JP2016142649A - Semiconductor device measuring method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable electrical characteristics in relation to semiconductor devices to be reliably measured even in a high-temperature measuring environment.SOLUTION: A sheet 11 is placed in advance in a tensely stretched state and, by adsorbing the sheet 11 over a mounting face 53a of a hot plate 50, the sheet 11 is prevented from unduly extended even if it is heated by the hot plate 50 to create a high-temperature measuring environment. Therefore, as positions and angles of a plurality of semiconductor devices 14 stuck to the sheet 11 are maintained invariably, electrical characteristics of the plurality of semiconductor devices can be measured even in the high-temperature measuring environment.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、半導体デバイス測定方法に関し、特に、シートに貼り付けられた半導体デバイスの電気的特性を測定する半導体デバイス測定方法に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor device measurement method, and more particularly to a semiconductor device measurement method for measuring electrical characteristics of a semiconductor device attached to a sheet.

従来、半導体デバイス測定方法においては、最初に、半導体ウェハのウェハサイズよりも大きいリング状のリングフレームに対して、そのリングフレームの内周縁よりも大きいサイズの円形状の粘着性を有するシートを固定し、そのシート上に半導体ウェハが貼り付けられる。   Conventionally, in the semiconductor device measurement method, first, a circular adhesive sheet having a size larger than the inner peripheral edge of the ring frame is fixed to a ring-shaped ring frame larger than the wafer size of the semiconductor wafer. Then, a semiconductor wafer is stuck on the sheet.

そして、シートに貼り付けられた半導体ウェハは、そのシートに貼り付けられたままの状態でダイシング装置により複数の半導体デバイスに個片化される。この個片化された複数の半導体デバイスは、その電極部分に半導体検査装置の接触子が電気的に接続され、当該半導体デバイスの電気的特性が測定される（例えば、特許文献１を参照。）。   And the semiconductor wafer affixed on the sheet | seat is separated into several semiconductor devices with a dicing apparatus in the state affixed on the sheet | seat. In the plurality of separated semiconductor devices, contacts of a semiconductor inspection apparatus are electrically connected to the electrode portions, and the electrical characteristics of the semiconductor devices are measured (see, for example, Patent Document 1). .

特開２００７−１７８１３２号公報JP 2007-178132 A

ところで、半導体検査装置においては、半導体デバイスの使用環境に合わせた常温よりも高い温度、例えば１２５℃の高温測定環境において半導体デバイスの電気的特性を測定することが行われる。この場合、複数の半導体デバイスが貼り付けられているシートをホットプレートの載置面に載せた状態で加熱し、当該複数の半導体デバイスに対する高温測定環境を生成する必要があった。   By the way, in a semiconductor inspection apparatus, the electrical characteristics of a semiconductor device are measured in a high temperature measurement environment at a temperature higher than normal temperature, for example, 125 ° C. according to the use environment of the semiconductor device. In this case, it is necessary to generate a high-temperature measurement environment for the plurality of semiconductor devices by heating the sheet on which the plurality of semiconductor devices are attached on the mounting surface of the hot plate.

しかしながら、シートがホットプレートの載置面に載せられた状態で加熱されると、熱によりシートが伸張して弛みが生じてしまう。そうすると、そのシート上に貼り付けられている複数の半導体デバイスのシートに対する位置や装着角度が半導体検査装置の接触子からずれてしまうため、これら複数の半導体デバイスの電気的特性を測定できなくなるという問題があった。   However, when the sheet is heated in a state where it is placed on the mounting surface of the hot plate, the sheet expands due to the heat and causes slack. Then, the position and mounting angle of the plurality of semiconductor devices attached on the sheet with respect to the sheet are displaced from the contact of the semiconductor inspection apparatus, and it becomes impossible to measure the electrical characteristics of the plurality of semiconductor devices. was there.

本発明はこのような問題を解決するためのものであり、シートに貼り付けられた半導体デバイスの電気的特性を高温測定環境においても測定し得る半導体デバイス測定方法を提供することを目的としている。   An object of the present invention is to provide a semiconductor device measurement method capable of measuring the electrical characteristics of a semiconductor device attached to a sheet even in a high-temperature measurement environment.

この目的を達成するために、本発明は、常温よりも高い所定温度以上に加熱した後に常温雰囲気に冷却すると収縮する特性を持つシート（１１）を常温雰囲気中で平面視リング状のリングフレーム（１２）に貼り付けるシート貼付ステップと、複数の半導体デバイス（１４）がマトリクス状に形成された集合体（１３）を前記常温雰囲気中で前記シート（１１）の表面に貼り付ける集合体貼付ステップと、前記シート（１１）の表面に貼り付けられた前記集合体（１３）をダイシングして前記複数の半導体デバイス（１４）に個片化するダイシングステップと、常温より高い所定温度の高温測定環境において前記複数の半導体デバイス（１４）の電気的特性を測定する測定ステップと、前記シート貼付ステップの後から前記測定ステップの前までに、前記シート（１１）を前記所定温度以上に加熱した後に前記常温雰囲気に冷却することにより前記シート（１１）を弛みなく張られた状態にするプリヒートステップとを有し、前記測定ステップは、個片化された前記複数の半導体デバイス（１４）が貼り付けられている前記シート（１１）を、前記高温測定環境を生成する加熱装置（５０）の載置面（５３ａ）に載置し、前記シート（１１）を前記載置面（５３ａ）に吸着させるステップと、前記シート（１１）に貼り付けられた前記複数の半導体デバイス（１４）を前記加熱装置（５０）によって前記高温測定環境に置くステップと、前記高温測定環境の中で前記複数の半導体デバイス（１４）の電気的特性を測定するステップとを有するようにする。   In order to achieve this object, the present invention provides a sheet (11) having a property of shrinking when heated to a room temperature atmosphere after being heated to a predetermined temperature higher than room temperature, and having a ring-shaped ring frame (planar view) in a room temperature atmosphere. 12) a sheet pasting step to be affixed to the sheet, and an assembly pasting step to affix the assembly (13) in which a plurality of semiconductor devices (14) are formed in a matrix on the surface of the sheet (11) in the room temperature atmosphere. A dicing step of dicing the assembly (13) affixed to the surface of the sheet (11) into pieces into the plurality of semiconductor devices (14), and a high-temperature measurement environment at a predetermined temperature higher than normal temperature A measurement step of measuring electrical characteristics of the plurality of semiconductor devices (14), and a step after the sheet sticking step and before the measurement step In addition, the sheet (11) is heated to the predetermined temperature or higher, and then cooled to the room temperature atmosphere so that the sheet (11) is stretched without slack, and the measuring step includes The sheet (11) on which the plurality of separated semiconductor devices (14) are attached is placed on a placement surface (53a) of a heating device (50) that generates the high-temperature measurement environment. The step of adsorbing the sheet (11) to the mounting surface (53a), and the plurality of semiconductor devices (14) attached to the sheet (11) by the heating device (50) in the high temperature measurement environment. And measuring electrical characteristics of the plurality of semiconductor devices (14) in the high-temperature measurement environment.

本発明によれば、シート（１１）を予め弛みなく張られた状態にしておき、そのシート（１１）を加熱装置（５０）の載置面（５３ａ）の上で吸着することにより、加熱装置（５０）により加熱して高温測定環境を生成するときでも、当該シート（１１）が伸びてしまうことがない。したがって、シート（１１）に貼り付けられた複数の半導体デバイス（１４）の位置や角度が変化することなく維持されるので、高温測定環境においても当該複数の半導体デバイス（１４）の電気的特性を測定することができる。   According to the present invention, the sheet (11) is previously stretched without slack, and the sheet (11) is adsorbed on the mounting surface (53a) of the heating apparatus (50), whereby the heating apparatus Even when the high temperature measurement environment is generated by heating with (50), the sheet (11) does not stretch. Therefore, since the position and angle of the plurality of semiconductor devices (14) attached to the sheet (11) are maintained without change, the electrical characteristics of the plurality of semiconductor devices (14) can be maintained even in a high temperature measurement environment. Can be measured.

