JP2016152380A - 半導体−金属複合材料及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
不純物ドープ単結晶ダイヤモンドからなる半導体と金属材料とがオーミック接触した半導体−金属複合材料であって、半導体と金属材料との接触抵抗値が非常に小さい、新規な半導体−金属複合材料を提供する。
【解決手段】
半導体と金属材料とがオーミック接触した半導体−金属複合材料であって、
前記半導体は、ダイヤモンドに不純物がドープされた、不純物ドープ単結晶ダイヤモンドであり、
前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドの前記不純物の濃度が、1×1019〜1×1022cm-3であり、
前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドが、前記不純物とは異なる金属元素を含む、半導体−金属複合材料。
【選択図】なし
Description
項1. 半導体と金属材料とがオーミック接触した半導体−金属複合材料であって、
前記半導体は、ダイヤモンドに不純物がドープされた、不純物ドープ単結晶ダイヤモンドであり、
前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドの前記不純物の濃度が、1×1019〜1×1022cm-3であり、
前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドが、前記不純物とは異なる金属元素を含む、半導体−金属複合材料。
項2. 前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドが、前記不金属元素を1×1016〜1×1020cm-3含む、項1に記載の半導体−金属複合材料。
項3. 前記不純物が、ホウ素及びリンの少なくとも一方である、項1または2に記載の半導体−金属複合材料。
項4. 前記金属元素が、タングステン、タンタル、レニウム、及びルテニウムからなる群から選択された少なくとも1種である、項1〜3のいずれかに記載の半導体−金属複合材料。
項5. 前記不純物がホウ素であり、温度25℃における前記半導体と前記金属材料との接触抵抗値が、1×10-5Ωcm2以下である、項1〜4のいずれかに記載の半導体−金属複合材料。
項6. 前記不純物がリンであり、温度25℃における前記半導体と前記金属材料との接触抵抗値が、1×10-2Ωcm2以下である、項1〜4のいずれかに記載の半導体−金属複合材料。
項7. 項1〜6のいずれかに記載の半導体−金属複合材料を含む、電子デバイス。
項8. 不純物ドープ単結晶ダイヤモンドからなる半導体と金属材料とがオーミック接触した半導体−金属複合材料の製造方法であって、
金属元素により構成されたフィラメント及び基板が配置された真空容器中に、炭素源及び不純物源を含むキャリアガスを導入する工程と、
前記キャリアガスを前記フィラメントで加熱して、前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドを前記基板の上に製膜する製膜工程と、
前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドの上に前記金属材料を積層する工程と、
を備え、
前記製膜工程において、前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドにおける前記不純物の濃度を1×1019〜1×1022cm-3とし、前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドに前記不純物とは異なる金属元素を含有させる、半導体−金属複合材料の製造方法。
項9. 前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドに、前記金属元素を1×1016〜1×1020cm-3の濃度で含有させる、項8に記載の半導体−金属複合材料の製造方法。
項10. 前記製膜工程における前記キャリアガス中の前記炭素源に対する前記不純物源の濃度が、100ppm以上である、項8または9に記載の半導体−金属複合材料の製造方法。
本発明の半導体−金属複合材料は、半導体と金属材料とがオーミック接触した、半導体と金属材料との複合材料である。本発明の半導体−金属複合材料において、金属材料とオーミック接触している半導体は、ダイヤモンドに不純物がドープされた、不純物ドープ単結晶ダイヤモンドである。本発明においては、不純物ドープ単結晶ダイヤモンドの不純物の濃度が1×1019〜1×1022cm-3であり、さらに、不純物ドープ単結晶ダイヤモンドが、前記不純物とは異なる金属元素を含むことを特徴とする。以下、本発明の半導体−金属複合材料について、詳述する。
本発明の半導体−金属複合材料の製造方法は、以下の工程を備えている。
工程(1):金属元素により構成されたフィラメント及び基板が配置された真空容器中に、炭素源及び不純物源を含むキャリアガスを導入する工程
工程(2):キャリアガスをフィラメントで加熱して、不純物ドープ単結晶ダイヤモンドを基板の上に製膜する製膜工程
工程(3):不純物ドープ単結晶ダイヤモンドの上に金属材料を積層する工程
単結晶ダイヤモンド基板(100)の表面上に、熱フィラメント化学気相成長法によりホウ素ドープ単結晶ダイヤモンドを製膜した。製膜条件は以下の通りである。
