JP2016155698A - Iv族クラスレートの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のクラスレートの製造方法は、ゲスト原子を収容している開口部5を有する容器3と、ホスト原子からなる基板2と、を反応容器1内に配置し、不活性ガスの雰囲気下で500℃以上の温度により0.5時間以上24時間以下の加熱時間で加熱して前駆体を生成する第一加熱工程と、容器3と基板2とを収容した状態で反応容器1を冷却する冷却工程と、基板2を、10−2Pa以下の陰圧下で300℃以上450℃以下の温度により1時間以上加熱する第二加熱工程とを備えている。本発明のクラスレート製造方法は、第一加熱工程において、基板2を、容器3の開口部5よりも低い位置に配置することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本実施例では、結晶面が111のシリコン基板2と、金属ナトリウム片とを用いて、シリコンクラスレートを製造した。ステップ1の前処理工程として、シリコン基板2の表面酸化膜を取り除いた。金属ナトリウム片は、上面全体が開口部5となっている容器3に収容した。そして、シリコン基板2とナトリウム入り容器3とを反応容器1に収容した。このときシリコン基板2は、ナトリウム入り容器3の開口部5よりも低い位置に配置されるように、反応容器1の底面に接するように配置された。
実施例1と同一の、結晶面が111のシリコン基板2と、金属ナトリウム片とを原料として、シリコンクラスレートを製造した。比較例では、シリコン基板2とナトリウム入り容器3とを反応容器1に収容するときに、図示されない支持部材を用いることで、シリコン基板2をナトリウム入り容器3の開口部5よりも相対的に高い位置に配置した。その後、ステップ2の第一加熱工程からステップ4の第二加熱工程まで、実施例1と同一の条件を適用して、シリコンクラスレートを製造した。
図3の上段(上から一段目のチャート)に、比較例の製造方法で製造したシリコン基板2上の化合物のX線回折パターンを示す。図3の中段(上から二段目のチャート)に、実施例1の製造方法で製造したシリコン基板2上の化合物のX線回折パターンを示す。図3の下部に示された棒グラフは、II型のシリコンクラスレートと、ダイヤモンド型シリコン(c−シリコン)の理論的なX線回折パターンである。実施例1の化合物からは、II型のシリコンクラスレートに由来する強いX線回折パターンが確認され、実施例1の化合物がIIの型シリコンクラスレートであることが確認された。また、実施例1の化合物では、原料のシリコン基板に由来する回折パターンが大幅に弱くなっているのに対して、比較例の製造方法で製造した化合物からは、原料であるシリコン基板のダイヤモンド構造に由来する回折パターンのピークが強く検出されており、実施例1のシリコン基板2の表面は、II型シリコンクラスレートによって比較例よりも厚く覆われていることが、定量的に明らかとなった。
本実施例によるクラスレートの製造方法では、ナトリウム入り容器3の開口部5よりも下にシリコン基板2を配置して第一加熱工程を行い、さらに冷却工程を徐冷工程とすることで、より安定してシリコンクラスレートを製造するための最適条件を特定した。本実施例のステップ1の前処理工程とステップ4の第二加熱工程とは実施例1と同一の構成であるので、重複説明を割愛する。
冷却工程の短縮を目的として、本実施例によるクラスレートの製造方法では、冷却工程の冷却速度をより速くしてシリコンクラスレートを製造した。ステップ1の前処理工程およびステップ4の第二加熱工程は実施例1および2と同一なので、重複説明を割愛する。ステップ2の第一加熱工程として、アルゴン雰囲気中で反応容器1を密閉し、温度580℃、処理時間は48時間、圧力105Pa以上の条件で加熱を行った。ステップ3の冷却工程では、シリコン基板2とナトリウム入り容器3とを収容した状態で反応容器1を2時間で室温まで急冷した。
Claims (3)
- クラスレートの製造方法であって、
ゲスト原子を収容した開口部を有する容器と、IV族元素のホスト原子からなる基板と、を反応容器内に配置し、不活性ガスの雰囲気下で500℃以上の温度により0.5時間以上24時間以下の加熱時間で加熱する第一加熱工程と、
ゲスト原子を収容した前記容器とホスト原子からなる前記基板とが配置されている反応容器を冷却する冷却工程と、
前記基板を、10−2Pa以下の陰圧下で300℃以上450℃以下の温度により1時間以上加熱する第二加熱工程と、
を備えており、
第一加熱工程において、ホスト原子からなる前記基板を、前記容器の開口部よりも低い位置に配置することを特徴とするクラスレートの製造方法。 - 前記冷却工程が徐冷工程であり、
当該徐冷工程の冷却速度が5℃/hr以上20℃/hr以下であることを特徴とする請求項1記載のクラスレートの製造方法。 - ホスト原子がシリコンであり、ゲスト原子がナトリウムであり、製造されるクラスレートがシリコンクラスレートであることを特徴とする請求項1または2に記載のクラスレートの製造方法。
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