JP6944823B2 - 電流センサ - Google Patents

Description

本発明は、複数の電流路のそれぞれに磁気検知素子が対向し、磁気検知素子によってそれぞれの電流路に流れる電流が検知される電流センサに関する。

特許文献１に記載された電流センサは、Ｘ方向に並んで平行に配置された２本のバスバのそれぞれにセンサ素子が対向しており、それぞれのバスバに流れる電流で誘導される磁界がセンサ素子で検知される。それぞれのバスバとこれに対向するセンサ素子は、対を成すシールド板でＺ方向から挟まれている。このシールド板を設けることによって、磁気センサによって電流計測する対象であるバスバに起因する磁界以外の磁界を遮断できるようにしている。

ただし、この構造では、電流計測する対象であるバスバの隣りに位置するバスバに流れる電流によって誘導される磁力線が、一対のシールド板で誘導されて、電流計測に使用されている磁気センサに入り込み、この磁力線がノイズ磁界として検知される問題がある。

そこで、特許文献１に記載された電流センサでは、磁気センサの感磁方向を、Ｘ方向に対して傾かせて配置し、隣りのバスバの電流で誘導される磁力線が、磁気センサに対して感磁方向から入りにくい構造にして、隣りのバスバからの磁力線がノイズ磁界として影響するのを低減している。

特開２０１６−２００４３８号公報

しかし、特許文献１に記載された電流センサは、磁気センサの感磁方向が、電流計測の対象となるバスバに斜めに向けられているため、電流計測の対象となるバスバに流れる電流で誘導される計測磁界のうちの電流センサの感磁方向に向く成分が削減されることになる。そのため、電流計測の対象となるバスバで誘導された磁界に対する検知感度が低下する課題がある。

また、複数の電流センサを支持しているセンサ基板では、電流センサを取付けるための取付け面を斜めに形成する必要があり、センサ基板の構造が複雑になる。また、隣りのバスバの電流に起因する磁界の影響を最小にするために、電流センサの傾斜角度を最適に設定することも難しい。

本発明は上記従来の課題を解決するものであり、磁気検知素子の感度軸を斜めに配置することなく、隣に位置する電流路に流れる電流で誘導されるノイズ磁界の影響を低減できるようにした電流センサを提供することを目的としている。

本発明は、平行に配置された複数の電流路のそれぞれに対向する磁気検知素子が設けられ、それぞれの前記電流路に流れる電流で誘導された磁界が前記磁気検知素子で検知される電流センサにおいて、
全ての前記電流路を直交して横断する方向を横方向とし、前記電流路の電流方向および横方向の双方に直交する方向を縦方向としたときに、
前記磁気検知素子は、それぞれの前記電流路に縦方向から対向して、その感度軸が横方向に向けられ、
前記電流路と前記磁気検知素子の双方を縦方向の両側から挟む第１シールドと第２シールドとが設けられ、前記第１シールドは、前記電流方向および横方向の双方に平行な平面であって前記磁気検知素子に対向する第１対向平面を有し、前記第２シールドは、前記電流方向および横方向の双方に平行な平面であって前記電流路に対向する第２対向平面を有しており、
前記第１対向平面と前記第２対向平面のそれぞれが、隣りに前記電流路が存在しない外側に向けられた外側端部を有し、前記第２対向平面の前記外側端部が、前記第１対向平面の前記外側端部と前記磁気検知素子との間に位置していることを特徴とするものである。

本発明の電流センサは、前記磁気検知素子と前記第１対向平面との距離が、前記磁気検知素子と前記第２対向平面との距離よりも短いものである。

本発明の電流センサは、前記第１シールドと前記第２シールドが、それぞれの前記電流
路ごとに個別に設けられており、
前記第１対向平面と前記第２対向平面は、前記外側端部と、隣りに前記電流路が存在す
る内側に向けられた内側端部とを有しているものとして構成できる。

本発明の電流センサは、互いに対向する前記第１シールドと前記第２シールドでは、前記第１対向平面の前記内側端部と前記第２対向平面の前記内側端部とが、縦方向で同じ位置に形成されていることが好ましい。

本発明の電流センサは、前記電流路が３本設けられ、それぞれの前記電流路に前記第１シールドと前記第２シールドが対向しており、
横方向の両側に位置する前記第１シールドおよび前記第２シールドでは、前記第２対向平面の前記外側端部が、前記第１対向平面の前記外側端部と前記磁気検知素子との間に位置し、前記第１対向平面の前記内側端部と前記第２対向平面の前記内側端部とが、縦方向で同じ位置に形成されており、
前記縦方向の中央に位置する前記第１シールドおよび前記第２シールドでは、前記第１対向平面の横方向の両端部と、前記第２対向平面の横方向の両端部とが、共に縦方向で同じ位置に形成されているものである。

本発明の電流センサは、前記第１対向平面の横方向の長さ寸法をＬ、前記第１対向平面の前記外側端部と前記第２対向平面の前記外側端部との、横方向の距離である短縮長をＬｃとしたときに、Ｌｃ／Ｌの比が、０．１１以上で０．４４以下であることが好ましい。

本発明の電流センサは、第１シールドの第１対向平面の外側端部よりも、第２シールドの第２対向平面の外側端部を、磁気検知素子に近い位置に配置することで、隣りの電流路の電流で誘導される磁界のうちの、磁気検知素子の感度軸に向く磁力線の成分を低減させることができるようになり、隣りの電流路からの磁界によるノイズを抑制できるようになる。

また、磁気検知素子の感度軸が、複数の電流路が並ぶ横方向に向けられているため、計測対象となる電流路で誘導された磁界に対する磁気検知素子の検知感度を高く維持することができる。また、それぞれの磁気検知素子の組み付けも容易である。

