JP2016129204A - ウエハレベルパッケージング構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウエハ上に複数のガラスフリットパターン(接合層)をスクリーン印刷するときのアライメント精度の向上を図ることができるウエハレベルパッケージング構造体の製造方法を提供する。【解決手段】ガラスウエハ20上に形成された複数の個別デバイス領域(面内配線領域8等)の周囲を取り囲むようにして、ガラスフリットペーストによって枠状の接合層4をスクリーン印刷で形成する工程を含み、スクリーン印刷で接合層4を形成するガラスフリットパターンを印刷するときの、2つの第2のアライメントマーク24a´,24b´を、隣接する4つの個別デバイス領域の周囲を取り囲む4つのガラスフリットパターン(接合層4)の間の角部に形成し、ガラスフリットパターンの各角部4aを、第2のアライメントマーク24a´,24b´との間の間隔が広くなるような切り欠き形状としている。【選択図】図7
Description
本発明は、ウエハレベルパッケージング構造体の製造方法に関する。
電気回路要素と微細な機械要素を併せ持つMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)デバイスは、微細加工技術と薄膜形成技術により、半導体機能素子をシリコンウエハやガラスウエハなどに形成し、ウエハレベルでの接合技術によりそれらを張り合わせたうえで分割して個片化することで、1枚のウエハから数千個オーダーで低コストで作製できる。
複数のウエハ(基板)間の接合層としてガラスフリットペーストを用いることで、簡易な方法で気密封止を実現できる。ガラスフリットペーストを用いた接合は、接合層の厚みと柔軟性の観点から、接合するウエハ(基板)表面の形状や清浄度などに対する許容範囲が広い。また、ガラスフリットは接合層として独立したプロセスで形成することができ、その前後の製造プロセスに対する適用性がよいため、プロセスの自由度が高い。
前記接合層は、例えばガラスフリットペーストを用いてスクリーン印刷によって形成することができる。複数のウエハ(基板)が接合された微小キャビティで構成される例えばMEMSセンサやアクチュエータなどのMEMSデバイスでは、ウエハ同士を気密封止するためのガラスフリットペーストの印刷パターンとしては、例えば、一方側のウエハ(基板)上に形成された個別デバイス領域の周囲を囲むようにして形成される枠状パターンが挙げられる。
ところで、ウエハ上の個別デバイス領域の周囲を囲むようにして、接合層としての枠状のガラスフリットパターンをスクリーン印刷によって形成するときにおいて、個別デバイス領域に対して枠状のガラスフリットパターンを精度よく位置合わせする必要がある。
この位置合わせ方法として、例えば特許文献1には、配線基板上の、半導体ウエハのスクライブラインの交点に対応する位置にアライメントマーク(位置合わせマーク)を形成して、配線基板と半導体ウエハとを対向させた状態で、アライメントマーク及びスクライブラインの交点を透過して認識し、両者を重ね合わせることで位置合わせすることが記載されている。
ところで、上記したMEMSデバイスでは、一方側のウエハ上の個別デバイス領域の周囲に形成した枠状の各ガラスフリットパターン間の中央位置がスクライブラインとなり、特許文献1のように、このスクライブラインの交点にアライメントマーク(位置合わせマーク)をガラスフリットパターンと同時にスクリーン印刷によって形成した場合、ペースト粘度や印刷条件等によって、印刷後に各ガラスフリットパターンの隣接する角部にアライメントマークが干渉(接触)して変形し、アライメントマークの中心位置を精度よく認識することが困難になるという不具合が生じる。
そこで、本発明は、ウエハ上にガラスフリットパターン(接合層)をスクリーン印刷するときに、アライメントマークが周囲のガラスフリットパターンに接しないようにして、アライメント精度の向上を図ることができるウエハレベルパッケージング構造体の製造方法を提供する。
