JP2016143690A - 基板処理システム、フラックス検査装置、及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】歩留まりの高い基板処理システム等を提供する。
【解決手段】基板処理システムＳ１は、基板Ｂの各電極にフラックスを塗布するフラックス印刷装置１と、フラックス印刷装置１によって前記各電極に塗布されたフラックスの径、面積、高さ、及び体積のうち少なくとも一つに基づいて、フラックスが不足しているか否かを前記各電極について検査するフラックス検査装置２と、フラックス検査装置２によってフラックス不足の電極が存在すると判定された場合、当該電極にフラックスを塗布するためのリペア処理を行うフラックスリペア装置３と、フラックスが塗布された前記各電極に半田ボールを搭載する半田ボール搭載装置４と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板を処理する基板処理システム等に関する。

コンピュータ、携帯電話、デジタル家電等には、ＢＧＡ（Ball Grid Array）やＣＳＰ（Chip Size Package）といった表面実装型の電子部品が実装されている。このような電子部品の裏面には、半球状に形成されたバンプ（突起状の端子）が多数設けられている。電子部品の裏面にバンプを設けることで、基板と電子部品との接点数を大幅に増加させ、電子部品の小型化・高密度化を図っている。

また、電子部品の裏面に設けられたバンプに対応して、この電子部品が実装される基板にも多数のバンプが形成されている。基板にバンプを形成する方法として、例えば、ボール振込み法が知られている。ボール振込み法は、マスクに設けられた多数の微細な孔を介して基板に半田ボールを振込む（落とし込む、搭載する）方法であり、ピッチが非常に狭いバンプを高精度に形成できるという利点がある。このようなボール振込法を用いた技術として、例えば、以下に示すものが知られている。

すなわち、特許文献１には、半田ボールをワークの各バンプ形成位置上に一括搭載する手順と、搭載ミスのあったバンプ形成位置ごとに半田ボールの再搭載を行う手順と、を含むバンプ形成方法について記載されている。

また、特許文献２には、半田ボールの被供給体にマスクを位置合わせする工程と、ホッパの供給口からマスク上に半田ボールを落下させると同時に、エア噴射装置からの風圧によって半田ボールを転動させる工程と、マスクの全ての貫通孔に半田ボールが入ったことを確認する工程と、を含むボール供給方法について記載されている。

特開２００３−３０９１３９号公報 特開２００８−１３０９５６号公報

前記したボール振込み法によって基板にバンプを形成する際には、通常、半田ボールの搭載に先立って基板の各電極にフラックスが塗布される。これは、フラックスの粘性によって半田ボールの位置ずれを防止し、また、半田ボールの溶融時の酸化を防止するためである。
特許文献１，２には、基板（ワーク、被供給体）の各電極に半田ボールを搭載するための技術については開示されているが、基板の各電極にフラックスを適切に塗布するための技術については開示されていない。

仮に、基板の全ての電極に半田ボールが搭載されていたとしても、その前段階でフラックスが適切に塗布されていなければ、接続不良等の不具合が発生しやすくなる。なお、フラックス塗布用のマスクに設けられた多数の微細な孔のピッチ及び径が小さくなるにつれて、基板の各電極に適量のフラックスを塗布することが困難になり、基板の歩留まりが低くなる傾向がある。

そこで、本発明は、歩留まりの高い基板処理システム等を提供することを課題とする。

前記課題を解決するために、本発明は、基板の各電極にフラックスを塗布するフラックス塗布手段と、前記フラックス塗布手段によって前記各電極に塗布されたフラックスの径、面積、高さ、及び体積のうち少なくとも一つに基づいて、フラックスが不足しているか否かを前記各電極について検査するフラックス検査手段と、前記フラックス検査手段によってフラックス不足の電極が存在すると判定された場合、当該電極にフラックスを塗布するためのリペア処理を行うリペア手段と、フラックスが塗布された前記各電極に半田ボールを搭載する半田ボール搭載手段と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、歩留まりの高い基板処理システム等を提供できる。

本発明の第１実施形態に係る基板処理システムの構成図である。 フラックス印刷装置の模式的な縦断面図である。 フラックス検査装置が備える検査手段の機能ブロック図である。 フラックスリペア装置が備える制御手段の機能ブロック図である。 半田ボール搭載装置の模式的な縦断面図である。 フラックス検査装置が実行する処理を示すフローチャートである。 （ａ）は全ての電極に適量のフラックスが塗布された状態の基板の説明図（平面図）であり、（ｂ）はフラックス不足の電極が存在する基板の説明図（平面図）である。 フラックスリペア装置が実行する処理を示すフローチャートである。 本発明の第２実施形態に係る基板処理システムの構成図である。 フラックス印刷装置が備える制御手段の機能ブロック図である。 検査・リペア装置の模式的な平面図である。 検査・リペア装置が備える制御手段の機能ブロック図である。 フラックス印刷装置が実行する処理を示すフローチャートである。 検査・リペア装置が実行する処理を示すフローチャートである。 リペアノズルによって半田ボールを除去し、さらに、フラックス付きの半田ボールを搭載する過程を示す説明図である。 本発明の第３実施形態に係る基板処理システムの構成図である。 検査・リペア装置が備える制御手段の機能ブロック図である。 検査・リペア装置が実行する処理を示すフローチャートである。

≪第１実施形態≫
＜基板処理システムの構成＞
図１は、本実施形態に係る基板処理システムＳ１の構成図である。なお、図１に示す実線矢印は、基板Ｂが搬送される向きを示している。
基板処理システムＳ１は、基板Ｂの各電極にフラックスを塗布し、さらに半田ボールを搭載してバンプ（突起状の端子）を形成するシステムである。なお、基板Ｂは、電子部品が搭載される板状部材であり、その表面には多数の電極が設けられている。

基板処理システムＳ１は、フラックス印刷装置１と、フラックス検査装置２と、フラックスリペア装置３と、半田ボール搭載装置４と、ボール検査・リペア装置５と、を備えている。
図１に示すように、下流側に向かって順に、フラックス印刷装置１、フラックス検査装置２、フラックスリペア装置３、半田ボール搭載装置４、及びボール検査・リペア装置５が配置されている。そして、コンベア６ａ〜６ｋによって基板Ｂを搬送し、前記した各装置によって順次、基板Ｂを処理するようになっている。

（フラックス印刷装置）
フラックス印刷装置１（フラックス塗布手段）は、フラックス塗布用のマスク１１に形成された多数の孔を介して、このマスク１１の下方に配置された基板Ｂの各電極にフラックスを塗布する装置である。前記した「フラックス」は、その粘性によって半田ボールを基板Ｂに付着させたり、半田ボールの溶融時の酸化等を防止したりするための液体である。

図２は、フラックス印刷装置１の模式的な縦断面図である。なお、図２では、基板Ｂがマスク１１から離間し、基板Ｂとマスク１１との間にカメラ１３及びマスク清掃装置１７が介在している状態を図示している。また、図２に示すようにｘ，ｙ，ｚ方向を定義する。

フラックス印刷装置１は、マスク１１と、版枠１２と、カメラ１３と、印刷テーブル１４と、スキージヘッド１５と、シリンダ１６と、マスク清掃装置１７と、を備えている。マスク１１は、基板Ｂの各電極に対応する多数の孔が形成されたメタルマスクであり、ｘｙ平面（水平面）と平行に配置されている。
版枠１２は、平面視で四角枠状を呈する枠体であり、この版枠１２にマスク１１の周縁部が固定されている。なお、図２に示す例において、版枠１２のｚ方向の位置は固定されている。

カメラ１３は、自身の上方及び下方を撮像する２視野カメラであり、ｘ，ｙ方向で移動可能になっている。カメラ１３は、マスク１１の下面に印刷された位置合わせマーク（二箇所以上：図示せず）と、基板Ｂの上面に印刷された位置合わせマーク（二箇所以上：図示せず）と、をそれぞれ撮像し、その撮像結果を印刷テーブル１４の制御手段（図示せず）に出力するようになっている。

印刷テーブル１４は、ｘ方向、ｙ方向、及びθ方向（ｘｙ平面上での回転）で基板Ｂの位置を調整し、さらに昇降機構１４ａによって基板Ｂとマスク１１とのｚ方向の距離を調整する装置である。印刷テーブル１４は、カメラ１３の撮像結果に基づき、マスク１１に対する基板Ｂの位置ずれ量を打ち消すように、基板Ｂの位置を調整するようになっている。
なお、基板Ｂにフラックスを塗布する際には、カメラ１３及びマスク清掃装置１７が退避した状態で、基板Ｂとマスク１１との距離（ｚ方向）を所定のスクリーンギャップまで接近させるように印刷テーブル１４が上昇する。

スキージヘッド１５は、マスク１１の孔を介して基板Ｂの各電極にフラックスを塗布するものであり、スクレーパ１５ａと、スキージ１５ｂと、を備えている。基板Ｂにフラックスを塗布する際には、基板Ｂにフラックスを塗り付けるように、スキージヘッド１５をｘ方向で往復させるようになっている。
具体的には、スクレーパ１５ａを下降させた後、マスク１１の上面にスクレーパ１５ａを押し当てながら紙面左向きに移動させる。その後、スクレーパ１５ａを上昇させてスキージ１５ｂを下降させ、このスキージ１５ｂを紙面右向きに移動させる。このように、スキージヘッド１５が移動する向きに応じてスクレーパ１５ａとスキージ１５ｂを交互に用いるようになっている。