本発明の第１の実施形態の電流センサを示す斜視図、 （Ａ）は図１に示す電流センサをＩＩ−ＩＩ線で切断した断面図、（Ｂ）は比較例の電流センサの断面図、 （Ａ）は図１に示す電流センサにおける磁力線分布のシミュレーション結果を示す説明図、（Ｂ）は比較例の電流センサにおける磁力線分布のシミュレーション結果を示す説明図、 （Ａ）は本発明の実施形態の電流センサにおいて磁気検知素子に向かう磁力線の傾きを模式的に示す説明図、（Ｂ）は比較例の電流センサにおいて磁気検知素子に向かう磁力線の傾きを模式的に示す説明図、 （Ａ）は、図１に示す実施形態の電流センサにおいて、Ｕ相における第２対向平面の外側端部の短縮長と、磁気検知素子に向かう磁力線の縦方向（Ｚ方向）に対する傾き角度との関係を示す線図、（Ｂ）は、図１に示す実施形態の電流センサにおいて、Ｗ相における第２対向平面の外側端部の短縮長と、磁気検知素子に向かう磁力線の縦方向（Ｚ方向）に対する傾き角度との関係を示す線図、 （Ａ）は第１実施例の電流センサにおいて、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相に個別に電流を与えたときに、磁気検知素子に与えられる磁束密度の変化を示す線図、（Ｂ）は第１実施例の電流センサにおいて、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相のそれぞれに電流を与えたときの、隣りの電流路の電流に起因する磁界が磁気検知素子に与える影響度を示す線図、 （Ａ）は第２実施例の電流センサにおいて、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相に個別に電流を与えたときに、磁気検知素子に与えられる磁束密度の変化を示す線図、（Ｂ）は第２実施例の電流センサにおいて、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相のそれぞれに電流を与えたときの、隣りの電流路の電流に起因する磁界が磁気検知素子に与える影響度を示す線図、 （Ａ）は比較例の電流センサにおいて、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相に個別に電流を与えたときに、磁気検知素子に与えられる磁束密度の変化を示す線図、（Ｂ）は比較例の電流センサにおいて、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相のそれぞれに電流を与えたときの、隣りの電流路の電流に起因する磁界が磁気検知素子に与える影響度を示す線図、 本発明の第２の実施形態の電流センサを示す断面図、

図１と図２（Ａ）に、本発明の第１の実施形態の電流センサ１が示されている。
この電流センサ１では、３本の電流路２ｕ，２ｖ，２ｗに流れる電流の電流量やその変化が検知される。電流路２ｕ，２ｖ，２ｗには、自動車などに使用される三相交流モータを駆動するための駆動電流が流れる。電流路２ｕにＵ相の駆動電流Ｉｕが流され、電流路２ｖにＶ相の駆動電流Ｉｖが流され、電流路２ｗにＷ相の駆動電流Ｉｗが流される。駆動電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗは比較的大容量の交流電流であり、それぞれ位相が１２０度相違している。

電流路２ｕ，２ｖ，２ｗは、バスバと呼ばれるものであり、銅または銅合金などの低抵抗の金属材料で形成されている。電流路２ｕ，２ｖ，２ｗは、平板形状であり、Ｙ方向に向けて直線状で、互いに平行に延びている。図２（Ａ）に示すように、電流路２ｕ，２ｖ，２ｗは断面形状が長方形である。電流路２ｕ，２ｖ，２ｗは、Ｚ１側の表面とＺ２側の表面がＸ−Ｙ平面と平行な平面であり、図２（Ａ）に示す断面図では、Ｚ１側の表面とＺ２側の表面が長辺となってＸ１−Ｘ２方向に延びている。

電流センサ１は、全ての電流路２ｕ，２ｖ，２ｗを直交して横断する方向であるＸ方向が横方向である。また、Ｙ方向が、電流路２ｕ，２ｖ，２ｗに駆動電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗが流れる電流方向である。電流方向であるＹ方向と、横方向であるＸ方向の双方に直交する方向であるＺ方向が縦方向である。

図２（Ａ）に示すように、電流路２ｕ，２ｖ，２ｗよりもＺ１側にプリント配線基板３が設けられている。プリント配線基板３の下面である実装面３ａは、横方向（Ｘ方向）と電流方向（Ｙ方向）の双方に平行な平面である。プリント配線基板３の実装面３ａに、磁気検知素子５ｕ，５ｖ，５ｗが実装されている。磁気検知素子５ｕは、Ｕ相の電流路２ｕを横方向（Ｘ方向）に二分する中心線Ｏｕ上に位置して、電流路２ｕにＺ１側から対向している。磁気検知素子５ｖは、Ｖ相の電流路２ｖを横方向（Ｘ方向）に二分する中心線Ｏｖ上に位置して、電流路２ｖにＺ１側から対向している。さらに、磁気検知素子５ｗは、Ｗ相の電流路２ｗを横方向（Ｘ方向）に二分する中心線Ｏｗ上に位置して、電流路２ｗにＺ１側から対向している。

磁気検知素子５ｕ，５ｖ，５ｗは、巨大磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）、トンネル効果を利用した磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）、あるいは単数または複数のホール素子で構成されており、磁力線に対して最も感度が高い軸である感度軸が、横方向（Ｘ方向）に向けられている。

図２（Ａ）に示すように、Ｕ相の電流路２ｕおよび磁気検知素子５ｕは、縦方向（Ｚ方向）の両側から第１シールド１１ｕと第２シールド１２ｕで挟まれている。第１シールド１１ｕは、磁気検知素子５ｕにＺ１側から対向する第１対向平面１３ｕを有し、第２シールド１２ｕは、電流路２ｕにＺ２側から対向する第２対向平面１４ｕを有している。Ｖ相の電流路２ｖおよび磁気検知素子５ｖは、縦方向（Ｚ方向）の両側から第１シールド１１ｖと第２シールド１２ｖで挟まれている。第１シールド１１ｖは、磁気検知素子５ｖにＺ１側から対向する第１対向平面１３ｖを有し、第２シールド１２ｖは、電流路２ｖにＺ２側から対向する第２対向平面１４ｖを有している。さらに、Ｗ相の電流路２ｗおよび磁気検知素子５ｗも、縦方向（Ｚ方向）の両側から第１シールド１１ｗと第２シールド１２ｗで挟まれている。第１シールド１１ｗは、同様に第１対向平面１３ｗを有し、第２シールド１２ｗは、第２対向平面１４ｗを有している。

Ｕ相の第１シールド１１ｕおよび第２シールド１２ｕと、Ｖ相の第１シールド１１ｖおよび第２シールド１２ｖと、Ｗ相の第１シールド１１ｗおよび第２シールド１２ｗは、いずれもＮｉ−Ｆｅ合金などの透磁率の高い磁性材料で形成されている。

第１シールド１１ｕ，１１ｖ，１１ｗの第１対向平面１３ｕ，１３ｖ，１３ｗは、電流方向（Ｙ方向）と横方向（Ｘ方向）の双方に平行な同一平面上に位置している。第２シールド１２ｕ，１２ｖ，１２ｗの第２対向平面１４ｕ，１４ｖ，１４ｗは、電流方向（Ｙ方向）と横方向（Ｘ方向）の双方に平行な同一平面上に位置している。

