JP2016110066A - Position determination apparatus, position determination method, lithography apparatus, and method for producing article - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、位置決定装置、位置合わせ方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。 The present invention relates to a position determination apparatus, an alignment method, a lithographic apparatus, and an article manufacturing method.
回路パターン等のパターンを基板に転写する露光装置では、所定の露光位置に基板が搬送されるようにするため、搬送前の基板の位置合わせを行う。例えば、基板に対してノッチと呼ばれるV字形状の切り欠きを形成し、ノッチの位置を検出することで基板の位置を求めて、所定の位置に対するずれを補正するように位置合わせをする。 In an exposure apparatus that transfers a pattern such as a circuit pattern to a substrate, the substrate is aligned before being transported so that the substrate is transported to a predetermined exposure position. For example, a V-shaped notch called a notch is formed in the substrate, the position of the substrate is obtained by detecting the position of the notch, and alignment is performed so as to correct a deviation from a predetermined position.
しかし、ノッチ部へのレジストの回り込みや、ノッチが形成された基板の非対称性に起因して、露光工程や成膜工程を含む各工程においてノッチ周辺の領域で半導体素子の性能不良が起こりやすくなる。よって、歩留まりの低下を防ぐためにも、ノッチの無い基板で位置合わせをする技術が求められている。 However, due to the resist wrapping around the notch and the asymmetry of the substrate on which the notch is formed, the performance of the semiconductor element is likely to deteriorate in the area around the notch in each process including the exposure process and the film forming process. . Therefore, in order to prevent a decrease in yield, a technique for aligning with a substrate without a notch is required.
特許文献1は、基板の裏面に形成されたマークを用いて基板の位置を求める機構を有する位置合わせ装置に関する。基板のエッジを検出するセンサと、裏面のマークを検出するセンサとを用いて、基板の並進方向および回転方向(周方向)の位置を求めている。 Patent Document 1 relates to an alignment apparatus having a mechanism for determining the position of a substrate using a mark formed on the back surface of the substrate. Using the sensor for detecting the edge of the substrate and the sensor for detecting the mark on the back surface, the position of the substrate in the translation direction and the rotation direction (circumferential direction) is obtained.
特許文献2も、基板の裏面に形成されたマークを用いて基板の位置を求める機構を有する位置合わせ装置に関する。基板表面に形成されたショット配列からの反射光と、基板裏面に形成されたマークからの反射光とを1つのセンサで受光することにより、基板の位置を求めている。 Patent Document 2 also relates to an alignment apparatus having a mechanism for determining the position of a substrate using a mark formed on the back surface of the substrate. The position of the substrate is obtained by receiving the reflected light from the shot array formed on the substrate surface and the reflected light from the mark formed on the back surface of the substrate with one sensor.
特許文献1に記載の位置合わせ装置は、エッジを検出するセンサと、マークを検出するセンサとが離れた位置に配置されている。そのため、2つのセンサの相対位置をあらかじめ測定する必要が生じてしまう。周囲の温度変化が大きい場合には、当該相対位置を高頻度で計測しなければならない場合もある。 In the alignment apparatus described in Patent Document 1, a sensor that detects an edge and a sensor that detects a mark are arranged at positions separated from each other. Therefore, it becomes necessary to measure the relative positions of the two sensors in advance. When the ambient temperature change is large, the relative position may have to be measured frequently.
特許文献2に記載の位置合わせ装置は、エッジを検出する手段を有していない。したがって、基板上の不要なレジストの除去を目的としてエッジに沿って端部を露光する、周辺露光等の処理を施す場合には、再度エッジ検出をする必要が生じてしまう。 The alignment apparatus described in Patent Document 2 does not have a means for detecting an edge. Therefore, when performing processing such as peripheral exposure in which the edge is exposed along the edge for the purpose of removing unnecessary resist on the substrate, it becomes necessary to perform edge detection again.
そこで、本発明は共通の受光手段を用いてマークと基板のエッジとを検出し、基板の位置を決定することができる位置合わせ装置、位置合わせ方法、およびリソグラフィ装置を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide an alignment apparatus, an alignment method, and a lithography apparatus that can detect the mark and the edge of the substrate using a common light receiving means and determine the position of the substrate. .
本発明の位置合わせ装置は、基板の端部に光を照射する第1の投光手段と、前記基板の面にあるマークに光を照射する第2の投光手段と、前記基板の前記面側に配置され、前記第1の投光手段からの光であって前記基板の外側を通過した光を受光し、かつ前記第2の投光手段からの光であって前記マークで反射された光を受光する受光手段と、を有し、前記受光手段による受光結果に基づいて前記基板の位置を決定することを特徴とする。 The alignment apparatus of the present invention includes a first light projecting unit that irradiates light to an end portion of a substrate, a second light projecting unit that irradiates light on a mark on the surface of the substrate, and the surface of the substrate. Arranged on the side, receiving light from the first light projecting means and passing outside the substrate, and receiving light from the second light projecting means and reflected by the mark And a light receiving means for receiving light, wherein the position of the substrate is determined based on a light reception result by the light receiving means.
本発明の位置決定装置、位置決定方法、およびリソグラフィ装置を提供によれば、共通の受光手段を用いてマークと基板のエッジとを検出し、基板の位置を求めることができる。 According to the position determination apparatus, the position determination method, and the lithography apparatus of the present invention, the position of the substrate can be obtained by detecting the mark and the edge of the substrate using a common light receiving means.
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態の位置合わせ装置(位置決定装置)100の正面図である。図1は、ステージ120上に基板10が搬送された状態を示している。基板10に対して処理を行う装置に搬送する前に、位置合わせ装置100は、基板10の位置を検出し、検出結果に基づいて基板10の位置を所定の待機位置に位置合わせする。以下、位置合わせとは、並進方向および回転方向に関して基板10を所定の位置に合わせることをいう。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a front view of an alignment apparatus (position determination apparatus) 100 according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a state where the substrate 10 is transferred onto the stage 120. Before transporting the substrate 10 to an apparatus that performs processing, the alignment apparatus 100 detects the position of the substrate 10 and aligns the position of the substrate 10 to a predetermined standby position based on the detection result. Hereinafter, the alignment refers to aligning the substrate 10 at a predetermined position with respect to the translation direction and the rotation direction.
ステージ120は、Z軸方向を回転軸として基板10を回転させる回転ステージ(回転手段)121と、XY平面内で基板10を並進移動させるXYステージ122と、基板10を支持する支持部123と、を有している。 The stage 120 includes a rotation stage (rotating means) 121 that rotates the substrate 10 about the Z-axis direction as a rotation axis, an XY stage 122 that translates the substrate 10 in the XY plane, and a support unit 123 that supports the substrate 10. have.
基板10は、オリフラやノッチなどの切り欠き部が形成されていないものを使用する。本実施形態では、基板10は、直径300mmの基板を使用する。ただし、直径300mm未満の基板、直径300mm〜直径450mmの間の基板、あるいは、直径450mmより大きな基板であっても構わない。 As the substrate 10, a substrate in which notched portions such as orientation flats and notches are not formed is used. In the present embodiment, a substrate having a diameter of 300 mm is used as the substrate 10. However, the substrate may be a substrate having a diameter of less than 300 mm, a substrate having a diameter of 300 mm to 450 mm, or a substrate having a diameter larger than 450 mm.
ステージ120に搬送された基板10の裏面には、エッジ12の近傍にマーク11が形成されている。マーク11は、例えばレーザマーキング等により形成された凹凸構造を有するマークである。マークのパターンとして、例えば、複数の半球状の凹部を1列にあるいは2次元的に配列して成るパターン、ラインアンドスペースのパターン、あるいは矩形パターン等がある。 A mark 11 is formed in the vicinity of the edge 12 on the back surface of the substrate 10 transported to the stage 120. The mark 11 is a mark having a concavo-convex structure formed by, for example, laser marking. Examples of the mark pattern include a pattern in which a plurality of hemispherical concave portions are arranged in a row or two-dimensionally, a line-and-space pattern, or a rectangular pattern.
以下、基板10の表面とは基板10の被処理面(本実施形態では鉛直上方側の面)のことを、基板10の裏面とは被処理面とは反対側の面(本実施形態では鉛直下方側の面)を意味するものとする。また、基板10に対して被処理面側の鉛直方向の位置を表面側、基板10に対して被処理面とは反対側の面の鉛直方向の位置を裏面側とする。 Hereinafter, the surface of the substrate 10 is a surface to be processed of the substrate 10 (surface in the vertical direction in the present embodiment), and the surface of the substrate 10 opposite to the surface to be processed (vertical in the present embodiment). The lower surface). Further, the vertical position of the surface to be processed with respect to the substrate 10 is the front surface side, and the vertical position of the surface opposite to the processing surface with respect to the substrate 10 is the back surface side.
