JP2016186954A - 圧電素子および圧力センサ - Google Patents

圧電素子および圧力センサ Download PDF

Info

Publication number
JP2016186954A
JP2016186954A JP2015065629A JP2015065629A JP2016186954A JP 2016186954 A JP2016186954 A JP 2016186954A JP 2015065629 A JP2015065629 A JP 2015065629A JP 2015065629 A JP2015065629 A JP 2015065629A JP 2016186954 A JP2016186954 A JP 2016186954A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric element
piezoelectric
axis
pressure sensor
coordinate system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015065629A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6448436B2 (ja
Inventor
陽一 野々垣
Yoichi Nonogaki
陽一 野々垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Citizen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Holdings Co Ltd filed Critical Citizen Holdings Co Ltd
Priority to JP2015065629A priority Critical patent/JP6448436B2/ja
Publication of JP2016186954A publication Critical patent/JP2016186954A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6448436B2 publication Critical patent/JP6448436B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

【課題】−42m対称性を持つ圧電性結晶材料において、応力作用面より電荷の取り出しを可能とする圧電素子ならびにそれを用いたセンサを提供する。
【解決手段】結晶軸座標系O−xyzに関し、圧電テンソルが数式1となる圧電材料において、オイラー角(φ、θ、ψ)により回転した座標系(O−x´y´z´)におけるz´軸を法線とする表面を有する圧電素子。
Figure 2016186954