前記目的を達成するために本発明に係るウエハレベルパッケージング構造体の製造方法は、接合層を介して対向する第1のウエハと第2のウエハが接合されて構成されるウエハレベルパッケージング構造体の製造方法において、前記第1のウエハの一面上に形成された複数の個別デバイス領域の周囲をそれぞれ取り囲むようにして、ガラスフリットペーストによって枠状の前記接合層をスクリーン印刷で形成する工程を含み、前記スクリーン印刷で前記第1のウエハの一面上に前記接合層を形成するガラスフリットパターンを所定位置に印刷するときの、位置合わせのためのアライメントマークを、隣接する4つの前記個別デバイス領域の周囲を取り囲む4つの前記ガラスフリットパターンの間の角部に形成し、前記4つのガラスフリットパターンの、前記アライメントマークの周囲に位置する各角部を、前記アライメントマークとの間の間隔が広くなるような切り欠き形状としていることを特徴としている。
本発明によれば、スクリーン印刷で第1のウエハの一面上に接合層を形成するガラスフリットパターンを所定位置に印刷するときの、位置合わせのためのアライメントマークを、隣接する4つの個別デバイス領域の周囲を取り囲む4つのガラスフリットパターンの間の角部に形成し、4つのガラスフリットパターンの、アライメントマークの周囲に位置する各角部を、アライメントマークとの間の間隔が広くなるような切り欠き形状としたことにより、アライメントマークが、周囲のガラスフリットパターン(枠状の接合層)に接することが抑制され、形状変形のないアライメントマークを形成することができる
これにより、アライメントマークの中心位置を良好に認識することができ、スクリーン印刷時のアライメント精度の向上を図ることができる。
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。図1は、本実施形態に係るウエハレベルパッケージング構造体の一例としてのMEMSデバイスの構成を示す概略断面図である。
図1に示すように、このMEMSデバイス1は、素子基板(第2のウエハ)2と、この素子基板2と対向配置された配線基板(第1のウエハ)3と、素子基板2と配線基板3との間の周囲を接合封止した接合層4を備えている。
素子基板2には、機能素子5と、この機能素子5を駆動させるための駆動回路6が形成されている。機能素子5(例えば、光センサ、圧力センサ、赤外線センサ、加速度センサ等)は、公知の微細加工技術及び薄膜形成技術を用いて形成される。素子基板2は、例えば厚みが400μm程度のシリコン基板によって形成されている。
機能素子5は、これらの各種センサ等に加えて、例えば振動子等のアクチュエータを含んでいてもよい。駆動回路6は、公知の半導体技術を用いて形成される。なお、素子基板2の上面側(配線基板3と反対側)には、機能素子5を気密封止するためのカバー基板(不図示)が接合層を介して接合されている。このカバー基板には、例えば機能素子5が光センサの場合には回折格子などの光学素子が形成される。
配線基板3には、この配線基板3を貫通した貫通電極7と、表面に面内配線領域8が形成されており、この貫通電極7の両側の各端部には内部側電極パッド9と、外部側電極パッド10がそれぞれ形成されている。このように、配線基板3の一面上には、面内配線領域8、内部側電極パッド9などが形成された個別デバイス領域を有している。配線基板3は、例えば厚みが400μm程度のガラス基板によって形成されている。
内部側電極パッド9は、接続端子11を介して駆動回路6の電極パッド12に電気的に接続されている。これにより、機能素子5の駆動回路6は、貫通電極7の外部側電極パッド10を介して外部と電気的に接続される。接続端子11は、例えばAuやAgなどの導電性が高く、柔軟性のある金属材料によって形成されている。
接合層4は、素子基板2と配線基板3との間の周囲を囲むようにスクリーン印刷でパターニングされたガラスフリットペーストによって形成されており、図2に示すように、素子基板2と配線基板3の周縁に沿って略矩形の枠状に形成されている。
接合層4の厚さは、例えば20μm程度である。接合層4の厚さを、機能素子5の厚さ(10μm程度)と比較して厚くすることで、素子基板2と配線基板3との間を接合後に、機能素子5と配線基板3との干渉を避けることができる。また、接合層4の幅は、例えば150μm程度である。