基板10の表面側には第1の光源(第1の投光手段)111が、裏面側には第2の光源(第2の投光手段)112が配置されている。第1の光源111の鉛直下方であって基板10の裏面側には、光学系113および受光素子(受光手段、受光センサ)110が配置されている。第1の光源111および第2の光源112は、互いに異なる面側から光を照射する光源であって、同じ波長の光を発するLED光源である。受光素子110はCCDやCMOS等の撮像素子である。 A first light source (first light projecting means) 111 is disposed on the front surface side of the substrate 10, and a second light source (second light projecting means) 112 is disposed on the rear surface side. An optical system 113 and a light receiving element (light receiving means, light receiving sensor) 110 are arranged vertically below the first light source 111 and on the back side of the substrate 10. The first light source 111 and the second light source 112 are light sources that emit light from different surface sides, and are LED light sources that emit light of the same wavelength. The light receiving element 110 is an image pickup element such as a CCD or a CMOS.
受光素子110を、第1光源111と対向するように、基板10に対して第2の光源112と同じ面側に設けている。すなわち、第1の光源111から受光素子110までの光路上にも、第2の光源112から受光素子110までの光路上にも、それぞれの光源から射出された光束を偏光させて光路を折り曲げるための光学素子を配置しないようにしている。このように位置合わせ装置100に含まれる光学素子を少なく構成することで、回転ステージ121のまわりの省スペース化を図ることができる。 The light receiving element 110 is provided on the same surface side as the second light source 112 with respect to the substrate 10 so as to face the first light source 111. That is, in order to bend the optical path by polarizing the light beam emitted from each light source both on the optical path from the first light source 111 to the light receiving element 110 and on the optical path from the second light source 112 to the light receiving element 110. These optical elements are not arranged. Thus, by configuring the optical device included in the alignment apparatus 100 to be small, space saving around the rotary stage 121 can be achieved.
第1の光源111は鉛直下方に向けて、少なくとも基板10とその外周側の空間との境界であるエッジ(端部)12を含むように光を照射する。第2の光源112は、マーク11に対して、暗視野照明となるように斜めに光を照射する。 The first light source 111 emits light vertically downward so as to include at least an edge 12 that is a boundary between the substrate 10 and the outer peripheral space. The second light source 112 irradiates light to the mark 11 obliquely so as to provide dark field illumination.
受光素子110は、第1の光源111から光であって、エッジ12より外周側の空間を通過した光(基板の外側を通過した光)と、第2の光源112が照射しマーク11で反射された反射光(反射回折光および反射散乱光の少なくとも一方)とを、光学系113を介して受光する。すなわち受光素子110は第1の光源111からの光と第2の光源112からの光に対して、換言すれば、基板10の外側を通過した光とマーク11で反射された光に対して共通の受光素子である。 The light receiving element 110 is light from the first light source 111 and has passed through the space on the outer peripheral side from the edge 12 (light that has passed through the outside of the substrate) and is reflected by the mark 11 irradiated by the second light source 112. The reflected light (at least one of reflected diffracted light and reflected scattered light) is received via the optical system 113. That is, the light receiving element 110 is common to the light from the first light source 111 and the light from the second light source 112, in other words, the light that has passed through the outside of the substrate 10 and the light reflected by the mark 11. The light receiving element.
なお、第1の光源111は明視野照明であることが好ましい。暗視野照明ではなく明視野照明にすることで、基板10のエッジ12付近には角を除去するように面取り13が施されている場合であっても、面取り13における反射光の影響でエッジ12の計測精度が低下することを防ぐことができる。また、第2の光源112は、図1に示すように、マーク11に対して基板10の中心側から斜めに光を照射することが好ましい。これにより、面取り13からの反射光の影響を受けてマーク11やエッジ12の検出精度が低下するのを防ぐことができる。 Note that the first light source 111 is preferably bright field illumination. By using bright field illumination instead of dark field illumination, even if the chamfer 13 is provided in the vicinity of the edge 12 of the substrate 10 so as to remove corners, the edge 12 is affected by the reflected light in the chamfer 13. It is possible to prevent a decrease in measurement accuracy. Further, as shown in FIG. 1, the second light source 112 preferably irradiates the mark 11 with light obliquely from the center side of the substrate 10. Thereby, it can prevent that the detection accuracy of the mark 11 or the edge 12 falls under the influence of the reflected light from the chamfer 13.
制御部130は、受光素子110と接続されている。受光素子110による受光結果からマーク11およびエッジ12を検出し、基板10の位置を求める。制御部131は第1の光源111と接続されており、第1の光源111を調光する。制御部132は第2の光源112と接続されており、第2の光源112を調光する。制御部133はステージ120と接続されており、回転ステージ121とXYステージ122の駆動を制御する。 The control unit 130 is connected to the light receiving element 110. The mark 11 and the edge 12 are detected from the light reception result by the light receiving element 110, and the position of the substrate 10 is obtained. The control unit 131 is connected to the first light source 111 and dimmes the first light source 111. The control unit 132 is connected to the second light source 112 and dimmes the second light source 112. The control unit 133 is connected to the stage 120 and controls driving of the rotary stage 121 and the XY stage 122.
制御部130〜133はそれぞれCPU(不図示)を有しており、制御部130〜134は互いに情報のやりとりが可能とする。例えば、制御部130が求めた基板10の位置ずれを補正するように、制御部133がステージ120を駆動させて、基板10の位置合わせを行うことができる。 The control units 130 to 133 each have a CPU (not shown), and the control units 130 to 134 can exchange information with each other. For example, the control unit 133 can drive the stage 120 to align the substrate 10 so as to correct the positional deviation of the substrate 10 obtained by the control unit 130.
制御部130〜133によって、メモリ134には位置合わせ動作に必要な情報が記憶されている。例えば、制御部130が求めた基板10の位置(回転方向の位置も含む)、第1の光源111および第2の光源112の光量、などが記憶される。さらに、マーク11の検出やエッジ12の検出に用いる信号の閾値も記憶されている。制御部130〜133およびメモリ134は、これらの機能が損なわれないのであれば1つの制御基板上に配置されていても、別の制御基板上に配置されていても構わない。 Information necessary for the alignment operation is stored in the memory 134 by the control units 130 to 133. For example, the position of the substrate 10 (including the position in the rotation direction) obtained by the control unit 130, the light amounts of the first light source 111 and the second light source 112, and the like are stored. Further, a threshold value of a signal used for detection of the mark 11 and detection of the edge 12 is also stored. The control units 130 to 133 and the memory 134 may be arranged on one control board or another control board as long as these functions are not impaired.
次に、図2〜図5を用いて、制御部130によるマーク11の位置とエッジ12の位置、および基板10の位置の求め方について説明する。 Next, how to determine the position of the mark 11 and the position of the edge 12 and the position of the substrate 10 by the control unit 130 will be described with reference to FIGS.
図2は、位置合わせ装置100を用いた基板10の位置合わせの流れを示すフローチャートである。位置合わせ装置100へ基板搬入前に、制御部131が第1の光源11を調光する(S301)。受光素子110で第1の光源111からの光の光量を計測し、光量が示す信号強度が最適値になるように第1の光源111の光量を調整する。なお、第1の光源111は遮光物となる基板10が無い状態で調光されることが好ましい。基板搬送後に調光すると、基板10に遮光された部分の光量確認ができない。そのため、基板10の回転動作中に信号強度が許容値を超えるおそれがある。 FIG. 2 is a flowchart showing a flow of alignment of the substrate 10 using the alignment apparatus 100. Before the substrate is carried into the alignment apparatus 100, the control unit 131 dims the first light source 11 (S301). The light amount of the light from the first light source 111 is measured by the light receiving element 110, and the light amount of the first light source 111 is adjusted so that the signal intensity indicated by the light amount becomes an optimum value. Note that the first light source 111 is preferably dimmed without the substrate 10 serving as a light shielding material. If the light is adjusted after the substrate is transported, it is not possible to confirm the amount of light in the portion shielded by the substrate 10. Therefore, there is a possibility that the signal intensity exceeds the allowable value during the rotation operation of the substrate 10.
次に、搬入ロボット(不図示)により、位置合わせ装置100に基板10が搬入される(S302)。搬入された基板10は支持部123の真空吸着機構(不図示)によって支持される。基板10が搬入された段階では位置合わせがされておらず、基板10は所望の位置に対して並進方向および回転方向にずれている。 Next, the substrate 10 is carried into the alignment apparatus 100 by a carry-in robot (not shown) (S302). The loaded substrate 10 is supported by a vacuum suction mechanism (not shown) of the support portion 123. At the stage when the substrate 10 is carried in, alignment is not performed, and the substrate 10 is shifted in the translational direction and the rotational direction with respect to a desired position.