ここで、φ=45°±20°、θ=54.7°±15°、ψ=任意である。
【選択図】図2

Description

本発明は、圧電素子および圧力センサに関する。
特許文献1には、圧電素子の材料としてゲーレン石(CaAlSiO)を用いることが開示されている。同材料は、室温から800℃以上の高温環境まで、圧電定数の温度安定性に優れ、かつ、原材料となる資源が豊富であることが示されている。
上記文献では、ゲーレン石(ゲーレナイト)を(XYt)45°カットした圧電素子を用い、圧電素子の応力作用面と直交し、互いに対向する面に設けられた少なくとも一対の電極により、発生した電荷を検出している。
特開2014−011327号公報
ゲーレナイトを含むメリライトなどの、−42m対称性を持つ結晶を、特許文献1に開示されているように(XYt)45°カットすると、応力作用面と直交する面より電荷を取り出さざるを得ない。なお、上記「−42m」について説明すると、結晶学上では負の指数は数字の上にバー「−」で表記することになっているが、本明細書中では数字の前に負の符号をつけることで、負の指数を表記する。そのため、素子の側面電極にリード線を取り付けるなど、素子の形成に困難を要し、さらに、当該素子を利用したセンサの構造も複雑になりがちである。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は−42m対称性を持つ圧電性結晶材料において、応力作用面より電荷の取り出しを可能とする圧電素子ならびにそれを用いたセンサを提供することである。
上記課題を解決すべく本出願において開示される発明は種々の側面を有しており、それら側面の代表的なものの概要は以下のとおりである。
(1)結晶軸座標系O−xyzに関し、圧電テンソル{diJ}が
Figure 2016186954
となる圧電材料において、オイラー角(φ、θ、ψ)により回転した座標系O−x´y´z´におけるz´軸を法線とする表面を有する圧電素子。
ここで、
(φ=45°±20°、θ=54.7°±15°、ψ=任意)
である。
(2)(1)に記載の圧電素子であって、前記圧電材料がメリライトであることを特徴とする圧電素子。
(3)(2)に記載の圧電素子であって、前記圧電材料がゲーレナイトまたはゲーレナイトのうちの原子の一部を他の原子に置換した材料であることを特徴とする圧電素子。
(4)(1)〜(3)のいずれかに記載の圧電素子であって、x´軸およびy´軸方向の寸法よりz´軸方向の寸法が小さいことを特徴とする圧電素子。
(5)(1)〜(4)のいずれかに記載の圧電素子であって、前記圧電素子の平面形状が円形であることを特徴とする圧電素子。
(6)(1)〜(5)のいずれかに記載の圧電素子において、前記圧電テンソル{diJ}を前記オイラー角(φ、θ、ψ)により回転した、座標系O−x´y´z´における圧電テンソル{d´iJ
Figure 2016186954
について、
Figure 2016186954
のときのd´33の絶対値を|d´33max|とおいた場合に、
前記φ及び前記θの値は、
Figure 2016186954
となるように選択される圧電素子。
(7)(1)〜(6)のいずれかに記載の圧電素子を、軸応力の作用方向が前記z´軸の方向となるように配置し、かつ、一対の前記表面のそれぞれに接触する電極を有する圧力センサ。
(8)(7)に記載の圧力センサであって、前記電極の一方は固定面に設けられ、前記電極の他方はダイアフラム面に設けられる、ことを特徴とする圧力センサ。
上記(1)の側面によれば、圧力の作用する面を電荷取り出し面とする圧電素子が得られる。
上記(2)または(3)の側面によれば、更に高圧耐性の高い圧電素子が得られる。
上記(4)の側面によれば、材料コストが低く、割れにくい圧電素子が得られる。
上記(5)の側面によれば、略円形のセンサヘッドに設ける際に、取り出せる電荷量の多い圧電素子が得られる。
上記(6)の側面によれば、感度の高い圧電素子が得られる。
上記(7)及び(8)の側面によれば、簡略な構造の圧力センサが得られる。
本発明の実施形態に係る圧電素子を示す概略斜視図である。 本発明の実施形態に係る圧電素子のカット角を説明する図である。 圧電素子のφ及びθに対する|d´33|の値を示す図である。 本発明の実施形態に係る圧電素子の変形例を示す概略斜視図である。 本発明の実施形態に係る圧力センサを示す概略断面図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図1は、本発明の実施形態に係る圧電素子1を示す概略斜視図である。圧電素子1は、圧電材料により形成される圧電体10を有している。なお、本実施形態では、図1に示した方向にx´y´z´で示す直交座標軸をとるものとする。なお、ここで示したO−x´y´z´座標系は、圧電素子1の説明のため便宜上設定したものであり、その各軸は、圧電体10についての結晶軸(いわゆるabc軸)とは必ずしも一致しない。また、x´軸、y´軸、z´軸の各軸を法線とする表面をそれぞれx´面、y´面、z´面とする。
本実施形態における圧電体10は直方体であり、例えばチョクラルスキー法により作成した単結晶インゴットを、所望の結晶方位が得られる角度でカットすることにより得られる。
本実施形態における圧電素子1の圧電体10を構成する圧電材料は−42m対称性を有する。−42m対称性を有する材料は、結晶軸a、b、cをそれぞれx、y、z軸とする直交座標系である、結晶軸座標系O−xyzを考えると、圧電体10の圧電テンソル{diJ}は次の形で表される。
Figure 2016186954
この圧電体10をカットする面を定めるにあたり、オイラー角(φ、θ、ψ)により、結晶軸座標系O−xyzを回転させることを考える。
図2は、本発明の実施形態に係る圧電素子のカット角を説明する図である。同図には回転前の結晶軸座標系O−xyzと、回転後の結晶軸座標系O−x´y´z´との関係が示されている。図示の通り、ここで用いるオイラー角(φ、θ、ψ)は一般的なz−x−z系のものである。
ここで、結晶軸座標系O−xyzについての圧電テンソル{diJ}をオイラー角(φ、θ、ψ)により回転させた、座標系O−x´y´z´についての圧電テンソル{d´iJ}は、以下に示す数式2により求められる。
Figure 2016186954