シリンダ１６は、液状のフラックスをマスク１１上に供給する装置である。例えば、スキージ１５ｂを用いて所定回数印刷するたびに、シリンダ１６からマスク１１上にフラックスが供給されるようになっている。
マスク清掃装置１７は、マスク１１の裏面（下面）を清掃する装置であり、マスク１１の下方に配置されている。マスク清掃装置１７は、一対のローラ１７ａ，１７ｂを備え、ｘ，ｚ方向で移動可能に構成されている。マスク１１の裏面を清掃する際には、ローラ１７ａ，１７ｂの回転によってペーパＨの巻出し・巻取りが行われ、さらに、ペーパＨをマスク１１の裏面に押し付けた状態でマスク清掃装置１７がｘ方向に移動するようになっている。
なお、マスク１１の清掃を行うか否かの条件は、スキージ１５ｂの印刷回数やマスク１１の状態（例えば、フラックスの付着）等に基づいて適宜設定される。

（フラックス検査装置）
図１に示すフラックス検査装置２（フラックス検査手段）は、フラックス印刷装置１によってフラックスが塗布（印刷）された基板Ｂについて、フラックスが不足しているか否かを各電極のそれぞれについて検査する装置である。フラックス検査装置２は、カメラ２１と、計測手段２２と、検査手段２３（図３参照）と、を備えている。

カメラ２１は、基板Ｂの位置合わせマークと、フラックス検査装置２内の所定箇所に印刷された位置合わせマークと、を撮像する２視野カメラであり、基板Ｂの位置合わせに用いられる。
計測手段２２は、例えば、白色干渉法によって基板Ｂの表面の状態を三次元的に計測するものである。その構成の一例を挙げると、計測手段２２は、光源２２ａと、ビームスプリッタ２２ｂと、センサ２２ｃと、を備えている。

光源２２ａは、ビームスプリッタ２２ｂに向けて白色光を照射する光源である。ビームスプリッタ２２ｂは、光源２２ａから照射される光（白色光）の光路上に配置されている。そして、光源２２ａからの光がビームスプリッタ２２ｂで反射して基板Ｂに向かい、また、基板Ｂで反射した光がビームスプリッタ２２ｂを透過してセンサ２２ｃに向かうようになっている。

なお、基板Ｂにおいてフラックスが塗布されている箇所に光が入射すると、フラックスの表面で反射した光と、基板Ｂの表面で反射した光と、が干渉し、干渉した光がセンサ２２ｃに入射する。センサ２２ｃは、自身に入射した光を電気信号に変換し、この電気信号を検査手段２３（図３参照）に出力するようになっている。詳細については後記するが、このように基板Ｂの表面の状態を三次元的に計測することで、微少な透明体である電極上のフラックスの体積等を、１つ１つの電極ごとに正確に算出できる。

図３は、フラックス検査装置２が備える検査手段２３の機能ブロック図である。
検査手段２３は、基板Ｂの各電極に塗布されたフラックスが不足しているか否かを各電極について検査するものである。検査手段２３は、例えば、マイクロコンピュータであり、図示はしないが、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、及び各種インタフェース等の電子回路（図示せず）を含んで構成される。そして、ＲＯＭに記憶されたプログラムを読み出してＲＡＭに展開し、ＣＰＵが各種処理を実行するようになっている。

図３に示すように、検査手段２３は、記憶部２３１と、フラックス量算出部２３２と、判定処理部２３３と、を備えている。
記憶部２３１には、電極識別情報２３１ａと、電極位置情報２３１ｂと、閾値情報２３１ｃと、を含むデータが格納されている。電極識別情報２３１ａとは、基板Ｂの各電極に割り当てられた識別情報である。通常、基板Ｂには、電極が密集している電極群が複数設けられ、各電極群において電極が行方向・列方向で並んで点在している。したがって、例えば、各電極群に割り当てられた番号と、電極群における各電極の行番号・列番号を組み合わせることで、電極識別情報２３１ａが設定されている。

電極位置情報２３１ｂとは、基板Ｂにおける各電極の位置を示す情報である。すなわち、基板Ｂの所定箇所（例えば、位置合わせマーク）を基準として、各電極の位置を示す電極位置情報２３１ｂが、電極識別情報２３１ａと対応付けて記憶部２３１に格納されている。
閾値情報２３１ｃとは、基板Ｂの各電極に塗布されたフラックスが不足しているか否かの判定基準となる閾値の情報である。本実施形態では、一例として、基板Ｂの電極ごとにフラックスの体積を算出し、閾値情報２３１ｃに基づいてフラックスが不足しているか否かを判定する場合について説明する。

フラックス量算出部２３２は、センサ２２ｃから入力される電気信号に基づき、基板Ｂの各電極について、塗布されているフラックスの量（体積）を算出する機能を有している。
判定処理部２３３は、記憶部２３１に格納されている閾値情報２３１ｃに基づいて、フラックスが不足しているか否かを基板Ｂの各電極について判定する機能を有している。なお、判定処理部２３３は、フラックス不足の電極が存在する場合、この電極の電極識別情報をフラックスリペア装置３（図１参照）の制御手段３４に出力するようになっている。

（フラックスリペア装置）
図１に示すフラックスリペア装置３（リペア手段）は、フラックス検査装置２によってフラックス不足の電極が存在すると判定された場合、その電極にフラックスを塗布する（リペア処理を行う）装置である。フラックスリペア装置３は、カメラ３１と、リペアノズル３２と、移動手段３３と、制御手段３４（図４参照）と、を備えている。

カメラ３１は、基板Ｂの位置合わせマークと、フラックスリペア装置３内の所定箇所に印刷された位置合わせマークと、を撮像する２視野カメラであり、基板Ｂの位置合わせに用いられる。
リペアノズル３２は、基板Ｂにおいてフラックスが不足している電極にフラックスを塗布するためのノズルである。なお、フラックスの塗布は、基板Ｂの面方向に作用する表面張力を利用し、リペアノズル３２の先端を基板Ｂの電極上に接近させることで行われる。
移動手段３３は、リペアノズル制御部３４２（図４参照）からの指令に応じて、リペアノズル３２のｘ，ｙ，ｚ方向の位置を調整するものである。

図４は、フラックスリペア装置３が備える制御手段３４の機能ブロック図である。
制御手段３４は、リペアノズル３２の位置等を調整する機能を有し、図示はしないが、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、各種インタフェース等の電子回路を含んで構成される。図４に示すように、制御手段３４は、記憶部３４１と、リペアノズル制御部３４２と、を備えている。

記憶部３４１には、基板Ｂの各電極に割り当てられた電極識別情報３４１ａと、各電極の位置を示す電極位置情報３４１ｂと、が格納されている。なお、電極識別情報３４１ａ及び電極位置情報３４１ｂは、前記した検査手段２３（図３参照）の記憶部２３１に格納されている電極識別情報２３１ａ及び電極位置情報２３１ｂと同様である。

リペアノズル制御部３４２は、フラックス検査装置２（図１参照）の検査手段２３から入力される情報に基づき、リペアノズル３２（図１参照）をフラックス不足の電極の真上まで移動させ、さらに、リペアノズル３２を下降させて当該電極にフラックスを塗布する機能を有している。

（半田ボール搭載装置）
図１に示す半田ボール搭載装置４（半田ボール搭載手段）は、フラックスが塗布された基板Ｂの各電極に半田ボールを搭載する装置である。
図５は、半田ボール搭載装置４の模式的な縦断面図である。半田ボール搭載装置４は、基板Ｂの各電極に対応する複数の孔が設けられたマスク４１と、マスク４１を固定する版枠４２と、基板Ｂの位置合わせを行うためのカメラ４３と、基板Ｂが載置される搭載用テーブル４４と、半田ボールを搭載する搭載ヘッド４５と、マスク４１の裏面を清掃するマスク清掃装置４６と、を備えている。

半田ボール搭載装置４の構成は、搭載ヘッド４５を除いて、フラックス印刷装置１（図２参照）の構成と同様である。したがって、以下では搭載ヘッド４５について説明し、他の構成については説明を省略する。
搭載ヘッド４５は、マスク４１に設けられた多数の孔を介して半田ボールを落とし込み、フラックスが塗布された基板Ｂの各電極に半田ボールを搭載する装置である。なお、半田ボールの搭載は、搭載用テーブル４４を上昇させて、基板Ｂの上面をマスク４１の裏面に密着させた状態で行われる。

搭載ヘッド４５は、モータ（図示せず）によって回転する軸４５ａと、軸４５ａに固定された複数のスリット状スキージ４５ｂと、このスリット状スキージ４５ｂを収容するカバー４５ｃと、を備えている。そして、軸４５ａを回転させることで、スリット状スキージ４５ｂのスリット（図示せず）及びマスク４１の孔を介して半田ボールを落下させ、この半田ボールを基板Ｂの電極に搭載するようになっている。なお、搭載ヘッド４５の構成は、図５に示す例に限定されない。

