。 - 前記ステージは、前記基板を保持可能であることを特徴とする請求項29記載の露光装置。
- 前記投影光学系と前記光透過部との間を液体で満たすための液体供給機構を更に備えることを特徴とする請求項8から請求項30の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記液体供給機構は、前記基板を露光するために前記投影光学系と前記基板との間を液体で満たすことを特徴とする請求項31記載の露光装置。
- 請求項1から請求項32の何れか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 露光光を投影光学系と液体とを介して基板上に照射することによって前記基板を露光する露光方法であって、
前記投影光学系の光射出端の側に、前記露光光を計測する計測装置を設置する設置ステップと、
前記投影光学系の光射出端側の光路空間に前記液体を介在させずに前記計測装置で前記露光光を計測する計測ステップと、
前記計測ステップの計測結果に基づいて、前記投影光学系の光射出端側の光路空間に前記液体を介在させて前記基板を露光する露光ステップとを含み、
前記投影光学系の光射出端と前記光路空間との界面に入射する前記露光光の入射角が、前記計測ステップと前記露光ステップとで異なることを特徴とする露光方法。 - 露光光を投影光学系を介して基板上に照射することによって前記基板を露光する露光方法であって、
前記投影光学系から射出された前記露光光を気体を通過させずに受光器で受光する計測ステップと、
前記投影光学系と液体とを介して前記基板上に前記露光光を照射することによって前記
基板を露光する露光ステップと
を含むことを特徴とする露光方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003338420 | 2003-09-29 | ||
JP2003338420 | 2003-09-29 | ||
JP2004042931 | 2004-02-19 | ||
JP2004042931 | 2004-02-19 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015139526A Division JP6341892B2 (ja) | 2003-09-29 | 2015-07-13 | 露光装置、計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017176600A Division JP6477814B2 (ja) | 2003-09-29 | 2017-09-14 | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016189029A true JP2016189029A (ja) | 2016-11-04 |
JP6361702B2 JP6361702B2 (ja) | 2018-07-25 |
Family
ID=42259745
Family Applications (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010000173A Expired - Fee Related JP5136566B2 (ja) | 2003-09-29 | 2010-01-04 | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
JP2011007813A Expired - Fee Related JP5360078B2 (ja) | 2003-09-29 | 2011-01-18 | 露光装置、計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012083222A Expired - Fee Related JP5790572B2 (ja) | 2003-09-29 | 2012-03-30 | 露光装置、計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013247837A Active JP5725137B2 (ja) | 2003-09-29 | 2013-11-29 | 露光装置、計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014199486A Expired - Fee Related JP6256281B2 (ja) | 2003-09-29 | 2014-09-29 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2015139526A Expired - Fee Related JP6341892B2 (ja) | 2003-09-29 | 2015-07-13 | 露光装置、計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2016145825A Expired - Fee Related JP6361702B2 (ja) | 2003-09-29 | 2016-07-25 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2017176600A Expired - Fee Related JP6477814B2 (ja) | 2003-09-29 | 2017-09-14 | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2018238833A Withdrawn JP2019070825A (ja) | 2003-09-29 | 2018-12-20 | 露光装置 |
Family Applications Before (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010000173A Expired - Fee Related JP5136566B2 (ja) | 2003-09-29 | 2010-01-04 | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
JP2011007813A Expired - Fee Related JP5360078B2 (ja) | 2003-09-29 | 2011-01-18 | 露光装置、計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012083222A Expired - Fee Related JP5790572B2 (ja) | 2003-09-29 | 2012-03-30 | 露光装置、計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013247837A Active JP5725137B2 (ja) | 2003-09-29 | 2013-11-29 | 露光装置、計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014199486A Expired - Fee Related JP6256281B2 (ja) | 2003-09-29 | 2014-09-29 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2015139526A Expired - Fee Related JP6341892B2 (ja) | 2003-09-29 | 2015-07-13 | 露光装置、計測方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017176600A Expired - Fee Related JP6477814B2 (ja) | 2003-09-29 | 2017-09-14 | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2018238833A Withdrawn JP2019070825A (ja) | 2003-09-29 | 2018-12-20 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (9) | JP5136566B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5136566B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2013-02-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
US8013977B2 (en) * | 2006-07-17 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, radiation sensor and method of manufacturing a radiation sensor |
KR101567702B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2015-11-10 | 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 | 듀얼 애퍼처 필터 및 그 제작 방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD221563A1 (de) * | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
JPH06168866A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH08316133A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-11-29 | Nikon Corp | 露光装置 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
WO2001008205A1 (fr) * | 1999-07-23 | 2001-02-01 | Nikon Corporation | Procede d'exposition, systeme d'exposition, source lumineuse, procede et dispositif de fabrication |