続いて、制御部132が第2の光源112を調光する(S303)。マーク11からの反射光を受光する必要があるため、以前に位置合わせ時に用いた光量値が分かっている場合は、その値を用いて第2の光源112を調光する。 Subsequently, the control unit 132 dimmes the second light source 112 (S303). Since it is necessary to receive the reflected light from the mark 11, the second light source 112 is dimmed using that value when the light quantity value previously used for alignment is known.
制御部133は、回転ステージ121を用いて基板10を回転させる(S304)。回転ステージ121を回転させている間に、受光素子110は、第1の光源111からの光と、第2の光源112が照射し基板10の裏面で反射された反射光とを受光する。第2の光源112がマーク11を含むように光を照射した場合は、マーク11からの反射光も受光する。基板10を回転させながら受光素子110は第1の光源111と第2の光源112からの光を受光し、基板10のエッジ12の位置情報を回転方向に連続的に取得する。 The controller 133 rotates the substrate 10 using the rotary stage 121 (S304). While rotating the rotary stage 121, the light receiving element 110 receives light from the first light source 111 and reflected light reflected by the back surface of the substrate 10 irradiated by the second light source 112. When the second light source 112 emits light so as to include the mark 11, the reflected light from the mark 11 is also received. The light receiving element 110 receives light from the first light source 111 and the second light source 112 while rotating the substrate 10 and continuously acquires position information of the edge 12 of the substrate 10 in the rotation direction.
制御部130は、受光信号を逐次取り込み(S305)、取り込んだ信号を用いて基板10のマーク11の位置、およびエッジ12の位置を検出する(S306)。制御部133は、回転ステージ121が、位置合わせに必要な分(マークが1つの場合は360°)だけ基板10を回転させたら回転動作を終了させる(S307)。 The control unit 130 sequentially captures the received light signal (S305), and detects the position of the mark 11 and the position of the edge 12 on the substrate 10 using the captured signal (S306). When the rotation stage 121 rotates the substrate 10 by an amount necessary for alignment (360 ° when there is one mark), the control unit 133 ends the rotation operation (S307).
S306の工程について図3を用いて詳述する。図3は、受光素子110の視野にマーク11が存在するときの、受光結果に対応する検出信号の波形(以下、受光波形という)140と、基板10との関係を示している。横軸は基板10の動径方向の位置Rを、縦軸は光量を示している。受光波形140は、基板10の外周側の領域と、基板10の内周側の一部の領域とにおいて光量が大きくなる様子を示す。基板10の外周側の光量は第1の光源111からの光であって基板10に遮光されなかった部分に対応し、内周側の一部の領域の光量はマーク11からの反射光に対応している。 The step S306 will be described in detail with reference to FIG. FIG. 3 shows the relationship between the detection signal waveform 140 (hereinafter referred to as the light reception waveform) 140 corresponding to the light reception result and the substrate 10 when the mark 11 is present in the field of the light receiving element 110. The horizontal axis represents the position R of the substrate 10 in the radial direction, and the vertical axis represents the amount of light. The light reception waveform 140 shows a state in which the amount of light increases in an outer peripheral side region of the substrate 10 and a partial region on the inner peripheral side of the substrate 10. The amount of light on the outer peripheral side of the substrate 10 corresponds to a portion that is light from the first light source 111 and is not shielded by the substrate 10, and the amount of light in a part of the inner peripheral side corresponds to reflected light from the mark 11. doing.
制御部130は、受光波形140のうち、最外周から基板10の中心に向かって走査して初めて所定の閾値141を下回った位置142がエッジ12の位置であると判断する。同様にして位置142から中心側に走査して所定の閾値145を上回った位置143〜位置144の中心を、マーク11の位置と判断する。閾値141と閾値145は同一の値でも構わないが、第1の光源111からの光とマーク11からの反射光と光量に差がある場合には、閾値141と閾値145とを区別することが好ましい。 The control unit 130 determines that the position 142 of the received light waveform 140 that is below the predetermined threshold 141 for the first time after scanning from the outermost periphery toward the center of the substrate 10 is the position of the edge 12. Similarly, the center of the position 143 to the position 144 that is scanned from the position 142 to the center side and exceeds a predetermined threshold value 145 is determined as the position of the mark 11. The threshold value 141 and the threshold value 145 may be the same value. However, when there is a difference in light amount between the light from the first light source 111 and the reflected light from the mark 11, the threshold value 141 and the threshold value 145 may be distinguished. preferable.
図2において、制御部130はマーク11が検出されたかどうかを判断する(S308)。検出できなかった(NO)と判断した場合は、S303の工程に戻り、第2の光源112の光量を再調整する。S308でマーク11を検出した(YES)と判断した場合は、制御部130はこのときの第2の光源112の光量をメモリ134に記憶させる(S309)。得られたマーク11の信号強度から、最適な信号強度が得られる光量を求めてメモリ134に記憶させても良い。 In FIG. 2, the control unit 130 determines whether or not the mark 11 is detected (S308). If it is determined that the signal could not be detected (NO), the process returns to step S303, and the light amount of the second light source 112 is readjusted. When determining that the mark 11 has been detected in S308 (YES), the control unit 130 stores the light amount of the second light source 112 at this time in the memory 134 (S309). From the signal intensity of the obtained mark 11, an amount of light that provides an optimum signal intensity may be obtained and stored in the memory 134.
S305、S306の工程によって得られたマーク11の位置とエッジ12の位置を用いて制御部130は基板10の位置を決定する。各回転角度における受光波形140から、制御部130は図4に示すエッジ12の位置波形80を得る。横軸は回転角度θ、縦軸は基板10の動径方向の位置Rを示す。マーク信号81は回転角θ=θmarkで検出されている。 The control unit 130 determines the position of the substrate 10 using the position of the mark 11 and the position of the edge 12 obtained in the steps S305 and S306. From the received light waveform 140 at each rotation angle, the control unit 130 obtains the position waveform 80 of the edge 12 shown in FIG. The horizontal axis represents the rotation angle θ, and the vertical axis represents the position R in the radial direction of the substrate 10. The mark signal 81 is detected at a rotation angle θ = θ mark .
位置波形80は式(1)で表される。 The position waveform 80 is expressed by equation (1).
図5のように、ステージ120の中心125に対して基板10の中心20が偏心していたとすると、rはその偏心ベクトル21(X、Y)の大きさを示す。θはS304〜S307までの間の回転角度である。αは偏心ベクトル21と、中心125と受光素子110を結ぶ直線と、のなす角を表す。Lは基板10の半径である。θmarkは、中心125とマーク11とを結ぶ直線と、中心125と受光素子110を結ぶ直線と、のなす角を表す。 As shown in FIG. 5, if the center 20 of the substrate 10 is eccentric with respect to the center 125 of the stage 120, r indicates the magnitude of the eccentric vector 21 (X, Y). θ is a rotation angle between S304 and S307. α represents an angle formed by the eccentric vector 21 and a straight line connecting the center 125 and the light receiving element 110. L is the radius of the substrate 10. θ mark represents an angle formed by a straight line connecting the center 125 and the mark 11 and a straight line connecting the center 125 and the light receiving element 110.
制御部は、位置波形80を用いて、ステージ120に対する基板10の水平方向の位置を決定し、θmarkを用いて回転方向の位置を決定する(S310)。 The control unit determines the position in the horizontal direction of the substrate 10 with respect to the stage 120 using the position waveform 80, and determines the position in the rotation direction using θ mark (S310).
制御部130により決定された基板10の位置情報を用いて、制御部133がステージ120を並進方向および回転方向に駆動し、基板10の位置を所定の位置にする(S311)。あるいは、基板10の位置情報を用いて、搬入ロボットがステージ120上の所定の位置に基板10を載置しなおす。このようにして位置合わせを行うことにより、後続して行う搬送動作や処理動作時に基板10の位置ずれに起因して処理精度が低下することを防ぐことができる。 Using the position information of the substrate 10 determined by the control unit 130, the control unit 133 drives the stage 120 in the translation direction and the rotation direction, and sets the position of the substrate 10 to a predetermined position (S311). Alternatively, using the position information of the substrate 10, the carry-in robot remounts the substrate 10 at a predetermined position on the stage 120. By performing the alignment in this manner, it is possible to prevent the processing accuracy from being lowered due to the positional deviation of the substrate 10 during the subsequent transport operation or processing operation.
最後に、位置合わせ装置100から基板10が搬出される(S312)。エッジ12の検出も行っているので、S312における搬出前に、検出結果を用いて周辺露光処理を施しても良い。 Finally, the substrate 10 is unloaded from the alignment apparatus 100 (S312). Since the edge 12 is also detected, the peripheral exposure processing may be performed using the detection result before carrying out in S312.
本実施形態によれば、切り欠きの形成されていない基板10であっても精度良く位置を決定することができる。よって、従来技術において生じていた、切り欠き周辺における研磨およびその他の加工精度の低下によるチップの歩留まりの低下を抑制することができる。 According to the present embodiment, the position can be determined with high accuracy even for the substrate 10 in which notches are not formed. Therefore, it is possible to suppress a decrease in chip yield due to a decrease in polishing and other processing accuracy around the notch, which has occurred in the prior art.
共通の受光素子110によって第1の光源111からの光も第2の光源112からの光も受光していため、同時に受光した像を用いれば、一括してマーク11とエッジ12を検出することができる。 Since the light from the first light source 111 and the light from the second light source 112 are received by the common light receiving element 110, it is possible to detect the mark 11 and the edge 12 collectively by using the simultaneously received image. it can.
個々の光源に対応する受光素子を配置した場合に比べて、位置合わせ装置100への実装を低減することができ、かつ当該受光素子同士の位置合わせが必要なくなる。そのため、マーク11やエッジ12の検出精度の低下要因を少なくすることができ、基板10の位置合わせを精度良くおこなうことができる。 Compared to the case where the light receiving elements corresponding to the individual light sources are arranged, the mounting on the alignment apparatus 100 can be reduced, and the light receiving elements need not be aligned. For this reason, it is possible to reduce the factors that cause the detection accuracy of the mark 11 and the edge 12 to be reduced, and the substrate 10 can be accurately aligned.
[第2実施形態]
第2実施形態に係る位置合わせ装置100は、メモリ134が、基板10のエッジ12からマーク11までの距離情報として、エッジ12からマーク11までの距離あるいはそれに対応する信号幅を記憶している。それ以外の構成は、第1実施形態の位置合わせ装置100と同様である。
[Second Embodiment]
In the alignment apparatus 100 according to the second embodiment, the memory 134 stores the distance from the edge 12 to the mark 11 or the corresponding signal width as the distance information from the edge 12 to the mark 11 of the substrate 10. Other configurations are the same as those of the alignment apparatus 100 of the first embodiment.
図6は、受光素子110の視野にマーク11が存在するときの受光波形140と、基板10との関係を示している。ただし、基板10の裏面に異物20が付着していると、異物20からの反射光も受光波形140に表される。また、異物20からの反射光による信号強度が閾値145を超えてしまうと、制御部130がマーク11からの反射光と誤認してしまうおそれがある。本実施形態は、このような場合に有効な方法である。 FIG. 6 shows the relationship between the light receiving waveform 140 and the substrate 10 when the mark 11 is present in the field of view of the light receiving element 110. However, if the foreign matter 20 is attached to the back surface of the substrate 10, the reflected light from the foreign matter 20 is also represented in the received light waveform 140. Further, if the signal intensity due to the reflected light from the foreign material 20 exceeds the threshold value 145, the control unit 130 may be mistaken for the reflected light from the mark 11. The present embodiment is an effective method in such a case.
制御部130は、受光波形140を用いて基板10のエッジ12を検出する。メモリ134に記憶されている、エッジ12からマーク11までの距離を用いて、マーク11の位置を特定する際の位置Rの検出範囲を位置83から位置84の間に決定する。位置83から位置84の間において閾値145を超える信号があればマーク11があると判断してマーク11の位置を特定する。第1実施形態と同様、簡易な構成でマーク11とエッジ12を検出し、基板10の位置合わせをすることができる。 The control unit 130 detects the edge 12 of the substrate 10 using the received light waveform 140. Using the distance from the edge 12 to the mark 11 stored in the memory 134, the detection range of the position R when the position of the mark 11 is specified is determined between the position 83 and the position 84. If there is a signal exceeding the threshold value 145 between the position 83 and the position 84, it is determined that there is the mark 11 and the position of the mark 11 is specified. As in the first embodiment, the mark 11 and the edge 12 can be detected and the substrate 10 can be aligned with a simple configuration.
各回転角度においてエッジ12からマーク11までの距離と動径方向における受光結果の一部を用いることにより、異物20からの反射光に起因してマーク11の位置が誤って検出されることを防ぐことができる(図7参照)。検出範囲が狭まることにより、マーク11の位置の検出に要する時間を短縮することができる。あるいは、狭めた検出範囲内の受光波形140を詳細に解析することで、マーク11の位置の検出精度を向上することができる。 By using the distance from the edge 12 to the mark 11 and a part of the light reception result in the radial direction at each rotation angle, the position of the mark 11 is prevented from being erroneously detected due to the reflected light from the foreign material 20. (See FIG. 7). By narrowing the detection range, the time required to detect the position of the mark 11 can be shortened. Alternatively, the detection accuracy of the position of the mark 11 can be improved by analyzing in detail the light reception waveform 140 within the narrowed detection range.
[第3実施形態]
基板10を回転させながら、第1の光源111および第2の光源112を点灯させ続けた状態で受光素子110が撮像を行うと、回転速度によっては、マーク11の像やエッジ12の像のぶれが発生する。像がぶれると、受光波形140のうち、エッジ12に対応する部分の波形が波打つ、あるいはマーク11に対応するピーク波形の半値幅広くなる等してしまい、エッジ12やマーク11の位置の検出精度が低下してしまうおそれがある。
[Third Embodiment]
When the light receiving element 110 performs imaging while the substrate 10 is rotated and the first light source 111 and the second light source 112 are kept on, depending on the rotation speed, the image of the mark 11 or the image of the edge 12 may be blurred. Will occur. When the image is blurred, the waveform of the portion corresponding to the edge 12 of the received light waveform 140 is waved, or the half value of the peak waveform corresponding to the mark 11 is widened, and the detection accuracy of the positions of the edge 12 and the mark 11 is improved. May decrease.
そこで、第3実施形態に係る位置合わせ装置100は、制御部131が第1の光源111の点灯時間の間隔を、制御部132が第2の光源112の点灯時間の間隔を設定している。それ以外の構成は第1実施形態の位置合わせ装置100と同様であり、同様の手法を用いて基板10の位置合わせを行う。 Therefore, in the alignment apparatus 100 according to the third embodiment, the control unit 131 sets the lighting time interval of the first light source 111 and the control unit 132 sets the lighting time interval of the second light source 112. The other configuration is the same as that of the alignment apparatus 100 of the first embodiment, and the alignment of the substrate 10 is performed using the same method.
すなわち、基板10が回転している間、第1の光源111と第2の光源112は短い時間で点滅を繰り返す点滅光を照射する。これにより像のぶれが低減し、マーク11やエッジ12の検出精度への影響を低減することが可能となる。 That is, while the substrate 10 is rotating, the first light source 111 and the second light source 112 emit flashing light that repeatedly flashes in a short time. As a result, image blurring is reduced, and the influence on the detection accuracy of the mark 11 and the edge 12 can be reduced.
像のぶれは特に回転方向のほうが大きいため、第2の光源112の点灯時間は第1の光源112の点灯時間よりも短いほうが好ましい。そのため、受光素子110に入る光量は第1の光源111のほうが多くなることから、第1の光源111は第2の光源112に比べて光量(輝度)の小さな光源を選択することが可能となる。 Since the image blur is particularly large in the rotation direction, the lighting time of the second light source 112 is preferably shorter than the lighting time of the first light source 112. For this reason, since the amount of light entering the light receiving element 110 is greater in the first light source 111, the first light source 111 can select a light source having a smaller amount of light (brightness) than the second light source 112. .
[第4実施形態]
第4の実施形態の位置合わせ装置100の構成は第1の実施形態と同様である。1つの基板10の裏面に、3つのマーク(複数のマーク)11が、基板10の中心20に対して同心円上に、中心角が120°の間隔で形成されているとする。
[Fourth Embodiment]
The configuration of the alignment apparatus 100 of the fourth embodiment is the same as that of the first embodiment. It is assumed that three marks (a plurality of marks) 11 are formed concentrically with the center 20 of the substrate 10 at intervals of 120 ° on the back surface of one substrate 10.