（ボール検査・リペア装置）
図１に示すボール検査・リペア装置５は、基板Ｂの各電極に半田ボールが搭載されているか否かを検査し、さらに、半田ボールが搭載されていない電極が存在する場合には、その電極に半田ボールを搭載（リペア）する装置である。
ボール検査・リペア装置５は、基板Ｂの位置合わせに用いられるカメラ５１と、半田ボールの搭載に用いるリペアノズル５２と、リペアノズル５２を移動させる移動手段５３と、移動手段５３を制御する制御手段（図示せず）と、を備えている。
前記した制御手段は、カメラ５１から入力される画像情報に基づき、基板Ｂの各電極に半田ボールが搭載されているか否かを検査し、半田ボールが搭載されていない電極に、リペアノズル５２によって半田ボールを搭載するようになっている。

なお、ボール検査・リペア装置５から搬出された基板Ｂは、電子部品（図示せず）が実装された状態でリフロー装置（図示せず）において加熱される。これによって半田ボールが溶融し、基板Ｂと電子部品とが電気的に接続される。

＜基板処理システムの動作＞
次に、図１に示すフラックス検査装置２が実行する処理と、フラックスリペア装置３が実行する処理と、について順に説明する。なお、図１に示すフラックス印刷装置１、半田ボール搭載装置４、及びボール検査・リペア装置５が実行する処理については、説明を省略する。また、通常、基板Ｂには複数群の電極が設けられているが、以下では、Ｍ行（行番号ｍ＝１，２，…，Ｍ）、Ｎ列（列番号ｎ＝１，２，…，Ｎ）の一群の電極が基板Ｂに設けられているものとする。

図６は、フラックス検査装置２が実行する処理を示すフローチャートである。なお、図６の「ＳＴＡＲＴ」時において、基板Ｂが位置合わせされた状態（又は、基板Ｂの位置や向きが特定されている状態）であるものとする。
ステップＳ１０１においてフラックス検査装置２は、ｍ＝１，ｎ＝１とし、１行１列目の電極に関する検査を開始する。なお、ｍ，ｎの組合せが、基板Ｂの各電極に割り当てられた電極識別情報２３１ａ（図３参照）に対応している。

ステップＳ１０２においてフラックス検査装置２は、フラックス量算出部２３２（図３参照）によって、１行１列目の電極に塗布されたフラックスの体積Ｖを算出する。フラックスの体積Ｖは、計測手段２２（図１参照）のセンサ２２ｃから入力される電気信号に基づいて算出される。
前記したように、基板Ｂに白色光が照射されると、フラックスの表面で反射した光と、基板Ｂの表面で反射した光と、が干渉し、干渉した光が計測手段２２のセンサ２２ｃに入射する。フラックス量算出部２３２は、センサ２２ｃから入力される電気信号に基づき、基板Ｂの各電極それぞれに塗布されたフラックス（平面視で円状）の径や厚さを算出し、さらに、その体積Ｖを１つ１つの電極について算出する。

ステップＳ１０３においてフラックス検査装置２は、判定処理部２３３（図３参照）によって、ステップＳ１０２で算出したフラックスの体積Ｖが所定閾値Ｖ１以下であるか否かを判定する。この所定閾値Ｖ１は、検査手段２３の記憶部２３１（図３参照）に格納されている閾値情報２３１ｃであり、前記したように、フラックスが不足しているか否かの判定基準となる閾値である。

フラックスの体積Ｖが所定閾値Ｖ１以下である場合（Ｓ１０３：Ｙｅｓ）、フラックス検査装置２の処理はステップＳ１０４に進む。ステップＳ１０４においてフラックス検査装置２は、フラックス不足であった電極の電極識別情報を記憶し、ステップＳ１０５の処理に進む。
また、フラックスの体積Ｖが所定閾値Ｖ１よりも大きい場合（Ｓ１０３：Ｎｏ）、フラックス検査装置２の処理はステップＳ１０５に進む。この場合、対象とする電極にはフラックスが十分に塗布されている。

ステップＳ１０５においてフラックス検査装置２は、検査対象とした電極がＭ行Ｎ列目の電極である（つまり、全ての電極について検査した）か否かを判定する。検査対象とした電極がＭ行Ｎ列目の電極である場合（Ｓ１０５：Ｙｅｓ）、フラックス検査装置２の処理はステップＳ１０６に進む。
ステップＳ１０６においてフラックス検査装置２は、検査結果をフラックスリペア装置３（図１参照）の制御手段３４（図４参照）に出力する。この検査結果には、フラックス不足である電極の電極識別情報が含まれている。

また、ステップＳ１０５において、検査対象とした電極がＭ行Ｎ列目の電極でない場合（Ｓ１０５：Ｎｏ）、フラックス検査装置２の処理はステップＳ１０７に進む。ステップＳ１０７においてフラックス検査装置２は、行番号ｍ、列番号ｎのうち少なくとも一方を所定に変更し、ステップＳ１０２の処理に進む。

図７（ａ）は、全ての電極に適量のフラックスが塗布された状態の基板Ｂの説明図（平面図）である。図７（ａ）に示すように、基板Ｂの全ての電極に適量（体積Ｖ≧Ｖ１）のフラックスが塗布されている場合には、「フラックス不足の電極がない」ことを示す検査結果が、フラックス検査装置２からフラックスリペア装置３に出力される（Ｓ１０６：図６参照）。
図７（ｂ）は、フラックス不足の電極が存在する基板Ｂの説明図（平面図）である。図７（ｂ）に示すように、フラックスが不足している電極（２行１列目、３行１列目：符号Ｋを参照）や、フラックスが塗布されていない電極（３行２列目：符号Ｌを参照）が存在する場合、これらの電極の電極識別情報がフラックスリペア装置３に出力される（Ｓ１０６：図６参照）。

図８は、フラックスリペア装置３が実行する処理を示すフローチャートである。なお、図８に示す「ＳＡＴＡＲＴ」時において、フラックス検査済みの基板Ｂが、位置合わせした状態でフラックスリペア装置３（図１参照）のテーブル（図示せず）に載置されているものとする。
ステップＳ２０１においてフラックスリペア装置３は、フラックス検査装置２によるフラックス検査の結果を読み込む。
ステップＳ２０２においてフラックスリペア装置３は、ステップＳ２０１で読み込んだ情報に基づき、フラックス不足の電極が存在するか否かを判定する。

フラックス不足の電極が存在する場合（Ｓ２０２：Ｙｅｓ）、フラックスリペア装置３の処理はステップＳ２０３に進む。一方、フラックス不足の電極が存在しない場合（Ｓ２０２：Ｎｏ）、フラックスリペア装置３は処理を終了し（ＥＮＤ）、この基板Ｂを下流側の半田ボール搭載装置４（図１参照）に搬出する。

ステップＳ２０３においてフラックスリペア装置３は、記憶部３４１（図４参照）に格納されている電極位置情報３４１ｂを参照し、フラックス不足である電極のｘ，ｙ方向の位置を特定する。
ステップＳ２０４においてフラックスリペア装置３は、ステップＳ２０３で特定した位置に、リペアノズル３２（図１参照）を用いてフラックスを塗布する。これによって、フラックス印刷装置１では十分な量のフラックスが塗布されなかった電極に、フラックスが塗布される。

ステップＳ２０５においてフラックスリペア装置３は、他にフラックス不足の電極が存在するか否かを判定する。他にフラックス不足の電極が存在する場合（Ｓ２０５：Ｙｅｓ）、フラックスリペア装置３の処理はステップＳ２０３に進む。一方、他にフラックス不足の電極が存在しない場合（Ｓ２０５：Ｎｏ）、フラックスリペア装置３は処理を終了する（ＥＮＤ）。

＜効果＞
本実施形態によれば、フラックス検査装置２によって基板Ｂの各電極に塗布されたフラックスが不足しているか否かが検査され、フラックスリペア装置３によってフラックス不足の電極にフラックスが塗布される。したがって、半田ボールの位置ずれや溶融時の酸化が起きにくくなり、基板Ｂにバンプを形成する際の歩留まりを高めることができる。
また、基板Ｂの表面の状態を、例えば、白色干渉法によって三次元的に計測することで、各電極に塗布された透明のフラックスの体積を正確に算出することができる。

また、基板Ｂに実装される電子部品の小型化・高密度化に伴い、フラックス塗布用のマスク１１（図２参照）の孔のピッチや径が非常に小さくなり、全ての電極に適量のフラックスを塗布することが困難になる。本実施形態では、リペアノズル３２（図１参照）を用いてフラックス不足の電極にそれぞれ個別にフラックスを塗布することで、基板Ｂの全ての電極に適量のフラックスを塗布することができる。

≪第２実施形態≫
第２実施形態に係る基板処理システムＳ２（図９参照）は、第１実施形態で説明した基板処理システムＳ１（図１参照）からフラックスリペア装置３（図１参照）を省略し、検査・リペア装置７（図９参照）においてフラックスのリペア（フラックス付きの半田ボールの搭載）を行う構成になっている。また、第２実施形態は、フラックスに関する検査の結果を反映させて、フラックス印刷装置１（図９参照）においてマスク１１の清掃等を行う点が第１実施形態とは異なっている。したがって、第１実施形態とは異なる部分（フラックス印刷装置１が備える制御手段１８、及び検査・リペア装置７）について説明し、第１実施形態と重複する部分については説明を省略する。