図１は、第１の実施の形態における半導体デバイス測定システムの全体構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of the semiconductor device measurement system according to the first embodiment. 図２は、第１の実施の形態におけるシート自動貼付装置のシート貼付工程の説明に供する工程図である。FIG. 2 is a process diagram for explaining the sheet sticking process of the automatic sheet sticking apparatus according to the first embodiment. 図３は、第１の実施の形態におけるシートプリヒート装置のシートプリヒート工程の説明に供する工程図である。FIG. 3 is a process diagram for explaining a sheet preheating process of the sheet preheating apparatus according to the first embodiment. 図４Ａは、第１の実施の形態における半導体ストリップ自動貼付装置の半導体ストリップ貼付状態を示す斜視図である。FIG. 4A is a perspective view showing a semiconductor strip application state of the semiconductor strip automatic application device according to the first embodiment. 図４Ｂは、第１の実施の形態における半導体ストリップのＳ部拡大状態を示す斜視図である。FIG. 4B is a perspective view showing an enlarged S portion of the semiconductor strip in the first embodiment. 図５Ａは、第１の実施の形態におけるダイシング装置のダイシング工程を説明する図である。FIG. 5A is a diagram illustrating a dicing process of the dicing apparatus according to the first embodiment. 図５Ｂは、第１の実施の形態におけるダイシング装置のダイシング状態の拡大図である。FIG. 5B is an enlarged view of a dicing state of the dicing apparatus in the first exemplary embodiment. 図６は、第１の実施の形態におけるダイシング装置のダイシング状態を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a dicing state of the dicing apparatus according to the first embodiment. 図７は、第１の実施の形態における測定装置の構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of the measurement apparatus according to the first embodiment. 図８は、第１の実施の形態における測定装置のホットプレートの構成を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing the configuration of the hot plate of the measuring apparatus according to the first embodiment. 図９は、第１の実施の形態における測定装置のホットプレートの上にシートが載置された状態を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a state in which a sheet is placed on the hot plate of the measuring apparatus according to the first embodiment. 図１０は、第１の実施の形態におけるホットプレートの構造を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing the structure of the hot plate in the first embodiment. 図１１は、第１の実施の形態におけるＵＶキュア装置のＵＶキュア工程の説明に供する斜視図である。FIG. 11 is a perspective view for explaining the UV curing process of the UV curing apparatus according to the first embodiment. 図１２は、第１の実施の形態におけるＵＶキュア装置による紫外線照射状態を示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing an ultraviolet irradiation state by the UV curing device in the first embodiment. 図１３は、第１の実施の形態における分類装置の構成を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration of the classification device according to the first embodiment. 図１４は、第１の実施の形態におけるダイシング装置によるダイシング前およびダイシング後の半導体ストリップの状態を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing the state of the semiconductor strip before dicing and after dicing by the dicing apparatus in the first embodiment. 図１５は、第１の実施の形態における分類装置の半導体デバイスに対する突き上げ後の状態を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing a state after the semiconductor device of the classification device according to the first embodiment has been pushed up. 図１６は、第２の実施の形態における半導体デバイス測定システムの全体構成を示すブロック図である。FIG. 16 is a block diagram showing an overall configuration of a semiconductor device measurement system according to the second embodiment. 図１７は、第３の実施の形態における半導体デバイス測定システムの全体構成を示すブロック図である。FIG. 17 is a block diagram showing an overall configuration of a semiconductor device measurement system according to the third embodiment. 図１８は、第４の実施の形態における測定装置のホットプレートの上にシートが置かれる工程の説明に供する斜視図である。FIG. 18 is a perspective view for explaining a process of placing a sheet on the hot plate of the measuring apparatus according to the fourth embodiment. 図１９は、第４の実施の形態におけるホットプレートの構造を示す断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view showing the structure of the hot plate in the fourth embodiment.

＜第１の実施の形態＞
以下、図面を参照しながら本発明の第１の実施の形態について説明する。 <First Embodiment>
The first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

＜半導体デバイス測定システムの全体構成＞
図１に示すように、半導体デバイス測定システム１は、シート自動貼付装置２、シートプリヒート装置３、半導体ストリップ自動貼付装置４、ダイシング装置５、測定装置６、ＵＶキュア装置７および分類装置８によって構成されている。 <Overall configuration of semiconductor device measurement system>
As shown in FIG. 1, the semiconductor device measurement system 1 includes a sheet automatic pasting device 2, a sheet preheating device 3, a semiconductor strip automatic pasting device 4, a dicing device 5, a measuring device 6, a UV curing device 7, and a classification device 8. Has been.

＜シート自動貼付装置の構成＞
図２に示すように、シート自動貼付装置２は、リングフレーム１２にシート１１を自動的に貼り付ける装置であり、ロール状に巻き取られた薄いシート体１０から平面視円形状のシート１１を切り出し、そのシート１１をリングフレーム１２に貼り付けるものである。ただし、これに限るものではなく、簡易的な位置決めを行ったうえで手動でシート１１をリングフレーム１２に貼り付けてもよい。 <Configuration of automatic sheet pasting device>
As shown in FIG. 2, the automatic sheet sticking device 2 is a device for automatically sticking the sheet 11 to the ring frame 12. The sheet 11 having a circular shape in plan view is formed from the thin sheet body 10 wound up in a roll shape. The sheet 11 is cut out and attached to the ring frame 12. However, the present invention is not limited to this, and the sheet 11 may be manually attached to the ring frame 12 after simple positioning.

リングフレーム１２は、円形の開口１２ａが形成された平面視円環状の薄板状のリングである。シート自動貼付装置２は、リングフレーム１２のリング部分にシート１１の粘着材１１ｂ（図６参照。）の縁部分を貼り付ける。なお、リングフレーム１２は、必ずしも平面視円環状である必要はなく、平面視矩形状等のその他種々の形状であってもよい。その場合、リングフレーム１２の形状に対応した矩形状等のシート１１が用いられる。   The ring frame 12 is a thin plate-like ring having an annular shape in plan view, in which a circular opening 12a is formed. The automatic sheet affixing device 2 affixes the edge portion of the adhesive material 11 b (see FIG. 6) of the sheet 11 to the ring portion of the ring frame 12. The ring frame 12 does not necessarily have an annular shape in plan view, and may have various other shapes such as a rectangular shape in plan view. In this case, a rectangular sheet 11 corresponding to the shape of the ring frame 12 is used.

＜シートの構成＞
シート１１は、リングフレーム１２の開口１２ａよりも僅かに大きい直径を有している。また、シート１１（図６参照。）は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）製の基材１１ａの上に、紫外線硬化型の粘着材１１ｂが積層されたＵＶ(Ultra Violet)シートである。このシート１１に外部から紫外線を照射すると、その粘着材１１ｂの粘着力が低下する。 <Composition of sheet>
The seat 11 has a diameter slightly larger than the opening 12 a of the ring frame 12. The sheet 11 (see FIG. 6) is a UV (Ultra Violet) sheet in which an ultraviolet curable adhesive material 11b is laminated on a PET (polyethylene terephthalate) base material 11a. When the sheet 11 is irradiated with ultraviolet rays from the outside, the adhesive strength of the adhesive material 11b is reduced.

このシート１１は、常温よりも高い温度、例えば１００℃に加熱されると一旦伸張し、常温にまで冷却されると加熱前よりも収縮するという伸縮特性を有している。ここで、シート１１の収縮特性としては、伸張率よりも収縮率の方が大きい。ちなみに、常温とは、空調でコントロールされた温度であり、およそ２０℃〜２５℃程度である。   The sheet 11 has a stretching property such that when it is heated to a temperature higher than room temperature, for example, 100 ° C., it once stretches, and when it is cooled to room temperature, it shrinks more than before heating. Here, as the contraction characteristic of the sheet 11, the contraction rate is larger than the expansion rate. Incidentally, the normal temperature is a temperature controlled by air conditioning and is about 20 ° C. to 25 ° C.

上述した伸縮特性を有するシート１１として、例えば、日東電工株式会社製のダイシングテープ（商品名称：エレップホルダー（登録商標））、型番：ELP UB-3102D 、を用いることができる。ただし、シート１１はこれに限るものではなく、同様の伸縮特性を有していれば他の種々のＵＶシートを用いることが可能である。   For example, a dicing tape (product name: ELEP HOLDER (registered trademark)) manufactured by Nitto Denko Corporation, model number: ELP UB-3102D can be used as the sheet 11 having the above-described stretchable characteristics. However, the sheet 11 is not limited to this, and various other UV sheets can be used as long as they have similar stretch characteristics.