ここで、圧電素子1に生じる電荷を考える。図1に示すとおり、x´面、y´面、z´面に作用する垂直応力をそれぞれT、T、Tとおき、y´面に対するz´方向のせん断応力をTとし、z´面に対するx´方向のせん断応力をTとし、x´面に対するy´方向のせん断応力をTとおくとともに、x´面、y´面、z´面に生じる電荷をそれぞれD、D、Dとすると、電荷D、D、Dは次の数式5により求められる。
Figure 2016186954
ここで、圧電素子1はz´軸を法線とする一対の表面10a、10bを有するようにカットされ、当該表面10a、10bに垂直応力Tが作用するものと仮定すると、電荷D、D、Dは次の数式6により求められる。
Figure 2016186954
この数式6から、応力作用面である表面10a、10bに現れる電荷Dは、次の数式7で示される。
Figure 2016186954
このことはすなわち、d´33が0でないような適切なオイラー角(φ、θ、ψ)を選べば、表面10a、10bに対する垂直応力Tに対して、当該表面10a、10b上で電荷Dが取り出されることを意味している。
すなわち、圧電素子1として、z´軸を法線とする表面10a、10bが圧力の印加される面となるようにカットされたものを用いることで、かかる表面10a、10b、すなわち、圧力が印加される面より電荷を取り出せるものが得られるのである。
なお、圧電素子1の表面10a、10bのそれぞれに、より確実に電荷を取り出せるよう、導電性の膜を設けてもよい。かかる膜の材質は、耐熱性に優れるものが望ましく、白金やインコネルを用いてもよい。
そこでさらに、数式7を詳細に検討すると、圧電テンソル{d´iJ}は、圧電テンソル{diJ}をオイラー角(φ、θ、ψ)により回転させたものであるから、{d´iJ}中の要素d´33は、圧電テンソル{diJ}の要素を用いて、次の数式8で示される。
Figure 2016186954
さらに、数式7は、次の数式9のように書き換えられる。
Figure 2016186954
ここで、数式7より、係数d´33の絶対値(|d´33|)が大きいほど、同じ垂直応力Tに対して取り出せる電荷Dの絶対値は大きくなり、より感度の高い圧電素子1が得られることがわかる。
図3は、圧電素子1のφ、及びθに対する|d´33|の値を示す図である。|d´33|の値は、数式8より明らかなように、φ及びθのそれぞれに対し90°毎に対称性を示すため、同図では第1象限のみを示す。
数式8より、|d´33|は、φ=45°、θ≒54.7°において最大の絶対値|d´33max|を示す。同図には、|d´33max|の位置を×印で示すとともに、|d´33max|に対する|d´33|の値の比を等値線により示した。
圧電素子1として感度が高く実用的な範囲は、d´33の絶対値(|d´33|)がd´33maxの絶対値(|d´33max|)の80%以上の範囲で良く、この条件は、次の数式4で示される。
Figure 2016186954
図3においては、|d´33max|の80%の値となる|d´33|を結んだ線を等値線C1で示し、|d´33max|の60%の値となる線をC2、40%の値となる線をC3、20%の値となる線をC4とする。なお、|d´33|が|d´33max|の80%以上となる範囲、すなわち、等値線C1の内側の領域となるφとθの値を、判りやすく大まかに表現するならば、同図より、以下の数式10で示すことができる。
Figure 2016186954
また、数式8より、d´33の値はψに依存しない。したがって、ψの値は任意で良いことがわかる。
本実施形態の圧電素子1の材料としては、−42m対称性を持つ結晶構造を有する結晶を用いることができ、このような結晶としてはメリライトを挙げることができる。
メリライトとして、特にゲーレナイト(CaAl(AlSi)O)を用いた場合には、高温、高圧に対する高い耐性を有する圧電素子が得られる。
さらに、圧電体10を構成する圧電材料は、ゲーレナイトのうちの原子の一部を他の原子に置換した材料であってもよい。当該「ゲーレナイトのうちの原子」としては、例えば、Ca、Al、Si等があげられる。このうち、Ca原子が置換される他の原子としては例えばSr、Ba、Eu,Dy,Sm及びMnなど、原子価が二価でかつ8配位をとるものが挙げられる。ゲーレナイトのCa原子の一部が他の原子に置換されることによりゲーレナイトの(001)面のへき開強度が高まるため、圧電素子1の高圧耐性が増大する。
また、特筆すべき点として、圧電素子1の材料としてゲーレナイトを選択した場合のd´33maxの絶対値(|d´33max|)は、ゲーレナイトを(XYt)45°カットした時の応力作用面と直交する面に現れる電荷の応力に対する係数であるd14/2の絶対値(|d14/2|)より大きくなる。これを式で示すと、次の数式11で示される。
Figure 2016186954
このことから、ゲーレナイトを用いた本実施形態に係る圧電素子1は、前述の特許文献1に記載された圧電素子よりも感度の高いものが得られるということになる。
ここで、圧電素子1において、圧力を検出するのに十分な電荷を得るためには、圧電素子1の表面から電荷を取り出す電極の面積を一定程度以上確保する必要がある。
この点、本実施形態における圧電素子1は、垂直応力Tの作用する面に電極を配置することができるため、z´軸方向の寸法(z´軸方向の幅L)をx´軸およびy´軸方向の寸法(x´軸方向の幅L、y´軸方向の幅L)よりも小さくすることができ、薄板形状を採ることが可能である。例えば、具体的寸法として、L=L=5mm、L=1mmとしてよい。
このように、垂直応力Tの作用する方向であるz´軸方向の寸法をx´軸およびy´軸方向の寸法よりも小さくすることにより、z´軸方向の軸応力により生じる45°方向のせん断応力が作用する面が小さくなり、へき開による破損が生じにくくなるため、高圧耐性が向上する。
また、圧電素子1により取り出せる電荷の量は、電荷取り出し面の面積に比例するところ、本実施形態に係る圧電素子1は、軸応力の作用方向であるz´軸を法線とする表面10a、10bにより電荷を取り出せるため、z´軸方向の寸法Lを小さくしても、取り出せる電荷の量に変化はない。すなわち、圧電素子1を薄板形状とすることで、性能を変えることなく使用する材料の量を削減でき、材料コストを低減できるのである。
さらに、本発明の圧電素子は、垂直応力の作用する面に電極を配置することができるため、その他の面を所定の方向でカットする必要がなく、その平面形状を任意のものとすることができる。そこで以下、円形の圧電素子を変形例として説明する。なお、上述の実施形態と同様の構成についてはその詳細な説明を省略する。
