JP2016121960A - 電流センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】簡単な構造により外乱磁界を容易にキャンセルでき、小型化及び低コスト化に適した電流センサを提供する。【解決手段】本発明の電流センサ1は、負荷に供給される電流が流れる電流経路を構成して電流の大きさに応じた磁界を発生する平板状のバスバー20と、磁界の強度に応じて特性が変化する複数の感磁素子からなるブリッジ回路部が平板状の実装基板21に実装された素子部14を備えている。素子部14はバスバー20の貫通孔20cに挿入され、実装基板21とバスバー20が互いに交差する位置関係にあり、第1の磁界が印加される第1の領域に配置される第1及び第2の感磁素子と、第1の磁界とは逆方向の第2の磁界が印加される第2の領域に配置される第3及び第4の感磁素子とは、特性変化が互いに逆向きとなっている。【選択図】図2
Description
本発明は、負荷に供給される電流を検出する電流センサに関し、特に、電流経路を構成するバスバーから発生する磁界の強度に応じて特性が変化する複数の感磁素子を用いた電流センサに関するものである。
従来から、交流電源により駆動される負荷に供給される電流を非接触で検出可能な電流センサが知られている。従来の電流センサとして、電流経路を構成するバスバーから発生する磁界の変化を磁気抵抗素子等の感磁素子により検知する構成の電流センサが提案されている。このような構成の電流センサを用いる場合、バスバーから発生する磁界だけではなく、外部からの外乱磁界に対して磁気抵抗素子の抵抗変化が生じるため、磁気抵抗素子に加わる外乱磁界を抑制することが必要となる。例えば、特許文献1には、磁気抵抗素子からなる2つのブリッジ回路をバスバー(電流線)の表面と裏面を挟み込むように配置した電流センサが開示されている。また例えば、特許文献2には、磁気抵抗素子からなるブリッジ回路をU字型のバスバー(設置基板)の中心点に対して対称に配置した電流センサが開示されている。また、特許文献3及び特許文献4には、貫通孔を有するバスバーの近傍に2つのハーフブリッジ回路を対称的に配置した電流センサが開示されている。これらの特許文献1〜4の電流センサの構造を採用すれば、磁気抵抗素子への同相ノイズとなる外乱磁界をキャンセルし得る構造を実現することができる。
しかしながら、上記従来の電流センサを採用することは、外乱磁界をキャンセルするための構造により製品の小型化や低コスト化の面で不利益がある。具体的には、特許文献1の構造によれば、バスバーの上下の面に2つの磁気センサを配置する必要があるので、コスト上昇は避けられない。また、特許文献2の構造によれば、バスバーに対応する1つの磁気センサを設ければよいが、バスバーの面積を大きくしなければならないとともに、バスバーの設置側の基板面への実装が制限されるため、製品の小型化が難しくなる。また、特許文献3、4の構造によれば、バスバーの左右に配置した2つのハーフブリッジ回路が互いに逆相の磁界を受けるように、磁気抵抗素子を傾けて配置するか、あるいはバスバーを3次元的な特殊形状に加工する必要があるので、実装性が低下し、バスバー加工のコスト上昇が避けられない。以上のように、上記従来の電流センサにおいては、バスバーの近傍に磁気抵抗素子を配置した構造により外乱磁界をキャンセルしつつ、製品の小型化及び低コスト化を実現可能な構造は提案されていなかった。
本発明はこれらの問題を解決するためになされたものであり、バスバーの近傍に複数の感磁素子を配置した簡単な構造により外乱磁界をキャンセルし、実装性が高く、小型化及び低コスト化に適した電流センサを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の電流センサの第1の態様(図1及び図2参照)は、負荷に供給される電流を検出する電流センサであって、前記電流が流れる電流経路を構成し、前記電流の大きさに応じた磁界を発生し、表面及び裏面を有する平板状のバスバーと、前記磁界の強度に応じて特性が変化する複数の感磁素子からなるブリッジ回路部と、平板状の実装基板に、前記ブリッジ回路部が実装されている素子部と、を備え、前記素子部は前記バスバーの表面から裏面を貫通する貫通孔に挿入され、前記実装基板と前記バスバーは互いに交差する位置関係にあること、前記複数の感磁素子は、第1乃至第4の感磁素子を含み、前記素子部が、前記第1及び第2の感磁素子が配置される第1の領域と、前記第3及び第4の感磁素子が配置される第2の領域と、を有すること、所定方向の第1の磁界が前記第1の領域に印加されたとき、前記第1及び第2の感磁素子の特性変化が互いに逆向きとなること、及び、前記所定方向と逆方向の第2の磁界が前記第2の領域に印加されたとき、前記第3及び第4の感磁素子の特性変化が互いに逆向きとなることを特徴としている。