＜基板処理システムの構成＞
図９は、第２実施形態に係る基板処理システムＳ２の構成図である。
基板処理システムＳ２は、フラックス印刷装置１と、フラックス検査装置２と、半田ボール搭載装置４と、検査・リペア装置７と、を備えている。
図９に示すように、下流側に向かって順に、フラックス印刷装置１、フラックス検査装置２、半田ボール搭載装置４、及び検査・リペア装置７が配置されている。

図１０は、フラックス印刷装置１が備える制御手段１８の機能ブロック図である。
制御手段１８（検査結果反映手段）は、フラックス印刷装置１が備えるスキージヘッド１５（図２参照）、シリンダ１６（図２参照）、マスク清掃装置１７（図２参照）等を制御するものであり、図示はしないが、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、各種インタフェース等の電子回路を含んで構成される。
図１０に示すように、制御手段１８は、記憶部１８１と、制御部１８２と、を備えている。記憶部１８１には、清掃条件情報１８１ａと、フラックス供給条件情報１８１ｂと、スキージ制御情報１８１ｃと、を含むデータが格納されている。

清掃条件情報１８１ａとは、マスク清掃装置１７（図２参照）によってマスク１１（図２参照）の清掃を行う際の「清掃条件」を示す情報である。前記したように、スキージ１５ｂ（図２参照）をマスク１１に押し当てながら印刷することで基板Ｂにフラックスが塗布されるが、スキージ１５ｂによる印刷回数が増加すると、マスク１１の目詰まりや滲みが生じやすくなる。
ここでマスク１１の「目詰まり」とは、マスク１１に設けられた孔にフラックスが詰まることである。マスク１１の「滲み」とは、マスク１１の裏面において孔の周りにフラックスが付着することである。このようなマスク１１の目詰まりや滲みが解消（又は抑制）されるように、予め「清掃条件」が設定されている。

前記した「清掃条件」として、例えば、スキージ１５ｂの印刷回数が所定回数に達するという条件や、この印刷回数が所定回数に達する前にマスク１１で目詰まりや滲みが生じた、という条件が挙げられる。
なお、マスク１１に設けられた複数の孔のうち、ｓ行ｔ列の孔が目詰まりしている場合、フラックス検査装置２（図９参照）によって「ｓ行ｔ列の電極がフラックス不足である」と判定されることが多い。
また、マスク１１に設けられた複数の孔のうちｓ行ｔ列の孔の周りで滲みが生じている場合、フラックス検査装置２によって「ｓ行ｔ列の電極でフラックスが通常よりも広範囲に塗布されている」と判定されることが多い。
このような検査結果が、次々と処理される基板Ｂについてフラックス検査装置２から頻繁に（所定回数連続して、又は、所定値以上の頻度で）出力された場合には「清掃条件」が成立したとして、通常よりも早期にマスク１１の清掃が行われる。

ちなみに、フラックス検査装置２（図９参照）は、基板Ｂの電極に塗布されたフラックスの面積が所定値以上である場合に、「フラックスが通常よりも広範囲に塗布されている」（つまり、マスク１１で滲みが生じている）と判定するようになっている。

図１０に示すフラックス供給条件情報１８１ｂとは、シリンダ１６（図２参照）からマスク１１上にフラックスを供給する際の「フラックス供給条件」を示す情報である。この「フラックス供給条件」として、例えば、スキージ１５ｂ（図２参照）の印刷回数が所定回数に達するという条件や、この印刷回数が所定回数に達する前にマスク１１上のフラックスが少なくなった、という条件が挙げられる。

なお、マスク１１上のフラックスが少なくなると、それに伴って、基板Ｂの各電極に塗布されるフラックスの量も少なくなり、フラックス検査装置２によって「フラックス不足である」と判定される電極が多くなる。したがって、フラックス不足の電極が基板Ｂにおいて広範囲に存在する場合には「フラックス供給条件」が成立したとして、通常よりも早期にフラックスが供給される。

図１０に示すスキージ制御情報１８１ｃとは、スクレーパ１５ａ又はスキージ１５ｂ（図２参照）の押圧力（印圧）、移動速度等を調整するための制御情報と、これらの制御情報を変更する際の「設定変更条件」と、を含む情報である。通常は、スクレーパ１５ａ又はスキージ１５ｂの押圧力及び移動速度は一定であるが、場合によっては、これらの値を変更した方がよいこともある。

例えば、基板Ｂへのフラックスの塗布量が全体的に不足しているとフラックス検査装置２によって判定された場合には「設定変更条件」が成立したとして、スクレーパ１５ａ又はスキージ１５ｂ（図２参照）の押圧力等が変更される。具体的には、制御手段１８は、スクレーパ１５ａ又はスキージ１５ｂの移動速度を遅くしたり、スクレーパ１５ａ又はスキージ１５ｂの押圧力を大きくしたりすることで、基板Ｂの各電極に塗布される（押し出される）フラックスの量を増加させる。

図１０に示す清掃制御部１８２ａは、前記した「清掃条件」が成立している場合に、マスク清掃装置１７（図２参照）によってマスク１１（図２参照）の裏面を清掃する機能を有している。
シリンダ制御部１８２ｂは、前記した「フラックス供給条件」が成立している場合に、シリンダ１６（図２参照）によってマスク１１上にフラックスを供給する機能を有している。
スキージ制御部１８２ｃは、前記した「設定変更条件」が成立している場合に、スクレーパ１５ａ又はスキージ１５ｂに関する設定値を変更し、スキージヘッド１５（図２参照）を駆動する機能を有している。
なお、清掃制御部１８２ａ、シリンダ制御部１８２ｂ、及びスキージ制御部１８２ｃが実行する処理については後記する。

図９に示す検査・リペア装置７（半田ボール検査手段、リペア手段）は、基板Ｂに半田ボールが搭載されているか否かを検査する機能を有している。また、検査・リペア装置７は、半田ボールの有無に関する検査結果と、フラックス検査装置２の検査結果と、に基づいて、基板Ｂに半田ボール（又はフラックス付きの半田ボール）を搭載する機能も有している。

図１１は、検査・リペア装置７の模式的な平面図である。
図１１に示すように、検査・リペア装置７は、テーブル７１と、カメラ７２と、移動手段７３，７８と、リペアノズル７４と、不要ボール容器７５と、半田ボール容器７６と、フラックス貯留容器７７と、制御手段７９（図１２参照）と、を備えている。
テーブル７１は、基板Ｂが載置されるテーブルであり、コンベア６ｇから搬入された基板Ｂを受け取り、半田ボールやフラックスのリペア処理が施された基板Ｂをコンベア６ｉに搬出するようになっている。

カメラ７２は、検査・リペア装置７内の所定箇所に印刷された位置合わせマークと、基板Ｂの位置合わせマークと、を撮像する２視野カメラであり、移動手段７３によってｘ，ｙ方向に移動可能になっている。なお、カメラ７２は、基板Ｂの位置合わせの他、基板Ｂの各電極に半田ボールが搭載されているかを検査する際にも用いられる。

リペアノズル７４は、フラックス検査装置２（図９参照）によってフラックス不足であると判定された電極上の半田ボールや、位置ずれや潰れが生じている半田ボールを取り除き、新たな半田ボールを搭載するためのノズルである。不要ボール容器７５は、リペアノズル７４によって基板Ｂから取り除かれた不要な半田ボールを収容する容器である。

半田ボール容器７６は、リペアノズル７４によって基板Ｂに新たに搭載される半田ボールを収容する容器である。フラックス貯留容器７７は、液状のフラックスが貯留されている容器である。移動機構７８は、例えば、逆Ｕ字状を呈するガントリであり、リペアノズル７４をｘ，ｙ，ｚ方向に移動させるようになっている。

図１２は、検査・リペア装置７が備える制御手段７９の機能ブロック図である。
制御手段７９は、カメラ７２から入力される画像情報に基づいて、リペアノズル７４（図１１参照）の位置や、リペアノズル７４からのフラックスの供給を制御するものである。制御手段７９は、図示はしないが、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、各種インタフェース等の電子回路を含んで構成される。

図１２に示すように、制御手段７９は、記憶部７９１と、制御部７９２と、を備えている。
記憶部７９１には、基板Ｂの各電極に割り当てられた電極識別情報７９１ａと、各電極の位置を示す電極位置情報７９１ｂと、が格納されている。なお、電極識別情報７９１ａ及び電極位置情報７９１ｂは、フラックス検査装置２（図９参照）の記憶部（図示せず）に格納されている電極識別情報及び電極位置情報と同様である。

制御部７９２は、半田ボール検査部７９２ａと、リペアノズル制御部７９２ｂと、を備えている。
半田ボール検査部７９２ａは、カメラ７２から入力される画像情報に基づき、基板Ｂの各電極に半田ボールが搭載されているかを検査する機能を有している。
リペアノズル制御部７９２ｂは、フラックス検査装置２（図９参照）の検査手段２３から入力される検査結果と、半田ボール検査部７９２ａの検査結果と、に基づいて、リペアノズル７４を制御する機能を有している。なお、リペアノズル制御部７９２ｂが実行する処理については後記する。