図4は、本発明の実施形態の変形例に係る圧電素子101を示す概略斜視図である。圧電素子101の平面形状は円形であり、圧電体110もまた、その平面形状は円形である。
ここで、圧電体110の円形の表面110a、110bは、z´軸を法線とする面(z´面)であり、先の実施形態における表面10a、10bに相当する面である。表面110a、110bは円形の平面視形状を有している。ここで、「平面視形状」とは、表面110aの法線に沿って表面110aを見た形状である。
D´はz´面(表面110a、110b)に対する垂直応力T´が加えられたときにz´面(表面110a、110b)上に発生する電荷であり、先の実施形態における電荷Dに相当する。
変形例に係る圧電素子101においても、先の実施形態と同様に、より確実に電荷を取り出せるよう、表面110aと、表面110bとに導電性の膜を設けることができる。かかる膜の材質についても先の実施形態同様、耐熱性に優れる白金やインコネル等を用いて良い。
このように、本変形例では圧電素子101の平面視形状を円形とすることができるため、圧電素子1を配置しようとするスペースの平面視形状が円形である場合に、当該スペースを最大限有効に活用することにより、無駄がなく、検出精度の高いものとすることができる。
次いで、本実施形態にかかる圧電素子1を用いた圧力センサの例を、図5を参照して説明する。図5は、本発明の実施形態に係る圧力センサ100を示す概略断面図である。圧力センサ100は、圧力センサ100に作用する圧力Pが、圧電素子1のz´軸方向に作用する軸応力となるように配置した例である。圧力センサ100は、図示したように、ハウジング201の先端に、圧電素子1を収容した構造を有している。
ハウジング201は全体として中空筒状の形状を有しており、図中上側(z´軸方向)の先端部分に圧電素子1を収容する収容空間202と、収容空間202を構成するダイアフラム204と、支持体206と、固定部223と、を有している。
セラミック等の絶縁材料からなる筒状の支持体206の両端は、ダイアフラム204と固定部223に封鎖され、その内部に収容空間202を形成している。ダイアフラム204は金属等の導電材料からなり、その端部とハウジング201は、支持体206の表面に部分的に設けられた導電膜208を介して電気的に接続している。一方、固定部223は支持体206によりハウジング201と絶縁され、その収容空間202と反対側の面にはリード線221が接続されている。圧電素子1に生じた電荷は、ハウジング201とリード線221間の電位差として外部の機器により検知される。
ハウジング201の側面には雄ネジ203が設けられており、圧力を測定したい空間の側面に設けた雌ネジ穴に気密に取り付け可能となっている。このため、圧力センサ100に作用し、測定対象となる圧力Pは、ダイアフラム204の面を通じ、圧電素子1の表面10aに垂直に作用する。
一方、圧電素子1の他の面はハウジング201に囲まれており、測定対象となる圧力Pは作用しない。このため、圧電素子1には、図示するように圧縮応力である垂直応力Tが、圧力Pの作用する方向に作用することとなる。
ダイアフラム204は弾性を有する薄膜であり、圧力Pにより変形して圧電素子1の先端側の表面10aに電気的に接触するとともに押圧し、圧力Pをz´軸の方向に作用させる。固定部223は圧力Pの作用した圧電素子1の反対側の面10bと電気的に接触するとともに圧電素子1を支持する部分であり、その上面である固定面223aには圧電素子1が配置される。
ダイアフラム204の収容空間202側の接触面204aと、接触面204aの対面にある固定部223の固定面223aは、圧電素子1の一対の表面10a、10bのそれぞれに接触し、当該表面より生じた電気を取り出す電極として作用する。
これにより、圧電素子1に生じた電荷Dは、ハウジング201とリード線221を通じて取り出すことができ、例えば、ハウジング201を接地した場合のリード線221の電圧として、それを外部の機器により検出することができる。
圧力センサ100を構成する部材の材料は特に限定されないが、高温環境下の使用を考慮すると、高温耐性を有するものが良い。具体的には、1000℃以上の耐熱性を有する材料が望ましく、例えば、導電性を要するダイアフラム204、固定部223、ハウジング201、導電膜208、及びリード線221等の部材は、白金やインコネル等のニッケル含有合金であってよく、絶縁性を要する支持体206は適宜のセラミック製としてよい。
また、本実施形態における圧力センサ100は、圧電素子1を圧力センサ用圧電素子として用いることにより、圧電体10の側面に別途電極を設ける必要がなく、かかる電極から電荷を取り出すための特別の構造が不要で、固定面223aとダイアフラム204の接触面204aを電極として使用することができる。このため圧力センサの構成を簡略化し、製造コストを低減することができるとともに、その耐久性にも優れている。
また、本実施形態における圧力センサ100は、圧電素子1を圧力センサ用の圧電素子として用いることにより、高温の環境下で使用することができる。また、z´軸方向の寸法がx´軸およびy´軸方向の寸法よりも小さい圧電体10を圧電素子1として用いることで、従来の圧力センサと比べ、高圧耐性が高く、コンパクトである。
なお、ここで示した圧力センサ100の構造は一例であり、圧電素子1の表面10a、10bより電荷を取り出し得る構造であれば、いかなる構造を採用しても差し支えない。
以上説明した実施形態に示した具体的な構成は例示として示したものであり、本明細書にて開示される発明をこれら具体例の構成そのものに限定するものではない。当業者はこれら開示された実施形態に種々の変形、例えば、各部材あるいはその部分の形状や数、配置等を適宜変更したり、例示された実施形態を互いに組み合わせたりしてもよい。本明細書にて開示される発明の技術的範囲は、そのようになされた変形をも含むものと理解すべきである。
1、101 圧電素子、10、110 圧電体、10a、10b、110a、110b 表面、100 圧力センサ、201 ハウジング、202 収容空間、203 雄ネジ、204 ダイアフラム、204a 接触面、206 支持体、221 リード線、223 固定部、223a 固定面、D、D、D、D´ 電荷、T、T、T、T´ 垂直応力、P 圧力。