＜シートプリヒート装置の構成＞
シートプリヒート装置３は、図３に示すように、常温よりも高い温度、例えば１００℃以上の高温雰囲気を生成可能な高温雰囲気炉１７を有している。 <Configuration of sheet preheating device>
As shown in FIG. 3, the sheet preheating device 3 includes a high-temperature atmosphere furnace 17 that can generate a high-temperature atmosphere at a temperature higher than normal temperature, for example, 100 ° C. or higher.

シートプリヒート装置３は、この高温雰囲気炉１７により生成された高温雰囲気中に、リングフレーム１２に貼り付けられたシート１１を当該リングフレーム１２ごと置くことにより当該シート１１を予め加熱する（以下、これを「プリヒート」と呼ぶ。）。   The sheet preheating device 3 preheats the sheet 11 by placing the sheet 11 affixed to the ring frame 12 together with the ring frame 12 in the high temperature atmosphere generated by the high temperature atmosphere furnace 17 (hereinafter referred to as “this”). Is called “preheat”.)

＜半導体ストリップ自動貼付装置の構成＞
半導体ストリップ自動貼付装置４は、シートプリヒート装置３によりプリヒートされたシート１１の粘着材１１ｂ（図６参照。）に対して後述する半導体ストリップ１３を自動的に貼り付ける装置である。ただし、これに限るものではなく、簡易的な位置決めを行ったうえで手動で半導体ストリップ１３をシート１１に貼り付けてもよい。 <Configuration of automatic semiconductor strip application device>
The semiconductor strip automatic sticking device 4 is a device for automatically sticking a semiconductor strip 13 to be described later to the adhesive material 11b (see FIG. 6) of the sheet 11 preheated by the sheet preheating device 3. However, the present invention is not limited to this, and the semiconductor strip 13 may be manually attached to the sheet 11 after simple positioning.

＜半導体ストリップの構成＞
半導体ストリップ１３は、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、複数の半導体デバイス１４がマトリクス状に配置されて一体形成された集合体であり、リングフレーム１２の開口１２ａよりも小さく形成されている。この半導体ストリップ１３は、シート１１の粘着材１１ｂ（図６参照。）に貼り付けられる。 <Configuration of semiconductor strip>
4A and 4B, the semiconductor strip 13 is an aggregate in which a plurality of semiconductor devices 14 are arranged in a matrix and are integrally formed, and is formed smaller than the opening 12a of the ring frame 12. The semiconductor strip 13 is attached to the adhesive material 11b (see FIG. 6) of the sheet 11.

半導体ストリップ１３を構成する個々の半導体デバイス１４は、半導体チップ１４ｃと、この半導体チップ１４ｃに電気的に接続されたリードフレーム１４ｒとをモールド樹脂１４ｍにより一体に封止した構造を有している。   Each semiconductor device 14 constituting the semiconductor strip 13 has a structure in which a semiconductor chip 14c and a lead frame 14r electrically connected to the semiconductor chip 14c are integrally sealed with a mold resin 14m.

これら半導体デバイス１４のリードフレーム１４ｒは、隣接する半導体デバイス１４のリードフレーム１４ｒと物理的および電気的に繋がった状態のままモールド樹脂１４ｍにより封止されている。   The lead frames 14r of these semiconductor devices 14 are sealed with a mold resin 14m while being physically and electrically connected to the lead frames 14r of the adjacent semiconductor devices 14.

＜ダイシング装置の構成＞
ダイシング装置５は、図５Ａ、図５Ｂおよび図６に示すように、半導体ストリップ１３が貼り付けられているシート１１と一体化されたリングフレーム１２を保持した状態で、その半導体ストリップ１３をダイシングブレード２０により切断し、個々の半導体デバイス１４に個片化する装置である。 <Configuration of dicing machine>
As shown in FIGS. 5A, 5B and 6, the dicing apparatus 5 holds the ring frame 12 integrated with the sheet 11 on which the semiconductor strip 13 is attached, and holds the semiconductor strip 13 with a dicing blade. 20 is an apparatus for cutting into individual semiconductor devices 14 by cutting.

＜測定装置の構成＞
測定装置６は、半導体デバイス１４の実際の使用環境に合わせて、常温よりも高い温度、例えば１２５℃の高温測定環境を生成し、その高温測定環境において、シート１１に貼り付けられた状態の個片化された複数の半導体デバイス１４の電気的特性を測定する装置である。なお、この場合の高温測定環境は、その下限が常温であり、その上限が１２５℃とする。 <Configuration of measuring device>
The measuring device 6 generates a high-temperature measurement environment at a temperature higher than room temperature, for example, 125 ° C. in accordance with the actual use environment of the semiconductor device 14, and the individual pieces that are attached to the sheet 11 in the high-temperature measurement environment. This is an apparatus for measuring electrical characteristics of a plurality of separated semiconductor devices 14. In this case, the lower limit of the high temperature measurement environment is room temperature, and the upper limit is 125 ° C.

測定装置６は、図７に示すように、複数の半導体デバイス１４を加熱するホットプレート５０と、複数のプローブピン２６が設けられたコンタクタ２５と、プローブピン２６と接続されて半導体デバイス１４の電気的特性を測定するテスタ２７とを有している。   As shown in FIG. 7, the measuring apparatus 6 is connected to the hot plate 50 that heats the plurality of semiconductor devices 14, the contactor 25 provided with the plurality of probe pins 26, and the probe pins 26. And a tester 27 for measuring the physical characteristics.

ホットプレート５０は、本発明における加熱装置に相当し、図８乃至図１０に示すように、ヒータ５１と、このヒータ５１の上に固定された平面視略矩形状の金属製の吸着テーブル２４とを備えている。吸着テーブル２４の上面には平面視略矩形状の凹部２４ａ（図１０）が形成されている。   The hot plate 50 corresponds to a heating device according to the present invention, and as shown in FIGS. 8 to 10, a heater 51, a metal suction table 24 having a substantially rectangular shape in plan view fixed on the heater 51, and It has. A concave portion 24 a (FIG. 10) having a substantially rectangular shape in plan view is formed on the upper surface of the suction table 24.

吸着テーブル２４の凹部２４ａには、内部に多数の空隙や気孔を含む多孔質体のポーラス（セラミックス）からなる平面視略矩形状の板状でなる吸着部材５３が篏合固定されている。吸着部材５３は、シート１１を吸着可能な凹凸の無い平坦な載置面５３ａを有している。   In the recess 24a of the suction table 24, a suction member 53 having a substantially rectangular plate shape in plan view made of porous porous (ceramics) including a large number of voids and pores is fixed. The adsorbing member 53 has a flat mounting surface 53a having no unevenness capable of adsorbing the sheet 11.

また、ホットプレート５０は、矢印ＡＢ方向（幅方向）、矢印ＡＢ方向とは直交する矢印ＣＤ方向（奥行方向）、および矢印ＥＦ方向（高さ方向）へ移動自在な図示しないＸＹテーブルに取り付けられている。   The hot plate 50 is attached to an XY table (not shown) that is movable in an arrow AB direction (width direction), an arrow CD direction (depth direction) orthogonal to the arrow AB direction, and an arrow EF direction (height direction). ing.

また、吸着テーブル２４には、その内部に、側面視Ｌ字状のバキューム経路５５、５６がそれぞれ２本づつ形成されている。このバキューム経路５５、５６は、その一端が吸着テーブル２４の凹部２４ａにおいて開口し、その他端が吸着テーブル２４の側面２４ｂ、２４ｃにおいて開口している。   The suction table 24 has two vacuum paths 55 and 56 each having an L-shape in a side view. One end of each of the vacuum paths 55 and 56 opens in the recess 24 a of the suction table 24, and the other end opens in the side surfaces 24 b and 24 c of the suction table 24.

さらに、吸着テーブル２４の側面２４ｂ、２４ｃには、管接続部材５２、５４がそれぞれ２個づつ固定されている。この管接続部材５２、５４には、それぞれ貫通孔５２ａ、５４ａが形成されている。   Further, two pipe connecting members 52 and 54 are fixed to the side surfaces 24b and 24c of the suction table 24, respectively. The pipe connecting members 52 and 54 are formed with through holes 52a and 54a, respectively.

吸着テーブル２４のバキューム経路５５、５６と、管接続部材５２、５４の貫通孔５２ａ、５４ａとは繋がっている。また、管接続部材５２、５５には、図示しない真空ポンプが接続されている。   The vacuum paths 55 and 56 of the suction table 24 and the through holes 52a and 54a of the pipe connection members 52 and 54 are connected. Further, a vacuum pump (not shown) is connected to the pipe connecting members 52 and 55.

コンタクタ２５は、吸着テーブル２４の吸着部材５３と対向して配置されている。コンタクタ２５は、略直方体形状の本体部２５ａと、この本体部２５ａに固定された複数のプローブピン２６とを備えている。複数のプローブピン２６は、１個の半導体デバイス１４における複数のリードフレーム１４ｒに対向配置されている。   The contactor 25 is disposed to face the suction member 53 of the suction table 24. The contactor 25 includes a substantially rectangular parallelepiped body portion 25a and a plurality of probe pins 26 fixed to the body portion 25a. The plurality of probe pins 26 are arranged to face the plurality of lead frames 14 r in one semiconductor device 14.

これら複数のプローブピン２６は、半導体デバイス１４における複数のリードフレーム１４ｒと電気的に接続される接触子である。プローブピン２６は、その先端部２６ａが本体部２５ａの下端から矢印Ｄ方向の下方へ向かって突出し、その後端部分２６ｂが本体部２５ａの上端から矢印Ｃ方向の上方へ向かって突出しており、その後端部分２６ｂがテスタ２７に接続されている。   The plurality of probe pins 26 are contacts that are electrically connected to the plurality of lead frames 14 r in the semiconductor device 14. The probe pin 26 has a distal end portion 26a protruding downward in the direction of arrow D from the lower end of the main body portion 25a, and a rear end portion 26b protruding upward in the direction of arrow C from the upper end of the main body portion 25a. The end portion 26 b is connected to the tester 27.

テスタ２７は、プローブピン２６の先端部分２６ａが半導体デバイス１４のリードフレーム１４ｒと電気的に接触された際、その半導体デバイス１４の導通状態を測定する測定部２７ａと、その測定結果に基づいて半導体デバイス１４の電気的特性を診断する診断部２７ｂと、その診断結果を後段の分類装置８へ送信する送信部２７ｃとにより構成されている。   The tester 27 includes a measuring unit 27a that measures the conduction state of the semiconductor device 14 when the tip portion 26a of the probe pin 26 is in electrical contact with the lead frame 14r of the semiconductor device 14, and a semiconductor based on the measurement result. A diagnosis unit 27b that diagnoses the electrical characteristics of the device 14 and a transmission unit 27c that transmits the diagnosis result to the classification device 8 in the subsequent stage.

＜ＵＶキュア装置の構成＞
ＵＶキュア装置７は、半導体デバイス１４の貼り付けられていないシート１１の基材１１ａ側から紫外線を照射する装置である。 <Configuration of UV cure device>
The UV curing device 7 is a device that irradiates ultraviolet rays from the substrate 11a side of the sheet 11 to which the semiconductor device 14 is not attached.

図１１および図１２に示すように、ＵＶキュア装置７は、シート１１が貼り付けられたリングフレーム１２のシート１１の基材１１ａ側に並列に配置された複数のブラックライト２８を有している。   As shown in FIGS. 11 and 12, the UV curing device 7 has a plurality of black lights 28 arranged in parallel on the base 11a side of the sheet 11 of the ring frame 12 to which the sheet 11 is attached. .

＜分類装置の構成＞
分類装置８は、測定装置６のテスタ２７による複数の半導体デバイス１４の電気的特性の診断結果に基づいて当該複数の半導体デバイス１４を良品または不良品に分類し、その分類結果に応じて良品と診断された複数の半導体デバイス１４をシート１１から取り外し、ピッカーによりピックアップする装置である。 <Configuration of classification device>
The classification device 8 classifies the plurality of semiconductor devices 14 as non-defective products or defective products based on the diagnosis result of the electrical characteristics of the plurality of semiconductor devices 14 by the tester 27 of the measuring device 6, and determines whether the semiconductor devices 14 are non-defective products according to the classification results. The apparatus removes a plurality of diagnosed semiconductor devices 14 from the sheet 11 and picks them up by a picker.

図１３に示すように、分類装置８は、半導体デバイス１４に対する測定装置６のテスタ２７による診断結果を受信する受信部３１と、その診断結果に応じて半導体デバイス１４を良品と不良品とに分類する分類部３２と、分類部３２により良品と分類した半導体デバイス１４だけをシート１１の下方から上方へ向かってその先端部３０ａにより突き上げる突き上げピン３０とを有している。   As shown in FIG. 13, the classification device 8 classifies the semiconductor device 14 into a non-defective product and a non-defective product according to the receiving unit 31 that receives the diagnostic result from the tester 27 of the measuring device 6 for the semiconductor device 14 and the diagnostic result. And a push-up pin 30 that pushes up only the semiconductor device 14 classified as a non-defective product by the classification unit 32 from the lower side to the upper side of the sheet 11 by the leading end 30a.

＜半導体デバイス測定システムにおける測定動作＞
このような構成の半導体デバイス測定システム１による半導体デバイス１４の電気的特性の測定動作の一例について説明する。 <Measurement operation in semiconductor device measurement system>
An example of the measurement operation of the electrical characteristics of the semiconductor device 14 by the semiconductor device measurement system 1 having such a configuration will be described.

［シート自動貼付工程］
図２に示すように、シート自動貼付装置２は、リングフレーム１２の開口１２ａよりも大きい円形状のシート１１をシート体１０から切り出し、シート１１の外周側縁部をリングフレーム１２に貼り付ける。シート１１が貼り付けられたリングフレーム１２は、シート自動貼付装置２からシートプリヒート装置３へ受け渡される。 [Automatic sheet pasting process]
As shown in FIG. 2, the automatic sheet sticking apparatus 2 cuts out a circular sheet 11 larger than the opening 12 a of the ring frame 12 from the sheet body 10 and sticks the outer peripheral side edge of the sheet 11 to the ring frame 12. The ring frame 12 with the sheet 11 attached is transferred from the automatic sheet applying apparatus 2 to the sheet preheating apparatus 3.

［シートプリヒート工程］
シートプリヒート装置３は、リングフレーム１２に貼り付けられたシート１１を高温雰囲気炉１７内に収容し、１００℃の高温雰囲気中で２分間（プリヒート時間）以上加熱した後、高温雰囲気炉１７から取り出し、リングフレーム１２に貼り付けられたシート１１を常温環境下で自然冷却する。 [Sheet preheating process]
The sheet preheating device 3 accommodates the sheet 11 affixed to the ring frame 12 in a high temperature atmosphere furnace 17, heats it in a high temperature atmosphere at 100 ° C. for 2 minutes (preheating time), and then removes it from the high temperature atmosphere furnace 17. The sheet 11 affixed to the ring frame 12 is naturally cooled in a room temperature environment.

このときシート１１は、高温雰囲気炉１７の高温雰囲気中において伸張した後に常温環境下で収縮する。ここで、シート１１の伸張率よりも収縮率の方が大きいという特性によって、リングフレーム１２に貼り付けられているシート１１には一定の張力（テンション）が付与され、当該リングフレーム１２に貼り付けられたときに生じていた弛みや皺が無くなる。これがシートプリヒート装置３によるプリヒート／冷却工程を経て得られるシート１１の状態である。   At this time, the sheet 11 expands in the high temperature atmosphere of the high temperature atmosphere furnace 17 and then contracts in a normal temperature environment. Here, due to the characteristic that the contraction rate is larger than the expansion rate of the sheet 11, a certain tension is applied to the sheet 11 that is attached to the ring frame 12, and the sheet 11 is attached to the ring frame 12. The sagging and wrinkles that occurred when it was done are eliminated. This is the state of the sheet 11 obtained through the preheating / cooling process by the sheet preheating device 3.

ちなみに、このような弛みや皺の無いシート１１を得るためには、ＰＥＴのガラス転移温度Ｔｇの９０℃を高温雰囲気炉１７の温度下限とし、かつ、ＰＥＴの融点Ｔｍの２６０℃（物質が融ける温度ではなく高分子学上の融点）を高温雰囲気炉１７の温度上限とすればよい。   By the way, in order to obtain such a sheet 11 having no slack or wrinkles, the glass transition temperature Tg of PET is 90 ° C., which is the lower temperature limit of the high-temperature atmosphere furnace 17, and the melting point Tm of PET is 260 ° C. (the material melts). The upper limit of the temperature of the high-temperature atmosphere furnace 17 may be set to the polymer melting point (not the temperature).

また、シート１１のプリヒート時間を２分間以上とする理由は、高温雰囲気炉１７が１００℃の高温雰囲気であっても、プリヒート時間が２分間未満の場合、シート１１のプリヒート／冷却工程による効果が得られないからである。   The reason why the preheating time of the sheet 11 is 2 minutes or more is that even if the high temperature atmosphere furnace 17 is a high temperature atmosphere of 100 ° C., the effect of the preheating / cooling process of the sheet 11 is achieved when the preheating time is less than 2 minutes. It is because it cannot be obtained.

［半導体ストリップ自動貼付工程］
次に、半導体ストリップ自動貼付装置４は、上述したプリヒート／冷却工程を経て弛みや皺の無い状態となったシート１１の表面の粘着材１１ｂが塗布された側に、半導体ストリップ１３を載置して貼り付ける。その後、半導体ストリップ１３が貼り付けられたシート１１は、リングフレーム１２ごとダイシング装置５へ受け渡される。 [Automatic semiconductor strip application process]
Next, the semiconductor strip automatic sticking device 4 places the semiconductor strip 13 on the side of the sheet 11 on which the adhesive material 11b has been applied after the preheating / cooling process described above and has no looseness or wrinkles. And paste. Thereafter, the sheet 11 to which the semiconductor strip 13 is attached is delivered to the dicing apparatus 5 together with the ring frame 12.

［ダイシング工程］
ダイシング装置５は、半導体ストリップ自動貼付装置４から受け渡されたシート１１をリングフレーム１２を介して保持し、そのシート１１に貼り付けられている半導体ストリップ１３をダイシングブレード２０によって切断し、個々の半導体デバイス１４に個片化する。 [Dicing process]
The dicing apparatus 5 holds the sheet 11 delivered from the semiconductor strip automatic pasting apparatus 4 via the ring frame 12, and cuts the semiconductor strip 13 stuck to the sheet 11 with a dicing blade 20 to obtain individual sheets. The semiconductor device 14 is separated into individual pieces.

ここで、半導体ストリップ１３を個々の半導体デバイス１４に個片化する理由は、半導体デバイス１４のリードフレーム１４ｒが隣接する半導体デバイス１４のリードフレーム１４ｒと物理的および電気的に繋がった状態にあるからである。したがって、複数の半導体デバイス１４の電気的特性を測定装置６によりそれぞれ個別に測定するために、隣接する半導体デバイス１４のリードフレーム１４ｒ同士をダイシング装置５によって切断しておく。   Here, the reason for dividing the semiconductor strip 13 into individual semiconductor devices 14 is that the lead frame 14r of the semiconductor device 14 is physically and electrically connected to the lead frame 14r of the adjacent semiconductor device 14. It is. Therefore, in order to individually measure the electrical characteristics of the plurality of semiconductor devices 14 by the measuring device 6, the lead frames 14 r of the adjacent semiconductor devices 14 are cut by the dicing device 5.

なお、ダイシング装置５は、図１４に示すように、半導体ストリップ１３が貼り付けられているシート１１の粘着材１１ｂについてはダイシングブレード２０により切断するものの、当該シート１１の基材１１ａについては切断しない、所謂ハーフカットを行う。   As shown in FIG. 14, the dicing apparatus 5 cuts the adhesive material 11b of the sheet 11 to which the semiconductor strip 13 is attached by the dicing blade 20, but does not cut the base material 11a of the sheet 11. The so-called half cut is performed.

［測定工程］
複数の半導体デバイス１４は、ダイシング工程を経てそれぞれ個片化されるが、複数の半導体デバイス１４は全て粘着材１１ｂによってシート１１に貼り付けられたままの状態（図７）である。したがって、個片化された複数の半導体デバイス１４は、粘着材１１ｂを介してシート１１に貼り付けられたままの状態でそれぞれ電気的特性が測定される。 [Measurement process]
The plurality of semiconductor devices 14 are separated into individual pieces through the dicing process, but the plurality of semiconductor devices 14 are all attached to the sheet 11 with the adhesive material 11b (FIG. 7). Therefore, the electrical characteristics of the plurality of separated semiconductor devices 14 are measured in a state where the semiconductor devices 14 are stuck to the sheet 11 via the adhesive material 11b.

測定装置６は、高温測定環境において半導体デバイス１４の電気的特性を測定する場合、個片化されているものの複数の半導体デバイス１４が貼り付けられた状態のシート１１を、ホットプレート５０の吸着部材５３の載置面５３ａ上に載置する。   When measuring the electrical characteristics of the semiconductor device 14 in a high-temperature measurement environment, the measuring apparatus 6 uses the sheet 11 in a state where a plurality of semiconductor devices 14 are attached to each other, but the adsorbing member of the hot plate 50. It is mounted on the mounting surface 53a of 53.

そして、真空ポンプによりホットプレート５０の管接続部５２、５４および吸着テーブル２４のバキューム経路５５、５６を介してシート１１を吸引することによって、吸着部材５３の載置面５３ａ上にシート１１吸着し固定する。この場合、少なくとも、複数の半導体デバイス１４が貼り付けられているシート１１の部分が吸着部材５３の載置面５３ａ上に吸着固定されている必要がある。   Then, the sheet 11 is sucked onto the placement surface 53 a of the suction member 53 by sucking the sheet 11 through the pipe connection portions 52 and 54 of the hot plate 50 and the vacuum paths 55 and 56 of the suction table 24 by the vacuum pump. Fix it. In this case, at least the portion of the sheet 11 on which the plurality of semiconductor devices 14 are attached needs to be suction fixed on the placement surface 53 a of the suction member 53.

次に、測定装置６は、吸着テーブル２４を下方のヒータ５１により加熱し、載置面５３ａに吸着したシート１１に貼り付けられている個片化された複数の半導体デバイス１４を、１２５℃の高温測定環境に置く。   Next, the measuring apparatus 6 heats the suction table 24 with the lower heater 51, and converts the plurality of separated semiconductor devices 14 attached to the sheet 11 sucked on the placement surface 53 a to 125 ° C. Place in a high-temperature measurement environment.

なお、複数の半導体デバイス１４がヒータ５１の加熱により高温測定環境に置かれるまでのソーク時間と並行して、１つの半導体デバイス１４におけるリードフレーム１４ｒとコンタクタ２５のプローブピン２６とが対向するように位置の調整が行われる。具体的には、半導体デバイス１４のリードフレーム１４ｒおよびコンタクタ２５のプローブ２６をカメラによりそれぞれ個別に撮像し、その撮像された双方の画像に基づいて両者の位置が対向するように調整される。   The lead frame 14r in one semiconductor device 14 and the probe pin 26 of the contactor 25 face each other in parallel with the soak time until the plurality of semiconductor devices 14 are placed in the high-temperature measurement environment by the heating of the heater 51. Position adjustment is performed. Specifically, the lead frame 14r of the semiconductor device 14 and the probe 26 of the contactor 25 are individually imaged by the camera, and the positions of both are adjusted so as to face each other based on both of the captured images.

ところで、ヒータ５１の加熱によりシート１１は高温測定環境下において伸張しようとするが、吸着部材５３の載置面５３ａに吸着し固定された状態にあるため、シート１１に貼り付けられた複数の半導体デバイス１４のプローブピン２６に対する位置や角度がヒータ５１による加熱前と比べて変化することがない。   By the way, although the sheet 11 tries to expand in a high temperature measurement environment due to the heating of the heater 51, it is in a state of being adsorbed and fixed to the mounting surface 53a of the adsorbing member 53, and thus a plurality of semiconductors attached to the sheet 11. The position and angle of the device 14 with respect to the probe pin 26 do not change compared to before the heating by the heater 51.

したがって、コンタクタ２５の複数のプローブピン２６と半導体デバイス１４のリードフレーム１４ｒとの位置関係がヒータ５１の加熱によっても変化することがなく、半導体デバイス１４のリードフレーム１４ｒとコンタクタ２５のプローブ２６との位置関係が維持される。   Therefore, the positional relationship between the plurality of probe pins 26 of the contactor 25 and the lead frame 14r of the semiconductor device 14 is not changed by the heating of the heater 51, and the lead frame 14r of the semiconductor device 14 and the probe 26 of the contactor 25 are not changed. The positional relationship is maintained.

この高温測定環境において、コンタクタ２５の本体部２５ａを矢印Ｄ方向へ移動したとき、複数のプローブピン２６の先端部分２６ａを半導体デバイス１４のリードフレーム１４ｒに接触させる。   In this high temperature measurement environment, when the main body 25a of the contactor 25 is moved in the direction of arrow D, the tip portions 26a of the plurality of probe pins 26 are brought into contact with the lead frame 14r of the semiconductor device 14.

これによりテスタ２７は、複数のプローブピン２６を介して半導体デバイス１４のリードフレーム１４ｒの導通状態を測定部２７ａにより測定し、その測定結果に基づいて半導体デバイス１４ごとの電気的特性を診断した後、その診断結果（良品または不良品）を送信部２７ｃから分類装置８へ送信する。   As a result, the tester 27 measures the conduction state of the lead frame 14r of the semiconductor device 14 through the plurality of probe pins 26 by the measurement unit 27a, and diagnoses the electrical characteristics of each semiconductor device 14 based on the measurement result. Then, the diagnosis result (non-defective product or defective product) is transmitted from the transmission unit 27 c to the classification device 8.

シート１１に貼り付けられている個片化された複数の半導体デバイス１４に対する高温測定環境下における電気的特性がテスタ２７により全て診断されると、複数の半導体デバイス１４が貼り付けられたままのシート１１がＵＶキュア装置７へ受け渡される。   When the tester 27 has diagnosed all the electrical characteristics of the plurality of singulated semiconductor devices 14 attached to the sheet 11 under a high temperature measurement environment, the sheet with the plurality of semiconductor devices 14 still attached. 11 is delivered to the UV curing device 7.

［ＵＶキュア工程］
ＵＶキュア装置７は、シート１１の基材１１ａ側から複数のブラックライト２８による紫外線を照射する。これにより、シート１１の粘着材１１ｂの粘着力が低下し、複数の半導体デバイス１４がシート１１から容易に取り外され得る状態となり、分類装置８へ受け渡される。 [UV cure process]
The UV curing device 7 irradiates ultraviolet rays from a plurality of black lights 28 from the substrate 11 a side of the sheet 11. As a result, the adhesive force of the adhesive material 11b of the sheet 11 is reduced, and a plurality of semiconductor devices 14 can be easily removed from the sheet 11 and delivered to the classification device 8.

［分類工程］
分類装置８は、測定装置６のテスタ２７から半導体デバイス１４ごとの診断結果を受信部３１により受信し、その診断結果に基づいて分類部３２により複数の半導体デバイス１４を良品または不良品に分類する。分類部３２は良品と分類した半導体デバイス１４については突き上げピン３０により突き上げるように命令する。 [Classification process]
The classification device 8 receives the diagnostic result for each semiconductor device 14 from the tester 27 of the measuring device 6 by the receiving unit 31, and classifies the plurality of semiconductor devices 14 into good products or defective products by the classification unit 32 based on the diagnostic result. . The classification unit 32 instructs the semiconductor device 14 classified as a non-defective product to be pushed up by the push-up pin 30.

そして分類装置８は、良品として分類した半導体デバイス１４を、図１５に示すように、突き上げピン３０の先端部３０ａによりシート１１の下方から突き上げることにより、シート１１の粘着材１１ｂから半導体デバイス１４を取り外し、ピッカー（図示せず）によりピックアップする。   Then, the classification device 8 pushes up the semiconductor device 14 classified as a non-defective product from the lower side of the sheet 11 by the tip portion 30a of the push-up pin 30, as shown in FIG. Remove and pick up with picker (not shown).

なお、測定装置６のテスタ２７により不良品として分類された半導体デバイス１４については、突き上げピン３０の先端部３０ａによりシート１１の下方から突き上げられることなく、シート１１に貼り付けられたままの状態で最終的に廃棄される。   The semiconductor device 14 classified as a defective product by the tester 27 of the measuring apparatus 6 is not stuck up from the lower side of the sheet 11 by the tip portion 30a of the push-up pin 30 and is still attached to the sheet 11. Finally discarded.

＜効果＞
このように、リングフレーム１２に貼り付けられたシート１１は、プリヒート／冷却工程を経て弛みや皺の無い状態にされ、そのシート１１が測定装置６におけるホットプレート５０の載置面５３ａ上に載置された状態でヒータ５１により１２５℃に加熱されるが、ホットプレート５０の載置面５３ａ上にシート１１が吸着固定されているため、シート１１は高温測定環境においても伸張することがない。 <Effect>
As described above, the sheet 11 attached to the ring frame 12 is made free of slack and wrinkles through the preheating / cooling process, and the sheet 11 is mounted on the mounting surface 53 a of the hot plate 50 in the measuring device 6. While being placed, the heater 51 is heated to 125 ° C., but since the sheet 11 is adsorbed and fixed on the placement surface 53 a of the hot plate 50, the sheet 11 does not expand even in a high-temperature measurement environment.

したがって、コンタクタ２５の複数のプローブピン２６と半導体デバイス１４のリードフレーム１４ｒとの位置関係を調整した後に、ヒータ５１の加熱によって両者の位置関係が変化しないので、コンタクタ２５におけるプローブピン２６の先端部分２６ａにより複数の半導体デバイス１４の電気的特性を測定することができる。   Therefore, after the positional relationship between the plurality of probe pins 26 of the contactor 25 and the lead frame 14r of the semiconductor device 14 is adjusted, the positional relationship between the two is not changed by the heating of the heater 51. The electrical characteristics of the plurality of semiconductor devices 14 can be measured by 26a.

なお、従来の測定装置では半導体デバイスを高温測定するための予熱構造物を設けていたが、この測定装置６ではホットプレート５０の吸着テーブル２４の下方に設けられたヒータ５１により予熱することが可能であり、従来のような大型の予熱構造物が不要となるため、装置構成を簡素化し、小型化および軽量化を図ることができる。   In the conventional measuring apparatus, a preheating structure for measuring a semiconductor device at a high temperature is provided. However, in this measuring apparatus 6, it is possible to preheat by a heater 51 provided below the suction table 24 of the hot plate 50. In addition, since a large-sized preheating structure as in the prior art is not required, the apparatus configuration can be simplified, and the size and weight can be reduced.

＜第２の実施の形態＞
以下、図面を参照しながら本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、第２の実施の形態において、図１６に示された半導体デバイス測定システム１０１におけるシート自動貼付装置２、シートプリヒート装置３、半導体ストリップ自動貼付装置４、ダイシング装置５、測定装置６、ＵＶキュア装置７および分類装置８は、第１の実施の形態における半導体デバイス測定システム１と同一の構成要素であり、処理工程の順番が異なるだけであるため、その詳細な説明は省略する。 <Second Embodiment>
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the second embodiment, the sheet automatic pasting device 2, the sheet preheating device 3, the semiconductor strip automatic pasting device 4, the dicing device 5, the measuring device 6, the UV cure in the semiconductor device measuring system 101 shown in FIG. The apparatus 7 and the classification apparatus 8 are the same components as the semiconductor device measurement system 1 in the first embodiment, and only the order of the processing steps is different, and thus detailed description thereof is omitted.

この半導体デバイス測定システム１０１では、第１の実施の形態における半導体デバイス測定システム１とは異なり、シートプリヒート装置３によるシートプリヒート工程がダイシング装置５によるダイシング工程の後であり、かつ測定装置６による高温測定工程の前に実行される。   In this semiconductor device measuring system 101, unlike the semiconductor device measuring system 1 in the first embodiment, the sheet preheating process by the sheet preheating apparatus 3 is after the dicing process by the dicing apparatus 5, and the high temperature by the measuring apparatus 6 is used. It is executed before the measurement process.

すなわち、測定装置６において複数の半導体デバイス１４とコンタクタ２５のプローブ２６との位置調整を行う前であれば、ダイシング装置５により半導体ストリップ１３を複数の半導体デバイス１４に個片化した後であっても、シートプリヒート装置３によって個片化された複数の半導体デバイス１４が貼り付けられているシート１１を弛みや皺の無い一定の張力が付与された状態にすることができる。かくして、第１の実施の形態と同様に、測定装置６による高温測定環境下においても複数の半導体デバイス１４に対する高温測定を確実に実施することができる。   That is, before the position adjustment of the plurality of semiconductor devices 14 and the probes 26 of the contactor 25 is performed in the measuring apparatus 6, after the semiconductor strip 13 is separated into the plurality of semiconductor devices 14 by the dicing apparatus 5. In addition, the sheet 11 to which the plurality of semiconductor devices 14 separated by the sheet preheating device 3 are attached can be in a state where a certain tension without slack or wrinkles is applied. Thus, similarly to the first embodiment, the high temperature measurement for the plurality of semiconductor devices 14 can be reliably performed even under the high temperature measurement environment by the measuring apparatus 6.

＜第３の実施の形態＞
以下、図面を参照しながら本発明の第３の実施の形態について説明する。なお、第３の実施の形態においても、図１７に示された半導体デバイス測定システム１０２におけるシート自動貼付装置２、シートプリヒート装置３、半導体ストリップ自動貼付装置４、ダイシング装置５、測定装置６、ＵＶキュア装置７および分類装置８は、第１、第２の実施の形態における半導体デバイス測定システム１、１０１と同一の構成要素であり、処理工程の順番が異なるだけであるため、その詳細な説明は省略する。 <Third Embodiment>
The third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Also in the third embodiment, the sheet automatic pasting device 2, the sheet preheating device 3, the semiconductor strip automatic pasting device 4, the dicing device 5, the measuring device 6 and the UV in the semiconductor device measuring system 102 shown in FIG. The curing device 7 and the classification device 8 are the same components as the semiconductor device measurement systems 1 and 101 in the first and second embodiments, and only the order of the processing steps is different. Omitted.

この半導体デバイス測定システム１０２では、第１、第２の実施の形態における半導体デバイス測定システム１、１０１とは異なり、シートプリヒート装置３によるシートプリヒート工程が半導体ストリップ自動貼付装置４による半導体ストリップ自動貼付工程の後であり、かつダイシング装置５によるダイシング工程の前に実行される。   In this semiconductor device measurement system 102, unlike the semiconductor device measurement systems 1 and 101 in the first and second embodiments, the sheet preheating process by the sheet preheating apparatus 3 is the semiconductor strip automatic application process by the semiconductor strip automatic application apparatus 4. And before the dicing process by the dicing apparatus 5.

すなわち、測定装置６において複数の半導体デバイス１４とコンタクタ２５のプローブ２６との位置調整を行う前であれば、半導体ストリップ１３をシート１１に貼り付けた後であって、ダイシング装置５により半導体ストリップ１３を複数の半導体デバイス１４に個片化する前であっても、シート１１を弛みや皺の無い一定の張力が付与された状態にすることができる。かくして、第１、第２の実施の形態と同様に、測定装置６による高温測定環境下においても複数の半導体デバイス１４に対する高温測定を確実に実施することができる。   That is, before the position adjustment of the plurality of semiconductor devices 14 and the probes 26 of the contactors 25 is performed in the measuring apparatus 6, the semiconductor strip 13 is attached by the dicing apparatus 5 after the semiconductor strip 13 is attached to the sheet 11. Even before the semiconductor device 14 is separated into a plurality of semiconductor devices 14, the sheet 11 can be in a state where a constant tension without slack or wrinkles is applied. Thus, similarly to the first and second embodiments, the high temperature measurement for the plurality of semiconductor devices 14 can be reliably performed even in the high temperature measurement environment by the measuring apparatus 6.

＜第４の実施の形態＞
以下、図面を参照しながら本発明の第４の実施の形態について説明する。なお、第４の実施の形態において、図１８に示されたホットプレート７０は、第１乃至第３の実施の形態における測定装置６のホットプレート５０に代わるものである。 <Fourth embodiment>
Hereinafter, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the fourth embodiment, the hot plate 70 shown in FIG. 18 replaces the hot plate 50 of the measuring apparatus 6 in the first to third embodiments.

したがって、ホットプレート７０以外のシート自動貼付装置２、シートプリヒート装置３、半導体ストリップ自動貼付装置４、ダイシング装置５、測定装置６、ＵＶキュア装置７および分類装置８については、第１乃至第３の実施の形態における半導体デバイス測定システム１、１０１、１０２と同一の構成要素であり、その詳細な説明は省略する。   Therefore, the sheet automatic pasting device 2 other than the hot plate 70, the sheet preheating device 3, the semiconductor strip automatic pasting device 4, the dicing device 5, the measuring device 6, the UV curing device 7 and the classification device 8 are the first to third. It is the same component as the semiconductor device measurement system 1, 101, 102 in the embodiment, and detailed description thereof is omitted.

図１８および図１９に示すように、ホットプレート７０は、ホットプレート５０と同様に、ヒータ５１が設けられている。このヒータ５１の上には、平面視略矩形状のアルミニウム製でなる吸着テーブル７１が固定され、当該吸着テーブル７１の載置面７１ａには互いに接続された複数の溝７２（図１０）が形成されている。ここで、吸着テーブル７１はアルミニウム製で形成されているため、ヒータ５１により加熱された際に吸着テーブル７１の温度が均一化される。なお、吸着テーブル７１はアルミニウム製でなくてもよく、熱伝導性の高いその他の金属材料で構成されていればよい。   As shown in FIGS. 18 and 19, the hot plate 70 is provided with a heater 51 as in the hot plate 50. A suction table 71 made of aluminum having a substantially rectangular shape in plan view is fixed on the heater 51, and a plurality of grooves 72 (FIG. 10) connected to each other are formed on the mounting surface 71 a of the suction table 71. Has been. Here, since the suction table 71 is made of aluminum, the temperature of the suction table 71 is equalized when heated by the heater 51. The suction table 71 does not have to be made of aluminum, and may be made of another metal material having high thermal conductivity.

また、吸着テーブル７１には、その内部に、側面視Ｌ字状のバキューム経路７５、７６が２本づつ形成されている。このバキューム経路７５、７６は、その一端が吸着テーブル７１における複数の溝７２の何れかと連通し、その他端が吸着テーブル７１の側面７１ｂ、７１ｃにおいて開口している。   The suction table 71 is formed with two vacuum paths 75 and 76 each having an L shape in side view. One end of each of the vacuum paths 75 and 76 communicates with any of the plurality of grooves 72 in the suction table 71, and the other end opens at the side surfaces 71 b and 71 c of the suction table 71.

さらに、吸着テーブル７１の側面７１ｂ、７１ｃには、管接続部材７３、７４がそれぞれ２個づつ固定されている。この管接続部材７３、７４には、それぞれ貫通孔７３ａ、７４ａが形成されている。   Further, two pipe connecting members 73 and 74 are fixed to the side surfaces 71b and 71c of the suction table 71, respectively. Through-holes 73a and 74a are formed in the pipe connecting members 73 and 74, respectively.

吸着テーブル７１のバキューム経路７５、７６と、管接続部材７３、７４の貫通孔７３ａ、７４ａとは繋がっている。また、管接続部材７３、７４には、図示しない真空ポンプが接続されている。   The vacuum paths 75 and 76 of the suction table 71 and the through holes 73a and 74a of the pipe connecting members 73 and 74 are connected. Further, a vacuum pump (not shown) is connected to the pipe connecting members 73 and 74.

吸着テーブル７１と対向した上方位置には、図７に示したように、複数の半導体デバイス１４の電気的状態を検出するコンタクタ２５が設けられ、当該コンタクタ２５にはテスタ２７が接続されている。   As shown in FIG. 7, a contactor 25 that detects the electrical state of the plurality of semiconductor devices 14 is provided at an upper position facing the suction table 71, and a tester 27 is connected to the contactor 25.

したがって、吸着テーブル７１の載置面７１ａに載せられたシート１１は、その載置面７１ａに露出した複数の溝７２を介して真空ポンプにより吸引された場合、載置面７１ａに載せられたシート１１が複数の溝７２を介して当該載置面７１ａに吸着される。   Therefore, when the sheet 11 placed on the placement surface 71a of the suction table 71 is sucked by the vacuum pump through the plurality of grooves 72 exposed on the placement surface 71a, the sheet placed on the placement surface 71a. 11 is adsorbed to the mounting surface 71a through the plurality of grooves 72.