＜基板処理システムの動作＞
図１３は、フラックス印刷装置１が実行する処理を示すフローチャートである。
フラックス印刷装置１（図９参照）は、次々と搬送されてくる基板Ｂの各電極にフラックスを塗布するとともに、以下で説明するように、下流側に配置されたフラックス検査装置２（図９参照）の検査結果を反映させる処理を行う。なお、図１３に示すフローチャートでは、フラックスを塗布する際の基板Ｂの位置調整や、スクレーパ１５ａ又はスキージ１５ｂ（図２参照）の移動等に関する処理については省略している。

ステップＳ３０１においてフラックス印刷装置１は、フラックス検査装置２から入力されるフラックス検査の結果を読み込む。なお、ステップＳ３０１で読み込まれる情報は、例えば、フラックス検査装置２によって直近に検査された一又は複数の基板Ｂに関する検査結果（フラックス不足の電極の電極識別情報）である。

ステップＳ３０２においてフラックス印刷装置１は、前記した「清掃条件」が成立しているか否かを判定する。すなわち、フラックス検査装置２は、記憶部１８１（図１０参照）に格納されている清掃条件情報１８１ａを参照し、ステップＳ３０１で読み込んだフラックス検査の結果に基づいて、フラックス塗布用のマスク１１で目詰まりや滲みが生じていないかを判定する。

清掃条件が成立している場合（Ｓ３０２：Ｙｅｓ）、フラックス印刷装置１の処理はステップＳ３０３に進む。ステップＳ３０３においてフラックス印刷装置１は、マスク清掃処理を実行する。すなわち、フラックス印刷装置１は、清掃制御部１８２ａ（図１０参照）によってマスク清掃装置１７（図２参照）を駆動し、マスク１１の裏面を清掃する。これによって、マスク１１の滲みや目詰まりが解消され、次回からのフラックスの塗布を適切に行うことができる。
また、ステップＳ３０２で清掃条件が成立していない場合（Ｓ３０２：Ｎｏ）、フラックス印刷装置１の処理はステップＳ３０４に進む。

ステップＳ３０４においてフラックス印刷装置１は、前記した「フラックス供給条件」が成立しているか否かを判定する。すなわち、フラックス印刷装置１は、記憶部１８１（図１０参照）に格納されているフラックス供給条件情報１８１ｂを参照し、ステップＳ３０１で読み込んだフラックス検査の結果に基づいて、マスク１１上のフラックスが不足しているか否かを判定する。

フラックス供給条件が成立している場合（Ｓ３０４：Ｙｅｓ）、フラックス印刷装置１の処理はステップＳ３０５に進む。ステップＳ３０５においてフラックス印刷装置１は、フラックス供給処理を実行する。すなわち、フラックス印刷装置１は、シリンダ制御部１８２ｂ（図１０参照）によって、シリンダ１６（図２参照）からマスク１１上にフラックスを供給する。これによって、マスク１１上のフラックス不足が解消されるため、次回からのフラックスの塗布を適切に行うことができる。
また、ステップＳ３０４でフラックス供給条件が成立していない場合（Ｓ３０４：Ｎｏ）、フラックス印刷装置１の処理はステップＳ３０６に進む。

ステップＳ３０６においてフラックス印刷装置１は、前記した「設定変更条件」が成立しているか否かを判定する。すなわち、フラックス印刷装置１は、記憶部１８１（図１０参照）に格納されているスキージ制御情報１８１ｃを参照し、ステップＳ３０１で読み込んだフラックス検査の結果に基づいて、スクレーパ１５ａ又はスキージ１５ｂ（図２参照）の押圧力や移動速度を変更すべきか否かを判定する。

設定変更条件が成立している場合（Ｓ３０６：Ｙｅｓ）、フラックス印刷装置１の処理はステップＳ３０７に進む。例えば、１枚の基板Ｂの各電極に塗布されたフラックスの量が通常よりも全体的に少ない場合、フラックス印刷装置１は「設定変更条件」が成立したと判定する。なお、各電極のフラックスの塗布量を示す数値を、電極識別情報とともに検査手段２３から取得し、フラックスの塗布量が通常よりも少ないか否かを判定するようにしてもよい。

ステップＳ３０７においてフラックス印刷装置１は、設定変更処理を実行する。すなわち、フラックス印刷装置１は、スクレーパ１５ａ又はスキージ１５ｂ（図２参照）の押圧力を大きくしたり、その移動速度を遅くしたりすることでフラックスの塗布量を増加させる。これによって、次回から基板Ｂの各電極に十分な量のフラックスが塗布される。
なお、スクレーパ１５ａ又はスキージ１５ｂの押圧力の上昇と、その移動速度の低下のうち、一方のみを行ってもよいし、両方を行うようにしてもよい。
ステップＳ３０７の処理を行った後、フラックス印刷装置１の処理は「ＳＴＡＲＴ」に戻る（ＲＥＴＵＲＮ）。つまり、フラックス印刷装置１は、下流側のフラックス検査装置２によって一又は複数の基板が処理されるたびに、その検査結果を反映させる処理を行う。

図１４は、検査・リペア装置７が実行する処理を示すフローチャートである。
なお、検査・リペア装置７（図９参照）よりも上流側に配置されている半田ボール搭載装置４（図９参照）では、フラックス不足の電極の有無に関わらず、基板Ｂの全ての電極に半田ボールが搭載されるものとする。

ステップＳ４０１において検査・リペア装置７は、半田ボール検査を実行する。すなわち、検査・リペア装置７は、カメラ７２（図９、図１２参照）から入力される画像情報に基づき、半田ボール検査部７９２ａ（図１２参照）によって、基板Ｂの各電極に半田ボールが搭載されているか否かを検査し、その検査結果を記憶部７９１（図１２参照）に格納する。

ステップＳ４０２において検査・リペア装置７は、対象とする基板Ｂに関するフラックス検査の結果を読み込む。なお、フラックス検査の結果には、フラックス検査装置２によってフラックス不足であると判定された電極の電極識別情報（フラックス不足の電極がない場合には、その旨の情報）が含まれている。

ステップＳ４０３において検査・リペア装置７は、対象とする基板Ｂにおいてフラックス不足の電極が存在するか否かを判定する。フラックス不足の電極が存在する場合（Ｓ４０３：Ｙｅｓ）、検査・リペア装置７の処理はステップＳ４０４に進む。一方、フラックス不足の電極が存在しない場合（Ｓ４０３：Ｎｏ）、検査・リペア装置７の処理はステップＳ４１０に進む。

ステップＳ４０４において検査・リペア装置７は、フラックス不足の電極のうち一つについて、記憶部７９１（図１２参照）に格納されている電極位置情報７９１ｂに基づき、その位置を特定する。
ステップＳ４０５において検査・リペア装置７は、ステップＳ４０１の半田ボール検査の結果に基づき、フラックス不足の電極に半田ボールが搭載されているか否かを判定する。半田ボールが搭載されている場合（Ｓ４０５：Ｙｅｓ）、検査・リペア装置７の処理はステップＳ４０６に進む。一方、半田ボールが搭載されていない場合（Ｓ４０５：Ｎｏ）、検査・リペア装置７の処理はステップＳ４０７に進む。

ステップＳ４０６において検査・リペア装置７は、リペアノズル７４（図９、図１１参照）を用いて、フラックス不足の電極に搭載されている半田ボールを取り除く。
図１５は、リペアノズル７４によって半田ボールを除去し、さらに、フラックス付きの半田ボールを搭載する過程を示す説明図である。図１５（ａ）に示すように、検査・リペア装置７は、フラックス不足の電極Ｑ１に搭載された半田ボールをリペアノズル７４によって吸引し、この半田ボールを電極Ｑ１から取り除く。ちなみに、半田ボールにフラックスが付着するため、半田ボールを取り除いた後の電極Ｑ１にはフラックスがほとんど残っていない。そして、図１５（ｂ）に示すように、検査・リペア装置７は、リペアノズル７４によって吸引した半田ボールを不要ボール容器７５に落とす。

図１４のステップＳ４０７において検査・リペア装置７は、新たな半田ボールにフラックスを付ける。すなわち、図１５（ｃ）に示すように、検査・リペア装置７は、半田ボール容器７６に収容されている半田ボールをリペアノズル７４で吸引し、図１５（ｄ）に示すように、吸引した半田ボールにフラックス貯留容器７７内のフラックスを付ける。

図１４のステップＳ４０８において検査・リペア装置７は、ステップＳ４０６で半田ボールを取り除いた電極に、フラックス付きの半田ボールを搭載する。すなわち、図１５（ｅ）に示すように、検査・リペア装置７は、半田ボールを取り除いた電極Ｑ１の真上までリペアノズル７４を移動させ、リペアノズル７４で吸引したフラックス付きの半田ボールを電極Ｑ１に搭載する。これによって、半田ボールの溶融時の塗れ不良や酸化を防止できる。
なお、不要な半田ボールを除去するためのリペアノズルと、半田ボールを新たに搭載するためのリペアノズルと、を別々に設けるようにしてもよい。