本発明の第1の態様によれば、平板状のバスバーと平板状の実装基板とを交差させつつ、実装基板に配置される素子部をバスバーの貫通孔に配置することにより、バスバーに流れる電流が貫通孔の両側に分流する結果として、バスバーの平面に対して両側の第1及び第2の領域には互いに逆方向の第1及び第2の磁界が発生し、複数の感磁素子の特性変化の設定に応じて素子部のブリッジ回路部から負荷の電流に比例する非平衡電圧を取り出すことができる。このとき、第1及び第2の磁界に加えて、素子部に外乱磁界が印加されたとしても、第1及び第2の領域で同一方向となる外乱磁界のみを確実にキャンセルすることができる。このように、バスバーに複数の磁気センサ(ブリッジ回路部)を設けることなく、特殊な加工が不要で、小型化及び低コスト化に適した構成により外乱磁界の影響を抑制可能な電流センサを実現することができる。
本発明のブリッジ回路部に用いる感磁素子の例としては、磁界の強度に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素子を挙げることができる。例えば、第1の磁界が印加される第1の領域に、抵抗値が減少する第1の磁気抵抗素子及び抵抗値が増加する第2の磁気抵抗素子を配置するとともに、第2の磁界が印加される第2の領域に、抵抗値が減少する第4の磁気抵抗素子及び抵抗値が増加する第3の磁気抵抗素子を配置することができる。
本発明の素子部は、例えば、バスバーの表面に近い側の第1の領域とバスバーの裏面に近い側の第2の領域とに区分することができる。また、例えば、バスバーの電流経路を、貫通孔を挟んで対向する第1の分流路及び第2の分流路により形成し、素子部は、第1の分流路に近い側の第1の領域と第2の分流路に近い側の第2の領域とに区分することができる。このような配置により、バスバーには、貫通孔を挟んで対向する第1及び第2の分流路に同一方向の電流が流れ、第1及び第2の領域で互いに逆方向の第1及び第2の磁界を確実に発生させることができる。
本発明の実装基板には、素子部の複数の構成部品を両面に実装することができる。すなわち、素子部のブリッジ回路部の複数の感磁素子やそれ以外の多様な回路部品を実装基板の両面に実装することにより、電流センサの小型化が可能となる。
また、上記課題を解決するために、本発明の電流センサの第2の態様(図9及び図10参照)は、負荷に供給される三相交流のそれぞれの電流を検出する電流センサであって、第1相の電流が流れる電流経路を構成し、前記第1相の電流の大きさに応じた第1の磁界を発生し、表面及び裏面を有する平板状の第1のバスバーと、第2相の電流が流れる電流経路を構成し、前記第2相の電流の大きさに応じた第2の磁界を発生し、表面及び裏面を有する平板状の第2のバスバーと、第3相の電流が流れる電流経路を構成し、前記第3相の電流の大きさに応じた第3の磁界を発生し、表面及び裏面を有する平板状の第3のバスバーと、前記第1の磁界の強度に応じて特性が変化する複数の感磁素子からなる第1のブリッジ回路部と、平板状の第1の実装基板に前記第1のブリッジ回路部が実装されている第1の素子部と、前記第2の磁界の強度に応じて特性が変化する複数の感磁素子からなる第2のブリッジ回路部と、平板状の第2の実装基板に前記第2のブリッジ回路部が実装されている第2の素子部と、前記第3の磁界の強度に応じて特性が変化する複数の感磁素子からなる第3のブリッジ回路部と、平板状の第3の実装基板に前記第3のブリッジ回路部が実装されている第3の素子部と、を備え、前記第1の素子部は前記第1のバスバーの表面から裏面を貫通する貫通孔に挿入され、前記第1の実装基板と前記第1のバスバーが互いに交差する位置関係にあること、前記第2の素子部は前記第2のバスバーの表面から裏面を貫通する貫通孔に挿入され、前記第2の実装基板と前記第2のバスバーが互いに交差する位置関係にあること、前記第3の素子部は前記第3のバスバーの表面から裏面を貫通する貫通孔に挿入され、前記第3の実装基板と前記第3のバスバーが互いに交差する位置関係にあること、前記第1乃至第3のブリッジ回路部の各々の前記複数の感磁素子は、第1乃至第4の感磁素子を含み、前記素子部が、前記第1及び第2の感磁素子が配置される第1の領域と、前記第3及び第4の感磁素子が配置される第2の領域と、を有すること、所定方向の第4の磁界が前記第1の領域に印加されたとき、前記第1及び第2の感磁素子の特性変化が互いに逆向きとなること、及び、前記所定方向と逆方向の第5の磁界が前記第2の領域に印加されたとき、前記第3及び第4の感磁素子の特性変化が互いに逆向きとなることを特徴としている。
本発明の第2の態様によれば、既に説明した第1の態様の基本構成に加えて、三相交流により負荷を駆動する際、各相の電流を個別に検出する三相交流用の電流センサを実現することができる。この場合も、三相交流の各相に対応して平板状のバスバーと平板状の実装基板とを交差させつつ、実装基板に配置される素子部をバスバーの貫通孔に配置する構造を容易に実現できるので、第1の態様と同様の作用、効果に基づいて三相交流用の電流センサのコスト低減と小型化が可能となる。なお、ブリッジ回路部に用いる感磁素子の例としては、第1の態様と同様、磁気抵抗素子を挙げることができる。