Claims (8)

  1. 結晶軸座標系O−xyzに関し、圧電テンソル{diJ}が
    Figure 2016186954
    となる圧電材料において、
    オイラー角(φ、θ、ψ)により回転した座標系O−x´y´z´におけるz´軸を法線とする表面を有する圧電素子。
    ここで、
    (φ=45°±20°、θ=54.7°±15°、ψ=任意)
    である。
  2. 請求項1に記載の圧電素子であって、
    前記圧電材料がメリライトであることを特徴とする圧電素子。
  3. 請求項2に記載の圧電素子であって、
    前記圧電材料がゲーレナイトまたはゲーレナイトのうちの原子の一部を他の原子に置換した材料であることを特徴とする圧電素子。
  4. 請求項1乃至3のいずれかに記載の圧電素子であって、
    x´軸およびy´軸方向の寸法よりz´軸方向の寸法が小さいことを特徴とする圧電素子。
  5. 請求項1乃至4のいずれかに記載の圧電素子であって、
    前記圧電素子の形状が円形であることを特徴とする圧電素子。
  6. 請求項1乃至5のいずれかに記載の圧電素子であって、前記圧電テンソル{diJ}を前記オイラー角(φ、θ、ψ)により回転した、座標系O−x´y´z´における圧電テンソル{d´iJ
    Figure 2016186954
    について、
    Figure 2016186954
    のときのd´33の絶対値を|d´33max|とおいた場合に、
    前記φ及び前記θの値は、
    Figure 2016186954
    となるように選択される圧電素子。
  7. 請求項1乃至6のいずれかに記載の圧電素子を、軸応力の作用方向が前記z´軸の方向となるように配置し、かつ、一対の前記表面のそれぞれに接触する電極を有する圧力センサ。
  8. 請求項7に記載の圧力センサであって、前記電極の一方は固定面に設けられ、前記電極の他方はダイアフラム面に設けられる、ことを特徴とする圧力センサ。
JP2015065629A 2015-03-27 2015-03-27 圧電素子および圧力センサ Active JP6448436B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015065629A JP6448436B2 (ja) 2015-03-27 2015-03-27 圧電素子および圧力センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015065629A JP6448436B2 (ja) 2015-03-27 2015-03-27 圧電素子および圧力センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016186954A true JP2016186954A (ja) 2016-10-27
JP6448436B2 JP6448436B2 (ja) 2019-01-09

