JP2016157688A - 試料加工評価装置 - Google Patents
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Description
従来、集束イオンビーム(以下、FIBと記載)を用いて、マイクロメートル(μm)レベルの微小試料を加工することが知られている。FIBにより試料を切断し、試料が載置された試料台を回転させ、切断面をその場で走査電子顕微鏡(以下、SEMと記載)により観察する方法が存在する(特許文献1参照)。また、FIBによって微細な回転体の加工を行なうことができるイオンビーム加工装置が知られている(特許文献2参照)。
さらに、試料に加工する手段として特許文献3には、片持ち状態でFIB加工することは記載されているが、その被加工物の外周の形態評価や特性評価を行なうものではない。
また、試料加工評価装置は単に特性値を求めるだけではなく、負荷を与えた状態で評価試料の表面や内部の顕微鏡観察や分析する評価も含む。
また、本発明の別の目的は、試料を加工し、その場でその試料の特性評価ができる試料加工評価装置を提供することである。
以下、本発明に係る試料加工評価装置の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態の試料加工評価装置100の全体構成を示す。試料加工評価装置100は、第1の荷電粒子ビームとしての集束イオンビーム(FIB;Focused Ion Beam)を照射するFIB鏡筒(集束イオンビーム鏡筒)1と、第2の荷電粒子ビームとしての電子ビーム(EB;Electron Beam)を照射するEB鏡筒(電子ビーム鏡筒)2と、第3の荷電粒子ビームとしてのガスイオンビーム(GIB;Gas Ion Beam)を照射するGIB鏡筒(ガスイオンビーム鏡筒)3とを備えている。FIB鏡筒1、EB鏡筒2、GIB鏡筒3は、それぞれ異なる荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム鏡筒として把握される。
次に、本発明による試料加工評価装置の別の実施形態例について説明する。
次に、本発明に係る試料加工評価装置において、試料ホルダ6の別の実施形態について説明する。
次に、本発明による試料加工評価装置の別の実施形態を説明する。
本実施形態例は、試料加工評価装置における試料ホルダ6が、試料7を搭載した状態で、360°軸回転できることを利用する。本装置を用いることで、試料面に対して浅い角度でEBを結晶試料に照射することで得られる後方散乱電子(反射電子)信号から結晶方位などの測定、所謂、電子線後方散乱回折像解析(EBSD)ができるため、試料7の切削加工とEBSD評価を繰り返し実施することができる。さらに、試料7の切削加工ごとにEBSD評価を行うことで、三次元的なEBSD評価ができる。
次に、本発明による試料加工評価装置の別の実施形態を説明する。
本実施例は、試料を作製し、その場で機械的特性のうち、捩り評価を行なう例である。
まず、試料台5の上に着脱可能で設置される本実施例5で用いる試料ホルダ106の構成、動作、作用について説明する。図19は、試料ホルダ106(ここでは試料ホルダ106A)の一実施形態であり、試料ホルダ106Aは基台164の上に配置された一組の回転制御部161(161a,161b)と、一組の回転シャフト162(162a,162b)と、試料(試料片)107を保持する保持部としてのクランプ163(163a,163b)とを備える。試料ホルダ106Aは基台164を介して試料台5の上面に着脱可能に固定できる。
負荷と画像取得を試料107が破断するまで繰り返す。これにより、捩りによる微小亀裂の発生傾向や亀裂伝播の様子を結晶粒レベルで把握することができる。また、捩りによる結晶粒の形状変化や、微小亀裂の発生や伝播状態などをリアルタイムで観察でき、また記録できる。
また、試料107の注目部を数10nm程度まで極細化もしくは薄片化加工して、EB照射して透過した電子を透過電子検出器(図示略)で検出して透過像を画像化してもよい。これにより試料内部を原子レベルで観察することができる。
次に、本発明による試料加工評価装置の別の実施形態を説明する。
図20は、試料107の加熱時の捩り特性を評価する際に用いる試料ホルダ106Bである。この実施形態ではクランプ163a,163bに加熱器(例えば、セラミックヒーター)165が設けられており、クランプ163a,163bを介して試料107を加熱できる。試料107の温度は、赤外放射温度計(図示略)によって試料加工評価装置の外から非接触で計測できる。このような構成により、捩り力に加え、試料107の温度条件をも設定でき、種々の温度における捩り試料表面の結晶粒の挙動を観察することができる。特に、試料107が例えば、金属Aと金属Bから成る多結晶合金ABの場合、種々の温度における金属Aの結晶粒と金属Bの結晶粒の挙動を、EB照射によって発生する特性X線を検出することでEB照射範囲(SEM観察領域)の元素分布から把握することができる。
なお、上記では加熱器を設置して、加熱下での捩り評価について説明したが、加熱器の代わりにペルチエ素子のような冷却器を設置し、冷却時の捩り特性を評価することも可能である。