本発明において、第1〜第3の実装基板は、第1〜第3の素子部が同一平面上に配置される位置関係を持たせることができる。この場合、第1〜第3の実装基板の隣接箇所を連結し、一体化された1つの実装基板を構成してもよい。このような実装基板を用いることにより、部品点数を削減して製造時の作業性を高めることができる。
本発明の負荷の例としては、三相交流によって駆動される大電流用途のモータを挙げることができる。この場合、本発明のバスバーの構造によって磁界の強度を抑制することができるので、感磁素子として、検出レンジが比較的狭い磁気抵抗素子を用いる構成が有用である。
本発明によれば、電流経路を構成するバスバーの貫通孔に、ブリッジ回路部を含む素子部を実装する実装基板をバスバーと交差するように配置することで、複数の感磁素子への同相ノイズとなる外乱磁界を確実にキャンセルすることを可能とし、複雑な構造や特殊な加工が不要で、小型化及び低コスト化に適した電流センサを実現することができる。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。ただし、以下に述べる実施形態は本発明の技術思想を適用した形態の例であって、本発明が本実施形態の内容により限定されることはない。
[第1実施形態]
本発明を適用した第1実施形態に係る電流センサについて説明する。図1は、第1実施形態の電流センサ1の機能ブロックを示す図である。第1実施形態の電流センサ1は、交流電源10から負荷11に供給される電流iを検出するために、交流電源10と負荷11との間の電流経路に挿入された磁界発生部12と、電源電圧Vccを供給する電源部13と、複数の感磁素子を含む素子部14と、素子部14の出力側に接続された出力回路15とを備えて構成される。
本発明を適用した第1実施形態に係る電流センサについて説明する。図1は、第1実施形態の電流センサ1の機能ブロックを示す図である。第1実施形態の電流センサ1は、交流電源10から負荷11に供給される電流iを検出するために、交流電源10と負荷11との間の電流経路に挿入された磁界発生部12と、電源電圧Vccを供給する電源部13と、複数の感磁素子を含む素子部14と、素子部14の出力側に接続された出力回路15とを備えて構成される。
図1において、交流電源10は、所定の基本周波数の交流電力を供給し、例えば、直流電力を交流電力に変換するインバータが用いられる。磁界発生部12は、電流経路を構成する後述のバスバーであり、負荷11に流れる交流の電流iの大きさに応じた磁界を発生する。素子部14は、磁界発生部12の磁界の強度に応じて抵抗値が変化する4個の磁気抵抗素子E(複数の感磁素子)からなるブリッジ回路部Bを含んで構成され、後述するように実装基板に実装されている。なお、磁界発生部12が発生する磁界は前述のバスバーと各々の磁気抵抗素子Eの位置関係に依存した方向性を有するが、この点については後述する。ブリッジ回路部Bの入力側は電源部13に接続され、ブリッジ回路部Bの出力側は出力回路15に接続されている。具体的には、磁気抵抗素子E(1)、E(2)の間の入力ノードn1が電源電圧Vccに接続され、磁気抵抗素子E(3)、E(4)の間の入力ノードn2がグランド電位GNDに接続されている。また、磁気抵抗素子E(2)、E(4)の間の出力ノードn3と、磁気抵抗素子E(1)、E(3)の間の出力ノードn4から、差動電圧Vaが出力回路15に出力される。出力回路15は、素子部14から出力される差動電圧Vaを増幅するアンプや不要成分を除去するフィルタ等を含み、電流iの値に比例する検出信号Saを出力する。なお、磁気抵抗素子E(1)〜E(4)は、本発明の第1〜第4の磁気抵抗素子(感磁素子)に対応する。
図1に示す電源部13及び出力回路15は、第1実施形態の電流センサ1の内部に設けてもよいが、電流センサ1の外部に設けることも可能である。すなわち、第1実施形態の電流センサ1は、少なくとも磁界発生部12としてのバスバーと、後述の実装基板に実装される素子部14を備えていれば、本発明の適用が可能である。また、図1では、素子部14がブリッジ回路部Bを含む例を示しているが、素子部14がブリッジ回路部Bに加えて、それ以外の回路部を含んでいてもよいし、素子部14に出力回路15の全部又は一部を取り込むように構成してもよい。また、図1では、ブリッジ回路部Bは、磁界の強度に応じて特性が変化する複数の感磁素子(例えば、ホール素子)を用いていれば、磁気抵抗素子Eには限られない。また、ブリッジ回路部Bを構成する磁気抵抗素子E(感磁素子)の素子数は4個に限られず、各々の磁気抵抗素子Eに他の磁気抵抗素子を直列に挿入して素子数を増やしてもよい。