(製膜条件)
・キャリアガス:水素97体積%、メタン3体積%(炭素源)、メタンに対するトリメチルボロン(ホウ素源)の濃度(体積)6500ppm
・全圧:30Torr
・フィラメント材料:タングステン純度99.9%
・フィラメント温度:2000℃〜2200℃
・基板温度:1100℃
・製膜時間:3時間
・ホウ素ドープ単結晶ダイヤモンドの膜厚:0.3μm
実施例1で得られたホウ素ドープ単結晶ダイヤモンドの表面上に金属を蒸着し、半導体−金属複合材料を製造した。次に、図1,2に示される電極パターンを形成し、c−TLM法(circular−type Transmission Line Model)によって、電極間距離と接触抵抗値との関係を評価した。具体的には、図1及び図2に示されるように、ホウ素ドープ単結晶ダイヤモンドの表面上に5つの円形パターンを作製し、電極間距離を7.7μmm〜17.5μmの範囲で変化させられるようにした。また、電極形成後、450℃で1時間のアニール処理を行い、その後、4端子接続による電流電圧測定を行った。結果を図3に示す。
実施例1で得られた半導体−金属複合材料を1気圧下、それぞれ100℃、200℃、300℃、400℃の条件で100時間加熱し、それぞれの温度を保持した状態で半導体−金属材料間の接触抵抗値を上記と同様にして測定した。結果を図4のグラフに示す。図4のグラフから明らかな通り、実施例1で得られた半導体−金属複合材料は、100℃〜400℃という高温環境下に100時間保持された場合にも、1×10-6Ωcm程度の低い接触抵抗値を有することが分かる。
2…ホウ素ドープ単結晶ダイヤモンド
3…チタン
4…金
Claims (10)
- 半導体と金属材料とがオーミック接触した半導体−金属複合材料であって、
前記半導体は、ダイヤモンドに不純物がドープされた、不純物ドープ単結晶ダイヤモンドであり、
前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドの前記不純物の濃度が、1×1019〜1×1022cm-3であり、
前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドが、前記不純物とは異なる金属元素を含む、半導体−金属複合材料。 - 前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドが、前記金属元素を1×1016〜1×1020cm-3含む、請求項1に記載の半導体−金属複合材料。
- 前記不純物が、ホウ素及びリンの少なくとも一方である、請求項1または2に記載の半導体−金属複合材料。
- 前記金属元素が、タングステン、タンタル、レニウム、及びルテニウムからなる群から選択された少なくとも1種である、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体−金属複合材料。
- 前記不純物がホウ素であり、温度25℃における前記半導体と前記金属材料との接触抵抗値が、1×10-5Ωcm2以下である、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体−金属複合材料。
- 前記不純物がリンであり、温度25℃における前記半導体と前記金属材料との接触抵抗値が、1×10-2Ωcm2以下である、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体−金属複合材料。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の半導体−金属複合材料を含む、電子デバイス。
- 不純物ドープ単結晶ダイヤモンドからなる半導体と金属材料とがオーミック接触した半導体−金属複合材料の製造方法であって、
金属元素により構成されたフィラメント及び基板が配置された真空容器中に、炭素源及び不純物源を含むキャリアガスを導入する工程と、
前記キャリアガスを前記フィラメントで加熱して、前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドを前記基板の上に製膜する製膜工程と、
前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドの上に前記金属材料を積層する工程と、
を備え、
前記製膜工程において、前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドにおける前記不純物の濃度を1×1019〜1×1022cm-3とし、前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドに前記不純物とは異なる金属元素を含有させる、半導体−金属複合材料の製造方法。 - 前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドに、前記金属元素を1×1016〜1×1020cm-3の濃度で含有させる、請求項8に記載の半導体−金属複合材料の製造方法。
- 前記製膜工程における前記キャリアガス中の前記炭素源に対する前記不純物源の濃度が、100ppm以上である、請求項8または9に記載の半導体−金属複合材料の製造方法。
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