次に、上記したMEMSデバイス(ウエハレベルパッケージング構造体)1の製造工程(製造方法)の一例を、図3(a)〜(g)を参照して簡単に説明する。なお、図3では、ウエハレベルパッケージング構造体を構成する接合された素子基板(シリコン基板)2と配線基板(ガラス基板)3間において、1つの個別チップ領域のみを示している。
先ず、図3(a)に示すように、厚さ400μmの素子基板(シリコン基板)2上に微細加工プロセス、半導体薄膜プロセスで、機能素子5(例えば光センサ)と駆動回路6を形成し、駆動回路6の素子基板2と反対側の面に、表面から順にAu/Pt/Crの3層からなる電極パッド12をスパッタ成膜する。なお、素子基板2としてシリコン基板を用いる代わりに、内部に酸化膜層が介在しているSOI基板を用いてもよい。
そして、図3(b)に示すように、素子基板2上に形成された電極パッド12の位置に合わせてスクリーン印刷でドット状にAgペーストからなる接続端子11を印刷する。加熱・焼成後の接続端子11の厚みを例えば20μmとし、後工程で接合層4によって素子基板2と配線基板3を接合したときにできる、素子基板2側の電極パッド12と配線基板3側の内部側電極パッド9間の距離よりも厚くなるように設定する。また、接続端子11のドット径は150μm程度で、電極パッド12よりも小さく設定されている。
そして、図3(c)に示すように、貫通電極7が内部に形成された配線基板(ガラス基板)3の、貫通電極7の両面が露出した位置に、内部側電極パッド9と外部側電極パッド10を、スパッタ成膜によって表面から順にAu/Pt/Crの3層構造として形成する。なお、配線基板3上には、貫通電極7の内側に位置するようにして面内配線領域8などの個別チップ領域が形成されている。
そして、図3(d)に示すように、配線基板3上にスクリーン印刷によって枠状の接合層4(図2参照)をガラスフリットペーストで形成し、乾燥、焼成して溶剤とバインダーを除去して、400℃以上の加熱処理でガラス化する。接合層4のパターンは、貫通電極7と面内配線領域8の外側を取り囲むように枠状の矩形形状に形成されており、機能素子5等が気密封止される。
そして、図3(e)に示すように、対向配置された上記の素子基板(シリコン基板)2と上記の配線基板(ガラス基板)3とを位置合わせして、高温化で荷重をかけて熱圧着して接合する。
そして、図3(f)に示すように、素子基板2の配線基板3側と反対側の面にスクリーン印刷によって枠状の接合層13をガラスフリットペーストで形成し、乾燥、焼成して溶剤とバインダーを除去して、400℃以上の加熱処理でガラス化する。
そして、図3(g)に示すように、薄膜プロセスを用いて例えば光学素子14が表面に形成されたカバー基板(シリコン基板)15と上記の素子基板(シリコン基板)2とを対向配置して位置合わせし、高温化で荷重をかけて熱圧着して接合することで、MEMSデバイス(ウエハレベルパッケージング構造体)1が作製される。なお、この接合時の加熱温度は、図3(e)における素子基板(シリコン基板)2と配線基板(ガラス基板)3の接合時の加熱温度よりも高く設定する。
ところで、上記したMEMSデバイス(ウエハレベルパッケージング構造体)1を作製するときに、ガラスウエハ(貫通電極7や面内配線領域8が形成された前記配線基板(ガラス基板)3が個々のチップにダイシングされる前のウエハ)の表面に、枠状の接合層4のガラスフリットパターンをスクリーン印刷する際において、このガラスフリットパターン(枠状の接合層4)が、個別チップ領域(面内配線領域8等)の周囲の所定位置にパターニングされるように、このスクリーン印刷時に高いアライメント精度が要求される。
図4、図5を参照して、従来の上記したスクリーン印刷時の工程について説明する。その後に、本実施形態における上記したスクリーン印刷時の工程について説明する。
図4(a),(b)に示すように、ガラスウエハ(個々のチップ(個別チップ領域が形成された前記配線基板3)にダイシングされる前のウエハ)20の、面内配線領域8側の面(表面)には、枠状の接合層4をガラスフリットペーストでスクリーン印刷する際の、十字状のアライメントマーク(以下、「第1のアライメントマーク」という)21a,21bが2箇所に形成されている。