また、上記の実施形態例では、試料加工評価装置としてFIB鏡筒、EB鏡筒、GIB鏡筒を備えた試料加工評価装置100を挙げたが、本発明はこれに限ることはなく、単一のビーム鏡筒、若しくは、上記3本の鏡筒のうちのいずれか2本の鏡筒を組合せた試料加工評価装置にも適用される。また、上記の説明では、FIB鏡筒1が鉛直方向に配置されているが、FIB鏡筒1とEB鏡筒2とを入れ替えて配置しても良い。
まず、試料107を固定した試料ホルダ106を試料加工評価装置に装填し、搭載された荷電粒子ビーム(例えば、FIB、EB、GIB)が所定の性能を発揮できる状態であることを確認できた時点を、捩り評価フローの開始とする(ステップS020)。試料台の回転機能、FIBによる試料側面の切削機能を利用して、試料ホルダ106に固定された試料107を所定の形状、寸法への加工と表面クリーニングを施して試料の作製を行う(ステップS200)。注目する試料面をEBによる観察ができる位置になるように試料ホルダ106の回転軸を調整し、予め定めた一方の回転制御部161(例えば回転制御部161a)により回転シャフト162(例えば回転シャフト162a)の回転機能を固定し、他方の回転制御部(例えば回転制御部161b)により回転シャフト162(例えば回転シャフト162b)予め定めた速度、回転角、負荷で回転させ、試料107に捩り力の負荷を与える(ステップS300)。予め定めた負荷、角度の時に試料107にEB照射して画像信号を取得する(ステップS400)。画像信号はEB照射時に発生する二次電子、反射電子(後方散乱電子)、透過電子、X線のうちの少なくともいずれかであって、これらの信号から画像を形成する。また、必要に応じてステップS300の負荷を高め、ステップS400の画像取得を繰り返してもよい。試料107が破断するか、予め定めた最大負荷、若しくは最大角度に達した時、一連の捩り評価フローは終了する(ステップS450)。これが試料加工評価装置を用いた捩り評価の基本フローである。
図21における試料の作製ステップS200は、図22のフローではステップS110からS160に細分化される。試料加工評価装置の試料台5に設置された試料ホルダ106は、捩り評価部となる側面がFIB走査方向と一致するように、試料台5のXYZ面内移動と試料ホルダ106の回転調整を行う(ステップS210)。次に、試料107の特定面にFIB照射して試料107を加工する(ステップS220)。続いて、FIB照射による加工を行なった面にGIBを照射して、FIB照射による加工損傷層を除去(クリーン化)する(ステップS230)。
次に、本発明による試料加工評価装置の別の実施形態を説明する。本実施例は、試料を作製し、その場でその試料の曲げ評価を行なう例である。
まず、試料台5の上に着脱可能で設置される試料ホルダ206の構成、動作、作用について説明する。図23は、試料ホルダ206の一実施形態であり、図19、図20と共通する回転制御部161、基台164の記載は省略されている。
試料ホルダ206は基台の上に配置された一組の回転制御部と、一組の回転シャフト262(262a,262b)と、試料(試料片)207を回転シャフト262の軸上に保持する保持部263(263a,263b)とを備える。保持部263には試料207を支持する支柱271(271a,271b)も備える。試料ホルダ206は基台を介して試料台5の上面に着脱可能に固定できる。一組の回転シャフト262は回転制御部によって回転制御できる。試料ホルダ206には、試料207の長手方向に垂直方向に負荷を与える負荷部270を備え、負荷部270は負荷制御部(記載略)を介して回転シャフト262に連結されている。このため、試料207を回転させても、同じ方向から試料207に負荷を与えることができる。本実施例における曲げ評価は、支柱271a、271bと負荷部270の3か所で試料に荷重が加える、所謂、三点曲げ評価ができる。
このような構成により微細な試料に曲げ負荷を与えることができ、試料の曲げ評価ができ、また、負荷中も亀裂進展の様子もSEMで多方向から観察することができる。また、試料の加工することもでき、試料形状の補正加工や切欠き加工が可能である。しかも、加工と評価を同じ環境(真空試料室)内で可能であるため、大気による試料の酸化など材料評価上の心配も無視できる。
なお、それぞれの負荷状態で多方向から微細領域を観察や分析することができることが共通する利点である。
1a:FIB照射軸(集束イオンビーム照射軸)
1b:FIB(集束イオンビーム、第1の荷電粒子ビーム)
2:EB鏡筒(電子ビーム鏡筒、荷電粒子ビーム鏡筒)
2a:EB照射軸(電子ビーム照射軸)
2b:EB(電子ビーム、第2の荷電粒子ビーム)
3:GIB鏡筒(ガスイオンビーム鏡筒、荷電粒子ビーム鏡筒)
3a:GIB照射軸(ガスイオンビーム照射軸)
3b:GIB(ガスイオンビーム、第3の荷電粒子ビーム)
4:二次電子検出器
5:試料台
6、6A、6B:試料ホルダ
7:試料
7a、7A、7B、7C,7D:加工面(側面、切断面)
7b:FIB照射損傷層
7c:クリーン面
8:傾斜駆動部
8a:傾斜軸
10:回転駆動部
11:FIB制御部
12:EB制御部
13:GIB制御部
14:像形成部
15:試料台制御部
16:入力部
17:制御部
18:表示部
19:ガス銃
20:ガス銃制御部
21:計算処理部
23:後方散乱電子(反射電子)
31:第1の面
32:第2の面
60:試料ホルダ制御部
61:支持部材
