JP2016129247A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】1017cm-3以下の不純物濃度の柱状半導体と、前記柱状半導体を囲む第1の絶縁物と、前記柱状半導体の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第1の金属と、前記柱状半導体の他方の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第2の金属と、前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物を取り囲む第3の金属と、前記第1の金属と前記第3の金属との間に形成された第2の絶縁物と、前記第2の金属と前記第3の金属との間に形成された第3の絶縁物と、前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とを接続する第4の金属と、前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とを接続する第5の金属を有し、前記第3の金属の仕事関数は4.2eVから5.0eVの間であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
102.第1の絶縁物
103.第3の金属
104.第1の金属
105.第2の金属
106.第3の絶縁物
107.第2の絶縁物
108.第4の金属
109.第5の金属
110.基板
Claims (4)
- 1017cm-3以下の不純物濃度の柱状半導体と、
前記柱状半導体を囲む第1の絶縁物と、
前記柱状半導体の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物を取り囲む第3の金属とを有し、
前記第1の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁しているのであって、
前記第2の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁しているのであって、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続しているのであって、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続しているのであって、
前記第1の金属と前記第2の金属の仕事関数は4.0eVから4.2eVの間であることを特徴とする半導体装置。 - 1017cm-3以下の不純物濃度の柱状半導体と、
前記柱状半導体を囲む第1の絶縁物と、
前記柱状半導体の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第1の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の前記第1の絶縁物を取り囲む第2の金属と、
前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物を取り囲む第3の金属とを有し、
前記第1の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁しているのであって、
前記第2の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁しているのであって、
前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続していのであって、
前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続しているのであって、
前記第1の金属と前記第2の金属の仕事関数は5.0eVから5.2eVの間であることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体は、シリコンであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第3の金属の仕事関数は4.2eVから5.0eVの間であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
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