電流路２ｕ，２ｖ，２ｗとプリント配線基板３との間、プリント配線基板３と第１シールド１１ｕ，１１ｖ，１１ｗとの間、および電流路２ｕ，２ｖ，２ｗと第２シールド１２ｕ，１２ｖ，１２ｗとの間は、絶縁材料で埋められており、電気的に絶縁されている。前記絶縁材料としては樹脂材料などが使用される。また、樹脂などの絶縁材料を用いずに、プリント配線基板３や、第１シールド１１ｕ，１１ｖ，１１ｗおよび第２シールド１２ｕ，１２ｖ，１２ｗなどを、筐体などの支持部材で支持し、各部材間に空隙が形成されていてもよい。

図２（Ａ）に示すように、Ｕ相の第１シールド１１ｕに形成された第１対向平面１３ｕは、隣りに電流路や第１シールドおよび第２シールドが存在しない外側（Ｘ１側）に向く外側端部Ｅ１と、隣りに電流路２ｖと第１シールド１１ｖおよび第２シールド１２ｖが存在する内側（Ｘ２側）に向く内側端部Ｅ３を有している。同様に、Ｕ相の第２シールド１２ｕに形成された第２対向平面１４ｕは、Ｘ１側に向く外側端部Ｅ２とＸ２側に向く内側端部Ｅ３を有している。

Ｕ相の第１シールド１１ｕに形成された第１対向平面１３ｕの横方向（Ｘ方向）の幅寸法はＬ１であり、第２シールド１２ｕに形成された第２対向平面１４ｕの横方向の幅寸法は、前記幅寸法Ｌ１よりも短い。そして、第２対向平面１４ｕの外側端部Ｅ２は、第１対向平面１３ｕの外側端部Ｅ１よりもＸ２側に位置している。すなわち、第２対向平面１４ｕの外側端部Ｅ２は、第１対向平面１３ｕの外側端部Ｅ１と磁気検知素子５ｕとの間に位置している。外側端部Ｅ１と外側端部Ｅ２のＸ方向の距離が、第２対向平面１４ｕの短縮長Ｌｃである。また、Ｕ相の第１対向平面１３ｕの内側端部Ｅ３と、第２対向平面１４ｕの内側端部Ｅ３は、縦方向（Ｚ方向）において同じ位置にある。

Ｗ相の第１シールド１１ｗに形成された第１対向平面１３ｗは、隣りに電流路や第１シールドおよび第２シールドが存在しない外側（Ｘ２側）に向く外側端部Ｅ１と、隣りに電流路２ｖと第１シールド１１ｖおよび第２シールド１２ｖが存在する内側（Ｘ１側）に向く内側端部Ｅ３を有している。また、Ｕ相の第２シールド１２ｕに形成された第２対向平面１４ｕは、Ｘ２側に向く外側端部Ｅ２とＸ１側に向く内側端部Ｅ３を有している。

Ｗ相の第１シールド１１ｗに形成された第１対向平面１３ｗの横方向（Ｘ方向）の幅寸法はＬ１であり、第２シールド１２ｗに形成された第２対向平面１４ｗの横方向の幅寸法は、前記幅寸法Ｌ１よりも短い。なお、Ｕ相の第１対向平面１３ｕの幅寸法Ｌ１と、Ｗ相の第１対向平面１３ｗの幅寸法Ｌ１は同じである。Ｗ相の第２対向平面１４ｗの外側端部Ｅ２は、第１対向平面１３ｗの外側端部Ｅ１よりもＸ１側に位置しており、第２対向平面１４ｗの外側端部Ｅ２は、第１対向平面１３ｗの外側端部Ｅ１と磁気検知素子５ｗの間に位置している。Ｗ相においても、外側端部Ｅ１と外側端部Ｅ２とのＸ方向の距離が、第２対向平面１４ｗの短縮長Ｌｃである。また、Ｗ相の第１対向平面１３ｗの内側端部Ｅ３と、第２対向平面１４ｗの内側端部Ｅ３は、縦方向（Ｚ方向）において同じ位置にある。

中央に位置するＶ相の第１シールド１１ｖに形成された第１対向平面１３ｖと、第２シールド１２ｖに形成された第２対向平面１４ｖは、その両端部Ｅ４が、いずれも縦方向（Ｚ方向）において同じ位置に形成されている。Ｖ相の第１対向平面１３ｖおよび第２対向平面１４ｖの幅寸法Ｌ２は、Ｕ相とＶ相における第１対向平面１３ｕ，１３ｗの幅寸法Ｌ１よりも短い。ただし、幅寸法Ｌ２が幅寸法Ｌ１より大きくてもよいし、幅寸法Ｌ１と幅寸法Ｌ２とが同じであってもよい。

Ｕ相の第１対向平面１３ｕおよび第２対向平面１４ｕのそれぞれのＸ２側に向く内側端部Ｅ３と、Ｖ相の第１対向平面１３ｖおよび第２対向平面１４ｖのそれぞれのＸ１側に向く端部Ｅ４との間には、横方向（Ｘ方向）に間隔δが空けられている。また、Ｗ相の第１対向平面１３ｗおよび第２対向平面１４ｗのそれぞれのＸ１側に向く内側端部Ｅ３と、Ｖ相の第１対向平面１３ｖおよび第２対向平面１４ｖのそれぞれのＸ２側に向く端部Ｅ４との間にも、横方向（Ｘ方向）に間隔δが空けられている。

図２（Ｂ）に比較例の電流センサ１０１が示されている。
比較例の電流センサ１０１は、図２（Ａ）に示す第１の実施形態の電流センサ１と構成部材が同じである。ただし、Ｕ相の第１シールド１１ｕに形成された第１対向平面１３ｕと、第２シールド１２ｕに形成された第２対向平面１４ｕは、横方向の幅寸法Ｌ１が同じであり、第１対向平面１３ｕと第２対向平面１４ｕは、その横方向の両端部Ｅ３，Ｅ５が縦方向（Ｚ方向）において一致している。Ｗ相においても、第１対向平面１３ｗと第２対向平面１４ｗとで、横方向の幅寸法Ｌ１が同じであり、第１対向平面１３ｗと第２対向平面１４ｗは、その横方向の両端部Ｅ３，Ｅ５が縦方向（Ｚ方向）において一致している。