WO2003065427A1 (fr) * | 2002-01-29 | 2003-08-07 | Nikon Corporation | Dispositif et procede d'exposition |
JP2004284218A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Japan Steel Works Ltd:The | トグル式型締装置 |
JP2005079587A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2928277B2 (ja) * | 1989-08-03 | 1999-08-03 | 株式会社日立製作所 | 投影露光方法及びその装置 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH09205053A (ja) * | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Canon Inc | センサ制御装置及びそれを用いた走査型露光装置 |
JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP2000058436A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2004301825A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
DE10261775A1 (de) * | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
US6867846B2 (en) * | 2003-01-15 | 2005-03-15 | Asml Holding Nv | Tailored reflecting diffractor for EUV lithographic system aberration measurement |
EP2466382B1 (en) * | 2003-07-08 | 2014-11-26 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
EP1500982A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005093948A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Nikon Corp | 露光装置及びその調整方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP5136566B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2013-02-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
JP4466300B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2010-05-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法、計測装置 |
JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
-
2010
- 2010-01-04 JP JP2010000173A patent/JP5136566B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-01-18 JP JP2011007813A patent/JP5360078B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012083222A patent/JP5790572B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-11-29 JP JP2013247837A patent/JP5725137B2/ja active Active
-
2014
- 2014-09-29 JP JP2014199486A patent/JP6256281B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-07-13 JP JP2015139526A patent/JP6341892B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-07-25 JP JP2016145825A patent/JP6361702B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-09-14 JP JP2017176600A patent/JP6477814B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-12-20 JP JP2018238833A patent/JP2019070825A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD221563A1 (de) * | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
JPH06168866A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH08316133A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-11-29 | Nikon Corp | 露光装置 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
WO2001008205A1 (fr) * | 1999-07-23 | 2001-02-01 | Nikon Corporation | Procede d'exposition, systeme d'exposition, source lumineuse, procede et dispositif de fabrication |
WO2003065427A1 (fr) * | 2002-01-29 | 2003-08-07 | Nikon Corporation | Dispositif et procede d'exposition |
JP2004284218A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Japan Steel Works Ltd:The | トグル式型締装置 |
JP2005079587A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017215621A (ja) | 2017-12-07 |
JP2014060444A (ja) | 2014-04-03 |
JP5360078B2 (ja) | 2013-12-04 |
JP6477814B2 (ja) | 2019-03-06 |
JP2012134560A (ja) | 2012-07-12 |
JP6341892B2 (ja) | 2018-06-13 |
JP6256281B2 (ja) | 2018-01-10 |
JP2019070825A (ja) | 2019-05-09 |
JP5136566B2 (ja) | 2013-02-06 |
JP2010098328A (ja) | 2010-04-30 |
JP2016001314A (ja) | 2016-01-07 |
JP5725137B2 (ja) | 2015-05-27 |
JP2011086957A (ja) | 2011-04-28 |
JP5790572B2 (ja) | 2015-10-07 |
JP2015008333A (ja) | 2015-01-15 |
JP6361702B2 (ja) | 2018-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10025194B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device | |
JP4466300B2 (ja) | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法、計測装置 | |
JP6477814B2 (ja) | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160823 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170516 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170718 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170914 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20180112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180116 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180115 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180124 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180517 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180529 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6361702 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |