JP2016132083A - 加工装置、加工方法、および部品の製造方法 - Google Patents
加工装置、加工方法、および部品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016132083A JP2016132083A JP2015010151A JP2015010151A JP2016132083A JP 2016132083 A JP2016132083 A JP 2016132083A JP 2015010151 A JP2015010151 A JP 2015010151A JP 2015010151 A JP2015010151 A JP 2015010151A JP 2016132083 A JP2016132083 A JP 2016132083A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- tool
- workpiece
- machining
- control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/046—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces using electric current
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【課題】簡単安価な構成により、工具と被加工物との接触領域を最小の単位加工痕とし、効率の良い触媒支援型加工を実施でき、また、大面積の加工も行えるようにする。
【解決手段】加工面31が被加工物4の被加工面41の加水分解を支援する遷移金属を含む触媒物質により構成された工具3により、加工液である水1に浸漬された被加工物4を加工する。被加工面41の面法線方向を含む方向に関する被加工物4の被加工面41と工具3の加工面31の相対距離を制御する制御部は、振動ユニット5および振動制御部6を含む。制御部により、被加工面41と加工面31が非接触となる第1の状態(第1の工程)と、被加工面41と加工面31が接触、または加工面31の触媒物質の触媒反応が有効となる距離まで接近した第2の状態(第2の工程)と、を交互に繰り返す触媒反応制御を行うことにより、被加工面41を加工する。
【選択図】図1
【解決手段】加工面31が被加工物4の被加工面41の加水分解を支援する遷移金属を含む触媒物質により構成された工具3により、加工液である水1に浸漬された被加工物4を加工する。被加工面41の面法線方向を含む方向に関する被加工物4の被加工面41と工具3の加工面31の相対距離を制御する制御部は、振動ユニット5および振動制御部6を含む。制御部により、被加工面41と加工面31が非接触となる第1の状態(第1の工程)と、被加工面41と加工面31が接触、または加工面31の触媒物質の触媒反応が有効となる距離まで接近した第2の状態(第2の工程)と、を交互に繰り返す触媒反応制御を行うことにより、被加工面41を加工する。
【選択図】図1
Description
本発明は、加工に作用する加工面が被加工物の被加工面の加水分解を支援する遷移金属を含む触媒物質により構成された工具を用いた加工装置、加工方法、および部品の製造方法に関する。
従来、ガラスや半導体などの被加工物の加工、例えば研磨の手法として砥粒を用いた加工方法の他、近年では下記の特許文献1に示されるような触媒支援型加工方法が注目されている。
特許文献1に示される加工方法は、ガラスなどの固体酸化物を対象(被加工物)とする。この手法では工具の加工面を被加工物の加水分解による分解生成物の生成を支援する遷移金属を含む触媒物質で構成し、水の存在下で、被加工物と加工面とを接触若しくはごく接近させて配し、両者を相対的に摺動させる。触媒支援型加工方法によると、光学ガラスに代表されるような固体酸化物からなる被加工物の表面を研磨し、平滑化することができる。
上記特許文献1の構成では、回転させた小径工具と被加工物とを相対的に摺動させることで、被加工面を数値制御により任意曲面に加工する。このとき、形成可能な任意曲面の自由度を高めるためには、単位加工痕のサイズを小さくすることが必要である。たとえば、工具の触媒物質で構成した加工面を小径化するなどして最小の単位加工痕を小さくする必要がある。そして、手動ないし数値制御によって工具を摺動させる被加工面上の加工位置や加工深さを変更することにより、加工面より大きな加工範囲を複雑な任意曲面に加工することができると考えられる。
しかしながら、一般に、特許文献1に記載されるような従来構成では、工具と被加工物を接触状態で摺動させる加工方法が前提とされている。このような加工方法では、一般に、最小の単位加工痕のサイズが工具と被加工物との接触領域よりも大きくなる特性がある。このため、単位加工痕の微小化や、微細加工の精度には自ずと限度が生じる。
本発明の課題は、上記問題に鑑み、簡単安価な構成により、工具と被加工物との接触領域を最小の単位加工痕とし、効率の良い触媒支援型加工を実施でき、また、大面積の加工も行えるようにすることにある。
上記課題を解決するため、本発明においては、加工に作用する加工面が、水に浸漬された被加工物の被加工面の加水分解を支援する遷移金属を含む触媒物質により構成された工具と、前記被加工面の面法線方向を含む方向に関する、前記被加工物の前記被加工面と前記工具の前記加工面の相対距離を制御する制御部と、を用い、前記制御部によって、前記被加工面と前記加工面が非接触となる第1の状態(第1の工程)と、前記被加工面と前記加工面が、接触、または前記触媒物質の触媒反応が有効となる距離まで接近した第2の状態(第2の工程)と、を交互に繰り返す触媒反応制御を行うことにより、前記被加工面を加工する構成を採用した。
上記構成によれば、工具を摺動させることなく工具の加工面と被加工物の被加工面に関して、第1の状態(第1の工程)、第2の状態(第2の工程)を交互に生成することにより、効率よく触媒反応を進行させ、被加工物を加工することができる。本発明によれば、従来構成のように加工領域が大きくなりがちな摺動を行わないため、最小の単位加工痕サイズを工具と被加工物とが接触ないし接近する領域の大きさまで微細化することができる。
以下、添付図面を参照して本発明を実施するための形態につき説明する。なお、以下に示す構成はあくまでも一例であり、例えば細部の構成については本発明の趣旨を逸脱しない範囲において当業者が適宜変更することができる。また、本実施形態で取り上げる数値は、参考数値であって、本発明を限定するものではない。
図1は本発明を採用した加工装置の概略構成を側方から示している。図1の加工装置は、工具3によりガラス(固体酸化物)や半導体などの被加工物4の微少領域の加工を行うよう構成されている。加工中、被加工物4は加工液1(水)中に浸漬した状態とする。
工具3の加工面31は、被加工物4の被加工面41の加水分解を支援する遷移金属を含む触媒物質により構成される。
工具3は、振動ユニット5によって、図の上下方向に振動するよう駆動される。これにより、工具3の触媒物質の触媒反応制御が行なわれる。即ち、この触媒反応制御では、この振動ユニット5によって、工具3を振動させることにより、次の2つの状態(工程)が交互に生成される。
(1)被加工物4の被加工面41と工具3の加工面31が非接触となる第1の状態(第1の工程)。
(2)被加工物4の被加工面41が工具3の加工面31と接触、または工具3の加工面31の触媒物質の触媒反応が有効となる距離まで接近した第2の状態(第2の工程)。
振動ユニット5は、被加工物4の被加工面41の面法線方向を含む方向に関する、当該被加工面41と工具3の加工面の相対距離を制御するためのアクチュエータで、例えば後述の制御部(実施例3)によって上記のように制御される。
以下、図1の各要素の構成例をより詳細に説明する。
図1において、被加工物4は、加工液1を保持する容器2の底部に適当な手法により固定され、加工液1に浸漬されている。
容器2は、加工液1の容器として機能するとともに、被加工物4を支持する加工台としても機能する。また、容器2は、モータ10により回転駆動され、これにより、容器2の底部に固定された被加工物4はモータ10の回転駆動軸を中心に回転駆動できるようになっている。
一方、工具3〜振動ユニット5は、モータ11に結合されている。モータ10、およびモータ11の回転駆動軸は、Xステージ7、Yステージ8の制御により、例えば一直線上に整合して配置することができる。これにより、加工期間中、工具3と被加工物4が同じ回転軸上で逆方向の相対回転方向で回転させることができる。
また、モータ10、モータ11の回転駆動軸を偏心させた配置とすれば、工具3の加工面31を回転させながら、被加工物4の被加工面41を同心円状に加工することもできる。また、モータ10、モータ11の回転駆動軸の偏心量を逐次変更することによって、被加工面41を全体に渡って同心円状に加工できる。
その際、回転駆動軸の偏心量を制御しつつ、加工量を適宜制御することにより、工具3による微少加工の積み重ねによって、例えば、被加工面41の全体などの大きな領域を任意の複雑な曲面に加工することができる。例えば、回転駆動軸の偏心量を制御しつつ、加工量を適宜制御することにより、工具3の加工面31よりも大きな被加工面41の領域を球面や、パラボラ面、あるいは複雑な非球面の曲面形状などに加工することができる。
また、モータ11と、モータ10の回転方向は、例えば互いに逆回転となるよう、あるいは同一回転方向でも異る回転数になるよう制御する、など種々の加工条件を選ぶことができる。
なお、上記のモータ10、モータ11による工具3と被加工物4の回転は、例えば加工の均一性を高めるためなどに有効であるが、本発明の加工原理による触媒支援型加工に関しては、必ずしも必須の要件ではない。以下に示す実施例1および2では、モータ10、モータ11による工具3と被加工物4の相対回転駆動は用いられていない。
また、遷移金属の触媒物質を加工面31に有する工具3は、振動ユニット5の先端に固定されている。振動ユニット5は、工具3を図中の縦(上下)方向に工具3を振動させる。
振動ユニット5は、例えばピエゾ(圧電)素子や磁気振動子などの駆動源を用いて構成され、加工時に、後述のストローク量、工具3を振動させるよう構成される。振動ユニット5は、振動制御部6に接続され、振動制御部6の駆動制御を受ける。
振動ユニット5は、振動ユニット5を回転させるためのモータ11に固定されている。工具3〜振動ユニット5〜モータ11は、3次元空間内において工具3と被加工物4の相対位置を制御できるよう、Zステージ9に結合され、さらにZステージ9はXステージ7、Yステージ8に結合されている。
振動ユニット5に装着された工具3は、振動ユニット5の振動によって次のような触媒反応制御を受ける。即ち、工具3は、振動上端では被加工物4と非接触状態(上記第1の状態または工程)となり、振動下端では被加工物4と接触もしくは極接近状態(上記第2の状態または工程)となるよう制御される。
以下、上記各構成要素の構成例について詳細に説明する。
工具3の加工面31を構成する触媒物質は、水分子が解離することで被加工物4を構成する元素と他の元素のバックボンドを切り、加水分解による分解生成物の生成を助長する触媒物質として、少なくとも1種類以上の遷移金属元素から選ばれる。この遷移金属元素としては、Pt、Au、Ag、Cu、Ni、Cr、MOなどが考えられる。触媒物質はこれらの金属元素単体、または複数の金属元素からなる合金であってもよい。
また、工具3の全体がバルクの触媒物質である必要はなく、少なくともその加工に作用する加工面31が上記の触媒物質により構成されていればよい。例えば、安価で形状安定性のよい母材(たとえばガラス、樹脂など)の表面に、上記の触媒物質を薄膜としてコーティング(成膜)したものでも良い。触媒物質を薄膜コーティングする方法については、スパッタ法やCVD法、めっき法、塗布乾燥法といった一般的なコーティング方法を利用でき、本発明はその方法には限定されない。また、触媒物質と母材の密着力を上げるために、触媒物質と母材の間にはカーボンなどの中間層を設けることがより望ましい。
本発明の触媒支援型加工に適合する被加工物4の材料は、例えば固体酸化物の典型例としてのガラスや、シリコン、ガリウムその他の化合物から半導体素材である。例えば、ガラスは常態では固体であり酸素を介して1種または2種以上の元素が結合した固体酸化物、あるいは複数の酸化物からなる多成分系の固体酸化物の一例である。
なお、被加工物4が窒化ガリウムのような素材の場合は、図1の構成に対し、工具3の加工面31が接触ないし近接する被加工面41の加工部位に紫外線を照射し、被加工面41の加工部位を酸化させるための紫外線照射手段を追加することができる。このような構成により、被加工面41の加工部位の材質を紫外線照射により酸化させ、固体酸化物に対する加工の場合と同様の加工原理(後述)に基づき被加工面41を加工することができる。
また、本発明の加工装置および加工制御は、光学ガラス材料の加工に好適に実施できる。特に、光学ガラスの組成としてはホウ酸を含むホウ酸塩系ガラス、リン酸を含むリン酸塩系ガラス、さらには酸化バリウム、酸化チタン、酸化ランタン等を含むガラスが挙げられる。また、リン酸塩系ガラスについては、フッ化カルシウム、フッ化バリウムなどのフッ化物を含むフツリン酸塩系ガラスも挙げられる。
加工液1は、水(H2O)を含むことが必須であるが、その組成は限定されるものではない。例えば、加工液1の主体を水(H2O)とし、さらにpH調整などの目的でHNO3やKOHなどの成分が含まれていてもよい。また、pH緩衝液として、酢酸緩衝液やリン酸緩衝液などの成分が含まれていてもよい。加工液1のpHについては、加工速度の観点から2〜12の範囲が望ましく、さらに装置の劣化や環境負荷の低減の観点から、3〜10の範囲であることがより望ましい。また、本発明においては固体粒子(砥粒)による被加工物の除去作用を必要としないため、原理的には加工液1が固体粒子(砥粒)を含んでいる必要はない。
振動ユニット5により工具3を振動させる、即ち上記の第1および第2の状態(工程)の間で振動させる振動周波数については特に限定されない。ただし、上記第2の状態(工程)において工具3と被加工物4が接触(ないし近接)回数が増加することで被加工面41の除去量が増加するため、高い除去速度を得るという観点では、超音波域の高い振動周波数を用いることが望ましい。
固体酸化物の被加工物の例で説明すれば、本発明の加工方法は、以下のような原理に基づくものである。
被加工物4の表面に工具3の加工面31の触媒物質が接触、もしくはごく接近すると、酸化物を構成する酸素元素と他の元素とのバックボンドの結合力が弱くなる。そして、加工液1の水分子が解離して酸化物の酸素元素と他の元素のバックボンドを切って吸着し、これにより加水分解による分解生成物を生成する。
この被加工物4の分解生成物は、加工液1中に溶出する性質を持つが、ここで、触媒物質と被加工物である固体酸化物とが接触、もしくはごく接近したままの状態では、生成した分解生成物が加工液1中に溶出することができない。また、この状態では、新たな分解生成物を生成するための加工液1の水分子が供給されないため、被加工物の除去は進行しない。
しかしながら、本発明では、振動ユニット5により工具3の加工面31の触媒物質と被加工物4の被加工面41を、被加工面41の面法線方向を含む方向に相対運動させる。即ち、上記の第1および第2の状態(工程)を繰り返すよう振動ユニット5により工具3を振動させる。これにより、加工面31と被加工面41の間に次々と新しい加工液1の水分子を供給して、分解生成物を溶解させ、また、分解生成物が溶解した水分子を排出することができる。即ち、上記工具3の振動により、被加工面41の分解生成物を加工面31と被加工面41の間隙の加工液1中に溶出させ、また、(分解生成物の溶解濃度の低い)新たな水分子を同間隙に供給するような加工液1の流通が起きる。
以上のように、被加工面41と工具3の加工面31が、非接触となる第1の状態(第1の工程)と、または両者が接触、または工具3の加工面31の触媒物質の触媒反応が有効となる距離まで接近した第2の状態(第2の工程)を交互に発生させる。これにより、被加工面41近傍の加工液1中において、分解生成物の生成と、分解生成物の排出と新たな水分子の導入を交互に連続して発生させ、効率的に被加工面41の加工を効率よく進行させることができる。工具と被加工物との接触領域を最小の単位加工痕とする効率の良い触媒支援型加工を実施できる。
以下、図1に示した加工装置の構成を用いて平面レンズを被加工物とし、その表面上に0.15mm程度の直径の円形状を加工する実施例につき説明する。
図2に、本実施例における工具3と被加工物4の形状を示す。工具3の基材には、直径が1/4インチ、半球形状のポリ塩化ビニル製の材料を用いた。工具3の半球の平面部を振動ユニット5に固定した。加工面31の触媒物質にはPtを用い、工具3の球面部に100nm程度の厚さとなるようスパッタ成膜した。加工液1には純水を用いる。
また、被加工物4は直径が35mmの平面形状のランタン系ガラスである。被加工物4の表面は、除去痕を容易に観察できるよう予め鏡面に処理した。
図2は、上記の直径が1/4インチの球形の工具3の加工面31と、被加工物4の被加工面41の平面とを接触させた状態を示している。特に、図2の接触状態は点接触ではなく、両者が点接触した位置からさらに2μm程度、工具3を押込んだ状態を示している。この時、ポリ塩化ビニル基材の工具3の先端の加工面31は、例えば図2に示すように弾性変形し、直径Rの円形状で被加工面41に接触する。この状態において、工具3の加工面31と被加工物4の被加工面41の接触面形状は、ヘルツ接触モデルを用いて計算すると、直径R=0.15mm程度の円形状となる。
本実施例では、加工時、振動ユニット5による振動下端において、工具3と被加工物4とが点接触した位置からさらに2μm程度、工具3が押込まれた状態となるよう、Zステージ9を調整する。Xステージ7、Yステージ8は、例えば工具3の加工面31が被加工物4の被加工面41上の所定位置に位置決めされるよう制御する。
振動ユニット5による工具3の振動振幅はPV5μm、振動周波数は38kHzとした。本実施例では、上記のZステージ9の調整状態において、上記振幅および周波数で工具3を2秒間振動させることにより、上記の(1)および(2)の状態(工程)を交互に繰り返す触媒反応制御を行った。この2秒間の加工時間(加工期間)の後、触媒反応(加工)を確実に停止させるため、好ましくはZステージ9で工具3と被加工物4の相対距離を触媒反応が起きない距離まで離間させる。
この2秒間の加工時間(加工期間)において、工具3と被加工物4は76000回、間欠的に接触させたことになる。なお、本実施例では、モータ10、モータ11による工具3と被加工物4の相対回転駆動は行わない。
上記の、加工条件、即ち、Xステージ7、Yステージ8、Zステージ9による相対位置制御、振動ユニット5の振動数(周期)、加工時間などの設定は、後述の実施例3に示すような制御部(200)によって行うことができる。
上記の加工後、被加工面41の表面を走査型白色干渉計で観察して加工特性を評価した結果を図3(a)、(b)に示す。図3(a)は加工後の被加工面41の表面の高さマップ像、図3(b)は図3(a)のA−A’断面のプロファイルを示す。図3(a)、(b)の測定結果から明らかなように、被加工物4の被加工面41にほぼ円形状の除去痕が形成されていることが確認できる。図示の除去痕の形状は直径が0.15mm程度の円形状に相当する。
この被加工面41の除去痕の形状およびサイズは、上記設定の工具3の振動下端における直径R=0.15mm程度の円形状の工具3の加工面31と被加工面41の接触面に相当する領域とほぼ合致する。
図3(b)に示す断面形状から、除去痕の最大深さは150nm程度である。断面形状には凹凸が存在するが、これは工具3に元々存在していた表面の凹凸が転写されたものと推定され、平滑化を意図した加工でなければ問題とはならない。
このように、本実施例によれば、工具3の表面の形状、もしくはパターンの反転形状を被加工物の表面に転写することができる。このような転写加工によって、例えば工具を走査させることなく形状、もしくは形状パターンを加工することが可能である。例えば工具3の形状やサイズを変更することにより、様々な形状を被加工物4の被加工面41に加工できる可能性があり、また加工時間を短縮できる可能性がある。
なお、本実施例では、モータ10、モータ11による工具3と被加工物4の相対回転駆動を利用していない。しかしながら、モータ10、モータ11により数100〜数1000rpm程度の(例えばそれぞれ逆回転方向の)回転数を工具3と被加工物4に与えることによって、より平滑な形状を被加工面41に加工することができる。なお、本実施例ではXステージ7、Yステージ8による加工位置(工具3と被加工物4の相対位置)の制御は行っていない。
以下、図1の加工装置を用いた異なる加工例を示す。本実施例2では、振動ユニット5による工具3の振動に、Xステージ7、または(および)Yステージ8による横方向の直線運動を複合させて、直線溝を被加工面41に形成する。すなわち、本実施例の加工制御は、縦方向(の振動:触媒反応制御)と、横方向(の相対移動:加工位置制御)とを組み合わせた制御である。
工具3の構成は上記実施例1と同様であり、ポリ塩化ビニル製の1/4インチである半球形状の基材に触媒物質にはPtを成膜したものである。また、被加工物4の材料は、実施例1と同様、ランタン系ガラスである。加工液1には純水を用いた。また、本実施例でもモータ10、モータ11による工具3と被加工物4の相対回転駆動は行わない。
工具3の振動条件(触媒反応制御条件)は、実施例1と同様で、工具3の振動の振幅はPV5μm、振動周波数は38kHz、加工時間(期間)は2秒間とした。同時に、Xステージ7、または(および)Yステージ8を制御して、工具3と被加工物4を直線的に相対移動させた。この時、工具3の加工面31と被加工物4の被加工面41が1mm/sの速度で等速直線運動するよう、Xステージ7、または(および)Yステージ8を制御した。
なお、上記の加工条件の制御も、後述の実施例3の制御部(200)を用いて実施することができる。
加工後、被加工面41の表面を走査型白色干渉計で観察して加工特性を評価した結果を図4(a)、(b)に示す。図4(a)は被加工面41の加工部位の高さマップ像、図4(b)は図4(a)のB−B’断面のプロファイルを示している。図4(a)に示すように加工によって直線状の除去痕が形成されていることが確認できる。被加工面41の除去痕の形状は、0.15mm程度の幅で、ほぼ半円断面の溝形状であり、加工面31との上記の単位接触形状である直径が0.15mm程度の円形状が連続的に転写されている。
以上のように、ほぼ工具3の接触(ないし近接)領域の大きさの加工痕を単位として、それよりも大きな加工範囲(上記の例では直線溝)を加工することができる。
なお、上記実施例では、直線溝の加工を例示した。しかしながら、図1の加工装置の構成によれば、工具3と被加工面41の間に触媒反応を発生させる加工位置は、例えばXステージ7、Yステージ8、あるいはさらにモータ10、11の駆動を組合せて、任意のパターンで変更することができる。これにより、被加工面41に例えば、上記の複雑な曲線形状、文字や図形などのパターンを加工できる。また、上述のように、被加工面41を球面や、パラボラ面、あるいは複雑な非球面の曲面形状などに加工することができる。
即ち、図1の加工装置の構成によれば、ほぼ工具3の接触(ないし近接)領域の大きさの加工痕を単位として、それよりも大きな大面積の加工領域が可能である。なお、上記のような各種の加工形状を被加工面41に生成するには、例えば下記の実施例3に示すような制御部(200)、ないしその制御手順を用いることができる。後述する制御部(200)は、例えば入力部(211)から複雑な加工制御データを入力し、その加工データに基づき、図1の加工装置の各部を制御することができる。これにより、これにより、被加工面41に上記の複雑な曲線形状、文字や図形などのパターンを加工し、また、被加工面41を球面や、パラボラ面、あるいは複雑な非球面の曲面形状などに加工することができる。
以下に、図1の加工装置ハードウェアを制御するための制御部200の構成例、および制御手順の一例につき説明する。
図5に、加工装置の制御部200の構成例を示している。図5の制御部は、汎用マイクロプロセッサなどから成るCPU201、ROM202、RAM203、外部記憶装置204、入力部211、インターフェース212などから構成される。
ROM202は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体であり、例えば後述する加工制御プログラムと制御データを格納するために用いることができる。なお、ROM202に格納した加工制御プログラムと制御データを後から更新(アップデート)できるよう、そのための記憶領域はE(E)PROMなどの書き換え可能な記憶デバイスによって構成されていてもよい。また、ROM202の上記書き換え可能な記憶デバイスの領域は、着脱式のフラッシュメモリから構成されていてもよい。このような着脱式のコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、例えば、本発明の一部を構成する加工制御プログラムをROM202(E(E)PROM領域)にインストールしたりアップデートするために用いることができる。この場合、各種の着脱式のコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、本発明を構成する制御プログラムを格納しており、記録媒体それ自体も本発明を構成することになる。
RAM203は、DRAM素子などから構成され、CPU201が各種の制御、処理を実行するためのワークエリアとして用いられる。本実施例における加工制御に係る機能は、CPU201が本実施例の加工制御プログラムを実行することにより実現される。
また、図5の入力部211は、加工条件(制御条件)を入力するための入力部で、例えば他の制御端末(例えばコンピュータやサーバ装置)などから所定のデータフォーマットで記述された加工条件を入力するインターフェース装置から構成される。このインターフェース装置は、例えば各種のシリアルバスやパラレルバス、ネットワークインターフェースなどから構成される。また、入力部211は、操作者が所望の加工条件を入力するユーザーインターフェース装置から構成されていてもよい。その場合、このユーザーインターフェース装置は、例えば、キーボード、ディスプレイ、マウス、トラックパッド(ボール)といったポインティングデバイスなどから構成することができる。
CPU201は、インターフェース212を介して振動ユニット5を制御する振動制御部6Xステージ7、Yステージ8、Zステージ9、モータ10、およびモータ11と通信する。インターフェース212は、任意の通信インターフェース(例えばパラレルないしシリアル通信インターフェース)により構成される。
タイマ回路213は、たとえばRTC(リアルタイムクロック)のようなタイマ装置によって構成される。CPU201は、タイマ回路213を用いて加工時間(期間)の長さを決定する、といった時間に関する制御を行うことができる。
CPU201は、入力部211から入力された後述の加工条件に応じて、上記各部を制御することにより、工具3による被加工物4の加工動作を制御する加工制御を行う。
上記の振動ユニット5および振動制御部6は、被加工物4の被加工面の面法線方向を含む方向に関する、被加工面と工具3の加工面の相対距離を変化させることにより工具の触媒物質の触媒反応を制御する触媒反応制御部を構成する。
振動ユニット5および振動制御部6(触媒反応制御部)は、被加工物4の被加工面上の特定の加工位置において、被加工面と工具3の加工面の相対距離を変化させ、次の第1および第2の状態を交互に生成する。即ち、この第1および第2の状態は、被加工面と加工面が非接触の状態となる第1の状態(第1の工程)と、被加工面と加工面が接触、または触媒物質の触媒反応が有効となる距離まで接近した状態となる第2の状態(第2の工程)である。
この第1の状態と第2の状態を交互に生成する周期または期間を制御することにより、振動ユニット5および振動制御部6(触媒反応制御部)の触媒反応制御の態様を制御し、被加工面の加工量を制御することができる。従って、入力部211から入力すべき加工条件は、上記の第1の状態と第2の状態を交互に生成する周期または期間に関する制御条件である。
また、入力部211を介して入力された加工条件に応じて、例えば、加工期間が終了した時点で、インターフェース212を介してZステージ9を制御し、工具3と被加工物4を離間させ、触媒反応を停止させ、触媒支援加工を終了させることができる。
さらに、Xステージ7、およびYステージ8は、振動ユニット5および振動制御部6(触媒反応制御部)により第1の状態(工程)、または第2の状態(工程)を繰り返す被加工面上の位置を制御することにより加工位置を制御する加工位置制御部を構成する。Xステージ7、およびYステージ8の加工位置制御により、工具3と被加工物4を相対的に位置決めし、その加工位置において、被加工物4の被加工面上の任意の微少領域を加工することができる。
また、ROM202など格納した加工制御プログラム、あるいは入力部211から入力される後述の加工制御データに応じてXステージ7、およびYステージ8を制御できる。例えば、工具3と被加工物4の相対的な位置決めにより決定される加工位置を逐次移動させることができ、これにより、工具3の加工面31よりも大きな被加工面41上の広範囲な領域を加工することもできる。
図6は、図5の制御部によって行われる、本発明の触媒反応制御を介した加工制御手順の一例を示している。図6の手順は、CPU201の制御プログラムとして例えばROM202に格納しておくことができる。また、本実施例の加工制御手順を記述した制御プログラムは、コンピュータ読み取り可能な光ディスクや各種フラッシュメモリ(いずれも不図示)によって図5の制御系に供給することができる。その場合E(E)PROMなどで構成したROM202の所定領域を着脱可能な各種フラッシュメモリにより構成し、この領域を利用して図5の制御系への制御プログラムのインストールや更新を行うようにしてもよい。また、本実施例の加工制御手順を記述した制御プログラムは、不図示のネットワークインターフェースなどを介して図5の制御系に供給し、インストール、更新を行うようにしてもよい。
図6のステップS11において、入力部211により、少なくとも上述の触媒反応制御における第1の状態(工程)と第2の状態(工程)を交互に生成する周期または期間に関する制御条件を入力する。また、必要であれば、この時、同時にXステージ7、Yステージ8などを用いた加工位置の制御条件も入力されてよい。また、モータ10、11の駆動条件もこの時入力することができる。
作業者の手動入力であれば、上記の制御条件はユーザーインターフェース装置から成る入力部211を用いた手動操作によって入力される。また、入力部211にネットワークインターフェースなどが含まれている場合には、このインターフェースを用いて他の制御端末(例えばコンピュータやサーバ装置)などから所定のデータフォーマットで記述された上記の制御条件を入力することができる。
なお、例えば、Xステージ7、Yステージ8、Zステージ9などによる工具3と被加工物4の相対的な位置姿勢制御に関しては、数値制御やロボット制御などにおいて一般に用いられている位置姿勢データフォーマットを用いることができる。例えば、振動ユニット5の振動数や加工期間(加工量に相当する)を変化させるデータに同期するよう、位置姿勢データフォーマットを用いてXステージ7、Yステージ8、Zステージ9などによる工具3と被加工物4の相対的な位置姿勢制御を行うことができる。これにより、多数の複雑な直線や曲線溝から成るパターンを被加工面41上に形成するような加工が可能となる。
また、位置姿勢データフォーマットを利用したXステージ7、Yステージ8の制御と、モータ10、11の制御を組合せることにより、工具3よりも大きな被加工面41の領域を任意形状に加工できる。例えば、工具3よりも大きな被加工面41の領域を上述の球面や、パラボラ面、あるいは複雑な非球面の曲面形状などに加工することができる。
このように、入力部211から入力される加工制御データは、少なくとも上述の触媒反応制御における第1の状態(工程)と第2の状態(工程)を交互に生成する周期または期間に関する制御条件を含む。また、加工制御データは、その他に、Xステージ7、Yステージ8、Zステージ9による工具3と被加工物4の相対的な位置姿勢制御データと、モータ10、11の制御制御データを含むことができる。従って、この加工制御データ全体は、一種の加工制御プログラム(データ)や数値制御データの1種と考えることもできる。
図6のステップS12では、CPU201はステップS11で入力された制御条件に基づき、図5の6〜12の各ブロックの駆動条件を決定し、各部を制御するための制御データを生成する。例えば、入力された触媒反応制御の周期は、振動ユニット5を制御する駆動周波数の制御データに変換され、振動制御部6に設定される。触媒反応制御の期間は、タイマ回路213を用いて制御することができる。
この種のタイマ回路(213)を用いた制御では、例えば、設定された加工期間の間のみ、Zステージ9を用いて、工具3と被加工物4の相対距離が上記の第1の状態(工程)と第2の状態(工程)を交互に生成しうる距離となるよう制御を行う。同時にまた、振動ユニット5は、振動制御部6によって設定された加工期間のみ駆動されるように制御することができ、この制御もタイマ回路213を用いて実現できる。
ステップS13、S14のループにおいて、CPU201はステップS14の加工終了条件成立を監視しながら、実際の加工制御を行う。即ち、ステップS14で加工終了条件が成立するまでの間、ステップS13において図1の加工装置の各部を設定した制御条件で駆動する加工制御を行う。ステップS14の加工終了条件の検査は、例えばタイマ回路213を用いた加工期間の終了タイミング到来、などを条件として行うことができる。このようなタイマ制御は、例えばタイマ割り込み処理(例外処理)のようなCPU201の制御メカニズムを利用して実施することができる。
以上のようにして、制御部200では、上記(1)、(2)に示した状態(工程)を交互に生成する触媒反応制御の周期、ないしは期間、あるいはさらに加工位置(あるいはさらに加工速度など)を含む制御条件を入力部211から入力する。そして、制御部200は入力手段により入力された制御条件に応じて、触媒反応制御を制御し、工具3により被加工物4に対して所期の加工を実施することができる。
上述の本発明の加工装置ないし加工方法を実施することにより、固体酸化物、半導体などから成る光学素子や半導体基板などの種々の部品を製造する製造方法を実現することができる。
なお、本発明は、上述の実施例の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステムまたは装置に供給することができる。その場合、本発明の制御は、そのシステムまたは装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現できる。また、本発明の制御は、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
1…水、2…容器、3…工具、4…被加工物、5…振動ユニット、6…振動制御部、7…Xステージ、8…Yステージ、9…Zステージ、10…モータ(被加工物側)、11…モータ(工具側)、200…制御部、201…CPU、202…ROM、211…入力部。
Claims (11)
- 加工に作用する加工面が、水に浸漬された被加工物の被加工面の加水分解を支援する遷移金属を含む触媒物質により構成された工具と、
前記被加工面の面法線方向を含む方向に関する、前記被加工物の前記被加工面と前記工具の前記加工面の相対距離を制御する制御部と、を有し、
前記制御部によって、
前記被加工面と前記加工面が非接触となる第1の状態と、
前記被加工面と前記加工面が、接触、または前記触媒物質の触媒反応が有効となる距離まで接近した第2の状態と、
を交互に生成する触媒反応制御を行うことにより、前記被加工面を加工することを特徴とする加工装置。 - 請求項1に記載の加工装置において、前記工具の前記加工面の形状が、前記被加工物の前記被加工面に形成する任意の形状の反転形状であることを特徴とする加工装置。
- 請求項1または2に記載の加工装置において、前記制御部は、前記第1の状態、または前記第2の状態を生成する前記被加工面における位置を制御することにより前記被加工面における加工位置を制御することを特徴とする加工装置。
- 請求項1から3のいずれか1項に記載の加工装置において、少なくとも前記第1の状態と前記第2の状態を交互に生成する周期または期間に関する制御条件を入力する入力手段を有し、前記制御部は前記入力手段により入力された制御条件に応じて前記触媒反応制御を制御することを特徴とする加工装置。
- 加工に作用する加工面が、水に浸漬された被加工物の被加工面の加水分解を支援する遷移金属を含む触媒物質により構成された工具と、前記被加工面の面法線方向を含む方向に関する、前記被加工物の前記被加工面と前記工具の前記加工面の相対距離を制御する制御部と、を備えた加工装置により前記被加工物を加工する加工方法において、
前記制御部によって、
前記被加工面と前記加工面が非接触の状態となる第1の工程と、
前記被加工面と前記加工面が、接触、または前記触媒物質の触媒反応が有効となる距離まで接近した状態となる第2の工程と、
を交互に繰り返す触媒反応制御を行うことにより、前記被加工面を加工することを特徴とする加工方法。 - 請求項5に記載の加工方法において、前記工具の前記加工面の形状が、前記被加工物の前記被加工面に形成する任意の形状の反転形状であることを特徴とする加工方法。
- 請求項5または6に記載の加工方法において、前記制御部は、前記第1の工程、または前記第2の工程を交互に繰り返す前記被加工面における位置を制御することにより前記被加工面における加工位置を制御することを特徴とする加工方法。
- 請求項5から7のいずれか1項に記載の加工方法において、少なくとも前記第1の工程、または前記第2の工程を交互に繰り返す周期または期間に関する制御条件を入力する入力手段を有し、前記制御部は前記入力手段により入力された制御条件に応じて前記触媒反応制御を制御することを特徴とする加工方法。
- 前記制御部に請求項5から8のいずれか1項に記載の前記触媒反応制御を実行させることを特徴とする加工制御プログラム。
- 請求項9に記載の加工制御プログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
- 被加工物の加工に作用する加工面が、水に浸漬された被加工物の被加工面の加水分解を支援する遷移金属を含む触媒物質により構成された工具と、前記被加工面の面法線方向を含む方向に関する、前記被加工物の前記被加工面と前記工具の前記加工面の相対距離を制御する制御部と、を備えた加工装置により前記被加工物を加工することにより部品を製造する部品の製造方法において、
前記制御部によって、
前記被加工面と前記加工面が非接触の状態となる第1の工程と、
前記被加工面と前記加工面が、接触、または前記触媒物質の触媒反応が有効となる距離まで接近した状態となる第2の工程と、
を交互に繰り返す触媒反応制御を行うことにより、前記被加工面を加工することを特徴とする部品の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015010151A JP2016132083A (ja) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | 加工装置、加工方法、および部品の製造方法 |
PCT/JP2016/000236 WO2016117327A1 (en) | 2015-01-22 | 2016-01-19 | Processing apparatus, processing method and method of manufacturing component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015010151A JP2016132083A (ja) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | 加工装置、加工方法、および部品の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016132083A true JP2016132083A (ja) | 2016-07-25 |
Family
ID=56416880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015010151A Pending JP2016132083A (ja) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | 加工装置、加工方法、および部品の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016132083A (ja) |
WO (1) | WO2016117327A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108695205A (zh) * | 2017-03-31 | 2018-10-23 | 株式会社荏原制作所 | 基板处理装置以及包括基板处理装置的基板处理系统 |
JP2019152829A (ja) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | 株式会社ジェイテックコーポレーション | 光学素子の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60196948A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-05 | M Setetsuku Kk | 固体表面の加工方法 |
KR101613066B1 (ko) * | 2011-12-06 | 2016-04-29 | 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸 | 고체산화물의 가공방법 |
-
2015
- 2015-01-22 JP JP2015010151A patent/JP2016132083A/ja active Pending
-
2016
- 2016-01-19 WO PCT/JP2016/000236 patent/WO2016117327A1/en active Application Filing
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108695205A (zh) * | 2017-03-31 | 2018-10-23 | 株式会社荏原制作所 | 基板处理装置以及包括基板处理装置的基板处理系统 |
JP2018174229A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理装置を含む基板処理システム |
JP2019152829A (ja) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | 株式会社ジェイテックコーポレーション | 光学素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016117327A1 (en) | 2016-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20130273816A1 (en) | Automatic polishing device for surface finishing of complex-curved-profile parts | |
TWI760536B (zh) | 工具機的控制裝置以及工具機 | |
JP4512737B2 (ja) | 超音波振動加工装置 | |
CN108972302A (zh) | 一种非谐振式振动辅助抛光装置及方法 | |
KR102625451B1 (ko) | 평탄 가공 장치 | |
JP2009255275A (ja) | 切削加工装置、加工方法、およびその加工方法で加工した金型 | |
CN109848767A (zh) | 高精度四维超声抛光装置及其使用方法 | |
TW202027905A (zh) | 工具機的控制裝置以及工具機 | |
JP2016132083A (ja) | 加工装置、加工方法、および部品の製造方法 | |
JP2009034812A (ja) | 平面両面研磨方法及び平面両面研磨装置 | |
CN209036263U (zh) | 一种非谐振式振动辅助抛光装置 | |
JP2002036001A (ja) | 切削加工方法及び切削加工装置及び工具保持装置及び光学素子及び光学素子の成形用金型 | |
JP2019044244A (ja) | 三次元造形装置及び三次元造形方法 | |
JP2006218554A (ja) | 工具砥石の形状創成方法 | |
CN105458902A (zh) | 一种微结构表面三维椭圆振动超精密抛光方法 | |
JP2004358585A (ja) | 電解加工用電極、電解加工装置および電解加工方法 | |
JP2010023145A (ja) | 切断装置及び切断方法 | |
JP2007276081A (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
KR100527459B1 (ko) | 초음파 진동을 이용한 마이크로 복합 가공기 | |
CN210435923U (zh) | 一种晶体材料均一化抛光装置 | |
JP2009045686A (ja) | レンズ加工装置 | |
CN110548644B (zh) | 基于虚拟轴的圆弧点胶方法及系统 | |
JP4009376B2 (ja) | 超音波球面創成装置及び超音波球面創成方法 | |
JP7311098B2 (ja) | 振動切削装置、振動装置および切削方法 | |
CN114434241B (zh) | 控制石磨机横梁运动的方法、装置、电子设备及存储介质 |