この場合、S304〜S307の間に制御部130が回転させる基板10の回転角度は120°で済む。120°回転させれば、少なくとも1つのマーク11を検出できるからである。このように、マーク11の数に応じて、回転方向における受光範囲を調整するこれにより、マーク11やエッジ12の検出に要する時間を低減することができる。 In this case, the rotation angle of the substrate 10 rotated by the control unit 130 between S304 and S307 may be 120 °. This is because at least one mark 11 can be detected by rotating 120 °. Thus, by adjusting the light receiving range in the rotation direction according to the number of marks 11, the time required to detect the marks 11 and edges 12 can be reduced.
なお、120°回転させてもマーク11が検出できない場合には、第2の光源112の投光条件を変更しても良い。投光条件とは例えば、光量、あるいはマーク11に対する光の入射角度である。 If the mark 11 cannot be detected even after being rotated by 120 °, the light projection condition of the second light source 112 may be changed. The light projection condition is, for example, the amount of light or the incident angle of light with respect to the mark 11.
光量を増やすことによる信号強度の増加、あるいは光の投光角度を変更することによる信号強度のS/N比の改善、によってマークを検出できる可能性が高くなる。なお、投光角度の変更手段として、第2の光源112を様々な角度に配置して点灯させる素子を切り替える方法、第2の光源112からの光を導光する経路を複数配置してミラーを用いて経路を切り替える方法等が挙げられる。不図示の駆動機構により第2の光源112移動させても良い。 There is a high possibility that the mark can be detected by increasing the signal intensity by increasing the amount of light or by improving the S / N ratio of the signal intensity by changing the light projection angle. As a means for changing the projection angle, the second light source 112 is arranged at various angles to switch the element to be lit, and a plurality of paths for guiding the light from the second light source 112 are arranged to provide a mirror. And a method of switching the route by using. The second light source 112 may be moved by a driving mechanism (not shown).
第3の実施形態と組み合わせて適用する場合には、点灯時間も投光条件に含まれる。裏面に形成されているマーク11の数と基板10の回転角度(基板の回転方向の位置)に応じて、投光条件を変更すれば、短時間でマーク11を検出できる。 When applied in combination with the third embodiment, the lighting time is also included in the light projection conditions. If the light projection conditions are changed according to the number of marks 11 formed on the back surface and the rotation angle of the substrate 10 (position in the rotation direction of the substrate), the marks 11 can be detected in a short time.
あるいは複数のマーク11が、2種類以上あるとする。ライン幅やスペース幅が異なれば、各々のマーク11からの反射光を信号強度の分布から区別できる。この場合は、制御部130は、当該複数のマーク位置及び種類(複数のマークの情報)と受光結果に基づいて基板10の位置を特定する。基板10を360°回転させて複数のマーク11を検出し、基板10に形成された実際の複数のマーク11の回転方向の位置間隔と、検出されたマーク11の回転方向の位置間隔を比較する。計測誤差の影響を減らし、基板10の位置の特定精度を高めることもできる。 Alternatively, it is assumed that there are two or more types of marks 11. If the line width and space width are different, the reflected light from each mark 11 can be distinguished from the distribution of signal intensity. In this case, the control unit 130 specifies the position of the substrate 10 based on the plurality of mark positions and types (information of the plurality of marks) and the light reception result. The substrate 10 is rotated 360 ° to detect a plurality of marks 11, and the position intervals in the rotation direction of the actual plurality of marks 11 formed on the substrate 10 are compared with the position intervals in the rotation direction of the detected marks 11. . It is also possible to reduce the influence of measurement errors and increase the accuracy of specifying the position of the substrate 10.
[第5実施形態]
第5実施形態の位置合わせ装置100は、メモリ134が、基板10の裏面に形成される3種類の異なるマーク11(図9に、3種類のマーク11に対応するマーク信号81、85、86を図示)の形状をテンプレート(マークの見本情報)として記憶している。それ以外の構成は、第1実施形態の位置合わせ装置100と同様である。
[Fifth Embodiment]
In the alignment apparatus 100 according to the fifth embodiment, the memory 134 includes three different types of marks 11 formed on the back surface of the substrate 10 (mark signals 81, 85, and 86 corresponding to the three types of marks 11 in FIG. 9). (Shown) is stored as a template (mark sample information). Other configurations are the same as those of the alignment apparatus 100 of the first embodiment.
図8は、第5実施形態の位置合わせの流れを示すフローチャートである。S401〜S405の工程は図3におけるS301〜S305の工程と、S409〜S413の工程は図3におけるS308〜S312の工程と同様であるため説明を省略し、S406〜S408の工程を中心に説明する。 FIG. 8 is a flowchart showing a flow of alignment according to the fifth embodiment. Steps S401 to S405 are the same as steps S301 to S305 in FIG. 3, and steps S409 to S413 are the same as steps S308 to S312 in FIG. .
S405において受光素子110の信号を取得しながら、制御部130はエッジ12の検出のみを行う(S406)。回転終了(S407)後、制御部130は受光素子110から取得した信号を用いて、図9のようにエッジ12の位置を揃えた2次元像を作成する。図9において横軸は回転角θを示し、縦軸は動径方向の位置Rを示している。 While acquiring the signal of the light receiving element 110 in S405, the control unit 130 only detects the edge 12 (S406). After completion of the rotation (S407), the control unit 130 uses the signal acquired from the light receiving element 110 to create a two-dimensional image in which the positions of the edges 12 are aligned as shown in FIG. In FIG. 9, the horizontal axis indicates the rotation angle θ, and the vertical axis indicates the position R in the radial direction.
制御部130は、回転成分による歪みなくマーク信号81、85、86で表される2次元像を生成する。制御部130は、マーク信号81、85、86とメモリ134に記憶されている3種類の異なるマーク11の像とのテンプレートマッチングを実施して基板10の位置を特定することができる(S408)。このようにして、受光結果とマーク11のテンプレートとに基づいて、ノッチの無い基板10であっても、高い精度で位置合わせをすることができる(S411、S412)。 The control unit 130 generates a two-dimensional image represented by the mark signals 81, 85, 86 without distortion due to the rotation component. The control unit 130 can specify the position of the substrate 10 by performing template matching between the mark signals 81, 85, and 86 and images of three different types of marks 11 stored in the memory 134 (S408). Thus, based on the light reception result and the template of the mark 11, even the substrate 10 without a notch can be aligned with high accuracy (S411, S412).
テンプレートマッチング法であれば、異物信号90、91等をマーク信号と誤認することが無い。複数種類のマークが基板10に形成されている場合であっても、容易に各々の位置を特定することができる。さらに、第2実施形態と組み合わせて、位置83から位置84の間に検出範囲を狭めることも良い。これにより、検出に要する時間を短縮することが可能となる。 With the template matching method, the foreign matter signals 90 and 91 are not mistaken as mark signals. Even when a plurality of types of marks are formed on the substrate 10, the respective positions can be easily specified. Further, in combination with the second embodiment, the detection range may be narrowed between the position 83 and the position 84. As a result, the time required for detection can be shortened.
[第6実施形態]
第6実施形態は、受光素子110は、第1の光源111からの透過光とマーク11で反射された第2の光源112からの反射光とを異なるタイミングで検出する実施形態である。すなわち、先に第1の光源111のみで光を照射して得られた像からエッジ12を検出し、その後第2の光源112のみを用いて得られた像からマーク11の位置を検出する。
[Sixth Embodiment]
In the sixth embodiment, the light receiving element 110 detects the transmitted light from the first light source 111 and the reflected light from the second light source 112 reflected by the mark 11 at different timings. That is, the edge 12 is detected from an image obtained by irradiating light with only the first light source 111 first, and then the position of the mark 11 is detected from the image obtained using only the second light source 112.
第2の光源112でマーク11を検出する際に、先に取得したエッジ12の位置に基づいて基板10の偏心を補正しながら回転動作をさせることで、図9と同じようなエッジ12の位置を揃えた2次元像を取得することができる。一度取得した受光波形140からエッジ12の位置を揃えた2次元像を作成する場合に比べて、信号処理の時間を短縮することができる。さらに受光素子110による撮像領域を絞った場合に、信号処理の時間を短縮することもできる。 When the mark 11 is detected by the second light source 112, the position of the edge 12 similar to that of FIG. 9 is obtained by rotating the substrate 10 while correcting the eccentricity of the substrate 10 based on the position of the edge 12 acquired previously. Can be obtained. Compared with the case of creating a two-dimensional image in which the positions of the edges 12 are aligned from the received light waveform 140 once acquired, the signal processing time can be shortened. Furthermore, when the imaging region by the light receiving element 110 is narrowed down, the signal processing time can be shortened.