また、このガラスウエハ20の面内配線領域8と反対側の面(裏面)には、前記第1のアライメントマーク21a,21bと同じ位置に、図6(a),(b)に示したシリコンウエハ(個々のチップ(機能素子5や駆動回路6が形成された前記素子基板2)にダイシングされる前のウエハ)22を対向配置して接合する際のアライメントマーク(以下、「第1のウエハ接合用アライメントマーク)という)23a,23bが2箇所に形成されている。これらの第1のアライメントマーク21a,21bと第1のウエハ接合用アライメントマーク23a,23bは、面内配線領域8の配線材料と同じメタル系のスパッタ膜で形成されている。
そして、枠状の接合層4をガラスフリットペーストでスクリーン印刷する際において、先ずスクリーン印刷装置(不図示)のステージに置いたダミーウエハに対してペーストの印刷(ガラスフリットペースト印刷)を行い、そこに形成されたアライメントマーク(図5(a),(b)に示した円形状の第2のアライメントマーク24a,24bに相当)を画像認識で取り込んでその中心点の位置を予め登録(記憶)する。この工程においては、図示は省略している。
なお、図5(a),(b)は、ダミーウエハではなく、ガラスウエハ20の表面に、枠状の接合層4を形成するガラスフリットパターンと、ガラスフリットペーストからなる第2のアライメントマーク24a,24bとがスクリーン印刷されたものを示している。
この第2のアライメントマーク24a,24bの形状としては、メッシュを透過してペーストが押し出されたときに形状が整いやすいように円形パターンが用いられる場合が多い。このとき、印刷されたアライメントマークの形状の対称性が悪いと、アライメントマークの中心位置がずれて認識されたり、認識ができない場合がある。
そして、前記ダミーウエハを取り外して、スクリーン印刷するガラスウエハ20をスクリーン印刷装置(不図示)のステージに置き、前記第1のアライメントマーク21a,21bを画像として取り込み、その中心点の位置出しをする。
そして、スクリーン印刷装置(不図示)のステージを微動させて、ガラスウエハ20の第1のアライメントマーク21a,21bの中心を、画像で認識されている前記ガラスフリットペースト印刷時のアライメントマーク(図5(a),(b)に示した円形状の第2のアライメントマーク24a,24bに相当)の中心と重ね合わせるようにアライメントして、図5(a),(b)に示したように、ガラスウエハ20上にガラスフリットパターンを印刷し、個別チップ領域(面内配線領域8等)の周囲を囲むようにして枠状の接合層4を形成する。
ガラスウエハ20上に枠状の接合層4がガラスフリットペーストでスクリーン印刷によって作製されると、図6(a),(b)に示したように、シリコンウエハ22が接合層4を介してガラスウエハ20に位置決めされて接合される。
詳細には、図6(a),(b)に示したように、シリコンウエハ22の機能素子5(例えば光センサ)などのデバイスが形成された面側に、ガラスウエハ20側の前記第1のウエハ接合用アライメントマーク23a,23bの位置に対応してアライメントマーク(以下、「第2のウエハ接合用アライメントマーク)という)25a,25bが2箇所に形成されている。
そして、シリコンウエハ22側の第2のウエハ接合用アライメントマーク25a,25bに対して、ガラスウエハ20側の第1のウエハ接合用アライメントマーク23a,23bを位置合わせし、枠状の接合層4を介してシリコンウエハ22とガラスウエハ20とを熱圧着する。そして、枠状の複数の接合層4を介してシリコンウエハ22とガラスウエハ20がウエハレベルで接合された後、隣り合う個別チップ領域の間の中央領域(ダイシングライン)がダイシング装置によって切断され、個別チップ領域が分割される。
次に、本実施形態における上記したスクリーン印刷時の工程について説明する。
図5(a)に示した従来の上記したスクリーン印刷時の工程では、枠状の接合層4を形成するガラスフリットパターンの内側に、同じガラスフリットの円形状の第2のアライメントマーク24a,24bが形成されている。このように、第2のアライメントマーク24a,24bが周囲のガラスフリットパターン(枠状の接合層4)に近接している場合、ペースト粘度や印刷条件等によっては印刷後にこの第2のアライメントマーク24a,24bが周囲のガラスフリットパターン(枠状の接合層4)に接するおそれがある。