次に、前記電流センサ１の動作を説明する。
電流センサ１では、電流路２ｕ，２ｖ，２ｗに流れる駆動電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗによって三相交流モータが駆動される。駆動電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗは、位相が互いに１２０度相違する交流電流である。

Ｕ相の電流路２ｕに流れる駆動電流Ｉｕで誘導される電流磁界は、電流路２ｕに対向する磁気検知素子５ｕで検知される。磁気検知素子５ｕの感度軸は横方向（Ｘ方向）に向けられているため、電流磁界のうちのＸ方向に向く成分が磁気検知素子５ｕで検知される。Ｖ相の電流路２ｖに流れる駆動電流Ｉｖで誘導される電流磁界のＸ方向の成分は、電流路２ｖに対向する磁気検知素子５ｖで検知され、Ｗ相の電流路２ｗに流れる駆動電流Ｉｗで誘導される電流磁界のＸ方向の成分は、電流路２ｗに対向する磁気検知素子５ｗで検知される。

磁気検知素子５ｕ，５ｖ，５ｗは、感度軸が、Ｘ方向に向けられ、電流路２ｕ，２ｖ，２ｗに流れる駆動電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗで誘導される電流磁界のＸ方向成分を検知することができるため、磁気検知素子５ｕ，５ｖ，５ｗによって、高感度の磁界検知が可能である。また、プリント配線基板３の実装面３ａが平面であるため、磁気検知素子５ｕ，５ｖ，５ｗの実装面３ａへの実装作業が容易である。

Ｕ相の電流路２ｕは第１シールド１１ｕと第２シールド１２ｕに挟まれ、Ｖ相の電流路２ｖは第１シールド１１ｖと第２シールド１２ｖに挟まれ、Ｗ相の電流路２ｗは第１シールド１１ｗと第２シールド１２ｗに挟まれている。そのため、電流路２ｕ，２ｖ，２ｗに流れる駆動電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗに起因する磁界以外のノイズ磁界を遮断することが可能である。

ただし、平行に配置された複数の電流路２ｕ，２ｖ，２ｗに流れる駆動電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗを検知する電流センサ１では、計測対象となる電流路に対向している磁気検知素子に対し、隣りに位置する電流路に流れる駆動電流で誘導される電流磁界が、ノイズ磁界として作用する課題がある。

図３（Ａ）には、第１の実施形態の電流センサ１において、Ｖ相の電流路２ｖに流れる駆動電流Ｉｖで誘導される磁力線の分布と、Ｕ相の磁気検知素子５ｕとの関係がシミュレーション結果として示されている。図３（Ｂ）には、比較例の電流センサ１０１において、Ｖ相の電流路２ｖに流れる駆動電流Ｉｖで誘導される磁力線の分布と、Ｕ相の磁気検知素子５ｕとの関係がシミュレーション結果として示されている。

図４（Ａ）は、図３（Ａ）に示すシミュレーション結果を説明するための模式図であり、図４（Ｂ）は、図３（Ｂ）に示すシミュレーション結果を説明するための模式図である。図４（Ａ）（Ｂ）には、第１シールド１２ｕの第１対向平面１３ｕと第２シールド１２ｕの第２対向平面１４ｕとの対向間隔の中心を通過する横方向中心線Ｏ１が示されている。

図３（Ａ）に示す第１の実施形態の電流センサ１と、図３（Ｂ）に示す比較例の電流センサ１０１の双方において、Ｖ相の電流路２ｖに駆動電流Ｉｖが流れると、駆動電流Ｉｖで誘導された電流磁界の磁力線の一部が、電流路２ｖに対向する第１シールド１１ｖと第２シールド１２ｖの内部に引き込まれるとともに、一部の磁力線が、距離δを空けて隣りに位置するＵ相の第１シールド１１ｕおよび第２シールド１２ｕに引き込まれる。そして、Ｕ相の第１シールド１１ｕと第２シールド１２ｕとの間を横断する磁力線が、Ｕ相の電流路２ｕに対向する磁気検知素子５ｕに与えられる。

図３（Ｂ）と図４（Ｂ）では、比較例の電流センサ１０１において、Ｖ相の電流路２ｖに流れる駆動電流Ｉｖで誘導されて、Ｕ相の第１シールド１１ｕと第２シールド１２ｕに導かれた磁束のうちの、第１対向平面１３ｕと第２対向平面１４ｕの双方の外側端部Ｅ５の間を横断する磁力線がＭａで示され、第１対向平面１３ｕと第２対向平面１４ｕの間を横断して磁気検知素子５ｕに入る磁力線がＭｂで示されている。

比較例の電流センサ１０１は、Ｕ相の第１シールド１１ｕの第１対向平面１３ｕと第２シールド１２ｕの第２対向平面１４ｕの双方の外側端部Ｅ５が、縦方向（Ｚ方向）の同一線上に位置している。そのため、それぞれの外側端部Ｅ５の間を渡る前記磁力線Ｍａが、横方向中心線Ｏ１に対して、縦方向（Ｚ１−Ｚ２方向）において線対称形状に延び、且つＸ１方向へ向けて突状に膨らむ経路を通過する。磁気検知素子５ｕに入る磁力線Ｍｂも、横方向中心線Ｏ１に対して縦方向に線対称で延び、Ｘ１方向へ向けて突状に膨らむ経路を通過する。

図４（Ｂ）では、前記磁力線Ｍｂが磁気検知素子５ｕに作用する作用線と、磁気検知素子５ｕを通過して縦方向に延びる素子垂直線Ｓｖとの角度がβで示されている。磁力線ＭｂがＸ１方向に向けて突形状で横方向中心線Ｏ１に対してＺ方向に線対称形状の経路を通過するため、比較例では、前記角度βが大きくなってしまう。

図３（Ａ）と図４（Ａ）では、第１の実施形態の電流センサ１において、Ｖ相の電流路２ｖに流れる駆動電流Ｉｖで誘導されてＵ相の第１シールド１１ｕと第２シールド１２ｕに導かれた磁束のうちの、第１対向平面１３ｕの外側端部Ｅ１と第２対向平面１４ｕの外側端部Ｅ２の間を横断する磁力線がＭ１で示され、第１対向平面１３ｕと第２対向平面１４ｕの間を横断して磁気検知素子５ｕに入る磁力線がＭ２で示されている。