図１４のステップＳ４０９において検査・リペア装置７は、他にフラックス不足の電極が存在するか否かを判定する。他にフラックス不足の電極が存在する場合（Ｓ４０９：Ｙｅｓ）、検査・リペア装置７の処理はステップＳ４０４に進む。一方、他にフラックス不足の電極が存在しない場合（Ｓ４０９：Ｎｏ）、検査・リペア装置７の処理はステップＳ４１０に進む。

ステップＳ４１０において検査・リペア装置７は、現時点で半田ボールが搭載されていない電極が存在するか否かを判定する。すなわち、検査・リペア装置７は、ステップＳ４０１の半田ボール検査によって「半田ボールなし」と判定された電極から、フラックス付きの半田ボールを新たに搭載した電極（Ｓ４０５：Ｎｏ、Ｓ４０７）を除いたものを、現時点で半田ボールが搭載されていない電極として特定する。
半田ボールが搭載されていない電極が存在する場合（Ｓ４１０：Ｙｅｓ）、検査・リペア装置７の処理はステップＳ４１１に進む。一方、全ての電極に半田ボールが搭載されている場合（Ｓ４１０：Ｎｏ）、検査・リペア装置７は処理を終了する（ＥＮＤ）。

ステップＳ４１１において検査・リペア装置７は、半田ボールが搭載されていない電極のうち一つについて、記憶部７９１（図１２参照）に格納されている電極位置情報７９１ｂに基づき、この電極の位置を特定する。
ステップＳ４１２において検査・リペア装置７は、ステップＳ４１１で位置を特定した電極に、フラックスを付けていない半田ボールを搭載する。
ステップＳ４１３において検査・リペア装置７は、他に半田ボールが搭載されていない電極が存在するか否かを判定する。半田ボールが搭載されていない電極が存在する場合（Ｓ４１３：Ｙｅｓ）、検査・リペア装置７の処理はステップＳ４１１に進む。一方、全ての電極に半田ボールが搭載されている場合（Ｓ４１３：Ｎｏ）、検査・リペア装置７は処理を終了する（ＥＮＤ）。

＜効果＞
本実施形態によれば、マスク１１の目詰まりや滲みが生じている（マスク清掃条件が成立している）場合、通常よりも早期にマスク１１の清掃を行うことで、マスク１１の目詰まり等を解消できる。したがって、次回からのフラックスの塗布を適切に行うことができる。
また、基板Ｂへのフラックスの塗布量が全体的に不足している（フラックス供給条件及び／又は設定変更条件が成立している）場合、通常よりも早期にフラックスを供給したり、スクレーパ１５ａ又はスキージ１５ｂの押圧力等を変更したりすることで、フラックスの塗布量を増加させることができる。
このように、フラックス検査装置２の検査結果をフラックス印刷装置１に反映させることで、半田ボールの位置ずれや溶融時の酸化を防止し、ひいては基板Ｂにバンプを形成する際の歩留まりを向上させることができる。

また、半田ボールのリペアを行う際、対象とする電極がフラックス不足である場合にはフラックス付きの半田ボールが搭載され（Ｓ４０８）、十分な量のフラックスが塗布されている電極には、フラックスを付けていない半田ボールが搭載される（Ｓ４１２）。
このようにフラックス検査の結果に応じて、フラックス付き／フラックスなしの半田ボールを選択的に搭載するため、各電極に適量のフラックスを塗布できる。したがって、基板Ｂにバンプを形成する際の歩留まりを従来よりも大幅に高めることができる。

≪第３実施形態≫
第３実施形態に係る基板処理システムＳ３（図１６参照）は、第２実施形態の構成からフラックス検査装置２（図９参照）を省略し、検査・リペア装置７Ａ（図１６参照）においてフラックスの検査も行う構成になっている。また、第３実施形態は、第２実施形態のように全ての電極についてフラックス検査を行うのではなく、半田ボールが搭載されていない電極についてのみ部分的にフラックス検査を行う点が異なっている。したがって、第２実施形態と異なる部分について説明し、重複する部分については説明を省略する。

＜基板処理システムの構成＞
図１６は、第３実施形態に係る基板処理システムＳ３の構成図である。
基板処理システムＳ３は、フラックス印刷装置１と、半田ボール搭載装置４と、検査・リペア装置７Ａと、を備えている。図１６に示すように、下流側に向かって順に、フラックス印刷装置１、半田ボール搭載装置４、及び検査・リペア装置７Ａが配置されている。

検査・リペア装置７Ａ（半田ボール検査手段、第１フラックス検査手段、リペア手段）は、第２実施形態で説明した構成（図９、図１１参照）に加えて、基板Ｂの表面の状態を三次元的に計測する計測手段８０を備えている。なお、計測手段８０の構成については、第１実施形態で説明した計測手段２２（図１参照）と同様であるから説明を省略する。また、検査・リペア装置７Ａは、以下で説明する半田ボール検査、フラックス検査、及び半田ボールの搭載を行う制御手段８１（図１７参照）を備えている。

図１７は、検査・リペア装置７Ａが備える制御手段８１の機能ブロック図である。
制御手段８１は、各電極について半田ボール検査を行い、さらに、半田ボールが搭載されていない電極について部分的にフラックス検査を行う機能を有している。また、制御手段８１は、リペアノズル７４（図１６参照）の位置等を制御する機能を有し、図示はしないが、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、各種インタフェース等の電子回路を含んで構成される。

図１７に示すように、制御手段８１は、記憶部８１１と、制御部８１２と、を備えている。記憶部８１１には、基板Ｂの各電極に割り当てられた電極識別情報８１１ａと、各電極の位置を示す電極位置情報８１１ｂと、各電極に塗布されたフラックスが不足しているかの判定に用いられる閾値情報８１１ｃと、が格納されている。

制御部８１２は、半田ボール検査部８１２ａと、フラックス検査部８１２ｂと、リペアノズル制御部８１２ｃと、を備えている。
半田ボール検査部８１２ａは、カメラ７２から入力される画像情報に基づき、半田ボールが搭載されているか否かを基板Ｂの各電極について検査する機能を有している。
フラックス検査部８１２ｂは、計測手段８０（図１６参照）のセンサ８０ａから入力される情報に基づいて、半田ボールが搭載されていない電極に適量のフラックスが塗布されているか否かを検査する機能を有している。
リペアノズル制御部８１２ｃは、半田ボール検査部８１２ａの検査結果と、フラックス検査部８１２ｂの検査結果と、に基づいて、リペアノズル７４（図１６参照）を制御する機能を有している。

図１８は、検査・リペア装置７Ａが実行する処理を示すフローチャートである。
なお、図１８に示す「ＳＴＡＲＴ」時には、フラックス印刷装置１（図１６参照）によって各電極にフラックスが塗布され、さらに、半田ボール搭載装置４（図１６参照）によって各電極に半田ボールが搭載された基板Ｂが、検査・リペア装置７Ａのテーブルに位置合わせした状態で載置されているものとする。

ステップＳ５０１において検査・リペア装置７Ａは、半田ボール検査部８１２ａ（図１７参照）によって半田ボール検査を実行する。すなわち、検査・リペア装置７Ａは、カメラ７２（図１７参照）から入力される画像情報に基づいて、基板Ｂの各電極に半田ボールが搭載されているか否かを検査する。
ステップＳ５０２において検査・リペア装置７Ａは、ステップＳ５０１の半田ボール検査の結果に基づき、半田ボールが搭載されていない電極が存在するか否かを判定する。全ての電極に半田ボールが搭載されている場合（Ｓ５０２：Ｎｏ）、検査・リペア装置７Ａは処理を終了する（ＥＮＤ）。一方、半田ボールが搭載されていない電極が存在する場合（Ｓ５０２：Ｙｅｓ）、検査・リペア装置７Ａの処理はステップＳ５０３に進む。

ステップＳ５０３において検査・リペア装置７Ａは、半田ボールが搭載されていない電極のうち一つについて、記憶部８１１（図１７参照）に格納されている電極位置情報８１１ｂに基づき、この電極の位置を特定する。
ステップＳ５０４において検査・リペア装置７Ａは、ステップＳ５０３で位置を特定した電極について、フラックスの体積Ｖを算出する。つまり、検査・リペア装置７Ａは、半田ボールが搭載されていない電極について、計測手段８０のセンサ８０ａから入力される情報に基づき、この電極に塗布されているフラックスの量を算出する。

ステップＳ５０５において検査・リペア装置７Ａは、ステップＳ５０４で算出したフラックスの体積Ｖが所定閾値Ｖ１以下であるか否かを判定する。フラックスの体積Ｖが所定閾値Ｖ１以下である場合（Ｓ５０５：Ｙｅｓ）、検査・リペア装置７Ａの処理はステップＳ５０６に進む。
ステップＳ５０６において検査・リペア装置７Ａは、リペアノズル７４（図１６参照９によって半田ボール容器（図示せず）から半田ボールを吸引し、さらに、この半田ボールにフラックスを付ける。
ステップＳ５０７において検査・リペア装置７Ａは、対象とする電極にフラックス付きの半田ボールを搭載する。つまり、検査・リペア装置７Ａは、半田ボールが搭載されておらず（Ｓ５０２：Ｙｅｓ）、かつ、フラックス不足である電極に（Ｓ５０５：Ｙｅｓ）、フラックス付きの半田ボールを搭載する。これによって、この電極に十分な量のフラックスが塗布され、さらに半田ボールを搭載できる。