次に、図2及び図3を参照して、図1における磁界発生部12及び素子部14を含む電流センサ1の主要部について基本的な構成及び動作を説明する。図2は、磁界発生部12であるバスバー20と、図1のブリッジ回路部Bが構成された素子部14と、この素子部14を実装した実装基板21とをそれぞれ配置した構造を模式的に示す斜視図である。また、図3は、図2の構造をAA断面から見た断面構造に、ブリッジ回路部Bの構成を重ねて示す図である。なお、図2及び図3においては、説明の便宜上、互いに直交するX軸、Y軸、Z軸を表記している。
図2に示すように、バスバー20は、表面20a及び裏面20bを有する平板状の金属部材である。図2の例では、平板状のバスバー20がXY平面に延在する場合を示している。バスバー20の長手方向の両端は、前述の電流iが入出力される端子Ta、Tbとなっている。また、バスバー20の略中央には、表面20a及び裏面20bを矩形状に貫通する貫通孔20cが形成されている。このような構造により、バスバー20における電流iの経路は、貫通孔20cの両側で対称的に形成される分流路20d(本発明の第1の分流路)及び分流路20e(本発明の第2の分流路)に分岐し、それぞれの分流路20d、20eに略同一の大きさの電流ia(図3)が同一方向に流れることになる。
また、図2では理解の容易のため、実装基板21の一部のみを示しているが、実際の実装基板21はバスバー20に一体的に取り付けるための構造部分を備えている。図2に示すように、素子部14を表面に実装した平板状の実装基板21はXZ平面に延在し、バスバー20の貫通孔20cに挿入された状態で配置されている。第1実施形態では、実装基板21とバスバー20が互いに交差する位置関係にある点が特徴的である。すなわち、バスバー20の貫通孔20c内に配置される実装基板21の平面方向は、バスバー20の平面方向に対し、電流iが流れるY方向に略90度だけ傾いた配置となっている。なお、図2の例では、バスバー20及び実装基板21の互いに平面方向が直交しているが、実際には、90度ではなく所定の角度で交差していれば、本発明の適用が可能である。さらに、図2には示されないが、素子部14の複数の構成部品を実装基板21の両面に実装する構造を採用してもよい。これにより、実装基板21のサイズを小さくでき、電流センサ1の小型化に適している。
ここで、図3を用いて、図2におけるバスバー20、実装基板21、素子部14の配置に基づいて得られる作用効果について説明する。図3においては、図2のAA断面が素子部14を通る位置であるため、バスバー20の貫通孔20cに配置された状態の素子部14の構造が示されるとともに、ブリッジ回路部Bを構成する4個の磁気抵抗素子Eの位置がそれぞれ示されている。ここでは、バスバー20のZ方向の中心位置を基準に上下を区分し、表面20aに近い側を領域A1(本発明の第1の領域)と定め、裏面20bに近い側を領域A2(本発明の第2の領域)と定めるものとする。この場合、ブリッジ回路部Bにおいては、2個の磁気抵抗素子E(1)、E(2)及び一方の入力ノードn1が上側の領域A1に配置され、2個の磁気抵抗素子E(3)、E(4)及び他方の入力ノードn2が下側の領域A2に配置されることになる。また、1対の出力ノードn3、n4は上下の領域A1、A2の境界部付近に配置されることになる。
一方、バスバー20の電流iが図2の端子Taから端子Tbに流れると仮定したとき、バスバー20の貫通孔20cの両側の分流路20d、20eから発生する磁界を考慮する必要がある。左右の分流路20d、20eで逆向きとなる。すなわち、図3に示すように、バスバー20の貫通孔20cの両側の対称的な分流路20d、20eのそれぞれに紙面手前側に向かう前述の電流iaが流れるので、貫通孔20cから見て両側の分流路20d、20eの周囲の磁界はいずれも図3で左回りとなり、上側の領域A1にX方向に沿った左向きの印加磁界H1(本発明の第1の磁界)と、下側の領域A2にX方向に沿った右向きの印加磁界H2(本発明の第2の磁界)とを想定することができる。従って、領域A1の磁気抵抗素子E(1)、E(2)に印加される印加磁界H1と、領域A2の磁気抵抗素子E(3)、E(4)に印加される印加磁界H2とは互いに逆向きになる。
ここで、図3のブリッジ回路部Bにおいて、左側の2個の磁気抵抗素子E(1)、E(3)は同一方向の印加磁界に対して抵抗値の変化の極性(増加又は減少)が互いに同一となるように設定される。また、右側の2個の磁気抵抗素子E(2)、E(4)は同一方向の印加磁界に対して抵抗値の変化の極性(増加又は減少)が互いに同一であって、左側の2個の磁気抵抗素子E(1)、E(3)とは逆向きとなるように設定される。なお、4個の磁気抵抗素子Eが同一の素子であれば、それぞれの配置方向を変えることにより、抵抗値の変化の所望の極性を調整することができる。