エッジ12を検出する場合と、マーク11を検出する場合とで、必要となる検出精度に応じて回転ステージ121の回転速度を変えても良い。例えば、エッジ12の検出時はマーク11の検出時に比べて基板10を高速で回転させて、受光波形140の取得データ数を減らしても構わない。信号処理の負荷を減らすことができる。 The rotational speed of the rotary stage 121 may be changed according to the required detection accuracy depending on whether the edge 12 is detected or the mark 11 is detected. For example, when the edge 12 is detected, the number of acquired data of the received light waveform 140 may be reduced by rotating the substrate 10 at a higher speed than when the mark 11 is detected. The load of signal processing can be reduced.
[その他の実施形態]
第1〜第5実施形態に共通する、その他の実施形態について説明する。
[Other Embodiments]
Other embodiments common to the first to fifth embodiments will be described.
マーク11として、ユーザにより加工されたマークではなく、標準規格によって基板10の結晶方位を定めるために予め形成されたマークを使用することが好ましい。規格のマークとは複数の半球状の凹部が配列されて構成されているマークであって、基板10の裏面に、凹部の配列が異なる3種類のマークが約120°の間隔で配置されたものである。別途にマーク11を形成する時間を工程を省略することができる。3種類の規格マークのうち、少なくとも1種類のマークの情報とエッジ情報のみを使用も構わない。 As the mark 11, it is preferable to use a mark formed in advance for determining the crystal orientation of the substrate 10 according to the standard, not a mark processed by the user. The standard mark is a mark formed by arranging a plurality of hemispherical recesses, and three types of marks having different recess arrangements are arranged on the back surface of the substrate 10 at intervals of about 120 °. It is. The time for forming the mark 11 separately can be omitted. Of the three types of standard marks, at least one type of mark information and edge information may be used.
なお、規格マークは、並進方向に十数μm、回転方向に0.1°程度の位置誤差をもって形成されているマークである。そのため、3つの規格マークの位置の計測することにより基板10の位置(x、y、θ)を決定する場合よりも、前述の各実施形態のように、連続したエッジ12の位置情報も併せて取得する場合のほうが、高い精度で基板10の位置を求めることができる。エッジ12の位置情報を離散的に取得する場合よりも、高い精度で基板10の位置を求めることができる。 The standard mark is a mark formed with a positional error of about 10 μm in the translation direction and about 0.1 ° in the rotation direction. Therefore, as compared with the case where the position (x, y, θ) of the substrate 10 is determined by measuring the positions of the three standard marks, the position information of the continuous edges 12 is also combined as in the above-described embodiments. In the case of acquisition, the position of the substrate 10 can be obtained with higher accuracy. The position of the substrate 10 can be obtained with higher accuracy than when the position information of the edge 12 is obtained discretely.
受光素子110は、第1の光源111を主に受光する領域と、第2の光源112を主に受光する領域とで感度が異なるものでも良い。基板10を回転させる代わりに、第1の光源111及び第2の光源112を回転させることで、エッジ12及びマーク11を検出しても構わない。 The light receiving element 110 may have different sensitivities between a region that mainly receives the first light source 111 and a region that mainly receives the second light source 112. Instead of rotating the substrate 10, the edge 12 and the mark 11 may be detected by rotating the first light source 111 and the second light source 112.
制御部130は、受光波形140に対して移動平均処理を施した波形を用いてエッジ12やマーク11を検出しても良い。異物20の信号はマーク11の信号に比べて局所的なことが多いため、異物20に起因するノイズ信号を低減することができる。 The control unit 130 may detect the edge 12 and the mark 11 using a waveform obtained by performing a moving average process on the received light waveform 140. Since the signal of the foreign object 20 is often local as compared with the signal of the mark 11, a noise signal caused by the foreign object 20 can be reduced.
なお、移動平均処理とは、ある間隔内の平均値を計算する処理を連続して行うことをいう。例えば、受光波形140のそれぞれの角度θにおける信号強度を、θ=±1°以内に含まれる信号強度の平均値に変換する処理である。 Note that the moving average process refers to continuously performing a process of calculating an average value within a certain interval. For example, the signal intensity at each angle θ of the received light waveform 140 is a process of converting the signal intensity to an average value included within θ = ± 1 °.
第1の光源111が裏面側から鉛直上方に向けてエッジ12を含むように光を照射し、第1の光源111の鉛直上方に光学系113と受光素子110が配置されていても良い。ただし、この場合は、第2の光源112により照射され、マーク11で反射された光を別の光学系(不図示)を用いて光路を折り曲げながら導光し、光学系113に入射させる。第1の光源111からの光を、別の光学系(不図示)を用いて光路を折り曲げることによってエッジ12付近に照射しても良い。 The first light source 111 may emit light so as to include the edge 12 from the back surface side vertically upward, and the optical system 113 and the light receiving element 110 may be disposed vertically above the first light source 111. However, in this case, the light irradiated by the second light source 112 and reflected by the mark 11 is guided using a different optical system (not shown) while bending the optical path, and is incident on the optical system 113. The light from the first light source 111 may be irradiated near the edge 12 by bending the optical path using another optical system (not shown).
第2の光源112の照明方法は、明視野照明でも構わない。基板10の材質やマーク11の形状によってマーク11が検出しやすい照明方法を選択すると良い。マーク11が基板10の円周に近い場合は、暗視野照明によって中心側から斜めに光を入射させるほうが好ましい。面取り13からの反射光が受光素子111に強く検出されて、エッジ12やマーク11の位置情報を含む光量の小さな光の検出の妨げになることを防ぐことができる。 The illumination method of the second light source 112 may be bright field illumination. An illumination method that allows the mark 11 to be easily detected may be selected depending on the material of the substrate 10 and the shape of the mark 11. When the mark 11 is close to the circumference of the substrate 10, it is preferable that light is incident obliquely from the center side by dark field illumination. It is possible to prevent the reflected light from the chamfer 13 from being strongly detected by the light receiving element 111 and hindering detection of light having a small light amount including the position information of the edge 12 and the mark 11.
前述のように、受光素子110は、実施形態に応じて、回転ステージ121が基板10を回転させている間に、第1の光源111からの光および第2の光源112からの光の少なくとも一方を受光する。 As described above, according to the embodiment, the light receiving element 110 includes at least one of light from the first light source 111 and light from the second light source 112 while the rotary stage 121 rotates the substrate 10. Is received.
第1の光源111と第2の光源112の光源波長は、同じ波長でも異なる波長でも構わない。ただし、照射する光の波長は、後続する処理に影響を及ぼさない波長である必要がある。例えば、レジスト等の感光材が塗布された基板10を取り扱う場合は、少なくとも基板10のレジストの塗布された面には感光材が感光しない波長(例えば、450〜800nm)の光を照射する。基板10がガラス基板のように光を透過する物質の場合は、基板に応じて信号強度が出やすい波長に変更することが好ましい。また第1の光源111と第2の光源112はLED以外の光源でも良い。 The light source wavelengths of the first light source 111 and the second light source 112 may be the same wavelength or different wavelengths. However, the wavelength of the irradiated light needs to be a wavelength that does not affect the subsequent processing. For example, when handling the substrate 10 coated with a photosensitive material such as a resist, at least the surface of the substrate 10 coated with the resist is irradiated with light having a wavelength (for example, 450 to 800 nm) at which the photosensitive material is not exposed. In the case where the substrate 10 is a substance that transmits light, such as a glass substrate, it is preferable to change the wavelength so that the signal intensity is easily generated according to the substrate. The first light source 111 and the second light source 112 may be light sources other than LEDs.
[他の装置への搭載]
図10は、第1実施形態の位置合わせ装置100が搭載された露光装置(リソグラフィ装置)500を+Z方向から見た図である。露光装置500は光学系510を用いて、例えばi線(波長365nm)を照射し、露光ステージ520上の基板10上に回路パターン等のパターンを形成する装置である。
[Installation in other devices]
FIG. 10 is a view of an exposure apparatus (lithography apparatus) 500 on which the alignment apparatus 100 according to the first embodiment is mounted as viewed from the + Z direction. The exposure apparatus 500 is an apparatus that forms a pattern such as a circuit pattern on the substrate 10 on the exposure stage 520 by irradiating, for example, i-line (wavelength 365 nm) using the optical system 510.
搬送ハンド530は、待機位置540にある基板10を位置合わせ装置100のステージ120上に搬送する。位置合わせ装置100が基板10の待機位置を調整した後、送り込みハンド550が露光ステージ520上に基板10を載置する。パターンの露光動作終了後は、搬送ハンド530が基板10を待機位置540まで搬送する。 The transport hand 530 transports the substrate 10 at the standby position 540 onto the stage 120 of the alignment apparatus 100. After the alignment apparatus 100 adjusts the standby position of the substrate 10, the feeding hand 550 places the substrate 10 on the exposure stage 520. After the pattern exposure operation is completed, the transport hand 530 transports the substrate 10 to the standby position 540.