第2のアライメントマーク24a,24bが周囲のガラスフリットパターン(枠状の接合層4)に接すると、第2のアライメントマーク24a,24bの円形形状が変形して、その中心位置を画像認識することが難しくなるという不具合が発生する。第2のアライメントマーク24a,24bの変形によってその中心位置の認識が難しくなると、スクリーン印刷時のアライメント精度が低下する。
また、前記第2のアライメントマーク24a,24bを周囲のガラスフリットパターン(枠状の接合層4)との接触を回避するために、内側(面内配線領域8に近接する側)に寄せて配置すると、面内配線領域8をレイアウトできる領域が狭くなり、設計自由度が制限されることになる。更に、個別チップ領域(面内配線領域8等)が形成されているガラスウエハ20に対向して接合されるシリコンウエハ22の機能素子5(例えば光センサ)などのデバイス領域についても同様にレイアウトできる領域が狭くなり、設計自由度が制限されることになる。
そこで、本実施形態では、図7、図8に示すように、隣接する4つの枠状の接合層4を形成するガラスフリットパターンの間の角部の中心位置(ダイシングライン上に位置する部分)に円形状の第2のアライメントマーク24a´,24b´を印刷している。更に、この第2のアライメントマーク24a´,24b´の周囲に近接している各ガラスフリットパターン(枠状の接合層4)の角部4aを、内側(面内配線領域8側)に略90度折り曲げるような切り欠き形状として、第2のアライメントマーク24a´,24b´との間の間隔が広くなるようにしている。
なお、、図7、図8においては、ガラスウエハ20のダイシングライン上の2箇所に第2のアライメントマーク24a´,24b´を形成した構成であるが、これに限定されることなく、同様な構成で例えばダイシングライン上の4箇所に第2のアライメントマークを設けてもよい。
このように、本実施形態では、第2のアライメントマーク24a´,24b´とその周囲に近接している各ガラスフリットパターン(枠状の接合層4)の角部4aとの間の間隔を大きく設定できるので、第2のアライメントマーク24a´,24b´が、周囲のガラスフリットパターン(枠状の接合層4)に接することが抑制され、形状変形のない良好な円形状の第2のアライメントマーク24a,24bを形成することができる。
これにより、第2のアライメントマーク24a,24bの中心位置を良好に画像認識することができ、スクリーン印刷時のアライメント精度の向上を図ることができるので、印刷するガラスフリットパターン(枠状の接合層4)のアライメントマージンを小さく設定でき、これに伴って個別チップ領域のサイズも小さくすることができる。
<変形例1>
図9に示した本実施形態の変形例1では、隣接する4つの枠状の接合層4を形成するガラスフリットパターンの間(ダイシングライン上に位置する部分)の中心位置に円形状の第2のアライメントマーク24a´,24b´を形成している。更に、この第2のアライメントマーク24a´,24b´の周囲に近接している各ガラスフリットパターン(枠状の接合層4)の角部4aを、斜面状の切り欠き形状となるように印刷して、第2のアライメントマーク24a´,24b´との間の間隔を広くしている
図9に示した本実施形態の変形例1では、隣接する4つの枠状の接合層4を形成するガラスフリットパターンの間(ダイシングライン上に位置する部分)の中心位置に円形状の第2のアライメントマーク24a´,24b´を形成している。更に、この第2のアライメントマーク24a´,24b´の周囲に近接している各ガラスフリットパターン(枠状の接合層4)の角部4aを、斜面状の切り欠き形状となるように印刷して、第2のアライメントマーク24a´,24b´との間の間隔を広くしている
このように、変形例1の構成においても前記実施形態と同様の効果を得ることができる。更に、第2のアライメントマーク24a´,24b´の周囲に近接している各ガラスフリットパターン(枠状の接合層4)の角部4aを直線状の斜面としたことにより、スクリーン印刷時のガラスフリットの流動性が実施形態の略90度折り曲げられている場合よりもスムーズとなる。よって、スクリーン印刷時にガラスフリットパターン(枠状の接合層4)の角部4aを通過するペーストの押し込み量が安定し、パターン形状の乱れを抑制することができる。