第１の実施形態の電流センサ１は、Ｕ相の第１シールド１１ｕの第１対向平面１３ｕの外側端部Ｅ１よりも第２シールド１２ｕの第２対向平面１４ｕの外側端部Ｅ２がＸ２側に位置し、外側端部Ｅ２が外側端部Ｅ１と磁気検知素子５ｕとの間に位置している。そのため、外側端部Ｅ１と外側端部Ｅ２の間の空間を横断する磁力線Ｍ１が、横方向中心線Ｏ１に対して、縦方向（Ｚ１−Ｚ２方向）において非対称形状となり、図４（Ｂ）に示す外側端部Ｅ５間を渡る磁力線Ｍａよりも反時計方向（γ方向）へ傾いた経路を通過する。これに追従して、磁気検知素子５ｕに入る磁力線Ｍ２も、横方向中心線Ｏ１に対して、縦方向（Ｚ１−Ｚ２方向）において非対称形状となり、図４（Ｂ）に示す磁力線Ｍｂよりもγ方向に傾く経路を通過する。

その結果、図４（Ａ）に示すように、前記磁力線Ｍｂが磁気検知素子５ｕに作用する作用線と、磁気検知素子５ｕを通過して縦方向に延びる素子垂直線Ｓｖとの角度αは、図４（Ｂ）に示す前記角度βよりも小さくなる。

実施形態の電流センサ１では、磁力線Ｍ２が磁気検知素子５ｕに作用する作用線と、素子垂直線Ｓｖとの角度αが、比較例の電流センサ１０１の角度βよりも小さい。磁気検知素子５ｕの感度軸は横方向（Ｘ方向）に向けられているため、第１の実施形態の電流センサ１は、比較例の電流センサ１０１に比べて、磁気検知素子５ｕに対して感度軸と平行に向く磁力線の成分を削減できるようになり、計測対象となる電流路の隣りに位置する電流路の駆動電流で誘導される電流磁界が、ノイズ磁界として影響するのを抑制できるようになる。

図２（Ａ）に示すように、Ｗ相の電流路２ｗを挟む位置にある第１シールド１１ｗと第２シールド１２ｗは、第１対向平面１３ｗの外側端部Ｅ１よりも、第２対向平面１４ｗの外側端部Ｅ２がＸ１側に位置している。したがって、Ｖ相の電流路２ｖに流れる駆動電流Ｉｖで誘導される磁力線と、Ｗ相を検知するための磁気検知素子５ｗとの関係が、図３（Ａ）および図４（Ａ）に対して横方向（Ｘ方向）で線対称形状となる。したがって、Ｗ相においても、同様に、Ｖ相の電流路２ｖに流れる駆動電流Ｉｖで誘導される磁束が、磁気検知素子５ｗに与えるノイズを低減することが可能になる。

図２（Ａ）に示すように、第１の実施形態の電流センサ１は、Ｕ相の第１シールド１１ｕと第２シールド１２ｕ、Ｖ相の第１シールド１１ｖと第２シールド１２ｖ、Ｗ相の第１シールド１１ｗと第２シールド１２ｗが、各相毎に個別に分割して設けられている。そのため、外部からの磁界を、各相毎に個別に遮断することができるようになり、外部からのノイズ磁界の影響を受けにくくなる。

ただし、本発明では、図２（Ａ）に示す間隔δを設けずに、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相で、第１シールドがＸ方向に連続し、第２シールドもＸ方向に連続している構造であってもよい。

図９に、本発明の第２の実施形態の電流センサ２０１が示されている。
この電流センサ２０１は、Ｕ相とＷ相の２相の電流路２ｕ，２ｗと、Ｕ相の電流路２ｕを挟む位置に配置された第１シールド１１ｕおよび第２シールド１２ｕと、Ｗ相の電流路２ｗを挟む位置に配置された第１シールド１１ｗおよび第２シールド１２ｗと、が設けられている。Ｕ相の電流路２ｕと第１シールド１１ｕとの間に、磁気検知素子５ｕが設けられ、Ｗ相の電流路２ｗと第１シールド１１ｗとの間に、磁気検知素子５ｗが設けられている。電流路２ｕと電流路２ｗには、三相交流モータを駆動する駆動電流のうちの２系統の駆動電流が流れる。

図９に示すように、Ｕ相の第１シールド１１ｕの第１対向平面１３ｕの外側端部Ｅ１に対して、第２シールド１２ｕの第２対向平面１４ｕの外側端部Ｅ２が短縮長ＬｃだけＸ２方向に位置している。また、Ｗ相の第１シールド１１ｗの第１対向平面１３ｗの外側端部Ｅ１に対して、第２シールド１２ｗの第２対向平面１４ｗの外側端部Ｅ２が短縮長ＬｃだけＸ１方向に位置している。

この電流センサ２０１においても、外側端部Ｅ１に対して外側端部Ｅ２を短縮長Ｌｃだけ短縮しているため、隣りに位置する電流路で誘導される電流磁界によるノイズの影響を低減することができる。

また、本発明の実施形態の電流センサは、電流路に流れる電流が、モータ用の駆動電流以外の電流であってもよい。

以下の構造の電流センサ１について、特性をシミュレーションした。
（図５（Ａ）と図５（Ｂ）の説明）
図２（Ａ）に示す第１の実施形態の電流センサ１において、電流路２ｕ，２ｖ，２ｗの縦方向（Ｚ方向）の厚さ寸法Ｈ１を４ｍｍとし、電流路２ｕ，２ｖ，２ｗの横方向（Ｘ方向）の幅寸法を１５ｍｍとした。Ｕ相の第１シールド１１ｕおよび第２シールド１２ｕと、Ｖ相の第１シールド１１ｖおよび第２シールド１２ｖと、Ｗ相の第１シールド１１ｗおよび第２シールド１２ｗは、いずれも縦方向（Ｚ方向）の厚さ寸法を１．５ｍｍとした。

電流路２ｕ，２ｖ，２ｗのＺ１側に向く表面と、磁気検知素子５ｕ，５ｖ，５ｗとの縦方向（Ｚ方向）の距離Ｈ２を２．５ｍｍとした。電流路２ｕ，２ｖ，２ｗのＺ１側に向く表面と、各第１シールド１１ｕ，１１ｖ，１１ｗの第１対向平面１３ｕ，１３ｖ，１３ｗとの縦方向（Ｚ方向）の距離Ｈ３を５ｍｍとし、電流路２ｕ，２ｖ，２ｗのＺ２側に向く表面と、各第２シールド１２ｕ，１２ｖ，１２ｗの第２対向平面１４ｕ，１４ｖ，１４ｗとの縦方向（Ｚ方向）の距離Ｈ４を２ｍｍとした。