図3に示すように、上下の領域A1、A2では互いに印加磁界H1、H2の方向が逆向きであることを考慮したとき、バスバー20の電流iにより発生する印加磁界H1、H2に依存して変化する磁気抵抗素子Eの各抵抗値に関し、2通りの変化方向Ra、Rbが定められる。すなわち、ブリッジ回路部Bにおいて、1対の磁気抵抗素子E(1)、E(4)の各抵抗値が共通の変化方向Raで表され、1対の磁気抵抗素子E(2)、E(3)の各抵抗値が共通の変化方向Rb(変化方向Raとは逆極性)で表される。電流iが交流であるため、印加磁界H1、H2の方向性は交流の周期に連動して反転するので、例えば、磁気抵抗素子E(1)、E(4)の変化方向Raが増加方向で、磁気抵抗素子E(2)、E(3)の変化方向Rbが減少方向となる時間帯と、磁気抵抗素子E(1)、E(4)の変化方向Raが減少方向で、磁気抵抗素子E(2)、E(3)の変化方向Rbが増加方向となる時間帯とが周期的に繰り返すことになる。
上述のように4個の磁気抵抗素子E(1)〜E(4)の各抵抗値が変化することにより、1対の出力ノードn3、n4の間には非平衡電圧が発生し、それがブリッジ回路部Bの差動電圧Va(図1)として出力される。この場合、バスバー20に交流の電流iを流したとき、印加磁界H1、H2の方向が周期的に反転するので、それに連動して非平衡電圧である差動電圧Vaの極性も反転し、差動電圧Vaに基づき電流iの検出が可能である。なお、図3の断面図では、バスバー20と素子部14のそれぞれのZ方向の中心が一致している場合を示したが、素子部14が貫通孔20c内に配置されている限り、バスバー20と素子部14のそれぞれのZ方向の中心が正確に一致せずに若干ずれていたとしても、差動電圧Vaは電流iの変化を反映して変化する。
第1実施形態では、バスバー20からの印加磁界H1、H2に加えて、外部からの外乱磁界が素子部14に印加されたとしても、同相ノイズとなる外乱磁界のみを確実にキャンセルすることができる。すなわち、図3において、外部からの外乱磁界は上下の領域A1、A2で同一方向となるので、左側の1対の磁気抵抗素子E(1)、E(3)の抵抗値の変化は互いに同一となり、右側の1対の磁気抵抗素子E(2)、E(4)の抵抗値の変化は互いに同一となる。従って、1対のノードn3、n4には、いずれも電圧値Vcc/2が生じるので、差動電圧Vaはゼロとなる。
以上のように、第1実施形態の構造を採用することにより、外乱磁界を選択的にキャンセルし得る電流センサ1において、素子部14が1つのブリッジ回路部Bを含む構成により実現できるので、従来の構造(例えば、特許文献1)のように複数の磁気センサ(ブリッジ回路部)を設ける必要はない。また、従来のU字型のバスバーを用いる構造(例えば、特許文献2)のように大きいバスバー面積を確保する必要がなく、電流センサ1の小型化が可能となる。さらに、従来のO字型のバスバーを用いる構造(例えば、特許文献3、4)のように、磁気抵抗素子を傾けて配置したり、バスバー形状の特殊な加工は不要となるので、電流センサ1の実装性の向上とコスト低下が可能となる。
上記の効果に加えて、第1実施形態の構造に基づく付加的な効果として、バスバー20近傍に発生する磁界の強度を抑制し、大電流用途に適した電流センサ1を実現可能であることを挙げることができる。この点を検証するために、図4〜図6を用いて、第1実施形態の構造を有するバスバー20の近傍に生じる磁界分布をシミュレーションにより求めた結果について、比較例と対比しつつ説明する。
図4は、第1実施形態において、平面視でO字型のバスバー20の周囲に生じる磁界分布を示している。図4(A)は、XY面内における磁界分布を、図4(B)は貫通孔20cの近傍のXZ面内における磁界分布を示し、それぞれ磁界の強度を濃淡で表している。なお、磁界の強度の意味は、図4〜図6において共通である。第1実施形態のバスバー20は、図4(B)に示すように、貫通孔20c内の位置Pで特に磁界の強度が小さくなっていることがわかる。これに対し、図5の比較例は、平面視でストレート状のバスバー30の周囲に生じる磁界分布を示し、図6の比較例は、平面視でU字型のバスバー31の周囲に生じる磁界分布を示している。図5及び図6に示すように、いずれも図4と比べると磁界の強度が大きいことがわかる。特に、図5(B)のバスバー30の近傍と図6(B)のバスバー31の両側に挟まれた空間内では、磁界の強度が非常に大きく、図4(B)の位置Pとは対象的である。
一般に、電流センサとして、モータ駆動などの大電流用途への適用が重要となっている。一方、磁気抵抗素子Eの磁界に対する検出レンジは比較的狭いことが知られており、磁界が大きくなり過ぎると抵抗変化の特性が飽和する恐れがある。電流センサの小型化のためには、磁気抵抗素子Eをバスバー20の近傍に配置せざるを得ないので、大電流用途の電流センサに適用するには磁界の大きさを抑制することが望ましい。従って、第1実施形態の構造を採用することにより、特に素子部14の近傍で磁界を非常に小さくすることができるので、従来の構造に比べて大電流用途の電流センサへの適用に有利である。