<変形例2>
変形例1では、第2のアライメントマーク24a´,24b´の周囲に近接している各ガラスフリットパターン(枠状の接合層4)の角部4aを直線状の斜面としたが、変形例2では、例えば、図10に示すように、この角部4aの斜面の中間部を略90度〜略180度の範囲内で凹状に折り曲げるような切り欠き形状としてもよい(図10では、この角部4aを135度程度に折り曲げている)。
変形例1では、第2のアライメントマーク24a´,24b´の周囲に近接している各ガラスフリットパターン(枠状の接合層4)の角部4aを直線状の斜面としたが、変形例2では、例えば、図10に示すように、この角部4aの斜面の中間部を略90度〜略180度の範囲内で凹状に折り曲げるような切り欠き形状としてもよい(図10では、この角部4aを135度程度に折り曲げている)。
<変形例3>
図11に示した本実施形態の変形例3では、隣接する4つの枠状の接合層4を形成するガラスフリットパターンの間の中心位置(ダイシングライン上に位置する部分)に円形状の第2のアライメントマーク24a´,24b´を形成している。更に、この第2のアライメントマーク24a´,24b´の周囲に近接している各ガラスフリットパターン(枠状の接合層4)の角部4aを、凹状の曲面状(円弧状)に湾曲した切り欠き形状として、第2のアライメントマーク24a´,24b´との間の間隔を広くしている。
図11に示した本実施形態の変形例3では、隣接する4つの枠状の接合層4を形成するガラスフリットパターンの間の中心位置(ダイシングライン上に位置する部分)に円形状の第2のアライメントマーク24a´,24b´を形成している。更に、この第2のアライメントマーク24a´,24b´の周囲に近接している各ガラスフリットパターン(枠状の接合層4)の角部4aを、凹状の曲面状(円弧状)に湾曲した切り欠き形状として、第2のアライメントマーク24a´,24b´との間の間隔を広くしている。
このように、変形例3の構成においても前記実施形態と同様の効果を得ることができる。更に、第2のアライメントマーク24a´,24b´の周囲に近接している各ガラスフリットパターン(枠状の接合層4)の角部4aを曲面状(円弧状)としたことにより、円形状の第2のアライメントマーク24a´,24b´との間の間隔(距離)が全周で同じに距離となるように広がるため、第2のアライメントマーク24a´,24b´の印刷形状の対称性がよくなる。
<変形例4>
図12に示した本実施形態の変形例4では、例えば図7に示した実施形態の構成のガラスウエハ20に対して、この外周縁部の周囲全体を取り囲むようにしてガラスフリットパターン(以下、「縁部ガラスフリットパターン」という)26を印刷している。他の構成は実施形態と同様である。なお、上記の変形例1(又は2、3)の構成においても同様に、ガラスウエハ20の縁部周囲全体に縁部ガラスフリットパターン26を印刷してもよい。
図12に示した本実施形態の変形例4では、例えば図7に示した実施形態の構成のガラスウエハ20に対して、この外周縁部の周囲全体を取り囲むようにしてガラスフリットパターン(以下、「縁部ガラスフリットパターン」という)26を印刷している。他の構成は実施形態と同様である。なお、上記の変形例1(又は2、3)の構成においても同様に、ガラスウエハ20の縁部周囲全体に縁部ガラスフリットパターン26を印刷してもよい。
このように、変形例4の構成においても前記実施形態と同様の効果を得ることができる。更に、ガラスウエハ20の縁部周囲全体に縁部ガラスフリットパターン26を印刷したことにより、シリコンウエハ22(図6(a)参照)を枠状の接合層4を介して接合したときに、前記縁部ガラスフリットパターン26はシリコンウエハ22の縁部周囲全体に接合され、接合された両ウエハの縁部周囲全体が封止される。
これにより、その後に引き続くダイシングラインを切断して個別チップ領域に分割するダイシング工程で、両ウエハの外周側からダイシングライン切断に伴う微細破片のウエハ外側への飛散を防止することができる。