図５（Ａ）に、Ｕ相の第１対向平面１３ｕの外側端部Ｅ１に対する第２対向平面１４ｕの外側端部Ｅ２のＸ２方向への短縮長Ｌｃと、図４（Ａ）に示す磁力線Ｍ２が磁気検知素子５ｕに作用する作用線と、素子垂直線Ｓｖとの角度αとの関係が示されている。図５（Ｂ）には、Ｗ相の第１対向平面１３ｗの外側端部Ｅ１に対する第２対向平面１４ｗの外側端部Ｅ２のＸ１方向への短縮長Ｌｃと、磁力線Ｍ２が磁気検知素子５ｕに作用するときの作用線と、素子垂直線Ｓｖとの角度αとの関係を示している。

図５（Ａ）（Ｂ）はいずれも、横軸が、外側端部Ｅ１に対する外側端部Ｅ２の短縮長Ｌｃ（ｍｍ）であり、縦軸は、前記角度α（度）である。

図５（Ａ）（Ｂ）では、Ｕ相の第１対向平面１３ｕの横方向の幅寸法Ｌ１と、Ｗ相の第１対向平面１３ｗの横方向の幅寸法Ｌ１を、１７ｍｍ、１８ｍｍ、１９ｍｍ、２３ｍｍとした４種類の電流センサ１について、短縮長Ｌｃと、角度αとの関係をシミュレーションした。なお、Ｖ相の第１対向平面１３ｖと第２対向平面１４ｖの幅寸法Ｌ２を１７ｍｍとし、Ｕ相とＶ相およびＷ相で隣り合うシールドの間隔δを、７．５ｍｍとした。

図４（Ａ）に示されているように、Ｕ相では、短縮長Ｌｃが小さいときは、磁気検知素子５ｕを通過する磁力線Ｍ２が素子垂直線Ｓｖに対して時計方向へ角度αだけ傾くため、図５（Ａ）に示す縦軸の符号は「正」になる。短縮長Ｌｃが長くなるにしたがって角度αが小さくなり、さらに短縮長Ｌｃが長くなると、角度αが反時計方向へ傾くようになり、図５（Ａ）の縦軸の符号が「負」になる。

図５（Ｂ）に示すように、Ｗ相では、短縮長Ｌｃが小さいときは、角度αは反時計方向に傾くため、縦軸の符号が「負」となる。短縮長Ｌｃが長くなるにしたがって角度αが小さくなり、さらに短縮長Ｌｃが長くなると、角度αが時計方向へ傾き、縦軸の符号が「正」になる。

図５（Ａ）（Ｂ）に示すように、Ｕ相の第１対向平面１３ｕとＷ相の第１対向平面１３ｗの幅寸法Ｌ１が１７ｍｍのときは、外側端部Ｅ１に対する外側端部Ｅ２の短縮長Ｌｃが約６ｍｍのときに、前記角度αがゼロに近くなって、Ｖ相の電流路２ｖに流れる駆動電流Ｉｖで誘導される電流磁界が、Ｕ相の磁気検知素子５ｕにおいて、ノイズ磁界としてほとんど検知されなくなる。幅寸法Ｌ１が１８ｍｍのときは、短縮長Ｌｃが約５ｍｍのときに、Ｕ相の磁気検知素子５ｕにおいて、ノイズ磁界としてほとんど検知されなくなる。幅寸法Ｌ１が１９ｍｍのときは、短縮長Ｌｃが約４ｍｍのときに、Ｕ相の磁気検知素子５ｕにおいて、ノイズ磁界としてほとんど検知されなくなる。幅寸法Ｌ１が２３ｍｍのときも、短縮長Ｌｃが約４ｍｍのときに、Ｕ相の磁気検知素子５ｕにおいて、ノイズ磁界としてほとんど検知されなくなる。

図５（Ａ）のシミュレーション結果から、第１対向平面１３ｕの幅寸法Ｌ１が短いと、短縮長Ｌｃの影響が大きくなり、短縮長Ｌｃを長くしないと、Ｖ相の電流路２ｖの駆動電流Ｉｖに起因するノイズ磁界の影響を低下させることができないことが分かる。これは、第１対向平面１３ｕの幅寸法Ｌ１が短くなると、磁気検知素子５ｕから第１対向平面１３ｕの外側端部Ｅ１までの距離、および磁気検知素子５ｕから第２対向平面１４ｕの外側端部Ｅ２までの距離が短くなり、その結果、磁気検知素子５ｕを通過する磁力線（図４（Ａ）のＭ２および図４（Ｂ）のＭｂ）のＸ１方向の膨らみが大きくなるからであると考えられる。そのため、磁力線Ｍ２，ＭｂのＸ１方向の膨らみに起因する素子垂直線Ｓｖに対する角度α、βを小さくするためには、外側端部Ｅ１に対する外側端部Ｅ２の短縮長Ｌｃを長くすることが必要になる。

逆に、第１対向平面１３ｕの幅寸法Ｌ１が長いと、磁気検知素子５ｕから第１対向平面１３ｕの外側端部Ｅ１までの距離、および磁気検知素子５ｕから第２対向平面１４ｕの外側端部Ｅ２までの距離が長くなり、磁気検知素子５ｕを通過する磁力線Ｍ２，ＭｂのＸ１方向の膨らみが小さくなる。そのため、外側端部Ｅ１に対する外側端部Ｅ２の短縮長Ｌｃを少し変化させるだけで、磁力線Ｍ２，Ｍｂの素子垂直線Ｓｖに対する角度αを小さくする効果を得られるようになると考えられる。
これは、Ｗ相に関する図５（Ｂ）に示すシミュレーション結果においても同じである。

図５（Ａ）（Ｂ）から、Ｖ相の駆動電流Ｉｖで誘導される電流磁界が、磁気検知素子５ｕ，５ｗへノイズ磁界として作用する影響を低減できるためのＬｃ／Ｌの比は、幅寸法Ｌ１が１８ｍｍの実施例を基準にして、Ｌｃ／Ｌ＝２／１８以上でＬｃ／Ｌ＝８／１８以下、すなわち０．１１以上で０．４４以下であることが好ましい。この数値範囲は、幅寸法Ｌ１が１７ｍｍ以上で２３ｍｍ以下の範囲で有効と考えられる。