第1実施形態の電流センサ1は、図1〜図3に示す構成には限られず、多様な変形例がある。例えば、図7及び図8は、図1の構成を有する電流センサ1において、バスバー20に対する素子部14の位置関係が異なる場合の変形例を示している。図7の斜視図に示すように、本変形例においては、バスバー20は図2と同一の構造であるが、バスバー20と、貫通孔20c内に配置される素子部14とが、XZ面内で相対的に90度回転した状態となっている。すなわち、図8の断面構造に示すように、ブリッジ回路部Bの各磁気抵抗素子E自体の配置と抵抗値の変化の極性は図3と同様であるが、素子部14のZ方向の中心位置を基準として、一方の分流路20dの側の領域A1に1対の磁気抵抗素子E(1)、E(2)が配置され、他方の分流路20eの側の領域A2に1対の磁気抵抗素子E(3)、E(4)が配置されることになる。
図8においては、図3とは異なり、Z方向に沿った逆向きの印加磁界H3、H4を想定することができる。すなわち、バスバー20のそれぞれの分流路20d、20eとの距離に応じて、印加磁界H3、H4の方向が逆向きとなっている。本変形例においても、図3と同様の変化方向Ra、Rbの設定により、印加磁界H3、H4の変化に連動する非平衡電圧としての差動電圧Vaを得ることができる。また、外部からの外乱磁界が素子部14に印加される場合は、図3と同様、1対のノードn3、n4には、いずれも電圧値Vcc/2が生じるので、差動電圧Vaはゼロとなる。以上のように、本変形例の構成を採用する場合であっても、第1実施形態で説明した作用効果を得ることができる。
[第2実施形態]
本発明を適用した第2実施形態に係る電流センサについて説明する。第2実施形態は、三相交流により駆動される負荷に流れる電流を検出する電流センサに対して本発明を適用する場合の形態である。図9は、第2実施形態の電流センサ1aの機能ブロックを示す図である。図9においては、三相交流の電力を生成するインバータ40が設けられ、インバータ40からU相、V相、W相(本発明の第1相、第2相、第3相)として表される三相交流の電力によって負荷41が駆動される。負荷41としては、例えば、大電流で動作する三相モータなどが想定される。インバータ40と負荷41との間に接続されるU相、V相、W相のそれぞれの電流経路に挿入された3つの磁界発生部12u、12v、12wが設けられている。また、U相、V相、W相にそれぞれ対応する素子部14u、14v、14wと、出力回路15u、15v、15wが設けられている。なお、図9では、電源電圧Vccを供給する電源部13(図1)は省略している。
本発明を適用した第2実施形態に係る電流センサについて説明する。第2実施形態は、三相交流により駆動される負荷に流れる電流を検出する電流センサに対して本発明を適用する場合の形態である。図9は、第2実施形態の電流センサ1aの機能ブロックを示す図である。図9においては、三相交流の電力を生成するインバータ40が設けられ、インバータ40からU相、V相、W相(本発明の第1相、第2相、第3相)として表される三相交流の電力によって負荷41が駆動される。負荷41としては、例えば、大電流で動作する三相モータなどが想定される。インバータ40と負荷41との間に接続されるU相、V相、W相のそれぞれの電流経路に挿入された3つの磁界発生部12u、12v、12wが設けられている。また、U相、V相、W相にそれぞれ対応する素子部14u、14v、14wと、出力回路15u、15v、15wが設けられている。なお、図9では、電源電圧Vccを供給する電源部13(図1)は省略している。
図9において、各々の磁界発生部12u、12v、12wは、第1実施形態と同様のバスバーであり、それぞれU相、V相、W相の各電流Iu、Iv、Iwに応じた磁界を発生する。また、各々の素子部14u、14v、14wの構成も図1と同様であり、いずれも4個の磁気抵抗素子Eからなるブリッジ回路部Bを含み、それぞれU相、V相、W相の磁界が印加される。また、各々の出力回路15u、15v、15wは、図1の場合と同様、アンプやフィルタ等を含み、素子部14u、14v、14wからそれぞれの差動電圧Vaを入力するとともに、U相、V相、W相の各電流Iu、Iv、Iwの値にそれぞれ比例する検出信号Su、Sv、Swを出力する。
次に、図10及び図11を参照して、第2実施形態の図9における磁界発生部12u、12v、12w及び素子部14u、14v、14wを含む電流センサ1aの主要部について基本的な構成及び動作を説明する。図10は、U相、V相、W相の三相に対応した構造として、それぞれの磁界発生部12u、12v、12wであるバスバー20u、20v、20w(本発明の第1、第2、第3のバスバー)と、それぞれの素子部14u、14v、14w(本発明の第1、第2、第3の素子部)と、素子部14u、14v、14wを実装した実装基板21u、21v、21w(本発明の第1、第2、第3の実装基板)とをそれぞれ配置した構造を模式的に示す斜視図である。また、図11(A)は、図10の構造をY方向に沿って見た側面図であり、図11(B)は、図10の構造をX方向に沿って見た側面図である。なお、図10及び図11において、X軸、Y軸、Z軸の表記については第1実施形態と同様である。