また、ステップＳ５０５で体積Ｖが所定閾値Ｖ１よりも大きい場合（Ｓ５０５：Ｎｏ）、検査・リペア装置７Ａの処理はステップＳ５０８に進む。
ステップＳ５０８において検査・リペア装置７Ａは、対象とする電極に半田ボールを搭載する。つまり、検査・リペア装置７Ａは、半田ボールは搭載されていないが（Ｓ５０２：Ｙｅｓ）、フラックスは十分に塗布されている電極には（Ｓ５０５：Ｎｏ）、フラックスを付けていない半田ボールを搭載する。これによって、電極に多量のフラックスが塗布されることを防止し、ひいては、フラックス残渣の発生を抑制できる。

ステップＳ５０９において検査・リペア装置７Ａは、他に半田ボールが搭載されていない電極が存在するか否かを判定する。半田ボールが搭載されていない電極が存在する場合（Ｓ５０９：Ｙｅｓ）、検査・リペア装置７Ａの処理はステップＳ５０３に進む。一方、全ての電極に半田ボールが搭載されている場合（Ｓ５０９：Ｎｏ）、検査・リペア装置７Ａは処理を終了する（ＥＮＤ）。

＜効果＞
本実施形態によれば、半田ボールのリペアを行う際、その電極がフラックス不足である場合にはフラックス付きの半田ボールが搭載され（Ｓ５０７）、十分な量のフラックスが塗布されている電極には、フラックスを付けていない半田ボールが搭載される（Ｓ５０８）。
このようにフラックス検査の結果に応じて、フラックス付き／フラックスなしの半田ボールを選択的に搭載するため、各電極に適量のフラックスを塗布できる。したがって、基板Ｂにバンプを形成する際の歩留まりを従来よりも高めることができる。

また、検査・リペア装置７は、基板Ｂの各電極のうち半田ボールが搭載されていない電極についてのみ、部分的にフラックス検査を行う。したがって、各電極の全てについてフラックス検査を行う第１、第２実施形態と比較して、単位時間当たりの基板Ｂの処理数を増やすことができる。

≪変形例≫
以上、本発明に係る基板処理システムＳ１，Ｓ２，Ｓ３について説明したが、本発明は、これらの各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更できる。
例えば、各実施形態では、基板Ｂの各電極に塗布されたフラックスの体積に基づいて、フラックスが不足しているか否かを判定する場合について説明したが、これに限らない。すなわち、計測手段２２（図１参照）のセンサ２２ｃから入力される情報に基づいてフラックスの面積を算出し、その面積が所定閾値以下である場合に「フラックスが不足している」と判定するようにしてもよい。

同様に、基板Ｂの各電極に塗布されたフラックスの高さ（厚さ）に基づいてフラックスが不足しているか否かを検査してもよいし、また、平面視で円状を呈するフラックスの径に基づいてフラックスが不足しているか否かを検査してもよい。
また、基板Ｂの各電極に塗布されたフラックスの径、面積、高さ、及び体積のうち少なくとも一つ（例えば、フラックスの径と高さ）に基づいて、フラックスが不足しているか否かを検査するようにしてもよい。

また、各実施形態では、基板Ｂに塗布されたフラックスを白色干渉法等によって三次元的に計測する場合について説明したが、これに限らない。例えば、二次元の情報から、前記したようにフラックスの面積等を算出するようにしてもよい。

また、第２実施形態では、フラックス検査の結果に基づいて、マスク清掃処理（Ｓ３０３：図１３参照）、フラックス供給処理（Ｓ３０５）、及び設定変更処理（Ｓ３０７）を行う場合について説明したが、これに限らない。すなわち、前記した三つの処理のうち少なくとも一つを行うようにしてもよい。

また、第２実施形態において、フラックス検査の結果をフラックス印刷装置１に反映させない（図１３に示す各処理を行わない）ようにしてもよい。この場合でも、検査・リペア装置７によって、基板Ｂの各電極に適量のフラックスを塗布し、さらに半田ボールを搭載できる（図１４参照）。

また、各実施形態は、適宜組み合わせることができる。例えば、第１実施形態の構成（図１参照）において、第２実施形態で説明したように、フラックス検査の結果に基づくマスク清掃処理（Ｓ３０３：図１３参照）、フラックス供給処理（Ｓ３０５）、及び設定変更処理（Ｓ３０７）のうち少なくとも一つを実行するようにしてもよい。同様に、第３実施形態で説明したフラックス印刷装置１において、検査・リペア装置７Ａによるフラックス検査の結果を反映させるようにしてもよい。

また、例えば、第１実施形態と第３実施形態とを組み合わせて、以下のように構成してもよい。すなわち、下流側に向かって順に、フラックス印刷装置１（図１参照）、フラックス検査装置２（第２フラックス検査手段：図１参照）、フラックスリペア装置３（図１参照）、半田ボール搭載装置４（図１参照）、及び検査・リペア装置７Ａ（図１６参照）を配置するようにしてもよい。
前記した構成において、検査・リペア装置７Ａは、半田ボール検査によって「半田ボールあり」と判定された電極のうち、上流側のフラックス検査装置２の検査結果として「フラックス不足である」と判定された電極が存在する場合、この電極に搭載されている半田ボールを取り除いた後、この電極にフラックス付きの半田ボールを搭載する。これによって、フラックス不足のまま半田ボールが溶融（リフロー）されることを防止できる。
また、前記した構成において、検査・リペア装置７Ａは、半田ボール検査によって「半田ボールなし」と判定された電極については、検査・リペア装置７Ａによって部分的なフラックス検査を行う。つまり、「半田ボールなし」である電極については、フラックス検査装置２及び検査・リペア装置７Ａによって、フラックス検査を１回ずつ（合計２回）行う。
これは、基板Ｂの電極に十分な量のフラックスが塗布されている場合でも、振動等によって、その電極に搭載された半田ボールが転げ落ちる可能性があるからである。なお、半田ボールが転げ落ちると、その電極に塗布されていたフラックスの大部分が半田ボールに付着して除去される。つまり、上流側のフラックス検査装置２によって「フラックスが十分に塗布されている」と判定された電極に関しても、その後にフラックス不足になることがある。したがって、半田ボール搭載装置４によりも下流側の検査・リペア装置７Ａにおいて「半田ボールなし」と判定された電極については再度の検査を行うようにしている。
そして、前記した「半田ボールなし」の電極に関して、検査・リペア装置７Ａによって「フラックスが十分に塗布されている」と判定された場合、この電極には、フラックスを付けていない半田ボールが搭載される。これによって、電極に多量のフラックスが塗布されることを防止し、ひいてはフラックス残渣の発生を抑制できる。
また、「半田ボールなし」の電極に関して、検査・リペア装置７Ａによって「フラックス不足である」と判定された場合、この電極には、フラックス付きの半田ボールが搭載される。これによって、フラックス不足のまま半田ボールが溶融（リフロー）されることを防止できる。
このように、半田ボール搭載装置４よりも上流側で全体的なフラックス検査を行い、半田ボール搭載装置４よりも下流側で「半田ボールなし」の電極に限った部分的なフラックス検査を行うことで、全ての電極に適量のフラックスを塗布し、かつ、半田ボールを搭載できる。
なお、前記した構成において、フラックス検査装置２の検査結果を反映させて、マスク清掃処理（Ｓ３０３：図１３参照）、フラックス供給処理（Ｓ３０５）、及び設定変更処理（Ｓ３０７）のうち少なくとも一つを実行するようにしてもよい。

また、各実施形態では、「フラックス不足である」と判定された電極に関してフラックスのリペア（フラックスの塗布、フラックス付きの半田ボールの搭載）を行う場合について説明したが、これに限らない。すなわち、フラックスのリペアを行わずに半田ボールを搭載し、基板Ｂを切断して分割する際、フラックス不足の電極を含む部分を振り分けるようにしてもよい。この場合において、フラックス不足の部分を洗浄して再利用してもよいし、廃棄してもよい。

また、各実施形態では、基板Ｂにフラックスを塗布した後、半田ボールを搭載する場合について説明したが、これに限らない。すなわち、基板Ｂに半田ペーストを塗布する場合にも各実施形態を適用できる。例えば、下流側に向かって、半田ペースト印刷装置（図示せず）、印刷検査装置（図示せず）、半田ペーストリペア装置（図示せず）を配置する構成にしてもよい。なお、前記した印刷検査装置によって「半田ペースト不足である」と判定された電極には、半田ペーストリペア装置によって半田ペーストが塗布（リペア）される。これによって、基板Ｂの全ての電極に適量の半田ペーストを塗布できる。
なお、半田ペーストが不足しているか否かの検査は、レーザセンサ等を用いた三次元的な計測結果に基づいて行ってもよいし、カメラの撮像によって得られる画像情報に基づいて行ってもよい。また、印刷検査装置の検査結果を半田ペースト印刷装置に反映させ、必要に応じてマスクの清掃等を行うようにしもよい。