Family

ID=57203374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015065629A Active JP6448436B2 (ja) 2015-03-27 2015-03-27 圧電素子および圧力センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6448436B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110501104A (zh) * 2019-09-10 2019-11-26 宁波智能制造技术研究院有限公司 一种全方位压力测试平台
CN111337870A (zh) * 2020-04-17 2020-06-26 中国人民解放军海军装备部驻沈阳地区军事代表局驻大连地区第一军事代表室 一种基于欧拉公式的三轴电场修正方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0025523A2 (de) * 1979-09-14 1981-03-25 Kistler Instrumente AG Piezoelektrische Messwandler
JPH01160069A (ja) * 1987-12-16 1989-06-22 Fujitsu Ltd 圧電素子
WO2007010909A1 (ja) * 2005-07-19 2007-01-25 Mikuni Corporation 圧力センサ素子及び圧力センサ
JP2007052005A (ja) * 2005-07-19 2007-03-01 Mikuni Corp 圧力センサ素子及び圧力センサ
JP2014011327A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Tokyo Institute Of Technology 圧電材料、圧電部材、圧電素子及び圧力センサ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0025523A2 (de) * 1979-09-14 1981-03-25 Kistler Instrumente AG Piezoelektrische Messwandler
US4341974A (en) * 1979-09-14 1982-07-27 Kistler Instrumente Ag Piezoelectric crystal element for use in force, pressure and acceleration transducers
JPH01160069A (ja) * 1987-12-16 1989-06-22 Fujitsu Ltd 圧電素子
WO2007010909A1 (ja) * 2005-07-19 2007-01-25 Mikuni Corporation 圧力センサ素子及び圧力センサ
JP2007052005A (ja) * 2005-07-19 2007-03-01 Mikuni Corp 圧力センサ素子及び圧力センサ
JP2014011327A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Tokyo Institute Of Technology 圧電材料、圧電部材、圧電素子及び圧力センサ