63:回転シャフト
65:クランプ(保持部)
81:基台
82:凹部
83:底面
84:スパッタ粒子
90:立体再生像
91:試料
92:母材
93A、93B、93C:層
94:斜断面
95:異物
96:三次元再生像
97A、97B、97C:層の三次元像
98:異物の三次元再生像
99:展開図
100:試料加工評価装置
AX:回転軸
Claims (15)
- 少なくとも試料に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム鏡筒と、
前記試料の両端を保持する試料ホルダと、
前記試料ホルダを載置する試料台と、を備え、
前記試料ホルダは、前記試料台と前記荷電粒子ビーム鏡筒との間にあって、回転軸を中心として前記試料を回転させることが可能である、試料加工評価装置。 - 試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒と、
前記集束イオンビームの前記試料への照射位置に一致するように電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、
前記試料の両端を保持する試料ホルダと、
前記試料ホルダを載置する試料台と、を備え、
前記試料ホルダは、前記試料台と前記集束イオンビーム鏡筒との間にあって、前記集束イオンビーム鏡筒の集束イオンビーム照射軸と前記電子ビーム鏡筒の電子ビーム照射軸が作る面に垂直な回転軸を有し、前記回転軸を中心として前記試料を回転させることが可能である、試料加工評価装置。 - 請求項1または2に記載の試料加工評価装置であって、
前記試料ホルダは、前記回転軸を中心として前記試料を360°回転させることが可能である、試料加工評価装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の試料加工評価装置であって、
前記回転軸は、前記試料台の前記試料ホルダを載置する面に対し、実質的に平行に設定されている試料加工評価装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の試料加工評価装置であって、
前記試料ホルダは、
前記試料台に着脱可能に配置された基台と、
前記基台に回転可能に保持され、前記回転軸に平行な回転シャフトと、
前記回転シャフトに固定され、前記試料を直接に保持する保持部と、を備える試料加工評価装置。 - 請求項2に記載の試料加工評価装置であって、
前記集束イオンビームによる加工面をクリーニングするガスイオンビームを照射するガスイオンビーム鏡筒を更に備える、試料加工評価装置。 - 請求項6に記載の試料加工評価装置であって、
前記ガスイオンビームの照射によってクリーニングされた前記加工面に前記電子ビームを照射して得られる画像信号から当該加工面の画像データを生成する像形成部と、
前記像形成部で形成した画像データを保存する計算処理部と、を更に備える試料加工評価装置。 - 請求項7に記載の試料加工評価装置であって、
前記画像信号は、前記集束イオンビーム、前記電子ビーム、前記ガスイオンビームのうちの少なくとも一つの照射によって前記加工面から発生する二次電子の二次電子信号、反射電子の反射電子信号、蛍光X線の蛍光X線信号、後方散乱電子の後方散乱電子信号のうちの少なくともいずれか一つである、試料加工評価装置。 - 請求項7または8に記載の試料加工評価装置であって、
前記計算処理部は取得した複数の画像データを用いて前記試料の立体画像、展開画像、三次元画像のうちの少なくともいずれか一つを構築する、試料加工評価装置。 - 試料に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム鏡筒と、
前記試料を固定する試料ホルダと、
前記試料ホルダを載置する試料台と、を備え、
前記試料ホルダは、前記試料台と前記荷電粒子ビーム鏡筒との間において、前記試料ホルダに搭載され、前記試料に対して負荷を与える負荷手段を備える、試料加工評価装置。 - 請求項10に記載の試料加工評価装置であって、
前記試料ホルダは、
前記試料台に着脱可能に配置される基台と、
前記基台の上に配置された回転制御部と、
前記試料の両端を保持する保持部と、
前記回転制御部と前記保持部を連結するシャフトとを備え、
前記回転制御部の制御信号に基づき前記シャフトが回転し、前記保持部により保持された前記試料を回転する試料加工評価装置。 - 請求項10に記載の試料加工評価装置であって、
前記負荷は、捩り力、曲げ力、加熱、冷却、圧縮力のうちの少なくともいずれかである、試料加工評価装置。 - 請求項10に記載の試料加工評価装置であって、
前記荷電粒子ビームは、集束イオンビーム、電子ビーム、ガスイオンビームのうちの少なくともいずれかである、試料加工評価装置。 - 請求項10に記載の試料加工評価装置であって、
前記荷電粒子ビームが電子ビームであって、前記電子ビームを前記試料に照射した際に発生する二次電子、反射電子、X線のうちの少なくとも何れかを検出する検出器を備える、試料加工評価装置。 - 請求項11に記載の試料加工評価装置であって、
前記試料を加熱する加熱器または、前記試料を冷却する冷却器が前記保持部に設けられる試料加工評価装置。
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