また、第１実施形態では、フラックス検査装置２とフラックスリペア装置３とが別の装置である場合について説明したが、一つの装置でフラックス検査とフラックスのリペアを行うようにしてもよい。なお、第２実施形態についても同様である。
また、第３実施形態では、検査・リペア装置７Ａによって半田ボール検査、フラックス検査、及び半田ボール等のリペアを行う場合について説明したが、これらのうち一つ又は複数の処理を別の装置で行うようにしてもよい。

また、各実施形態で説明したそれそれの装置は、単独で使用することも可能である。
また、各実施形態では、基板Ｂにおいて各電極が格子状に設けられている場合について説明したが、各電極の配置は、これに限定されない。
また、各実施形態で説明した基板Ｂは、プリント基板であってもよいし、半導体ウェハ等、他の回路部品であってもよい。

また、各実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に記載したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されない。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
また、前記した各構成、機能、処理部、処理手段等は、それらの一部又は全部を、例えば集積回路で設計する等によりハードウェアで実現しても良い。また、機構や構成は説明上必要と考えられるものを示しており、製品上必ずしも全ての機構や構成を示しているとは限らない。

Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ 基板処理システム
１ フラックス印刷装置（フラックス塗布手段）
１１ マスク
１５ スキージヘッド
１５ａ スクレーパ
１５ｂ スキージ
１６ シリンダ
１７ マスク清掃装置
１８ 制御手段（検査結果反映手段）
１８２ａ 清掃制御部（検査結果反映手段）
１８２ｂ シリンダ制御部（検査結果反映手段）
１８２ｃ スキージ制御部（検査結果反映手段）
２ フラックス検査装置（フラックス検査手段）
３ フラックスリペア装置（リペア手段）
４ 半田ボール搭載装置（半田ボール搭載手段）
５ ボール検査・リペア装置
７ 検査・リペア装置（半田ボール検査手段、リペア手段）
７Ａ 検査・リペア装置（半田ボール検査手段、第１フラックス検査手段、リペア手段）
Ｂ 基板

Claims (10)

1. 基板の各電極にフラックスを塗布するフラックス塗布手段と、
   前記フラックス塗布手段によって前記各電極に塗布されたフラックスの径、面積、高さ、及び体積のうち少なくとも一つに基づいて、フラックスが不足しているか否かを前記各電極について検査するフラックス検査手段と、
   前記フラックス検査手段によってフラックス不足の電極が存在すると判定された場合、当該電極にフラックスを塗布するためのリペア処理を行うリペア手段と、
   フラックスが塗布された前記各電極に半田ボールを搭載する半田ボール搭載手段と、を備えること
   を特徴とする基板処理システム。
2. 前記リペア手段は、前記フラックス検査手段によってフラックス不足の電極が存在すると判定された場合、前記リペア処理として、当該電極にフラックスを塗布し、前記リペア処理を施した基板を前記半田ボール搭載手段に搬出すること
   を特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
3. 前記半田ボール搭載手段によって半田ボールが搭載された基板について、前記各電極に半田ボールが搭載されているか否かを検査する半田ボール検査手段を備え、
   前記リペア手段は、
   前記フラックス検査手段によってフラックス不足の電極が存在すると判定された場合において、
   前記半田ボール検査手段によって、当該電極に半田ボールが存在すると判定されたときには、前記リペア処理として、当該半田ボールを除去してフラックス付きの新たな半田ボールを当該電極に搭載し、
   前記半田ボール検査手段によって、当該電極に半田ボールが存在しないと判定されたときには、前記リペア処理として、フラックス付きの半田ボールを当該電極に搭載すること
   を特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
4. 前記フラックス検査手段の検査結果を反映させる処理を行う検査結果反映手段を備え、
   前記検査結果反映手段は、前記処理として、
   前記検査結果に基づいて、フラックス塗布用のマスクで目詰まり又は滲みが生じていると判定した場合に前記マスクを清掃するマスク清掃処理と、
   前記検査結果に基づいて、前記マスク上のフラックスが不足していると判定した場合に前記マスク上にフラックスを供給するフラックス供給処理と、
   前記検査結果に基づいて、フラックスの塗布量が不足していると判定した場合に前記マスク上で往復するスキージの押圧力の上昇、及び／又は、前記スキージの移動速度の低下を行う設定変更処理と、のうち少なくとも一つを実行すること
   を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板処理システム。
5. 基板の各電極にフラックスを塗布するフラックス塗布手段と、
   前記フラックス塗布手段によってフラックスが塗布された前記各電極に半田ボールを搭載する半田ボール搭載手段と、
   前記半田ボール搭載手段によって半田ボールが搭載された前記各電極について、半田ボールが搭載されているか否かを検査する半田ボール検査手段と、
   前記半田ボール検査手段によって半田ボールが搭載されていない電極が存在すると判定された場合、当該電極について、フラックスの径、面積、高さ、及び体積のうち少なくとも一つに基づいてフラックスが不足しているか否かを検査する第１フラックス検査手段と、
   基板の前記各電極のうちフラックス不足の電極にフラックスを塗布するためのリペア処理を行うリペア手段と、を備え、
   前記リペア手段は、前記リペア処理として、
   半田ボールが搭載されていない前記電極に関して、フラックス不足であると前記第１フラックス検査手段によって判定された場合、当該電極にフラックス付きの半田ボールを搭載し、
   半田ボールが搭載されていない前記電極に関して、フラックス不足でないと前記第１フラックス検査手段によって判定された場合、当該電極に半田ボールを搭載すること
   を特徴とする基板処理システム。
6. 前記フラックス塗布手段によって前記各電極に塗布されたフラックスの径、面積、高さ、及び体積のうち少なくとも一つに基づいて、フラックスが不足しているか否かを前記各電極について検査し、検査後の基板を前記半田ボール搭載手段に搬出する第２フラックス検査手段を備え、
   前記リペア手段は、前記リペア処理として、
   前記半田ボール検査手段によって半田ボールが搭載されていると判定された電極のうち、前記第２フラックス検査手段によってフラックス不足であると判定された電極が存在する場合、当該電極に搭載されている半田ボールを取り除いた後、当該電極にフラックス付きの半田ボールを搭載すること
   を特徴とする請求項５に記載の基板処理システム。
7. 前記第１フラックス検査手段の検査結果を反映させる処理を行う検査結果反映手段を備え、
   前記検査結果反映手段は、前記処理として、
   前記検査結果に基づいて、フラックス塗布用のマスクで目詰まり又は滲みが生じていると判定した場合に前記マスクを清掃するマスク清掃処理と、
   前記検査結果に基づいて、前記マスク上のフラックスが不足していると判定した場合に前記マスク上にフラックスを供給するフラックス供給処理と、
   前記検査結果に基づいて、フラックスの塗布量が不足していると判定した場合に前記マスク上で往復するスキージの押圧力の上昇、及び／又は、前記スキージの移動速度の低下を行う設定変更処理と、のうち少なくとも一つを実行すること
   を特徴とする請求項５又は請求項６に記載の基板処理システム。
8. 各電極にフラックスが塗布された基板に関して、前記各電極のフラックスが不足しているか否かを、前記各電極に塗布されたフラックスの径、面積、高さ、及び体積のうち少なくとも一つに基づいて検査すること
   を特徴とするフラックス検査装置。
9. 基板の各電極にフラックスを塗布するフラックス塗布処理と、
   前記フラックス塗布処理によって前記各電極に塗布されたフラックスの径、面積、高さ、及び体積のうち少なくとも一つに基づいて、フラックスが不足しているか否かを前記各電極について検査するフラックス検査処理と、
   前記フラックス検査処理によってフラックス不足の電極が存在すると判定された場合、当該電極にフラックスを塗布するリペア処理と、
   フラックスが塗布された前記各電極に半田ボールを搭載する半田ボール搭載処理と、を含むこと
   を特徴とする基板処理方法。
10. 基板の各電極にフラックスを塗布するフラックス塗布処理と、
    前記フラックス塗布処理によってフラックスが塗布された前記各電極に半田ボールを搭載する半田ボール搭載処理と、
    前記半田ボール搭載処理によって半田ボールが搭載された前記各電極について、半田ボールが搭載されているか否かを検査する半田ボール検査処理と、
    前記半田ボール検査処理によって半田ボールが搭載されていない電極が存在すると判定された場合、当該電極について、フラックスの径、面積、高さ、及び体積のうち少なくとも一つに基づいてフラックスが不足しているか否かを検査するフラックス検査処理と、
    基板の前記各電極のうちフラックス不足の電極にフラックスを塗布するリペア処理と、を含み、
    前記リペア処理において、
    半田ボールが搭載されていない前記電極にフラックスが塗布されていると前記フラックス検査処理によって判定された場合、当該電極に半田ボールを搭載し、
    半田ボールが搭載されていない前記電極にフラックスが塗布されていないと前記フラックス検査処理によって判定された場合、当該電極にフラックス付きの半田ボールを搭載すること
    を特徴とする基板処理方法。

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