図10に示すように、各々のバスバー20u、20v、20wは、平面視で長方形の形状を有しているが、それ以外の基本的な構造については図2のバスバー20と共通である。3個のバスバー20u、20v、20wはX方向に一定の間隔を置いて並んで配置されている。一方、各々の実装基板21u、21v、21wは、図2の実装基板21では具体的に示さなかったバスバー20u、20v、20wへの取り付けのための構造を有している。すなわち、図10に示すように、実装基板21u、21v、21wには、貫通孔20cの両側の分流路20d、20eに差し込むための切り欠き21a、21bが形成されている。よって、切り欠き21a、21bの幅は分流路20d、20eの幅に略一致し、切り欠き21a、21bの下端がバスバー20u、20v、20wの裏面20bに当接される構造となっている。また、実装基板21u、21v、21wのそれぞれの表面に実装される各々の素子部14u、14v、14wは、図2の素子部14と同様に構成される。なお、3つの実装基板21u、21v、21wは、同一平面上に配置される位置関係を有する。
ここで、第2実施形態において、U相、V相、W相のうちの任意の相のバスバー20、実装基板21、素子部14の配置及び動作については、第1実施形態の図3と同様に考えることができる。すなわち、第2実施形態においても、領域A1、A2の区分と、ブリッジ回路部Bを構成する4個の磁気抵抗素子Eの配置及び特性(抵抗値の変化方向Ra、Rb)は図3と共通である。一方、図3に示す磁界H1、H2については、各相の電流Iu、Iv、Iwが互いに異なることから、U相のバスバー20uの磁界Hu1、Hu2と、V相のバスバー20vの磁界Hv1、Hv2と、W相のバスバー20wの磁界Hw1、Hw2のそれぞれに置き換えて考えればよい。このように、三相交流に適用される第2実施形態の電流センサ1aによっても、U相、V相、W相の各々の構成部分により第1実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
第2実施形態の電流センサ1aは、図10及び図11に示す基本構成には限られず、多様な変形例がある。例えば、図12及び図13は、第2実施形態の電流センサ1aにおいて、前述の3つの実装基板21u、21v、21wを一体化した1つの実装基板22を配置する場合の変形例を示している。図12は、図10に対応する斜視図であり、図13は、図11に対応する各側面図である。図13(A)に示すように、本変形例の実装基板22は、X方向に隣接する3つの実装基板21u、21v、21wが同一平面上に配置される位置関係を有しつつ、互いの隣接箇所を連結した構造を有するが、それぞれの切り欠き21a、21bの位置は保たれているので、3つのバスバー20u、20v、20w及び3つの素子部14u、14v、14wは、図10及び図11の構造と同様である。よって、本変形例の構造を採用する場合、部品点数を削減して製造時の作業性を高めつつ、前述の第1及び第2実施形態で説明した作用効果を得ることができる。
以上、第1及び第2実施形態に基づき本発明の内容を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で多様な変更を施すことができる。本実施形態において、バスバー20、素子部14、実装基板21の具体的な構成については、図1〜図13で開示した構成により限定されることはなく、本発明の機能を実現し得る限り、適宜に変更して広く本発明を適用することができる。
1、1a…電流センサ
10…交流電源
11、41…負荷
12…磁界発生部
13…電源部
14…素子部
15…出力回路
20…バスバー
21、22…実装基板
40…インバータ
B…ブリッジ回路部
E…磁気抵抗素子
10…交流電源
11、41…負荷
12…磁界発生部
13…電源部
14…素子部
15…出力回路
20…バスバー
21、22…実装基板
40…インバータ
B…ブリッジ回路部
E…磁気抵抗素子
Claims (9)
- 負荷に供給される電流を検出する電流センサであって、
前記電流が流れる電流経路を構成し、前記電流の大きさに応じた磁界を発生し、表面及び裏面を有する平板状のバスバーと、
前記磁界の強度に応じて特性が変化する複数の感磁素子からなるブリッジ回路部と、
平板状の実装基板に、前記ブリッジ回路部が実装されている素子部と、
を備え、
前記素子部は前記バスバーの表面から裏面を貫通する貫通孔に挿入され、前記実装基板と前記バスバーは互いに交差する位置関係にあること、