図６は、第１実施例の電流センサにおいて、隣り合う電流路で誘導されるノイズ磁界の影響を示す線図、図７は、第２実施例の電流センサにおいて、隣り合う電流路で誘導されるノイズ磁界の影響を示す線図、図８は、比較例の電流センサにおいて、隣り合う電流路で誘導されるノイズ磁界の影響を示す線図である。

（第１実施例）
図２（Ａ）に示す構造の電流センサ１であり、電流路２ｕ，２ｖ，２ｗの縦方向（Ｚ方向）の厚さ寸法Ｈ１を４ｍｍとし、電流路２ｕ，２ｖ，２ｗの横方向（Ｘ方向）の幅寸法を１５ｍｍとした。Ｕ相の第１シールド１１ｕおよび第２シールド１２ｕと、Ｖ相の第１シールド１１ｖおよび第２シールド１２ｖと、Ｗ相の第１シールド１１ｗおよび第２シールド１２ｗは、いずれも縦方向（Ｚ方向）の厚さ寸法を１．５ｍｍとした。

電流路２ｕ，２ｖ，２ｗのＺ１側に向く表面と、磁気検知素子５ｕ，５ｖ，５ｗとの縦方向（Ｚ方向）の距離Ｈ２を２．５ｍｍとした。電流路２ｕ，２ｖ，２ｗのＺ１側に向く表面と、各第１シールド１１ｕ，１１ｖ，１１ｗの第１対向平面１３ｕ，１３ｖ，１３ｗとの縦方向（Ｚ方向）の距離Ｈ３を５ｍｍとし、電流路２ｕ，２ｖ，２ｗのＺ２側に向く表面と、各第２シールド１２ｕ，１２ｖ，１２ｗの第２対向平面１４ｕ，１４ｖ，１４ｗとの縦方向（Ｚ方向）の距離Ｈ４を２ｍｍとした。

Ｕ相の第１シールド１１ｕの第１対向平面１３ｕの横方向の幅寸法Ｌ１と、Ｗ相の第１シールド１１ｗの第１対向平面１３ｗの横方向の幅寸法Ｌ１を、１８ｍｍとし、Ｖ相の第１対向平面１３ｖと第２対向平面１４ｖの幅寸法Ｌ２を１７ｍｍとし、Ｕ相とＶ相およびＷ相で隣り合うシールドの間隔δを、７．５ｍｍとした。

そして、Ｕ相の第１対向平面１３ｕの外側端部Ｅ１に対する、第２対向平面１４ｕの外側端部Ｅ２のＸ２方向への短縮長Ｌｃを５ｍｍとし、Ｗ相においても、第１対向平面１３ｗの外側端部Ｅ１に対する、第２対向平面１４ｗの外側端部Ｅ２のＸ１方向への短縮長Ｌｃを５ｍｍとした。Ｌｃ／Ｌは、０．２８である。

（第２実施例）
Ｕ相の第１対向平面１３ｕの外側端部Ｅ１に対する、第２対向平面１４ｕの外側端部Ｅ２のＸ２方向への短縮長Ｌｃを６ｍｍとし、Ｗ相においても、第１対向平面１３ｗの外側端部Ｅ１に対する、第２対向平面１４ｗの外側端部Ｅ２のＸ１方向への短縮長Ｌｃを６ｍｍとした。Ｌｃ／Ｌは、０．３３である。
それ以外の寸法は、第１実施例と同じである。

（比較例）
Ｕ相における第１対向平面１３ｕと第２対向平面１４ｕの幅寸法を共に１８ｍｍとし、Ｗ相における第１対向平面１３ｗと第２対向平面１４ｗの幅寸法を共に１８ｍｍとした。すなわち短縮長Ｌｃをゼロとした。
それ以外の寸法は、第１実施例と同じである。

（図６、図７、図８の説明）
図６は第１実施例、図７は第２実施例、図８は比較例、そのそれぞれに関するシミュレーション結果である。
図６（Ａ）と図７（Ａ）および図８（Ａ）には、Ｕ相の電流路２ｕにのみ交流の駆動電流Ｉｕを流し、他の電流路２ｖ，２ｗに駆動電流Ｉｖ，Ｉｗを流さない状態で、電流路２ｕに対向する磁気検知素子５ｕで検知した磁束密度の変化と、Ｖ相の電流路２ｖにのみ交流の駆動電流Ｉｖを流し、他の電流路２ｕ，２ｗに駆動電流Ｉｕ，Ｉｗを流さない状態で、電流路２ｖに対向する磁気検知素子５ｖで検知した磁束密度の変化と、Ｗ相の電流路２ｗにのみ交流の駆動電流Ｉｗを流し、他の電流路２ｕ，２ｖに駆動電流Ｉｕ，Ｉｖを流さない状態で、電流路２ｗに対向する磁気検知素子５ｗで検知した磁束密度の変化が示されている。

図６（Ａ）と図７（Ａ）および図８（Ａ）は、横軸に、測定基準となる時間（ｍｓｅｃ）が示され、縦軸に、磁気検知素子５ｕ，５ｖ，５ｗのそれぞれで検知された磁束密度（ｍＴ）が示されている。Ｕ相の磁気検知素子５ｕで検知された磁束密度の変化と、Ｖ相の磁気検知素子５ｖで検知された磁束密度の変化、およびＷ相の磁気検知素子５ｗで検知された磁束密度の変化は、図６（Ａ）、図７（Ａ）、図８（Ａ）において、位相がそれぞれ１２０度相違するように、横軸方向に時間をずらしてプロットしている。

図６（Ｂ）と図７（Ｂ）および図８（Ｂ）のシミュレーション結果は、Ｕ相の電流路２ｕとＶ相の電流路２ｖおよびＷ相の電流路２ｗに、位相が互いに１２０度相違する駆動電流Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗを同時に流したときに、隣りの電流路に流れる駆動電流で誘導されたノイズ磁界が、磁気検知素子５ｕ，５ｖ，５ｗのそれぞれに与える影響を示したものである。