また、リソグラフィ装置500は位置合わせ装置100の付近に前述とは別の光源(不図示)及び光学系(不図示)を有していても良い。回転ステージ121で基板10を回転させながら、位置合わせ装置100を用いて取得した基板10のエッジ12の位置情報に基づいて、基板10の周部(最外周、あるいはその少し内側)を環状に露光する(周辺露光する)。 Further, the lithography apparatus 500 may have a light source (not shown) and an optical system (not shown) different from those described above in the vicinity of the alignment apparatus 100. While the substrate 10 is rotated by the rotation stage 121, the peripheral portion (the outermost periphery or a little inside thereof) of the substrate 10 is exposed in a ring shape based on the position information of the edge 12 of the substrate 10 acquired using the alignment apparatus 100. (Peripheral exposure).
基板10の周部に環状の凸構造を形成する際に不要となるレジストを除去することができる。これにより基板10の被露光面に環状凸部を形成することができ、リソグラフィ装置500の外部のメッキ加工装置(不図示)において、基板10に形成された半導体層の剥がれ防止用のめっき加工をすることが容易となる。基板10の特に周縁部において過剰にレジストが供給されたり、所定の位置からずれてレジストが供給されることにより周縁部でレジストの供給不足となることを防ぐことができる。 It is possible to remove a resist that is unnecessary when forming an annular convex structure on the peripheral portion of the substrate 10. As a result, an annular convex portion can be formed on the exposed surface of the substrate 10, and a plating process for preventing peeling of the semiconductor layer formed on the substrate 10 can be performed in a plating apparatus (not shown) outside the lithography apparatus 500. Easy to do. It is possible to prevent the resist from being supplied insufficiently at the peripheral portion by supplying the resist excessively at the peripheral portion of the substrate 10 or by supplying the resist deviating from a predetermined position.
なお、本発明のリソグラフィ装置が基板に対して投影する光(ビーム)は、i線に限られない。KrF光(波長248nm)やArF光(波長193nm)といった遠紫外線領域の光、可視光領域の光であるg線(波長436nm)でも良い。また、リソグラフィ装置は、荷電粒子線を基板に照射してウエハ上に潜像パターンを形成する装置や、インプリント法により基板にパターンを形成する装置でも良い。 The light (beam) projected onto the substrate by the lithography apparatus of the present invention is not limited to i-line. Far-ultraviolet light, such as KrF light (wavelength 248 nm) or ArF light (wavelength 193 nm), or g-ray (wavelength 436 nm), which is visible light light, may be used. The lithography apparatus may be an apparatus that forms a latent image pattern on a wafer by irradiating the substrate with a charged particle beam, or an apparatus that forms a pattern on a substrate by an imprint method.
位置合わせ装置100を、基板10の位置合わせが必要なその他の処理装置に搭載することもできる。 The alignment apparatus 100 can also be mounted on other processing apparatuses that require alignment of the substrate 10.
[物品の製造方法]
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、リソグラフィ装置を用いて基板(ウエハやガラス板等)上にパターンを形成する工程と、パターンの形成された基板に対して加工処理を施す工程とを含む。物品とは、例えば、半導体集積回路素子、液晶表示素子、撮像素子、磁気ヘッド、CD−RW、光学素子、フォトマスク等である。加工処理とは、例えば、エッチング処理、イオン注入処理である。さらに、他の周知の処理工程(現像、酸化、成膜、蒸着、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含んでも良い。
[Product Manufacturing Method]
A method for manufacturing an article according to an embodiment of the present invention includes a step of forming a pattern on a substrate (wafer, glass plate, etc.) using a lithography apparatus, and a step of processing the substrate on which the pattern is formed. including. The article is, for example, a semiconductor integrated circuit element, a liquid crystal display element, an imaging element, a magnetic head, a CD-RW, an optical element, a photomask, or the like. The processing process is, for example, an etching process or an ion implantation process. Furthermore, other known processing steps (development, oxidation, film formation, vapor deposition, planarization, resist peeling, dicing, bonding, packaging, etc.) may be included.
10 基板
11 マーク
12 エッジ
100 位置合わせ装置
110 受光素子
111 第1の光源
112 第2の光源
121 回転ステージ
500 露光装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate 11 Mark 12 Edge 100 Positioning device 110 Light receiving element 111 First light source 112 Second light source 121 Rotating stage 500 Exposure device
本発明は、位置決定装置、位置決定方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。 The present invention relates to a position determining device, a position determining method, a lithographic apparatus, and an article manufacturing method.
そこで、本発明は共通の受光手段を用いてマークと基板のエッジとを検出し、基板の位置を決定することができる位置決定装置、位置決定方法、およびリソグラフィ装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a position determination device, a position determination method, and a lithography apparatus that can detect a mark and an edge of a substrate using a common light receiving means and determine the position of the substrate. .
本発明の位置合わせ装置は、基板の端部に光を照射する第1の投光手段と、前記基板の面にあるマークに光を照射する第2の投光手段と、前記基板の前記面側に配置され、前記第1の投光手段からの光であって前記基板の外側を通過した光を受光し、かつ前記第2の投光手段からの光であって前記マークで反射された光を受光する受光手段と、前記受光手段による受光結果に基づいて前記基板の位置を決定する決定手段と、を有することを特徴とする。 The alignment apparatus of the present invention includes a first light projecting unit that irradiates light to an end portion of a substrate, a second light projecting unit that irradiates light on a mark on the surface of the substrate, and the surface of the substrate. Arranged on the side, receiving light from the first light projecting means and passing outside the substrate, and receiving light from the second light projecting means and reflected by the mark and having a light receiving means for receiving light, and a determination means for determining a position of the substrate based on the light reception result by the pre-Symbol light receiving means.
本発明の位置決定装置、位置決定方法、およびリソグラフィ装置によれば、共通の受光手段を用いてマークと基板のエッジとを検出し、基板の位置を求めることができる。 Positioning device of the present invention, the position determination method, and according to the lithography equipment, using a common light receiving means detects the mark and the edge of the substrate, it is possible to determine the position of the substrate.
制御部130(決定手段)は、受光素子110と接続されている。受光素子110による受光結果からマーク11およびエッジ12を検出し、基板10の位置を求める。制御部131は第1の光源111と接続されており、第1の光源111を調光する。制御部132は第2の光源112と接続されており、第2の光源112を調光する。制御部133はステージ120と接続されており、回転ステージ121とXYステージ122の駆動を制御する。 The control unit 130 (determining means) is connected to the light receiving element 110. The mark 11 and the edge 12 are detected from the light reception result by the light receiving element 110, and the position of the substrate 10 is obtained. The control unit 131 is connected to the first light source 111 and dimmes the first light source 111. The control unit 132 is connected to the second light source 112 and dimmes the second light source 112. The control unit 133 is connected to the stage 120 and controls driving of the rotary stage 121 and the XY stage 122.
制御部130〜133はそれぞれCPU(不図示)を有しており、制御部130〜133およびメモリ134は互いに情報のやりとりが可能とする。例えば、制御部130が求めた基板10の位置ずれを補正するように、制御部133がステージ120を駆動させて、基板10の位置合わせを行うことができる。 The control units 130 to 133 each have a CPU (not shown), and the control units 130 to 133 and the memory 134 can exchange information with each other. For example, the control unit 133 can drive the stage 120 to align the substrate 10 so as to correct the positional deviation of the substrate 10 obtained by the control unit 130.
図2は、位置合わせ装置100を用いた基板10の位置合わせの流れを示すフローチャートである。位置合わせ装置100へ基板搬入前に、制御部131が第1の光源111を調光する(S301)。受光素子110で第1の光源111からの光の光量を計測し、光量が示す信号強度が最適値になるように第1の光源111の光量を調整する。なお、第1の光源111は遮光物となる基板10が無い状態で調光されることが好ましい。基板搬送後に調光すると、基板10に遮光された部分の光量確認ができない。そのため、基板10の回転動作中に信号強度が許容値を超えるおそれがある。 FIG. 2 is a flowchart showing a flow of alignment of the substrate 10 using the alignment apparatus 100. Before the substrate carried into the alignment device 100, the control unit 131 to dim the first light source 11 1 (S301). The light amount of the light from the first light source 111 is measured by the light receiving element 110, and the light amount of the first light source 111 is adjusted so that the signal intensity indicated by the light amount becomes an optimum value. Note that the first light source 111 is preferably dimmed without the substrate 10 serving as a light shielding material. If the light is adjusted after the substrate is transported, it is not possible to confirm the amount of light in the portion shielded by the substrate 10. Therefore, there is a possibility that the signal intensity exceeds the allowable value during the rotation operation of the substrate 10.