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHUANYING SHEN: "Dielectric,Elastic and Piezoelectric Properties of Melilite-type SrGdGa3O7 Single Crystals at Elevat", IEEE XPLORE DIGITAL LIBRARY, vol. p.1-4, JPN7018002707, 12 May 2014 (2014-05-12), US *
MANABU HAGIWARA: "Growth and Characterization of Ca2Al2SiO7 Piezoelectric Single Crystals for High-Temperature Sensor", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. Vo.52, No.9, JPN7018002708, 25 September 2013 (2013-09-25), US, pages p.09KD03-1-09KD03-5 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110501104A (zh) * 2019-09-10 2019-11-26 宁波智能制造技术研究院有限公司 一种全方位压力测试平台
CN111337870A (zh) * 2020-04-17 2020-06-26 中国人民解放军海军装备部驻沈阳地区军事代表局驻大连地区第一军事代表室 一种基于欧拉公式的三轴电场修正方法
CN111337870B (zh) * 2020-04-17 2021-07-06 中国人民解放军海军装备部驻沈阳地区军事代表局驻大连地区第一军事代表室 一种基于欧拉公式的三轴电场修正方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6448436B2 (ja) 2019-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8287294B2 (en) Connector
JP5838408B2 (ja) 静電容量式液面センサー
TW201243303A (en) Pressure sensor device
CN203101420U (zh) 一种超高温压电式加速度传感器
CN104155051A (zh) 一种宽量程石墨烯高温压力传感器
JP6448436B2 (ja) 圧電素子および圧力センサ
CN107532950B (zh) 接触力测试装置,这种接触力测试装置的应用以及用于制造这种接触力测试装置的方法
JP5087707B2 (ja) ガスセンサ、ガスセンサのコンタクト部材、およびガスセンサのコンタクト部材用のセンサ素子保持部材
JP2012127793A (ja) 半導体圧力センサ
EP2873958A1 (en) Capacitive pressure sensors for high temperature applications
CN107548451B (zh) 接触力测试装置,这种接触力测试装置的应用以及用于制造这种接触力测试装置的方法
JP4638934B2 (ja) 圧力センサ
US20160209351A1 (en) Sensor
CN114216590B (zh) 一种仿蝎子狭缝压力传感器及其制造方法
WO2018223853A1 (zh) 压电陶瓷堆叠结构及压电式传感器
JP6482287B2 (ja) 圧電材料、圧電素子および圧力センサ
CN111122026A (zh) 一种压力传感器
JP2523772B2 (ja) クリップ型容量ひずみゲ―ジ
JP6143926B1 (ja) 圧力センサ
US20200400707A1 (en) Piezoelectric sensor
JP2019190922A (ja) ロードセル
JP2014182031A (ja) 静電容量型圧力センサ及び入力装置
JP3038692B2 (ja) バイモルフ振動子及び圧電形加速度センサ
JPH0226723B2 (ja)
US10113923B2 (en) Force detection device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171030

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180711

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180814

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181004

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181127

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181204

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6448436

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250