したがって、測定装置６において、ホットプレート７０の吸着テーブル７１の載置面７１ａ上にシート１１を載置した状態で、吸着テーブル７１がヒータ５１により所定温度に加熱されても、吸着テーブル７１の載置面７１ａにシート１１が吸着固定されているため、当該シート１１を伸張させることのない状態が維持される。   Therefore, even if the suction table 71 is heated to a predetermined temperature by the heater 51 in a state where the sheet 11 is placed on the placement surface 71 a of the suction table 71 of the hot plate 70 in the measuring device 6, the placement of the suction table 71. Since the sheet 11 is adsorbed and fixed to the placement surface 71a, a state in which the sheet 11 is not stretched is maintained.

かくして、測定装置６のホットプレート７０により生成された高温測定環境においてもシート１１が伸張しないため、当該シート１１に貼り付けられている複数の半導体デバイス１４のプローブピン２６に対する位置や角度が変化することがなく、第１の実施の形態と同様に、測定装置６による高温測定環境下においても複数の半導体デバイス１４に対する高温測定を確実に実施することができる。   Thus, since the sheet 11 does not expand even in the high temperature measurement environment generated by the hot plate 70 of the measuring apparatus 6, the positions and angles of the plurality of semiconductor devices 14 attached to the sheet 11 with respect to the probe pins 26 change. In the same manner as in the first embodiment, it is possible to reliably perform the high temperature measurement on the plurality of semiconductor devices 14 even under the high temperature measurement environment by the measuring apparatus 6.

＜他の実施の形態＞
なお、上述した第１乃至第４の実施の形態においては、半導体ストリップ１３をダイシングすることにより得られた半導体デバイス１４を高温測定対象とするようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、半導体ウェハをダイシングすることにより得られた半導体チップを半導体デバイスとして高温測定対象とするようにしても良い。 <Other embodiments>
In the first to fourth embodiments described above, the case where the semiconductor device 14 obtained by dicing the semiconductor strip 13 is set as a high-temperature measurement target has been described. Not limited to this, a semiconductor chip obtained by dicing a semiconductor wafer may be used as a high-temperature measurement object as a semiconductor device.

また、上述した第１乃至第４の実施の形態においては、高温測定するときに最高１２５℃の高温測定環境をホットプレート５０により生成し、その高温測定環境において半導体デバイス１４の電気的特性を測定するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、８５℃〜１５０℃の高温測定環境をホットプレート５０により生成し、その高温測定環境において半導体デバイス１４の電気的特性を測定するようにしても良い。   In the first to fourth embodiments described above, a high temperature measurement environment of maximum 125 ° C. is generated by the hot plate 50 when measuring high temperature, and the electrical characteristics of the semiconductor device 14 are measured in the high temperature measurement environment. However, the present invention is not limited to this, and a high temperature measurement environment of 85 ° C. to 150 ° C. is generated by the hot plate 50, and the electrical characteristics of the semiconductor device 14 are measured in the high temperature measurement environment. You may do it.

さらに、上述した第１乃至第４の実施の形態においては、ＵＶキュア装置７においてブラックライト２８を用いるようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ＵＶキュア装置７においてメタルハライドランプや水銀ランプ等を用いるようにしても良い。   Furthermore, in the above-described first to fourth embodiments, the case where the black light 28 is used in the UV curing device 7 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the metal halide lamp is used in the UV curing device 7. Alternatively, a mercury lamp or the like may be used.

さらに、上述した第１乃至第４の実施の形態においては、ＵＶキュア装置７におけるＵＶキュアの後に分類装置８により半導体デバイス１４を分類するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、分類装置８による半導体デバイス１４の分類後にＵＶキュア装置７におけるＵＶキュアを行って、当該半導体デバイス１４を取り出すようにしても良い。   Furthermore, in the first to fourth embodiments described above, the case where the semiconductor device 14 is classified by the classification device 8 after the UV curing in the UV curing device 7 has been described, but the present invention is not limited to this. Instead, after the semiconductor device 14 is classified by the classification device 8, the UV curing device 7 may perform UV curing to take out the semiconductor device 14.

１、１０１、１０２……高温測定システム、２……シート自動貼付装置、３……シートプリヒート装置、４……半導体デバイス自動貼付装置、５……ダイシング装置、６……測定装置、７……ＵＶキュア装置、８……分類装置、１０……シート体、１１……シート、１２……リングフレーム、１３……半導体ストリップ、１４……半導体デバイス（半導体デバイス）、１７……高温雰囲気炉、２０……ダイシングブレード、２４、７１……吸着テーブル、２５……コンタクタ、２６……プローブ、２７……テスタ、２７ａ……測定部、２７ｂ……診断部、２７ｃ……送信部、２８……ブラックライト、３０……突き上げピン、３１……受信部、３２……分類部、５０、７０……ホットプレート、５２、５４、７３、７４……接続部材、５３……吸着部材、５３ａ……載置面、５５、５６、７５、７６……バキューム経路、７２……溝。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,101,102 ... High temperature measurement system, 2 ... Sheet automatic sticking device, 3 ... Sheet preheating device, 4 ... Semiconductor device automatic sticking device, 5 ... Dicing device, 6 ... Measuring device, 7 ... UV curing device, 8 ... sorting device, 10 ... sheet body, 11 ... sheet, 12 ... ring frame, 13 ... semiconductor strip, 14 ... semiconductor device (semiconductor device), 17 ... high temperature atmosphere furnace, 20 ... Dicing blade, 24, 71 ... Suction table, 25 ... Contactor, 26 ... Probe, 27 ... Tester, 27a ... Measurement unit, 27b ... Diagnostic unit, 27c ... Sending unit, 28 ... Black light, 30... Push-up pin, 31... Receiving portion, 32... Classification portion, 50, 70... Hot plate, 52, 54, 73, 74. Adsorbing member, 53a ...... mounting surface, 55,56,75,76 ...... vacuum path 72 ...... groove.

Claims (1)

常温よりも高い所定温度以上に加熱した後に常温雰囲気に冷却すると収縮する特性を持つシートを常温雰囲気中で平面視リング状のリングフレームに貼り付けるシート貼付ステップと、
複数の半導体デバイスがマトリクス状に形成された集合体を前記常温雰囲気中で前記シートの表面に貼り付ける集合体貼付ステップと、
前記シートの表面に貼り付けられた前記集合体をダイシングして前記複数の半導体デバイスに個片化するダイシングステップと、
常温より高い所定温度の高温測定環境において前記複数の半導体デバイスの電気的特性を測定する測定ステップと、
前記シート貼付ステップの後から前記測定ステップの前までに、前記シートを前記所定温度以上に加熱した後に前記常温雰囲気に冷却することにより前記シートを弛みなく張られた状態にするプリヒートステップと
を有し、
前記測定ステップは、個片化された前記複数の半導体デバイスが貼り付けられている前記シートを、前記高温測定環境を生成する加熱装置の載置面に載置し、前記シートを前記載置面に吸着させるステップと、
前記シートに貼り付けられた前記複数の半導体デバイスを前記加熱装置によって前記高温測定環境に置くステップと、
前記高温測定環境の中で前記複数の半導体デバイスの電気的特性を測定するステップとを有する
ことを特徴とする半導体デバイス測定方法。 A sheet sticking step of sticking a sheet having a property of shrinking when heated to a normal temperature atmosphere after being heated to a predetermined temperature higher than normal temperature to a ring-shaped ring frame in a plan view in the normal temperature atmosphere;
An assembly pasting step in which an assembly in which a plurality of semiconductor devices are formed in a matrix is pasted on the surface of the sheet in the normal temperature atmosphere;
A dicing step of dicing the assembly attached to the surface of the sheet into pieces into the plurality of semiconductor devices;
A measurement step of measuring electrical characteristics of the plurality of semiconductor devices in a high-temperature measurement environment at a predetermined temperature higher than normal temperature;
A preheating step for heating the sheet to the predetermined temperature or higher and then cooling to the room temperature atmosphere after the sheet sticking step to before the measuring step to make the sheet stretched without slack. And
In the measurement step, the sheet on which the plurality of separated semiconductor devices are attached is placed on a placement surface of a heating device that generates the high-temperature measurement environment, and the sheet is placed on the placement surface described above Adsorbing to
Placing the plurality of semiconductor devices attached to the sheet in the high temperature measurement environment by the heating device;
Measuring the electrical characteristics of the plurality of semiconductor devices in the high-temperature measurement environment.
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