前記複数の感磁素子は、第1乃至第4の感磁素子を含み、前記素子部が、前記第1及び第2の感磁素子が配置される第1の領域と、前記第3及び第4の感磁素子が配置される第2の領域と、を有すること、
所定方向の第1の磁界が前記第1の領域に印加されたとき、前記第1及び第2の感磁素子の特性変化が互いに逆向きとなること、及び、
前記所定方向と逆方向の第2の磁界が前記第2の領域に印加されたとき、前記第3及び第4の感磁素子の特性変化が互いに逆向きとなること、
を特徴とする電流センサ。 - 前記第1乃至第4の感磁素子は、磁界の強度に応じて抵抗値が変化する第1乃至第4の磁気抵抗素子であり、
前記第1の磁界が前記第1の領域に印加されたとき、前記第1の磁気抵抗素子の抵抗値が減少し、前記第2の磁気抵抗素子の抵抗値が増加し、
前記第2の磁界が前記第2の領域に印加されたとき、前記第4の磁気抵抗素子の抵抗値が減少し、前記第3の磁気抵抗素子の抵抗値が増加すること、
を特徴とする請求項1に記載の電流センサ。 - 前記素子部は、前記バスバーの表面に近い側の前記第1の領域及び前記バスバーの裏面に近い側の前記第2の領域に区分されることを特徴とする請求項1又は2に記載の電流センサ。
- 前記バスバーの電流経路は、前記貫通孔を挟んで対向する第1の分流路及び第2の分流路を含み、前記素子部は、前記第1の分流路に近い側の前記第1の領域と前記第2の分流路に近い側の前記第2の領域とに区分されることを特徴とする請求項1又は2に記載の電流センサ。
- 前記実装基板には、前記素子部の複数の構成部品が両面に実装されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電流センサ。
- 負荷に供給される三相交流のそれぞれの電流を検出する電流センサであって、
第1相の電流が流れる電流経路を構成し、前記第1相の電流の大きさに応じた第1の磁界を発生し、表面及び裏面を有する平板状の第1のバスバーと、
第2相の電流が流れる電流経路を構成し、前記第2相の電流の大きさに応じた第2の磁界を発生し、表面及び裏面を有する平板状の第2のバスバーと、
第3相の電流が流れる電流経路を構成し、前記第3相の電流の大きさに応じた第3の磁界を発生し、表面及び裏面を有する平板状の第3のバスバーと、
前記第1の磁界の強度に応じて特性が変化する複数の感磁素子からなる第1のブリッジ回路部と、
平板状の第1の実装基板に前記第1のブリッジ回路部が実装されている第1の素子部と、
前記第2の磁界の強度に応じて特性が変化する複数の感磁素子からなる第2のブリッジ回路部と、
平板状の第2の実装基板に前記第2のブリッジ回路部が実装されている第2の素子部と、
前記第3の磁界の強度に応じて特性が変化する複数の感磁素子からなる第3のブリッジ回路部と、
平板状の第3の実装基板に前記第3のブリッジ回路部が実装されている第3の素子部と、を備え、
前記第1の素子部は前記第1のバスバーの表面から裏面を貫通する貫通孔に挿入され、前記第1の実装基板と前記第1のバスバーが互いに交差する位置関係にあること、
前記第2の素子部は前記第2のバスバーの表面から裏面を貫通する貫通孔に挿入され、前記第2の実装基板と前記第2のバスバーが互いに交差する位置関係にあること、
前記第3の素子部は前記第3のバスバーの表面から裏面を貫通する貫通孔に挿入され、前記第3の実装基板と前記第3のバスバーが互いに交差する位置関係にあること、
前記第1乃至第3のブリッジ回路部の各々の前記複数の感磁素子は、第1乃至第4の感磁素子を含み、前記素子部が、前記第1及び第2の感磁素子が配置される第1の領域と、前記第3及び第4の感磁素子が配置される第2の領域と、を有すること、
所定方向の第4の磁界が前記第1の領域に印加されたとき、前記第1及び第2の感磁素子の特性変化が互いに逆向きとなること、及び、
前記所定方向と逆方向の第5の磁界が前記第2の領域に印加されたとき、前記第3及び第4の感磁素子の特性変化が互いに逆向きとなること、
を特徴とする電流センサ。 - 前記第1乃至第3の実装基板は、前記第1乃至第3の素子部が同一平面上に配置される位置関係にあることを特徴とする請求項6に記載の電流センサ。
- 前記第1乃至第4の感磁素子は、前記第1乃至第3の磁界の各々の強度に応じて抵抗値が変化する第1乃至第4の磁気抵抗素子であることを特徴とする請求項6又は7に記載の電流センサ。
- 前記負荷は、前記三相交流によって駆動される大電流用途のモータであることを特徴とする請求項6から8のいずれか1項に記載の電流センサ。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2014
- 2014-12-25 JP JP2014262898A patent/JP2016121960A/ja active Pending
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