<変形例5>
図13に示した本実施形態の変形例5では、変形例3でガラスウエハ20の縁部周囲全体に形成した縁部ガラスフリットパターン26に、印刷されていないスリット状の非印刷部27を複数箇所(図13では、ガラスウエハ20の上下左右側の4箇所)に形成した構成である。他の構成は変形例3と同様である。
図13に示した本実施形態の変形例5では、変形例3でガラスウエハ20の縁部周囲全体に形成した縁部ガラスフリットパターン26に、印刷されていないスリット状の非印刷部27を複数箇所(図13では、ガラスウエハ20の上下左右側の4箇所)に形成した構成である。他の構成は変形例3と同様である。
このように、縁部ガラスフリットパターン26の複数箇所(図13では、4箇所)に非印刷部27を形成して隙間を設けることで、ガラスウエハ20とシリコンウエハ22(図6(a)参照)の縁部周囲を縁部ガラスフリットパターン26を介して接合するときに発生する有機系のガス成分を、減圧環境下でのこの接合工程時に非印刷部27を通して外部に排出することができる。
なお、この変形例5においても、縁部ガラスフリットパターン26を介して両ウエハの縁部周囲全体(非印刷部27は除く)が接合されるので、その後に引き続くダイシングラインを切断して個別チップ領域に分割するダイシング工程で、両ウエハの外周側からダイシングライン切断に伴う微細破片のウエハ外側への飛散を防止することができる。
<変形例6>
図14に示した本実施形態の変形例6では、変形例4のようにガラスウエハ20の縁部周囲全体に縁部ガラスフリットパターン26を印刷し、更に、ガラスウエハ20上の個別チップ領域(面内配線領域8等)の外側と縁部ガラスフリットパターン26との間の領域に複数の十字型のガラスフリットパターン(以下、「十字型ガラスフリットパターン」という)28が印刷されている。他の構成は変形例4と同様である。
図14に示した本実施形態の変形例6では、変形例4のようにガラスウエハ20の縁部周囲全体に縁部ガラスフリットパターン26を印刷し、更に、ガラスウエハ20上の個別チップ領域(面内配線領域8等)の外側と縁部ガラスフリットパターン26との間の領域に複数の十字型のガラスフリットパターン(以下、「十字型ガラスフリットパターン」という)28が印刷されている。他の構成は変形例4と同様である。
このように、変形例6の構成においても前記変形例4と同様の効果を得ることができる。更に、ガラスウエハ20上の個別チップ領域(面内配線領域8等)の外側と縁部ガラスフリットパターン26との間の領域に複数の十字型ガラスフリットパターン28を印刷したことにより、その後に引き続くダイシングラインを切断して個別チップ領域に分割するダイシング工程で、ガラスウエハ20上の各ガラスフリットパターン(枠状の接合層4)と縁部ガラスフリットパターン26との間の領域の未接合部分でのダイシングライン切断に伴う微細破片の飛散を効果的に防止することができる。
1 MEMSデバイス
2 素子基板
3 配線基板
4 接合層
5 機能素子
8 面内配線領域
20 ガラスウエハ
21a,21b 第1のアライメントマーク
22 シリコンウエハ
23a,23b 第1のウエハ接合用アライメントマーク
24a´,24b´ 第2のアライメントマーク
25a,25b 第2のウエハ接合用アライメントマーク
26 縁部ガラスフリットパターン
27 非印刷部
28 十字型ガラスフリットパターン
2 素子基板
3 配線基板
4 接合層
5 機能素子
8 面内配線領域
20 ガラスウエハ
21a,21b 第1のアライメントマーク
22 シリコンウエハ
23a,23b 第1のウエハ接合用アライメントマーク
24a´,24b´ 第2のアライメントマーク
25a,25b 第2のウエハ接合用アライメントマーク
26 縁部ガラスフリットパターン
27 非印刷部
28 十字型ガラスフリットパターン
Claims (8)
- 接合層を介して対向する第1のウエハと第2のウエハが接合されて構成されるウエハレベルパッケージング構造体の製造方法において、
前記第1のウエハの一面上に形成された複数の個別デバイス領域の周囲をそれぞれ取り囲むようにして、ガラスフリットペーストによって枠状の前記接合層をスクリーン印刷で形成する工程を含み、