制御部130は、位置波形80を用いて、ステージ120に対する基板10の水平方向の位置を決定し、θmarkを用いて回転方向の位置を決定する(S310)。 The control unit 130 determines the position of the substrate 10 in the horizontal direction with respect to the stage 120 using the position waveform 80, and determines the position in the rotation direction using θmark (S310).
像のぶれは特に回転方向のほうが大きいため、第2の光源112の点灯時間は第1の光源111の点灯時間よりも短いほうが好ましい。そのため、受光素子110に入る光量は第1の光源111のほうが多くなることから、第1の光源111は第2の光源112に比べて光量(輝度)の小さな光源を選択することが可能となる。 Since image blur is particularly large towards the rotational direction, the lighting time of the second light source 112 is preferably more shorter than the lighting time of the first light source 11 1. For this reason, since the amount of light entering the light receiving element 110 is greater in the first light source 111, the first light source 111 can select a light source having a smaller amount of light (brightness) than the second light source 112. .
図8は、第5実施形態の位置合わせの流れを示すフローチャートである。S401〜S405の工程は図2におけるS301〜S305の工程と、S409〜S413の工程は図2におけるS308〜S312の工程と同様であるため説明を省略し、S406〜S408の工程を中心に説明する。 FIG. 8 is a flowchart showing a flow of alignment according to the fifth embodiment. S401~S405 steps and steps of S301~S305 in Fig. 2, not described for S409~S413 of processes are the same as those of S308~S312 in Fig. 2, it will be mainly described S406~S408 steps .
第2の光源112の照明方法は、明視野照明でも構わない。基板10の材質やマーク11の形状によってマーク11が検出しやすい照明方法を選択すると良い。マーク11が基板10の円周に近い場合は、暗視野照明によって中心側から斜めに光を入射させるほうが好ましい。面取り13からの反射光が受光素子110に強く検出されて、エッジ12やマーク11の位置情報を含む光量の小さな光の検出の妨げになることを防ぐことができる。 The illumination method of the second light source 112 may be bright field illumination. An illumination method that allows the mark 11 to be easily detected may be selected depending on the material of the substrate 10 and the shape of the mark 11. When the mark 11 is close to the circumference of the substrate 10, it is preferable that light is incident obliquely from the center side by dark field illumination. And light reflected from the chamfered 13 is detected strongly to the light receiving element 11 0, it is possible to prevent hindering the detection of small quantity of light including positional information of the edge 12 and the mark 11.
また、露光装置500は位置合わせ装置100の付近に前述とは別の光源(不図示)及び光学系(不図示)を有していても良い。回転ステージ121で基板10を回転させながら、位置合わせ装置100を用いて取得した基板10のエッジ12の位置情報に基づいて、基板10の周部(最外周、あるいはその少し内側)を環状に露光する(周辺露光する)。 Further, the exposure apparatus 500 may have a light source (not shown) and an optical system (not shown) different from those described above in the vicinity of the alignment apparatus 100. While the substrate 10 is rotated by the rotation stage 121, the peripheral portion (the outermost periphery or a little inside thereof) of the substrate 10 is exposed in a ring shape based on the position information of the edge 12 of the substrate 10 acquired using the alignment apparatus 100. (Peripheral exposure).
基板10の周部に環状の凸構造を形成する際に不要となるレジストを除去することができる。これにより基板10の被露光面に環状凸部を形成することができ、露光装置500の外部のメッキ加工装置(不図示)において、基板10に形成された半導体層の剥がれ防止用のめっき加工をすることが容易となる。基板10の特に周縁部において過剰にレジストが供給されたり、所定の位置からずれてレジストが供給されることにより周縁部でレジストの供給不足となることを防ぐことができる。 It is possible to remove a resist that is unnecessary when forming an annular convex structure on the peripheral portion of the substrate 10. As a result, an annular convex portion can be formed on the exposed surface of the substrate 10, and plating processing for preventing peeling of the semiconductor layer formed on the substrate 10 is performed in a plating apparatus (not shown) outside the exposure apparatus 500. Easy to do. It is possible to prevent the resist from being supplied insufficiently at the peripheral portion by supplying the resist excessively at the peripheral portion of the substrate 10 or by supplying the resist deviating from a predetermined position.
Claims (17)
前記基板の面にあるマークに光を照射する第2の投光手段と、
前記基板の前記面側に配置され、前記第1の投光手段からの光であって前記基板の外側を通過した光を受光し、かつ前記第2の投光手段からの光であって前記マークで反射された光を受光する受光手段と、を有し、
前記受光手段による受光結果に基づいて前記基板の位置を決定することを特徴とする位置決定装置。 First light projecting means for irradiating the end of the substrate with light;
Second light projecting means for irradiating the mark on the surface of the substrate with light;
The light is disposed on the surface side of the substrate, receives light from the first light projecting means and passes outside the substrate, and light from the second light projecting means, A light receiving means for receiving the light reflected by the mark,
A position determining device, wherein the position of the substrate is determined based on a light reception result by the light receiving means.
前記基板の外側の光を通過した光と前記マークで反射された光とを、共通の受光手段を用いて受光するステップと、
前記受光するステップにおける受光結果に基づいて、前記基板の位置を決定する位置決定方法。 Irradiating light to an edge of the substrate and a mark on the surface of the substrate;
Receiving the light that has passed through the light outside the substrate and the light reflected by the mark using a common light receiving means;
A position determination method for determining a position of the substrate based on a light reception result in the light receiving step.
前記位置決定装置で得られた前記基板の位置に基づいて、前記基板を載せて可動なステージに対する前記基板の位置を調整する位置調整手段とを有し、
前記調整手段により位置調整された基板上にパターンを形成することを特徴とするリソグラフィ装置。 A substrate position determination device according to any one of claims 1 to 12,
Based on the position of the substrate obtained by the position determining device, and a position adjusting means for adjusting the position of the substrate with respect to a movable stage by placing the substrate;
A lithographic apparatus, wherein a pattern is formed on a substrate whose position is adjusted by the adjusting means.
前記工程でパターンの形成された基板を処理する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。 Forming a pattern on a substrate using the lithographic apparatus according to claim 15 or 16,
And a step of processing the substrate on which the pattern is formed in the step.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/948,548 US9841299B2 (en) | 2014-11-28 | 2015-11-23 | Position determining device, position determining method, lithographic apparatus, and method for manufacturing object |
TW104139186A TWI620039B (en) | 2014-11-28 | 2015-11-25 | Position determining device, position determining method, lithographic apparatus, and method for manufacturing object |
CN201510846079.4A CN105652611B (en) | 2014-11-28 | 2015-11-27 | Position determining means and method, lithographic device and article manufacturing method |
KR1020150167023A KR101993950B1 (en) | 2014-11-28 | 2015-11-27 | Position determining device, position determining method, lithographic apparatus, and method for manufacturing object |
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014242526 | 2014-11-28 | ||
JP2014242526 | 2014-11-28 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016110066A true JP2016110066A (en) | 2016-06-20 |
JP2016110066A5 JP2016110066A5 (en) | 2018-08-30 |
JP6590599B2 JP6590599B2 (en) | 2019-10-16 |
Family
ID=56122139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015171202A Active JP6590599B2 (en) | 2014-11-28 | 2015-08-31 | Position determining apparatus, position determining method, lithographic apparatus, and article manufacturing method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6590599B2 (en) |
KR (1) | KR101993950B1 (en) |
CN (1) | CN105652611B (en) |
TW (1) | TWI620039B (en) |
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KR20190036450A (en) * | 2017-09-27 | 2019-04-04 | 가부시키가이샤 알박 | Position detection device, position detection method, and vapor deposition apparatus |
JP2019062105A (en) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | 株式会社アルバック | Position detection apparatus, position detection method, and vapor deposition apparatus |
KR102125839B1 (en) | 2017-09-27 | 2020-06-23 | 가부시키가이샤 알박 | Position detection device, position detection method, and vapor deposition apparatus |
CN118641478A (en) * | 2024-08-14 | 2024-09-13 | 江苏福拉特自动化设备有限公司 | Industrial camera self-adaptive focusing device and method for Micro-LED spliced surface edging chamfer multi-angle detection |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101993950B1 (en) | 2019-06-27 |
TWI620039B (en) | 2018-04-01 |
CN105652611A (en) | 2016-06-08 |
KR20160065019A (en) | 2016-06-08 |
JP6590599B2 (en) | 2019-10-16 |
CN105652611B (en) | 2018-05-08 |
TW201621481A (en) | 2016-06-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151027 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180717 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180717 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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