図６（Ｂ）、図７（Ｂ）、図８（Ｂ）の横軸は経過時間（ｍｓｅｃ）を示している。図６（Ｂ）、図７（Ｂ）、図８（Ｂ）の縦軸は、Ｕ相とＶ相およびＷ相に位相を互いに１２０度ずらした駆動電流Ｉｕ、Ｉｖ，Ｉｗを同時に与えて、磁気検知素子５ｕ，５ｖ，５ｗのそれぞれで測定される磁束密度をＢ１とし、図６（Ａ）、図７（Ａ）、図８（Ａ）の磁束密度の検知出力、すなわちＵ相とＶ相およびＷ相に個別に駆動電流Ｉｕ、Ｉｖ，Ｉｗを与えて、磁気検知素子５ｕ，５ｖ，５ｗのそれぞれで個別に検知された磁束密度をＢ０として、{（Ｂ１−Ｂ０）／Ｂ０}×１００（％）を計算した計算値である。

図８（Ａ）（Ｂ）に示す比較例を見ると、Ｕ相の磁気検知素子５ｕの検知出力とＷ相の磁気検知素子５ｗの検知出力に対して、Ｖ相の駆動電流Ｉｖで誘導された電流磁界がノイズ磁界として影響を与えていることが分かる。例えば、図８に示す時刻（ｉ）すなわち１０ｍｓｅｃの時刻では、図８（Ａ）に示すＵ相の磁気検知素子５ｕで検知される磁束密度がほぼゼロであるのに対し、Ｖ相の駆動電流Ｉｖで誘導される電流磁界の磁束密度が１０ｍＴ程度であり、Ｕ相の磁気検知素子５ｕの検知出力に対し、Ｖ相の電流磁界が、１％程度のノイズ磁界として影響を与えていることが分かる。
また、Ｖ相の電流磁界は、Ｗ相の検知出力に対しても、同様にノイズ磁界として影響を与えている。

なお、図８（Ｂ）に示す、Ｖ相の磁気検知素子５ｖの検知出力に関しては、例えば時刻（ｉ）では、Ｖ相の駆動電流Ｉｖと、隣りのＷ相の駆動電流Ｉｗの駆動電流Ｉｗとが逆位相である。また、時刻５ｍｓｅｃと時刻１５ｍｓｅｃにおいては、Ｖ相の駆動電流Ｉｖと、隣りのＵ相の駆動電流Ｉｕとが逆位相である。またそれ以外の時間では、Ｕ相の駆動電流Ｉｕと、Ｗ相の駆動電流Ｉｗとが逆位相となることが多い、そのため、磁束が相殺されて、Ｕ相の駆動電流Ｉｕで誘導される磁界と、Ｗ相の駆動電流Ｉｗで誘導される電流磁界が、Ｖ相の磁気検知素子５ｖに与える影響が少なくなるものと考えられる。

これに対し、図６（Ｂ）に示す第１実施例のシミュレーション結果と、図７（Ｂ）に示すシミュレーション結果では、Ｕ相とＶ相とＷ相の全ての磁気検知素子５ｕ，５ｖ，５ｗにおいて、隣りの駆動電流で誘導される電流磁界がノイズ磁界としてほとんど影響していないことが分かる。

１ 電流センサ
２ｕ，２ｖ，２ｗ 電流路
５ｕ，５ｖ，５ｗ 磁気検知素子
１１ｕ，１１ｖ，１１ｗ 第１シールド
１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ 第２シールド
１３ｕ，１３ｖ，１３ｗ 第１対向平面
１４ｕ，１４ｖ，１４ｗ 第２対向平面
Ｅ１ 第１対向平面の外側端部
Ｅ２ 第２対向平面の外側端部
Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗ 駆動電流
Ｌｃ 短縮長
Ｍ１，Ｍ２ 磁力線
Ｓｖ 素子垂直線

Claims (5)

1. 平行に配置された複数の電流路のそれぞれに対向する磁気検知素子が設けられ、それぞれの前記電流路に流れる電流で誘導された磁界が前記磁気検知素子で検知される電流センサにおいて、
   全ての前記電流路を直交して横断する方向を横方向とし、前記電流路の電流方向および横方向の双方に直交する方向を縦方向としたときに、
   前記磁気検知素子は、それぞれの前記電流路に縦方向から対向して、その感度軸が横方向に向けられ、
   前記電流路と前記磁気検知素子の双方を縦方向の両側から挟む第１シールドと第２シールドとが設けられ、前記第１シールドは、前記電流方向および横方向の双方に平行な平面であって前記磁気検知素子に対向する第１対向平面を有し、前記第２シールドは、前記電流方向および横方向の双方に平行な平面であって前記電流路に対向する第２対向平面を有しており、
   前記第１対向平面と前記第２対向平面のそれぞれが、隣りに前記電流路が存在しない外側に向けられた外側端部を有し、前記第２対向平面の前記外側端部が、前記第１対向平面の前記外側端部と前記磁気検知素子との間に位置しており、
   前記第１シールドと前記第２シールドは、それぞれの前記電流路ごとに個別に設けられており、
   前記第１対向平面と前記第２対向平面は、前記外側端部と、隣りに前記電流路が存在する内側に向けられた内側端部とを有し、
   前記第１対向平面の横方向の長さ寸法をＬ、前記第１対向平面の前記外側端部と前記第２対向平面の前記外側端部との、横方向の距離である短縮長をＬｃとしたときに、
   Ｌｃ／Ｌの比が、０．１１以上で０．４４以下であることを特徴とする電流センサ。
2. 前記磁気検知素子と前記第１対向平面との距離が、前記磁気検知素子と前記第２対向平面との距離よりも短い請求項１記載の電流センサ。
3. 互いに対向する前記第１シールドと前記第２シールドでは、前記第１対向平面の前記内側端部と前記第２対向平面の前記内側端部とが、縦方向で同じ位置に形成されている請求項１または請求項２に記載の電流センサ。
4. 前記電流路が３本設けられ、それぞれの前記電流路に前記第１シールドと前記第２シールドが対向しており、
   横方向の両側に位置する前記第１シールドおよび前記第２シールドでは、前記第２対向平面の前記外側端部が、前記第１対向平面の前記外側端部と前記磁気検知素子との間に位置し、前記第１対向平面の前記内側端部と前記第２対向平面の前記内側端部とが、縦方向で同じ位置に形成されており、
   前記縦方向の中央に位置する前記第１シールドおよび前記第２シールドでは、前記第１対向平面の横方向の両端部と、前記第２対向平面の横方向の両端部とが、共に縦方向で同じ位置に形成されている請求項３に記載の電流センサ。
5. 前記第１対向平面の横方向の長さ寸法Ｌは、１７ｍｍ以上２３ｍｍ以下である、請求項１に記載の電流センサ。

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