前記スクリーン印刷で前記第1のウエハの一面上に前記接合層を形成するガラスフリットパターンを所定位置に印刷するときの、位置合わせのためのアライメントマークを、隣接する4つの前記個別デバイス領域の周囲を取り囲む4つの前記ガラスフリットパターンの間の角部に形成し、
前記4つのガラスフリットパターンの、前記アライメントマークの周囲に位置する各角部を、前記アライメントマークとの間の間隔が広くなるような切り欠き形状としていることを特徴とするウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。 - 前記4つのガラスフリットパターンの前記角部は、斜面状の切り欠き形状であることを特徴とする請求項1に記載のウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。
- 前記4つのガラスフリットパターンの前記角部は、略90度〜180度の範囲内で凹状に折れ曲がるような切り欠き形状であることを特徴とする請求項1に記載のウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。
- 前記4つのガラスフリットパターンの前記角部は、円弧状に湾曲した切り欠き形状であることを特徴とする請求項1に記載のウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。
- 前記第1のウエハの外周縁部の周囲全体を取り囲むような縁部ガラスフリットパターンを印刷することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。
- 前記縁部ガラスフリットパターンの複数箇所に、ガラスフリットが印刷されていない非印刷部を設けたことを特徴とする請求項5に記載のウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。
- 前記前記第1のウエハの一面上の前記個別デバイス領域の外側と前記縁部ガラスフリットパターンとの間の領域に、複数の十字型のガラスフリットパターンを印刷することを特徴とする請求項5又は6に記載のウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。
- 前記アライメントマークは円形形状であり、前記アライメントマークは、隣り合う前記個別デバイス領域の間のダイシングライン上に形成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のウエハレベルパッケージング構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015003545A JP2016129204A (ja) | 2015-01-09 | 2015-01-09 | ウエハレベルパッケージング構造体の製造方法 |
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JP (1) | JP2016129204A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113080698A (zh) * | 2020-01-08 | 2021-07-09 | 深圳爱特嘉智能科技有限公司 | 一种液体量的检测方法、电水壶及计算机可读存储介质 |
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2015
- 2015-01-09 JP JP2015003545A patent/JP2016129204A/ja active Pending
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CN113080698A (zh) * | 2020-01-08 | 2021-07-09 | 深圳爱特嘉智能科技有限公司 | 一种液体量的检测方法、电水壶及计算机可读存储介质 |
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